DE2454196C3 - Fire alarm system - Google Patents

Fire alarm system

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DE2454196C3 DE19742454196 DE2454196A DE2454196C3 DE 2454196 C3 DE2454196 C3 DE 2454196C3 DE 19742454196 DE19742454196 DE 19742454196 DE 2454196 A DE2454196 A DE 2454196A DE 2454196 C3 DE2454196 C3 DE 2454196C3
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Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Brandmeldeanlage gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Eine derartige Brandmeldeanlage ist aus der DE-PS 12,81 321, Fig. 1 bekannt.The invention relates to a fire alarm system according to the preamble of claim 1. Such a system Fire alarm system is from DE-PS 12.81 321, Fig. 1 is known.

Bei dieser bekannten Brandmeldeanlage wird zur Überprüfung der Brandmelder ein Ansprechen derselben durch Leitungsspannungserniedrigung in der Zentrale erreicht, wodurch jeweils die Ausgangsspannung des Fühlers über die konstant gehaltene Ansprechschwelle des Transistors angehoben wird.In this known fire alarm system, the fire alarms are checked by responding to them achieved by lowering the line voltage in the control center, which in each case reduces the output voltage of the sensor is raised above the constant response threshold of the transistor.

In der Praxis treten häufig Störgrößen auf, welche auf den Fühler eine ähnliche Wirkung haben wie Brandphänomene, z. B. Staub, nicht von einer Flamme stammendes Störlicht, oder durch andere Effekte hevorgerufene Temperaturerhöhungen. Um in solchen Fällen eine fehlerhafte Alarmsignalgabe zu verhindern, ist es erforder-Fi g. 1 zeigt eine Brandmeldeanlage mit einem lonisations-Brandmelder; In practice, disturbance variables often occur the sensor have a similar effect as fire phenomena, e.g. B. Dust, not from a flame Stray light or temperature increases caused by other effects. In such cases, a faulty It is necessary to prevent alarm signaling. 1 shows a fire alarm system with an ionization fire alarm;

F i g. 2 zeigt eine Brandmeldeanlage mit einem anderen Ionisationsbrandmelder;F i g. 2 shows a fire alarm system with another ionization fire alarm;

Fig.3 zeigt eine Brandmeldeanlage mit einem auf Strahlungsänderungen ansprechenden Brandmelder;3 shows a fire alarm system with a fire alarm responding to changes in radiation;

F i g. 4 zeigt eine Brandmeldeanlage mit Ionisations-Brandmelder mit mehreren einstellbaren Empfindlichkeitsstufen. F i g. 4 shows a fire alarm system with an ionization fire alarm with several adjustable sensitivity levels.

Bei der in Fig. 1 dargestellten Schaltung eines Ionisations-Brandmelders ist eine luftzugängliche Ionisationskammer CHi als Fühler in Serie mit einer abgeschlossenen bzw. weniger luftzugänglichen oder weniger rauchempfindlichen Referenz-Ionisationskammer CH2 in Serie an die Anschlußklemmen P, K für die Leitungen A, I2 angeschlossen. Verbindungspunkt CP beider Kammern ist mii der Gate-Elektrode G eines Feldeffekttransistors FET verbunden, dessen Drain-Elektrode über einen Widerstand Ri an die positive Leitung und dessen Source-Elektrode über einen Widerstand R2 an die negative Leitungsklemme angeschlossen ist Durch die Charakteristik des Feldeffekttransistors FFTund die Widerstände Ri und R2 ist der Schwellenwert der Schaltung gegeben. Sobald infolge einer Widerstandserhöhung der Meßionisationskammer CHi infolge Eindringens von Rauch die Gate-Spannung des Feldeffekttransistors FET über diesen Schwellenwert ansteigt, schaltet dieser vom nichtleitenden in den leitenden Zustand und über dem Drain-Widerstand Ri ändert sich der Spannungsabfall. Die Spannung an der Drain-Elektrode D wird dem Eingang eines elektronischen Schalters SC zugeführt, welcher aus den Transistoren T2 und T3, den Kondensatoren Ci und C2 sowie Widerstand A7 besteht. Die Änderung der Drain-Spannung infolge Leitendwerdens des Feldeffekttransistors FET hat somit ebenfalls ein Umkippen des Schalters SC in den leitenden Zustand und das Fließen eines erhöhten Stromes in den Leitungen /| und h zur Folge, wodurch in einer Signalzentrale ein Alarmsignal ausgelöst wird.In the circuit of an ionization fire detector shown in Fig. 1, an air-accessible ionization chamber CHi as a sensor in series with a closed or less air-accessible or less smoke-sensitive reference ionization chamber CH 2 in series with the terminals P, K for the lines A, I. 2 connected. The connection point CP of both chambers is connected to the gate electrode G of a field effect transistor FET , whose drain electrode is connected to the positive line via a resistor Ri and whose source electrode is connected to the negative line terminal via a resistor R 2 the resistors Ri and R 2 is given the threshold of the circuit. As soon as the gate voltage of the field effect transistor FET rises above this threshold value as a result of an increase in resistance of the measuring ionization chamber CHi as a result of smoke penetration, it switches from the non-conductive to the conductive state and the voltage drop changes across the drain resistance Ri. The voltage at the drain electrode D is fed to the input of an electronic switch SC , which consists of the transistors T 2 and T 3 , the capacitors Ci and C 2 and resistor A 7 . The change in the drain voltage as a result of the field effect transistor FET becoming conductive thus also causes the switch SC to flip over into the conductive state and an increased current to flow in the lines / | and h result in an alarm signal being triggered in a signal center.

Eine zwischen der positiven und negativen Leitung angeschlossene Zener-Diode ZD\ sorgt in Kombination mit dem in der negativen Leitung liegenden Widerstand Rf, für eine konstante Versorgungsspannung der beiden Ionisationskammern CHi und CH3 sowie für einen konstanten Schwellenwert des Feldeffekttransistors FET. A Zener diode ZD \ connected between the positive and negative line, in combination with the resistor Rf in the negative line, ensures a constant supply voltage for the two ionization chambers CHi and CH 3 as well as a constant threshold value for the field effect transistor FET.

Zwischen den Klemmen P und K ist zusätzlich eine Serieschaltung einer weiteren Zener-Diode ZD2 sowie eines aus den Widerständen R9 und Ri0 bestehenden Spannungsteilers angeschlossen. Der Abgriff dieses Spannungsteilers steuert die Basis eines weiteren Transistors Ti an, dessen Kollektorwiderstand durch einen weiteren aus den Widerständen R5 und A8 bestehenden Spannungsteiler gebildet wird. Vom Abgriff dieses weiteren Spannungsteilers wird ein Transistor Ti gesteuert, dessen Kollektor-Emitter-Strecke in Serie mit einem aus den Widerständen Rj und Ra bestehenden Spannungsteiler zwischen den Speise-A series circuit of a further Zener diode ZD 2 and a voltage divider consisting of resistors R 9 and Ri 0 is also connected between terminals P and K. The tap of this voltage divider controls the base of a further transistor Ti , the collector resistance of which is formed by a further voltage divider consisting of the resistors R 5 and A 8. From the tap of this further voltage divider, a transistor Ti is controlled, the collector-emitter path of which is in series with a voltage divider consisting of the resistors Rj and Ra between the supply

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lieh, die Empfindlichkeit dor diesen Störgrößen unterworfenen Brandmelder zu verändern. Der Erfindung b0 leitungen liegt. Der Abgriff dieses letzten Spannungsteiliegt daher die Aufgabe zugrunde, auf einfache Weise lers ist mit der Source-Elektrode S des Feldeffekttransidie Empfindlichkeit der Melder zusätzlich in Richtung stors FET verbunden.lent to change the sensitivity of fire detectors subject to these disturbances. The invention b0 lines is. The task of tapping this last voltage divider is therefore based on the fact that the sensitivity of the detector is also connected to the source electrode S of the field effect transistor in a simple manner in the direction of the stors FET .

einer Empfindlichkeitsverringerung veränderbar zu ma- Die Wirkung der beschriebenen Schaltung ist dieThe effect of the circuit described is the

cnen· folgende: Solange die über die Leitungen /. und I2 von cnen · the following: As long as the lines /. and I 2 of

Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 gekenn- h5 der Signalzentrale gelieferte und an den Klemmen P This object is marked by h in claim 1 5 supplied the signal center and at the terminals P

zeichneten Merkmale gelöst.signed features solved.

Die Erfindung sei anhand der in den Zeichnungen dargestellten Ausführungsbeispiele beschrieben.The invention will be described with reference to the exemplary embodiments shown in the drawings.

und K liegende Gleichspannung unterhalb der Zener-Spannung der Zener-Diode ZDi liegt, ist diese gesperrt und der Transistor T1 wird in der angegebenen Weiseand K lying DC voltage is below the Zener voltage of the Zener diode ZDi , this is blocked and the transistor T 1 is in the specified manner

derart gesteuert, daß er gesperrt ist Der Schwellenwert des Feldeffekttransistors FET ist in diesem Fall also durch die Größe des Widerstandes R2 und R3 gegeben. Wenn jedoch die Klemmenspannung von der Signalzentrale aus auf einen Wert oberhalb der Zener-Spannung der Zener-Diode ZD2 erhöht wird, so wird diese leitend, wodurch ebenfalls Transistor Γι zu leiten beginnt Der Schwellenwert des Feldeffekttransistors FET ändert sich dadurch und wird durch die Hinzuschaltung des Spannungsteilers R3, R* zum Source-Widerstand R2 bestimmt Dabei wird die Versorgungsspannung der Ionisationskammern und des Feldeffekttransistors durch die Zener-Diode ZDi konstant gehiüten.controlled in such a way that it is blocked. The threshold value of the field effect transistor FET is in this case given by the size of the resistors R 2 and R 3 . However, when the terminal voltage to a value above the Zener voltage of the Zener diode ZD 2 is increased by the signal control center, it will be conductive, thereby also transistor Γι begins to conduct, the threshold of the field effect transistor FET changes thereby, and is by the addition circuit of the voltage divider R 3 , R * to the source resistance R 2 is determined. The supply voltage of the ionization chambers and the field effect transistor is kept constant by the Zener diode ZDi.

Auf diese Weise iäßt sich also durch eine einfache Änderung der Leitungsspannung von der Signalzentrale aus die Empfindlichkeit des an diese Leitungen angeschlossenen Ionisations-Brandmelders auf einfache Weise verändern und der Schwellenwert für die Auslösung eines Alarmsignales läßt sich in gewünschter Weise von der Signalzentrale aus ohne Änderungen im Brandmelder selbst einstellen.In this way it is possible to use a simple Change in the line voltage from the signal center from the sensitivity of the lines connected ionization fire detector can easily be changed and the threshold value for the An alarm signal can be triggered in the desired manner from the signal center without any changes in the Set the fire detector yourself.

Die in F i g. 2 dargestellte Schaltung eines weiteren Ionisationsfeuermelders unterscheidet sich von der Schaltung nach F i g. 1 darin, daß anstelle der aus den Transistoren Γι und T4 mit den Widerständen A4, Rs und Rs bestehenden Schaltung eine einfachere aus nur einem Transistor T5 mit zugehörigem Kollektor-Widerstand An bestehende Schaltung vom Spannungsteiler R*, Ai0 angesteuert wird. In diesem Fall wird durch die zusätzliche Schaltung nicht der Widerstand /?2 überbrückt sondern Transistor T5 und Widerstand /?i ι liegen parallel zum Widerstand R3. Jedoch wird auch in diesem Fall durch eine Leitungszustandsänderung des Transistors Ts infolge einer Änderung der Leitungsspannung von der Zentrale aus die Source-Spannung des Feldeffekttransistors FET und damit sein Schwellenwert geändert und zwar so, daß eine Herabsetzung der Leitungsspannung von der Zentrale aus eine Erhöhung der Empfindlichkeit der angeschlossenen Melder zur Folge hatThe in F i g. The circuit shown in FIG. 2 of a further ionization fire alarm differs from the circuit according to FIG. 1 in that instead of the circuit consisting of the transistors Γι and T 4 with the resistors A 4 , Rs and Rs , a simpler circuit consisting of only one transistor T 5 with an associated collector resistor An is controlled by the voltage divider R *, Ai 0. In this case, the additional circuit does not bridge the resistor /? 2, but rather the transistor T 5 and the resistor /? I ι are parallel to the resistor R 3 . However, in this case too, a change in the conduction state of the transistor Ts as a result of a change in the line voltage from the control center changes the source voltage of the field effect transistor FET and thus its threshold value in such a way that a reduction in the line voltage from the control center increases the sensitivity of the connected detectors

Die in Fig.3 dargestellte Schaltung entspricht ebenfalls weitgehend der Schaltung nach F i g. 1, wobei lediglich anstelle einer Ionisationskammer eine Solarzelle SB als Fühler für Brandphänomene verwendet wird. Diese Solarzelle SB ist an den Eingang eines integrierten Verstärkers AM angeschlossen, dessen positiver Eingang am Abgriff eines aus den Widerständen Ru und Rn bestehenden Spannungsteilers und somit auf konstanter Spannung liegt Der negative Eingang ist über einen Gegenkopplungswiderstand Ai3 mit dem Verstärkerausgang verbunden. Die Ausgangsspannung des Verstärkers AM wird der Basis eines normalen Transistors T6 zugeführt, welcher an die Stelle des Feldeffekttransistors FET tritt Auch hier läßt sich wiederum mittels einer Leitungsspannungsänderung über die Zener-Spannung der Zener-Diode ZD2 hinaus der Schwellenwert dieses Transistors T6 durch Überbrückung des Emitter-Widerstandes Ri ändern und sich somit die Empfindlichkeit dieses optischen Brandmelders in gleicher Weise von der Zentrale aus einstellen.The circuit shown in FIG. 3 also largely corresponds to the circuit according to FIG. 1, whereby a solar cell SB is used as a sensor for fire phenomena instead of an ionization chamber. This solar cell SB is connected to the input of an integrated amplifier AM , the positive input of which is at the tap of a voltage divider consisting of the resistors R u and Rn and is therefore at a constant voltage. The negative input is connected to the amplifier output via a negative feedback resistor Ai 3. The output voltage of amplifier AM is supplied to the base of a normal transistor T 6, which takes the place of the field effect transistor FET-voltage Zener occurs also here can again be by means of a line voltage change over the Zener diode ZD2, the threshold value of this transistor T 6 by bridging of the emitter resistance Ri change and thus the sensitivity of this optical fire detector is set in the same way from the control center.

Bei dem Ionisations-Brandmelder, dessen Schaltschema in F i g. 4 wiedergegeben ist ist die Drain-Elektrode D des Feldeffekttransistors FET direkt an die positive Leitung angeschlossen. Der Schwellenwert wird in diesem Fall nicht durch die Charakteristik des Feldeffekttransistors FET bestimmt, sondern durch die Zener-Spannung einer an die Source-Elektrode desIn the case of the ionization fire detector, the circuit diagram of which is shown in FIG. 4 is shown, the drain electrode D of the field effect transistor FET is connected directly to the positive line. In this case, the threshold value is not determined by the characteristics of the field effect transistor FET , but rather by the Zener voltage applied to the source electrode of the

Feldeffekttransistors FET angeschlossenen Zener-Diode ZD3, welche auf der anderen Seite über die Widerstände Rn und Ä15 an der negativen Leitung liegt Obersteigt nun der Spannungsabfall am Source-Widerstand R2 die Zener-Spannung der Zener-Diode ZD3, so wird diese leitend und steuert Transistor T/ an, welcher wiederum den elektronischen Schalter SC, wiederum bestehend aus den Transistoren T2, Γ3, den Kondensatoren Q, C2 und Widerstand Ä7 sowie zusätzlich aus dem Widerstand R\e, zum Umkippen in den leitenden Zustand bringt Parallel zur Zener-Diode ZD3 sind weitere Zener-Dioden ZDt, ZDs und gegebenenfalls noch weitere Dioden mit entsprechenden Widerständen Ryi, R\s, Ri9 und R2O geschaltet Durch diese weiteren Zener-Dioden ZD*, ZDs werden parallel zum Transistor Tj liegende analoge Transistoren 7J, Tg angesteuert welche ebenfalls auf den elektronischen Schalter SC einwirken. Zum Unterschied von der Zener-Diode ZD3 liegt in den Parallel-Pfaden der anderen Dioden jedoch die Kollektor-Emitter-Strecke je eines weiteren Transistors Γιο, Tu. Die Basis dieser Transistoren Γ!0 und Tu wird ebenso wie in den anderen Ausfuhrungsbeispielen durch die Serie-Schaltung je einer Zener-Diode ZD6, ZDj mit einem zugehörigen Spannungsteiler R2\, Rn bzw. R23, Rn angesteuert Im Normalfall, wenn die Leitungsspannung an den Klemmen Puna K unterhalb der Zener-Spannung der Zener-Dioden ZD6 und ZDi liegt ist somit nur der Pfad mit der Zener-Diode ZD3 geöffnet welche somit den Schwellenwert des Brandmeiders bestimmt Erhöht man jedoch die Leitungsspannung, so daß eine der Zener-Dioden ZD6 oder ZDj leitend wird, so wird der Parallel-Pfad mit der entsprechenden Zener-Diode ZDi, oder ZDs zusätzlich eingeschaltet Falls die Zener-Diode ZD4 oder ZDs nun so gewählt wird, daß deren Zener-Spannung niedriger ist als die der Zener-Diode ZD3, so wird diese zusätzliche Zener-Diode früher durchgeschaltet als Zener-Diode ZDi, so daß in diesem Fall die Diode ZD^ bzw. ZDs den Schwellenwert bestimmt. Die Leitungsspannung kann nun so gewählt werden, daß von den zusätzlichen Zener-Dioden ZD6, ZD\ entweder keine leitend ist oder nur eine oder sämtliche Dioden. Dementsprechend kann wahlweise der Pfad mit der gewünschten Schwellenspannung von der Zentrale aus eingeschaltet werden. Wie dieses Ausführungsbeispiel zeigt, ist es auf diese Weise auch möglich, mehr als zwei Schwellenwerte von einer Signalzentrale aus einzustellen.Field effect transistor FET connected Zener diode ZD 3 , which is on the other side via the resistors Rn and Ä15 on the negative line If the voltage drop across the source resistor R 2 exceeds the Zener voltage of the Zener diode ZD 3 , it becomes conductive and controls transistor T / , which in turn brings the electronic switch SC, again consisting of the transistors T 2 , Γ3, the capacitors Q, C 2 and resistor Ä7 as well as the resistor R \ e, to tip over into the conductive state Additional Zener diodes ZDt, ZDs and possibly additional diodes with corresponding resistors Ryi, R \ s, Ri9 and R 2 O are connected to Zener diode ZD 3. These additional Zener diodes ZD *, ZDs are connected in parallel to transistor Tj analog transistors 7J, Tg controlled which also act on the electronic switch SC . In contrast to the Zener diode ZD3 , however, the collector-emitter path of a further transistor Γιο, Tu lies in the parallel paths of the other diodes. The base of these transistors Γ ! 0 and T u is just as in the other exemplary embodiments through the series circuit is controlled by a Zener diode ZD 6 , ZDj with an associated voltage divider R 2 \, Rn or R 23 , Rn Normally, when the line voltage at the terminals Puna K is below the Zener voltage of the Zener diodes ZD 6 and ZDi is only the path with the Zener diode ZD 3 is open, which thus determines the threshold value of the fire alarm, but if the line voltage is increased so that one of the Zener diodes ZD 6 or ZDj becomes conductive, the parallel path becomes with the corresponding Zener diode ZDi, or ZDs additionally switched on. If the Zener diode ZD 4 or ZDs is selected so that its Zener voltage is lower than that of the Zener diode ZD 3 , this additional Zener diode is early switched through as a Zener diode ZDi, so that in this case the diode ZD ^ or ZDs determines the threshold value. The line voltage can now be selected so that either none of the additional Zener diodes ZD 6 , ZD \ are conductive or only one or all of the diodes. Accordingly, the path with the desired threshold voltage can optionally be switched on from the control center. As this exemplary embodiment shows, it is also possible in this way to set more than two threshold values from a signal center.

Da in praktisch verwendeten Brandmeldeanlagen häufig eine große Anzahl von Brandmeldern parallel über gemeinsame Leitungen an eine Signalzentrale angeschlossen sind, kann auf diese Weise die Empfindlichkeit sämtlicher Melder durch eine einzige Umschaltung der Leitungsspannung von der Zentrale aus vorgenommen werden, ohne daß jeder Brandmelder einzeln von Hand umgestellt werden muß.Since in practical fire alarm systems often a large number of fire alarms in parallel are connected to a signal center via common lines, the sensitivity of all detectors can be reduced by a single switchover of the line voltage from the control center can be carried out without each fire detector having to be converted individually by hand.

Es sei noch erwähnt, daß Brandmelder der beschriebenen Art durch geeignete Wahl der Komponenten auch so eingerichtet werden können, daß ihre Funktionsfähigkeit von einer Signalzentrale aus durch eine Spannungsänderung an den Leitungen überprüft werden kann. Dazu ist es nur notwendig, einen der Schwellenwerte unter den Normalwert zu legen, so daß bei Umschalten auf diesen niediigsten Schwellenwert sä.r.tliche angeschlossenen, funktionsfähigen Melder ansprechen und ein Alarmsignal liefern.It should also be mentioned that fire alarms of the type described can be achieved through a suitable choice of components can also be set up so that their functionality from a signal center through a voltage change on the lines is checked can be. For this it is only necessary to put one of the threshold values below the normal value, so that when switching to this lowest threshold value, all connected, functional detectors respond and deliver an alarm signal.

Hierzu 2 Blatt ZeichnungenFor this purpose 2 sheets of drawings

Claims (3)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Brandmeldeanlage mit einer Signalzentrale und wenigstens einem über zwei Leiter angeschlossenen Brandmelder, welcher einen für Brandphänomene empfindlichen Fühler aufweist, dessen Ausgangssignal bei Überschreiten eines Schwellenwertes einen Transistor durchsteuert, dessen Hauptanschlüsse über Widerstände an die zwei Leiter angeschlossen sind, wobei die Spannung an den zwei Leitern zur Veränderung des Ansprechpunktes des Transistors in mindestens zwei Stufen einstellbar ist, wobei der Transistor einen elektronischen Schalter zur Verringerung der Impedanz zwischen den beiden Leitern zwecks Alarmgabe in der Zentrale auslöst, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung eines Feldeffekttransistors oder eines bipolaren Transistors ein Widerstand (Ra, Fig. 1, 3; Ru, F i g. 2; ZDi, RH; ZDa, R\t, ZD5, R19 in F i g. 4) zwischen den Source- bzw. Emitteranschluß und einen der beiden Leiter (1\, I2) über mindestens einen weiteren Transistor (Ti in F i g. 1,3; 7s in F i g. 2; Γιο, Tu in F i g. 4) schaltbar ist, der in Steuerabhängigkeit steht von mindestens einer zwischen den Leitern (l\, I2) liegenden Reihenschaltung eines Spannungsteilers (R9, R10 in F i g. 1 —3; Λ21-24 in F i g. 4) mit einer Zenerdiode (ZD2 in F i g. 1 -3; ZD6, ZD1 in F i g. 4).1. Fire alarm system with a signal center and at least one fire detector connected via two conductors, which has a sensor that is sensitive to fire phenomena, whose output signal controls a transistor when a threshold value is exceeded, the main connections of which are connected to the two conductors via resistors, with the voltage on the two Conductors to change the response point of the transistor can be set in at least two stages, the transistor triggering an electronic switch to reduce the impedance between the two conductors for the purpose of generating an alarm in the control center, characterized in that when a field effect transistor or a bipolar transistor is used, a resistor ( Ra, Fig. 1, 3; Ru, F i g. 2; ZDi, R H ; ZDa, R \ t, ZD 5 , R 19 in Fig. 4) between the source or emitter connection and one of the two Head (1 \, I 2 ) via at least one further transistor (Ti in F i g. 1,3; 7s in F i g. 2; Γιο, Tu in F i g. 4) is switchable, which is controlled by at least one series connection of a voltage divider (R 9 , R 10 in FIGS. 1-3; 21-24 in FIG. 4 ) between the conductors (I 1, I 2) ) with a Zener diode (ZD 2 in Fig. 1 -3; ZD 6 , ZD 1 in Fig. 4). 2. Brandmeldeanlage nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Fühlerelement als Ionisationskammer (CWi) ausgeführt ist, deren eine Elektrode mit der Gate-Elektrode des Feldeffekttransistors (FfT^verbunden ist.2. Fire alarm system according to claim 1, characterized in that the sensor element is an ionization chamber (CWi) is carried out, one of which is an electrode connected to the gate electrode of the field effect transistor (FfT ^. 3. Brandmeldeanlage nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Fühlerelement als fotoelektrische Einrichtung (SB) ausgebildet ist, deren eine Elektrode mit einem Verstärker (AM) verbunden ist, dem seinerseits der bipolare Transistor (Te) nachgeschaltet ist.3. Fire alarm system according to claim 1, characterized in that the sensor element is designed as a photoelectric device (SB) , one electrode of which is connected to an amplifier (AM) , which in turn is followed by the bipolar transistor (Te) .
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