DE2645081A1

DE2645081A1 - PROCESS FOR Peeling Off Layers

Info

Publication number: DE2645081A1
Application number: DE19762645081
Authority: DE
Inventors: Lubomyr Taras Romankiw
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1975-12-31
Filing date: 1976-10-06
Publication date: 1977-07-14
Also published as: FR2337358B1; DE2645081C2; JPS5285033A; FR2337358A1; JPS5857908B2

Description

Aktenzeichen der Anmelderin: YO 975 031File number of the applicant: YO 975 031

Method of peeling off layers

Die Erfindung betrifft ganz allgemein überzugsverfahren und insbesondere den Einsatz von überzügen für Masken. Die überzüge werden dabei im Vakuum durch Kathodenzerstäubung oder andere Verfahren aufgebracht. Die Erfindung betrifft auch das Gebiet von Masken für das Niederschlagen dünner Filme durch Aufbringen von überzügen im Vakuum oder durch Kathodenzerstäubung auf verschiedenen Substraten. Die Masken können entweder durch galvanische Verfahren, stromlose Niederschlagsverfahren oder andere Verfahren aufgebracht werden.The invention relates generally and more particularly to coating processes the use of covers for masks. The coatings will be applied in a vacuum by cathode sputtering or other processes. The invention also relates to the field of Masks for the deposition of thin films by applying coatings in a vacuum or by cathodic sputtering on various Substrates. The masks can be made by either electroplating, electroless deposition, or other methods be applied.

Bei der Herstellung von Halbleiterstrukturen hat man bisher bei Masken für den Niederschlag von Schichten im Vakuum von Unterschneidungen oder von überhängenden Kanten in der Weise Gebrauch gemacht, daß eine Materialschicht durch eine öffnung niedergeschlagen wird, die durch den Überhang bestimmt ist, bei gleichzeitiger Trennung der neuen Schicht von dem überhängenden Material, die durch den Überhang und die Materialquelle und durch die relativ größere Tiefe der öffnung im Vergleich mit der Schichtdicke der niederzuschlagenden Materialschicht verursacht wird.In the manufacture of semiconductor structures, undercuts have hitherto been used in masks for the deposition of layers in a vacuum or made use of overhanging edges in such a way that a layer of material is deposited through an opening determined by the overhang, with simultaneous separation of the new layer from the overhanging material, by the overhang and the material source and by the relatively greater depth of the opening compared to the Layer thickness of the material layer to be deposited is caused.

In dem Aufsatz von Bohg und andere in IBM TDB Band 16, Nr. 12, vom Mai 1974, mit dem Titel "Lift-Off Mask" ist eine ablösbare Maske mit Überhang offenbart, die den Vorteil hat, daß keinIn the article by Bohg and others in IBM TDB Volume 16, No. 12, of May 1974, with the title "Lift-Off Mask", a removable mask with an overhang is disclosed, which has the advantage that no

709R?8/in11709R? 8 / in11

Photolack benützt wird und die aus pyrolytisch niedergeschlagenen Siliciumoxiden besteht. Das Siliciumoxid wird bei Temperaturen von 300 ⁰C bis 500 ⁰C in der Weise aufgewachsen, daß diese Temperatur langsam erhöht wird, so daß sich eine entsprechend unterschiedliche Ätzgeschwindigkeit für das Siliciumoxid ergibt, wodurch beim Ätzen ein Überhang gebildet wird. Eine Schicht aus Photolack dient dann als zeitweilige Maske für Fluorwasserstoffsäure. Anschließend wird die Photolackschicht entfernt und ein dünner metallischer Film wird durch die Maske auf das Substrat aufgedampft. Die Schicht aus Siliciumoxid wird dann abgelöst. In der Praxis beträgt die größte Dicke dieses Materials etwa 1 bis 3 Mikron. Bei größeren Materialstärken treten Risse und Sprünge auf.Photoresist is used and which consists of pyrolytically deposited silicon oxides. The silicon oxide is ^{grown at temperatures of 300 °} C. to 500 ^° C. in such a way that this temperature is slowly increased, so that a correspondingly different etching rate for the silicon oxide results, whereby an overhang is formed during the etching. A layer of photoresist then serves as a temporary mask for hydrofluoric acid. The photoresist layer is then removed and a thin metallic film is vapor-deposited onto the substrate through the mask. The layer of silicon oxide is then peeled off. In practice the greatest thickness of this material is about 1 to 3 microns. With larger material thicknesses, cracks and fissures occur.

In der US-Patentschrift 3 849 136 der Anmelderin mit dem Titel "Masking of Deposited Thin Films by Use of a Masking Layer Photoresist Composite," ist ein Substrat gezeigt, das einen überzug aus Photolack trägt. Auf der Oberseite der Photolackschicht ist eine Metallschicht angebracht, die an den Kanten überhänge aufweist, die sich daraus ergeben haben, daß der Photolack durch die öffnungen in der Metallschicht überbelichtet wurde. Man hat jedoch die Verwendung von Photolack aus dem Grunde beanstandet, daß er bei den für das Aufbringen von Überzügen im Vakuum erforderlichen hohen Temperaturen zu Fließen beginnt.In commonly assigned U.S. Patent 3,849,136, entitled "Masking of Deposited Thin Films by Use of a Masking Layer Photoresist Composite, "a substrate is shown bearing a coating of photoresist. On top of the photoresist layer is a Metal layer attached, which has overhangs at the edges, which have resulted from the fact that the photoresist through the openings was overexposed in the metal layer. However, the use of photoresist has been criticized for the fact that it is used in begins to flow at the high temperatures required for the application of coatings in a vacuum.

Ist die Photolackschicht sehr stark, nämlich in der Größenordnung von 7 u, dann zeigt die so erzeugte öffnung nach einer Belichtung durch eine Maske durch Strahlung und Entwicklung des Photolacks eine Verjüngung, wodurch der Wert des Überhangs wieder beseitigt wird. Das Ergebnis ist dann, daß die öffnung eines sehr schmalen Schlitzes mit einer Tiefe von 7 μ zu schmal ist, um praktisch brauchbar zu sein, da die Verjüngung für eine so dicke Photolackschicht sehr stark ist.If the photoresist layer is very thick, namely in the order of magnitude of 7 μ, then the opening produced in this way shows after an exposure through a mask through radiation and development of the photoresist, a tapering, whereby the value of the overhang is removed again will. The result is then that the opening of a very narrow slot with a depth of 7 μ is too narrow to be practical to be useful as the taper is very strong for such a thick photoresist layer.

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Demgemäß ist es Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zum Ablösen von Masken und eine entsprechende Maske zu schaffen, bei der die Seitenwände einer öffnung so ausgestaltet sind, daß diese öffnung an der oberen Oberfläche der Maske etwa gleich groß oder kleiner ist, als die gleiche öffnung auf der Unterseite der Maske, so daß das abzulösende Material während eines subtraktiven Verfahrensschrittes leichter zugänglich ist, wodurch Linienmuster kleinerer Abmessungen hergestellt werden können.Accordingly, it is the object of the invention to provide a method for removing masks and a corresponding mask in which the Side walls of an opening are designed so that this opening on the upper surface of the mask is approximately the same size or smaller than the same opening on the underside of the mask, see above that the material to be detached during a subtractive process step is more accessible, whereby line patterns of smaller dimensions can be produced.

Die vorliegende Erfindung unterscheidet sich von den Ablöseverfahren gemäß dem Stand der Technik darin, daß eine metallische Schicht mit überhängenden Kanten gebildet wird, die nicht von einer Photolackschicht oder dergleichen getragen wird und gegen hohe Temperaturen widerstandsfähig ist und von der Oberfläche des Substrats durch Ablöseverfahren für Metalle abgelöst werden kann. Für ein derartiges Verfahren finden sich im Stand der Technik keine Anregungen. Das additive Verfahren zum Herstellen einer ablösbaren Maske durch galvanische Verfahren unterscheidet sich ebenfalls vom Stand der Technik. Tatsächlich ist dies das Gegenteil zu den Verfahren zum Stand der Technik, bei dem subtraktive Verfahren zum Erzielen eines Überhanges aus Photolack oder GIasstruktüren, mit oder ohne bedeckende metallische Schichten verwendet werden.The present invention differs from the peeling method according to the prior art in that a metallic layer is formed with overhanging edges which are not of a photoresist layer or the like and is resistant to high temperatures and from the surface of the substrate can be removed by metal removal processes. For such a method, see the prior art Technique no suggestions. The additive process for producing a detachable mask by galvanic processes is different also differ from the state of the art. In fact, this is the opposite of the prior art methods where subtractive Process for achieving an overhang of photoresist or glass structure doors, with or without covering metallic layers be used.

Summary of the invention

Erfindungsgemäß wird ein Verfahren zum Herstellen eines dünnen Filmes durch Niederschlag eines Materials im Vakuum geschaffen. Auf einem Substrat wird eine Matrix aufgebracht. In der Matrix wird ein Muster von öffnungen hergestellt. Anschließend wird ein abzulösendes Material in den öffnungen der Matrix niedergeschlagen. Diese Niederschläge haben eine größere überhangbreite an der Oberseite im Vergleich mit der Unterseite. Dann wird der Rest der Matrix entfernt. Anschließend wird im Vakuum auf dem Produkt des vorhergegangenen Verfahrensschrittes ein Material bis zu einer Dicke niedergeschlagen, die wesentlich kleiner ist, als die erste Schicht, so daß die Seiten des abzulösenden YO 975 031 709828/1011According to the invention, a method for producing a thin film by depositing a material in a vacuum is provided. A matrix is applied to a substrate. A pattern of openings is made in the matrix. Then will a material to be detached is deposited in the openings in the matrix. These rainfall have a greater overhang width at the top compared to the bottom. Then the Rest of the matrix removed. A material is then placed on the product of the previous process step in a vacuum deposited to a thickness which is much smaller than the first layer, so that the sides of the peelable YO 975 031 709828/1011

-*- 264508] - * - 264508]

Materials freiliegen. ©Material exposed. ©

Schließlich wird das abzulösende Material und das darauf niedergeschlagene Beschichtungsmaterial dadurch entfernt, daß das Produkt in einem letzten Schritt mit einer chemischen Lösung behandelt wird/ die das abzulösende Material durch Ätzen oder dergleichen entfernt.Eventually, the material to be peeled off and what is deposited on it Coating material is removed by applying a chemical solution to the product in a final step is treated / which removes the material to be peeled off by etching or the like.

Die Erfindung wird nunmehr anhand von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den beigefügten Figuren im einzelnen beschrieben. Die unter Schutz zu stellenden Verfahrensmerkmale sind den ebenfalls beigefügten Verfahrensansprüchen im einzelnen zu entnehmen ,The invention will now be described in detail on the basis of exemplary embodiments in conjunction with the accompanying figures. The process features to be protected can be found in the attached process claims ,

In den Zeichnungen zeigt:In the drawings shows:

Fign. 1A bis 1G eine erste Gruppe von Verfahrensschritten zurFigs. 1A to 1G a first group of process steps for

Erzeugung eines Films mit Hilfe des Ablöseverfahrens gemäß der Erfindung, mit einem Überhang, der durch eine Metallisierung mit größerer Tiefe als die Dicke des Photolacks erreicht wird,Production of a film with the aid of the stripping method according to the invention, with an overhang, which is achieved by metallization with a greater depth than the thickness of the photoresist,

Fign. 2A bis 21 ein zweites Verfahren gemäß der Erfindung, dasFigs. 2A to 21 show a second method according to the invention, which

dem Verfahren gemäß Fign. 1A bis 1G ähnlich ist,the method according to FIGS. 1A to 1G is similar,

Fign. 3A bis 3C ein drittes Verfahren gemäß der Erfindung, mitFigs. 3A to 3C show a third method according to the invention

sich verjüngenden Öffnungen in dem Photolack zur Bildung eines Überhanges in dem abzulösenden Material,tapered openings in the photoresist to form an overhang in the material to be stripped Material,

Fign. 4A bis 4C ein viertes Verfahren gemäß der Erfindung, mitFigs. 4A to 4C show a fourth method according to the invention, with

sich verjüngenden Öffnungen im Photolack zur Bildung eines Überhanges in dem abzulösenden Material,tapered openings in the photoresist to form an overhang in the material to be removed Material,

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Fign. 5Α bis 5E ein Verfahren zur Erzeugung eines verbesserten Überhangs durch Aufheizen des Photolacks der in Fign. 3A, 4A und 5 A gezeigten Form zum Erzielen einer Krümmung des Photolacks an den Kanten, wodurch sich ein größerer Überhang ergibt undFigs. 5Α to 5E a method for producing an improved Overhang by heating the photoresist in FIGS. 3A, 4A and 5A for the shape shown Achieving a curvature of the photoresist at the edges, which results in a larger overhang and

Fign. 6A bis 6D ein Verfahren mit zwei Photolackschichten zumFigs. 6A to 6D show a method with two photoresist layers for

Erzielen eines Überhanges.Obtaining an overhang.

In den Fign. 1A bis 1G wird ein Substrat 10 mit einer metallischen Schicht 11 aus einem Material oder Schichten aus Materialien überzogen, die gut an dem Substrat 10 haften und für eine galvanische Metallisierung geeignet sind.In FIGS. 1A to 1G is a substrate 10 with a metallic Layer 11 coated from a material or layers of materials that adhere well to the substrate 10 and for a galvanic Metallization are suitable.

Wenn ein Metall wie z.B. Fe, Ni, Cr, oder Cd bei erhöhter Temperatur auf das Substrat 10 aufgebracht wird, erhält man sowohl eine gut anhaftende Schicht als auch eine Metallisierungsgrundlage, ohne daß dazu eine die Haftfähigkeit verbessernde Zwischenschicht erforderlich wäre. Wenn man jedoch Au, Cu, Pd oder Pt, bei jeder beliebigen Temperatur aufbringt, oder wenn Co oder NiFe bei Zimmertemperatur als Metallisierungsgrundlage aufgebracht wird, dann ist eine die Haftfähigkeit verbessernde Zwischenschicht eines reaktiven Metalls wie z.B. Ti, Ta, Al, oder Cr erforderlich, das vor Aufbringen der Metallisierungsgrundlage auf dem Substrat aufgebracht werden muß.When a metal such as Fe, Ni, Cr, or Cd at elevated temperature is applied to the substrate 10, both a well-adhering layer and a metallization base are obtained, without the need for an intermediate layer to improve adhesion. However, if one uses Au, Cu, Pd or Pt, applies at any temperature, or if Co or NiFe is applied at room temperature as a metallization base is then an interlayer that improves the adhesiveness of a reactive metal such as Ti, Ta, Al, or Cr required, which must be applied to the substrate before applying the metallization base.

Anschließend wird eine Schicht aus einem strahlungsempfindlichen organischen Photolack 12 auf der Schicht 11 aufgebracht, durch UV-Strahlung, Elektronenstrahl oder Röntgenstrahlung belichtet und entwickelt und dabei mit öffnungen 14 und 15 versehen, die sich in Längsrichtung erstreckende Schlitze darstellen, die sich über das Substrat 10 erstrecken. Die Schlitze 14 und 15 sollen dabei die Grenzen für ein Muster, wie z.B. elektrische Leitungszüge oder dergleichen nach Art dünner gerader Linien darstellen. In Fig. 1B sind die Schlitze 14 und 15 galvanisch mit einer Schicht 25 ausgefüllt, die Leitungszüge 16 und 17 in Form von YO 975 03! 709828/1011A layer of a radiation-sensitive organic photoresist 12 is then applied to layer 11 by UV radiation, electron beam or X-ray radiation exposed and developed and thereby provided with openings 14 and 15, the represent longitudinally extending slots which extend across the substrate 10. The slots 14 and 15 should represent the boundaries for a pattern, such as electrical cable runs or the like, in the manner of thin straight lines. In Fig. 1B, the slots 14 and 15 are galvanic with a Layer 25 filled in, the cable runs 16 and 17 in the form of YO 975 03! 709828/1011

Streifen bilden mit überhängenden Kanten und Kappen, die die Schlitze 14 und 15 ausfüllen und sowohl in senkrechter als auch in waagrechter Richtung über sie hinausreichen. Man erkennt, daß die Schlitze 14 und 15 und damit die Maskenelemente 16 und sehr breit oder auch sehr schmal sein können. Für zufriedenstellende Ablösegeschwindigkeiten des vom Substrat 10 und der Schicht 11 zwischen Fign. 1D und 1E abzulösenden Materials ist es erwünscht, daß das Verhältnis zwischen schmalen und breiten abzulösenden Bereichen kleiner sein sollte als 25 : 1. Dadurch erhält man eine gleichförmige Ablösung der Schichten 25 und 19, wie dies in Fign. 1D und 1E gezeigt ist. In Fig. 1C ist die Photolackschicht 12 entfernt, so daß nur die galvanisch aufgebrachten Maskenelemente 16 und 17 mit ihren überhängenden Kanten 18 verbleiben. Der Photolack wird dabei in üblicher Weise durch organische Lösungsmittel oder Belichtung, gefolgt von Entwicklung, durch Plasmaätzen oder organische Lösungsmittel entfernt. Das galvanisch aufgebrachte Metall muß dabei gleichförmig niedergeschlagen sein und das Bad muß dabei sowohl im Makro- als auch im Mikrobereich ein gutes Streuvermögen aufweisen. Das Streuvermögen ist ein Maß für die Gleichförmigkeit des galvanischen Niederschlags. Andererseits kann auch ein stromloses Metallisierungsverfahren benutzt werden. Galvanisch aufgebrachte Metallschichten müssen dabei Niederschlagstemperaturen beim Aufbringen des Primärmusters in der Größenordnung von 50 bis 700 ⁰C aushalten. Das galvanisch aufgebrachte Muster aus Elementen 16 und 17 sollte dabei einen gleichförmigen Überhang (pilzförmige Kappe) von 0,1 um bis 5 um aufweisen. Die Größe des Überhangs hängt hauptsächlich von den seitlichen und Dicken-Abmessungen des durch dieses Ablöseverfahren zu erzeugenden Musters ab. Es sei darauf verwiesen, daß die Photolackschicht 12 im Minimum etwa 20 % (oder bei Verwendung von dicken Filmen mindestens 0,25 pn dicker) dicker ist, als der im nächsten Verfahrensschritt in Fig. 1 D dargestellte Materialniederschlag. Für sehr kleine Abmessungen wird die Höhe des überstehenden Materials P und der Überhang 0 in Fig. 1C der Metallisierung oberhalb der oberstenStrips form with overhanging edges and caps which fill the slots 14 and 15 and extend beyond them both in the vertical and in the horizontal direction. It can be seen that the slots 14 and 15 and thus the mask elements 16 and 16 can be very wide or also very narrow. For satisfactory removal rates of the substrate 10 and the layer 11 between FIGS. 1D and 1E of material to be peeled off, it is desirable that the ratio between the narrow and wide areas to be peeled off should be less than 25: 1. This results in a uniform peeling of the layers 25 and 19, as shown in FIGS. 1D and 1E. In FIG. 1C, the photoresist layer 12 has been removed, so that only the galvanically applied mask elements 16 and 17 with their overhanging edges 18 remain. The photoresist is removed in the usual way by organic solvents or exposure, followed by development, by plasma etching or organic solvents. The electroplated metal must be deposited uniformly and the bath must have good throwing power both in the macro and in the micro range. The scattering power is a measure of the uniformity of the galvanic deposit. On the other hand, an electroless plating process can also be used. Electroplated metal layers have to withstand precipitation temperatures in the order of 50 to 700 ^{° C. when the primary pattern is applied.} The electroplated pattern of elements 16 and 17 should have a uniform overhang (mushroom-shaped cap) of 0.1 μm to 5 μm. The size of the overhang depends mainly on the lateral and thickness dimensions of the pattern to be produced by this peeling process. It should be pointed out that the photoresist layer 12 is at least about 20% thicker (or at least 0.25 pn thicker if thick films are used) than the material deposit shown in the next process step in FIG. 1D. For very small dimensions, the height of the protruding material P and the overhang 0 in Fig. 1C of the metallization is above the topmost

975 oat 7 0 9828/1011975 oat 7 0 9828/1011

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Ebene des Photolacks 12 etwa 5 bis 10 % der Dicke der Photolackschicht aufweisen und dabei sollten "0" und "P" im wesentlichen gleich sein. Nach Entfernen der Photolackschicht 12 kann die Schicht 11 an denjenigen Stellen, die keine Metallisierungen (Maskenelemente 16, 17 usw.) aufweisen, durch Zerstäubungsätzen, chemisches Ätzen, reaktives Plasmaätzen, oder reaktives Plasmazerstäubungsätzen, oder ähnliche Verfahren entfernt werden.Level of the photoresist 12 about 5 to 10% of the thickness of the photoresist layer and "0" and "P" should be essentially the same. After removing the photoresist layer 12, the Layer 11 at those points that do not have any metallization (mask elements 16, 17, etc.) by sputter etching, chemical etching, reactive plasma etching, or reactive plasma atomization etching, or similar procedures are removed.

In Fig. 1D werden die metallisierten Maskenelemente 16 und 17 als Überzugsmasken im Vakuum für die Aufdampfung oder das Zerstäuben einer Schicht des letztlich aufzubringenden Überzugsmaterials 19, beispielsweise aus einem Metall oder einem Dielektrikum benutzt, das auf der Schicht 11 und den Metallisierungen 16 und 17 niedergeschlagen wird. Durch den Überhang 18 bleiben die Seiten 20 der Metallisierungen 16 und 17 frei, so daß sich nur ein geringfügiger Niederschlag des Materials 19 ergibt. Wie in Fig. 1E gezeigt, werden die galvanisch aufgebrachten Metallisierungen 16 und 17 selektiv chemisch, elektrochemisch oder mit Hilfe eines reaktiven Ionenplasmas nach Niederschlag des Materials 19 zur Bildung des gewünschten Primärmusters abgeätzt, ohne daß dabei dieses Primärmuster angegriffen wird. Auf diese Weise wird die unerwünschte Metallisierung 16 und 17 von der Schicht 11 entfernt. In FIG. 1D, the metallized mask elements 16 and 17 are used as coating masks in a vacuum for the vapor deposition or sputtering of a layer of the coating material 19 to be finally applied, for example made of a metal or a dielectric, which is deposited on the layer 11 and the metallizations 16 and 17 will. Due to the overhang 18, the sides 20 of the metallizations 16 and 17 remain free, so that only a slight deposit of the material 19 results. As shown in FIG. 1E, the electrodeposited metallizations 16 and 17 are selectively etched away chemically, electrochemically or with the aid of a reactive ion plasma after deposition of the material 19 to form the desired primary pattern, without this primary pattern being attacked. In this way, the undesired metallization 16 and 17 is removed from the layer 11.

In Fällen, in denen sehr schmale Streifen gebildet werden sollen oder wo ein Teil des Materials 19 entfernt werden soll, wird eine Schicht 20' aus Photolack aufgebracht, die derart belichtet wird, daß gemäß Fig. 1F der Bereich 21 des Materials 19 freiliegt, so daß es wie in Fig. 1G gezeigt ist, durch ein subtraktives Verfahren, wie z.B. chemisches Ätzen oder durch ein trockenes Verfahren wie z.B. Zerstäubungsätzen, reaktives Zerstäubungsätzen, Plasmaätzen oder ähnliche Verfahren entfernt werden kann.In cases where very narrow strips are to be formed or where part of the material 19 is to be removed, will a layer 20 'of photoresist is applied, which is exposed in such a way that, according to FIG. 1F, the region 21 of the material 19 is exposed, so that it is as shown in Fig. 1G by a subtractive method such as chemical etching or by a dry process such as sputter etching, reactive sputter etching, plasma etching or similar processes removed can be.

Die durch galvanische Verfahren aufzubringenden Metalle können YO 975 031 709828/1011The metals to be applied by galvanic processes can YO 975 031 709828/1011

(a) Au, Pt, Pd, Ag, oder (b) Cu, Zn, Ni, Co, Fe, Cr, Sn, W, oder jede binäre, ternäre oder sogar quarternäre Legierung aller oben angegebenen Elemente oder jedes dieser Elemente mit jedem andern Element sein. Die Metalle der Gruppe (a) werden vorzugsweise bei Ablösverfahren in Verbindung mit metallischen oder nichtmetallischen Mustern benutzt, wobei das zu bildende Muster aus einem edleren Metall oder einem Metall hergestellt wird, das selektiv geätzt oder durch andere Mittel wie z.B. Heizen, chemische Reaktion und dergleichen zerstört werden kann. Die Metalle der Gruppe (b) sind vielseitiger, da sie weniger edel sind. Sie lassen sich als Ablösemasken für Dielektrika und für eine Reihe von edleren Metallen verwenden.(a) Au, Pt, Pd, Ag, or (b) Cu, Zn, Ni, Co, Fe, Cr, Sn, W, or any binary, ternary, or even quaternary alloy of all elements given above or any of these elements with any other element. The metals of group (a) are preferred used in stripping processes in connection with metallic or non-metallic patterns, whereby the pattern to be formed made of a more noble metal or a metal that is selectively etched or by other means such as heating, chemical reaction and the like can be destroyed. The metals of group (b) are more versatile because they are less noble are. They can be used as release masks for dielectrics and for a number of noble metals.

Obgleich nur einige ausgewählte Beispiele von Strukturen hier dargestellt sind, läßt sich das Verfahren bei der Herstellung aller Arten magnetischer Strukturen, aller Arten von Halbleiterstrukturen, wie z.B. integrierten Schaltungen, bei der Packung von Halbleiterschaltungen in zwei Ebenen, bei optischen und elektrooptischen Strukturen und vielen anderen einsetzen.Although only a few selected examples of structures are shown here, the method can be used in manufacture all types of magnetic structures, all types of semiconductor structures, such as integrated circuits, in the packaging of Use semiconductor circuits on two levels, in optical and electro-optical structures and many others.

Falls das primäre Muster 19 aus dielektrischem Material besteht, dann kann es erwünscht sein, einen Verfahrensschritt zur Entfernung der Metallisierung (durch Zerstäubungsätzen, Plasma- oder chemisches Ätzen usw.) vor dem Niederschlag des Primärmusters einzusetzen. Obwohl das Verfahren ganz allgmein anwendbar und in vielen Anwendungsgebieten einsetzbar ist, so ist es doch insbesondere bei der Bildung von aus Schottglas, SiO2, Si, Ti, oder Cr bestehenden laminierten Permalloy-Strukturen verwendbar, mit einer Permeabilität für sehr hohe Frequenzen für eine Verwendung in induktiven Köpfen, für Abschirmungen für magnetoresistive Köpfe und Abschirmungen für andere Zwecke. In diesem Fall, wie die Fign. 2A bis 2E zeigen, kann die galvanisch aufgebrachte Struktur ein sehr schmaler Rahmen sein, der in einem Kupferbad elektroformiert wird. In diesem Fall, obgleich Co in der Anwesenheit von Fe, NiFe, NiFeCr, NiFePd usw., unter Verwendung von Ammoniumpersulfat selektiv geätzt werden kann, wird als letzteIf the primary pattern 19 is made of dielectric material, then it may be desirable to have a process step for removing the metallization (by sputter etching, plasma or chemical etching, etc.) before the deposition of the primary pattern. Although the procedure is quite generally applicable and can be used in many areas of application, it is particularly useful in the formation of Schott glass, SiO2, Si, Ti, or Cr existing laminated permalloy structures with a permeability to very high frequencies for use in inductive heads, for shields for magnetoresistive heads and shields for other purposes. In this case, like the FIGS. 2A to 2E show, the galvanically applied structure can be a very narrow frame in a copper bath is electroformed. In this case, although Co in the presence of Fe, NiFe, NiFeCr, NiFePd, etc., using Ammonium persulfate can be selectively etched is last

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Schicht Schottglas aufgebracht, das für die Primärstruktur einen zusätzlichen Schutz bietet.A layer of bulkhead glass is applied, which provides additional protection for the primary structure.

Falls erwünscht, wird die Primärstruktur in einer solchen Weise niedergeschlagen, daß die Kanten der Primärstruktur schräg abfallen, so daß sie für später anzubringende Verbindungsleitungen leicht zu isolieren sind. Dies wird dadurch erreicht, daß eine relativ dicke Schicht statt durch Aufdampfen durch Zerstäuben oder aber durch Aufdampfen bei gleichzeitiger Rüttelbewegung durchgeführt wird.If desired, the primary structure is made in such a way down, that the edges of the primary structure slope obliquely, so that they can be used for connecting cables to be attached later are easy to isolate. This is achieved by applying a relatively thick layer rather than by sputtering or by vapor deposition with simultaneous shaking movement.

Eine weitere Ausfuhrungsform der Erfindung zeigen die Fign. 2A bis 21 in einem Trockenverfahren für einen Permalloyschichtaufbau, d.h. einer Schichtung Permalloy/Schottglas/Permalloy auf einem aus anorganischem Material bestehenden Rahmen. In Fig. 2A trägt auf einem Glassubstrat 10 ein aufmetallisierter Film 11 eine Schicht aus Shipley Photolack, die etwa 1 μ stärker ist, als die letztlich aufzubringenden Schichten aus Permalloy und Glas. Der Photolack wird durch Strahlung belichtet und entwickelt und liefert dabei die in Fig. 2B dargestellten Schlitze 24, die in einer vorzugsweise 4 ρ bis 6 u starken Photolackschicht 12 0,2 bis 0,4 u breit sind.Another embodiment of the invention is shown in FIGS. 2A up to 21 in a dry process for a permalloy layer structure, i.e. a layer of Permalloy / Schottglas / Permalloy on a frame made of inorganic material. In Fig. 2A On a glass substrate 10, a metallized film 11 carries a layer of Shipley photoresist, which is about 1 μ thicker than the layers of permalloy and glass that are ultimately to be applied. The photoresist is exposed and developed by radiation and supplies the slits 24 shown in FIG. 2B, which are in a photoresist layer 12, preferably 4 ρ to 6 μ thick 0.2 to 0.4 u wide.

In Fig. 2C ist dann das Ergebnis des galvanischen Niederschlags der Elemente 25 in den Schlitzen 24 gezeigt. Das dazu ausgewählte Metall muß sich in der Anwesenheit von Permalloy leicht ätzen lassen. Kupfer eignet sich dafür sehr gut und es kann mit Ammoniumpersulfat (pH « 7-9) abgeätzt werden, das Ni-Fe nicht löst. Andere Metalle wie Cr, Zn, Cd und Sn sind dafür ebenfalls brauchbar. Das Metall wird bis zu einer Stärke von etwa 3 bis 7 u bis zu einem pilzförmigen Querschnitt mit einem Überhang von vorzugsweise 0,25 bis 3 u niedergeschlagen. Der Photolack wird mit einem Lösungsmittel (Aceton für Shipley) entfernt und das Ergebnis zeigt Fig. 2D.Then in Fig. 2C is the result of the galvanic deposition of the elements 25 in the slots 24 are shown. The metal selected for this must etch itself slightly in the presence of permalloy permit. Copper is very suitable for this and it can be etched off with ammonium persulphate (pH «7-9), the Ni-Fe cannot solves. Other metals such as Cr, Zn, Cd and Sn can also be used for this. The metal is used to a thickness of about 3 to 7 u down to a mushroom-shaped cross-section with an overhang of preferably 0.25 to 3 u. The photoresist comes with removed with a solvent (acetone for Shipley) and the result is shown in FIG. 2D.

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In Fig. 2E werden dann die Elemente 25 und die freiliegenden Oberflächen 11 mit einer Schicht 19 aus Permalloy, einer Schottglasschicht 29 und einer Permalloyschicht 39 mit einer Stärke von insgesamt 2 bis 3 u überzogen. Vorzugsweise wird eine weitere (nicht gezeigte) Schicht aus Schottglas niedergeschlagen, die die Permalloyschicht 39 gegen Beschädigung schützt. Verschiedene W-Cr-Pd-oder Mo-Legierungen mit Permalloy und SiFe lassen sich verwenden.In FIG. 2E, the elements 25 and the exposed surfaces 11 are then covered with a layer 19 of permalloy, a Schott glass layer 29 and a permalloy layer 39 coated with a total thickness of 2 to 3 u. Preferably another (not shown) deposited layer of Schott glass, which protects the permalloy layer 39 against damage. Different W-Cr-Pd or Mo alloys with Permalloy and SiFe can be used.

Schichtungen lassen sich gemäß Tabelle 1 aufbauen: W-Permalloy Mo-Perm. Pd-Perm. 3-6% SiFe SiO₂ oder W SiO₂ oder W SiO₂ oder W SiO₂ W-Perm. Mo-Perm. Pd-Perra. 3% SiFe SiO₂ oder W SiO₂ oder Mo SiO₂ oder Mo SiO₂ Layers can be built up according to Table 1: W-Permalloy Mo-Perm. Pd-Perm. 3-6% SiFe SiO ₂ or W SiO ₂ or W SiO ₂ or W SiO ₂ W-Perm. Mon-Perm. Pd-Perra. 3% SiFe SiO ₂ or W SiO ₂ or Mo SiO ₂ or Mo SiO ₂

Andererseits kann auch eine aus 9,6 % Si, 85 % Fe und 5,4 Gew.% Al bestehende Legierung mit oder ohne Laminierung durch Zerstäubung aufgebracht werden.On the other hand, an alloy composed of 9.6% Si, 85% Fe and 5.4% by weight Al can also be used with or without lamination by sputtering be applied.

In Fig. 2F sind dann die metallischen Elemente 25 abgeätzt, wobei die Permalloyschichtung oberhalb dieser Elemente vom Substrat mit entfernt ist. Wenn die Elemente aus Kupfer bestehen, dann werden sie, wie bereits erwähnt, abgeätzt. Bestehen sie aus Zinn, dann wird als Ätzmittel Ammoniumsulfit benutzt, (pH = 7 - 9). Wenn die Elemente 25 aus Cr bestehen, dann nimmt man als Ätzmittel AlCl₃ mit Zn oder jedes andere für Cr geeignete Ätzmittel.In FIG. 2F, the metallic elements 25 are then etched away, the permalloy layer above these elements also being removed from the substrate. If the elements are made of copper, then, as already mentioned, they are etched away. If they are made of tin, ammonium sulphite is used as the etching agent (pH = 7 - 9). If the elements 25 consist of Cr, then the etchant used is AlCl ₃ with Zn or any other etchant suitable for Cr.

In Fig, 2B wurde eine weitere Photolackschicht 20· aufgebracht, die die Schlitze 40 und 42 und den dazwischenliegenden Streifen bedeckt und die Permalloyschichtung schützt, die das Joch eines Magnetkopfes darstellt.In FIG. 2B, a further photoresist layer 20 was applied, which covers the slots 40 and 42 and the strip therebetween and protects the permalloy layer that forms the yoke of a Represents magnetic head.

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-η·- 2 6 4 b Ü δ Ί-η · - 2 6 4 b Ü δ Ί

Die Anschnitte 43 und 44 werden unter Verwendung von FeCl₃ und HF getrennt oder durch HF mit FeCl₃ abgeätzt und das Ergebnis zeigt Fig. 2H. Anschließend wird der Photolack entfernt, so daß man die endgültige Struktur des Joches erkennt, die Fig. 21 zeigt und die das Primärmuster darstellt. Es kann Fälle geben, wo die überflüssigen Strukturen nicht entfernt werden müssen, weil sie entweder gar nicht vorhanden sind, oder weil sie stehenbleiben können, ohne daß dadurch das Produkt beeinträchtigt wird.The gates 43 and 44 are _{separated using FeCl 3} and HF or etched away by HF with FeCl ₃ and the result is shown in FIG. 2H. The photoresist is then removed so that the final structure of the yoke can be seen, which is shown in FIG. 21 and which is the primary pattern. There may be cases where the redundant structures do not need to be removed because they either do not exist or because they can be left in place without affecting the product.

Recess with sloping side walls

Verschiedene Verfahren lassen sich zur Erzeugung eines Musters wie in Fig. 3A verwenden, mit einer Vertiefung 50 mit schrägen Seitenwänden. Das läßt sich beispielsweise dadurch erreichen, daß man eine Strahlung 52 durch eine Maske 53 auf einem positiven Photolack richtet. Dafür geeignete Photolacke sind die von der Firma Shipley erhältlichen Photolacke KTFR und PMMA. Die Fig. 3A zeigt dabei typisch die mehrfachen Schritte von der Belichtung bis zur Entwicklung.Various methods can be used to create a pattern such as in Fig. 3A, with a recess 50 with sloping side walls. This can be achieved, for example, by radiation 52 through mask 53 on positive photoresist directs. Suitable photoresists for this are the KTFR and PMMA photoresists available from Shipley. Fig. 3A shows typically the multiple steps from exposure to development.

Verwendet man den unter der Bezeichnung PMMA erhältlichen Photolack, dann erhält man dieses Muster durch eine Bestrahlung 52 mit einem Elektronenstrahl geringer Intensität und die Entwicklungszeit ist lange und/oder die Entwicklerkonzentration ist hoch. Gemäß Fig. 3B wird dann ein Metall 25 niedergeschlagen. Anschließend werden der Photolack 15 und gemäß Fig. 3C ein Metall 19 im Vakuum niedergeschlagen. Die Elemente 25 werden in üblicher Weise abgeätzt, obgleich dies hier nicht gezeigt ist.If the photoresist available under the name PMMA is used, then, this pattern is obtained by irradiating a low-intensity electron beam 52 and the development time is long and / or the developer concentration is high. According to FIG. 3B, a metal 25 is then deposited. The photoresist 15 and, as shown in FIG. 3C, a metal 19 are then deposited in a vacuum. The elements 25 are in usually etched away, although this is not shown here.

Bei negativen, mit Elektronenstrahl zu belichtenden Photolacken lassen sich solche Muster mit schrägen Kanten dadurch erzielen, daß man die Intensität des Elektronenstrahls und die Entwicklungszeit entsprechend einstellt.In the case of negative photoresists to be exposed with an electron beam, such patterns with sloping edges can be achieved by that one adjusts the intensity of the electron beam and the development time accordingly.

Bei PMMA und PMMA Kopolymeren läßt sich bei entsprechender Modulation (Intensität) des Elektronenstrahls und entsprechender Entwicklung genau die umgekehrte Neigung der Seitenwände erzielen.In the case of PMMA and PMMA copolymers, with appropriate modulation (intensity) of the electron beam and corresponding Development to achieve exactly the opposite inclination of the side walls.

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Wie man aus den Skizzen der Fign. 3B und 3C und den Fign. 4B und 4C sieht, sind beide Arten von geneigten Seitenwänden für die Bildung eines Musters zur Herstellung einer aus anorganischem Material bestehenden Hochteitiperaturmaske für eine Ablösung zur Erzeugung von Schlitzen 50 oder 60 brauchbar.As one can see from the sketches in FIGS. 3B and 3C and FIGS. 4B and 4C are both types of sloping sidewalls for the Formation of a pattern for producing a high-temperature temperature mask made of inorganic material for peeling off Creation of slots 50 or 60 useful.

Verwendet man einen Photolack der Firma Shipley oder einen anderen positiven Photolack, dann lassen sich schräge Seitenwände von Schlitzen gemäß Fig. 3A auf folgende Weise erzielen:If you use a photoresist from Shipley or another positive photoresist, then inclined side walls of slots according to FIG. 3A can be achieved in the following way:

1. Durch Defokussieren oder Dekollimieren von ultraviolettem Licht,1. By defocusing or decollimating ultraviolet Light,

2. durch Einhalten eines geringen Abstandes der Maske von dem Photolack,2. by maintaining a small distance between the mask and the photoresist,

3. durch Verwendung einer sehr dicken Photolackschicht, d.h.
dicker als etwa 2 μ selbst dann, wenn der Lichtstrahl nicht defokussiert oder dekollimiert ist und selbst dann, wenn die Kontaktberührung zwischen Maske und Photolack gut ist,3. by using a very thick photoresist layer, ie
thicker than about 2 μ even if the light beam is not defocused or decollimated and even if the contact between the mask and the photoresist is good,

4. durch Verwendung einer dispersen (nicht kollimierten) Lichtquelle, 4. by using a disperse (non-collimated) light source,

5. durch Verwendung jedes der obengenannten Verfahren 1,2
und/oder 3, 4 in Kombination.5. by using any of the above procedures 1,2
and / or 3, 4 in combination.

Bei Verwendung von negativen Photolacken, wie z.B. KTFR, KOR, (von Eastman Kodak) sowie von anderen Photolacken, können die Verfahren 1 bis 5 oder eine beliebige Kombination dieser Verfahren zur Herstellung gleichartiger schräger Seitenwände eingesetzt werden, wie sie die Fign. 3B und 3C und die Fign. 4B und 4C zeigen.When using negative photoresists, such as KTFR, KOR, (from Eastman Kodak) and other photoresists, the Process 1 to 5 or any combination of these processes is used to produce similar sloping side walls as shown in FIGS. 3B and 3C and FIGS. Figures 4B and 4C show.

Nachdem ein derartiges Photolackmuster mit schrägen Seitenwänden erzielt ist, wie dies die Fign. 3A bis 3C und 4A bis 4C zeigen,After such a photoresist pattern with sloping side walls is achieved, as shown in FIGS. 3A to 3C and 4A to 4C show

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werden die öffnungen in der Photolackschicht durch ein geeignetes Niederschlagsverfahren, wie z.B. durch galvanischen Niederschlag, durch stromloses Abscheiden, durch Aufdampfen, Zerstäuben usw. aufgebracht. Das niedergeschlagene Metall 25 oder Material (Dielektrikum) kann dabei bis es etwa auf eine Dicke gleich etwa 2/3 der gewünschten durch Ablösen zu erzeugenden Schicht oder bis etwa 0,25 u bei dicken Niederschlagen, gemessen von oben, niedergeschlagen werden. Dieses Metall (oder Dielektrikum) Cu, Zn, Sn, Al, usw., bildet, wie die Fign. 3B und 4B dies zeigen, ein umgekehrtes Trapezoid. Wenn die Seiten schräg verlaufen, dann ist es nicht notwendig, das Metall 25 oder das Dielektrikum so lange niederzuschlagen, bis sich über dem Photolack ein pilzförmiger Niederschlag gebildet hat. Abhängig von der Form des umgekehrten Trapezoids 50 oder 60 kann es unter Umständen entbehrlich sein, zur Erzielung einer Ablösung einen pilzförmigen Querschnitt des Niederschlags einzusetzen.the openings in the photoresist layer are replaced by a suitable Deposition processes, such as galvanic precipitation, electroless deposition, vapor deposition, sputtering, etc. upset. The deposited metal 25 or material (dielectric) can be up to about a thickness equal to about 2/3 of the desired layer to be created by peeling or up to about 0.25 u in the case of thick deposits, measured from above, get knocked down. This metal (or dielectric) Cu, Zn, Sn, Al, etc., forms, as shown in FIGS. 3B and 4B show this in reverse Trapezoid. If the sides are sloped then it is not necessary to have the metal 25 or dielectric that long precipitate until a mushroom-shaped precipitate has formed over the photoresist. Depending on the shape of the reverse Trapezoids 50 or 60, it may be unnecessary to achieve a detachment, a mushroom-shaped cross-section of the To use precipitation.

Nach Entfernen der Photolackschicht wird die gewünschte Metallschicht oder die in dielektrische Schichten eingelagerte magnetische Schicht oder eine dielektrische Schicht durch Verdampfung, durch Metallisierung, durch Ionenbeschuß und/oder durch Zerstäubung aufgebracht werden. Das Ablöseverfahren kann dann gemäß Fign. 2E bis 21 oder Fign. 1D bis 1G durchgeführt werden. Die einzige hier notwendige Bedingung besteht darin, daß die Auswahl des anorganischen Ablösematerials so getroffen wird, daß es selektiv aufgelöst, angegriffen, geätzt oder sonstwie entfernt werden kann, ohne daß dabei das gewünschte endgültige Muster durch das bei hoher Temperatur ablaufende Ablöseverfahren angegriffen wird.After removing the photoresist layer, the desired metal layer is formed or the magnetic layer embedded in dielectric layers or a dielectric layer by evaporation, be applied by metallization, by ion bombardment and / or by sputtering. The removal process can then be carried out in accordance with Figs. 2E to 21 or FIGS. 1D to 1G can be carried out. The only condition necessary here is that the selection of the inorganic release material is made in such a way that that it can be selectively dissolved, attacked, etched, or otherwise removed without affecting the final desired Pattern is attacked by the high temperature peeling process.

In dem Verfahren gemäß Fign. 5A bis 5E wird eine Photolackschicht 12 (Shipley, KTFR Polymethylmethacrylat (PMMA), ein PMMA-Kopolymeres oder jedes andere thermisch verformbare Polymere) in ein Muster geformt (durch Belichtung und Entwicklung)oder durch Ätzen, reaktives Plasmaätzen, chemisch usw).In the method according to FIGS. 5A to 5E is a photoresist layer 12 (Shipley, KTFR polymethyl methacrylate (PMMA), a PMMA copolymer or any other thermally deformable polymer) shaped into a pattern (by exposure and development) or by etching, reactive plasma etching, chemical, etc.).

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Das Muster wird anschließend auf eine so hohe Temperatur aufgeheizt, daß das Polymere 12 zerfließt, (sich durch die Oberflächenspannung deformiert) und die Fig. 5D dargestellten Form annimmt. Für Shipley-Photolack läßt sich dies durch rasches Erhitzen und Abkühlen der Probe auf 150 ⁰C bis 160 ⁰C oder durch langsames Erwärmen auf etwa 100 ⁰C bis 130 ⁰C und langsames Abkühlen erzielen, (wobei das Produkt aus Zeit und Temperatur verwendet wird, durch welches der Shipley-Photolack immernoch leicht entfernbar bleibt). Shipley-Photolack kann durch übliche Mittel wie z.B., Aceton oder Belichtung mit UV-Licht, gefolgt von einer Behandlung mit einem Entwickler für Shipley-Photolack entfernt werden. Man sieht, daß eine solche Erwärmung die gewünschte Form in dem Photolack liefert, wodurch man die geneigten Seitenwände oder sogar einen leichten Überhang in der anorganischen Maske Fig. 5A erzeugen kann. Die übrigen Verfahrensschritte sind die gleichen, wie sie im Zusammenhang mit Fign. 1B bis 1G oder 2C bis 21 besprochen wurden. Das Abrunden der Kanten oder die geneigten Kanten lassen sich dadurch erzeugen, daß man den organischen Photolack kurzzeitig einer reaktiven Plasma- oder Zerstäubungsätzung aussetzt.The pattern is then heated to such a high temperature that the polymer 12 melts (is deformed by the surface tension) and assumes the shape shown in FIG. 5D. For Shipley photoresist, this can be achieved by rapidly heating and cooling the sample to 150 ^° C. to 160 ^° C. or by slowly heating it to about 100 ^° C. to 130 ^° C. and slowly cooling it (the product of time and temperature being used which allows the Shipley photoresist to be easily removed). Shipley photoresist can be removed by conventional means such as acetone or exposure to UV light followed by treatment with a developer for Shipley photoresist. It can be seen that such heating provides the desired shape in the photoresist, whereby one can create the sloping sidewalls or even a slight overhang in the inorganic mask of FIG. 5A. The other process steps are the same as those in connection with FIGS. 1B through 1G or 2C through 21 were discussed. The rounding of the edges or the inclined edges can be produced by briefly exposing the organic photoresist to reactive plasma or sputter etching.

Bei dem Verfahren gemäß Fign. 6A bis 6D, werden zwei verschiedene Photolacke mit zwei verschiedenen Empfindlichkeiten benutzt. Der Photolack 70 mit der höheren Empfindlichkeit, der auf der Oberseite liegt, ist ein positiver Photolack und auf der Unterseite befindet sich ein negativer Photolack 12. Der untenliegende Photolack 12 ist etwa 25 % dicker, als die Dicke des durch das Ablöseverfahren herzustellenden Materials (vergleiche Fig. 6A). Nach Belichtung durch UV-Licht, durch Elektronenstrahl oder Röntgenstrahl und Entwicklung, wird die in Fig. 6B gezeigte Form erhalten. Durch galvanischen Niederschlag oder stromloses Abscheiden wird eine aus anorganischem Material bestehende Maske mit wohl definiertem Überhang gebildet, wie sie Fig. 6C zeigt. In Fig. 6D wurde das Material 19 niedergeschlagen, nachdem die Photolackschichten 12 und 70 entfernt sind.In the method according to FIGS. 6A to 6D, two different photoresists are used with two different sensitivities. The higher sensitivity photoresist 70 which is on top is a positive photoresist and is on the bottom there is a negative photoresist 12. The photoresist below 12 is about 25% thicker than the thickness of the peel process material to be produced (see Fig. 6A). After exposure to UV light, electron beam or X-ray and development, the shape shown in Fig. 6B is obtained. By galvanic deposition or electroless deposition a mask made of inorganic material with a well-defined overhang is formed, as shown in FIG. 6C. In Figure 6D the material 19 was deposited after the photoresist layers 12 and 70 are removed.

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Weiter läuft das Verfahren ab wie bereits oben beschrieben. Andererseits kann auch ein negativer Photolack benutzt werden, wobei dann der erapfindlichere Photolack als Photolackschicht 12 auf der Unterseite eingesetzt wird.The procedure continues as already described above. On the other hand, a negative photoresist can also be used, then the more imaginable photoresist as the photoresist layer 12 is used on the underside.

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Claims

PATENT CLAIMS

Method for producing a thin film structure by Deposition of a material in a vacuum, characterized by the following process steps;

a) applying a matrix to a substrate,

b) making a pattern in the matrix,

c) Precipitation of a material to be detached in the openings and formation of a larger overhang Width at the top of the opening than at the bottom,

d) removing the rest of the matrix,

e) depositing a coating material in a vacuum onto the product of step d) to a thickness which is much less than the thickness of the first layer, so that on the sides of the to be peeled off Material openings remain and

f) Removal of the material to be detached with a suitable chemical solution.

2. The method according to claim 1, characterized in that a photoresist is used as the matrix and that the to be removed Material is deposited as metallization on the matrix.

3. The method according to claim 2, characterized in that the material to be removed later on to the substrate is metallized to a thickness which is significantly greater than the matrix, so that overhanging Edges of the material to be removed are formed.

4. The method according to claim 1, characterized in that a photoresist is then applied to parts of the coating material after the material to be removed has been removed and that the remaining parts are removed by subtractive processes.

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5. The method according to claims 1 to 4, characterized gekennzeicnnet that a layer of several as the coating material Materials is applied.

6. The method according to claim 1, characterized in that a layer of photoresist is applied as a matrix, which is exposed and developed for formation of inclined side walls of the openings in the manner that this tendency to the inclination of the overhang is reversed, so that the material to be detached when precipitated receives an overhang in the openings.

7. The method according to claim 6, characterized in that the matrix having openings consists of a by heat deformable material is formed in such a way that the matrix with its openings is heated, whereby the edges of the opening can be rounded off by flowing the material before the material to be peeled off being knocked down.

3. The method according to claim 1, characterized in that Several photoresist layers can be used as a matrix, which have a different radiation sensitivity have and that the openings are produced in such a way that the openings in the upper layer are smaller than in the layer below.

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