DE2543752B2 - Method and apparatus for producing a single crystal - Google Patents

Method and apparatus for producing a single crystal

Info

Publication number
DE2543752B2
DE2543752B2 DE19752543752 DE2543752A DE2543752B2 DE 2543752 B2 DE2543752 B2 DE 2543752B2 DE 19752543752 DE19752543752 DE 19752543752 DE 2543752 A DE2543752 A DE 2543752A DE 2543752 B2 DE2543752 B2 DE 2543752B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
crucible
melt
seed crystal
opening
ampoule
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19752543752
Other languages
German (de)
Other versions
DE2543752A1 (en
Inventor
Klaus Dr.-Ing. 6078 Neu-Isenburg Gillessen
Albert J. 6078 Neu-Isenburg Marshall
Karl-Heinz 6054 Oberroden Schuller
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Licentia Patent Verwaltungs GmbH filed Critical Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority to DE19752543752 priority Critical patent/DE2543752B2/en
Priority to JP11842476A priority patent/JPS5243786A/en
Publication of DE2543752A1 publication Critical patent/DE2543752A1/en
Publication of DE2543752B2 publication Critical patent/DE2543752B2/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/002Crucibles or containers for supporting the melt
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/04Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
    • C30B11/06Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt at least one but not all components of the crystal composition being added

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Description

Tiegel β«? einem Material gesteht, dessen Oberfläche von-der Schmelze nicht benetzt wird, kann diese nicht zwischen den Keimkristall und den Tiege|boden laufen, Selbst wenn der Kristall spezifisch leichter als die Schmelze ist, wird der Keimkristall sicher am Tiegelboden gehalten. Durch vorsichtiges Einjustieren wird vor der Kristallabscheidung zunächst die Schmelze gebildet, ohne daß der Impfkristall sich auflöst Es ist darauf zu achten, daß der Temperaturgradient an der Grenzfläche zwischen Keimkristall und Schmelze möglichst groß ist Dazu ist ein Wärmeleitkörper (6) am Tiegelboden angebracht, der mit einer Längsbohrung versehen ist " um die durch die Öffnung (3) entweichende Luft durchzulassen. ,Crucible β «? confesses to a material, its surface is not wetted by the melt, it cannot run between the seed crystal and the bottom of the basin, Even if the crystal is specifically lighter than the melt, the seed crystal is securely attached to the bottom of the crucible held. The melt is first formed by careful adjustment before the crystal is deposited, without the seed crystal dissolving. It is approaching ensure that the temperature gradient at the interface between the seed crystal and the melt is as large as possible attached, which is provided with a longitudinal hole " around the air escaping through the opening (3) to let through. ,

Bei dem Ausführungsbeispiel nach Fig, 2 besteht der is Wärmeleitkörper (6) aus einem porösen Material und bildet gleichzeitig den Tiegelboden. In diesem Fall können die; Öffnung im Tiegelboden und die Längsbohrung im Wärmeleitkörper entfallen. Der Unterdruck am Tiegelboden bildet sich über die Poren des Wärmeleitkörpers aus.In the embodiment according to FIG. 2, the is Heat conducting body (6) made of a porous material and at the same time forms the crucible bottom. In this case can they; Opening in the bottom of the crucible and the longitudinal bore omitted in the heat conducting body. The negative pressure at the bottom of the crucible is created through the pores of the heat conducting body the end.

Pie Durebfphrung des Verfahrens sqII anhand eines Beispiels, und zwar Galliumarsenid, erläutert wwden. Der Tjfcge! (1) wird mittel? der Induktionsspule (5> so erhitzt daß die Schmelze (?) eine Temperatur oberhalb des Schmelzpunktes (1238"C) annimmt der Keimkristall (4) aber nicht aufschmilzt Dazu muß sich die Tiegelunterseite so in einem Temperaturgradienten befinden, daß die Schmelzisotherme gerade in Höhe der Kristalloberksmte liegt Um eine Zersetzung der Schmelze zu vermeiden, befindet sich die gesamte Anordnung in einem abgeschlossenen Gefäß, in dem mit einem Arsenreservoir bei ca. 610° C der Gleichgewichtsdruck über geschmolzenem Galliumarsenid (0,97 at) aufrechterhalten wird. Nun wird die gesamte Anordnung langsam abgesenkt so daß die Schmelze in Bereiche niedrigerer Temperatur gelangt und kontrolliert erstarrt Durch die Vorgabe des Keimkristalls (4) wird erreicht daß sich ein Einkristall bildet Alternativ kann auch die Induktionsspule nach oben verschoben werden, um die gleiche Wirkung zu erzielen.Pie implementation of the sqII procedure using a For example, gallium arsenide, explained. The Tjfcge! (1) will be medium? the induction coil (5> so heated that the melt (?) a temperature above The seed crystal assumes the melting point (1238 "C) (4) but does not melt. For this purpose, the underside of the crucible must be in a temperature gradient find that the melting isotherm is just at the level of the crystal peak To avoid melt, the entire arrangement is in a closed vessel in which with an arsenic reservoir at approx. 610 ° C, the equilibrium pressure above molten gallium arsenide (0.97 at) is maintained. Now the entire arrangement is slowly lowered so that the melt in Areas of lower temperature arrives and solidifies in a controlled manner Due to the specification of the seed crystal (4) it is achieved that a single crystal is formed. Alternatively, the induction coil can also be moved upwards to achieve the same effect.

Hierzu 2 Blatt ZeichnungenFor this purpose 2 sheets of drawings

Claims (4)

g.FpSiT-: IC-ϊϊ* JTf-^iT JfFiI,^ *^-|S53C( . - S T.? !7-.i^M ΙΙΪ.-ΪΪ J-IfTJiUg.FpSiT-: IC- ϊϊ * JTf- ^ iT JfFiI, ^ * ^ - | S53C ( V £ . - S T.?! 7-.i ^ M ΙΙΪ.-ΪΪ J-IfTJiU g βΊίίβ ήηijjf.e i'c .ji jie:t£djjB 'njaft:'yortieip ■ Eyakuie^ ren auf den' Boden desi aiis ein^ von der Sphroelie nicht benetzbaren Material bestehenden Tiegels (1) einen; flächigen^;;den^ /negejboden bedeckenäön Keimkristall (4) bringt und zum Schmelzen des zu kristallisierenden Materials (2) die Tiegelunterseite so in den Temperaturgradienten einbringt, daß die Schmelzisotherme gerade in Höhe der Keimkristall-! Oberkante liegt ■ ';..:■■'g βΊίίβ ήηijjf.e i'c .ji jie: t £ djjB 'njaft:' yortieip ■ Eyakuie ^ ren on the 'floor desi aiis a ^ of the Sphroelie non-wettable material existing crucible (1); flat ^ ;; cover the ^ / negejbodenäön Brings seed crystal (4) and the bottom of the crucible to melt the material to be crystallized (2) so introduces into the temperature gradient that the melting isotherm is just at the level of the seed crystal! Upper edge lies ■ '; ..: ■■' 2. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach A5TCgJrUCh 1, bestehend aus einem Tiegel, der in einer Ampulle angeordnet ist, aus einem durch die Schmelze nicht benetzbarem Material besteht und bodenseitig mindestens eine öffnung aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß unterhalb des Tiegelbodens ein Wärmeleitkörper (6) vorgesehen ist 2. Device for carrying out the method according to A 5 TCgJrUCh 1, consisting of a crucible which is arranged in an ampoule, consists of a material which cannot be wetted by the melt and has at least one opening on the bottom, characterized in that a heat conducting body below the crucible bottom (6) is provided 3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Wärmeleitkörper (6) aus porösem Material besteht und den Tiegelboden bildet3. Device according to claim 2, characterized in that that the heat conducting body (6) consists of porous material and forms the crucible bottom 4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Wärmeleitkörper (6) aus Graphit besteht4. Apparatus according to claim 3, characterized in that the heat conducting body (6) made of graphite consists Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen eines Einkristalles, wobei man in einem Tiegel mit wenigstens einer Öffnung im Boden das zu kristallisierende Material zusammen mit einem Keimkristall in eine Ampulle bringt, die Ampulle evakuiert, das zu kristallisierende Material schmilzt und die Ampulle mit dem Tiegel in einem Temperaturgradienten absenktThe invention relates to a method for producing a single crystal, wherein one in a Crucible with at least one opening in the bottom, the material to be crystallized together with a seed crystal brings into an ampoule, evacuates the ampoule, melts the material to be crystallized and the Ampoule with the crucible is lowered in a temperature gradient Dieses Verfahren ist aus der AT-PS 2 99 127 bekanntgeworden und wird als Bridgman-Verfahren bezeichnetThis process has become known from AT-PS 2 99 127 and is known as the Bridgman process designated Bei diesem Verfahren zur Herstellung von Einkristallen wird die in einem Tiegel befindliche Schmelze längs eines Temperaturgradienten derart bewegt, daß ein Kristall vom Boden des Tiegels her in der Schmelze wächst Dazu wird entweder bei feststehendem Tiegel der Ofen relativ zu dem Tiegel bewegt oder der Tiegel in dem Ofen vertikal abgesenkt Damit Oberhaupt die Bildung eines Einkristalls möglich ist, wird der Tiegelboden konusförmig ausgebildet oder gegebenenfalls zusätzlich mit einer oberhalb der Konusspitze liegenden Einschnürung versehen. Bei vielen Materia· lien, wie z. B. Galliumarsenid, Eisenoxid oder Calcium-Wolframat, wird jedoch kein einheitlicher Einkristall erhalten, sondern es bilden sich nur polykristalline Bereiche aus. Das bekannte Verfahren würde sich durch Verwendung eines Impfkristalls wesentlich verbessern lassen. Offenbar führte bisher jedoch die Halterung eines Impfkristalls vor Beginn des Wachstums in der Schmelze zu erheblichen Schwierigkeiten.In this process for the production of single crystals, the melt in a crucible is longitudinal a temperature gradient moved so that a crystal from the bottom of the crucible ago in the melt grows For this purpose, either the furnace or the crucible is moved relative to the crucible with the crucible stationary lowered vertically in the furnace So that the formation of a single crystal is possible, the The crucible bottom is conical or optionally additionally provided with a constriction above the cone tip. With many materia lien, such as B. gallium arsenide, iron oxide or calcium tungstate, however, no uniform single crystal is obtained, only polycrystalline crystals are formed Areas off. The known method would be significantly improved by using a seed crystal permit. Apparently, however, the holding of a seed crystal before the start of growth in the Melt into significant difficulties. Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, das vorgenannte Verfahren so auszugestalten, daß dasThe invention is therefore based on the object of designing the aforementioned method so that the y*ifehjrensj?be|tehend äjis einem^^^el; Se^ m; emfer Ampulle angeordnet ist, aus einem durch die Schmelze nicht benetzbaren Material besteht und bodenseitig mindestens eine öffnung aufweist Eine derartige Vornohtuhg^ ist; ebenfalls aus; fe AT-PS 299 127 bekanntgeworden. . L ^iy * ifehjrensj? be | tehend ajis a ^^^ el; Se ^ m; emfer The ampoule is arranged, consists of a material that cannot be wetted by the melt and is on the bottom has at least one opening. Such a Vornohtuhg ^ is; also off; fe AT-PS 299 127 known. . L ^ i Ausgehend von ,dieser Vorrichtung ist" gemäß der Erfindung unterhalb des Tiegelbodens ein Wärmeleitkörper vorgesehen.Based on, this device is "according to the Invention provided below the crucible bottom, a heat conducting body. Auf dem Tiegelboden liegt dabei der flächige Keimkristall, wobei die zwischen dem Keimkristall und dem Tiegelboden befindliche Luft über den porösen Boden entweichen kann. Da der Tiegel aus einem Material besteht, deren Oberfläche von keinem der zur Anwendung kommenden Stoffe praktisch benetzt wird, wird dabei vermieden, daß die Schmelze zwischen den Keimkristall und den Tiegelboden läuft, so daß der Keimkristall sicher haftetThe flat one lies on the bottom of the pan Seed crystal, with the air located between the seed crystal and the crucible bottom over the porous Soil can escape. Since the crucible is made of a material, the surface of which does not depend on any of the Application coming substances is practically wetted, it is avoided that the melt between the Seed crystal and the crucible bottom runs so that the seed crystal adheres securely Der WärmeJeitkörper sorgt dafür, daß der Keimkristall unterhalb der Schmelze vor Beginn des Wachstums bestehen bleibtThe heat junction ensures that the seed crystal persists below the melt before growth begins Wenn der Wärmeleitkörper aus einem porösen Material besteht, das von der Schmelze nicht benetzt wird, z. B. Graphit kann er gleichzeitig den Tiegelboden bilden.When the heat conducting body consists of a porous material that does not wet from the melt will, e.g. B. graphite he can at the same time the crucible bottom form. Der Tiegel besteht vorzugsweise aus glasartiger Kohle, deren Oberfläche vcn ksinem der zur Anwendung kommenden Materialien praktisch benetzt wird. Der glasartige Kohlenstoff ist eine spezielle Art undurchlässiger Kohlenstoff-Formkörper. Er zeigt ein glasartiges Aussehen und weist die Vor- und Nachteile von Kohlenstoff und Glas auf. Die Formkörper aus glasartigem Kohlenstoff lassen sich mit einem hohen Reinheitsgrad herstellen.The crucible is preferably made of vitreous carbon, the surface of which is suitable for use coming materials is practically wetted. Vitreous carbon is a special kind impermeable carbon molded body. It shows a glass-like appearance and has the advantages and disadvantages of carbon and glass. The moldings made of vitreous carbon can be with a high Establish degree of purity. Zur Herstellung dient ein organisches Polymeres, wie z. B. Furanharz, Phenolharz oder Styrolharz, das in einer inerten Atmosphäre auf Temperaturen zwischen 1000 und 2000° C erhitzt wird, wodurch eine Umwandlung in den glasartigen Kohlenstoff stattfindetAn organic polymer is used for production, such as. B. furan resin, phenolic resin or styrene resin in a inert atmosphere is heated to temperatures between 1000 and 2000 ° C, whereby a conversion into the vitreous carbon takes place Das Wesen der Erfindung soll anhand zweier Figuren näher erläutert werden. In den Figuren sind gleiche Teile mit den gleichen Bezugszeichen versehen.The essence of the invention will be explained in more detail with reference to two figures. In the figures are the same Parts are given the same reference numerals. in einem Tiegel (1) befindet sich die Schmelze (2), während am Tiegelboden eine öffnung (3) vorgesehen ist, über welcher der Keimkristall (4) liegt Zur Beheizung der Schmelze ist eine Induktionsspule (5) vorgesehen. Aus Gründen der Übersichtlichkeit wurden die weiteren Bestandteile der Ziehapparatur, wie z. B. eine Vorrichtung zum Absenken der Anordnung, nicht dargestellt Es soll jedoch insbesondere darauf hingewiesen werden, daß sich die in der Figur dargestellte Tiegelanordnung in einem evakuierbaren Gefäß befindet oder zumindest im Bereich der öffnung (3) evakuierbar ist Auf diese Weise kann die zwischen dem Impfkristall und der Auflagefläche des Tiegelbodens befindliche Luft fiber die öffnung (3) entweichen. Da derThe melt (2) is located in a crucible (1), while an opening (3) is provided on the bottom of the crucible over which the seed crystal (4) lies. An induction coil (5) is required to heat the melt. intended. For the sake of clarity, the other components of the drawing apparatus, such as. B. a device for lowering the arrangement, not shown. However, it should be pointed out in particular that the crucible arrangement shown in the figure is in an evacuable vessel or at least in the area of the opening (3) can be evacuated. In this way, the between the The seed crystal and the air located on the surface of the crucible bottom escape through the opening (3). Since the
DE19752543752 1975-10-01 1975-10-01 Method and apparatus for producing a single crystal Withdrawn DE2543752B2 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19752543752 DE2543752B2 (en) 1975-10-01 1975-10-01 Method and apparatus for producing a single crystal
JP11842476A JPS5243786A (en) 1975-10-01 1976-10-01 Apparatus for making sigle crystals

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19752543752 DE2543752B2 (en) 1975-10-01 1975-10-01 Method and apparatus for producing a single crystal

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2543752A1 DE2543752A1 (en) 1977-04-07
DE2543752B2 true DE2543752B2 (en) 1979-03-15

Family

ID=5957931

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19752543752 Withdrawn DE2543752B2 (en) 1975-10-01 1975-10-01 Method and apparatus for producing a single crystal

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE2543752B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3026661A1 (en) * 1980-07-14 1982-02-11 Aleksandr Ivanovič Vladimir Gridnev Single crystal pulling from multicomponent alloys - using specified disc for joining-seed holder to cooler

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4224100A (en) * 1978-06-16 1980-09-23 Litton Systems, Inc. Method and apparatus for making crystals
US5342475A (en) * 1991-06-07 1994-08-30 The Furukawa Electric Co., Ltd. Method of growing single crystal of compound semiconductor
JP3119306B1 (en) * 1999-08-02 2000-12-18 住友電気工業株式会社 Crystal growth container and crystal growth method
FR2853913B1 (en) * 2003-04-17 2006-09-29 Apollon Solar CUTTER FOR A DEVICE FOR MANUFACTURING A BLOCK OF CRYSTALLINE MATERIAL AND METHOD OF MANUFACTURE
FR2895749B1 (en) * 2006-01-04 2008-05-02 Apollon Solar Soc Par Actions DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING BLOCK OF CRYSTALLINE MATERIAL

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3026661A1 (en) * 1980-07-14 1982-02-11 Aleksandr Ivanovič Vladimir Gridnev Single crystal pulling from multicomponent alloys - using specified disc for joining-seed holder to cooler

Also Published As

Publication number Publication date
DE2543752A1 (en) 1977-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2039172C3 (en) Device for producing layers of semiconductor material epitaxially grown on a monocrystalline semiconductor substrate
DE19580737C2 (en) Method and device for producing connecting single crystals
DE69713664T2 (en) Method and device for producing monocrystalline silicon carbide (SiC) on a seed crystal
DE2543752B2 (en) Method and apparatus for producing a single crystal
DE112006002595T5 (en) Manufacturing apparatus and method of manufacturing a single crystal semiconductor
DE112010003035T5 (en) Method and apparatus for producing a semiconductor crystal, and semiconductor crystal
DE3814259A1 (en) METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING A SINGLE CRYSTAL OF A CONNECTION SEMICONDUCTOR
DE2620030A1 (en) METHOD OF PULLING CRYSTALS FROM THE MELT
DE3017392C2 (en) Method and device for the production of flat, transparent, low-bubble bodies made of quartz glass
DE2546246C2 (en) Method and apparatus for pulling a rod-shaped single crystal
DE1941968C3 (en) Method and device for the production of single crystals
DE2114645B2 (en) Process for epitaxially growing a semiconductor compound
DE3321201C2 (en) Crucible for crystal pulling
DE2110961B2 (en) Method for the epitaxial growth of a ternary HI-V mixed crystal
EP3464688B1 (en) Method for producing a semiconductor wafer of monocrystalline silicon and device for producing a semiconductor wafer of monocrystalline silicon
DE1289832B (en) Device for the production of flat surfaces of semiconductor crystal layers deposited from the gas phase
DE2060673C3 (en) Apparatus for the production of phosphides
DE2133875A1 (en) Monocrystals of volatile compounds - grown under blanketing liquid to produce semiconductor with low dislocation density
DE2317131C3 (en) Process for the production of molded bodies made of silicon or silicon carbide
DE2543837A1 (en) Single crystal growing crucible - made of non-wettable material with planar seed crystal on perforated bottom
DE1033911B (en) Process for growing single crystals from semiconductor raw materials, in particular from germanium
DE853800C (en) Method and apparatus for manufacturing objects from fused quartz
DE102014207149A1 (en) Apparatus and method for producing a single crystal of silicon
DE2538946C3 (en) Method and apparatus for producing a single crystal
DE1769659C (en) Device for growing single crystals

Legal Events

Date Code Title Description
BI Miscellaneous see part 2
BHJ Nonpayment of the annual fee