DE2610276A1

DE2610276A1 - CONTROLLABLE AMPLIFIER

Info

Publication number: DE2610276A1
Application number: DE19762610276
Authority: DE
Inventors: Seiji Miyamoto
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1975-03-12
Filing date: 1976-03-11
Publication date: 1976-09-23
Also published as: US4032854A; DE2610276C2; GB1532060A; JPS5634409Y2; JPS51129044U

Description

Die Erfindung betrifft einen steuerbaren Verstärker mit einem den Verstärkungsfaktor automatisch regelnden Steuerschal tkreis. Insbesondere betrifft die Erfindung einen Verstärker mit verbesserter Empfindlichkeit der automatischen Verstärkungsregelung und bei dem der Steuerschaltkreis keine Veränderungen des G-lei chspannungsnive aus in der Endstufe des Verstärkers bewirkt. Erfindungsgemäß ist in der Endstufe des Verstärkers, der die Verstärkungssteuersignale empfängt, ein Halbleiterschichtkondensator vorgesehen, dessen KapazitätThe invention relates to a controllable amplifier with a control circuit which automatically regulates the gain factor. In particular, the invention relates to an amplifier with improved sensitivity of the automatic gain control and in which the control circuit does not Changes in the G voltage level in the output stage of the Amplifier causes. According to the invention is in the final stage of the Amplifier that receives the gain control signals, a semiconductor film capacitor is provided, the capacitance of which

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sich erhöht, wenn der Verstärker ein Verstärkungssteuersignal empfängt, so daß der Verstärkungsfaktor reduziert wird, wodurch die Abschwächung des Verstärkers unterstützt und die Steuerempfindlichkeit für die Verstärkung verbessert wird; gleichzeitig werden die nachgeschalteten Stufen vor Veränderungen des Grleichstromwertes geschützt, die auf G-rund von Veränderungen des Verstärkungsfaktors durch den Verstärker auftreten können.increases when the amplifier receives a gain control signal so that the gain is reduced, whereby the attenuation of the amplifier is supported and the control sensitivity for the gain is improved; At the same time, the downstream stages are protected from changes in the green current value that are due to changes of the amplification factor by the amplifier.

Die Erfindung wird im folgenden mit Bezug auf die anliegende Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:The invention will be described hereinafter with reference to the present Drawing explained in more detail. Show it:

ig. 1 ein Schaltbild eines bekannten Verstärkers,ig. 1 is a circuit diagram of a known amplifier,

Pig. 2a ein Schaltbild einer ersten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verstärkers mit einem den Verstärkungsfaktor automatisch regelnden Steuerschaltkreis,Pig. 2a shows a circuit diagram of a first embodiment of an amplifier according to the invention with a gain factor automatically regulating control circuit,

Fig. 2b den gleichen Schaltkreis wie in Fig. 2a, jedoch mit Beispielen für die Werte der Schaltkreiskomponenten,Fig. 2b shows the same circuit as in Fig. 2a, however with examples of the values of the circuit components,

Fig. 3 ein Schaltbild einer gegenüber Fig. 2 geänderten Ausführungsform,FIG. 3 shows a circuit diagram of a circuit diagram that is modified from FIG. 2 Embodiment,

Fig. 4 ein Schaltbild eines Verstärkerschaltkreises unter Verwendung des erfindungsgemäßen Verstärkers undFig. 4 is a circuit diagram of an amplifier circuit using the amplifier according to the invention and

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Pig. 5 ein Schalfbild einer zweiten erfindungsgemäßen Ausführungsform.Pig. 5 shows a diagram of a second embodiment according to the invention Embodiment.

Bei einem bekannten Verstärker für Wechselstromeingangssignale führt ein Wechselstromsignalgeber S Eingangssignale an die Basen eines Paars von NPU-Transistoren Q2 und Q3, die einen Differenzverstärker A bilden und deren Kollektoren über entsprechende Widerstände E2 bzw. R3 mit einer leitung +V_. verbunden sind, die relativ zum Erdpotential positiv ist; diese Kollektoren sind außerdem mit aktiven Komponenten der nächsten Stufe, im gezeigten Beispiel gemäß Fig. 1 mit den Basen von HPU-Transistoren Q4 und Q5 verbunden, deren Kollektoren mit der Leitung +V__n und deren Emitter über Widerstände E4 bzw. E5 mit dem Erdpotential verbunden sind und die einen Emitterfolger-Verstärker zur Verstärkung bilden, wobei die verstärkten Wechselstromausgangssignale über die Emitter der Transistoren Q4 und Q5 herausgeführt sind. Die Emitter beider Transistoren Q2 und Q3 sind mit dem Kollektor eines ϊΠ-ΤΓ-Transistors Q1 verbunden, dessen Emitter mit Erdpotential über einen Widerstand R1 verbunden ist und an dessen Basis ein Steuereingangssignal zur automatischen Steuerung des Verstärkungsfaktors anliegt, das im folgenden als AG-C-Eingangssignal bezeichnet wird, das in gewünschter Weise proportional zum Ausgangssignal des Verstärkers oder zum Eingangssignal sein kann und das in geeigneter Weise als negatives Eingangssignal dem Transistor Q1 durch bekannte, nicht dargestellte Einrichtungen zugeführt wird. In diesem Schaltkreis führt ein ver-In a known amplifier for AC input signals, an AC signal generator S carries input signals to the bases of a pair of NPU transistors Q2 and Q3 which form a differential amplifier A and their collectors via corresponding resistors E2 and R3 with a line + V_. are connected that is positive relative to earth potential; these collectors are also connected to active components of the next stage in the example shown in FIG. 1 with the bases of transistors Q4 and Q5 HPU connected to the collectors of _n to the line + V_ and their emitters through resistors E4 and E5 with the ground potential and which form an emitter-follower amplifier for amplification, the amplified AC output signals being taken out through the emitters of the transistors Q4 and Q5. The emitters of both transistors Q2 and Q3 are connected to the collector of a ϊΠ-ΤΓ transistor Q1, the emitter of which is connected to ground potential via a resistor R1 and at the base of which there is a control input signal for automatic control of the amplification factor, which is hereinafter referred to as AG-C -Input signal is designated, which can be proportional to the output signal of the amplifier or to the input signal in a desired manner and which is supplied in a suitable manner as a negative input signal to the transistor Q1 by known means, not shown. In this circuit there is a

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ringertes AGC-Eingangssignal an der Basis des Transistors Q1 zu einer Verringerung des Kollektorstroms der Transistoren Q2 und Q3, d.h. zu einem verringerten Verstärkungsfaktor des Verstärkers. Ringed AGC input signal at the base of transistor Q1 a decrease in the collector current of transistors Q2 and Q3, i.e. a decreased gain of the amplifier.

Diese Steuerung des Verstärkungsfaktors bei einem bekannten Verstärker führt jedoch außerdem zu einer wesentlichen Veränderung des Gleichstromniveaus im Ausgangs signal, und es ist schwierig, den Ausgleich der erforderlichen Kenndaten der Transistoren Q2 und Q3 aufrechtzuerhalten, wobei dies häufig zu einer Verzerrung oder Verformung der Signale in nachgeschalteten Stufen führt, die mit dem Verstärker verbunden sind.However, this control of the gain factor in a known amplifier also leads to a substantial change of the DC level in the output signal, and it is difficult to balance the required characteristics of the Transistors Q2 and Q3 maintain, this being common leads to a distortion or deformation of the signals in downstream stages connected to the amplifier.

Erfindungsgemäß ist daher zwischen einem Verstärker, der die AGC-Eingangssignale empfängt, und einer nachgeschalteten Stufe ein Halbleiterschichtkondensator vorgesehen, der neben der Gleichspannungsentkopplung zwischen dem Verstärker und der nachgeschalteten Stufe zu einer Verbesserung der AGrC-Empfindlichkeit des Verstärkers führt.According to the invention is therefore between an amplifier, which receives the AGC input signals, and a downstream amplifier Stage a semiconductor film capacitor is provided, in addition to the DC voltage decoupling between the amplifier and the downstream stage leads to an improvement in the AGrC sensitivity of the amplifier.

In Pig. 2a ist zur Erleichterung der Beschreibung ein Verstärker A mit den gleichen Schaltungskomponenten wie der Verstärker der Fig. 1 verbunden, wobei die Endstufe des Verstärkers A Halbleiterschichtkondensatoren C1 und C2 aufweist, deren jeweilige Anoden mit den Kollektoren der Transistoren Q2 und Q3 und deren Kathoden mit den Basen der Transistoren Q4 und Q5 der nächsten Stufe verbunden sind, wobei jede der Ano-In Pig. 2a is an amplifier A having the same circuit components as the amplifier for ease of description 1 connected, the output stage of the amplifier A having semiconductor film capacitors C1 and C2, the respective anodes to the collectors of transistors Q2 and Q3 and their cathodes to the bases of transistors Q4 and Q5 of the next stage are connected, each of the ano-

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den als Kontakt mit höherer Spannung als der jeder der Kathoden bei Anwendung der Gegenvorspannung auf deren pn-übergang definiert ist. In vorteilhafter ?/eise haben die Schichtkondensatoren C1 und 02 den gleichen Aufbau und die gleichen Kennlinien. Das obere Ende des Widerstandes R6 ist mit einem Schaltungspunkt zwischen dem Schichtkondensator 01 und der Basis des Transistors Q4 verbunden. Der Widerstand R7 ist entsprechenderweise mit der Basis des Transistors Q5 verbunden und weist in vorteilhafter Weise den gleichen Wert wie der Widerstand R6 auf. Den Transistoren Q4 und Q5 wird über die Widerstände R6 und R7 durch eine Gleichstromquelle E eine Vorspannung zugeführt. Diese Vorspannung ist derart eingestellt, daß sie niedriger ist als die Kollektorspannung der Transistoren Q2 und Q3 bei maximaler Verstärkung des Verstärkers A, wodurch die Schichtkondensatoren 01 und 02 immer entgegengesetzt vorgespannt sindo In diesem Schaltkreis v/erden Signale, die an dem Kollektor des Transistors Q2 erzeugt werden, durch den Schichtkondensator 01 und den Widerstand R6 geteilt und der Basis des Transistors Q4 zugeführt. In entsprechender Weise wird das Eingangssignal des Transistors Q5 von dem Transistor Q3 durch den Schichtkondensator 02 und den Widerstand R7 geteilt. as a higher voltage contact than that of any of the cathodes when the counter bias is applied to its pn junction is defined. Advantageously, the film capacitors have C1 and 02 have the same structure and the same characteristics. The upper end of the resistor R6 is connected to a node between the film capacitor 01 and the base of transistor Q4. The resistor R7 is correspondingly connected to the base of the transistor Q5 and advantageously has the same value as the resistance R6 on. Transistors Q4 and Q5 are biased through resistors R6 and R7 by a DC power source E. fed. This bias is set to be lower than the collector voltage of the transistors Q2 and Q3 at maximum gain of amplifier A, whereby the film capacitors 01 and 02 are always biased in opposite directions sindo In this circuit, signals generated at the collector of transistor Q2 are grounded by the Film capacitor 01 and resistor R6 shared and fed to the base of transistor Q4. In a corresponding way the input of transistor Q5 is divided by transistor Q3 by film capacitor 02 and resistor R7.

Wenn der Widerstand jedes Widerstands R6 und R7 durch Zr und die Impedanz jedes Schichtkondensators bei der Frequenz des Eingangssignals von dem Signalgenerator S durch Zc dargestellt werden, so ist die Amplitude eines jedem der Transi-If the resistance of each resistor R6 and R7 by Zr and the impedance of each film capacitor at the frequency of the input signal from the signal generator S are represented by Zc, the amplitude of each of the

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stören Q4 oder Q5 zugeführten Signals proportional zudisturb Q4 or Q5 supplied signal proportionally

ZrZr

2
"¹ 2
" ¹

Falls die Spannung der dem Transistor Q1 zügeführten Basisvorspannung abgesenkt wird, um die "Verstärkung des Verstärkers A zu verringern, so werden der Kollektorstrom der Verstärkertransistoren Q2 und Q3 und der Spannungsabfall über die Widerstände R2 und E3 verringert, und die Spannung an den Anoden der Schichtkondensatoren C1 und 02 nähert sich der Spannung der +Y..-Leitung, d.h., da die Spannung von der G-I eich stromquelle E konstant bleibt, wird die Gfegenvorspannung der Schichtkondensatoren C1 und 02 erhöht. Daher erhöht sich die Impedanz Zc und die Abschwächung der Signale, die den Ausgangstransistoren Q4 und Q5 zugeführt werden, wobei die Verringerung des Verstärkungsfaktors durch die Vergrößerung der Impedanz der Schichtkondensatoren C1 und C2 unterstützt wird. Mit anderen Worten wird die Steuerempfindlichkeit des Verstärkungsfaktors verbessert, da eine vorgegebene Veränderung der AG-C- Eiigangssignale zu einer vergrößerten Veränderung des Verstärkungsfaktors des Verstärkers A führt.If the voltage of the base bias applied to transistor Q1 is lowered in order to reduce the gain of the amplifier A, the collector current of the amplifier transistors Q2 and Q3 and the voltage drop across the resistors R2 and E3 decreased, and the voltage on the anodes of the film capacitors C1 and 02 approaches the voltage the + Y ..- line, i.e., since the voltage from the G-I calibrated current source E remains constant, the counter bias becomes the Layer capacitors C1 and 02 increased. Hence the increases Impedance Zc and the attenuation of the signals supplied to the output transistors Q4 and Q5, with the reduction the gain factor is supported by increasing the impedance of the film capacitors C1 and C2. With In other words, the gain control sensitivity is improved because a predetermined change in the AG-C input signals lead to an increased change in the Gain factor of amplifier A leads.

Ein weiteres Ausführungsbeispiel ist in fig. 2b dargestellt, bei dem das AG-C-Eingangssignal für den !Transistor Q1 als Spannungsquelle E1 und die G-leichspannungsquelle für die Vorspannung der Transistoren Q4 und Q5 als E2 gekennzeichnet sind. Bei einem Vg-g des Transistors Q1 von 0,7 V, mit einemAnother embodiment is shown in fig. 2b where the AG-C input for transistor Q1 as the voltage source E1 and the DC voltage source for the Biasing transistors Q4 and Q5 are labeled as E2. At a Vg-g of transistor Q1 of 0.7V, with a

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Widerstand R1 von 820Ji , bei einem innerhalb des Bereiches von 1,05 "V bis 1,40 V veränderbaren AGC-Eingangssignal E1, bei Widerständen R2 und R3 von jeweils 4,7 k Ii und bei einer Spannung von + 6 V relativ zum Erdpotential an der Leitung +V" , wenn das AG-C-Eingangssignal E1 1,05 V ist, ist der Strom durch den Widerstand R1 in der Größenordnung von 0,43 mA, der Spannungsabfall über den Widerständen R2 und R 3 bei etwa 1 V und die Anoden der Schichtkondensatoren C1 und 02 sind daher bei einem Potential von etwa + 5 V. Falls das Gleichspannungseingangssignal E2, das durch die Yiiderstände R6 und R7 mit einem Widerstand von jeweils 10 kΠ zugeführt wird, + 3 V beträgt, ist die Gegenvorspannung der Kondensatoren C1 und 02 in der Größenordnung von 2 V. Der Aufbau der Schichtkondensatoren C1 und 02 ist derart, daß sie mit dieser Gegenvorspannung jeweils eine Kapazität von 6 pl aufweisen. Palis nun die von dem Signalgenerator S erzeugten Eingangssignale eine Frequenz von 3,58 MEz aufweisen, so beträgt die Impedanz jedes KondensatorsResistance R1 of 820Ji, with one within range AGC input signal E1, variable from 1.05 "V to 1.40 V, at Resistors R2 and R3 of 4.7 k Ii each and at a voltage of + 6 V relative to the ground potential on the + V "line, when the AG-C input signal E1 is 1.05 V, the current is through the resistance R1 in the order of 0.43 mA, the voltage drop across the resistors R2 and R 3 at about 1 V and the anodes of the film capacitors C1 and 02 are therefore at a potential of about + 5 V. If the DC voltage input signal E2, which is fed through the resistors R6 and R7 with a resistance of 10 kΩ each, is + 3 V, The reverse bias of the capacitors C1 and 02 is of the order of 2 V. The structure of the film capacitors C1 and 02 is such that they are biased with this counter bias, respectively have a capacity of 6 pl. Palis now the one from the signal generator S generated input signals have a frequency of 3.58 MEz, the impedance of each capacitor is

01 und 02 7,42 kil, und die erhaltene Abschwächung der Ausgangssignale des Verstärkers A beträgt 4,8 dB.01 and 02 7.42 kilograms, and the resulting attenuation of the output signals of amplifier A is 4.8 dB.

Palis nun das AGC-Eingangssignal E1 zu 1,40 V geändert wird, so ändert sich der Strom durch den Widerstand R1 auf 0,86 mA, der Spannungsabfall über den Widerständen R2 und R3 auf 2 VPalis now the AGC input signal E1 is changed to 1.40 V, the current through resistor R1 changes to 0.86 mA and the voltage drop across resistors R2 and R3 changes to 2 V.

und das Potential an den Anoden der Kondensatoren 01 und 02 auf + 4 V, d.h. die Gegenvorspannung der Kondensatoren 01 undand the potential at the anodes of the capacitors 01 and 02 to + 4 V, i.e. the reverse bias of the capacitors 01 and

02 wird 1 V. Mit dieser Gegenvorspannung beträgt die Kapazität jedes Kondensators 01 und 02 10 pP und stellt eine Impedanz02 becomes 1 V. With this reverse bias, the capacitance of each capacitor 01 and 02 is 10 pP and represents an impedance

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_ 7 „_ 7 "

von 4,4 kit dar,und die erhaltene Abschwächung des Ausgangssignals des Verstärkers A beträgt 3,2 dB, d.h. 1,6 dB mehr als in dem Fall, wenn das AGC-Eingangssignal E1 1,05 V beträgt.of 4.4 kit and the attenuation of the output signal obtained of amplifier A is 3.2 dB, i.e. 1.6 dB more than when the AGC input signal E1 is 1.05 V.

Somit führen bei einer etwa 3C $igen Änderung des AGC-Eingangssignals die Kondensatoren C1 und C2 zu einer Veränderung von 1,6 dB beim Verstärkungsfaktor des Verstärkers, und die Steuerempfindlichkeit des erfindungsgemäßen Verstärkers ist verbessert. Weiterhin ergibt sich der Vorteil, daß die Kondensatoren C1 und C2 als Gleichspannungsentkopplung zwischen dem Verstärker A und den Transistoren Q4 und Q5 der nächsten Stufe wirken, und daher werden Probleme bei der Änderung der Gleichspannungswerte und der daraus folgenden Verzerrung oder Verformung der Signale in den nachfolgenden Stufen des Verstärkers vermieden.This leads to a 3C change in the AGC input signal capacitors C1 and C2 result in a 1.6 dB change in the gain of the amplifier, and the Control sensitivity of the amplifier according to the invention is improved. There is also the advantage that the capacitors C1 and C2 as DC voltage decoupling between the Amplifier A and the transistors Q4 and Q5 of the next stage work, and therefore problems arise in changing the DC voltage values and the resulting distortion or deformation of the signals in the subsequent stages of the amplifier avoided.

In der obigen Beschreibung ist die Erfindung im Hinblick auf sogenannte Gegentakt- oder negativ angesteuerte AGC-Schaltkreise beschrieben, jedoch ist die Arbeitsweise eines Schaltkreises im wesentlichen die gleiche mit einem sogenannten positiv angesteuerten AGC-Schaltkreis, bei dem die Verstärkung dadurch verringert wird, daß der Kollektorstrom der Verstärkertransistoren Q2 und Q3 erhöht wird. In diesem Fall, da ein erhöhter Kollektorstrom der Transistoren Q2 und Q3 zu einer verringerten Kollektorspannung führt, ist die Polarität jedes Schichtkondensators C1 und 02 gemäß Fig. 3 umgekehrt, und die durch die Gleichspannungsquelle E1 zugeführte Vorspan-In the above description, the invention is in terms of so-called push-pull or negatively driven AGC circuits described, however, the operation of a circuit is essentially the same with a so-called positive driven AGC circuit in which the gain is reduced by the collector current of the Amplifier transistors Q2 and Q3 is increased. In this case, there is an increased collector current of the transistors Q2 and Q3 too leads to a reduced collector voltage is the polarity each layer capacitor C1 and 02 according to FIG. 3 reversed, and the bias voltage supplied by the DC voltage source E1

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nung ist derart, daß die Spannung an den Anoden der Kondensatoren C1 und C2 niedriger ist als die Kollektorspannung der Transistoren Q2 und Q3 "bei maximaler Verstärkung des Verstärkers A und größer ist als die Kollektorspannung der Transistoren Q2 und Q3 bei minimaler Verstärkung des Verstärkers A.voltage is such that the voltage at the anodes of the capacitors C1 and C2 is lower than the collector voltage of the Transistors Q2 and Q3 "at maximum gain of amplifier A and is greater than the collector voltage of the transistors Q2 and Q3 with minimum gain of amplifier A.

In Fig. 4 ist der erfindungsgemäße Schaltkreis in Verbindung mit einem Verstärkersclialtkreis dargestellt. In dem Schaltkreis der Pig. 4 werden den Basen der Transistoren Q2 und Q3 Eingangssignale von dem Signalgenerator S wie oben zugeführt, und deren Emitter sind beide über einen Widerstand E1 mit Erde verbunden, wobei der Transistor Q1 der Mg. 2a weggelassen ist. Der Kollektor des Transistors Q2 ist mit dem gemeinsamen Emitterschaltkreis des IEU-Transistors Q6, dessen Kollektor mit der Anode des Kondensators C1 und mit der Leitung +V über einen Widerstand R2 verbunden ist, und des NPN-Transistors Q6^! verbunden, dessen Kollektor mit der Leitung +l_nn verbunden ist. Der Kollektor des Transistors Q3 ist mit dem gemeinsamen Emitterschaltkreis, bestehend aus ähnlich angeordneten NPI-Transistoren Q7 und Q7', verbunden. Eine feste Spannung E3 wird den Basen der Transistoren Q6' und Q7¹ zugeführt, und AG-C-Signale werden den Basen der Transistoren Q6 und Q7 zugeführt.4 shows the circuit according to the invention in connection with an amplifier circuit. In the circuit of the Pig. 4, the bases of the transistors Q2 and Q3 are inputted from the signal generator S as above, and their emitters are both connected to ground through a resistor E1, the transistor Q1 of the Mg. 2a being omitted. The collector of the transistor Q2 is connected to the common emitter circuit of the IEU transistor Q6, whose collector is connected to the anode of the capacitor C1 and to the line + V through a resistor R2, and the NPN transistor Q6 ^! connected, whose collector is connected to the line + l _nn . The collector of transistor Q3 is connected to the common emitter circuit consisting of similarly arranged NPI transistors Q7 and Q7 '. A fixed voltage E3 is applied to the bases of the transistors Q6 'and Q7 ¹ , and AG-C signals are applied to the bases of the transistors Q6 and Q7.

Obwohl in der Praxis vergleichsweise komplexe Verstärkerschaltkreise häufiger verwendet werden, ist der erfindungsgemäße Schaltkreis ebenfalls zur Verwendung in einem einfachenAlthough in practice comparatively complex amplifier circuits are used more often, the circuit according to the invention is also for use in a simple one

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Yerstärkersehaltkreis gemäß Fig. 5 geeignet. In diesem Schaltkreis werden die Eingangssignale von dem Signalgenerator S über einen Kondensator C der Basis eines FPU-Transistors Q8 zugeführt, dessen Emitter mit Erde über einen Widerstand R8 und dessen Kollektor mit der Leitung +Y über einen Wider-The amplifier circuit according to FIG. 5 is suitable. In this circuit the input signals from the signal generator S via a capacitor C become the base of an FPU transistor Q8 whose emitter is connected to earth via a resistor R8 and its collector with the line + Y via a resistor

C CC C

stand R7 und mit der Anode des Schichtkondensators C3 verbunden ist, dessen Kathode mit dem oberen Ende des Widerstandes RO, über den eine Spannung durch eine feste Spannungsquelle E4 anliegt, und mit der Basis eines UPI-Transistors Q9 verbunden ist, der die nächste Stufe bildet und dessen Kollektor mit der leitung +Y_nn und dessen Emitter über einen Widerstand R8' mitstood R7 and is connected to the anode of the film capacitor C3, the cathode of which is connected to the upper end of the resistor RO, across which a voltage is applied by a fixed voltage source E4, and to the base of a UPI transistor Q9, which forms the next stage and its collector with the line + Y _nn and its emitter via a resistor R8 'with

CCCC

Erde verbunden ist. Das AG-C-Eingangssignal wird der Basis des Transistors Q8 über einen Schaltungspunkt zwischen dem Kondensator C und der Basis des Transistors Q8 zugeführt, und das Eingangssignal für eine nachfolgende Stufe wird von dem Emitterschaltkreis des Transistors Q9 abgenommen. Im Rahmen der Erfindung kann jede Polarität der Kondensatoren 01, C2 und 03 gemäß Fig. 3 umgekehrt werden, wenn ein AGrC-Gregentakt-Schaltkreis in den Schaltkreisen der Fig. 4 und 5 verwendet wird.Earth is connected. The AG-C input signal becomes the base of the Transistor Q8 across a node between the capacitor C and the base of transistor Q8, and the input for a subsequent stage is from the emitter circuit of transistor Q9 removed. Within the scope of the invention, any polarity of the capacitors 01, C2 and 03 3 can be reversed when an AGrC-Gregentakt circuit is used in the circuits of Figs.

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Claims

1.) Controllable amplifier for AC input signals with at least one output circuit whose output signal is fed to a downstream output stage, and with a control stage that sends a control signal to the output circuit to change the gain to stabilize the amplitude of the output signal in a certain range, characterized in that the output circuit (Q2, Q3, H2, R3) is an amplifier control circuit (01, 02, R6, R7, E; 03, EO, 14) with at least one Semiconductor layer capacitor (01, 02, 03) or capacitance diode which has a constant voltage applied to its two contacts and whose capacity is determined by the control stage (Q1, R1) is decreased to lower the gain of the amplifier and attenuate the output signal.

2. Amplifier according to claim 1, characterized in that g e k e η η ζ calibrates that the input signal generated by the control stage (Q1, R1) is automatically proportional to the Y / alternating current output signal can be generated.

3. Amplifier according to claim 1, characterized in that that generated by the control stage (Q1, R1) Input signal automatically proportional to the output

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signal of the amplifier can be generated.

4. Amplifier according to one of claims 1 to 3 _}, characterized in that the output circuit has an ITPIT transistor (Q2, Q3, Q8) whose collector is connected to a line (+ via a first resistor (R2 or R3 or R7)) Y) is connected, which is at a first potential

C C

level relative to the earth potential is that the output stage (Q4, Q5, Q9) to the collector of the transistor (Q2, Q3, Q8) Formation of an automatic G-clock power amplifier is connected to with decreasing collector current of the transistor (Q2, Q3, Q8) to increase the gain factor, with the AC voltage input signals the base of the transistor (Q1, Q8) and that the cathode of the film capacitor (01, 02, 03) to the collector of transistor (Q2, Q3, Q8) and the anode with the output stage (Q4, Q5) via a switching point is connected, which is held at a second potential level, which is lower than the potential level of the Collector of transistor (Q2, Q3, Q8) at maximum gain of the amplifier.

5. Amplifier according to one of claims 1 to 3, characterized in that the output circuit has a UPU transistor (Q2, Q3, Q8) whose collector is connected to a line (+ V _n ) is connected, which is at a first potential level

relative to the earth potential is that the output stage (Q4, Q5, Q9)

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with the collector of the transistor (Q2, Q3, Q8) to form
an automatic output stage is connected to increase the gain factor as the collector current of the transistor (Q2, Q3, Q8) increases, the AC voltage input signals being fed to the base of the transistor (Q1, Q8) and the cathode of the film capacitor (C1 , C2, C3) is connected to the collector of the transistor (Q2, Q3, Q8) and the anode is connected to the output stage (Q4> Q5, Q9) via a switching point which is kept at a second potential level which is lower than the potential level of the collector of the transistor (Q2, Q3, Q8) at the maximum gain of the amplifier and which is higher than the potential level of the collector of the transistor (Q2, Q3, Q8) at the minimum gain of the amplifier.

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L e e r s e i f eL e r s e i f e