DE2642166A1 - Semiconductor data read=out for shift register sensor - has electrodes acting on bucket chain principle, intermediate storage capacitor coupled to register via threshold value member and switch - Google Patents
Semiconductor data read=out for shift register sensor - has electrodes acting on bucket chain principle, intermediate storage capacitor coupled to register via threshold value member and switchInfo
- Publication number
- DE2642166A1 DE2642166A1 DE19762642166 DE2642166A DE2642166A1 DE 2642166 A1 DE2642166 A1 DE 2642166A1 DE 19762642166 DE19762642166 DE 19762642166 DE 2642166 A DE2642166 A DE 2642166A DE 2642166 A1 DE2642166 A1 DE 2642166A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- shift register
- capacitor
- threshold value
- read
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 5
- 238000012432 intermediate storage Methods 0.000 title abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- QAHZAHIPKNLGAS-QMJNRFBBSA-N ac1l9bd4 Chemical compound C12=CC=3OCOC=3C(OC)=C2CN2[C@@H]3C[C@@H](OC)C=C[C@]31[C@H](O)C2 QAHZAHIPKNLGAS-QMJNRFBBSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14862—CID imagers
Abstract
Description
Auslesevorrichtung für einen GID-Sensor bzw. SCID-Sensor undReadout device for a GID sensor or SCID sensor and
Verfahren zu ihrem Betrieb Die vorliegende Erfindung betrifft eine Auslesevorrichtung für einen CID-Sensor bzw. BCID-Sensor, wobei bei letzteren auf einer Oberfläche eines Substrats aus dotiertem Halbleitermaterial matrixförmig in Zeilen und Spalten angeordnete Isolierschichtkondensatoren, deren Gateelektroden zeilenweise an je eine Zeilenleitung angeschlossen sind, verbunden sind, und wobei unmittelbar neben jedem Isolierschichtkondensator je ein zweiter angeordnet ist, wobei die Gateelektroden dieser zweiten Isolierschichtkondensatoren spaltenweise an je eine Spaltenleitung angeschlossen sind bzw. spaltenweise unter den Isolierschichtkondensatoren entgegengesetzt zum Substrat dotierte vergrabene Kanäle im Inneren des Substrats vorhanden sind, bei der die Zeilenleitungen bzw. die vergrabenen Kanäle über Schwellwertelement mit Paralleleingängen eines Schieberegisters verbunden sind und ein Verfahren zu deren Betrieb.METHOD OF OPERATING IT The present invention relates to a Readout device for a CID sensor or BCID sensor, with the latter on a surface of a substrate made of doped semiconductor material in matrix form in Insulating layer capacitors arranged in rows and columns, their gate electrodes are connected row by row to a row line, are connected, and wherein a second capacitor is arranged directly next to each insulating layer capacitor, wherein the gate electrodes of these second insulating film capacitors are column-wise are each connected to a column line or column by column under the insulating layer capacitors buried channels doped opposite to the substrate in the interior of the substrate are present in which the row lines or the buried channels via threshold value element are connected to parallel inputs of a shift register and a method to their operation.
In unseren älteren Patentanmeldung P 26 11 771.5 (VPA 76 P 7024) und P 25 27 596.1-33 (VPA 75 P 7087) sind Auslesevorrichtungen der eingangs genannten Art vorgeschlagen worden. Dort werden in den Isolierschichtkondensatoren durch Lichteinfall Ladungsmengen erzeugt, die dem Integral der Lichtintensität über die Integrationszeit entsprechen. Diese Ladungsmengen werden beim CID-Sensor #(Patentanmeldung P 26 11 771.5) unter die zweiten Isolierschichtkond ensatoren verschoben und bewirken eine Potentialänderung auf den Spaltenleitungen. Beim BCID-Sensor (Patentanmeldung P 25-27 596.1-33) werden die Ladungsmengen auf die vergrabenen Kanäle injiziert. -Von den Spaltenleitungen bzw. den vergrabenen Kanälen wird die darauf gespeicherte Information in beiden Fällen über die Schwellwertelemente nach dem Eimerketten-Prinzip direkt in das Schieberegister parallel eingelesen und aus diesem dann seriell ausgelesen. Einlesen nach dem Eimerketten-Prinzip bedeutet, daß-der Sinlesevorgang beendet ist, wenn das Potential auf den Spaltenleitungen -bzw.In our earlier patent application P 26 11 771.5 (VPA 76 P 7024) and P 25 27 596.1-33 (VPA 75 P 7087) are read-out devices of the type mentioned above Kind has been proposed. There are in the insulating layer capacitors by incidence of light Amounts of charge are generated which correspond to the integral of the light intensity over the integration time correspond. These amounts of charge are used in the CID sensor # (patent application P 26 11 771.5) shifted under the second insulating layer capacitors and effect a change in potential on the column lines. With the BCID sensor (patent application P 25-27 596.1-33) the amounts of charge are injected onto the buried channels. - Of the column lines or the buried channels, the one stored on them is stored Information in both cases about the threshold value elements according to the bucket-chain principle read directly into the shift register in parallel and then read out serially from this. Reading in according to the bucket chain principle means that-the single reading process is finished, when the potential on the column lines -bzw.
den vergrabenen Kanälen gleich -dem Schwellwert der Schwellwertelemente- ist.equal to the buried channels -the threshold value of the threshold value elements- is.
Soll eine derartige -Anordnung der deutschen Fernsehnorm genügen,# dann stehen für das serielle Auslesen des Schieberegisters 521u sec, für die Übertragung nach dem Eimerketten-Irinzip dagegen nur 12/u sec zur Verfügung. Bei einer Länge der Spaltenleitungen bzw. der vergrabenen Kanäle von 5 mm können jedoch in dieser Zeit nur etwa 70 % der Information bei Übertragung nach dem Eimerketten-Prinzip übertragen werden. Die Re-stinformation wird während der nächsten tadungsübertragungen in Borm von sog. Nachläufern allmåhlich ausgelesen und verändern das Ausgangssignal der nächsten Zeilen.Should such an arrangement comply with the German television standard, # then stand for the serial reading of the shift register 521u sec, for the transmission according to the bucket-chain principle, on the other hand, only 12 / u sec are available. At one length the column lines or the buried channels of 5 mm can, however, in this Time only about 70% of the information when transmitted according to the bucket-chain principle be transmitted. The rest of the information will be used during the next load transmissions gradually read out in Borm by so-called followers and change the output signal the next lines.
Aufgabe der#-vorliegenden Erfindung ist es, eine Auslesevorrichtung der eingangs genannten Art anzugeben, bei ~der die Übertragungsverluste erheblich geringer sind.The object of the present invention is to provide a readout device of the type mentioned at the beginning, in which the transmission losses are considerable are lower.
Die Aufgabe wird dadurch gelöst, daß zwischen jedem Schwellwertelement und dem Schieberegister ein Kondensator als Zwisebenspeicher eingefügt ist, der einerseits mit dem Schwellwertelement und andererseits über ein Schaltelement mit dem Schieberegister verbunden ist-.The object is achieved in that between each threshold value element and the shift register is inserted a capacitor as an intermediate storage, the on the one hand with the threshold value element and on the other hand with a switching element connected to the shift register.
Bevorzugterweise ist dabei der Kondensator ein Isolierschichtkondensator.The capacitor is preferably an insulating layer capacitor.
Bevorzugterweise ist das Schieberegister eine ladungsgekoppelte Verschiebevorrichtung.The shift register is preferably a charge-coupled shift device.
Eine vorstehend angegebene Auslesevorrichtung wird so betrieben, daß während der ganzen Dauer, in der das Schieberegister seriell ausgelesen wird, der Sensor nach dem Eimerketten-Prinzip auf die Kondensatoren ausgelesen wird und daß nach dem Auslesen des Schieberegisters die auf den Kondensatoren gespeicherte Information über die Schaltelemente parallel in das Schieberegister eingelesen wird.A readout device specified above is operated so that during the entire period in which the shift register is read out serially, the Sensor is read out on the capacitors according to the bucket chain principle and that after reading out the shift register, the information stored on the capacitors is read in parallel into the shift register via the switching elements.
Ein wesentlicher Vorteil einer vorstehend angegebenen Auslesevorrichtung ist daher, daß fast die gesamte Dauer einer Bernsehzeile von 64/u sec für die Ladungsübertragung nach dem Eimerketten-Prinzip zur Verfügung steht. Dadurch steht gegenüber herkömmlichen Auslesevorrichtungen etwa die fünffache Zeitdauer für diese Übertragung zur Verfügung, wodurch die Ubertragungsverluste erheblich verringert werden.A major advantage of a readout device specified above is therefore that almost the entire duration of an amber line of 64 / u sec for the charge transfer according to the bucket chain principle is available. This is opposite to conventional Readout devices have about five times the time available for this transmission, whereby the transmission losses are considerably reduced.
Die Erfindung wird anhand der Figur näher erläutert. Die Figur zeigt einen Querschnitt durch eine vorstehend angegebene Auslesevorrichtung vom Anschluß einer Spaltenleitung bzw. eines vergrabenen Kanals an das Scbwellwertelement durch dieses über den Kondensator, das Schaltelement und daran anschließend quer zum Schieberegister. Auf einer Oberfläche des Substrats 1 aus dotiertem Halbleitermaterial, beispielsweise p-dotiertes Silizium, ist eine elektrisch isolierende Schicht 2, beispielsweise Siliziumdioxid, aufgebracht. Diese Schicht trägt dicht nebeneinander angeordnete Elektroden 3 bis 6, beispielsweise aus Aluminium. Jede Elektrode bildet mit der darunterliegenden elektrisch isolierenden Schicht und dem Substrat einen Isolierschichtkondensator. Der Isolierschichtkondensator 3 bildet das Schwellwertelement. der Isolierschichtkondensator 4 den als Zwischenspeicher dienenden Kondensator, der Isolierschichtkon- densator 5 das Schaltelement und der Isolierschichtkondensator 6 ein Speicherelement des Schieberegisters. Es ist dabei angenommen, daß das Schieberegister aus einer ladungsgekoppelten Verschiebevorrichtung besteht. Neben dem Isolierschichtkondensator 3 befindet sich an der Oberfläche des Substrats ein dazu entgegengesetzt dotiertes Kontaktgebiet 7, welches bei einem CID-Sensor mit einer Spaltenleitung kontaktiert ist, bzw. bei einem BCID-Sensor mit einem vergrabenen Kanal verbunden ist. Der Einfachheit# halber sind Spaltenleitung bzw. vergrabener Kanal fortgelassen.The invention is explained in more detail with reference to the figure. The figure shows a cross section through an above-mentioned readout device from the connection a column line or a buried channel to the threshold value element this via the capacitor, the switching element and then across the shift register. On a surface of the substrate 1 made of doped semiconductor material, for example p-doped silicon is an electrically insulating layer 2, for example Silicon dioxide applied. This layer carries those arranged close to one another Electrodes 3 to 6, for example made of aluminum. Each electrode forms with the underlying electrically insulating layer and the substrate an insulating layer capacitor. The insulating layer capacitor 3 forms the threshold value element. the insulated capacitor 4 the capacitor serving as a buffer, the insulating layer con- capacitor 5 the switching element and the insulating layer capacitor 6 a storage element of the Shift register. It is assumed that the shift register consists of a charge-coupled device Shifting device exists. Next to the insulating layer capacitor 3 is located an oppositely doped contact area on the surface of the substrate 7, which is contacted with a column line in a CID sensor, or in a BCID sensor is connected to a buried channel. For the sake of simplicity column line and buried channel are omitted.
Beim Betrieb der Auslesevorrichtung werden an sämtliche Elektroden im wesentlichen Spannungen gleicher Polarität angelegt. Bei p-dotiertem Substrat sind sie positiv, bei n-dotiertem Substrat negativ gegenüber Substratpotential zu wählen. Während des Betriebes werden an die Elektroden 3 und 4 konstante Spannungen U3 und U4 angelegt, wodurch unter den entsprechenden Elektroden das Oberflächenpotential in erster Näherung den Wert U4 - UT3 bzw. U4 - U4 annimmt, wobei Ulp bzw. z 4 die Einsatz spannungen der entsprechenden Isolierschichtkondensatoren bedeuten. U4 ist gegenüber U3 so zu wählen, daß U3 - U3 U4 UT4 gilt. Je nach Betriebszustand wird an die Elektrode 5 eine Spannung U5 angelegt, die betragsmäßig kleiner als die Einsatzspannung UT5 oder entgegengesetzte Polarität aufweist, bzw. eine Spannung U'5,die ein Oberflächenpotential erzeugt, das betragsmäßig mindestens so groß wie das Oberflächenpotential unter der Elektrode 4 ist. An der Elektrode 6 liegen in an sich bekannter Weise Schiebetakte an, wobei die maximale Taktspannung U6 so groß zu wählen ist, daß das durch sie erzeugte Oberflächenpotential betragsmäßig mindestens so groß ist, wie das Oberflächenpotential unter der Elektrode 5 bei der Spannung U'5.When operating the readout device, all electrodes essentially voltages of the same polarity are applied. With p-doped substrate if they are positive, in the case of an n-doped substrate they are negative in relation to the substrate potential Select. During operation, constant voltages are applied to electrodes 3 and 4 U3 and U4 applied, whereby the surface potential under the corresponding electrodes in a first approximation the value U4 - UT3 or U4 - U4 assumes, where Ulp and z 4 are the Use voltages of the corresponding insulating layer capacitors mean. U4 is to be chosen in relation to U3 so that U3 - U3 U4 UT4 apply. Depending on the operating status A voltage U5 is applied to the electrode 5, the magnitude of which is less than the threshold voltage UT5 or opposite polarity, or a voltage U'5, which has a surface potential generated, the amount at least as large as the surface potential below of electrode 4 is. Sliding clocks are located on the electrode 6 in a manner known per se on, whereby the maximum clock voltage U6 is to be selected so large that it does this generated surface potential is at least as large in terms of amount as the surface potential under the electrode 5 at the voltage U'5.
In der Figur ist zusätzlich der örtliche Verlauf des Oberflächenpotentials für verschiedene Zeitpunkte qualitativ dargestellt. Die durchgezogene Kurve 10 gibt den Verlauf bis zum Schieberegister, das gerade ausgelesen wird, für den Fall an, daß gerade Ladungsmengen unter die zweiten Kondensatoren verschoben oder auf die vergrabenen Kanäle injiziert wurden. Das Gebiet 7 liegt also auf einem Potential, das betragsmäßig größer als U3 - W 3 ist. Das Potential unter der Elektrode 5 liegt auf Substratpotential (O Volt). Es fließen nun Ladungsmengen vom Gebiet 7 unter die Elektrode 4,und zwar so lange, bis das Schieberegister ausgelesen ist. Zu letzterem Zeitpunkt liegt das Gebiet 7 wieder annähernd auf dem Potential U3 - UT3. Die gestrichelte Kurve 11 gibt den Verlauf des Oberflächenpotentials zu diesem Zeitpunkt bis zum Schieberegister an. Jetzt wird an die Elektrode 5 die Spannung Ut# angelegt und wenn an der Elektrode 6 die maximale Taktspannung anliegt, fließt die unter der Elektrode 4 gespeicherte Ladungsmenge unter erstere. Dieser ladungstransport erfolgt analog zur Ladungsverschiebung zwischen zwei Elektroden einer ladungsgekoppelten Verschiebevorrichtung unter dem Einfluß von Diffusion und Driftfeld und benötigt eine Zeit von weniger als 1/u sec. Die strichpunktierte Kurve 12 gibt den Verlauf des Oberflächenpotentials bei Beginn des Ladungsflusses an.The figure also shows the local course of the surface potential qualitative for different points in time shown. The solid one Curve 10 shows the course up to the shift register that is currently being read out for the case that just shifted amounts of charge under the second capacitors or injected onto the buried canals. The area 7 is therefore on one Potential that is greater in magnitude than U3 - W 3. The potential under the electrode 5 is at substrate potential (0 volts). Charges are now flowing from the area 7 under the electrode 4 until the shift register has been read out. At the latter point in time, the area 7 is again approximately at the potential U3 - UT3. The dashed curve 11 gives the course of the surface potential for this Time up to the shift register. The voltage is now applied to electrode 5 Ut # applied and when the maximum clock voltage is applied to the electrode 6, flows the amount of charge stored under the electrode 4 among the former. This cargo transport takes place analogously to the charge shift between two electrodes of a charge-coupled one Displacement device under the influence of diffusion and drift field and required a time of less than 1 / u sec. The dash-dotted curve 12 shows the course of the surface potential at the beginning of the charge flow.
Der doppelt strichpunktierte Teil 12' gibt den Verlauf nach der Ladungsübertragung für relevante Bereiche an. Nach vollendeter Übertragung wird an die Elektrode 5 wieder die Spannung O Volt angelegt und so das Schieberegister von der übrigen Anordnung abgetrennt.The double dot-dash part 12 'shows the course after the charge transfer for relevant areas. After the transfer is complete, the electrode 5 Again the voltage 0 volts is applied and so the shift register from the rest of the arrangement severed.
4 Patentansprüche 1 Figur4 claims 1 figure
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19762642166 DE2642166A1 (en) | 1976-09-20 | 1976-09-20 | Semiconductor data read=out for shift register sensor - has electrodes acting on bucket chain principle, intermediate storage capacitor coupled to register via threshold value member and switch |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19762642166 DE2642166A1 (en) | 1976-09-20 | 1976-09-20 | Semiconductor data read=out for shift register sensor - has electrodes acting on bucket chain principle, intermediate storage capacitor coupled to register via threshold value member and switch |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2642166A1 true DE2642166A1 (en) | 1978-03-23 |
Family
ID=5988320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19762642166 Ceased DE2642166A1 (en) | 1976-09-20 | 1976-09-20 | Semiconductor data read=out for shift register sensor - has electrodes acting on bucket chain principle, intermediate storage capacitor coupled to register via threshold value member and switch |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE2642166A1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0025168A2 (en) * | 1979-09-11 | 1981-03-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Monolithic integrated circuit comprising a two-dimensional image sensor |
| EP0241886A1 (en) * | 1986-04-17 | 1987-10-21 | Honeywell Inc. | Multiplexer cell for photovoltaic detectors |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2421210A1 (en) * | 1973-05-21 | 1974-12-12 | Fairchild Camera Instr Co | CHARGE-COUPLED SEMI-CONDUCTOR ARRANGEMENT |
-
1976
- 1976-09-20 DE DE19762642166 patent/DE2642166A1/en not_active Ceased
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2421210A1 (en) * | 1973-05-21 | 1974-12-12 | Fairchild Camera Instr Co | CHARGE-COUPLED SEMI-CONDUCTOR ARRANGEMENT |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Electronics, Feb. 28, 1972, S. 64-71 * |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0025168A2 (en) * | 1979-09-11 | 1981-03-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Monolithic integrated circuit comprising a two-dimensional image sensor |
| US4336557A (en) * | 1979-09-11 | 1982-06-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Monolithically integrated circuit for relatively slow readout from a two-dimensional image sensor |
| EP0025168A3 (en) * | 1979-09-11 | 1983-04-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Monolithic integrated circuit comprising a two-dimensional image sensor |
| EP0241886A1 (en) * | 1986-04-17 | 1987-10-21 | Honeywell Inc. | Multiplexer cell for photovoltaic detectors |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2551795C2 (en) | Charge transfer device for use in an image pickup device | |
| DE2107022C3 (en) | ||
| DE2131218A1 (en) | Charge coupled memory assembly | |
| DE2643704C2 (en) | Transversal filter with at least one analog shift register and method for its operation | |
| DE2723669A1 (en) | PROGRAMMABLE FILTER | |
| DE2332643C2 (en) | Data storage device | |
| DE2154025C3 (en) | Memory circuit made from field effect transistors | |
| DE3243565A1 (en) | CHARGED COUPLING ARRANGEMENT | |
| DE2325922C2 (en) | Memory arrangement made up of shift registers with dynamic rearrangement | |
| DE2523683C2 (en) | Integrated circuit with a line for transporting charges between storage elements of a semiconductor memory and a read-write circuit | |
| DE2818783C3 (en) | Data storage cell | |
| DE3529025C2 (en) | ||
| DE2711542C2 (en) | Capacitive semiconductor memory | |
| EP0027545A1 (en) | Monolithic integrated circuit for picture line scanning, and method of operating it | |
| DE3220084C2 (en) | ||
| DE2642166A1 (en) | Semiconductor data read=out for shift register sensor - has electrodes acting on bucket chain principle, intermediate storage capacitor coupled to register via threshold value member and switch | |
| DE2852117A1 (en) | REGENERATION CIRCUIT | |
| DE3102175A1 (en) | SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE | |
| DE2742936B2 (en) | Non-volatile long-term storage | |
| DE2721812A1 (en) | EVALUATION CIRCUIT FOR A LOAD SHIFTING ARRANGEMENT | |
| DE2434936C3 (en) | Memory circuit with charge shifting elements and method for their operation | |
| DE2539910C3 (en) | Semiconductor memory | |
| DE2418750C3 (en) | MI112 S memory transistor | |
| DE2734366A1 (en) | COMPLEMENTARY INPUT STRUCTURE FOR A CHARGE-COUPLED 2-CHANNEL ARRANGEMENT | |
| DE2105479A1 (en) | Circuit and structure of a semiconductor memory element |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OAM | Search report available | ||
| OC | Search report available | ||
| 8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
| 8131 | Rejection |