DE2527191B2

DE2527191B2 - Method of manufacturing a thyristor

Info

Publication number: DE2527191B2
Application number: DE2527191A
Authority: DE
Inventors: Roger John Lincoln Bassett (Grossbritannien)
Original assignee: AEI SEMICONDUCTORS Ltd LINCOLN (GROSSBRITANNIEN)
Current assignee: AEI SEMICONDUCTORS Ltd LINCOLN (GROSSBRITANNIEN)
Priority date: 1975-04-11
Filing date: 1975-06-18
Publication date: 1978-07-13
Also published as: FR2307378B1; IT1058809B; SE7604154L; SE413958B; FR2307378A1; GB1546094A; DE2527191A1

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Thyristors mit einer ausgebreiteten, eine Vielzahl von langgestreckten Armen aufweisenden Steuerelektrode und zwischen diesen Armen befindlichen Emitterbereichen, bei dem die Emitterbereiche mit einer Vielzahl von Kurzschlußpunkten versehen werden.The invention relates to a method for producing a thyristor with a spread, a plurality of control electrode having elongated arms and emitter regions located between these arms, in which the emitter areas are provided with a large number of short-circuit points.

Aus der DE-OS 20 28 010 sowie der DE-OS 23 39 440 ist es bekannt einen Thyristor mit einem sogenannten, »kurzgeschlossenen Emitter« zu versehen, um z. B. die Abschaltzeit des Thyristors zu verbessern. Bei einem solchen kurzgeschlossenen Emitter erstreckt sich die der Steuerelektrode zugeordnete Halbleiterschicht unter der den Emitter des Thyristors bildenden Halbleiterschicht hindurch und durchstößt die Emitterschicht in einer Vielzahl von kleinen Bereichen zur Oberfläche der Halbleiteranordnung hin, so daß sie dort mit der Emitter-Elektrode in elektrisch leitenden Kontakt kommt. Aus diesem Grund werden diese die Emitterschicht durchstoßenden kleinen Bereiche auch als Kurzschlußpunkte bezeichnet.From DE-OS 20 28 010 and DE-OS 23 39 440 it is known a thyristor with a so-called, To provide "short-circuited emitter" in order to e.g. B. to improve the turn-off time of the thyristor. At a The semiconductor layer assigned to the control electrode extends to such short-circuited emitters under the semiconductor layer forming the emitter of the thyristor and penetrates the emitter layer in a large number of small areas towards the surface of the semiconductor device, so that they are there comes into electrically conductive contact with the emitter electrode. Because of this, these become the Small areas penetrating the emitter layer are also known as short-circuit points.

Soll nun mit Hilfe des eingangs erwähnten Verfahrens nicht nur ein kleinflächiger, in seinem Emitterbereich mit einer verhältnismäßig geringen Zahl von Kurzschlußpunkten versehener Thyristor, wie er z. B. in der DE-OS 20 28 010 oder der DE-OS 23 39 440 beschrieben ist, sondern ein für hohe Schaltgeschwindigkeiten geeigneter Thyristor für große Leistungen hergestellt werden, so muß über eine im Verhältnis zur Größe der einzelnen Kurzschlußpunkte extrem große Emitterfläche (nahezu gleich der gesamten Thyristorfläche) eine sehr große Anzahl von Kurzschlußpunkten verteilt werden. Dabei ergeben sich zwei wesentliche Probleme, da es darauf ankommt, daß einerseits diese Kurzschlußpunkte möglichst dicht beieinander liegen una daß andererseits ihre Anordnung auch über große Distanzen hinweg streng regelmäßig ist. Diese beidenWith the help of the method mentioned at the beginning, it should not only be a small area in its emitter area with a relatively small number of short-circuit points provided thyristor, as z. B. in the DE-OS 20 28 010 or DE-OS 23 39 440 is described, but one for high switching speeds suitable thyristor for large powers are made, so must have a ratio in relation to the size of the individual short-circuit points an extremely large emitter area (almost equal to the entire thyristor area) very large number of short-circuit points are distributed. There are two main problems, because it is important that on the one hand these short-circuit points are as close together as possible on the other hand, their arrangement is strictly regular even over great distances. These two

ίο Forderungen konnten bisher nur in sehr unzureichendem Maße gleichzeitig erfüllt werden, und im allgemeinen gingen Versuche, die Dichte der Kurzschlußpunkte zu steigern, zu Lasten der Regelmäßigkeit ihrer Anordnung.ίο Claims have so far only been very inadequate Dimensions are met at the same time, and in general, attempts were made to reduce the density of the short-circuit points to increase, at the expense of the regularity of their arrangement.

Auf diesen Stand der Technik aufbauend liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs genannten Art zu schaffen, das es ermöglicht, die durch die Arme der Steuerelektrode voneinander getrennten, großflächigen Emitterbereiche mit einer sehr großen Zahl von äußerst dicht beieinanderliegenden und streng regelmäßig angeordneten Kurzschlußpunkten zu versehen.Building on this prior art, the invention is based on the object of providing a method of To create the type mentioned at the beginning, which makes it possible to separate the arms of the control electrode from one another separate, large-area emitter areas with a very large number of extremely close together and to provide strictly regularly arranged short-circuit points.

Zur Lösung dieser Aufgabe sieht die Erfindung vor, daß eine Gaindmaske verwendet wird, auf der nur eine kleine Zahl von eine Untereinheit der gesamten Kurzschlußpunkt-Anordnung bildenden Kurzschlußpunkten vorgesehen wird, und daß die Gesamtheit der in den einzelnen Emitterbereichen in einer großen Zahl von Reihen und Spalten regelmäßig angeordneten Kurzschlußpunkte mittels eines Step- und Repeatverfahrens unter Verwendung der Grundmaske gebildet wird.To solve this problem, the invention provides that a Gaind mask is used on which only one small number of short-circuit points forming a sub-unit of the entire short-circuit point arrangement is provided, and that the totality of the individual emitter areas in a large number of rows and columns regularly arranged short-circuit points by means of a step and repeat process is formed using the basic mask.

Beim ersten Schritt dieses erfindungsgemäßen Verfahrens können zunächst einmal die die Untereinheit bildenden Kurzschlußpunkte mit hoher Genauigkeit in dem erforderlichen geringen gegenseitigen Abstand angeordnet werden. Da es sich hierbei nur um eine sehr kleine Zahl von Kurzschlußpunkten handelt, kann zur Erzielung der erforderlichen Präzision ein sehr großer Aufwand getrieben werden, ohne daß hierdurch die Kosten des Gesamtverfahrens erheblich gesteigert wurden. Durch den zweiten Schritt, nämlich die Anwendung eines Step- und Repeatverfahrens zur Erzeugung der Gesamtheit der Emitter-Kurzschlußpunkte wird dann mit einem relativ geringen Aufwand die hohe Dichte und Präzision der Untereinheit auf die gesamte Anordnung übertragen und als Endprodukt ein Thyristor erzielt, der hinsichtlich der angestrebten Eigenschaften allen bisher erreichbaren ähnlichen Strukturen deutlich überlegen ist.In the first step of this inventive method can first of all the short-circuit points forming the sub-unit with high accuracy in the required small mutual spacing. Since this is only a very If the number of short-circuit points is small, a very large number can be used to achieve the required precision Effort can be made without this increasing the costs of the overall process considerably became. Through the second step, namely the use of a step and repeat procedure for The totality of the emitter short-circuit points is then produced with relatively little effort the high density and precision of the subunit are transferred to the entire arrangement and used as the end product Achieved thyristor, which is similar to all previously achievable in terms of the desired properties Structures is clearly superior.

Ein besonderer Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens ist darin zu sehen, daß sich die Erstellung der Grundmaske insbesondere auch deshalb äußerst einfach gestaltet, weil bei ihrem Entwurf die eigentliche Thyristor-Geometrie nur eine untergeordnete Rolle spielt. Zwar besteht ein gewisser Zusammenhang zwischen dem geometrischen Aufbau der Untereinheit und z. B. den Winkeln, unter denen die Arme der Steuerelektrode abgeknickt sein sollen, doch läßt sich mit ein und derselben Untereinheit eine Vielzahl von äußerst unterschiedlichen Thyristorgeometrien einfach dadurch erzeugen, daß man die im Step- und Repeatverfahren durchgeführte Translation dieser Untereinheit variiert.A particular advantage of the method according to the invention is that the creation of the In particular, the basic mask is designed to be extremely simple because the actual Thyristor geometry only plays a subordinate role. There is a certain connection between the geometric structure of the subunit and z. B. the angles at which the arms of the Control electrode should be kinked, but with one and the same subunit a large number of create extremely different thyristor geometries simply by having the step and Translation of this subunit carried out by a repeat procedure varies.

Zwar ist es z. B. aus dem Buch »Einführung in die Mikroelektronik« von Andreas L e w i c k i bekannt, für die Herstellung von Halbleiter-Bauelementen Step- und Repeatverfahren anzuwenden. Das geschah jedochAlthough it is z. B. from the book "Introduction to Microelectronics" by Andreas L e w i c k i known for to use step and repeat processes in the manufacture of semiconductor components. However, it did

bisher lediglich in der Weise, daß mehr oder weniger komplexe, in sich abgeschlossene Strukturen mit entsprechender Häufigkeit in Reihen und Spalten nebeneinander abgebildet wurden. Die aus diesen Strukturen hervorgehenden Halbleiter-iiauelemente bzw. Halbleiter-Schaltungen sind nach dem Stand der Technik, aber in ihrer Funktion voneinander völlig unabhängig und werden dementsprechend nach der Fertigstellung voneinander getrennt. Aufgrund die::er funktionsmäßigen Unabhängigkeit der mittels eines Step- und Repeatverfahrens vervielfachten Strukturen spielten beim Stand der Technik absolute Fehler, die beim Step- und Repeatvorgang z. B. hinsichtlich des Abstandes der einzelnen Systeme untereinander auftraten und sich über eine längere Reihe hinweg addierten, keine Rolle. Es war lediglich von Bedeutung, daß bei der Herstellung mehrerer in hoher Genauigkeit aufeinanderpassender Masken mit Hilfe eines solchen Step- und Repeatverfahrens sich von Maske zu Maske die gleichen absoluten Fehler innerhalb sehr en^er Grenzen wiederholten.so far only in such a way that more or less complex, self-contained structures with corresponding frequency in rows and columns next to each other. The ones from these Structures emerging semiconductor iiauelemente or semiconductor circuits are according to the prior art Technology, but completely independent of each other in their function and are accordingly according to the Completion separated from each other. Due to the:: he functional independence of the means of a Structures multiplied by step and repeat processes played absolute errors in the state of the art when stepping and repeating z. B. occurred with regard to the distance between the individual systems and added together over a long row, no matter. It only mattered that the Production of several masks that fit one another with high accuracy with the help of such a step and Repeat procedure from mask to mask produces the same absolute errors within very narrow limits repeated.

Ganz anders liegen demgegenüber die Verhältnisse bei der Erfindung, bei der mit Hilfe eines Step- und Repeatverfahrens aus einer Grundstruktur eine einzige, komplexe, nur als Ganzes funktionstüchtige Gesamtstruktur erzeugt werden soll, wobei es darauf ankommt, daß die sie bildenden Kurzschlußpunkte einen sehr kleinen und über große Strecken hinweg innerhalb enger Toleranzgrenzen konstanten gegenseitigen Abstand aufweisen. Die Erfindung zeigt, daß es trotz dieser völlig unterschiedlich gelagerten Voraussetzungen möglich ist, ein Step- und Repeatverfahren auch zur Herstellung einer solchen komplexen, nur als Ganzes funktionstüchtigen Gesamtstruktur zu verwenden.On the other hand, the situation is completely different in the case of the invention, in which with the help of a step and Repeat process from a basic structure creates a single, complex overall structure that only functions as a whole is to be generated, it is important that the short-circuit points they form a very distance between small and large distances within tight tolerance limits exhibit. The invention shows that despite these completely different conditions it is possible to use a step and repeat process to produce such a complex one, only as a whole working forest.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen des e rf in Jungsgemäßen Verfahrens sind in den kennzeichnenden Teilen der Unteransprüche 2 bis 5 niedergelegt.Further advantageous refinements of the e rf in the method according to the invention are given in the characterizing Parts of the dependent claims 2 to 5 laid down.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird im folgenden beispielsweise an Hand der Zeichnung beschrieben; in dieser zeigtAn exemplary embodiment of the invention is described below, for example, with reference to the drawing described; in this shows

Fig. 1 in schematischer Darstellung einen Querschnitt durch einen nach dem beanspruchten Verfahren hergestellten Thyristor,1 shows a schematic representation of a cross section by a thyristor manufactured according to the claimed process,

F i g. 2 eine perspektivische Ansicht der Steuerelektroden- und Emitter-Elektroden-Anordnungen des Thyristors nach F i g. 1 undF i g. 2 is a perspective view of the control electrode and emitter electrode assemblies of FIG Thyristor according to FIG. 1 and

F i g. 3 eine schematische Draufsicht auf denselben Thyristor.F i g. 3 is a schematic plan view of the same thyristor.

In Fig. 1 ist in stark vereinfachter Form ein Querschnitt durch einen Thyristor dargestellt. Wie üblich umfaßt der Thyristor vier Schichten 1, 2,3 und 4 aus Halbleiter-Material, in diesem Fall Silizium, wobei die Schicht I vom n+-Typ, Schicht 2 und 4 vom p-Typ und Schicht 3 vom η-Typ ist. Die Schicht 2 erstreckt sich zu der Oberfläche der Anordnung in der Gegend einer Steuerelektrode 5. Kleine Bereiche des p-Typ-Materials von Schicht 2 erstrecken sich durch die Schicht I₁ und diese kleinen Bereiche stehen mit einer Emitter-Elektrode 7 in Verbindung, die sich auf der Oberfläche der Schicht 1 befindet. Da die kleinen p-Typ-Bereiche an der Oberfläche durch die Elektrode 7 mit der n-Typ-Schicht 1 kurzgeschlossen sind, werden diese kleinen Bereiche Emitter-Kurzschlüsse bzw. Kurzschlußpunkte 8 genannt, und ihr Vorhandensein vergrößert die Abschaltgeschwindigkeit des Thyristors und ebenso die Geschwindigkeit, mit der Spannung an den Thyristor angelegt werden kann, ohne eine Beschädigung zu verursachen. Letztere Eigenschaft wird üblicherweise als der dv/dt-Wert bezeichnet.In Fig. 1, a cross section through a thyristor is shown in a greatly simplified form. As usual, the thyristor comprises four layers 1, 2, 3 and 4 of semiconductor material, in this case silicon, the layer I being of the n + -type, layers 2 and 4 of the p-type and layer 3 of the η-type. Layer 2 extends to the surface of the array in the vicinity of a control electrode 5. Small areas of the p-type material of layer 2 extend through layer I ₁ and these small areas are in communication with an emitter electrode 7, the is on the surface of layer 1. Since the small p-type areas on the surface are short-circuited by the electrode 7 with the n-type layer 1, these small areas are called emitter short-circuits or short-circuit points 8, and their presence increases the turn-off speed of the thyristor as well as the The speed at which voltage can be applied to the thyristor without causing damage. The latter property is commonly referred to as the dv / dt value.

Der oben beschriebene Thyristor kann mittels der üblichen Diffusions-Techniken in einem Silizium-Substrat hergestellt werden.The thyristor described above can be in a silicon substrate by means of the usual diffusion techniques getting produced.

Die Größe und der Abstand der Kurzschlußpunkte 8 beeinflussen neben anderen Eigenschaften, die Abschaltzeit des Thyristors; in dem vorliegenden Beispiel ist jeder Punkt kreisförmig und hat einen Oberflächendurchmesser von ungefähr 0,05 mm und einen Mitte-Mitte-Abstand von ungefähr 0,25 mm. Diese Abmessungen sind äußerst klein und verursachen Schwierigkeiten bei der Herstellung, wenn eine große Zahl dieser Kurzschlußpunkte in einem einzelnen Element untergebracht werden muß, um einen stark kurzgeschlossenen Emitter zu erzeugeaThe size and the distance between the short-circuit points 8 influence, among other properties, the switch-off time of the thyristor; in the present example each point is circular and has a surface diameter of about 0.05 mm and a center-to-center distance of about 0.25 mm. These dimensions are extremely small and cause manufacturing difficulties if a large number of these Short-circuit points must be accommodated in a single element in order to be severely short-circuited Emitter to generate a

Ebenso besteht ein besonderes Problem darin, einen Thyristor für hohe Leistungen herzustellen, der eine hohe Dichte von Kurzschlußpunkten 8 aufweist, die genügend nahe bei der Steuerelektrode 5 angebracht sind, und es wird in der Erfindung von einem Untereinheiten-Muster von Kurzsch/ußpunkten 8 Gebrauch gemacht, das einerseits wiederholt werden kann, um eine große Schar von Kurzschlußpunkten zu bilden, und das andererseits mit der Form der Steuerelektrode 5 vereinbar ist.There is also a particular problem in making a high power thyristor, the one has a high density of short-circuit points 8, which are attached sufficiently close to the control electrode 5 and a subunit pattern of short cut points 8 is used in the invention made, which on the one hand can be repeated to form a large group of short-circuit points, and which, on the other hand, is compatible with the shape of the control electrode 5.

F i g. 2 zeigt eine perspektivische Ansicht, in der die Schar der Kurzschlußpunkte deutlicher überblickt werden kann, und die Querschnittsdarstellung aus Fig. 1 entspricht der Linie A-A. In Fig. 2 ist natürlichF i g. 2 shows a perspective view in which the group of short-circuit points can be seen more clearly, and the cross-sectional view from FIG. 1 corresponds to line AA. In Fig. 2 is natural

jo die Emitter-Elektrode 7 weggelassen, damit man die Kurzschlußpunkte 8 sieht, aber ihre Begrenzungslinien sind durch die Linien 9 angegeben. Das Untereinheiten-Muster kann jede geeignete Form annehmen, und in Fig.2 sind die Kurzschlußpunkte in Reihen ausgerichtet, die horizontal und unter einem Winkel von 60° zur Horizontalen verlaufen, was die Bildung von Untereinheiten erleichtert, die auf einer Sechseckstruktur basieren. Jede Untereinheit enthält eine große Zahl von Punkten 8. Zu Darstellungszwecken ist eine kleine Untereinheit 10 eingezeichnet, die nur eine kleine Zahl von Kurzschlußpunkten 8 enthält. Die Grenzlinien des Emitter-Bereiches, der die Kurzschlußpunkte 8 enthält, verlaufen nicht notwendigerweise geradlinig, sondern können regelmäßig Stufen oder Knicke aufweisen, die den Grenzen einzelner Untereinheiten entsprechen; durch die Linien 9 werden jedoch die geradlinig verlaufenden Grenzen der Emitter-Elektrode dargestellt. Die Steuerelektrode 5 hat einen kleinen Abstand zur Emitter-Elektrode 7, so daß sie von ihr elektrisch getrennt ist, und die Grenzlinien der Steuer-Elektrode 5 sind durch die Linien 11 gekennzeichnet. Um sicherzustellen, daß sich die beiden Elektroden 5 und 7 nicht berühren, und um zu ermöglichen, daß eine flache Platte benützt werden kann, um einen Druckkontakt mit der Emitter-Elektrode 7 herzustellen, ist es gegebenenfalls während der Fertigung möglich, einen Bereich mit einer niederer liegenden Oberfläche bzw. eine Wanne in der Schicht 2 zu erzeugen, und die Steuerelektrode auf dem Boden dieser Wanne vorzusehen, so daß die Wandteile des Troges eine elektrische Trennung gegenüber der Emitter-Elektrode sicherstellen. Diese Alternative ist nicht dargestellt.jo the emitter electrode 7 omitted so that the Short-circuit points 8 sees, but their delimitation lines are indicated by lines 9. The subunit pattern can take any suitable shape, and in Figure 2 the shorting points are aligned in rows, which run horizontally and at an angle of 60 ° to the horizontal, resulting in the formation of sub-units which are based on a hexagonal structure. Each subunit contains a large number of Points 8. For purposes of illustration, a small subunit 10 is shown, which only has a small number of short-circuit points 8 contains. The boundary lines of the emitter area, which contains the short-circuit points 8, do not necessarily run in a straight line, but can regularly have steps or kinks that correspond to the boundaries of individual subunits; however, the lines 9 make them straight running limits of the emitter electrode shown. The control electrode 5 has a small distance to the emitter electrode 7, so that it is electrically separated from it, and the boundary lines of the control electrode 5 are indicated by the lines 11. To ensure that the two electrodes 5 and 7 are not and to enable a flat plate to be used to make pressure contact with the Produce emitter electrode 7, it is possibly possible during manufacture to provide an area with a lower lying surface or a well in the layer 2, and the control electrode on the Provide the bottom of this trough so that the wall parts of the trough have an electrical separation from the Ensure emitter electrode. This alternative is not shown.

Die Grenzlinien 9 der Emitter-Elektrode 7 sind so angeordnet, daß alle Kurzschlußpunkte 8 vollständig bedeckt sind, d.h., keine Grenzlinie verläuft quer über einen Punkt selbst.The boundary lines 9 of the emitter electrode 7 are arranged so that all short-circuit points 8 are complete are covered, i.e. no boundary line runs across a point itself.

F i g. 3 zeigt einen kreisförmigen Thyristor in Draufsicht. Dieser Thyristor ist aus einer kreisförmigenF i g. 3 shows a circular thyristor in plan view. This thyristor is made of a circular one

.Siliziumscheibe 12 hergestellt, da dies die am meisten verwendete Form für ein Bauelement für hohe Leistungen ist, bei der eine ganze Scheibe für einen einzelnen Thyristor verwendet wird. Die Steuerelektrode 5 hat einen großen mittleren Bereich 13, von dem ausgehend sich eine Vielzahl von ausgedehnten Armen 14 erstreckt. Diese sind mit abgewinkelten Abschnitten längs ihrer Länge versehen, um den Abstand zwischen beliebigen Punkten der Emitter-Schicht 1 und der Steuerelektrode möglichst kleinzuhalten. In dem vorliegenden Fall, bei dem der Bereich des kurzgeschlossenen Emitters aus einer Vielzahl von einzelnen sechseckigen.Silicon wafer 12 produced, as this is the most The shape used is for a high performance component, where a whole disk is for a single thyristor is used. The control electrode 5 has a large central area 13 of which a plurality of extended arms 14 extend therefrom. These are with angled sections provided along its length to the distance between any points of the emitter layer 1 and the Keep the control electrode as small as possible. In the present case where the area of the shorted Emitters made up of a multitude of individual hexagonal

Untereinheiten zusammengesetzt ist, ist es am bequem sten, die ausgedehnten Arme der Steuerelektrode mi hierzu passenden Winkeln zu versehen. Die Grenzlinier der einzelnen Untereinheiten sind in dieser Figur nich dargestellt, da sie von der Emitter-Elektrode bedeck werden, deren Grenzlinien, wie in Fig. 2, von der Grenzlinien der Steuerelektrode durch einen kleinen ziemlich konstanten Abstand getrennt sind.When subunits are assembled, it is most convenient to use the extended arms of the control electrode to provide suitable angles. The boundaries of the individual subunits are not in this figure shown, since they are covered by the emitter electrode, the boundary lines of which, as in Fig. 2, from the Boundary lines of the control electrode are separated by a small, fairly constant distance.

Die Steuerelektrode selbst wird unter Verwendung eines photolithographischen, Step- und Repeatverfah rens aufgebracht, das sowohl auf rechtwinkeligen al; auch auf Polar-Koordinaten beruhen kann.The control electrode itself is made using a photolithographic, step and repeat process rens applied to both right-angled al; can also be based on polar coordinates.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims

Patent claims:

1. A method of manufacturing a thyristor with an expanded, a plurality of elongated Control electrode having arms and emitter areas located between these arms, in which the emitter regions are provided with a large number of short-circuit points, d a through characterized in that a basic mask is used on which only a small number of short-circuit points forming a sub-unit of the entire short-circuit point arrangement is provided, and that the totality of the individual emitter areas in a large number of rows and columns regularly arranged short-circuit points by means of a step and repeat process is formed using the basic mask.

2. The method according to claim 1, characterized in that the the boundary lines of the control electrode immediately adjacent subunits in the step and repeat process with a constant Distance to these boundary lines can be arranged.

3. The method according to claim 1 or 2, characterized in that the short-circuit points through a single emitter electrode can be connected, the boundary lines of which are at a constant distance from the Have boundary lines of the control electrode.

4. The method according to claim 3, characterized in that the boundary lines of the emitter electrode be arranged so that they do not run across a short circuit point.

5. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that the dimensions the elongated arms of the control electrode are roughly a multiple of the overall dimensions are a subunit.