DE2627357C3

DE2627357C3 - Temperature detector

Info

Publication number: DE2627357C3
Application number: DE19762627357
Authority: DE
Inventors: Ing.(Grad.) Gerhard 2060 Bad Oldesloe Bering
Original assignee: Preussag AG Feuerschutz
Current assignee: Preussag AG Feuerschutz
Priority date: 1976-06-18
Filing date: 1976-06-18
Publication date: 1981-05-27
Also published as: DE2627357B2; DE2627357A1

Description

1515th

Die Erfindung bezieht sich auf einen Temperaturmelder der im Oberbegriff des Anspruchs 1 angegebenen Art.The invention relates to a temperature detector as specified in the preamble of claim 1 Art.

Ein derartiger Melder ist beispielsweise aus der DE-PS 9 69 456 bekannt Dabei wird durch die thermische Isolierung des Referenzwiderstr.ndes erreicht, daß dieser Änderungen der Temperatur der Umgebungsluft nur verzögert folgt so daß bei genügend großer Änderungsgeschwindigkeit der Umgebungstemperatur, d. h. bei einem genügend großen Temperaturgradienten, eine Verstimmung der Brückenschaltung auftritt die zu einem Meldesigna! führt. Diese Differentialwirkung hat gegenüber der Messung der Umgebungstemperatur mittels eines dieser unverzögert folgenden Widerstandselements, einer Differentiation des hierdurch gebildeten Meßsignals mittels eines ÄC-Gliedes und einer Auswertung des so gebildeten, dem Temperaturgradienten proportionalen Signals mittels einer Meldeschaltung den Vorteil, daß selbst große Temperaturgradienten sicherheitshalber dann nicht ausgewertet werden, wenn nicht die Temperaturerhöhung über eine gewisse, endliche Zeit hinweg anhält.Such a detector is known, for example, from DE-PS 9 69 456 It is through the thermal insulation of the reference resistance reached, that these changes in the temperature of the ambient air only follow a delay so that at sufficiently large rate of change of the ambient temperature, d. H. with a sufficiently large temperature gradient, a detuning of the bridge circuit occurs to a message signa! leads. This differential effect has compared to the measurement of the Ambient temperature by means of one of these resistance elements, a differentiation, which follows immediately the measurement signal formed in this way by means of an ÄC element and an evaluation of the thus formed, the temperature gradient proportional signal by means of a signaling circuit the advantage that even To be on the safe side, large temperature gradients are not evaluated if the temperature increase is not lasts for a certain finite time.

Bei dem bekannten Temperaturmelder ist zwischen den Referenzwiderstand und in Reihe mit diesem an der Speisediagonalen liegende Widerstände ein Potentiometer eingeschaltet dessen Abgriff einen Meßdiagonalenanschluß bildet Je nach Stellung des Abgriffes kann daher ein Teilwiderstand oder der gesamte Potentiometerwider.tand im Referenzzweijr liegen. Diese Maßnahme hat den Zweck, einen genauen Nullabgleich der Meßdiagonalenspannung zu ermöglichen, während der Schwellenwert der Meldeschaltung, bei welchem diese ein Meldesignal en.°ugt fest vorgegeben ist und einer bei einer Verstimmung der Bruckenschaltung auftretenden, von Null verschiedenen Meßdiagonalenspannung entspricht. Die Erzeugung eines Meldesignals bei einer vorgegebenen Grenztemperatur ist hierbei nicht möglich.In the known temperature detector is between the reference resistor and in series with this on the Resistances lying across the feed diagonals switched on a potentiometer whose tap a measuring diagonal connection Depending on the position of the tap, a partial resistance or the entire potentiometer resistance lie in the reference two years. The purpose of this measure is to achieve an accurate zero balance to enable the measurement diagonal voltage, during the threshold value of the signaling circuit at which this is a message signal and is permanently specified a measurement diagonal voltage which is different from zero and which occurs when the bridge circuit is detuned is equivalent to. The generation of a message signal at a specified limit temperature is here not possible.

Aus der gleichen Druckschrift ist es jedoch bekannt, zur Erzeugung eines Meldesignals bei einer vorgegebenen Grenztemperatur einen Meßwiderstand und einen Referenzwiderstand von unterschiedlichen Temperatur-Widerstandskoeffizienten zu wählen. Hierdurch tritt in der bei normaler Umgebungstemperatur abgeglichenen Brückenschaltung bei höheren Temperaturen eine Verstimmung auf, die bei der vorgegebenen Grenztemperatur ausreicht, die Meldeschaltung zu aktivieren. In der Praxis sind jedoch die Temperatur-Widerstandskoeffizienten mit Toleranzen behaftet, wodurch sich starke Streuungen der zu einer Meldung führenden Grenztemperatur ergeben können. Zur Vermeid'ing dieser Streuungen ist ein hoher Aufwand zur Auswahl geeigneter Paare von Meßwiderstand und Referenzwiderstand erforderlich. Auch ist eine Abänderung dtr einmal konstruktiv vorgegebenen Grenztemperatur nur durch einen baulichen Eingriff in den Melder möglich.However, from the same publication it is known a measuring resistor and a for generating a message signal at a given limit temperature Select reference resistance from different temperature resistance coefficients. This occurs in the bridge circuit balanced at normal ambient temperature at higher temperatures Detuning that is sufficient at the specified limit temperature to activate the signaling circuit. In In practice, however, the temperature resistance coefficients are subject to tolerances, which makes them strong Scattering of the limit temperature leading to a message can result. To avoid this Scatter is a great effort to select suitable pairs of measuring resistor and reference resistor necessary. Also, a modification of the limit temperature is only given by the design possible through structural intervention in the detector.

Schließlich ist aus der DE-AS 20 27 545 noch eine Brückenschaltung für einen Temperaturmelder bekannt der sowohl auf einen bestimmten Schwellenwert des Temperaturgradienten als auch auf eine bestimmte Grenztemperatur anspricht Diese Werte sind jedoch nur dadurch einstellbar, daß Bauteile in der Schaltung ausgetauscht werden. Das bedeutet daß die beiden Schwellenwerte betriebsmäßig nicht verstellbar sind. Zwar ließe sich die Grenztemperatur in gewissen Grenzen dadurch einstellen, daß man einen der Festwiderstände durch einen Potentiometer ersetzt Damit ist jedoch nicht der Schwellenwert für den Temperaturgradienten einstellbar. Dieser muß vielmehr in der in der Meßdiagonalen liegenden Verstärkerschaltung eingestellt werden, wobei es in der DE-AS 20 27 545 völlig offen gelassen ist «<e ein Schwellenwert für den Temperaturgradienten festgelegt werden kann.Finally, from DE-AS 20 27 545 a bridge circuit for a temperature detector is known both on a certain threshold value of the temperature gradient and on a certain one Limit temperature responds These values can only be set by adding components to the circuit be replaced. This means that the two threshold values cannot be adjusted during operation. It is true that the limit temperature can be set within certain limits by one of the Fixed resistors replaced by a potentiometer. However, this is not the threshold value for the Adjustable temperature gradients. Rather, this must be in the amplifier circuit lying in the measuring diagonal be set, whereby it is left completely open in DE-AS 20 27 545 «<e a threshold value can be set for the temperature gradient.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Temperaturmelder der im Oberbegriff des Anspruchs 1 genannten Art mit einem Meßwiderstand und einem Referenzwiderstand von untereinander gleichen Temperatur-Widerstandskoeffizienten in baulich einfacher Weise so weiterzubilden, daß ein Meldesignal sowohl bei einer einstellbaren Grenztemperatur als auch bei einem Schwellenwert des Temperaturgradienten erzeugt wird und daß die getroffene Einstellung der Grenztemperatur über längere Betriebszeiträume genau beibehalten wird.The invention is based on the object of providing a temperature detector as described in the preamble of claim 1 mentioned type with a measuring resistor and a reference resistor of mutually equal temperature resistance coefficients to develop in a structurally simple manner so that a message signal both at an adjustable limit temperature and at a threshold value of the temperature gradient is generated and that the setting made of the Limit temperature is precisely maintained over longer periods of operation.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß zur zusätzlichen Erzeugung eines Meldesignals bei einer innerhalb eines vorgegebenen Wertebereichs einstellbaren Grenztemperatur der ohmsche Widerstand im Referenzzweig ein Festwiderstand ist, dessen Widerstandswert größenordnungsmäßig mindestens so groß ist wie der Widerstandswert des Referenzwiderstands beim oberen Grenzwert des vorgegebenen Wertebereichs, daß der mit dem Meßzweig in Reihe liegende Widerstandszweig einen verstellbaren Widerstand aufweist und daß der Schwellenwert der Meldeschaltung zumindest annähernd Null istThis object is achieved according to the invention in that for the additional generation of a message signal the ohmic resistance of a limit temperature that can be set within a specified range of values there is a fixed resistor in the reference branch whose resistance value is of the order of magnitude at least as is as large as the resistance value of the reference resistor at the upper limit of the specified range of values that the one with the measuring branch in series lying resistance branch has an adjustable resistance and that the threshold value of the Signaling circuit is at least approximately zero

Bei dem Temperaturmelder gemäß der Erfindung liegt im Referenzzweig ein Festwiderstand von so hohem Widerstandswert, daß dieser im Bereich der vorgegebenen Grenztemperatur einen merklichen Anteil in der Größenordnung von 50% am Gesamtwiderstandswert des Referenzzweiges aufweist. Hierdurch verläuft die Kurve des Potentials am Verbindungspunkt d'.-s .<ev'erenzzweigs und des mit ihm in Reihe geschalteten Widerstandszweigs stark gekrümmt und nähen sich asymptotisch einem Wert, der durch das Spannungsteilerverhältnis zwischen dem im Referenzzweig liegenden Festwiderstand und dem in Reihe hiermit liegender Widerstandszweig bestimmt ist. Dagegen verläuft die Kurve des Potentials am Vefbindüngspunkt des Meßzweigs und des mit ihm in Reihe geschalteten Widerstandszweigs im Bereich der betriebsmäßig vorkommenden Temperaturen annähernd linear und nähen sich nur bei sehr hohen Temperaturen asymptotisch der Speisediagonalenspannung. Bei sehr langsamen Temperaturänderungen, bei denen Meßwiderstand und Referenzwiderstand praktisch die gleiche Umgebungstemperatur aufweisen,In the case of the temperature detector according to the invention, there is a fixed resistance of so in the reference branch high resistance value, that this has a noticeable share in the range of the given limit temperature in the order of 50% of the total resistance value of the reference branch. Through this runs the curve of the potential at the connection point d '.- s. <ev'erenzzweigs and the with it in series switched resistance branch strongly curved and sew asymptotically to a value that is determined by the Voltage divider ratio between the fixed resistor in the reference branch and the one in series hereby lying resistance branch is determined. In contrast, the curve of the potential runs am Vefbindüngpunkt of the measuring branch and the resistance branch connected in series with it in the area of operationally occurring temperatures approximately linear and sew only at very high Temperatures asymptotically of the feeding diagonal tension. With very slow temperature changes, at where the measuring resistor and reference resistor have practically the same ambient temperature,

ergibt sich daher zu höheren Temperaturen hin eine Änderung der Meßdiagonalenspannung. Bei der vorgegebenen Grenztemperatur erreicht die zuvor endliche Werte aufweisende Meßdiagonalenspannung den Schwellenwert der Meldeschaltung. Dieser Schwellenwert ist zumindest annähernd Null, d. h. im Ruhezustand ist die Brückenschaltung verstimmt, während beim Ansprechen der Meldeschaltung zumindest annähernd der abgestimmte Zustand erreicht ist. Hierdurch ist nicht die Einstellung eines endlichen Schwellenwerts erforderlich, der sich zeitlich verändern könnte. Die Einstellung der Grenztemperatur erfolgt vielmehr zusammen mit einer Einstellung der Empfindlichkeit bezüglich des Temperaturgradienten mittels des verstellbaren Widerstands in dem mit dem Meßzweig in Reihe liegenden Widerstandszweig. Es hat sich gezeigt, daß hiermit eine sehr genaue Einstellung möglich ist und daß eine Verstellung des verstellbaren Widerstands zu einer praktisch linear proportionalen Veränderung der eingestellten Grenztemperatur führt, wodurch eine leichte Eichung und eine von Toleranzen der Bauelemente wenig beeinflußbare Genauigkeit der Einstellung erreicht werden.there is therefore a change in the measurement diagonal voltage towards higher temperatures. At the given The measured diagonal voltage, which previously had finite values, reaches the limit temperature Threshold of the notification circuit. This threshold value is at least approximately zero, i. H. at rest the bridge circuit is out of tune, while at least approximately when the signaling circuit responds the agreed state has been reached. This does not mean setting a finite threshold required, which could change over time. Rather, the limit temperature is set together with an adjustment of the sensitivity with respect to the temperature gradient by means of the adjustable Resistance in the resistance branch in series with the measuring branch. It has shown, that this enables a very precise setting and that the adjustable resistance can be adjusted leads to a practically linear proportional change in the set limit temperature, whereby a easy calibration and an accuracy of the setting that cannot be influenced by the tolerances of the components can be achieved.

Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.Refinements of the invention are given in the subclaims.

Die Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnungen näher erläutert, in denen ein Ausführungsbeispiel dargestellt ist. Es zeigt The invention is explained in more detail below with reference to the drawings, in which an exemplary embodiment is shown. It shows

Fig. 1 das Schaltbild eines Temperaturmelders gemäß der Erfindung,Fig. 1 is the circuit diagram of a temperature detector according to the invention,

F i g. 2 ein Schaubild mit Kurven, die die Potentiale an den Meßdiagonalenanschlüssen des Temperaturmelders gemäß F i g. 1 darstellen.F i g. 2 a diagram with curves showing the potentials at the measuring diagonal connections of the temperature detector according to FIG. 1 represent.

Fig. 3 ein Schaubild zur Verdeutlichung des Ansprechverhaltens des Temperaturmelders gemäß Fig. 1.3 shows a diagram to illustrate the response behavior of the temperature detector according to FIG Fig. 1.

Der in Fig. 1 dargestellte Temperaturmelder weist einen positiven Speisediagonalenanschluß A und einen an Masse oder einer negativen Spannung liegenden Speisediagonalenanschluß B auf, die die Speisediagonale A -B einer aus vier Zweigen gebildeten Brückenschaltung bilden. Die Brückenschaltung umfaßt einen von onmscnen Widerständen πιι, R\2 gcüiiucien Widerstandszweig 10 und einen in Reihe mit diesem an der Speisediagonalen A-B liegenden, von einem Meßwiderstand Ri\ und einem relativ kleinen Festwiderstand /?22 gebildeten Meßzweig sowie die ebenfalls an der Speisediagonalen A-B liegende Reihenschaltung eines von einem weiteren ohmschen Widerstand Rv, gebildeten Widerstandszweigs 30 und eines von einem Referenzwiderstand R*\ und einem Festwiderstand R,2 gebildeten Referenzzweigs 40. Meßzweig 20 und Referenzzweig 40 sind an denselben Speisediagonalenanschluß A angeschlossen, während die beiden Widerstandszweige 10,30 an denselben Speisediagonaienanschluß B angeschlossen sind Der Verbindungspunkt des Meßzweigs 20 und des mit ihm in Reihe an der Speisediagonalen A— B liegenden Widerstandszweigs 10 bildet einen Meßdiagonalenanschluß £ Ein weiterer Meßdiagonalenanschluß F ist vom Verbindungspunkt des Referenzzweiges 40 und des mit ihm in Reihe an der Speisediagonalen A-Bliegenden Widerstandszweiges 30 gebildet Weiter weist der Melder eine Meldeschaltung auf. die aus einem Differenzverstärker mit Transistoren 71. 7ä und einem von dessen Ausgangsci<TTia| t*£ct£ii£rtpn £ΛΛΤτησρ\\&Γ mit £ΪΠ£ΓΪ! Thyristor I il The temperature detector shown in FIG. 1 has a positive feed diagonal connection A and a feed diagonal connection B connected to ground or a negative voltage, which form the feed diagonal A-B of a bridge circuit formed from four branches. The bridge circuit comprises one of individual resistors πιι, R \ 2 gcüiiucien resistance branch 10 and a series with this on the feed diagonal AB , formed by a measuring resistor Ri \ and a relatively small fixed resistor /? 22 and the also lying on the feed diagonal AB series circuit of a resistor branch of a further ohmic resistor Rv formed 30 and one of a reference resistance R * \ and a fixed resistor R, 2 reference branch formed 40th measuring arm 20 and reference arm 40 are connected to the same supply diagonal terminal a, while the two resistive branches 10,30 to same Speisediagonaienanschluß are connected B. the connection point of the measuring branch 20 and lying in series with it to the supply diagonal of a-B resistance branch 10 forms a Meßdiagonalenanschluß £ Another Meßdiagonalenanschluß F is from the connection point of the reference branch 40 and in series with it on the Speisediago Nalen AB lying resistance branch 30 is formed. Furthermore, the detector has a signaling circuit. consisting of a differential amplifier with transistors 71.7a and one of its output sci <TTia | t * £ ct £ ii £ rtpn £ ΛΛΤτησρ \\ & Γ with £ ΪΠ £ ΓΪ! Thyristor I il

besteht.
Der Meßwiderstand £21 ist ein Heißleiter, d. h. er weist einen negativen Temperatur-Widerstandskoeffizienten auf. Der Meßwiderstand Ri\ kann beispielsweise mit Hilfe eines geeigneten Wärmesammlers Änderungen der Umgebungstemperatur fast verzögerungsfrei folgen. Die Verringerung seines Widerstands folgt einer Erhöhung der Umgebungstemperatur beispielsweise mit einer Zeitkonstanten von 10 s bis 20 s. Der Referenzwiderstand Rt,\ ist ein Heißleiter von gleichem Typ wie der Meßwiderstand R₁₁. Er weist bei gleicher Eigentemperatur wie der Meßwiderstand /?2i den gleichen Widerstandswert auf. Jedoch ist der Referenz-Widerstand Rn gegenüber der Umgebung derartig thermisch isoliert, daß seine Eigentemperatur Änderungen der Umgebungstemperatur nur langsam folgt. Die entsprechende Zeitkonstante beträgt ein Mehrfaches derjenigen des Meßwiderstands /?2i, beispielsweise 100 s bis 150 s.consists.
The measuring resistor £ 21 is a thermistor, ie it has a negative temperature resistance coefficient. The measuring resistor Ri \ can, for example with the help of a suitable heat collector, follow changes in the ambient temperature almost without delay. The reduction in its resistance follows an increase in the ambient temperature, for example with a time constant of 10 s to 20 s. The reference resistor Rt, \ is a thermistor of the same type as the measuring resistor R ₁₁ . At the same intrinsic temperature as the measuring resistor /? 2i, it has the same resistance value. However, the reference resistor Rn is so thermally insulated from the environment that its own temperature only slowly follows changes in the ambient temperature. The corresponding time constant is a multiple of that of the measuring resistor /? 2i, for example 100 s to 150 s.

Der Widerstandswert rn des Meßwiderstands /?2i und der Widerstandswert fti des Referenzwiderstands R*\ haben folgenden Wert:The resistance value rn of the measuring resistor /? 2i and the resistance value fti of the reference resistor R * \ have the following values:

^r2i = ^r4i =0,12 χ exp ^r 2i = ^r 4i = 0.12 χ exp

20002000

kOhm.kOhm.

d. h. der Widerstandswert beträgt bei der normalend. H. the resistance value is at the normal

r> Umgebungstemperatur von 25°C (298° K) lOOkOhm und beim oberen Grenzwert von 100°C desjenigen Werteberei-rhs, in dem die Grenztemperatur einstellbar ist, 26 kOhm Die Widerstandswerte der übrigen Widerstandseiemente der Brückenschaltung sind inr> Ambient temperature of 25 ° C (298 ° K) 100kOhm and at the upper limit of 100 ° C of that Werteberei-rhs, in which the limit temperature can be set is, 26 kOhm The resistance values of the other resistor elements of the bridge circuit are in

in F i g. 1 angegeben. Der Widerstand Rn im Widerstandszweig 10 ist als Potentiometer ausgebildet, dessen Abgriff mit dem Verbindungspunkt dieses Potentiometers mit dem weiteren im Widerstandszweig 10 liegenden Widerstand Ru verbunden ist, so daß je nachin Fig. 1 specified. The resistor Rn in the resistor branch 10 is designed as a potentiometer, the tap of which is connected to the connection point of this potentiometer with the other resistor Ru located in the resistor branch 10, so that depending on

π der von Hand vornehmbaren Einstellung des Abgriffs das Potentiometer Rn ganz, teilweise oder gar nicht im Widerstandszweig 10 liegt. Der sich bei ganz im Widers'andszweig 10 liegendem Potentiometer Λ12 ergebende maximale Gesamt-Widerstandswert desπ the setting of the tap, which can be carried out by hand, the potentiometer Rn lies entirely, partially or not at all in the resistance branch 10. The maximum total resistance value of the resulting with the potentiometer Λ12 lying completely in the opposite direction

4n Widerstandszweigs 10 beträgt somit 68 kOhm. Der Widerstandsweri des Widerstands /?» beträgt T₃₀ = 150kOhm.4n resistor branch 10 is therefore 68 kOhm. The resistance value of the resistance /? » is T ₃₀ = 150kOhm.

uci »τ tucfäiätiuSwci i uca f caiwiuci aialiua /M2 ><nuci »τ tucfäiätiuSwci i uca f caiwiuci aialiua / M2 > <n

Reference branch 40 is rn = 47 kOhm. He lies with it

in der Größenordnung des Widerstandswerts r,\ = 26 kOhm, den der Referenzwiderstand Ra\ bei einer Eigentemperatur von 100° C aufweist. Tatsächlich ist der Widerstandswert rn des Festwiderstands Λ42 jedoch noch etwas größer als jener Widerstandswert R*\ und entspricht damit annähernd demjenigen Widerstandswert r«, den der Referenzwiderstand R*\ ir der Mitte des vorgegebenen Wertebereichs aufweist, in dem die Grenztemperatur verstellbar ist; bei der nahe der Mitte des Wertebereichs liegenden Eigentemperatür von 60° C weist der Referenzwiderstand Ä41 einen Widerstandswert r*\ = 48 kOhm auf. Der Widerstandswert rn des im Meßzweig 20 liegenden Festwiderstands R22 ist vernachlässigbar klein sowohl gegenüber dem Widerstandswert r« des Festwiderstands A₄₂ im Refercnzzweig 40 als auch gegenüber den betriebsmäßig vorkommenden Widerstandswerten r₂i des Meßwiderstands /?2i, so daß der Festwiderstand Rn für die im folgenden zu beschreibenden Funktionen außer Betracht gelassen werden kann; der Festwiderstand A₂₂ hat lediglich die Rolle, den über den Meßzweig 20 und den mit ihm in Reihe geschalteten Widerstandszweig 10 fließenden Strom und damit den Ruhestrom des Melders bei höheren Temperaturen zu begrenzen.in the order of magnitude of the resistance value r, \ = 26 kOhm, which the reference resistance Ra \ has at an intrinsic temperature of 100 ° C. In fact, the resistance value rn of the fixed resistor Λ42 is somewhat greater than the resistance value R * \ and thus corresponds approximately to the resistance value r «that the reference resistance R * \ ir has in the middle of the specified range of values in which the limit temperature can be adjusted; at the own temperature of 60 ° C, which is close to the middle of the value range, the reference resistor λ41 has a resistance value r * \ = 48 kOhm. The resistance value rn of the fixed resistor R22 located in the measuring branch 20 is negligibly small both compared to the resistance value r «of the fixed resistor A ₄₂ in the reference branch 40 and also compared to the operationally occurring resistance _{values r 2} i of the measuring resistor /? 2i, so that the fixed resistance Rn for the im the following functions to be described can be disregarded; the fixed resistor A ₂₂ only has the role of limiting the current flowing through the measuring branch 20 and the resistor branch 10 connected in series with it and thus limiting the quiescent current of the detector at higher temperatures.

Durch die Wahl der Widerstandswerte wird erreicht, daO bei gleicher Temperatur des MeQwiderstands Rn und des Referenzwiderstands /?<i das Verhältnis des maximal einstellbaren Widerstandswertes (68 kOhm) des mit dem Meßzweig 20 in Reihe geschalteten % Widerstandszweigs 10 zum Widerstandswert (bei 25°C: 104,7 kOhm) des MeDzweigs 20 geringer ist als das Verhältnis fes Widerstandswerts A₃₀(150 kOhm)des mit dem Referenüzweig 40 in Reihe geschalteten Wideritandszweigs 30 zum Widerstandswert (bei 25°C: 147 kOhm) des Referenzzweigs 40. Dieses wederum bedeutet, daß bei niedrigen Temperaturen und bei gleicher Temperatur des Meßwiderstands Rn und des Referenzwiderstands Ra\ der MeBdiagonalenanschluB E ein geringeres Potential als der MeBdiagonalenanschluB ι '> Fhat und die Meßdiagonalenspannung einen negativen Wert aufweist.By the choice of the resistance values is achieved, DAO, with the same temperature of the MeQwiderstands Rn and the reference resistor /? <I the ratio of the maximum adjustable resistance value (68 ohms) of the switched with the measuring path 20 in series% resistance branch 10 to the resistance value (at 25 ° C : 104.7 kOhm) of the MeDzweigs 20 is less than the ratio fes resistance A ₃₀ (150 ohms) of the switched with the Referenüzweig 40 in series Wideritandszweigs 30 to the resistance value (at 25 ° C: 147 kOhm) of the reference branch 40. This wederum means that at low temperatures and at the same temperature of the measuring resistor Rn and the reference resistor Ra \ the measuring diagonal connection E has a lower potential than the measuring diagonal connection ι '> F and the measuring diagonal voltage has a negative value.

Der Verlauf der Potentialdifferenz Ueb zwischen dem Meßdiagonalenanschluß E und dem Speisediagonalen anschluB B bei einer mittleren Stellung des Potentiometers R\7 ist in F i g. 2 dargestellt. Es ist erkennbar, daß die Potentialdifferenz Ueb im Bereich zwischen 0"C und 80"C einen annähernd linearen Verlauf aufweist. Weiter ist in F i g. 2 die Potentialdifferenz Un zwischen dem MeBdiagonalenanschluB F und dem Speisediagonalen- is anschluB B in Abhängigkeit von der Temperatur I dargestellt Die Potentialdifferenz Ufb ist bei niedrigen Temperaturen größer als die Potentialdifferenz Ueb. Die Kurve Ufb verläuft jedoch mit einer relativ starken Krümmung, so daß sie bereits bei 80°C annähernd einen Sättigungr-"ert erreicht hat, der sich aufgrund der Wirkung des Festwiderstands Λ42 im Meßzweig 40 ergibt Hierdurch schneiden sich die Kurven Ufb· Ueb annähernd bei 80°C, d. h. die Meßdiagonalenspannung wird zu Null. Annähernd hierbei erfolgt mittels der r. Meldeschaltung die Erzeugung eines Meldesignals. Tatsächlich erfordert die noch zu beschreibende Meldeschaltung eine geringe positive Meßdiagonalenspannung zum Ansprechen, so daß im betrachteten Fall die Erzeugung des Meldesignals genau bei 80° C erfolgt.The course of the potential difference Ueb between the measuring diagonal connection E and the feed diagonal connection B when the potentiometer R 7 is in the middle is shown in FIG. 2 shown. It can be seen that the potential difference Ueb in the range between 0 "C and 80" C has an approximately linear profile. Further in FIG. 2 shown the potential difference Un between the MeBdiagonalenanschluB F and the Speisediagonalen- is anschluB B as a function of temperature I The potential difference Ufb is greater than the potential difference Ueb at low temperatures. However, the curve Ufb extends with a relatively large curvature, so that they are approximately even at 80 ° C "has reached ert a Sättigungr-, which is due to the effect of the fixed resistor Λ42 in the measuring branch 40 In this way the curves Ufb · Ueb cut approximately at 80 ° C, ie the measuring diagonal voltage becomes zero. In this case, a message signal is generated by means of the r ° C takes place.

Durch eine Verstellung des Potentiometers Rn gegenüber seiner mittleren Stellung nach entgegengesetzten Richtungen wird erreicht, daß die Kotemiaiditierenz am Meßdiagonalenanschluß E entsprechend der Kurve U_EB bzw. U_Et verläuft Diese schneiden die bBy adjusting the potentiometer Rn with respect to its middle position in opposite directions it is achieved that the Kotemiaiditierenz at the measuring diagonal connection E runs according to the curve U _EB or U _Et . These intersect the b

Kurve i/fsbei einer niedrigeren bzw. bei einer höheren Temperatur, so daß durch Verstellung des Potentiometers Rn die Grenztemperatur eingestellt werden kann, bei der die Meldeschaltung ansprichtCurve i / fs at a lower or at a higher temperature, so that the limit temperature at which the signaling circuit responds can be set by adjusting the potentiometer Rn

Bei einem schnellen Anstieg der Umgebungstempera- so tür folgt dieser praktisch nur der Meßwiderstand Rn. Daher erhöht sich die Potentialdifferenz Ueb entsprechend der Kurve der F i g. 2, während die Potentialdifferenz Ufb annähernd konstant bleibt Ist sowohl der Temperaturgradient als auch die Dauer seines Einwirkens und damit der auftretende Temperatursprung groß genug, so wird wieder die Meßdiagonalenspannung zu Null oder geringfügig positiv, so daB ein Meldesignal erzeugt wird. Wie groß der zu einem Meldesignal führende Temperaturgradient sein muß, kann durch die Stärke der thermischen Isolierung des Referenzwiderstands A21 und damit seiner Zeitkonstanten bestimmt werden. Diese soll mindestens dreifach so groß wie diejenige des Meßwiderstands R₂\ sein. Vorzugsweise erfolgt eine Auslegung derart, daß der Melder dann anspricht, wenn der Temperaturgradient mindestens 5 grd/min beträgtIn the event of a rapid rise in the ambient temperature, this practically only follows the measuring resistor Rn. Therefore, the potential difference Ueb increases in accordance with the curve in FIG. 2, while the potential difference Ufb remains approximately constant.If both the temperature gradient and the duration of its action and thus the temperature jump that occur are large enough, the measurement diagonal voltage becomes zero or slightly positive again, so that a message signal is generated. How large the temperature gradient leading to a message signal must be can be determined by the strength of the thermal insulation of the reference resistor A21 and thus its time constants. This should be at least three times as large as that of the measuring resistor R ₂ \ . It is preferably designed in such a way that the detector responds when the temperature gradient is at least 5 degrees / min

As shown in FIG. 2 recognizable leads to an adjustment of the

Potentiometers Rn im wesentlichen zu einer Parallelverschiebung der Kurve Ueb. so daß diese in die Kurve U'fg bzw. U_Ft übergeht Diese Verschiebung hat zur Folge, daß die jeweils eingestellte Grenztemperatur, bei der ein Meldesignal erzeugt wird, mit guter Annäherung linear proportional zur Verstellung des Potentiometers R_n veränderlich ist Zweckmäßig wird der Verstellbereich des Potentiometers Ru auf einen Wertebereich begrenzt der die in der Praxis erforderlichen Ansprechtemperaturen umfaßt und in dem die erwähnte Linearität verwirklicht ist Der obere Grenzwert des Wertebereichs kann, wie bereits erwähnt, bei 100° C liegen, während der untere Grenzwert beispielsweise 60°C betragen kann. Erforderlichenfalls kann der Verstellbereich des Potentiometers Rn durch nicht gezeigte mechanische Anschläge begrenzt werden, oder der Widerstandswert r₎₂ des Potentiometers Rn kann gegenüber dem dargestellten Fall zur Einschränkung des Wertebereichs verringert werrlpn. wnhpi rlann für den Widerstandswert λι des Festwiderstands Ru ein entsprechend höherer Wert gewählt wird, so daß der maximale Gesamtwiderstand des Widerstandszweigs 10 konstant bleibtPotentiometer Rn essentially leads to a parallel shift of the curve Ueb. so that this merges into the curve U'fg or U _Ft. This shift has the consequence that the respective set limit temperature at which a message signal is generated is linearly proportional to the adjustment of the potentiometer R _n . The adjustment range is useful of the potentiometer Ru is limited to a range of values which includes the response temperatures required in practice and in which the mentioned linearity is achieved.The upper limit of the range of values can, as already mentioned, be 100 ° C, while the lower limit can be 60 ° C, for example . If necessary, the adjustment range of the potentiometer Rn can be limited by mechanical stops, not shown, or the resistance value r _{) 2 of} the potentiometer Rn can be reduced compared to the case shown to limit the value range. If a correspondingly higher value is selected for the resistance value λι of the fixed resistor Ru , so that the maximum total resistance of the resistance branch 10 remains constant

Weiter ist es zweckmäßig, wenn wie beim Ausführungsbeispiel die Widerstandsproportionen zwischen dem Referenzzweig 40 und dem mit ihm in Reihe geschalteten Widerstandszweig 30 so gewählt werden, daß bei normaler Umgebungstemperatur, beispielsweise von 25° C, die Potentialdifferenz Ufb zwischen dem MeBdiagonalenanschluB Fund dem Speisediagonalenanschluß ßdie Hälfte der an der Speisediagonalen A-B liegenden Speisespannung von im Ausführungsbeispiel 12 V beträgt Es hat sich gezeigt daß hierbei eine günstige Leistungsbemessung des Melders einschließlich der Meldeschaltung möglich ist. It is also useful if, as in the exemplary embodiment, the resistance proportions between the reference branch 40 and the resistance branch 30 connected in series with it are selected so that at normal ambient temperature, for example of 25 ° C, the potential difference Ufb between the measuring diagonal connection and the supply diagonal connection is half the supply voltage lying on the supply diagonal AB is 12 V in the exemplary embodiment. It has been shown that a favorable performance rating of the detector including the signaling circuit is possible here.

Der Differenzverstärker der Meldeschaltung weist grundsätzlich zwei Transistorschaltungen gleicher Art auf, die im Ausführungsbeispiel von jeweils einem pnp-Transistor 71, 7} gebildet sind. Deren Emitter sind miteinander und mit einem AnschluB eines Emitterwiderstands 50 verbunden, der aus der Reihenschaltung eines Festwiderstands Rsi und eines Potentiometers R52 besteht und dessen den transistoren /1, /2 abgewandter Anschluß mit dem Speisediagonalenanschluß A verbunden ist Die Basen der Transistoren T,, T₂ oder bei mehrstufiger Ausführung die Steueranschlüsse der Transistorschaltungen sind als Signaleingänge des Differenzverstärkers an jeweils einen der beiden Meßdiagonalenanschlüsse E, F angeschlossen. Der so über den MeBdiagonalenanschluB F mit dem Referenzzweig 40 verbundene Transistor T₂ ist kollektorseitig in bei Diff;renzverstärkern üblicher Weise über einen Lastwiderstand Rf, mit demjenigen Speisediagonalenanschluß B verbunden, der dem mit dem Emitterwiderstand 50 verbundenen Speisediagonalenanschluß A gegenüberliegt, während der mit seiner Basis über den MeBdiagonalenanschluB E mit dem Meßzweig 20 verbundene Transistor Γι kollektorseitig ohne Zwischenschaltung eines Widerstands unmittelbar an dem Speisediagonalenanschluß fliegt, an den der Lastwiderstand Rf, angeschlossen istThe differential amplifier of the signaling circuit basically has two transistor circuits of the same type, which in the exemplary embodiment are each formed by a pnp transistor 71, 7}. Their emitters are connected to one another and to one terminal of an emitter resistor 50, which consists of the series connection of a fixed resistor Rsi and a potentiometer R52 and whose terminal facing away from the transistors / 1, / 2 is connected to the supply diagonal terminal A. The bases of the transistors T ,, T ₂ or, in the case of a multi-stage design, the control connections of the transistor circuits are connected as signal inputs of the differential amplifier to one of the two measuring diagonal connections E, F in each case. The transistor T _{2, which} is connected to the reference branch 40 via the measuring diagonal connection F, is connected on the collector side, in the manner customary in differential amplifiers, via a load resistor Rf, to that supply diagonal connection B which is opposite the supply diagonal connection A connected to the emitter resistor 50, while the one with its base Via the MeBdiagonalenanschluB E with the measuring branch 20 connected transistor Γι on the collector side without the interposition of a resistor flies directly to the feed diagonal connection to which the load resistor Rf is connected

Im Ruhezustand ist der Transistor T\ von der negativen Meßdiagonalenspannung leitend gehalten, und der Transistor T₂ ist nichtleitend, so daB kein Strom über den Lastwiderstand Re fließt Wird beim Erreichen des eingestellten Wertes der Grenztemperatur oder eines damit vorgegebenen Wertes der zeitlichen Zunahme der Umgebungstemperatur die an derIn the idle state, the transistor T \ is kept conductive by the negative measurement diagonal voltage, and the transistor T ₂ is non-conductive, so that no current flows through the load resistor Re at the

Meßdiagonalen F-f auftretende Meßspannung zu Null ©der schwach positiv, so wird der Transistor T_x nichtleitend und statt dessen der Transistor T₂ leitend. Der dann Ober den Transistor T₂ fließende Strom läßt •m Lastwiderstand Rt eine genügende Spannung abfallen, um hierdurch in noch zu beschreibender Weise den Thyristor Th zu zünden, wodurch über diesen ein gegenüber dem Ruhestrom des Melders von beispielsweise 240 uA wesentlich größerer Strom von beispielsweise 25 mA fließt, der als Meldesignal dient Hierdurch kann über eine an die Speisediagonale A-B angeschlossene zweiadrige Speiseleitung einerseits von einer entfernten Signalzentrale die Speisespannung zugeführt ■nd andererseits das Meldesignal zu dieser Signalzen-Irale übertragen werden. Weiter ist es bei der Bauart des Melders möglich, eine Vielzahl von gleichartigen Meldern parallel zueinander an die zur Signalzentrale tohrende Speiseleitung anzuschließen.Measurement voltage occurring at measurement diagonals Ff to zero © the weakly positive, the transistor T _x becomes non-conductive and instead the transistor T ₂ becomes conductive. The current then flowing through the transistor T ₂ causes the load resistance Rt to drop a sufficient voltage to ignite the thyristor Th in a manner yet to be described 25 mA flows, which serves as a signaling signal. This means that the supply voltage can be supplied from a remote signal center via a two-wire feed line connected to the supply diagonal AB and the signaling signal can be transmitted to this signal center on the other hand. With the design of the detector it is also possible to connect a large number of detectors of the same type in parallel to the feed line running to the signal center.

Im Ruhezustand bildet der Transistor 7) mit dem Emitterwiderstand SO einen Emitterfolger, bei dem eine Änderung der Eingangsspannung, der Potentialdifferenz Ueb, zu einer betragsmäßig gleich großen Änderung der Ausgangsspannung, der am Emitterwiderstand 50 abfallenden Spannung, führt. Nun entspricht jedoch eine Zunahme der Eingangsspannung einer bei höheren Temperaturen auftretende Zunahme des den Meßzweig 20 durchfließenden Stromes, Während eine Erhöhung der Ausgangsspannung einer Abnahme des den Emitterwiderstand 50 durchfließenden Stromes entspricht Daher kann dieses Verhalten dazu ausgenutzt werden, durch Änderungen des den tmitterwiderstand 50 durchfließenden Stromes die auf Temperaturänderungen beruhende Stromänderung im Meßzweig 20 und auch die gleichartige Stromänderung kn Referenzzweig 40 so zu kompensieren, daß im Ruhezustand ein temperatuninabhängig konstanter Ruhestrom erreicht wird. Es läßt sich zeigen, daß hierzu folgende Bedingung erfüllt sein mußIn the idle state, the transistor 7) forms an emitter follower with the emitter resistor SO, in which a change in the input voltage, the potential difference Ueb, leads to a change in the output voltage of the same magnitude, the voltage drop across the emitter resistor 50. Now, however, an increase in the input voltage corresponds to an increase in the current flowing through the measuring branch 20, which occurs at higher temperatures, while an increase in the output voltage corresponds to a decrease in the current flowing through the emitter resistor 50.Therefore, this behavior can be used by changing the current flowing through the transmitter resistor 50 to compensate the current change based on temperature changes in the measuring branch 20 and also the similar current change kn reference branch 40 so that in the idle state a constant quiescent current is achieved regardless of temperature. It can be shown that the following condition must be met for this

SO, no der Widerstandswert des mit dem Meßzweig 20 in Reihe geschalteten Widerstandszweigs 10 und k das Verhältnis des den Meßzweig 20 durchfließenden Stromes zu dem den Referenzzweig 40 durchfließenden Strom im Ruhezustand, d h. unterhalb der eingestellten Crenztemperatur und unterhalb der vorgegebenen, zu einem Meldesignal führenden Temperaturanstiegsge-■chwindigkeit, ist Mittels des Potentiometers A₅₂, dessen Abgriff mit den Emittern der Transistoren T,, T₂ verbunden ist, läßt sich der Widerstandswert r_M des Emitterwiderstands 50 dem jeweiligen Widerstandswert Γ» des Widerstandszweigs 10 anpassen. Eine Vergrößerung des Widerstandswerts r,₀ erfordert eine prozentual gleich große Veränderung des Widerstandswerts Rso. wozu die Potentiometer Rn, R& mechanisch gekoppelt sein können.SO, no is the resistance value of the resistance branch 10 connected in series with the measuring branch 20 and k is the ratio of the current flowing through the measuring branch 20 to the current flowing through the reference branch 40 in the idle state, i.e. below the set Crenztemperatur and below the predetermined, leading to a report signal Temperaturanstiegsge- ■ chwindigkeit, agent is of the potentiometer A _52, whose tap is connected to the emitters of the transistors T ,, T _2, the resistance value can r _M of the emitter resistor 50 to the Adjust the respective resistance value Γ »of the resistance branch 10. An increase in the resistance value r, ₀ requires an equal percentage change in the resistance value Rso. for which the potentiometers Rn, R & can be mechanically coupled.

Um den Basisstrom des im Ruhezustand leitenden Transistors T, zu begrenzen, ist zwischen dessen Basis und den Meßdiagonalenanschloß E ein Basisstrombes iderstand R₇ geschaltet Bekanntlich wird hierdurch bei einem Emitterfolger die Spannungsverstärkung praktisch nicht verändert, so daB auch der FinfhiB dieses Widerstands Rj auf die Bemessung des Emitterwiderstands 50 ohne nennenswerten EiefhiB istIn order to limit the base current of the transistor T, which is conductive in the quiescent state, a base current resistor R _{7 is} connected between its base and the measuring diagonal connection E. As is well known, this practically does not change the voltage gain in an emitter follower, so that the impact of this resistor Rj on the measurement of the emitter resistor 50 is without significant change

In order to switch on the supply voltage of the

Melders einen Undefinierten Signalzustand zu vermeiden, ist zwischen dem den Transistoren Tu Ti zugewandten Anschluß des Emitterwiderstands 50 und den Meßdiagonalenanschluß F, also parallel zur Basis-Emitter-Strecke des Transistors T₂, ein Kondensator G geschaltet der beim Auftreten der Speisespannung zunächst den Transistor Ti nichtleitend hält, bis Transistor T, leitet. Diese Maßnahme ist besonders dann wichtig, wenn eine Vielzahl von gleichartigen MeldernTo avoid an undefined signal state of the detector, a capacitor G is connected between the connection of the emitter resistor 50 facing the transistors Tu Ti and the measuring diagonal connection F, i.e. parallel to the base-emitter path of the transistor T ₂ , which initially connects the transistor Ti when the supply voltage occurs Holds non-conductive until transistor T, conducts. This measure is particularly important when there are a large number of similar detectors

ίο parallel zueinander an eine Speiseleitung und über diese an eine Signalzentrale angeschlossen ist, im Falle der Feststellung einer Stromerhöhung als Melde&ignal in der Signalzentrale die Speisespannung kurzzeitig unterbrochen wird und erst nach mehreren derartigenίο parallel to each other to a feed line and via this is connected to a signal center, in the event of a current increase being detected as a signal in the signal center the supply voltage is briefly interrupted and only after several such

η Unterbrechungen und jeweils erneut festgestellten Meldesignalen in der Signalzentrale ein Alarmsignal erzeugt wird. Da nämlich bei einem derartigen Verfahren eine Ein- und Ausschaltung der Speisespannung in schneller Folge erfolgt, muß sichergestellt sein.η interruptions and re-established in each case Signal signals in the signal center an alarm signal is generated. Because with such a If the supply voltage is switched on and off in quick succession, it must be ensured.

>o daß keine der Einschaltungen zu einem fälschlichen Meldesignal führt> o that none of the switchings lead to a false one Message signal leads

Während im dargestellten Ausführungsbeispiel der Differenzverstärker von zwei Transistoren 71, 7} gleichen Typs gebildet ist ist es in an sich vonWhile in the illustrated embodiment the differential amplifier of two transistors 71, 7} of the same type it is in itself of

2ί Differenzverstärkern bekannter Weise ebenfalls möglich, an deren Stelle auch mehrstufige Transistorschaltungen vorzusehen, insbesondere Darlington- oder Komplementär-Darlington-Schaltungen, und anstelle der dargestellten bipolaren Transistoren ist auch die2ί differential amplifiers are also possible in a known manner, instead of providing multi-stage transistor circuits, in particular Darlington or Complementary Darlington circuits, and instead of the bipolar transistors shown is also the

w Verwendung von Feldeffekttransistoren — bei mehrstufigen Transistorschaltungen vorzugsweise in der Eingangsstufe — möglich.w Use of field effect transistors - with multi-stage Transistor circuits preferably in the input stage - possible.

Der im Meldefall leitend gemachte Thyristor 77» ist in Reihe geschaltet mit einem Widerstand R₉, derThe thyristor "77", which is made conductive in the event of a report, is connected in series with a resistor R ₉ , which

<5 seinerseits am Speisediagonalenanschluß A liegt sowie mit einer Diode D, vorzugsweise einer Leuchtdiode, die in Durchlaßrichtung gepolt ist und mit ihrer Katode am Speisediagonalenanschluß B liegt Die Ansteuerung des Thyristors 77) durch die im Meldefall am Lastwiderstand R₆ abfallende Spannung erfolgt über zwei Transistorstufen Ti, 74, die beide im Ruhezustand nichtleitend sind. Der Kollektor des npn-Transistors T₃ ist t,oer einen<5, in turn, is located at the feed diagonal terminal A and to a diode D, preferably a light emitting diode which is poled in the forward direction and with its cathode to the supply diagonal terminal B is The triggering of the thyristor 77) in the event of a signal at the load resistor R ₆ falling voltage is performed by the two transistor stages Ti, 74, both of which are non-conductive at rest. The collector of the npn transistor T ₃ is t, oer one

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TV IUCl autltu Π9 lim UUII r Cl isniuungapuiifVi »vmi ti niki stand fig und Thyristor Th angeschlossen, während derTV IUCl autltu Π9 lim UUII r Cl isniuungapuiifVi »vmi ti niki stand fig and connected thyristor Th , during the

■ti npn-Transistor 7i kollektorseitig an denselben Schaltungspunkt unmittelbar angeschlossen ist Der Emitter des Transistors Tj ist über einen Widerstand Rso, derjenige des Transistors 7} über einen Widerstand R_it mit dem negativen Speisediagonalenanschluß B verbun-■ ti npn transistor 7i is directly connected to the same circuit point on the collector side. The emitter of the transistor Tj is connected to the negative supply diagonal connection B via a resistor Rso, that of the transistor 7} via a resistor R _it

% den. Die Steuerelektrode des Thyristors Th ist mit dem Verbindungspunkt des Emitters des Transistors 7} und des Widerstands Ä₅i verbunden, und dem Widerstand Rn liegt ein Kondensator Ci parallel. Der Kondensator Ci hat die Aufgabe, im Falle eines kurzzeitigen, auf Störungsursachen beruhenden Leitendwerdens des Transistors 7i eine Zündung des Thyristors Th zu verhindern. Die Diode D bedingt, daß der Thyristor Th erst bei einem genügend hohen Wert seiner Steuerspannung zünden kann.% the. The control electrode of the thyristor Th is connected to the junction of the emitter of the transistor 7} and the resistor Ä ₅ i, and a capacitor Ci is parallel to the resistor Rn. The task of the capacitor Ci is to prevent the thyristor Th from being triggered in the event of the transistor 7i becoming conductive for a short time due to the cause of a fault. The diode D means that the thyristor Th can only ignite at a sufficiently high value of its control voltage.

Der Widerstand R₅₁ ist so niederohmig, daB Leckströme, insbesondere Ladeströme des Thyristors Th, im nicht gezündeten Zustand auf diesem Wege abfließen können, während ein Abfluß der Leckströme über die Hauptstromstrecke und die Diode D verhindert wird, da hierbei deren Vorwärtsspannung überwunden werden müßte. Da diese Vorwärtsspannung bei T ffK*ffi"<fcn einen besonders hohen Wert hat, sind diese, wie bereits erwähnt, vorzuziehen.The resistor R ₅₁ has such a low resistance that leakage currents, especially charging currents of the thyristor Th, can flow away in this way in the non-ignited state, while the leakage currents via the main current path and the diode D are prevented, since their forward voltage would have to be overcome. Since this forward voltage has a particularly high value at T ffK * ffi "<fcn, these are to be preferred, as already mentioned.

Dadurch, daß ein Abfluß der Leckströme über die Hauptstromstrecke im Ruhezustand verhindert wird, können die·:*! den Thyristor Th nicht aufsteuern, d. h. 2u frühzeitig zünden. Da Leckströme des Thyristors Th vor •Hern bei höheren Temperaturen auftreten, densn der Thyristor Th gerade bei einem Temperaturmelder ausgesetzt sein kann, wird somit zusammen mit dem Schwellwertverhalten des Differenzverstärkers der Meldeschaltung erreicht, daß das Meidesignal unabhängig vom Einfluß von Störgrößen genau bei der eingestellten Grenztemperatur bzw. bei der vorgegebenen Temperaturanstiegsgeschwindigkeit erzeugt wird und daß im Bereich unterhalb dieser vorgegebenen Größen etwaige Störgrößen keine fälschliche Meldung auslösen können.The fact that leakage currents are prevented from flowing out via the main flow path in the idle state means that the ·: *! Do not open the thyristor Th , ie ignite 2u early. Since leakage currents of the thyristor Th before • Hern occur at higher temperatures, because the thyristor Th can be exposed to a temperature detector, this, together with the threshold value behavior of the differential amplifier of the signaling circuit, ensures that the avoidance signal, regardless of the influence of disturbance variables, is exactly at the set limit temperature or is generated at the predetermined rate of temperature rise and that any disturbance variables in the area below these predetermined values cannot trigger a false message.

Eine weitere günstige Maßnahme, den Einfluß von Leckströmen des Thyristors 77? so gering wie möglich zu halten, besteht darin, einen möglichst kleinflächigen Thyristortyp zu verwenden.Another favorable measure, the influence of leakage currents of the thyristor 77? as low as possible to keep is to use the smallest possible thyristor type.

Eine gegenüber dem dargestellten Ausführungsbeispiel abgewandelte Ansteuerung des Thyris'ors Th ist auch über eine Darlington- oder eine andere Transistorschaltung möglich, jedoch sollte diese stets im Ruhezustand keinen Strom verbrauchen, um auch insofern eine Beeinflussung des Ruhestroms durch Temperatureinflüsse unmöglich zu machen.A modified control of the thyristor Th compared to the illustrated embodiment is also possible via a Darlington circuit or another transistor circuit, but this should always not consume any current in the idle state in order to make it impossible to influence the quiescent current through temperature influences.

Die gesamte Schaltung des Melders wird zweckmäßig auf einer als Steckkarte ausgebildeten Schaltungsplatine untergebracht. Der Meßwiderstand Λ41 kann zur Erzielung seiner großen Zeitkoii&tanten thermisch mit der Leiterplatte gekoppelt sein. Zweckmäßig wird der Meßwiderstand Λ41, wie im Schaltbild durch Klemmen Kt, K₂ angedeutet, lösbar befestigt Hierdurch ist es möglich, anstelle des Meßwiderstands fcn einen Festwiderstand einzufügen, und mit dieser einfachen Schaltungsmaßnahme kann der Melder bei Bedarf in einen reinen Grenztemperaturmelder umgewandelt werden. Es ist so auch möglich, mittels derselben Schaltungsplatine je nach Anforderungen einen Temperaturmelder nach der Erfindung oder einen Grenztemperaturmelder herzustellen.The entire circuit of the detector is expediently accommodated on a circuit board designed as a plug-in card. The measuring resistor 41 can be thermally coupled to the circuit board to achieve its large time coils. Expediently, the measuring resistor Λ41, as indicated in the circuit diagram by terminals Kt, K ₂ , is detachably attached. It is thus also possible to produce a temperature detector according to the invention or a limit temperature detector by means of the same circuit board, depending on the requirements.

The response behavior of the temperature detector

gluten* 1 1 5. 1 tat tu ι ι g. j uciii j-iiiapi cuiivcf Italien voll Grenztemperaturmeldern gegenübergestellt. Das Schaubild zeigt zunächst durch den Koordinatenuriprung verlaufende Geraden St, S3. S₅, S₁₀, Sm, Sbc die den Verlauf der Übertemperatur in Abhängigkeit von der Zeit für verschiedene, an der jeweiligen Geraden angegebene Temperaturänderungsgeschwindigkeiten angibt; die Übertemperatur ist die Differenz zwischen der tatsächlichen Temperatur und der normalen Umgebungstemperatur von 25°C. Die Kurve Sstellt das Ansprechen des Temperaturmelders gemäß Γ ig. 1 dar. Die Schnittpunkte der Kurve S mit den Geraden Si, S₃, S5 usw. geben an, zu welcher Zeit nach Beginn einer stetigen Temperaturänderung mit der jeweiligen Änderungsgeschwindigkeit die Erzeugung des Meldesignals erfolgt. So erfolgt beispielsweise bei einer gleichbleibenden Anderungsgeschwindigkeit der Umgebungstemperatur von lOgrd/min die Erzeugung des Meldesignals nach 3,8 min, wobei dann die Übertemperatur 38 grdgluten * 1 1 5. 1 tat tu ι ι g. j uciii j-iiiapi cuiivcf Italy fully juxtaposed with limit temperature detectors. The diagram initially shows straight lines St, S3 running through the coordinate system. S ₅ , S ₁₀ , Sm, Sbc which indicates the course of the overtemperature as a function of time for different rates of temperature change indicated on the respective straight line; the overtemperature is the difference between the actual temperature and the normal ambient temperature of 25 ° C. The curve S represents the response of the temperature detector according to ig. 1. The points of intersection of the curve S with the straight lines Si, S ₃ , S5 etc. indicate the time at which the reporting signal is generated after the start of a constant temperature change with the respective rate of change. For example, if the rate of change in the ambient temperature remains constant at 10 degrees / min, the message signal is generated after 3.8 minutes, with the excess temperature then being 38 degrees

π beträgt was einer tatsächlichen Temperatur von 63⁰C entspricht. Wie die Schnittpunkte der Kurve S mit den Geraden Si, S3, S? jedoch zeigen, hängt bei Änderungsgeschwindigkeiten unterhalb von 5 grd/min die beim Ansprechen erreichte Übertemperatur nicht mehr von der Anderungsgeschwindigkeit ab, sondern ist mit guter Annäherung konstant. Diese Übertemperatur — im dargestellten Fall 50 grd — entspricht der eingestellten Grenztemperatur,die hier 75⁰C beträgt.π is what corresponds to an actual temperature of 63 ⁰ C. What are the points of intersection of the curve S with the straight lines Si, S3, S? However, at rates of change below 5 degrees / min, the overtemperature reached during response no longer depends on the rate of change, but is constant to a good approximation. This excess temperature - 50 degrees in the illustrated case - corresponds to the set limit temperature, which is 75 ^° C. here.

The curve S became dei with a flow

Umgebungsluft mit einer Geschwindigkeit von 0,8 bis 1,0 m/s aufgenommen. Dies gilt auch für die weiteren Kurven S', S", S'", die das Ansprechverhalten von Grenztemperaturmeldern darstellen. Die Kurve S' gilt für einen Meider, dessen Meßwiderstand ÄnderungenAmbient air taken in at a speed of 0.8 to 1.0 m / s. This also applies to the other curves S ', S ", S'", which represent the response behavior of limit temperature detectors. The curve S ' applies to a Meider whose measuring resistor changes

to der Umgebungstemperatur mit einer Zeitkonstanten von 20 s folgt und der so ausgelegt ist, daß er bei einer Grenztemperatur von 62°C anspricht. Die Kurve S"gilt für einen Grenztemperaturmelder mit einer Zeitkonstanten von 40 s und einer Ansprechtemperatur vonto follows the ambient temperature with a time constant of 20 s and which is designed in such a way that it occurs at a Limit temperature of 62 ° C responds. The curve S "applies to a limit temperature detector with a time constant of 40 s and a response temperature of

η 70⁰C. Die Kurve S'" gilt für einen Melder mit einer Zeitkonstanten von 60 s und einer Ansprechtemperatur von 78°C. Bei allen Kurven S', S", S'"ist ersichtlich, daß durch die Zeitkonstante des Meßwiderstands bei hohen Änderungsgeschwindigkeiten der Umgebungstemperatür eine merkliche Verzögerung auftritt, so daß das Ansprechen erst bei wesentlich höheren Temperaturen als bei der vorgegebenen Grenztemperatur erfolgt.η 70 ⁰ C. The curve S '" applies to a detector with a time constant of 60 s and a response temperature of 78 ° C. In all curves S', S", S '"it can be seen that the time constant of the measuring resistor at A noticeable delay occurs at high rates of change in the ambient temperature, so that the response only takes place at significantly higher temperatures than at the predetermined limit temperature.

u/agcgcu lsi uci uciii 1 cinpci aiui niciuci ti<n.n r ι g. ΐ uic Ansprechtemperatur um so niedriger, je höh'- die Temperaturänderungsgeschwindigkeit ist, sofern die Temperaturänderungsgeschwindigkeit oberhalb der Schwelle von 5 grd/min liegt.u / agcgcu lsi uci uciii 1 cinpci aiui niciuci ti <n.n r ι g. ΐ uic Response temperature, the lower the higher the rate of temperature change, provided that the The rate of temperature change is above the threshold of 5 degrees / min.

For this 2 sheets of drawings

Claims

Patent claims:

1. Temperature detector with an electrical bridge circuit with supply and measuring diagonal and with a signaling circuit connected to the measuring diagonal connections, which generates a signal when a predetermined threshold value of the measuring diagonal voltage is reached, a measuring resistor with a negative temperature resistance coefficient being switched on in a measuring branch of the bridge circuit, in a reference branch of the bridge circuit connected to the same feed diagonal connection as the measuring branch a thermally isolated reference resistor with the measuring resistor having the same temperature resistance coefficient and an ohmic resistor in series with this, the measuring branch and the reference branch each in series with a rhmian resistance branch on the peisediagon < and the connection points of the measuring branch and the reference branch with the respective resistance branch form the measuring diagonal connections, characterized in that, for additional production When a message signal is generated at a limit temperature that can be set within a specified range of values, the ohmic resistance (Ti ₄₂ ) in the reference branch (40) is a fixed resistance whose resistance value is at least as large as the resistance value of the reference resistance (A ₄ 1) in the upper limit value of the predetermined range of values that the resistance branch (10) in series with dtm MeL / weig (20) has an adjustable resistance (R ₁₂ ) and c i3 the threshold value of the _{signaling circuit (Ti to T 4} , Th) is at least approximately zero .

2. Temperature detector according to claim 1, characterized in that the resistance value of the ohmic resistor (Ra ₂ ) in the reference branch (40) is approximately as large as that resistance value that the reference resistor (Ra \) in the middle read has a predetermined range of values

3. Temperature detector according to claim 1 or 2, characterized in that at the same temperature of the measuring resistor (Rn) and the reference resistor (Ra \) the ratio of the maximum adjustable resistance value of the resistor branch (10) connected in series with the measuring branch (20) to the resistance value of the measuring branch ™ (20) is less than the ratio of the resistance value of the resistance branch (30) connected in series with the reference branch (40) to the resistance value of the reference branch (40).

4. Temperature detector according to one of the preceding-He: i claims, characterized in that the thermal insulation of the reference resistor (R _t \) Io is chosen to be strong, that the time constant with which the reference resistor (R ₂₁ ) follows changes in the ambient temperature, at least three times ho and preferably 10 to 1 times greater than the time constant with which the measuring resistor (R ₂₁ ) follows changes in the ambient temperature.

5. Temperature detector according to claim 4, characterized in that the thermal insulation of the μ measuring resistor (R * \) is chosen so strong that below the set maximum temperature a message signal can only be generated at rates of change in the ambient temperature above 5 degrees / min

6. Temperature detector according to one of the preceding claims, characterized in that the signaling circuit (T \ to Ta, Th) has on the input side a differential amplifier (T _x , T ₁ ) connected with its two signal inputs to the measuring diagonal connections (E, F)

7. Temperature detector according to claim 6, characterized in that the differential amplifier has two similar, at least one-stage transistor circuits (Tu T {), the control connections of which form the signal inputs, and one of the transistor circuits (Tu T ₂ ) common emitter resistor (50) that with the its control connection to the transistor circuit (T ₂ ) connected to the measuring diagonal connection (F ) formed by the connection point of the reference branch (40) and the resistance branch (30) connected in series with it, a load resistor (Rb) is connected in series on the collector side so that the series connection of the emitter resistor (50 ), The main current path of the transistor circuit (T ₂ ) connected to the load resistor (Ri) and the load resistor (R >>) is connected to the feed diagonal (A - B) that the control connection to the connection point of the measuring branch (20) and the with connected to him in series connected resistance branch (10) formed measuring diagonal connection (E) ne transistor circuit (T ₁ ) on the collector side is directly connected to the feed diagonal connection (B) connected to the load resistor (R ₆ ) and that the voltage dropping across the load resistor (Rb) serves as a message signal or triggers the message signal.

8. Temperature detector according to claim 7, characterized in that the resistance value of the emitter resistor (50) is at least approximately (l + fc> times less than the resistance value of the in series with the measuring branch (20) on the feed diagonal (A - B)) lying resistance branch (10), where k is the ratio of the current flowing through the measuring branch (20) to the current flowing through the reference branch (40) when the threshold value of the signaling circuit (Ti to Ta, Th) \ sL has not yet been reached

9. Detector according to one of the preceding claims, characterized in that the signaling circuit has an alarm device (Tx Ta, Th) which is non-conductive in the idle state and more conductive in the reporting case and which emits the alarm signal and which is connected in parallel to the feed diagonals (A - B).

10. Detector according to claim 9, characterized in that the alarm device is the series connection of a resistor (Rt), a thyristor (Th) and a between the thyristor (Th) and a diagonal feeder connection (B) lying in the forward direction polarized diode (D), preferably a light emitting diode.

11. Detector according to claim 7 and 10, characterized in that the control voltage of the thyristor (Th) can be generated depending on the presence of the voltage drop across the load resistor (Rb).

12. Detector according to claim 10 or 11, characterized in that the control connection of the thyristor (Th) is a non-conductive in the idle state

Transistor circuit (T * 7ί) is connected upstream

13. Detector according to one of claims 10 to 12, characterized in that the control electrode of the Tliyristors (Th) above a low-ohmic resistance (R \) is connected to the thyristor (Th) remote terminal (B) of the diode (DJ

14. Detector according to one ¹ of claims 10 to 13, characterized in that the control electrode of the thyristor (Th) with ι ο the terminal (B) to the thyristor (Th) facing away from the diode (D) connected to the via a capacitor (C ₂₎ is