DE2533577A1 - DEVICE FOR MONITORING ELECTRICAL VOLTAGE - Google Patents

DEVICE FOR MONITORING ELECTRICAL VOLTAGE

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Description

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SOCIETE INTERNATIONALE DE MECANIQUE INDUSTRIELLE 37, rue Notre-Dame, LUXEMBOURG SOCIETE INTERNATIONALE DE MECANIQUE INDUSTRIELLE 37, rue Notre-Dame, LUXEMBOURG

Vorrichtung zum Überwachen einer elektrischen SpannungDevice for monitoring an electrical voltage

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Überwachen einer elektrischen Spannung, d.h. eine Vorrichtung, die Anzeigeoder Steuereinrichtungen enthält, die zumindest beim Überschreiten einer vorgegebenen Grenzspannung ansprechen.The invention relates to a device for monitoring an electrical voltage, i.e. a device that displays or Contains control devices that respond at least when a predetermined limit voltage is exceeded.

Es gibt bereits Vorrichtungen zum Überwachen eines Spannungsbereiches, bei der zwei Zenerdioden vorhanden sind, deren Durchbruchsspannungen den Grenzen des zu überwachenden Spannungsbereiches entsprechen. Diese Vorrichtungen können nicht eingestellt werden und benötigen deshalb für jede zu überwachende Spannungsgrenze eine richtig vorgegebene Zenerdiode. Ferner, da die Kennwerte der von den Herstellern gelieferten Zenerdioden einer Streuung unterliegen, ist eine solche Vorrichtung nur von minderer Genauigkeit.There are already devices for monitoring a voltage range in which two Zener diodes are present, their breakdown voltages correspond to the limits of the voltage range to be monitored. These devices cannot be adjusted and therefore need a correctly specified Zener diode for each voltage limit to be monitored. Further, Since the characteristic values of the Zener diodes supplied by the manufacturers are subject to scatter, such a device is only from inferior accuracy.

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Eingesandte Modelle werden nach 2 Monaten, falls nicht zurückgefordert, vernichtet Mündliche Abreden, insbesondere durch Fernsprecher, bedürfen schriftlicher Bestätigung. — Die in Rechnung gestellten Kosten sind mit Redinungsdatum ohne Abzug fällig. — Bei verspäteter Zahlung werden Bankzinsen berechnetModels sent in will be destroyed after 2 months, if not reclaimed. Oral agreements, especially by telephone, require a written one Confirmation. - The invoiced costs are due without deduction on the redemption date. - In the event of late payment, bank interest will be charged

Gerichtsstand und Erfüllungsort Bremen. Bremer Bank, Bremen, Nr. 2310028 · Die Sparkasse In Bremen, Nr. 1045855 · AIIg. Deutsche Credlt-Anstalt, Bremen, Nr. 202 598 · Postscheckkonto: Hamburg 33952-202Jurisdiction and place of performance Bremen. Bremer Bank, Bremen, No. 2310028 · Die Sparkasse In Bremen, No. 1045855 · AIIg. Deutsche Credlt-Anstalt, Bremen, No. 202 598 · Postal checking account: Hamburg 33952-202

Eine Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Vorrichtung zur Überwachung einer elektrischen Spannung anzugeben, die die erwähnten Nachteile nicht aufweist und als integrierter Schaltkreis ausgestaltet sein kann.One object of the invention is to provide a device for monitoring specify an electrical voltage that does not have the disadvantages mentioned and designed as an integrated circuit can be.

Ein Lösungsmittel dieser Aufgabe wird durch den Anspruch 1 angegeben.A solvent for this object is given by claim 1.

Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ist die Basis des Steuertransistors mit dem Kollektor eines zweiten Steuertranstistors verbunden, dessen Emitter mit der negativen Anschlußklemme der Vorrichtung und dessen Basis über eine zweite Zenerdiode mit einem zweiten einstellbaren Spannungsteiler, der mit den beiden Anschlußklemmen der Vorrichtung verbunden ist, verbunden. Der zweite Spannungsteiler so eingestellt, daß die zweite Zenerdiode leitend wird, wenn die Spannung an den Anschlußklemmen der Vorrichtung einen zweiten vorgegebenen Wert E0, der grosser istIn an advantageous embodiment of the invention, the base of the control transistor is connected to the collector of a second control transistor, the emitter of which is connected to the negative connection terminal of the device and the base of which is connected via a second Zener diode to a second adjustable voltage divider which is connected to the two connection terminals of the device. tied together. The second voltage divider is set in such a way that the second Zener diode becomes conductive when the voltage at the connection terminals of the device has a second predetermined value E 0 , which is greater

1 > 1 >

als E , überschreitet. Die Zwischenschaltung einer Zenerdiode zwischen den Steuertransistor und den Spannungsteiler hat den Vorteil, daß dadurch eine Schwelle für eine freie Auslösung gegeben ist.as E, exceeds. The interposition of a zener diode between the control transistor and the voltage divider has the advantage that it creates a threshold for free tripping given is.

Vorzugsweise sind im Hinblick auf die Ausgestaltung als integrierter Schaltkreis die Zenerdioden Transistoren, die als umgekehrte Dioden geschaltet werden, wodurch sich ferner der Vorteil ergibt, daß die Temperaturdrift der Schwelle der Steuertransistoren kompensiert wird, wenn man . als Zenerdioden identische Transistoren wählt.Preferably, in terms of the design, they are more integrated Circuit the Zener diodes transistors that are connected as reverse diodes, which also has the advantage that the Temperature drift of the threshold of the control transistors compensated will if one. selects identical transistors as zener diodes.

Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung bestehen die Spannungsteiler aus einem festen Widerstand, der mit der positiven Anschlußklemme verbunden ist, und aus einem einstellbaren Widerstand, der mit der negativen Anschlußklemme verbunden ist, wobei die entsprechenden Zenerdioden an dem Verbindungspunkt der beiden Widerstände angeschlossen sind.In an advantageous embodiment of the invention, there are Voltage divider consisting of a fixed resistor connected to the positive terminal and an adjustable resistor, which is connected to the negative terminal, with the corresponding Zener diodes at the junction of the two Resistors are connected.

Bei einer Weiterbildung der Erfindung ist der Leistungstransistor in der Form einer Darlington-Schaltung vorgesehen.In a further development of the invention, the power transistor is provided in the form of a Darlington circuit.

Eine solche Anordnung hat den Vorteil, daß man eine Stromverstärkung erhält, die über der bei einem einzigen Transistor liegt, und infolgedessen dadurch die abgegebene Uärmeenergie verringert.Such an arrangement has the advantage that a current gain is obtained which is higher than that of a single transistor, and consequently the heat energy emitted as a result decreased.

Ferner ist eine zweistufige Verstärkerkette zwischen den Kollektor des ersten Steuertransistors und der Basis der Darlington-Schaltung .There is also a two-stage amplifier chain between the collector of the first control transistor and the base of the Darlington pair .

Diese Ausfuhrungsform ist besonders gut für eine Ausbildung als integrierter Schaltkreis geeignet, da die integrierten Transistoren kleinere Spannungsverstärkungen haben, als einzelne Transistoren. Die Verstärkungskette ist notwendig, um mit schwachen Transistoren die exklusiven Zustände entweder gesperrt oder gesättigt für die Darlington-Schaltung zu erzielen.This embodiment is particularly good for training as Integrated circuit is suitable because the integrated transistors have smaller voltage amplifications than individual transistors. The amplification chain is necessary in order to either block or saturate the exclusive states with weak transistors for the Darlington pair.

Ferner wird über einen G-egenkopplungszweig, der aus einem Widerstand besteht, der Emitter des ersten Transistors, der die Zenerdiode bildet, mit dem Kollektor des ersten Transistors der Verstärkerkette verbunden. Über einen zweiten Gegenkopplungszweig, der aus einem Widerstand besteht, wird der Emitter des zweiten Transistors, der die Zenerdiode bildet, mit dem Kollektor des ersten Steuertransistors verbunden.Furthermore, a common coupling branch, which consists of a resistor consists, the emitter of the first transistor, which forms the Zener diode, with the collector of the first transistor of the amplifier chain tied together. A second negative feedback branch, which consists of a resistor, becomes the emitter of the second Transistor which forms the Zener diode, connected to the collector of the first control transistor.

Durch die Gegenkopplungsschaltung wird das Umschalten verbessert und Selbstschwingungen werden dadurch unterdrückt, sodaß man einen freien Übergang vom gesperrten in den leitenden Zustand erhält.The switching is improved by the negative feedback circuit and self-oscillations are thereby suppressed, so that one receives a free transition from the blocked to the conductive state.

Ferner enthält die Vorrichtung einen Kondensator, der parallel zu den beiden Anschlußklemmen geschaltet ist.The device also contains a capacitor which is connected in parallel to the two connecting terminals.

Durch diesen Kondensator wird die Zeitkonstante der Vorrichtung vergrössert und die Vorrichtung wird dadurch gegenüber der Wirkung von Signalen kurzer Dauer, wie z.B. von Störungen, unempfindlich gemacht.With this capacitor, the time constant of the device is increased and the device is thereby opposed to the effect made insensitive to signals of short duration, such as interference.

Bei einer geeigneten Ausgestaltung wird die Vorrichtung mit Ausnahme der Anzeigeeinrichtung und des Kondensators als hybride,In a suitable configuration, the device is with exception the display device and the capacitor as hybrid,

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INSPECTEDINSPECTED

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integrierte Schaltung ausgebildet, wobei die einstellbaren Widerstände in der Form von dünnen oder dicken Schichten oder als plattiertes Schaltelement vorliegen. Der Rest der Schaltung ist als integrierte Schaltung ausgebildet.integrated circuit formed, the adjustable resistors in the form of thin or thick layers or as a plated circuit element. The rest of the circuit is designed as an integrated circuit.

Neben dem Vorteil der Miniaturisierung wird durch diese Ausbildungsform der Nachteil vermieden, der durch die Streuung der Kennwerte der einzelnen Komponenten in Bezug auf die vom Hersteller angegebenen Werte gegeben ist.In addition to the advantage of miniaturization, this form of training the disadvantage avoided due to the scatter of the characteristic values of the individual components in relation to those specified by the manufacturer Values is given.

Um den Schaltkreis einzustellen baut man diesen ein und legt eine veränderbare Versorgungsspannung an. Die einstellbaren Widerstände werden auf solche Werte eingestellt, daß die Zenerdioden nur dann leitend werden, wenn die Versorgungsspannung die erwähnten, vorgegebenen Werte überschreitet.To set up the circuit, you build it in and place a changeable supply voltage. The adjustable resistors are set to such values that the Zener diodes only become conductive when the supply voltage exceeds the specified values mentioned.

Eine Zielsetzung der Erfindung besteht in der Schaffung einer Ausführungsform der oben beschriebenen Vorrichtung mit zwei Schwellen E und E , die besonders gut für die Überwachung der Spannung einer Kraftfahrzeugbatterie geeignet ist. Im Folgenden wird angenommen, daß der Lastwiderstand durch eine Anzeigelampe gebildet wird, die am Instrumentenbrett eines Fahrzeuges angeordnet ist. Die Erfindung ist jedoch in keiner Weise auf diese besondere Ausführungsform begrenzt, da der Lastwiderstand genau so gut durch eine Steuereinrichtung oder eine Anzeigeeinrichtung einer anderen Art gebildet sein kann.It is an object of the invention to provide an embodiment the device described above with two thresholds E and E, which are particularly good for monitoring the voltage of a Motor vehicle battery is suitable. In the following it is assumed that the load resistance is formed by an indicator lamp which is arranged on the instrument panel of a vehicle. The invention however, is in no way specific to this particular embodiment limited, since the load resistance is just as well formed by a control device or a display device of another type can be.

Das Problem der Überwachung der Spannung einer Batterie stellt sich in der folgenden Weise.The problem of monitoring the voltage of a battery arises in the following way.

Zuerst, bei eingeschalteter Zündung, läuft der Motor nicht, sodaß die Batterie ihre Ruhespannung hat. Die Lampe, die die bereits erwähnte Anzeigeeinrichtung bildet, soll leuchten.At first, when the ignition is switched on, the engine does not run so that the battery has its open-circuit voltage. The lamp that the already forms mentioned display device should light up.

Wenn der Motor läuft, muß die Lampe erlöschen, sobald die Geschwindigkeit des Motors ausreicht, um die Batterie zu laden. Dies entspricht einer höheren Spannung, als der Ruhespannung.If the engine is running, the lamp must go out as soon as the speed increases of the engine is sufficient to charge the battery. This corresponds to a higher voltage than the rest voltage.

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Beim Arbeitseinsatz muß man anormal hohe Spannungen vermeiden, da sonst die Batterie zerstört werden kann. Hierdurch ergibt sich eine obere Grenze für die Spannung, von der an die Lampe leuchten soll, um den Fahrzeugführer zu warnen.When working, you have to avoid abnormally high voltages, otherwise the battery can be destroyed. This results in there is an upper limit for the voltage from which the lamp should shine in order to warn the driver of the vehicle.

Venn die Spannung fällt, beispielsweise beim Anhalten, wenn der Motor langsam läuft, muß man eine untere Grenze festlegen, die einer wirklichen Entladung der Batterie entspricht, d.h. eine Grenze, die unterhalb der Ruhespannung liegt, damit durch das Aufleuchten der Lampe eine wirkliche Warnung des Fahrzeugführers bewirkt wird. Diese untere Grenze ist notwendigerweise von der weiter oben definierten oberen Grenze verschieden, da jene oberhalb der Ruhespannung der Batterie liegt. Man muß infolgedessen zwei untere Grenzen vorsehen, eine die oberhalb der Ruhespannung der Batterie liegt und bei der die Lampe erlöscht, wenn die Spannung steigt, umd eine weitere, die unterhalb der Ruhespannung liegt und bei der die Lampe aufleuchtet, wenn die Spannung sinkt.If the voltage drops, for example when stopping when the motor is running slowly, a lower limit must be set which corresponds to a real discharge of the battery, i.e. a limit that is below the open-circuit voltage, thus by the Illumination of the lamp causes a real warning to the driver of the vehicle. This lower limit is necessarily different from that The upper limit defined above is different, since it is above the open-circuit voltage of the battery. As a result, one must Provide two lower limits, one which is above the open-circuit voltage of the battery and at which the lamp goes out when the The voltage rises and another which is below the rest voltage and at which the lamp lights up when the voltage drops.

Die vorliegende Erfindung bezieht sich mithin auch auf eine Vorrichtung dieser erwähnten Art, bei der neben der oberen Schwelle zwei voneinander verschiedene untere Schwellen statt einer einzigen unteren Schwelle vorhanden sind.The present invention therefore also relates to a device of the type mentioned, in which, in addition to the upper threshold, two lower thresholds, which are different from one another, instead of a single one lower threshold are present.

Hierfür ist die Basis des ersten Steuertransistors mit einem dritten einstellbaren Spannungsteiler über eine dritte Zenerdiode verbunden, wobei der dritte Spannungsteiler so eingestellt ist, daß die dritte Zenerdiode leitend wird, wenn die Spannung an den Anschlußklemmen der Vorrichtung einen dritten vorgegebenen Wert E , der kleiner als E ist,unterschreitet. Der Kollektor des ersten Steuertransistors ist mit der Basis eines Zwxschentransistors verbunden, dessen Kollektor einerseits mit der Basis des Leistungstranststors und andererseits mit der Basis eines Transistors verbunden ist, dessen Kollektor mit dem Einstellptinkt des dritten Spannungsteilers verbunden ist, wobei alle diese Transistoren mit dem negativen Anschluß über ihren Emittei^verbunden sind.For this purpose, the base of the first control transistor is equipped with a third adjustable voltage divider via a third Zener diode connected, wherein the third voltage divider is set so that the third Zener diode is conductive when the voltage to the Terminals of the device a third predetermined value E, which is less than E, falls below. The collector of the first The control transistor is connected to the base of an intermediate transistor, the collector of which is connected on the one hand to the base of the power transistor and on the other hand is connected to the base of a transistor, the collector of which is connected to the setting point of the third Voltage divider is connected, all these transistors are connected to the negative terminal via their Emittei ^.

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üie dritte Schwellenvorrichtung, die durch die dritte Zenerdiode, welche den dritten Spannungsteiler zugeordnet und mit der Basis
des ersten Steuertransistors verbunden ist, gebildet wird, tritt für die erste Schwellenvorrichtung ein, wenn die Spannung den
Wert E , welcher oberhalb der Ruhespannung der Batterie gewählt
ist,unterschreitet und bleibt durchgeschaltet, wenn die Spannung unterhalb des Wertes E fällt, wobei die Lampe erloschen bleibt. Die Spannung muß unterhalb der Spannung E_ fallen, die unterhalb der Ruhespannung gewählt ist, damit die dritte Schwellenvorrichtung sperrt, wodurch die Lampe eingeschaltet wird.
üie third threshold device, created by the third zener diode, which is associated with the third voltage divider and connected to the base
of the first control transistor is connected, occurs for the first threshold device when the voltage is the
Value E, which is chosen above the open circuit voltage of the battery
is, falls below and remains switched through when the voltage falls below the value E, whereby the lamp remains extinguished. The voltage must fall below the voltage E_, which is selected below the open-circuit voltage, so that the third threshold device blocks, whereby the lamp is switched on.

Es ist auch bekannt, daß sich die Ladebedingungen einer Batterie mit der Temperatur ändern. Insbesondere kann eine Batterie einen um so grösseren Ladestrom ertragen, je niedriger die Temperatur
ist. Infolgedessen kann die angelegte Spannung bei Kälte wesentlich grosser sein, ohne daß man die Zerstörung der Batterie befürchten müßte. Es ist infolgedessen wünschenswert, mindestens
eine der erwähnten Schwellen derart zu variieren, daß sie sinkt, wenn die Temperatur steigt. Hierfür ist bei einer bevorzugten
Ausführungsform der Erfindung mind, einer der Spannungsteiler
mit dem negativen Anschluß über eine Zenerdiode verbunden, die
mit der Zenerdiode identisch ist, die dem Spannungsteiler zugeordnet und in der gleichen Richtung geschaltet ist. Die dem
Spannungsteiler zugeordnete Zenerdiode ist mit dem Einstellpunkt des Spannungsteilers über eine Diodenkette verbunden.
It is also known that the charging conditions of a battery change with temperature. In particular, the lower the temperature, the greater the charging current that a battery can withstand
is. As a result, the voltage applied can be significantly higher in the cold without having to worry about damaging the battery. It is desirable at least as a result
to vary one of the thresholds mentioned in such a way that it decreases as the temperature increases. This is a preferred one
Embodiment of the invention at least one of the voltage dividers
connected to the negative terminal via a zener diode, the
is identical to the Zener diode, which is assigned to the voltage divider and connected in the same direction. The dem
The zener diode assigned to the voltage divider is connected to the set point of the voltage divider via a diode chain.

Die Zwischenschaltung der Diodenkette ergibt eine genau definierte Temperaturdrift, wenn man die Anzahl der Dioden der Kette und die Drift einer jeden Einzelnen kennt. Infolgedessen sinkt die Schwelle, an der die freiwillige Temperaturdrift angewandt wird, mit einer vorgegebenen Steigung, wenn die Temperatur steigt.The interconnection of the diode chain results in a precisely defined one Temperature drift when you consider the number of diodes in the chain and the Everyone knows drift. As a result, the threshold sinks to which the voluntary temperature drift is applied, with a given slope as the temperature rises.

Ferner kompensiert die Zenerdiode, die zwischen dem Spannungsteiler und dem negativen Anschluß* geschaltet ist, die Temperaturdrift
und die Streuung der Schwelle der Zenerdiode, die dem Spannungsteiler zugeordnet ist, da die beiden Zenerdioden miteinander
identisch und in der gleichen Weise geschaltet sind. Dies ist
Furthermore, the Zener diode, which is connected between the voltage divider and the negative terminal *, compensates for the temperature drift
and the spread of the threshold of the zener diode associated with the voltage divider, since the two zener diodes interrelate
are identical and connected in the same way. This is

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wichtig, um eine definierte Variation in Abhängigkeit von der Temperatur zu erreichen, da die Zenerdioden relativ bedeutende Streuungen haben.important to have a defined variation depending on the To reach temperature, since the Zener diodes have relatively significant scatter.

Man kann selbstverständlich diese freiwillig erhaltene Temperaturdrift auch bei der Vorrichtung mit zwei Schwellen, die zuerst beschrieben worden ist, anwenden.You can of course use this voluntarily obtained temperature drift also apply to the two-threshold device described first.

\usführungsbeispiele der Erfindung werden im folgenden anhand der Zeichnungen beschrieben.Embodiments of the invention are given below with reference to of the drawings.

Figur 1 zeigt den Schaltkreis einer Ausführungsform der Erfindung, wobei zwei Schwellen vorhanden sind.Figure 1 shows the circuit of an embodiment of the invention, where there are two thresholds.

Figur 2 zeigt den Schaltkreis einer anderen Ausführungsform, die zur Spannungsüberwachung einer Fahrzeugbatterie geeignet ist, wobei diese Ausführungsform drei Schwellen hat.Figure 2 shows the circuit of another embodiment, the is suitable for voltage monitoring of a vehicle battery, this embodiment being three Has sleepers.

Figur 3-A- zeigt den Zustand der Anzeigelampe in Abhängigkeit vonFigure 3-A- shows the status of the indicator lamp as a function of

der an den Anschlüssen angelegten Spannung bei tiefen Temperaturen, wobei die Lampe als Lastwiderstand verwendet wird, und wobei der Zustand dem eingeschalteten Zustand und der Zustand 0 dem ausgeschalteten Zustand der Lampe entspricht.the voltage applied to the terminals at low temperatures, with the lamp as the load resistance is used, and where the state is the switched-on state and the state 0 is the corresponds to the switched-off state of the lamp.

Figur 3B entspricht der Darstellung in Figur 3-A- bei Umgebungstemperatur. FIG. 3B corresponds to the illustration in FIG. 3-A- at ambient temperature.

Figur 3C entspricht der Darstellung der Figur 3A bei erhöhtenFIG. 3C corresponds to the illustration of FIG. 3A with increased

Temperaturen.Temperatures.

Gemäß Figur 1 sind die Anschlüsse A und B die positiven und negativen Anschlußklemmen der Schaltung, deren Spannung man überwachen will. Mit 14 ist ein Widerstand bezeichnet, der eine Anzeigelampe sein kann.According to Figure 1, terminals A and B are the positive and negative Connection terminals of the circuit whose voltage you want to monitor. Denoted at 14 is a resistor which is an indicator lamp can be.

Der Schaltkreis enthält eine erste Steuereinrichtung, die in folgender Weise ausgebildet ist. Zwischen dem positiven und dem negativen Anschluß ist ein Spannungsteiler geschaltet, der aus einem festen Widerstand 3 und einem einstellbaren Widerstand 1 gebildetThe circuit includes a first control device, which follows Way is formed. Between the positive and the negative terminal, a voltage divider is connected, which consists of a Fixed resistor 3 and an adjustable resistor 1 are formed

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ist. Der Verbindungspunkt der Widerstände 1 und 3 ist mit der Basis eines Steuertransistors 5 über einen Transistor 15 ι der mit dem Transistor 5 identisch ist, verbunden. Der Transistor 15 ist mit umgekehrter Diode geschaltet, so daß eine zu einer Zenerdiode äquivalente Schaltung gebildet wird, d.h. daß der Emitter des Transistors 15 mit dem Verbindungspunkt der Widerstände 1 und 3 verbunden ist, während seine Basis und sein Kollektor an die Basis des Transistors 5 geschaltet sind und über einen Widerstand 17 mit dem negativen Anschluß der Vorrichtung in Verbindung stehen. Der Emitter des Transistors 5 ist mit dem negativen Anschluß der Vorrichtung und sein Kollektor ist mit dem positiven Anschluß über einen Arbeitswiderstand 7 verbunden.is. The connection point of resistors 1 and 3 is with the Base of a control transistor 5 via a transistor 15 ι the with the transistor 5 is identical, connected. The transistor 15 is connected with a reverse diode so that one to one Zener diode equivalent circuit is formed, i.e. that the emitter of the transistor 15 with the connection point of the resistors 1 and 3 is connected, while its base and its collector are connected to the base of the transistor 5 and via a Resistor 17 are connected to the negative terminal of the device. The emitter of transistor 5 is negative Terminal of the device and its collector is connected to the positive terminal via a load resistor 7.

Der Widerstand 1, der mit dem Widerstand 3 einen Spannungsteiler bildet, ist so eingestellt, daß die Spannungsschwelle der Zenerdiode (ungefähr 7V), die durch den Transistor 15 gebildet wird, erreicht wird, wenn die Spannung zwischen den Anschlüssen A und B einen bestimmten Wert E , beispielsweise 12,5V, überschreitet. Die Zenerdiode ist dann leitend und der Transistor 5 gelangt auch von dem gesperrten ^ustand in den leitenden.The resistor 1, which with the resistor 3 is a voltage divider forms is set so that the voltage threshold of the Zener diode (about 7V) formed by transistor 15, is achieved when the voltage between the terminals A and B exceeds a certain value E, for example 12.5V. The Zener diode is then conductive and the transistor 5 also changes from the blocked state to the conductive one.

Der Durchbruch der Potentialschwelle der Zenerdiode erlaubt ein freies Umschalten, und da sie durch den dem Transistor 5 entgegengesetzt geschalteten Transistor 15 gebildet wird, der mit jenem identisch ist, wird die Temperaturdrift der Schwelle des Transistors 5 in ausreichender Weise durch die Temperaturdrift des Transistors 15 kompensiert.The breakdown of the potential threshold of the Zener diode allows a free switchover, and since the transistor 5 oppositely connected transistor 15 is formed, which is identical to that, the temperature drift of the threshold of the transistor 5 in a sufficient manner by the temperature drift of the transistor 15 compensated.

Die Vorrichtung hat in gleicher Weise eine zweite Steuereinrichtung, die einen Spannungsteiler aufweist, .der aus einem festen Widerstand 4, welcher mit dem positiven Anschluß verbunden ist, und aus einem einstellbaren Widerstand 2, der mit dem negativen Anschluß verbunden ist, besteht. Ferner ist ein Steuertransistor vorhanden, dessen Basis mit dem Verbindungspunkt der Widerstände 2 und k über eine Zenerdiode, die durch einen Transistor 16, der dem Transistor 6 identisch ist, gebildet wird, verbunden ist.The device has in the same way a second control device which has a voltage divider, which consists of a fixed resistor 4 which is connected to the positive terminal and an adjustable resistor 2 which is connected to the negative terminal. There is also a control transistor, the base of which is connected to the connection point of the resistors 2 and k via a Zener diode which is formed by a transistor 16 which is identical to the transistor 6.

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Die Transistoren 16 und 6 sind miteinander umgekehrten Dioden geschaltet. Die Basis und der Kollektor des Transistors 16 sind mit dem negativen Anschluß über einen Widerstand 18 verbunden. The transistors 16 and 6 are inverted diodes with each other switched. The base and collector of transistor 16 are connected to the negative terminal via a resistor 18.

Der Widerstand 2 ist so eingestellt, daß die Spannung, die die aus dem Transistor 16 gebildete Zenerdiode (ungefähr 7V) leitend macht, erreicht wird, wenn die Spannung an den Anschlüssen A und B einen vorgegebenen Wert E , beispielsweise 16 V überschreitet. Die Zenerdiode ist dann leitend und der Transistor 6 gelangt in den leitenden Zustand.The resistor 2 is set in such a way that the voltage which the Zener diode formed from the transistor 16 (approximately 7V) is conductive makes, is achieved when the voltage at the terminals A and B exceeds a predetermined value E, for example 16 V. The Zener diode is then conductive and the transistor 6 becomes conductive.

Die Vorrichtung enthält auch eine mit dem Kollektor des Transistors 5 verbundene Kette von Spannungsverstärkern, die aus zwei Transistoren 11 und 12 gebildet wird, deren Emitter mit dem negativen Anschluß und deren Kollektoren mit dem positiven Anschluß über Arbeitswiderstände 21 und 22 verbunden sind. Der Kollektor des Transistors 5 greift an der Basis des Transistors 11 an, dessen Kollektor an die Basis des Transistors 12 geschaltet ist.The device also includes one with the collector of the transistor 5 connected chain of voltage amplifiers, which is formed from two transistors 11 and 12, the emitter of which with the negative Terminal and its collectors are connected to the positive terminal via load resistors 21 and 22. The collector of transistor 5 acts on the base of transistor 11, the collector of which is connected to the base of the transistor 12.

Ferner ist eine Darlington-Schaltung, die aus den Transistoren 9 und 19 besteht, vorhanden und dient als Stromverstärker. Die Darlington-Schaltung ist über die Basis des Transistors 19 mit dem Kollektor des Transistors 12 verbunden. Der Emitter des Transistors 19 ist mit der Basis des Transistors 9 verbunden, dessen Ermitter mit dem negativen Anschluß verbunden ist. Die Kollektoren der Transistoren 9 und 19 sind mit der Lampe lh verbunden. There is also a Darlington circuit, which consists of transistors 9 and 19, and serves as a current amplifier. The Darlington circuit is connected to the collector of transistor 12 via the base of transistor 19. The emitter of transistor 19 is connected to the base of transistor 9, the emitter of which is connected to the negative terminal. The collectors of the transistors 9 and 19 are connected to the lamp lh .

Der Vorteil der Ausgestaltung des Leistungsverstärkers als Darlington-Schaltung besteht darin, daß die Sättigungsspannung Kollektor-Emitter in Bezug auf einen einzigen Transistors verringert ist. Infolgedessen wird die abgegebene Joulesehe-Wärme ebenfalls verringert.The advantage of designing the power amplifier as a Darlington pair is that the saturation voltage decreases collector-emitter with respect to a single transistor is. As a result, the Joule heat emitted becomes also decreased.

Die aus den Transistoren 11 und 12 gebildete Spannungsverstärkerkette ermöglicht, nur die Zustände gesperrt oder gesättigt fürThe voltage amplifier chain formed from transistors 11 and 12 allows only the locked or saturated for states

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die Darlington-Schaltung mit Transistoren sehr kurzer Dauer zu erhalten. Die integrierten Translatoren haben Spannungsverstärkungen, die wesentlich kleiner als die von Einzeltransistoren sind (größenordnungsmäßig von 60 - 80 gegenüber 3OO - 500), sodaß eine zusätzliche Verstärkung notwendig ist.to obtain the Darlington pair with transistors of very short duration. The integrated translators have voltage amplifications, which are much smaller than those of individual transistors (on the order of 60 - 80 compared to 3OO - 500), so that additional reinforcement is necessary.

Andererseits sind zwei Stufen bei der Verstärkerkette notwendig, um einen gesperrten Zustand des Transistors jjvxn einen leitenden Zustand des der Darlington-Schaltung vorausgehenden Transistors oder umgekehrt überzuführen.On the other hand, two stages are necessary in the amplifier chain in order to make the transistor jjvxn conductive State of the transistor preceding the Darlington pair or vice versa.

Die Arbeitsweise der Vorrichtung ist wie folgt. Die Widerstände 1 und 2 sind in der beschriebenen Weise eingestellt worden. Wenn die Spannung zwischen den Anschlüssen A und B unterhalb E1 (l2,5V) liegt, befindet sich die durch den Transistor 15 gebildete Zenerdiode im gesperrten Zustand, wodurch der Transistor 5 ebenso gesperrt ist. Der Kollektor des Transistors 5 und infolgedessen auch die Basis des Transistors 19 liegen auf einem erhöhten Potential, welches der Zustand 1 ist. Infolgedessen ist die Darlington-Schaltung leitend und die Lampe 14 leuchtet auf.The operation of the device is as follows. The resistors 1 and 2 have been set in the manner described. If the voltage between the terminals A and B is below E 1 (12.5V), the Zener diode formed by the transistor 15 is in the blocked state, whereby the transistor 5 is also blocked. The collector of transistor 5 and, as a result, also the base of transistor 19 are at an increased potential, which is state 1. As a result, the Darlington circuit is conductive and the lamp 14 lights up.

Wenn die Spannung zwischen den Anschlüssen A und B den Wert E (12,5V) annimmt, wird die Zenerdiode leitend, ebenso der Transistor 5 und die Spannung an seinem Kollektor geht gegen 0 (Zustand θ). Daraus ergibt sich, daß die Darlington-Schaltung gesperrt wird und die Lampe 14 erlöscht.If the voltage between terminals A and B is E (12.5V), the Zener diode becomes conductive, as does transistor 5 and the voltage at its collector goes to 0 (State θ). It follows that the Darlington pair is locked and the lamp 14 goes out.

Solange die Spannung zwischen den Anschlüssen A und B den Wert E_ (i6v) nicht überschreitet, bleibt die Zenerdiode, die durch den Transistor 16 gebildet wird, im gesperrten Zustand, ebenso wie der Transistor 6. Die durch den Transistor 15 gebildete Zenerdiode bleibt leitend und die Lampe 14 bleibt dunkel.As long as the voltage between the connections A and B does not exceed the value E_ (i6v), the Zener diode, which is formed by the transistor 16, remains in the blocked state, as does the transistor 6. The Zener diode formed by the transistor 15 remains conductive and the lamp 14 remains dark.

Wenn die Spannung zwischen den Anschlüssen A und B den Wert E„ (l6v) überschreitet, wird die dur*ch den Transistor 16 gebildete Zenerdiode leitend, ebenso wie der Transistor 6. Die Spannung, die am Emitter des Transistors 15> der die Zenerdiode bildet,If the voltage between the terminals A and B exceeds the value E n (16v), the Zener diode formed by the transistor 16 becomes conductive, as does the transistor 6. The voltage that forms at the emitter of the transistor 15> which forms the Zener diode ,

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angreift, fällt, sodaß infolgedessen die Zenerdiode in gesperrten Zustand übergeht, ebenso wie der Transistor 5. Das Potential am Kollektor des Transistors 5 geht in den Zustand 1, wodurch die Darlington-Schaltung leitend wird und die Lampe 14 aufleuchtet.attacks, falls, so that as a result the Zener diode is blocked State goes over, just like transistor 5. The potential at the collector of transistor 5 goes into state 1, whereby the Darlington circuit becomes conductive and the lamp 14 lights up.

Die Vorrichtung gestattet somit zu überwachen, daß die Spannung zwischen den Anschlüssen A und B innerhalb des vorgegebenen Bereiches bleibt, welcher durch die Werte E und E2 begrenzt wird.The device thus makes it possible to monitor that the voltage between the terminals A and B remains within the predetermined range which is limited by the values E and E 2.

Die Vorrichtung hat mithin den Vorteil, daß für die einzelnen Bauteile keine engen Toleranzen notwendig sind. Die Widerstände 1 und 2 werden einmal eingestellt, wenn der Schaltkreis eingebaut ist. Es ist dann von wenig Bedeutung, daß eine gewisse Streuung der Schwellenspannungen der Zenerdioden in Bezug auf die vom Hersteller angegebenen Spannungswerte vorliegt, da die Einstellung beim fertigen Schaltkreis\vorgenommen wird.The device therefore has the advantage that no tight tolerances are necessary for the individual components. The resistances 1 and 2 are set once when the circuit is installed. It is then of little importance that a certain spread of the threshold voltages of the Zener diodes is present in relation to the voltage values specified by the manufacturer, since the setting in the finished circuit \.

Die Vorrichtung enthält ferner einen Gegenkopplungszweig, der aus einem Widerstand 8 besteht und den Emitter des Transistors 16, der die Zenerdiode bildet, mit dem Kollektor des Steuertransistors 5 verbindet. Ferner ist ein zweiter Gegenkopplungszweig vorhanden, der aus einem Widerstand 8' gebildet wird, welcher den Emitter des die Zenerdiode bildenden Transistors 15 mit dem Kollektor des Verstärkungstransistors 11 verbindet.The device also contains a negative feedback branch, which consists of a resistor 8 and the emitter of transistor 16, which forms the Zener diode, connects to the collector of the control transistor 5. There is also a second negative feedback branch, which is formed from a resistor 8 ', which is the emitter of the the Zener diode forming transistor 15 with the collector of the amplifying transistor 11 connects.

Die Gegenkopplung verstärkt die Zustände sei es gesperrt sei es leitend der Zenerdioden 15 und 16 und schafft einen freieren Übergang vom gesperrten in den leitenden Zustand. Wenn die Zenerdiode 15 gesperrt ist, ist es der Transistor 5 ebenso und der Transistor 11 ist leitend. Infolgedessen liegt an seinem Kollektor der Zustand 0 vor und die Spannung am Eingang der Zenerdiode 15 ist erniedrigt, da die Gegenkopplung die Rolle eines mit dem Einstellpunkt des Spannungsteilers und dem negativen Anschluß verbundenen Widerstandes spielt.The negative feedback amplifies the states whether it is blocked or not conductive of the Zener diodes 15 and 16 and creates a freer transition from blocked to conductive state. When the Zener diode 15 is blocked, so is the transistor 5 and the transistor 11 is conductive. As a result, that is up to its collector State 0 before and the voltage at the input of the Zener diode 15 is lowered because the negative feedback has the role of one with the set point of the voltage divider and the resistor connected to the negative terminal plays.

Im Gegensatz hierzu, wenn die Zenerdiode 15 leitend ist, hat derIn contrast to this, when the Zener diode 15 is conductive, the

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Kollektor des Transistors 11 ein erhöhtes Potential und die Gegenkopplung verstärkt die Eingangsspannung der Zenerdiode.Collector of transistor 11 has an increased potential and the negative feedback amplifies the input voltage of the zener diode.

Die Arbeitsweise ist bei dem Zweig der Zenerdiode 16 die gleiche. Wenn diese gesperrt ist, ist es auch der Transistor 6. Der Transistor 5 ist leitend und sein Kollektor zeigt den Zustand o. Die Gegenkopplung versucht die Eingangsspannung der Zenerdiode 16, wie es bereits erläutert worden ist, zu verringern. Wenn diese leitend wird, wird es auch der Transistor 6 und der Transistor 5 ist gesperrt. Sein Kollektor hat ein erhöhtes Potential. Die Gegenkopplung verstärkt die Eingangsspannung der Zenerdiode 16 und den Übergang in den leitenden Zustand.The mode of operation is the same for the branch of the Zener diode 16. When this is blocked, it is also the transistor 6. The transistor 5 is conductive and its collector shows the state o. The negative feedback tries the input voltage of the Zener diode 16, as has already been explained to reduce. When this becomes conductive, so will transistor 6 and transistor 5 is locked. Its collector has an increased potential. The negative feedback amplifies the input voltage of the Zener diode 16 and the Transition to the conductive state.

Natürlich sind die Gegenkopplungszweige so geschaltet, daß sie nicht gleichzeitig wirken, da die Steuertransistoren 5 und 6 sich jeweils in entgegengesetzten Zuständen befinden. Übrigens ist die Hysteresis, die sich durch die Zweige ergibt, vernachläßigbar, da sie 50 mV nicht überschreitet.Of course, the negative feedback branches are connected in such a way that they do not act at the same time, since the control transistors 5 and 6 are each in opposite states. Incidentally, the hysteresis resulting from the branches is negligible, since it does not exceed 50 mV.

Die Vorrichtung hat ebenfalls einen Kondensator 10 geringer Induktanz, der zu den Anschlüssen A und B parallel geschaltet ist, um die Zeitkonstante der Vorrichtung zu vergrössern. Dadurch ist es möglich, daß die Vorrichtung gegenüber dem Einfluß von Störsignalen (deren Spitzenspannungen große Werte annehmen können und die Bauteile beschädigen können) nicht ausgesetzt ist, da diese Signale eine kurze Dauer haben, die unterhalb der Ansprechzeit der Vorrichtung liegt.The device also has a low inductance capacitor 10 connected in parallel with terminals A and B. is to increase the time constant of the device. This makes it possible that the device against the influence of Interference signals (whose peak voltages can assume high values and damage the components) is not exposed, because these signals have a short duration which is below the response time of the device.

Die beschriebene Vorrichtung kann mit Ausnahme der Lampe lh und des Kondensators 10 in der Form einer hybriden Schaltung ausgebildet sein, in der die einstellbaren Widerstände aus dünnen oder dicken Schichten oder in plattierter Form gebildet sein können. Die Verbindungen mit dem Herz der integrierten Schaltung werden durch Golddrähte, die durch Thermokompression angelötet werden, erhalten. Die einstellbaren Widerstände 1 und 2 werden auf den erwünschten Wert durch entfernen von Werkstoff eingestellt, bei- With the exception of the lamp 1h and the capacitor 10, the device described can be designed in the form of a hybrid circuit in which the adjustable resistors can be formed from thin or thick layers or in a plated form. The connections to the heart of the integrated circuit are made by gold wires soldered by thermocompression. The adjustable resistors 1 and 2 are set to the desired value by removing material, both

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spielsweise mittels eines Sand-oder Laserstrahls.for example by means of a sand or laser beam.

Im folgenden wird die Ausführungsform gemäß Figur 2 beschrieben, die besonders für die bberwachung der Spannung einer Fahrzeugbatterie geeignet ist.The embodiment according to FIG. 2 is described below, especially for monitoring the voltage of a vehicle battery suitable is.

Die Komponenten der Vorrichtung gemäß Figur 2, die denen der Vorrichtung gemäß Figur 1 entsprechen, haben die gleichen jedoch um einen Wert 100 erhöhten Bezugsziffern.The components of the device according to FIG. 2, which correspond to those of the device according to FIG. 1, have the same, however Reference numbers increased by a value of 100.

Die Anschlüsse (+) und (-) sind die Batterieanschlüsse, deren Spannung man überwachen will. Mit 114 ist eine Anzeigelampe bezeichnet .The connections (+) and (-) are the battery connections whose voltage you want to monitor. 114 with an indicator lamp is designated .

Die Schaltung enthält eine erste Schwelleneinrichtung, die mit der Basis eines Transistors 105 verbunden ist. Diese Einrichtung hat einen Spannungsteiler, der durch den festen Widerstand 103 und dem einstellbaren Widerstand 101 gebildet wird. Dieser Spannungsteiler ist zwischen den Anschlüssen (+) und (-) geschaltet. Ein · Anschluß einer Zenerdiode 115 ist mit dem Verbindungspunkt der Widerstände 101 und 103 über eine Kette von Dioden 133 verbunden. Der andere Anschluß ist über eine Diode 120 mit der Basis des Transistors 105 verbunden. Durch die Diode 120 kann in einfacher Weise eine genaue Kompensation der Temperaturdrift hergestellt werden. Eine andere Zenerdiode 134 ist zwischen dem Widerstand 101 und dem negativen Anschluß geschaltet. Ihre Bedeutung und die der Diodenkette 133 werden noch genauer beschrieben. Der Widerstand 101 ist so eingestellt, daß die Schwelleneinrichtung schaltet, wenn die Spannung zwischen den Anschlüssen (+) und (-) einen Wert E überschreitet, der oberhalb der Ruhespannung der Batterie gewählt wird. Dieser ist im allgemeinen 12V und man wählt beispielsweise für den Wert E 13,5V.The circuit includes a first threshold device connected to the base of a transistor 105. This facility has a voltage divider formed by the fixed resistor 103 and the adjustable resistor 101. This voltage divider is connected between the connections (+) and (-). One connection of a zener diode 115 is to the connection point of resistors 101 and 103 are connected via a chain of diodes 133. The other terminal is connected to the base of the transistor 105 via a diode 120. The diode 120 can be used in a simple Way an exact compensation of the temperature drift can be made. Another zener diode 134 is between the resistor 101 and the negative terminal. Their meaning and that of the diode chain 133 will be described in more detail. Of the Resistor 101 is set so that the threshold device switches when the voltage between terminals (+) and (-) exceeds a value E which is selected above the open-circuit voltage of the battery. This is generally 12V and one selects, for example, 13.5V for the value E.

Die Vorrichtung hat eine zweite Schwelleneinrichtung, die in gleicher Weise aus einen Spannungsteiler bildenden Widerständen 102 und 104, aus einer Zenerdiode 116 und der Diode 121 gebildet ist und mit der Basis eines Transistors 106 verbunden ist. DerThe device has a second threshold device, which in the same way consists of resistors forming a voltage divider 102 and 104, formed from a Zener diode 116 and the diode 121 and is connected to the base of a transistor 106. Of the

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Widerstand 102 ist so eingestellt, daß die Schaltspannung der zweiten Einrichtung bei einer Spannung E zwischen den Anschlüsse: erhalten wird, die über dem Wert E beispielsweise bei 16V liegt.Resistor 102 is set so that the switching voltage of the second device at a voltage E between the terminals: which is above the value E, for example 16V.

Die Vorrichtung enthält ferner eine dritte Schwelleneinrichtung, die mit der Basis des Transistors 105 verbunden ist und durch die Widerstände 122 und 123, die Zenerdiode 124 und die Diode 125 gebildet wird. Die dritte Einrichtung schaltet aufgrund der geeigneten Einstellung des Widerstandes 122, wenn die Spannung zwischen den Anschlüssen einen Wert E unterschreitet, der unterhalb der Ruhespannung der Batterie liegen muß. Er kann beispielsweise zu 11,5V gewählt werden. Im folgenden wird mit Schwellen E , E , E„ die erste, zweite bzw. dritte Schwelleneinrichtung bezeichnet.The apparatus also includes third threshold means connected to the base of transistor 105 and through which Resistors 122 and 123, the zener diode 124 and the diode 125 is formed. The third device switches based on the appropriate Setting of the resistor 122 when the voltage between the terminals falls below a value E, which is below the open-circuit voltage the battery must lie. For example, it can reach 11.5V to get voted. In the following, thresholds E, E, E are used as “the designated first, second and third threshold means.

Es wird darauf hingewiesen, daß bei der praktischen Ausführung, wie bei der Vorrichtung gemäß Figur 1, die Zenerdioden 115> 116, 124 und 134 und die Dioden 120, 121, 125 und 133 durch Transistoren gebildet werden, die mit umgekehrter Diode bzw. direkter Diode geschaltet sind. Dies gilt auch für die Zenerdioden, auf die sich im folgenden bezogen wird, damit die Vorrichtung als integrierte Schaltung ausgebildet werden kann.It should be noted that in the practical implementation, as in the device according to FIG. 1, the Zener diodes 115> 116, 124 and 134 and diodes 120, 121, 125 and 133 by transistors which are connected with reverse diode or direct diode. This also applies to the Zener diodes to which is referred to below so that the device can be designed as an integrated circuit.

Aus dem gleichen Grunde werden die einstellbaren Widerstände aus dünnen, dicken oder plattierten Schichten hergestellt und auf ihren erwünschten Wert durch Abtragen von Werkstoff beispielsweise durch einen Sand-oder Laserstrahl gebracht.The adjustable resistors are made for the same reason thin, thick or plated layers are produced and adjusted to their desired value by removing material, for example brought by a sand or laser beam.

Die Transistoren 105 und IO6 sind mit gemeinsamen Emitter geschaltet, während ihre Basen mit dem negativen Anschluß über die Widerstände 117 bzw. 118 verbunden sind. Ferner ist der Kollektor des Transistors 106 mit der Basis des Transistros 105 verbunden.The transistors 105 and IO6 are connected to a common emitter, while their bases are connected to the negative terminal via resistors 117 and 118, respectively. Further is the collector of transistor 106 is connected to the base of transistor 105.

Der Kollektor des Transistors 105 ist einerseits mit dem positiven Anschluß über einen Widerstand 107 und andererseits mit der BasisThe collector of transistor 105 is on the one hand with the positive Connection through a resistor 107 and on the other hand to the base

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des Transistors 126 verbunden. Der Kollektor dieses Transistors 126 ist über einen Stromgenerator oder einen Strominverter 127, der aus drei Transistoren gebildet wird, einerseits mit der Basis des Transistors 128 und andererseits mit der Basis des Transistors 119 verbunden, der mit dem Transistor 109 eine Darlington-Schaltung bildet, die als Stromverstärker dient.of transistor 126 connected. The collector of this transistor 126 is via a current generator or a current inverter 127, which is formed from three transistors, on the one hand with the base of transistor 128 and on the other hand with the base of the Transistor 119 connected, which with transistor 109 is a Darlington pair forms, which serves as a current amplifier.

Der Kollektor des Transistors 128 ist mit dem Verbindungspunkt der Widerstände 122 und 123, die zur Schwelle E gehören, verbunden und somit, wenn der Transistor 128 leitend ist, liegt an seinem Kollektor der Zustand 0 vor und die Schwelle E„ liegt auf Masse .The collector of transistor 128 is to the junction point of the resistors 122 and 123 belonging to the threshold E connected and thus, when the transistor 128 is conductive, the state 0 is present at its collector and the threshold E n is present Dimensions .

Im folgenden wird die Arbeitsweise der Vorrichtung in Abhängigkeit der Spannungsänderungen an ihren Anschlüssen beschrieben. Zur besseren Darstellung ist die Arbeitsweise schematisch in der Tabelle dargestellt. In der Tabelle sind die Zustände (gesperrt = 0,leitend = 1) angegeben, die die Schwellen E1, E und E~ die Transistoren 106, 105» 128 und die Lampe 114 in Abhängigkeit von der Spannung an den Anschlüssen annehmen.The operation of the device as a function of the voltage changes at its connections is described below. For a better illustration, the method of operation is shown schematically in the table. The table shows the states (blocked = 0, conductive = 1) which the thresholds E 1 , E and E ~ the transistors 106, 105 »128 and the lamp 114 assume as a function of the voltage at the connections.

Die Transistoren 126, 127, 119 und 109 sind in der Tabelle nicht angegeben, da sie sich stets im gleichen Zustand wie der Transistor 128 befinden.The transistors 126, 127, 119 and 109 are not in the table indicated because they are always in the same state as transistor 128.

Wenn die Spannung unterhalb von E liegt, sind alle Schwellen gesperrt, insbesondere die Schwelle E . Infolgedessen ist der Transistor 105 gesperrt und sein Kollektor hat den Zustand 1, sodaß der Transistor 126 leitend ist. Infolgedessen ist der Stromgenerator 127 leitend, mithin auch der Transistor 128 und die Darlington-Schaltung, die aus den Transistoren 119 und 109 gebildet wird. Der Kollektor des Transistors 109 befindet sich im Zustand 0, sodaß die Lampe 114 aufleuchtet.If the voltage is below E, all thresholds are blocked, in particular the threshold E. As a result, the transistor 105 is blocked and its collector has the state 1, so that transistor 126 is conductive. As a result, the Current generator 127 conductive, and therefore also transistor 128 and the Darlington circuit, which consists of transistors 119 and 109 is formed. The collector of transistor 109 is in state 0, so that lamp 114 lights up.

Ferner, da der Transistor 128 leitend ist, befindet sich sein Kollektor iiu Zustand 0 und die Schwelle E liegt auf Masse.Furthermore, since transistor 128 is conductive, its collector is in state 0 and threshold E is at ground.

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Wenn die Spannung den Wert E„ überschreitet, könnte die Schwelle E„ leitend werden, da sie jedoch wegen des leitenden Transistors auf Masse liegt, spielt sie keine Rolle und die Lampe 114 bleibt eingeschaltet.If the voltage exceeds the value E ", the threshold E" become conductive, but since it is grounded because of the conductive transistor, it does not matter and the lamp 114 remains switched on.

Wenn die Spannung den Wert E überschreitet, wird die Schwelle E leitend und mithin auch der Transistor 105·When the voltage exceeds the value E, the threshold becomes E conductive and therefore also the transistor 105

Sein Kollektor geht in den Zustand 0 über, der Transistor 126 geht in den gesperrten Zustand über, ebenso wie der Stromgenerator 127> der Transistor 128 und die Darlington-Schaltung. Infolgedessen leuchtet die Lampe 1 1 ^J- nicht.Its collector goes to state 0, transistor 126 goes into the locked state, as does the current generator 127> transistor 128 and the Darlington pair. Consequently the lamp 1 1 ^ J- does not light up.

Übrigens, da der'Transistor 128 gesperrt ist, befindet sich sein Kollektor im Zustand 1. Damit kann Strom durch die Schwelle E„ fließen und diese ist effektiv leitend, da die Spannung oberhalb von E liegt und mithin umsomehr oberhalb von E . Der Strom, der durch die Schwelle E fließt, addiert sich zu dem durch die Schwelle E fließenden Strom, um die Information anzugeben.Incidentally, since the transistor 128 is blocked, it is located Collector in state 1. This allows current to pass through threshold E " flow and this is effectively conductive, since the voltage is above E and therefore all the more above E. The stream that flows through the threshold E, adds to that through the Threshold E current flowing to indicate the information.

Wenn die Spannung über den Viert E ansteigt, wird die Schwelle E leitend, und damit ebenso der Transistor 106. Die an der Basis des Transistors 105 angreifende Spannung fällt somit auf die Sättigungsspannung Kollektor-Emitter des Transistors 106, die weit unterhalb der Schwellenspannung des Transistors 105 liegt. Es ergibt sich, daß der von den Schwellen E und E , die leitend bleiben, herkommende Strom über den Transistor 106 zur Masse fließt. Unter diesen Bedingungen geht der Transistor 105 in den gesperrten Zustand über und der Transistor 126 wird leitend, ebenso wie der Transistor 128 und die Dariington-Schaltung. Die Lampe 114 leuchtet auf.When the voltage rises above the fourth E, the threshold becomes E conductive, and thus also the transistor 106. The voltage acting on the base of the transistor 105 thus falls to the Saturation voltage collector-emitter of transistor 106, the is well below the threshold voltage of transistor 105. It follows that that of the thresholds E and E, the conductive remain, incoming current flows through transistor 106 to ground. Under these conditions, transistor 105 goes into FIG blocked state and the transistor 126 becomes conductive, as well as the transistor 128 and the Dariington circuit. the Lamp 114 lights up.

Ferner, da der Transistor 128 leitend ist, befindet sich sein Kollektor im Zustand 0 und die Schwelle E kommt auf Masse.Furthermore, since transistor 128 is conductive, its collector is in state 0 and threshold E comes to ground.

Wenn jetzt die Spannung wieder absteigt, ergibt sich eine Ände-If the voltage now drops again, there will be a change

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γ ι ^ r π Γ/γ ι ^ r π Γ /

b ο ,-ο / / - 17 - b ο, -ο / / - 17 -

rung des Zustandes für eine Spannung E1 , die von der Spannung E aufgrund der Hysteresis, die durch die Temperaturdrift des Transistors 106 hervorgerufen wird, ein bißchen verschieden isttion of the state for a voltage E 1 which is slightly different from the voltage E due to the hysteresis caused by the temperature drift of the transistor 106

Durch die Änderung des Zustandes wird die Schaltung in den bei einer oberhalb der Spannung E beschriebenen Zustand gebracht, wobei der Transistor 105 wieder in den leitenden Zustand gelangt und die Transistoren 126, 128 und die Darlington-Schaltung gesperrt werden. Die Schwelle E_ arbeitet von neuem, da der Kollektor des Transistors 128 sich im Zustand 1 befindet. Die Lampe 114 erlöscht.By changing the state, the circuit is brought into the state described for one above voltage E, wherein the transistor 105 returns to the conductive state and the transistors 126, 128 and the Darlington circuit are blocked will. The threshold E_ works again because the collector of transistor 128 is in state 1. The lamp 114 goes out.

Wenn die Spannung unterhalb von E abfällt, erhält man einen von dem oben beschriebenen verschiedenen Zustand, weil, da der Transistor 128 gesperrt ist, die Schwelle E leitend bleibt und die Schwelle E übernimmt, die jetzt gesperrt ist, um den Transistor 105 im leitenden Zustand zu halten. Infolgedessen bleibt die Lampe 114 dunkel.When the voltage drops below E, one gets one of the different state described above, because, since the transistor 128 is blocked, the threshold E remains conductive and the Threshold E takes over, which is now blocked in order to keep transistor 105 in the conductive state. As a result, the Lamp 114 dark.

Die Spannung muß unterhalb den Wert E fallen, damit die Schwelle E gesperrt ist. Durch den Transistor 105 fließt kein Strom, der Transistor 126 ist leitend ebenso wie der Transistor 128 und die Darlingtonschaltung. Die Lampe 114 leuchtet auf. Ferner, da der Transistor 128 leitend ist, gelangt die Schwelle E„ auf Masse, was die Information bestätigt. Anschliessend kann der Zyklus wieder beginnen.The voltage must fall below the value E so that the threshold E Is blocked. No current flows through transistor 105, transistor 126 is conductive, as is transistor 128 and the Darlington circuit. The lamp 114 lights up. Furthermore, since the Transistor 128 is conductive, the threshold E "reaches ground, which confirms the information. The cycle can then start again.

Somit, wie es beispielsweise in der Figur 3B dargestellt ist, im Sinne des Spannungsanstieges, bleibt die Lampe 114 erleuchtet bis zur Spannung E , daraufhin erlischt sie und leuchtet von neuem auf, wenn die Spannung den Wert E überschreitet. Nun im Sinne der fallenden Spannung erlischt die Lampe, wenn die Spannung unterhalb des Wertes E' fällt, der von dem Wert E nur wenig verschieden ist, und bleibt dunkel, wenn die Spannung unterhalb des Wertes E fällt, um nur dann wieder aufzuleuchten, wenn die Spannung unterhalb des Wertes E„ fällt.Thus, as shown for example in Figure 3B, in the sense of the voltage increase, the lamp 114 remains lit up to the voltage E, then it goes out and lights up again when the voltage exceeds the value E. Now in the sense of falling voltage, the lamp goes out when the voltage falls below it of the value E ', which differs only slightly from the value E, and remains dark when the voltage is below the value E falls to only light up again when the tension falls below the value E ".

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Die erfindungsgemäße Vorrichtung lpst in vollkommener Weise das oben erläuterte Problem der Spannungsüberwachung einer Fahrzeugbatterie .The device according to the invention perfectly matches that problem of voltage monitoring of a vehicle battery explained above.

Zu Beginn bei eingeschalteter Zündung ist die Spannung an den Anschlüssen die Ruhespannung der Batterie (l2V), unterhalb von E1 (13,5V): Die Lampe 114 leuchtet auf.At the beginning with the ignition switched on, the voltage at the connections is the open-circuit voltage of the battery (l2V), below E 1 (13.5V): The lamp 114 lights up.

Wenn der Motor läuft, wird die Batterie geladen, sobald eine ausreichende Geschwindigkeit erreicht ist. Die Spannung überschreitet den Wert E , sodaß die Lampe erlischt.If the engine is running, the battery will be charged as soon as sufficient Speed is reached. The voltage exceeds the value E, so that the lamp goes out.

Bei laufendem Motor, wenn die Spannung zu hoch wird, überschreitet sie E (beispielsweise l6v) und die Lampe leuchtet auf, um den Fahrzeugführer zu warnen. With the engine running, if the voltage gets too high, it will exceed E (e.g. l6v) and the lamp will come on to warn the driver.

Bei langsam laufendem Motor sinkt die Spannung, aber die Lampe 114 leuchtet nur auf, wenn die Spannung unterhalb des Wertes E_ fällt, der, wie es bereits erwähnt wurde, unterhalb der Ruhespannung liegt und auf beispielsweise 11,5V festgesetzt worden ist. Infolgedessen entspricht die Warnung einer wirklichen Entladung der Batterie und ist absolut notwendig. In einem solchen Fall wird der Fahrzeugführer durch die Warnung veranlaßt, den Elektrizitätsverbrauch zu verringern, beispielsweise durch Abstellen der Heizung, der Nebelscheinwerfer usw.When the engine is running slowly, the voltage drops, but the lamp 114 lights up only when the voltage falls below the value E_, which, as already mentioned, is below the no-load voltage and has been set to, for example, 11.5V. Consequently the warning corresponds to a real discharge of the battery and is absolutely necessary. In such a case the vehicle driver becomes caused by the warning to reduce electricity consumption, for example by switching off the heating, the Fog lights etc.

Selbstverständlich sinkt beim Ausfall der Lichtmaschine sofort die Spannung der Batterie unterhalb des Wertes E , wodurch die Lampe aufleuchtet.Of course, if the alternator fails, the battery voltage immediately drops below the value E, which means that the Lamp lights up.

Es wurde bereits oben erwähnt, daß eine Batterie eine wesentlich höhere Spannung bei Kälte als bei Wärme aushal'ten kann und es ist aus diesem Grund, daß man eine Diodenkette 133 zwischen dem Verbindungspunkt der Widerstände 101 und 103 und der Zenerdiode vorgesehen hat. Durch diese Kette von Dioden I33 wird eine Temperaturdrift der Schwelle E1 erzeugt, die genau bestimmt ist und sich durch eine Verringerung der Spannung E1 auswirkt, wenn sichIt has already been mentioned above that a battery can withstand a considerably higher voltage when it is cold than when it is warm and it is for this reason that a diode chain 133 has been provided between the connection point of the resistors 101 and 103 and the Zener diode. By following the chain of diodes I33 a temperature drift of the threshold E 1 is generated, which is accurately determined and the impact by reducing the voltage E 1 when

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? ς ί q s 7 7? ς ί q s 7 7

die Temperatur erhöht. Diese Änderung der Spannung E1 ist in den Figuren 3A, 3B und 3C dargestellt. Die Figur 3A entspricht tiefen Temperaturen (von ungefähr -3O°C), die Figur 3B entspricht der Umgebungstemperatur (+20°c) und die Figur 3C entspricht erhöhten Temperaturen (+8O°C), wobei diese Temperaturen von der Vorrichtung wahrgenommen werden.the temperature increases. This change in voltage E 1 is shown in FIGS. 3A, 3B and 3C. FIG. 3A corresponds to low temperatures (of approximately -3O ° C.), FIG. 3B corresponds to the ambient temperature (+ 20 ° C.) and FIG. 3C corresponds to elevated temperatures (+ 80 ° C.), these temperatures being perceived by the device.

Venn beispielsweise jede Diode 133 eine Temperaturdrift von -1,5 mV/ C hat, erhält man mit k Dioden eine Drift der Diodenkette von -6 mV/ C, zu der man die Drift der Verbindung Basis-Emitter des Transistors 105, beispielsweise -1,5 mV/°C, hinzuzählen muß, um die Gesamtdrift zu erhalten, die hier -7>5 mV/ C beträgt.If, for example, each diode 133 has a temperature drift of -1.5 mV / C, with k diodes a drift of the diode chain of -6 mV / C is obtained, to which the drift of the base-emitter connection of transistor 105, for example -1 , 5 mV / ° C, must be added in order to obtain the total drift, which here is -7> 5 mV / C.

Andererseits wird durch die Zenerdiode 13^ die Temperaturdrift und die Streuung der Schwelle der Zenerdiode 115 kompensiert, da diese zwei Zenerdioden miteinander identisch und in gleicher Weise geschaltet sind, sodaß man eine genaue Temperaturdrift auf diese Weise erhält.On the other hand, the temperature drift and the spread of the threshold of the Zener diode 115 compensates, since these two Zener diodes are identical to one another and are connected in the same way are so that one can get an exact temperature drift on this Way receives.

Bei der dargestellten Vorrichtung wirkt die gewollte Temperaturdrift auf die Schwelle E , man kann sie jedoch in gleicher Weise auch auf die Schwellen Έ oder E oder auf mehrere der Schwellen, je nach Bedarf wirken lassen. In the device shown, the desired temperature drift acts on the threshold E, but it can also act in the same way on the thresholds Έ or E or on several of the thresholds, as required.

Die vorgesehene Verwendung der Vorrichtung macht einen wirkungsvollen Störungeschutz notwendig, der einerseits ein ungewolltes Funktionieren der Vorrichtung (beispielsweise das Aufleuchten der Lampe bei Störspannungen) verhindern muß und andererseits die Vorrichtungjgegenüber einer Zerstörung aufgrund von Überspannungen schützen muß.The intended use of the device makes it efficient Fault protection necessary, on the one hand an unwanted Functioning of the device (for example, the lighting of the lamp in the event of interference voltages) must prevent and on the other hand the Device must protect against destruction due to overvoltages.

Um ein Aufleuchten derLampe durch das Umschalten des Transistors 105 aufgrund von Störspannungen, die sich durch Überspannungen von kurzer Dauer ergeben, zu verhindern, ist ein Kondensator 129 zwischen der Basis des Transistors 105 und dem negativen Anschluß geschaltet. Durch diesen Kondensator ergibt sich eine Zeitkonstante,To light up the lamp by switching the transistor A capacitor 129 is to be used to prevent 105 due to interference voltages resulting from overvoltages of short duration between the base of transistor 105 and the negative terminal switched. This capacitor results in a time constant

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ο ~ r >7 "7 v-) 0 0 / /ο ~ r> 7 "7 v-) 0 0 / /

die das Ansprechen des Transistors 105 verlangsamt und verhindert, daß dieser beim Auftreten von kurzen Überspannungen schaltet.which slows down and prevents the response of transistor 105, that it switches when brief overvoltages occur.

Ferner muß die Vorrichtung gegenüber erhöhten Überspannungen geschützt werden, die mehrere 100 Volt bei einem Fahrzeug erreichen können. Hierfür ist eine Reihe von Zenerdioden 130 zwischen dem negativen Anschluß und einem Widerstand 131» der mit dem positiven Anschluß verbunden ist, geschaltet. Die Kette von Zenerdioden 130 schneidet die Spannung oberhalb ihrer Schwelle ab, wodurch somit die Zerstörung der Bauteile vermieden wird. Bei der dargestellten Ausführungsform enthält die Kette beispielsweise drei Zenerdioden, von denen eine jede eine Schwelle von 7V hat, sodaß infolgedessen die Kette oberhalb von 3 x 7 = 21 V abschneidet. Der Widerstand 131 nimmt den sich ergebenden Spannungsabfall auf und begrenzt die Intensität, was notwendig ist, um die Zerstörung der Zenerdioden zu vermeiden.Furthermore, the device must be protected against increased overvoltages that can reach several 100 volts in a vehicle. For this purpose, a row of Zener diodes 130 is between the negative connection and a resistor 131 »the one with the positive Connection is connected, switched. The chain of zener diodes 130 cuts the voltage above its threshold, thus avoiding the destruction of the components. In the illustrated Embodiment, the chain contains, for example, three Zener diodes, each of which has a threshold of 7V, so as a result the chain cuts above 3 x 7 = 21 V. The resistance 131 absorbs the resulting voltage drop and limits the intensity, which is necessary in order to destroy the Zener diodes to avoid.

Um die Darlington-Schaltung, die aus den Transistoren 119 und 109 gebildet ist, zu schützen, die durch die vorhergehende Anordnung nicht geschützt wird, sind Zenerdioden 132 in Reihe zwischen der Basis des Transistors 109 und der Lampe 114 geschaltet. Im Falle einer Überspannung wird der Transistor IO9 durch das Durchschalten der Kette von Zenerdioden 132 leitend und bewirkt das Aufleuchten der Lampe 114. Ihre Widerstandserhöhung anschliessend an ihr Aufleuchten begrenzt die Intensität und schützt die Darlington-Schaltung gegen eine zu hohe Intensität, bei der man Gefahr läuft, daß sie zerstört wird.To the Darlington pair, made up of transistors 119 and 109 is formed to protect which is not protected by the foregoing arrangement, Zener diodes 132 are in series between the Base of transistor 109 and lamp 114 switched. In the event of an overvoltage is the transistor IO9 by switching of the chain of Zener diodes 132 conductive and causes the lighting up of lamp 114. Its resistance increase following its lighting up limits the intensity and protects the Darlington pair against too high an intensity with which one runs the risk of being gets destroyed.

509887/0813509887/0813

TABELLETABEL

cn ο co OO Ο3> cn ο co OO Ο3>

Anschluss
Spannung
connection
tension
Zustand der BauelementeCondition of the components SchwlS2 SchwlS 2 106106 3ChWLE1 3ChWLE 1 105105 T1 T 1 11 128 :128: ■1■ 1 Schv.'l. E-Schv.'l. E- 44th 11 114114
h ■
E1 1
E2 :
h ■
E 1 1
E 2:
00 00 00 00 00 11 00 00 Al*Al *
00 00 0 ι0 ι Ol
V
Oil
V.
11 Et*l Et * l
00 t ° 11 11 00 11 EtEt 11 AlAl

roro

OOOO

* Al = leuchtet Et = erloschen* Al = lit Et = extinguished

roro

cn oo cocn oo co

cncn

Claims (19)

- 22 Patentansprüche - 22 claims Λ
l.)i Vorrichtung zur tiberwachung einer elektrischen Spannung mit einem Arbeitswiderstand, der zu einer Anzeige-oder Steuereinrichtung gehört und dessen einer Anschluß mit der positiven Anschlußklemme der Vorrichtung' verbunden ist, mit einem Leistungstransistor, dessen Kollektor mit dem anderen Anschluß dieses Arbeitswiderstandes und dessen Emitter mit dem negativen Anschluß der Vorrichtung verbunden ist, und mit einem Steuertransistor, dessen Kollektor einerseits mit der Basis des Leistungstransistors und andererseits mit dem positiven Anschluß der Vorrichtung verbunden ist, wobei sein Emitter mit dem negativen Anschluß und seine Basis mit einem Punkt verbunden ist, dessen Potential von der Spannung zwischen den Anschlüssen der Vorrichtung abhängt, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des Steuertransistors (5»105) über eine Zenerdiode (15>115) mit einem einstellbaren Spannungsteiler (1,3}101,ΙΟ3) verbunden ist, der zwischen den beiden Anschlüssen (A,B) der Vorrichtung geschaltet ist, wobei der Spannungsteiler so eingestellt ist, daß die Zenerdiode (15 >115) leitend wird, wenn die Spannung an den Anschlüssen der Vorrichtung einen vorgegebenen viert E überschreitet.
Λ
l.) i Device for monitoring an electrical voltage with a working resistor belonging to a display or control device and one terminal of which is connected to the positive terminal of the device, with a power transistor, the collector of which is connected to the other terminal of this working resistor and its Emitter is connected to the negative terminal of the device, and to a control transistor whose collector is connected on the one hand to the base of the power transistor and on the other hand to the positive terminal of the device, its emitter being connected to the negative terminal and its base to a point, whose potential depends on the voltage between the terminals of the device, characterized in that the base of the control transistor (5 »105) is connected via a Zener diode (15> 115) to an adjustable voltage divider (1,3} 101, ΙΟ3) which is connected between the two connections (A, B) of the device , wherein the voltage divider is set so that the Zener diode (15> 115) is conductive when the voltage at the terminals of the device exceeds a predetermined fourth E.
2.) Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des Steuertransistors (5»1O5) mit dem Kollektor eines zweiten Steuertransistors (6,106) verbunden ist, dessen Emitter mit dem negativen Anschluß verbunden und dessen Basis über eine zweite Zenerdiode (16,116) mit einem zweiten einstellbaren Spannungsteiler (2,4;102,1θ4), der zwischen die zwei Anschlüsse der Vorrichtung geschaltet ist, verbunden ist, wobei der zweite Spannungsteiler so eingestellt ist, daß die zweite Zenerdiode leitend wird, wenn die Spannung an den Anschlüssen der Vorrichtung einen zweiten vorgegebenen Wert E1 der grosser als E ist, überschreitet.2.) Device according to claim 1, characterized in that the base of the control transistor (5 »1O5) is connected to the collector of a second control transistor (6,106), whose emitter is connected to the negative terminal and whose base is connected via a second Zener diode (16,116) is connected to a second adjustable voltage divider (2,4; 102,1θ4) which is connected between the two terminals of the device, wherein the second voltage divider is set so that the second Zener diode is conductive when the voltage at the terminals of the Device a second predetermined value E 1 which is greater than E exceeds. 509887/081 3509887/081 3 3^5773 ^ 577 3.) Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Zenerdioden Transistoren sind, die mit umgekehrten Dioden geschaltet sind.3.) Device according to one of claims 1 and 2, characterized characterized in that the zener diodes are transistors connected with reverse diodes. k.) Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1-3» dadurch gekennzeichne t, daß die Spannungsteiler (1,3»2,4; 101,103,102,10*0 aus einem mit dem positiven Anschluß der Vorrichtung verbundenen festen Widerstand (3,k;103,1Ok) und aus einem mit dem negativen Anschluß verbundenen einstellbaren Widerstand (1,2;101,102) bestehen, wobei die entsprechenden Zenerdioden (15,16;115»116) mit dein Verbindungspunkt der beiden Widerstände verbunden sind. k.) Device according to one of claims 1-3 »characterized in that the voltage dividers (1,3» 2,4; 101,103,102,10 * 0 consist of a fixed resistor (3, k ; 103 , 1 Ok) and an adjustable resistor (1,2; 101,102) connected to the negative terminal, the corresponding Zener diodes (15,16; 115 »116) being connected to the junction of the two resistors. 5·) Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 - 4, dadurch gekennz e i chne t, daß der Leistungstransistor, (9> 19 5 109 j 1 19) als Darlingtonschaltung ausgebildet ist.5.) Device according to one of claims 1-4, characterized in that the power transistor (9> 19 5 109 j 1 19) is designed as a Darlington circuit. 6.) Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 - 5, dadurch gekennze ichne t, daß der Kollektor des zweiten Steuertransistors (6) mit der Basis des ersten Steuertransistors (5) über die letzterem zugeordnete Zenerdiode (15) verbunden ist.6.) Device according to one of claims 15, characterized gekennze ichne t that the collector of the second control transistor (6) is connected to the base of the first control transistor (5) over the latter associated Zener diode (15). 7.) Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 - 6, dadurch gekennzeichnet, daß eine Verstärkerkette mit zwei Stufen (11,12) zwischen dem Kollektor des ersten Steuertransistors (5) und der Basis der Darlington-Schaltung angeordnet ist.7.) Device according to one of the preceding claims 1-6, characterized in that an amplifier chain with two stages (11,12) between the collector of the first control transistor (5) and the base of the Darlington pair is arranged. 8.) Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 - 7> dadurch gekennzeichnet, daß ein Gegenkopplungszweig aus einem Widerstand 8' die erste Zenerdiode (15) mit dem Kollektor des ersten Transistors (11) der Verstärkerkette verbindet, und daß ein zweiter Gegenkopplungszweig aus einem Widerstand (8) die zweite Zenerdiode (16) mit dem Kollektor des ersten Steuertransistors (5) verbindet.8.) Device according to one of claims 1 - 7> characterized in that a negative feedback branch from a resistor 8 'the first Zener diode (15) with the collector of the first transistor (11) of the amplifier chain connects, and that a second negative feedback branch from a resistor (8) the second Zener diode (16) with the Collector of the first control transistor (5) connects. 509887/0813509887/0813 9.) Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1-8, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung einen Kondensator (io) enthält, der parallel zu den beiden Anschlüssen geschaltet ist.9.) Device according to one of claims 1-8, characterized characterized in that the device includes a capacitor (io) in parallel with the two Connections is switched. 10.) Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 - 5> dadurch gekennze ichne t, daß die Basis des ersten Steuertransistors (105) über eine dritte Zenerdiode (124) mit einem dritten einstellbaren Spannungsteiler (122,123) verbunden ist, wobei der dritte Spannungsteiler so eingestellt ist, daß die dritte Zenerdiode leitend wird, wenn die Spannung an den Anschlüssen der Vorrichtung einen dritten vorgegebenen Wert E , der kleiner als der Wert E1 ist,unterschreitet, und daß der Kollektor des ersten Steuertransistors (105) mit der Basis eines Zwischentransistors (126) verbunden ist, dessen kollektor einerseits mit der Basis des Leistungstransistors (127) und andererseits mit der Basis eines Transistors (128) verbunden ist, dessen Kollektor mit dem Einstellpunkt des dritten Spannungsteilers verbunden ist, wobei alle Transistoren mit ihren Emittern mit dem negativen Anschluß verbunden sind.10.) Device according to one of claims 1-5> characterized in that the base of the first control transistor (105) is connected via a third Zener diode (124) to a third adjustable voltage divider (122,123), the third voltage divider being so set is that the third Zener diode is conductive when the voltage at the terminals of the device falls below a third predetermined value E, which is smaller than the value E 1 , and that the collector of the first control transistor (105) with the base of an intermediate transistor ( 126), whose collector is connected on the one hand to the base of the power transistor (127) and on the other hand to the base of a transistor (128) whose collector is connected to the set point of the third voltage divider, all transistors with their emitters to the negative terminal are connected. 11.) Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Zwischentransistor (126) mit der Basis des Leistungstransistors (127) und der des Transistors verbunden ist, der über einen Stromgenerator (127) oder einen Strominventer mit dem dritten Spannungsteiler (122,123) verbunden ist.11.) Device according to claim 10, characterized in that that the intermediate transistor (126) is connected to the base of the power transistor (127) and that of the transistor is that via a current generator (127) or a current inventor with the third voltage divider (122,123) is connected. 12.) Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 und 11, dadurch gekennze ichne t, daß jeder der Zenerdioden (116, 115, 124) eine Diode (121,120,125) zugeordnet ist.12.) Device according to one of claims 10 and 11, characterized in that each of the Zener diodes (116, 115, 124) is assigned a diode (121, 120, 125). 13·) Vorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeich.-n e t, daß die DiodenTransistoren mit direkt geschalteten Dioden sind.13 ·) Device according to claim 12, characterized gekennzeich.-n e t that the diode transistors are directly connected diodes. 14.) Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 - 13, dadurch14.) Device according to one of claims 10-13, characterized 5O9'8:87/O813509'8: 87 / O813 ο c ς q ς 7ο c ς q ς 7 £. J ν/ ■»■£. J ν / ■ »■ - 25 -- 25 - gekennze ichne t, daß ein Kondensator (129) zwischen der Basis des ersten Steuertransistors (105) und dem negativen Anschluß der Vorrichtung geschaltet ist.mark that a capacitor (129) between the base of the first control transistor (105) and the negative terminal of the device is connected. 15·) Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 - 14, dadurch gekennzeichnet, daß eine Kette von in Reihe geschalteten Zenerdioden (130) zwischen dem negativen Anschluß der Vorrichtung und einem Widerstand (131)> der mit dem positiven Anschluß verbunden ist, geschaltet ist.15 ·) Device according to one of claims 10-14, characterized in that a chain of in series switched Zener diodes (130) between the negative Connection of the device and a resistor (131)> connected to the positive terminal is switched. 16.) Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 - 15, dadurch gekennze ichne t, daß eine Kette von in Reihe geschalteten Zenerdioden (132) zwischen der Basis des zweiten Transistors (109) der Darlington-Schaltung und dem Arbeitswiderstand (ii4) geschaltet ist.16.) Device according to one of claims 10-15, characterized denote that a chain of Zener diodes (132) connected in series between the base of the second transistor (109) of the Darlington circuit and the load resistor (ii4) is connected. 17·) Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 - 16, dadurch gekennze ichne t, daß mindestens einer (101,103) der Spannungsteiler über eine Zenerdiode (13^) die mit der dem Spannungsteiler zugeordneten Zenerdiode (i15) identisch und in gleicher ¥eise geschaltet ist, verbunden ist, wobei die dem Spannungsteiler zugeordnete Zenerdiode (115) mit dem Einstellpunkt des Spannungsteilers über eine Kette von Dioden (133) verbunden ist.17 ·) Device according to one of claims 1 - 16, characterized in that at least one (101,103) the voltage divider via a zener diode (13 ^) with the the Zener diode (i15) assigned to the voltage divider is identical and connected in the same way, wherein the zener diode (115) assigned to the voltage divider is connected to the set point of the voltage divider via a chain of diodes (133). 18.) Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 - 17, dadurch gekennzeichnet, daß sie mit Ausnahme des Arbeitswiderstandes (114) und des Kondensators (1O;129) als ein hybrider Schaltkreis ausgebildet ist, wobei die einstellbaren Widerstände als dünne oder dicke Schichten oder als plattierte Schaltung ausgebildet sind, und daß der übrige Teil der Schaltung die Form einer integrierten Schaltung hat.18.) Device according to one of claims 1 - 17, characterized in that it, with the exception of the Working resistance (114) and the capacitor (1O; 129) is designed as a hybrid circuit, the adjustable resistors as thin or thick layers or as a plated circuit, and that the remainder of the circuit is in the form of an integrated Circuit has. 19.) Verfahren zum Einstellen der Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 - 18, dadurch gekennzeichnet,19.) Method for setting the device according to one of claims 1 - 18, characterized in that 509887/0813509887/0813 daß die Schaltung eingebaut und mit einer einstellbaren Spannung versorgt wird, und dai3 die einstellbaren Widerstände auf solche Werte eingestellt werden, dai3 die den entsprechenden Spannungsteilern zugeordneten Zenerdioden ihren Zustand nur ändern, wenn die Versorgungsspannung die entsprechenden vorgegebenen Werte erreicht.that the circuit is built in and with an adjustable Voltage is supplied, and that the adjustable resistors are set to such values that the Zener diodes assigned to the corresponding voltage dividers only change their state when the supply voltage reached the corresponding specified values. 509887/0813509887/0813
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