DE2527858A1 - Elektrisches bauelement - Google Patents
Elektrisches bauelementInfo
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Description
°TB7TS 5
PLl/Lins-st/tex 18.6.1975
R.Nr. 1403
Elektrisches Bauelement Die Erfindung betrifft ein elektrisches Bauelement.
Die Tendenz in der neueren Elektronik, insbesondere in der Unterhaltungselektronik,
geht dahin, diskrete Bauteile weitmöglichst durch integrierte Schaltkreise zu ersetzen. Die verbleibenden, nicht integrierbaren
Bauteile sind passive Bauelemente, die sich im allgemeinen durch eine hohe Zuverlässigkeit auszeichnen.
Eine Fehlersuche in komplexen Schaltungen bietet daher in zunehmendem
Maße das Problem der Prüfung der Funktionsfähigkeit von integrierten
Schaltkreisen.
Die bisherigen Prüfverfahren, in denen lediglich extern die ütromaufnahme
oder die Betriebsspannung des integrierten Schaltkreises gemessen wird, sind sehr aufwendig, da mit den Meßinstrumenten jeder einzelne
Schaltkreis untersucht werden muß.
Der Erfindung liegt demgegenüber die Aufgabe zugrunde, ein elektrisches
Bauelement zu entwickeln, bei dem eine einfache Prüfung der Funktion des Bauelements möglich ist.
609882/0494
BLAUPUNKT-WERKE GMBH » h.ldeshe.«, *,***»*«,*. *»
PLl/Lins-st/tex - 2 - 18.6.1975
R.Nr. 1403
Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß das Bauelement
aus einem integrierten Schaltkreis und einem Leuchtelement, welches als Indikator für die Funktion des integrierten Schaltkreises dient,
besteht.
Die Vorteile der erfindungsgemäßen Bauelemente bestehen insbesondere
darin, daß durch die Zusammenfassung des integrierten Schaltkreises mit dem Leuchtelement externe Meßinstrumente zur Funktionsprüfung überflüssig
sind.
Ein erfindungsgemäßes Bauelement zeigt eine Störung seiner Funktion
selbsttätig an. Das ist besonders vorteilhaft, wenn eine komplexe Schaltung aus vielen integrierten Schaltkreisen aufgebaut ist.
In den weiteren Ansprüchen sind vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung
angegeben. Ihre Eigenschaften und Vorzüge sind in der nachfolgenden Beschreibung der in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiele
der Erfindung näher erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1 ein auf einem Trägerplättchpn angeordnetes Bauelement mit
einem integrierten Schaltkreis und einem Leuchtelement
Fig. 2 einen integrierten Schaltkreis mit einer Leuchtdiode in
einem durchsichtigen Gehäuse.
Das in Fig. 1 dargestellte Bauelement ist auf einem Trägerplättchen 1
für Dickschichtschaltungen angeordnet. Das Material des Trägerplättchens 1 ist deshalb üblicherweise Glas oder Keramik. Auf dem Trägerplättchen
1 befindet sich ein Halbleiter-Chip 2, auf dem der integrierte Schaltkreis verwirklicht ist. Von dem Halbleiter-Chip 2 verlaufen
Anschlußdrähte 3 zu Anschlußpunkt 4, deren Anzahl sich nach der in dem integrierten Schaltkreis realisierten Schaltung richtet.
609882/0494 _3_
BLAUPUNRT-WERKE GMBH 3^JJ 8 5
PLl/Lins-st/tex - 3 - 18.6.1975
R.Nr. 1403
Von einem Anschlußpunkt 4 verläuft auf dem Trägerplättchen 1 eine
gedruckte Leiterbahn zu einem Leuchtelement 6, das vorzugsweise durch eine Leuchtdiode gebildet wird, da diese eine geringe Leistungsaufnahme
hat und den integrierten Schaltkreis nur gering belastet. Von dem Leuchtelement 6 verläuft eine weitere Leiterbahn 7 zu einer Anschlußfläche
8 am Rande des Trägerplättchens 1. Die Anschlußfläche 8
ist mit einem zweiten Pol einer Spannungsquelle verbunden, aus der das Leuchtelement 6 über den integrierten Schaltkreis seine Betriebsspannung
erhält.
Der Halbleiter-Chip 2 ist durch eine Schutzschicht 9, z.B. in Form eines
Silikonharz-Tropfens, gegen Berührungen geschützt. Da integrierte Halbleiterschaltungen,
insbesondere die p-n-Übergänge, gegen Lichteinfall empfindlich sind und ihre Eigenschaften verändern, kann bei einer kritischen
Auslegung des integrierten Schaltkreises das einfallende Tageslicht oder anderes Licht, insbesondere solches mit einem hohen kurzwelligen
Anteil, zu einer Störung des integrierten Schaltkreises führen. Deshalb können die integrierten Schaltkreise der erfindungsgemäßen
Bauelemente mit einer undurchsichtigen Schutzschicht 9 ausgestattet sein. Die bisher verwendeten Schutzschichten waren transparent, wenn die integrierten
Schaltkreise in einem undurchsichtigen Gehäuse eingebaut waren. Die undurchsichtige Schutzschicht 9 kann z.B. dadurch hergestellte werden,
daß die übliche Silikonharz-Schicht eingefärbt ist.
In dem gezeichneten Ausführungsbeispiel sind die Anschlußpunkte 4 über
weitere Leiterbahnen 10 mit an dem Rand das Trägerplättchens 1 angeordneten Kontaktflächen 11 verbunden, so daß das Trägerplättchen 1
mit seinen Randkontakten mit entsprechenden Kontakten, z.B. Gabelkontakten, einer Halterung kontaktiert werden kann.
609882/0494
2527858 BLAUPUNKT-WERKE GMBH .ihildesheih.
PLl/Lins-st/tex -4- 18.6.1975
R.Nr. 1403
In einer anderen Ausführungsform kann das Trägerplättchen 1 mit einer
durchsichtigen Kappe abgedeckt oder von einem durchsichtigen oder teilweise durchsichtigen Gehäuse umgeben sein. In diesem Fall können die
Anschlußpunkte 4 z.B. mit Anschlußstiften mit dem Äußeren des Bauelementes verbunden werden.
In Fig. 2 ist schematisch ein integrierter Schaltkreis mit einem Leuchtelement
6 dargestellt, der in üblicher Weise in einem Gehäuse 12 für einen integrierten Schaltkreis angeordnet ist. Der Halbleiter-Chip 2
ist mit einer Schutzschicht 9 überzogen, die üblicherweise durchsichtig ist.
Im Gegensatz zu den bisher üblichen Gehäusen ist das Gehäuse 12 durchsichtig
oder teilweise durchsichtig, damit das Licht des Leuchtelements 6 von außen wahrgenommen werden kann. In analoger Weise zu dem in Fig.
dargestellten Ausführungsbeispiel kann die Schutzschicht 9 undurchsichtig ausgeführt sein.
Für den Fall, daß eine undurchsichtige Schutzschicht 9 über dem Halbleiter-Chip
2 Nachteile mit sich bringen sollte, sind viele Varianten des Schutzes des Halbleiter-Chips 2 vor Lichteinfall denkbar.
Besonders einfach herzustellen und in vielen Fällen wirksam ist die
Einfärbung des Gehäuses 12 mit der Farbe, die eine Leuchtdiode 6 aussendet. In diesem Fall wird die Intensität des von der Leuchtdiode 6
ausgesandten Lichts wenig verringert, während das einfallende Tageslicht stark in seiner Intensität geschwächt wird. Für rot leuchtende
Leuchtdioden 6 kann durch die Rotfärbung des transparenten Gehäuses 12
der besonders schädliche kurzwellige Anteil des Tageslichts praktisch vollständig von dem Halbleiter-Chip 2 ferngehalten werden.
Natürlich sind auch verschiedene Gehäuseausführungen möglich, die einen
Lichteinfall auf den Halbleiter-Chip verhindern oder vermindern und trotzdem die Beobachtung des Leuchtelements 6 ermöglichen.
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2527858 BLAUPUNKT-WERKE GMBH » h.loeshe.m. ro^-bo^-s»,.* 200
PLl/Lins-st/tex - 5 - 18.6.1975
R.Nr. 1403
Ein besonderer Vorteil wird bei einer geeigneten Wahl des Basismaterials
des integrierten Schaltkreises dadurch erreicht, daß das Leuchtelement aus einem entsprechenden Halbleitermaterial gebildet ist und auf dem
Halbleiter-Chip 2 des integrierten Schaltkreises angeordnet ist. Ein eventuell notwendiger Schutz gegen einfallendes Licht kann mit den
oben bereits beschriebenen Mitteln erreicht werden, so durch eine in der Farbe der Leuchtelemente 6 eingefärbte Schutzschicht 9 oder
ein entsprechend eingefärbtes Gehäuse 12.
Es existiert eine Vielzahl von offensichtlich weiteren Vorteilen, die durch den Einsatz eines erfindungsgemäßen, selbstdiagnostizierenden
Bauelements in den verschiedenen Anwendungsbereichen erzielbar sind. Ein geeignetes Basismaterial für einen integrierten Schaltkreis,
auf dem eine Leuchtdiode 6 angeordnet werden kann, ist Gallium-Arsenid-Phosphid
(GaAsP). Damit ist in einfacher Weise eine rot leuchtende Leuchtdiode 6 zu verwirklichen.
609882/0494
Claims (1)
- 252 7 8ΤΓ8BLAUPUNKT-WERKE GMBH „ H.LOESHE.M, Robert-Bc^-S«^, 200PLI/Lins-st/tex - 6 - 18.6.1975R.Nr. 1403PatentansprücheElektrisches Bauelement, dadurch gekennzeichnet, daß es aus einem integrierten Schaltkreis und einem Leuchtelement (6), welches als Indikator für die Funktion des integrierten Schaltkreises dient, besteht.Elektrisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der integrierte Schaltkreis und das Leuchtelement (6) auf einem Trägerplättchen (1) angeordnet sind.Elektrisches Bauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der integrierte Schaltkreis mit einer Schutzschicht (9) überzogen ist.Elektrisches Bauelement nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, das die Schutzschicht (9) lichtundurchlässig ist.Elektrisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Bauelement ein durchsichtiges Gehäuse (12) aufweist.Elektrisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Bauelement ein teilweise durchsichtiges Gehäuse (12) aufweist.0-9 882/04942527858 BLAUPUNKT-WERKE GMBH 32 «,ldeshe.m, ^^β^^γ^· *»PLl/Lins-st/tex - 7 - 18.6.1975R.Nr. 14037. Elektrisches Bauelement nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß der durchsichtige Teil des Gehäuses (12) eingefärbt ist.8. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Leuchtelement (6) Licht aus einem begrenzten Spektralbereich aussendet.9. Bauelement nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Leuchtelement (6) eine Leuchtdiode ist.10. Bauelement nach Anspruch 7 und 8, dadurch gekennzeichnet, daß der durchsichtige Teil des Gehäuses (12) derart eingefärbt ist, daß das von dem Leuchtelement (6) ausgesandte Licht in seiner Intensität relativ wenig, das in das Gehäuse (12) eindringende Licht relativ stark gedämpft wird.11. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Leuchtelement (6) aus einem Halbleitermaterial gebildet und auf einem Halbleiter-Chip (2) des integrierten Schaltkreises angeordnet ict.12. Bauelement nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß das Basismaterial für den integrierten Schaltkreis Gallium-Arsenid-Phosphid (GaAsP) ist.13. Bauelement nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiter-Chip (2) mit einer Schutzschicht (9) versehen ist, die derart eingefärbt ist, daß das von dem Leuchtelement (6) ausgesandte Licht in seiner Intensität relativ wenig, das auf den Halbleiter-Chip (2) einfallende Licht relativ stark gedämpft wird.609882/0494Leerseite
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19752527858 DE2527858A1 (de) | 1975-06-23 | 1975-06-23 | Elektrisches bauelement |
FR7618765A FR2315700A1 (fr) | 1975-06-23 | 1976-06-21 | Element de montage electrique |
BR7604044A BR7604044A (pt) | 1975-06-23 | 1976-06-22 | Elemento eletrico |
ZA763718A ZA763718B (en) | 1975-06-23 | 1976-06-22 | Circuit element |
ES449149A ES449149A1 (es) | 1975-06-23 | 1976-06-23 | Perfeccionamientos en componentes electricos. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19752527858 DE2527858A1 (de) | 1975-06-23 | 1975-06-23 | Elektrisches bauelement |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2527858A1 true DE2527858A1 (de) | 1977-01-13 |
Family
ID=5949718
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19752527858 Pending DE2527858A1 (de) | 1975-06-23 | 1975-06-23 | Elektrisches bauelement |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
BR (1) | BR7604044A (de) |
DE (1) | DE2527858A1 (de) |
ES (1) | ES449149A1 (de) |
FR (1) | FR2315700A1 (de) |
ZA (1) | ZA763718B (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3208021A1 (de) * | 1981-04-24 | 1982-11-11 | Hitachi, Ltd., Tokyo | Integrierte halbleiterschaltung |
DE102015121577A1 (de) * | 2015-12-11 | 2017-06-14 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur erkennung eines sich abzeichnenden ausfalls eines halbleiterchips eines halbleitermoduls und halbeitermodulanordnung |
-
1975
- 1975-06-23 DE DE19752527858 patent/DE2527858A1/de active Pending
-
1976
- 1976-06-21 FR FR7618765A patent/FR2315700A1/fr active Granted
- 1976-06-22 ZA ZA763718A patent/ZA763718B/xx unknown
- 1976-06-22 BR BR7604044A patent/BR7604044A/pt unknown
- 1976-06-23 ES ES449149A patent/ES449149A1/es not_active Expired
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DE102015121577B4 (de) | 2015-12-11 | 2023-06-29 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur erkennung eines sich abzeichnenden ausfalls eines halbleiterchips eines halbleitermoduls und halbeitermodulanordnung |
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Publication number | Publication date |
---|---|
BR7604044A (pt) | 1977-07-05 |
ZA763718B (en) | 1977-05-25 |
ES449149A1 (es) | 1977-08-01 |
FR2315700A1 (fr) | 1977-01-21 |
FR2315700B3 (de) | 1979-03-09 |
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