DE2612547B2

DE2612547B2 - Component for linking input signals to form an output signal that contains several transistors

Info

Publication number: DE2612547B2
Application number: DE19762612547
Authority: DE
Inventors: Irmfried Dipl.-Ing. 8000 Muenchen Bromme
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1976-03-24
Filing date: 1976-03-24
Publication date: 1978-04-27
Also published as: DE2612547A1; CH614081A5

Description

h5 Bausteine, die zur Verknüpfung von Eingangssignalen zu einem Ausgangssignal dienen, sind bereits in vielen Varianten bekannt. Solche Bausteine enthalten meistens mehrere Transistoren, bei denen es sich auch um integrierte Transistoren handeln kann. Die beabsichtigte Verknüpfungsfunktion wird dann vielfach mit Hilfe mindestens eines Transistors zustande gebracht. Solche Bausteine sind an eine Betriebsspannungsquelle gelegt, die vielfach maßgebend für den Signalhub der binären Eingangssignale und der gelieferten binären Ausgangssignale ist, die also die Signalspannung für Signale mit dem Signalwert H und die Signalspannung für Signale mit dem Signalwert L bestimmt. h5 modules which are used to link input signals to form an output signal are already known in many variants. Such modules usually contain several transistors, which can also be integrated transistors. The intended linking function is then often brought about with the aid of at least one transistor. Such modules are connected to an operating voltage source, which is often decisive for the signal swing of the binary input signals and the supplied binary output signals, i.e. which determines the signal voltage for signals with the signal value H and the signal voltage for signals with the signal value L.

Es sind auch bereits sogenannte Multikollektortransistoren bekannt (siehe DE-AS 10 36 316), die einen Emitter und mehrere Kollektoren haben. Darüber hinaus ist auch bekannt, Multikollektortransistoren, die nur eine Basis haben, als Stromverteilungstransistoren auszunutzen (siehe DE-OS 22 56 640). Die Erfindung geht nun von der Aufgabe aus, einen derartigen Multikollektortransistor bei einem Baustein zur Verknüpfung von Eingangssignalen zu benutzen, um nicht nur dessen Betriebssicherheit möglichst groß zu machen sondern um noch weitere vorteilhafte Effekte zu erzielen, die noch unter Bezugnahme auf die erfindungsgemäße Schaltungstechnik nachfolgend erläutert werden. Dazu gehört auch die Aufgabe, eine impulsmäßige Belastung der Betriebsspannungsquelle weitgehend zu vermeiden, um damit auch zu vermeiden, daß Störimpulse auf den Zuleitungen für die Betriebsspannung auftreten. Es ist zwar bereits eine Halbleiterschaltung bekannt (siehe DE-AS 20 21 824, Ansprüche 1,16,17,18 und insbesondere Spalte 12, Zeilen 12 bis 29), die eine Transistorstruktur mit Multikollektoren hat. Diese Multikollektoren sind hier als untereinander entkoppelte Signalausgänge ausgenutzt. Sie tragen daher nicht dazu bei, eine impulsmäßige Belastung der Betriebsspannungsquelle zu vermeiden. Die Erfindung betrifft nun einen Baustein zum Verknüpfen von binären Eingangssignalen zu einem binären Ausgangssignal, der mehrere Transistoren enthält, insbesondere integrierte Transistoren, von denen einer ein Multikollektortransistor ist und von denen mindestens einer als bipolarer Transistor bei der Verknüpfungsfunktion mitwirkt. Dieser Baustein ist dadurch gekennzeichnet, daß die Betriebsspannung über den Multikollektortransistor zugeführt wird, der an die Betriebsspannungsquelle derart angeschlossen ist, daß seine Kollektoren als Konstantstromquellen ausnutzbar sind, und daß jeweils mehrere Elektroden jedes bei der Verknüpfungsfunktion mitwirkenden Transistors an diese Kollektoren angeschlossen sind. Die Kollektoren des benutzten Multikollektortransistors wirken als Konstantstromquellen und haben dabei einen hohen dynamischen Widerstand. Ein jeweils bei der Verknüpfungsfunktion mitwirkender Transistor ist als bipolarer Transistor stromgesteuert. Da er über Konstantstromquellen betrieben wird, ergeben sich genau festgelegte Betriebsverhältnisse, so daß äußere Einflüsse auf die Verknüpfungsfunktion wenig Einfluß haben, die daher gut gesichert ist. Es kann damit gerechnet werden, daß die Kollektoren desselben Multikollektortransistors als Konstantstromquellen untereinander gut übereinstimmende Eigenschaften haben. Die gelieferten Ströme stimmen daher hinsichtlich ihrer Konstanz gut überein und gegebenenfalls auch hinsichtlich ihrer Stärke. Durch Schaltkapazitäten gebildete oder auch andere Kondensatoren können während des Betriebes vorteilhafter-There are also so-called multi-collector transistors known (see DE-AS 10 36 316), the one Have emitters and multiple collectors. In addition, multicollector transistors that have only one basis to use as current distribution transistors (see DE-OS 22 56 640). The invention is now based on the task of connecting such a multi-collector transistor in a module of input signals in order not only to make its operational reliability as high as possible but in order to achieve even more advantageous effects, which are still with reference to the invention Circuit technology will be explained below. This also includes the task of being impulsive Avoid loading the operating voltage source to a large extent in order to avoid interference pulses occur on the supply lines for the operating voltage. It is true that it is already a semiconductor circuit known (see DE-AS 20 21 824, claims 1,16,17,18 and in particular column 12, lines 12 to 29), the one Has transistor structure with multi-collectors. These multi-collectors are here as decoupled from one another Signal outputs used. They therefore do not contribute to impulsive loading of the operating voltage source to avoid. The invention now relates to a module for linking binary Input signals to a binary output signal that contains several transistors, in particular integrated Transistors, one of which is a multi-collector transistor and at least one of which is considered to be bipolar Transistor contributes to the logic function. This module is characterized in that the Operating voltage is supplied via the multi-collector transistor, which is connected to the operating voltage source is connected in such a way that its collectors can be used as constant current sources, and that each several electrodes of each transistor participating in the linking function to these collectors are connected. The collectors of the multi-collector transistor used act as constant current sources and have a high dynamic resistance. One in each case for the linkage function The participating transistor is current-controlled as a bipolar transistor. Since he has constant current sources is operated, there are precisely defined operating conditions, so that external influences on the Link function have little influence, which is therefore well secured. It can be expected that the collectors of the same multicollector transistor as constant current sources coincide well with one another Have properties. The currents supplied therefore agree well with regard to their constancy and possibly also with regard to their strength. Capacitors or other capacitors formed by switching capacitances can be more advantageous during operation

weise schnell umgeladen werden. Trotzdem ergibt sich während des Betriebs ein verhältnismäßig konstanter Leistungsverbrauch im Vergleich zu einer Schaltungsanordnung, bei dem der Strom durch ohmsche Widerstände stabilisiert ist. Es wird daher hier vorteilhafterweise eine impulsmäßige Belastung der ßetriebsspannungsquelle weitgehend vermieden, weshalb auch vermieden wird, daß Störimpulse auf den Zuleitungen für die Betriebsspannung auftreten.wisely be reloaded quickly. Nevertheless, a relatively constant one results during operation Power consumption compared to a circuit arrangement in which the current is ohmic Resistances is stabilized. It is therefore advantageous here to impulsively load the ßetriebssspannungsquelle largely avoided, which is why it is also avoided that interference pulses on the Supply lines for the operating voltage occur.

Zweckmäßigerweise wird ein Kollektor und die damit to verbundene Basis des Multikollektorlransistors über einen Widerstand an den einen Pol und der Emitter dieses Multikollektortransistors an den anderen Pol der Betriebsspannungsquelle angeschlossen. Wenn er derart an die Betriebsspannungsquelle angeschlossen ist, kann er bei passender Polarität gut leitend gesteuert werden und seine Kollektoren wirken dann als Konstantstromquellen. Es können auch noch weitere Kollektoren des Multikollektortransistors einzeln mit Signaleingängen und mit dem Signalausgang verbunden werden, damit sie zum Zustandekommen von vollständigen Eingangssignalen und Ausgangssignalen beitragen. Wie sich dies auswirkt, wird noch später erläutert werden.Appropriately, a collector and the base of the multicollector transistor connected to it is over a resistor to one pole and the emitter of this multi-collector transistor to the other pole of the Operating voltage source connected. If it is connected to the operating voltage source in this way, If the polarity is appropriate, it can be controlled in a conductive manner and its collectors then act as Constant current sources. There can also be additional collectors of the multi-collector transistor individually Signal inputs and are connected to the signal output so that they can come into being complete Contribute input signals and output signals. How this works will be explained later will.

Im folgenden werden mehrere Ausführungsbeispiele für Bausteine gemäß der Erfindung an Hand mehrerer Figuren näher erläutert. Diese Bausteine haben unterschiedliche Verknüpfungsfunktionen. F i g. 1 zeigt ein UND-Glied mit drei Signaleingängen, bei dem das über einen der Eingänge zugeführte Signal invertiert wird. F i g. 2 zeigt ein Verknüpfungsglied, das ebenfalls drei Eingänge hat. Die zwei Eingängen zugeführten Eingangssignale werden gemäß der UND-Funktion verknüpft, wobei ein Signal invertiert wird. Das dem dritten Eingang zugeführte Eingangssignal wird gemäß der ODER-Funktion zusätzlich mit verknüpft. Fig.3 zeigt ein Verknüpfungsglied mit drei Eingängen, in dem die zugeführten Eingangssignale gemäß der UND-Funktion verknüpft werden, wobei sie vorher invertiert werden, und in der das Verknüpfungsergebnis, bevor es zum Signalausgang weitergegeben wird, noch einmal invertiert wird.In the following, several exemplary embodiments for building blocks according to the invention are given by way of several Figures explained in more detail. These blocks have different linking functions. F i g. 1 shows an AND element with three signal inputs, in which the signal supplied via one of the inputs is inverted will. F i g. 2 shows a logic element that also has three inputs. The two entrances fed Input signals are linked according to the AND function, with one signal being inverted. That the The input signal supplied to the third input is also linked according to the OR function. Fig. 3 shows a logic element with three inputs in which the input signals supplied according to FIG AND function are linked, whereby they are inverted beforehand, and in which the link result, before it is passed on to the signal output, it is inverted again.

Zu jedem dieser Bausteine gehört außer einem p-n-p-Multikollektortransistor noch ein n-p-n-Verknüpfungstransistor. Mindestens ein Eingangssignal wird jeweils der Basis eines Verknüpfungstransistors zugeführt. Ein zu invertierendes Eingangssignal wirkt jeweils auf den Emitter dieses Verknüpfungstransistors ein. Bei dem in F i g. 1 gezeigten Baustein wirken auf die Basis des Verknüpfungstransistors VT zwei Eingangssignale über die Signaleingänge £"1 und £2 ein. Sie werden der Basis über die Entkoppeldioden D1 und D 2 zugeführt. Der Emitter des Verknüpfungstransistors VT ist an den Signaleingang £3 angeschlossen. Sowohl der Kollektor als auch die Basis des Verknüpfungstransistors VT sind einzeln an jeweils einen Kollektor des Multikollektortransistors MKT angeschlossen. Dessen Emitter liegt an der Klemme mit der Spannung Uo der Betriebsspannungsquelle. Ein Kollektor und die damit verbundene Basis liegen über den Widerstand Λ1 an der Klemme mit der Spannung - U der Betriebsspannungsquelle. Der Multikollektortransistor MKT ist daher leitend. Das Verknüpfungsergebnis, das durch den Verknüpfungstransistor VT über seinen Kollektor geliefert wird, wird noch dem n-p-n-Schalttransistor ST h > zugeführt, nämlich dessen Basis, was zur Folge hat, daß es invertiert wird. Der Kollektor des Schalttransistors S7" ist ebenfalls an einen Kollektor des Multikollektortransistors MKT angeschlossen, während sein Emitter direkt und seine Basis über den Widerstand R2 an der Klemme mit der Spannung - L/der Betriebsspannungsquelle angeschlossen ist Der Kollektor des Schalttransistors 5Tist zugleich der Signalausgang A des Bausteins. In die Schaltung des Bausteins sind noch die Dioden D 4, D 5 und D 6 eingefügt, die die richtige Arbeitsweise gewährleisten. Die Dioden D 5 und D 6 bewirken bei leitendem Schalttransistor ST, daß die Schaltgeschwindigkeit des Schalttransistors ST erheblich erhöht wird. Der Schalttransistor ST wird gesperrt, wenn der Verknüpfungstransistor VT mit Hilfe von Eingangssignalen leitend gesteuert wird. Dies ist der Fall, wenn die an den Signaleingängen £1 und E2 liegenden Eingangssignale den Signalwert H mit der Signalspannung i/o und das am Signaleingang £3 liegende Eingangssignal den Signalwert L mit der Signalspannung — U hat. Wenn die Eingangssignale andere Kombinationen von Signalwerten bzw. Signalspannungen haben, ist der Verknüpfungstransistor VT dagegen gesperrt. Am Signalausgang A tritt daher nur bei der zuerst genannten Kombination von Signalwerten bzw. Signalspannungen das Ausgangssignal mit dem Signalwert H und der Signalspannung Uo auf, wobei der Schalttransistor SFgesperrt ist. Sonst hat das am Signalausgang liegende Ausgangssignal den Signalwert L und damit die Signalspannung — U, wobei der Schalttransistor 57 leitend ist. Dadurch, daß der Signalausgang A mit einem Kollektor des Multikollektortransistors MKT verbunden ist, kann der Multikollektortransistor zum Zustandekommen des Signalwertes H und damit zur Lieferung der Signalspannung Uo für das Ausgangssignal beitragen. Auch die Signaleingänge £1 und E2 sind hier mit Kollektoren des Multikollektortransistors MKT einzeln verbunden. Dadurch wird ermöglicht, daß vollständige Eingangssignale auch dann auftreten, wenn diese unvollständig angeliefert werden, nämlich lediglich mit Hilfe des Signalwertes L und damit der Signalspannung — U. Beim Fehlen einer besonderen zugelieferten Signalspannung wirkt sich dann nämlich bei den Signaleingängen £1 und £2 zwangläufig der Signalwert H mit der Signalspannung LZ₀ aus. Die Widerstände R 1 und R2 können in an sich bekannter Weise dimensioniert werden, um die Arbeitsweise der Schaltung sicherzustellen. So kann z. B. der Widerstand R 1 20 kOhm und der Widerstand R 2 50 kOhm groß sein.In addition to a pnp multicollector transistor, each of these components also has an npn link transistor. At least one input signal is fed to the base of a logic transistor in each case. An input signal to be inverted acts on the emitter of this logic transistor. In the case of the FIG. 1, two input signals act on the base of the logic transistor VT via the signal inputs £ "1 and £ 2. They are fed to the base via the decoupling diodes D 1 and D 2. The emitter of the logic transistor VT is connected to the signal input £ 3. Both the collector and the base of the linking transistor VT are individually connected to a collector of the multi-collector transistor MKT . Its emitter is connected to the terminal with the voltage Uo of the operating voltage source. A collector and the base connected to it are connected to the terminal via the resistor Λ1 the voltage - U of the operating voltage source. The multicollector transistor MKT is therefore conductive. The link result that is supplied by the link transistor VT via its collector is still fed to the npn switching transistor ST h>, namely its base, which has the consequence that it is inverted. The collector of the switching transistor S7 "is also connected to a collector of the multicollector transistor MKT , while its emitter is connected directly and its base via the resistor R2 to the terminal with the voltage - L / of the operating voltage source. The collector of the switching transistor 5T is also the signal output A of the module. The diodes D 4, D 5 and D 6 are also inserted in the circuit of the module, which ensure the correct operation. When the switching transistor ST is conductive, the diodes D 5 and D 6 have the effect that the switching speed of the switching transistor ST is considerably increased. The switching transistor ST is blocked when the logic transistor VT is controlled to be conductive with the aid of input signals. This is the case when the input signals at the signal inputs £ 1 and E2 have the signal value H with the signal voltage i / o and the input signal at the signal input £ 3 has the signal value L with the signal voltage - U. If the input signals have other combinations of signal values or signal voltages, the logic transistor VT, however, is blocked. The output signal with the signal value H and the signal voltage Uo therefore only occurs at the signal output A with the first-mentioned combination of signal values or signal voltages, the switching transistor SF being blocked. Otherwise the output signal at the signal output has the signal value L and thus the signal voltage - U, the switching transistor 57 being conductive. Because the signal output A is connected to a collector of the multi-collector transistor MKT , the multi-collector transistor can contribute to the occurrence of the signal value H and thus to the supply of the signal voltage Uo for the output signal. The signal inputs £ 1 and E2 are also individually connected to collectors of the multi-collector transistor MKT. This enables complete input signals to appear even if they are incomplete, namely only with the aid of the signal value L and thus the signal voltage - U. In the absence of a special supplied signal voltage, this inevitably affects the signal inputs £ 1 and £ 2 the signal value H with the signal voltage LZ ₀ . The resistors R 1 and R2 can be dimensioned in a manner known per se in order to ensure the operation of the circuit. So z. B. the resistor R 1 20 kOhm and the resistor R 2 50 kOhm.

Der Verknüpfungstransistor VTist hier als sogenannter Schottky-Dioden-Transistor aufgebaut, was dadurch angedeutet ist, daß seiner Kollel'torbasisstrecke die Schottky-Diode Dl parallel geschaltet ist. Es handelt sich dann hier um einen bipolaren Transistor, bei dem die Transistorschaltgeschwindigkeit erheblich erhöht ist (siehe Unterrichtsblätter B, 1975, Seite 134). Diese Maßnahme trägt dazu bei, einen Baustein mit besonders großer Schaltgeschwindigkeit zu erhalten.The link transistor VT is constructed here as a so-called Schottky diode transistor, which is indicated by the fact that the Schottky diode Dl is connected in parallel to its collector base line. It is then a bipolar transistor in which the transistor switching speed is considerably increased (see instruction sheet B, 1975, page 134). This measure helps to obtain a module with a particularly high switching speed.

Der in F i g. 2 gezeigte Baustein zur Verknüpfung von drei Eingangssignalen zu einem Ausgangssignal hat den Multikollektortransistor MKT, der ähnlich wie bei dem Baustein gemäß F i g. 1 betrieben ist. Der zugehörige Verknüpfungstransistor VTl ist ebenfalls entsprechend wie der Verknüpfungstransistor VTl im beim Baustein gemüß F i g. 1 betrieben. Es wirkt hier allerdings auf seine Basis nur das über den Signaleingang £1 zuführbare Eingangssignal ein. Auf seinen Emitter wirkt das über den Signaleingang £2 zuführbare Eingangssignal ein, wobei auch hier ein Invertierungseffekt auftritt. Der Sienaleineane £3 ist über die Diode D3 anThe in F i g. The module shown in FIG. 2 for linking three input signals to one output signal has the multi- collector transistor MKT, which is similar to the module according to FIG. 1 is operated. The associated link transistor VTl is also corresponding to the link transistor VTl in the module according to FIG. 1 operated. However, only the input signal that can be fed in via signal input £ 1 has an effect on its basis. The input signal that can be fed in via signal input £ 2 acts on its emitter, with an inversion effect also occurring here. The Sienaleineane £ 3 is connected via the diode D3

die Basis des zweiten n-p-n-Verknüpfungstransistors VT2 angeschlossen, dessen Kollektor mit dem Kollektor des Verknüpfungstransistors VTl verbunden ist. Der Emitter des Verknüpfungstransistors VT2 ist über die Diode D 8 an die Klemme mit der Spannung - Uder Betriebsspannungsquelle angeschlossen. Der Verknüpfungstransistor VTl wird in ähnlicher Weise über die Signaleingänge El und £2 gesteuert, wie der Verknüpfungstransistor VTüber die Signaleingänge El und E3 in dem Baustein gemäß Fig. 1. Der Verknüpfungstransistor VT2 wird über den Signaleingang E3 gesteuert. Er wird gesperrt, wenn dem Signaleingang E3 ein Eingangssignal mit dem Binärwert L und damit der Signalspannung - Uzugeführt wird. Sonst ist er leitend. Beide Verknüpfungstransistoren VTl und VT2 sind daher gleichzeitig leitend, wenn beim Signaleingang El das Eingangssignal den Signalwert H mit der Signalspannung U₀ und wenn das am Signaleingang E2 liegende Eingangssignal den Signalwert L mit der Signalspannung — LJ hat und wenn dem Signaleingang E3 nicht ein Eingangssignal mit dem Signalwert L und der Signalspannung — U zugeführt wird. An die miteinander verbundenen Kollektoren der Verknüpfungstransistoren VTl und VT2 ist noch in entsprechender Weise wie bei dem Baustein gemäß F i g. 1 der Schalttransistor ST angeschlossen. Wenn einer der beiden Verknüpfungstransistoren VTl und VT2 mit Hilfe von Eingangssignalen leitend gesteuert wird, so wird der Schalttransistor ST, der sonst leitend ist, gesperrt. Es tritt dann am Signalausgang A ein Ausgangssignal mit dem Signalwert H und damit mit der Signalspannung Uo auf. Sonst tritt dort ein Ausgangssignal mit dem Signalwert L und damit mit der Signalspannung — U auf. Die Signaleingänge El und E3 und der Signalausgang A sind auch hier mit Kollektoren des Multikollektortransistors MKT verbunden, wodurch sich entsprechende Effekte wie bei dem Baustein gemäß Fig. 1 ergeben. Die Dioden Di und D3 dienen hier zur Entkopplung der als Stromkonstantquellen ausgenutzten Kollektoren des Multikollektortransistors MKT. Die Diode DS, die zwischen dem Emitter des Verknüpfungstransistors VT2 und der Klemme mit der Spannung - U der Betriebsspannungsquelle eingefügt ist, dient hier zum Ausgleich für einen Spannungsabfall an der Diode D3. Bei dem Baustein gemäß F i g. 2 werden zwei Verknüpfungstransistoren ausgenutzt und die mit ihrer Hilfe erhaltenen Verknüpfungsergebnisse werden über ihre Kollektoren zum Schalttransistor ST weitergegeben. the base of the second npn link transistor VT2 is connected, the collector of which is connected to the collector of the link transistor VTl. The emitter of the logic transistor VT2 is connected via the diode D 8 to the terminal with the voltage - U of the operating voltage source. The logic transistor VTl is controlled in a similar manner via the signal inputs El and £ 2, as the logic transistor VT via the signal inputs El and E3 in the module according to FIG. 1. The logic transistor VT2 is controlled via the signal input E3. It is blocked when an input signal with the binary value L and thus the signal voltage - U is fed to the signal input E3. Otherwise he is in charge. Both logic transistors VTl and VT2 are therefore conductive at the same time when the input signal at the signal input El has the signal value H with the signal voltage U ₀ and when the input signal at the signal input E2 has the signal value L with the signal voltage - LJ and when the signal input E3 does not have an input signal the signal value L and the signal voltage - U is supplied. The collectors of the linking transistors VT1 and VT2, which are connected to one another, are also connected in the same way as in the case of the module according to FIG. 1 connected to the switching transistor ST . If one of the two link transistors VT1 and VT2 is turned on with the aid of input signals, the switching transistor ST, which is otherwise conductive, is blocked. An output signal with the signal value H and thus with the signal voltage Uo then occurs at the signal output A. Otherwise there will be an output signal with the signal value L and thus with the signal voltage - U. The signal inputs E1 and E3 and the signal output A are also connected here to collectors of the multi-collector transistor MKT , which results in effects corresponding to those of the module according to FIG. 1. The diodes Di and D3 serve to decouple the collectors of the multi-collector transistor MKT, which are used as constant current sources. The diode DS, which is inserted between the emitter of the linking transistor VT2 and the terminal with the voltage - U of the operating voltage source, is used here to compensate for a voltage drop at the diode D3. In the case of the module according to FIG. 2, two linking transistors are used and the linking results obtained with their help are passed on to the switching transistor ST via their collectors.

Der Baustein gemäß Fig.3 hat den Multikollektortransistor MKT, den Verknüpfungstransistor VT und den Schalttransistor ST. Diese Transistoren sind in entsprechender Weise wie bei dem Baustein gemäß Fig. 1 ausgenutzt. Es ist jedoch hier auch der Schalttransistor als Schottky-Dioden-Transistor aufgebaut, siehe Diode D17. Daher entfällt hier die sonst seiner Basis vorgeschaltete Diode. Der Signaleingang E3 ist auch hier an den Emitter des Verknüpfungstransistors VTdirekt angeschlossen. Die Signaleingänge El und E2 sind hier aber nicht über die Entkopplungsdioden Dl und D 2 direkt mit der Basis des Verknüpfungstransistors VT verbunden. Statt dessen sind hier diese Verbindungen über weitere Transistorer geführt, die zur Signalinvertierung dienen. In der Verbindungsweg zwischen dem Signaleingang El und der Basis des Verknüpfungstransistors VT ist in diesei Weise die Transistorstufe mit dem n-p-n-Transistor Ti dem Widerstand Λ 3 und der Diode D9 eingefügt. Ir entsprechender Weise ist in den Verbindungsweg zwischen dem Signaleingang E2 und der Basis des Verknüpfungstransistors VT die Transistorstufe mit dem n-p-n-Transistor 7"2, dem Widerstand R 4 und der Diode DIl eingefügt. Es sind hier auch die beiden Transistoren Tl und Tl als Schottky-Dioden-Transistoren aufgebaut, was mit Hilfe der Schottky-Dioden D10 und D12 angegeben ist. Bei dem Baustein gemäßThe module according to FIG. 3 has the multi-collector transistor MKT, the link transistor VT and the switching transistor ST. These transistors are used in the same way as in the case of the module according to FIG. 1. However, the switching transistor is also constructed here as a Schottky diode transistor, see diode D17. Therefore, the diode that is otherwise connected upstream of its base is not required here. The signal input E3 is here also connected to the emitter of the link transistor VTdirekt. The signal inputs E1 and E2 are not directly connected to the base of the logic transistor VT via the decoupling diodes D1 and D2. Instead, these connections are made via additional transistors that are used to invert the signal. In the connection path between the signal input El and the base of the logic transistor VT, the transistor stage with the npn transistor Ti, the resistor Λ 3 and the diode D 9 is inserted in this way. Ir corresponding manner, in the communication path between the signal input E2 and the transistor stage having the npn transistor 7 "2, the resistor R4 and the diode Dll inserted the base of the linkage transistor VT. There are also the two transistors Tl and Tl as a Schottky -Diode transistors built up, which is indicated with the help of the Schottky diodes D10 and D12

jo Fig.3 werden auch die den Signaleingängen El und E2 zugeführten Eingangssignale erst in invertierter Form durch den Verknüpfungstransistor VT verknüpft Dieser Verknüpfungstransistor VTwird daher nur dann leitend, wenn die den Signaleingängen El, E2 und E3 zugeführten Eingangssignale gleichzeitig den Signalwert L mit der Signalspannung — U haben. Nur dann wird auch der Schalttransistor ST gesperrt und es tritt nur dann am Signalausgang A ein Ausgangssignal mit dem Signalwert H und der Signalspannung Uq auf. Es kann noch bemerkt werden, daß die Widerstände RZ R 4 und R 2, die beiden Basen der Transistoren Ti, T2 ST angeschlossen sind, beispielsweise 50 kOhm groß sein können, während gleichzeitig der Widerstand R 1 für den Multikollektortransistor MKT 20 kOhm groß sein kann. Die zwischen den Klemmen der Betriebsspannungsquelle liegende Spannung kann bei allen Bausteinen beispielsweise 15 V sein.jo Fig. 3, the input signals fed to the signal inputs El and E2 are only linked in inverted form by the logic transistor VT. U have. Only then is the switching transistor ST blocked, and only then does an output signal with the signal value H and the signal voltage Uq occur at the signal output A. It can also be noted that the resistors RZ R 4 and R 2, the two bases of the transistors Ti, T2 ST are connected, for example 50 kOhm, while at the same time the resistor R 1 for the multi- collector transistor MKT can be 20 kOhm . The voltage between the terminals of the operating voltage source can be, for example, 15 V for all modules.

Hierzu 2 Blatt ZeichnungenFor this purpose 2 sheets of drawings

Claims

Patent claims:

1. Block for linking binary input signals to a binary output signal containing several transistors, in particular integrated transistors, one of which is a multi-collector and at least one of which acts as a bipolar transistor in the linking function, characterized in that the operating voltage via the multi-collector transistor (MKT) is supplied, which is connected to the operating voltage source (U ₀ , - U) in such a way that its collectors can be used as constant current sources, and that in each case several electrodes (collector, base) are connected to each transistor (VT) participating in the linking function these collectors are connected.

2. Module according to claim 1, characterized in that a collector and the associated base of the multi-collector transistor (MKT) via a resistor (R 1) to one terminal (-U) and that its emitter to the other terminal (Uo) of the Operating voltage source are connected.

3. Module according to claim 1 or 2, characterized in that collectors of the multi-collector transistor (MKT) are individually connected to signal inputs (E 1, £ 2) and to the signal output (A) and thus contribute to the creation of complete input signals and output signals.

4. Module according to one of the preceding claims, characterized in that at least one input signal to the base of a logic transistor (VT) and that an input signal to be inverted acts on the emitter of this logic transistor fVT ^.

5. Module according to one of the preceding claims, in which a plurality of linking transistors are present, characterized in that the collectors of these linking transistors (VTi, VT2) are connected to one another and that linking results obtained with the help of these linking transistors are passed on via their collectors.

6. Module according to one of the preceding claims, characterized in that a switching transistor (ST) is controlled on the collector side by a logic transistor (VT) , the collector of which is the signal output (A) and is optionally connected to a collector of the multi- collector transistor (MKT) .

7. Module according to one of the preceding claims, characterized in that the base of a logic transistor (VT; Fig.3) is fed at least one input signal via a further transistor (Ti) which is used for signal inversion.

8. Module according to one of the preceding claims, characterized in that each '' logic transistor (VT) and / or the switching transistor (ST) as a Schottky diode transistor (VT / D 15; ST / D 17; F i g. 3 ) is constructed.