DE2437268B2

DE2437268B2 - Electrophotographic recording material

Info

Publication number: DE2437268B2
Application number: DE19742437268
Authority: DE
Inventors: Hartmut Dipl.-Phys. Dr. Duelken; Nikolai Dipl.-Chem. Preslawski; Carl-Heinz Dipl.-Chem. Dr. Vogel
Original assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Current assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date: 1974-08-02
Filing date: 1974-08-02
Publication date: 1980-07-17
Also published as: DE2437268A1; JPS5177239A; FR2280927B3; GB1506447A; DE2437268C3; FR2280927A1; JPS5911899B2

Description

Die Erfindung betrifft ein clckirophotographischcs Aufzeichnungsmaterial, bei dem Selen, eine Selcnlegierung oder eine Selcnvcrbindung als Photoleiter auf einen elektrisch leitenden Schichtträger aufgedampft ist und bei dem der Photoleiter als einen weiteren Bestandteil Phosphor enthält.The invention relates to a photographic recording material in which selenium, a selenium alloy or a selector connection as a photoconductor an electrically conductive substrate is vapor-deposited and in which the photoconductor is another Component contains phosphorus.

Hin elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial wird für elektrophotographisehe Kopierverfahren verwendet, die in der Vcrviclfälligungslechiiik weite Verbreitung gefunden haben. Diese Verfahren beruhen auf der Eigenschaft des photolcitcndcn Materials, bei !!dichtung mit einer aktivierenden Strahlung den elektrischen Widerstand zu ändern.Hin electrophotographic recording material is used for electrophotographic copying processes, which have found widespread use in the process of precipitation. These procedures are based on the property of the photographic material, when sealed with an activating radiation to change electrical resistance.

Nach elektrischer Aufladung und Belichtung mit einer aktivierenden Strahlung läßt sich auf einer photolcitcndcn Schicht ein latentes elektrisches Ladungsbild erzeugen, das dem optischen Bild entspricht. An den belichteten Stellen findet nämlich eine solche Erhöhung der Leitfähigkeit der photolcitcndcn Schicht statt, daß die elektrische Ladung über den leitenden Träger — zumindest teilweise, jedenfalls über stärker als an den unbelich'.etcn Stellen — abfließen kann, während an den unbelichteten Stellen die elektrische Ladung im wesentlichen erhallen bleibt; sie kann mit einem Biklpuh <ύ, einem sogenannten I einer, sichtbar gemacht und das entstandene T'onerbikl. falls es erforderlich sein sollte, schließlich auf Papier oder eine andere ι 'nterlageAfter being electrically charged and exposed to a activating radiation, a latent electrical charge image can be created on a photoconductive layer that corresponds to the optical image. This is because there is such an increase in the exposed areas the conductivity of the photoconductive layer instead of the electric charge passing through the conductive carrier - at least partially, at least more than at the unbelich'.etcn places - can flow off while at the unexposed areas, the electrical charge remains essentially; she can with one Biklpuh <ύ, a so-called I one, made visible and the resulting T'onerbikl. if necessary, finally on paper or some other material

übertragen werden.be transmitted.

Als elektrophotographisch wirksame Stoffe werden sowohl organische als auch anorganische Substanzen verwendet. Unter ihnen haben Selen, Selenlegierungen und Selenverbindungen besondere Bedeutung erlangt.Both organic and inorganic substances are used as electrophotographically active substances used. Among them, selenium, selenium alloys and selenium compounds have gained particular importance.

An die mechanischen, optischen, elektrischen und thermischen Eigenschaften eines elektrophovographisch wirksamen Stoffes werden für einen erfolgreichen und vorteilhaften praktischen Einsatz verschiedenartige Anforderungen gestellt, die von gebräuchlichen Schichten oft nur teilweise gleichzeitig erfüllt werden können. Es ist jedoch bekannt, daß sich gewisse Eigenschaften der elektrophotographisch wirksamen Stoffe durch Zusätze, beispielsweise von Elementen der V., Vl. oder VII. Gruppe des Periodensystems der Elemente, merklich beeinflussen und verbessern lassen.The mechanical, optical, electrical and thermal properties of an electrophovographic active substance will be diverse for successful and beneficial practical use Requirements that are often only partially met at the same time by common layers can. However, it is known that certain properties of the electrophotographically effective Substances through additives, for example of elements of the V., Vl. or VII. Group of the Periodic Table of Elements, noticeably influenced and improved.

So wird zum Beispiel die geringe thermische Stabilität von Schichten aus amorphem Selen, das die Neigung hat, in den — im allgemeinen nicht gewünschten — kristallisierten Zustand überzugehen, durch einen Zusatz von Elementen der V. Hauptgruppe, wie Phosphor, Arsen oder Antimon, verbessert. Ebenfalls läßt sich auch die geringe Härte von amorphen Selenschichtcn durch einen Zusatz dieser Elemente verbessern.For example, the low thermal stability of layers made of amorphous selenium, which increases the tendency has to pass into the - generally not desired - crystallized state by a The addition of elements from main group V, such as phosphorus, arsenic or antimony, has been improved. Likewise The low hardness of amorphous selenium layers can also be reduced by adding these elements to enhance.

Von den hier genannten Elementen der V. Hauptgruppe ist besonders das Arsen bekanntgeworden, das in verschiedenen .Konzentrationshöhen entweder homogen und über die gesamte Schichtdicke gleichmäßig verteilt oder auch mit einem bestimmten Kon/entrationsprofil und wechselnden Anteilen in einzelnen Schichtbcreichen vielfache Verwendung gefunden hat. So wird beispielsweise in der US-PS 33 12 548 beschrieben, daß ein Zusatz von Arsen sowohl das unerwünschte Kristallisalionsbcstrcben des amorphen Selens unterdrücken, als auch die Lichtempfindlichkeit der Schicht steigern kann. Als bevorzugter Bereich ist ein Zusatz von I bis 25% Arsen, insbesondere von 15 bis 20% Arsen, angegeben. Ebenfalls läßt sich dieser US-PS 33 12 548 entnehmen, daß die Lichtempfindlichkeit solcher Selen-Arscn-Schichten durch einen Zusatz von 1 lalogen weiter gesteigert werden kann.Of the elements of main group V mentioned here, arsenic in particular has become known in different concentration levels, either homogeneously and evenly over the entire layer thickness distributed or with a certain concentration profile and changing proportions in individual layers has found multiple uses. For example, US-PS 33 12 548 describes that an addition of arsenic both the suppress unwanted crystallization strengths of amorphous selenium, as well as the photosensitivity the layer can increase. A preferred range is an addition of 1 to 25% arsenic, in particular from 15 to 20% arsenic, indicated. This US-PS 33 12 548 can also be seen that the photosensitivity Such selenium-arsenic layers can be increased further by adding 1 halogen.

In der DEOS 20 64 247 wird ein Mehrschichtsystem eines elektrophologranhischcn Auf/.eichnungsmatcrials beschrieben, bei dein eine von Kristallisationshcmmern freie Selenschicht /wischen zwei, jeweils Kristallisalionshcmmcr enthaltenden .Selenschichten liegt. Auf diese Weise kann der Anteil der verhältnismäßig teuren Krislallisalionshcmmcr insgesamt vermindert werden. Außerdem werden gewisse .Schwierigkeiten umgangen, die beim Herstellen einer homogenen Verteilung der Kristallisationshcinnier in der Selenschicht auftreten. Als Kristallisalionshemmer weiden in dieser Schrift neben Arsen auch Antimon und Phosphor sowie deren Gemische genannt.DEOS 20 64 247 describes a multi-layer system of an electrophological recording material described, with a selenium layer free of crystallization hammers / between two, each crystallization hammers containing .Selenschichten lies. In this way, the proportion of the relatively expensive Krislallisalionshcmmcr be reduced overall. In addition, certain difficulties are avoided. which occur when producing a homogeneous distribution of the crystallization chains in the selenium layer. In this document, in addition to arsenic, antimony and phosphorus and theirs are also used as crystallization inhibitors Called mixtures.

Aus der DEOS 19 08 101 ist ein elckfophotographischcs Aufzeichnungsmaterial bekannt, bei dem die photolcitcnde Schicht sowohl aus amorphem als auch aus kristallisiertem Selen besteht und dem armorphcn Selen Stoffe beigefügt sind, die die Kristallisation hemmen. Als solche Stoffe werden ebenfalls Phosphor. Arsen oder Antimon oder deren Gemische genannt.From DEOS 19 08 101 is an elckfophotographischcs Recording material known in which the photoconductive layer is made of both amorphous and consists of crystallized selenium and substances are added to the amorphous selenium which promote crystallization inhibit. Phosphorus is also used as such a substance. Called arsenic or antimony or their mixtures.

Von diesen als Kri.slallisaliotr-.hcmmcr /war an sich wirksamen Stoffen hat der Phosphor als /usat/ zu Selen bisher jedoch keine praktische Bedeutung erlangt, weil Gemische und Verbindungen des Phosphors mit Selen in einem weiten Kon/.cntratmnsberi.-ich von weniger als 0,1% über 50% Phosphor in Selen stark hygroskopischOf these as Kri.slallisaliotr-.hcmmcr / was in itself Phosphorus has active substances as / usate / to selenium So far, however, has not achieved any practical importance because mixtures and compounds of phosphorus with selenium in a wide con / .cntratmnsberi.-i of less than 0.1% over 50% phosphorus in selenium is highly hygroscopic

und nicht stabil sind, worauf schon in Gmelin, Band Phosphor, Teil C, Seite 607 (1965), hingewiesen wurde. Über einen komplizierten Reaktionsmechanismus bildet sieh nämlich in verhältnismäßig kurzer Zeit am Ende einer Reaktionskette bei einem Gemisch aus Selen und Phosphor, sofern es mit der Luftfeuchtigkeit in Berührung kommt — was bei einer elektrophotographischen Vorrichtung unvermeidbar ist —, durch Zersetzung ein für Vervielfältigungszwecke nicht mehr einsatzfähiges Produkt. Insbesondere wurde auch durch Versuche mit zahlreichen Proben aus Selen mit einem Anteil von 0,1; 0,3; 1; J; 10% Phosphor die Empfindlichkeit dieser Systeme gegen Feuchtigkeit nachgewiesen und bestätigt. Daher können solche Systeme zum praktischen Gebrauch in der Elektrophotographie nicht eingesetzt werden.and are not stable, as has already been pointed out in Gmelin, Volume Phosphorus, Part C, page 607 (1965). This is because it ends up forming in a relatively short time via a complicated reaction mechanism a reaction chain with a mixture of selenium and phosphorus, provided that it is with the humidity in Contact occurs - which is inevitable with an electrophotographic device - by decomposition a product that can no longer be used for reproduction purposes. In particular, was also through Tests with numerous samples of selenium with a proportion of 0.1; 0.3; 1; J; 10% phosphorus die Proven and confirmed sensitivity of these systems to moisture. Therefore such Systems for practical use in electrophotography cannot be used.

Andererseits weisen Systeme aus Selen und Phosphor Eigenschaften auf, die ihren Einsatz in einigen Anwendungsbereichen durchaus als wünschenswert erscheinen lassen. So gelingt es nämlich durch einen Zusatz von Phosphor zu Selen, nicht nur die KristaHisation des Selens — wie bei einem Zusatz von Arsen /.u Selen — praktisch villig zu unterc':Ticken und zugleich Schichten hoher Härte zu erzielen, sondern außerdem auch — und zwar anders als bei einem Arsenzusatz und im Vergleich zu diesem — den Dunkclwidcrstaml wesentlich /u erhöhen. Diese Eigenschaft läßt sich bei der praktischen Anwendung überall dort vorteilhaft ausnutzen, wo wegen langer dauernder Belichtungszeit oder langsamer laufender Geräte, wie es /um Beispiel bei den meisten Kleingeräten der Fall ist. ein allzu rasches Abfließen der Ladungen als unerwünscht vermieden werden soll.On the other hand, systems made from selenium and phosphorus have properties that make them useful in some Application areas appear to be desirable. That’s how it works through one Addition of phosphorus to selenium, not just the crystallization of selenium - as with an addition of Arsenic /.u Selenium - practically villig to be subc ': ticking and to achieve layers of high hardness at the same time, but also - differently than with one Addition of arsenic and, in comparison to this, increase the dark resistance considerably. This attribute can be used to advantage in practical application where it lasts for a long time Exposure time or slower running devices, as is the case with most small devices, for example is. an overly rapid discharge of the charges should be avoided as undesirable.

In gleicher Weise erscheint ein Ersatz des Arsens durch Phosphor zweckmäßig, wenn ein Gemisch mit Selen zur Herstellung einer Aufdampfschicht verdampft werden soll und es erforderlich ist. daß der Mischungspartner des Selens in der dabei entstehenden Aufdampfschicht in möglichst gleichbleibender Konzentration vorhanden ist. Wegen der unterschiedlichen Dampfdrücke vor. Selen und Arsen erhält man nämlich — zumal bei geringen Arsengehalten — /u Beginn einer solchen Verdampfung Schichten aus fast reinem Selen mit nur allmählich ansteigendem Arsengehalt und erst gegen Ende der Verdampfung einen steilen Konzeniralionsanstieg des Arsens. Soll dies verhindert werden und eine übe: die gesamte Schichtdicke gleichbleibende Konzentralion erzielt werden, sind aufwendige Maßnahmen, wie etwa eine komplizierte Tcmperaturfühning während der Verdampfung oder eine Verdampfung aus mehreren Quirlen erforderlich. Wird dagegen ein Gemisch aus Phosphor und Selen verdampft, erhält man Aufdainpfschichten mit im wesentlichen über dl·-· gesamte Schichtdicke gleichbleibender Phosphorkonzenlration. A substitute for arsenic appears in the same way by phosphorus useful when a mixture with Selenium is to be evaporated for the production of a vapor deposition layer and it is necessary. that the mixing partner of selenium is in the evaporation layer is present in as constant a concentration as possible. Because of the different vapor pressures before. Selenium and arsenic are namely obtained - especially with low arsenic contents - / u at the beginning of a such evaporation layers of almost pure selenium with only gradually increasing arsenic content and only towards the end of evaporation a steep increase in concentration of arsenic. Should this be prevented and a practice: the entire layer thickness remains the same Concentration are achieved, are complex measures, such as a complicated Tcmperaturfühning during evaporation or evaporation from several whiskers is required. Will against it a mixture of phosphorus and selenium evaporates one impregnation layers with essentially over dl · - · total layer thickness of constant phosphorus concentration.

Schließlich läßt sich durch einen Zusatz von Phosphor zu Selen auch die spektrale Empfindlichkeit des photolcitenden Materials gezielt beeinflussen und dadurch dem jeweils gegebenen Spckiralbercich des Belichiungskörpcr anpassen.Finally, by adding phosphorus to selenium, the spectral sensitivity of the specifically influence photoconductive material and thereby the given Spckiralbercich des Adjust exposure body.

Aufgabe der Erfindung ist daher ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial .uis Selen, einer .Selenlegierung oder einer Sclcnverbindung. this als weiteren Bestandteil Phosphor einhält. Jas dabei aber chemisch so stabil und hesl.uKlig ist, daß seine praktische Verwendung auch über längere Zeil gewährleistet ist.The object of the invention is therefore an electrophotographic Recording material. Of selenium, a. Selenium alloy or a connection. this as another Part of phosphorus complies. Yes, but chemically so stable and hesl.uKlig is that its practical Use is also guaranteed over a longer period of time.

Diesj Aufgabe wird bei einem clcktrophotographischen Aul'/eichiiuiiKsn .iierial. bei dein Selen, eine Selenlegierung oder eine Selenverbindung als Photoleiter auf einen elektrisch leitenden Schichtträger aufgedampft ist und bei dem der Photoleiter als einen weiteren Bestandteil Phosphor enthält, erfindungsgemaß dadurch gelöst, daß der Photoleiter zusätzlich Arsen in solcher Menge enthält, daß der Photoleiter einem MischsystemThis task is performed in a clcktrophotographic Aul '/ eichiiuiiKsn .iierial. with your selenium, one Selenium alloy or a selenium compound vapor-deposited as a photoconductor on an electrically conductive layer substrate and in which the photoconductor contains phosphorus as a further component, according to the invention solved in that the photoconductor also contains arsenic in such an amount that the photoconductor a mixed system

in entspricht,dessen v-Werte zwischen 0< v<0,8 liegen.in whose v-values between 0 < v <0.8.

Überraschenderweise hat sich nämlich gezeigt, daß im Gegensatz zu den obenerwähnten Systemen aus Selen und Phosphor, an denen und in deren Umgebung schon nach kurzer Zeit ein rötlicher Belag und BeschlagSurprisingly, it has been shown that in contrast to the above-mentioned systems from Selenium and phosphorus, on which and in their surroundings a reddish deposit and fogging after a short time

ι i als Zeichen einer Zersetzung festgestellt werden kann. Photoleiter, die gemäß der Erfindung zusammengesetzt sind, derartige Erscheinungen einer Hygroskopie mit anschließender chemischer Zersetzung nicht zeigen, sondern so stabil und beständig sind, daß sie selbst nachι i can be determined as a sign of decomposition. Photoconductors composed according to the invention exhibit such hygroscopic phenomena subsequent chemical decomposition do not show, but are so stable and stable that they even after

_>ii einstündigem Kochen in destilliertem Wasser unverändert bleiben und praktisch weder Phosphor noch Selen in gelösten Anteilen festgestellt wemon konnten._> ii one hour boiling in distilled water unchanged stay and practically neither phosphorus nor selenium in dissolved proportions could be found.

Zur Ermittlung der Beständigkeit wuiden Vergleichsversuche zwischen Systemen aus Selen, Phosphor undTo determine the resistance, comparative tests were carried out between systems of selenium, phosphorus and

ji Arsen unter jeweils gleichen Arbeitsbedingungen durchgeführt, wobei einerseits eine Zusammensetzung gemäu der Erfindung und andererseits eine beliebige andere Zusammensetzung gewählt wurde. Dabei wurden 200 bis JOO mg des auf Analysenfeinheitji arsenic under the same working conditions carried out, on the one hand a composition according to the invention and on the other hand any other composition was chosen. In doing so, 200 to JOO mg des were tested for analytical fineness

in zerkleinerten Materials mit 20 ml vollentsalzten Wassers unter Rückfluß 60 min lang gekocht. Im Filirat wurde anschließend das durch Hydrolyse entstandene Phosphat-Ion nach der Vanadat-Molybdat-Mcthode bestimmt. Es zeigt sich, daß bei Einhaltung Jer \-Wertein crushed material with 20 ml of deionized water refluxed for 60 minutes. In the filirate was then that formed by hydrolysis Phosphate ion determined according to the vanadate-molybdate method. It turns out that if Jer \ values are observed

i". gemäß Anspruch I auch unter diesen extremen Versuchsbedingungen der gelöste Anteil des Phosphors im Verhältnis zu der ursprünglich vorhandenen Menge bei 0,01 bis 0.07% liegt, während bei den Mischsystemen anderer Zusammensetzung ein sprunghaftes Ansteigeni ". According to claim I, the dissolved proportion of phosphorus even under these extreme test conditions in relation to the originally present amount is 0.01 to 0.07%, while in the case of the mixed systems different composition a sharp increase

in des gelösten Phosphors festzustellen war. So betrugen bei Mischsystemen der Formelnwas found in the dissolved phosphorus. So cheat with mixed systems of the formulas

As₁Pr₁Sd und As₁Pt <SeAs ₁ Pr ₁ Sd and As ₁ Pt <Se

mit a = 0.5 die gelösten Phosphoranteile etwa 1% und r> bei einem System aus Selen und Phosphor mit 3% Phosphor ohne einen Anteil von Arsai sogar 1.31%. wobei im letzten Fall noch besonders nachteilig war, daß zusätzlich auch noch 0,59% Selen ausgelaugt wurden.with a = 0.5 the dissolved phosphorus content is about 1% and r> with a system of selenium and phosphorus with 3% Phosphorus without a share of Arsai even 1.31%. in the latter case it was particularly disadvantageous that 0.59% selenium was also leached out became.

'■» Mit der Erfindung wird somit erreicht, daß ein Photolciler gewonnen wird, der sich durch große Stabilität gegen Zersetzung auszeichnet, bei dem die Kristaüisation des Selens praktisch völlig unterdrückt ist. so daß der amorphe Zustand für Dauer erhalten Vi bleibt, und der eine höhere Härte aufweist, die mit steigendem Phosphorgehalt noch weiter ansteigt. Dabei weist das MischsystemWith the invention it is thus achieved that a Photolciler is obtained, which is characterized by great stability against decomposition, in which the Crystallization of selenium is practically completely suppressed is. so that the amorphous state is retained for a long period of time Vi, and which has a higher hardness that corresponds to increasing phosphorus content increases even further. The mixed system

weitere besondee Vorteile auf. Gegenüber reinem Selen ist snine optische Empfindlichkeit gesteigert, und ebenso ist gegenüber reinem Selen seine Glasiransformationstcmpcratur erhöht, was eine h.ihere Einsatztemperalur während des Beiriebes e huibi. Andeierseits ermöglicht eine ( ilastraiisfonnationMemperatur, die einen niedrigeren Wert als die von Arsenselenid (As^Sci) besii't, eine einfachere Herstellung als die eines Photoleilers ,ins Arsetiselenid. Schließlich bringtfurther special advantages. Compared to pure selenium, its optical sensitivity is increased, and its glass transformation temperature is also increased compared to pure selenium, which results in a higher operating temperature during operation. On the other hand, an ( ilastraic formation temperature which has a lower value than that of arsenic selenide (As ^ Sci) enables a simpler production than that of a photoconductor in arsetiselenide

die w est Tulichc Erhöhung des I >unkelwidersiandes dieses I'hololeiters gegenüber einen solchen au¹. As>Sc. die Möglichkeit, ihn .ils \ufzeichnungsmaterial auch in solchen l-'allen einzusetzen, wo das sonst zuweilen gebrauchte Arsenselenid wegen Miner /u raschen i'lntliidung nicht verwendet werden kann, das heißt /um Heispiel in Kleingeraten.the w est Tulichc increase in the uncle contradiction of this holo-leader compared to such an au ¹ . As> Sc. The possibility of using it for recording material also in those areas where the otherwise sometimes used arsenic selenide cannot be used because of the rapid decomposition of minerals, that is to say, for example, in small units.

(iegcnüber Aufdiimpfschuhlen aus Systemen aus Selen und wenig Arsen, die gegen Ende der Hedampfung einen steilen Kon/enlrationsanstieg des Arsens /eigen, sofern dies nicht durch besondere /usäi/liclie Maßnahmen verhindert wird, ist beim Aufdampfen des Aufzeichnungsmaterials gemäß der Erfindung bereits auch ohne solche Maßnahmen die Verteilung zumindest der wirksamen Summe der Anteile von Phosphor und Arsen und damit auch ihre relative Verteilung gleichmäßiger.(In contrast to diaper shoes from systems Selenium and a little arsenic, which are towards the end of the steam deposition a steep increase in con / enlration of arsenic / own, unless this is due to special / usäi / liclie Measures is prevented, is already in the vapor deposition of the recording material according to the invention even without such measures the distribution of at least the effective sum of the proportions of phosphorus and Arsenic and thus also their relative distribution more evenly.

Schließlich erseheint es für einen Flinsatz in der Praxis noch besonders vorteilhaft, daß in einem weilen I lochst« erl anstrebt.After all, it appears for a flinset in practice It is particularly advantageous that I lochst «Erl strives for a while.

In entsprechender Weise wirkt sich eine Erhöhung des PhosphorarUeils inner gleichzeitiger Verminderiinj des Arsenantcils auf eine Verminderung des Diinkelab falls und aiii eine Verschiebung dei Photolciiungskanl· in Richtung anl kürzere Wellenlangen aus. wie dies ii ilen Diagrammen der I i g. 2 und i dargestellt ist.An increase has a corresponding effect of the phosphorus content within a simultaneous decrease of the arsenic to a decrease in the diameter if and aiii a shift in the photolciiing channel in the direction of anl shorter wavelengths. like this ii ile diagrams of the I i g. 2 and i is shown.

Weiteie Heispiele erprobter Schichtziisamniensel zungen und ihre I let stellbedingungcn sind im folgendet angegeben:There are also many examples of tried and tested stratification Tongues and their I let setting conditions are in the following specified:

H e i s ρ ι e I 1H e i s ρ ι e I 1

0.1 IVSe ι + 0.9 As₂Seι0.1 IVSe ι + 0.9 As ₂ Seι

Einwaage 45 g, Schiehttcmperatur 195C Schiffchenteniperalur 370 C". Hedampfungs/eit 40 min.
Schichtdicke etwa 60 μηιWeighing in 45 g, layer temperature 195C Schiffchenteniperalur 370 C ". Steaming time 40 min.
Layer thickness about 60 μm

H e i s ρ i e I 2H e i s ρ i e I 2

und Arsen und einer vielfältigen zusätzlichen Möglichkeit, weitere Zusatzstoffe einzubringen, sich das Aufzeichnungsmaterial gemäß dor Erfindung sowohl hinsichtlich seines Dunkelabfalls als auch seiner spektralen Empfindlichkeit dem jeweiligen Verwendungszweck besonders genau anpassen läßt, ohne daß die vorgenannten vorteilhaften Eigenschaften der höheren Härte, der Erhallung des amorphen Zustandes und der Verhinderung der Hygroskopie beeinträchtigt werden.and arsenic and a diverse additional possibility of introducing further additives Recording material according to the invention both with regard to its dark decay and also its spectral sensitivity can be adapted particularly precisely to the respective application without the aforementioned advantageous properties of higher hardness, the reverberation of the amorphous state and the prevention of hygroscopy may be impaired.

Mit Hilfe der I ι g. I. die das System SclcnArsen-Phospher in Dreieckkoordinaten zeigt, sei dieser weile Anwendungsspiclraum noch einmal dargestellt. Während solche Zusammensetzungen, die nur aus Seien und Phosphor bestehen und die im Koordinatensystem r. gemäß Bezugszeichen 1 Punkten auf der Verbindungsgeraden Sc-P entsprechen, die oben beschriebene unerwünschte Empfindlichkeit gegenüber Feuchtigkeit aufweisen, zeichnet sich der auf der Dreieckflächc liegende, dem Kennzeichen des Anspruchs 1 ,"· - ' chende Bereich 2 nicht nur durch seine Härte, sondern auch besonders durch seine überraschende Ecuchtigkcitsbeständigkeit vorteilhaft aus. Dieser Bereich, der der FormelWith the help of the I ι g. I. The SclcnArsen-Phospher shows in triangular coordinates, this while application space is shown again. While those compositions which consist only of selenium and phosphorus and which in the coordinate system r. in accordance with reference number 1, points on the connecting straight line Sc-P correspond to those described above have unwanted sensitivity to moisture, is characterized on the triangular surface lying, the characteristic of claim 1, "· - ' related area 2 not only by its hardness, but also especially due to its surprising ecuchtigness resistance advantageous. This area that of the formula

v(P₂Sei)-w(1-x)(As₂Se,)v (P ₂ Be) -w (1-x) (As ₂ Se)

mit x-Werten zwischen 0<a<0.8 entspricht, ist in der Figur durch Schraffur hervorgehoben. Selen-Arscn-Phosphor-Systeme dieses Bereiches erweisen sich als praktisch nicht hygroskopisch. '■< >with x-values between 0 <a <0.8 is in the Figure highlighted by hatching. Selenium-Arsenic-Phosphorus systems this area turn out to be practically non-hygroscopic. '■ < >

Je nach dem vorgesehenen Verwendungszweck und den sich daraus ergebenden erforderlichen Eigenschaften der elektrophotographischen Schichten, gelingt es nun unter Verwendung des Dreieckskoordinatennetzes leicht, Bereiche, die diesen Anforderungen entsprechen, « einzustellen und dann die dazugehörigen Zusammensetzungen auszuwählen.Depending on the intended use and the resulting required properties of the electrophotographic layers, it is now possible using the triangular coordinate network easy, areas that meet these requirements, " set and then select the associated compositions.

Im Bereich 2. in dem der Anteil des Phosphors und/oder des Arsens bei 40 Atom-% liegt, läßt sich eine höhere Härte des Aufzeichnungsmaterials und eine w höhere Beständigkeit seines amorphen Zustandes feststellen. Je nachdem, ob der Anteil des Phosphors oder des Arsens höher liegt, zeigen die photoleitenden Schichten verschiedene Empfind'ichkeit, wobei bei höheren Phosphoranteilen die Empfindlichkeit geringer ist und etwa dem reinen Selen entspricht, während bei höheren Arsenanteilen mit einer Annäherung an die Zusammensetzung des As₂Se₃ die Empfindlichkeit einen ι J.1CI + U.O /\sj.if)In area 2, in which the proportion of phosphorus and / or arsenic is 40 atom%, a higher hardness of the recording material and a higher resistance of its amorphous state can be determined. Depending on whether the proportion of phosphorus or arsenic is higher, the photoconductive layers show different sensitivities, with higher phosphorus proportions the sensitivity being lower and roughly corresponding to pure selenium, while with higher arsenic proportions the composition of the As is approached ₂ Se ₃ the sensitivity a ι J.1CI + UO /\sj.if)

Einwaage 45 g. Schichltemperatur 195" C. Sehiffchentcmpcraliir 355 C . Bedampfungszeit 50 min.
Schichtdicke etwa 55 μηιWeight 45 g. Layer temperature 195 "C. Sehiffchentcmpcraliir 355 C. Steaming time 50 min.
Layer thickness about 55 μm

H e i s ρ i c I 3H e i s ρ i c I 3

0.4 Einwaage 45 g. ^ohichttcmperaiur 170 ( So" iffchentemperaiur 345 C". Bedampiiingszcit 50 min.
Schichtdicke etwa 55 μηι 0.4 weight 45 g. ^ ohichttcmperaiur 170 (So "iffchentemperaiur 345 C". Bedampiiingszcit 50 min.
Layer thickness about 55 μm

Example ^a

O.b I Einwaage 45 g. Schichttemperalur 160 C. Schiffchentemperatur 330 C". Hedanipfungszcit 55 ium.
Schichtdicke etwa 55 μηι Whether I weighed 45 g. Layer temperature 160 C. Boat temperature 330 C. "Hedanipfungszcit 55 ium.
Layer thickness about 55 μm

Ein weiterer Vorteil des clektrophotographischcr Aufzeichnungsmaierials nach der Erfindung ist durcr die Möglichkeit gegeben, noch andere Zusätze cinzu bringen. So ist beispielsweise der Zusatz von einem ode mehreren Halogenen, insbesondere von Chlor oder |od vorteilhaft, die in einem Konzentrationsbereich von bis 10 000 ppm. vorzugsweise 10 bis 100 ppm dem Aufzeichnungsmaterial zugefügt werden: dabei ist c gegebenenfalls zweckmäßig, die Halogene in Form ihrer Verbindungen zu verwenden.Another advantage of the clektrophotographic recording material according to the invention is due to it given the opportunity to bring in other additives. For example, the addition of an ode several halogens, in particular of chlorine or | od advantageous, which are in a concentration range of up to 10,000 ppm. preferably 10 to 100 ppm are added to the recording material: where c if appropriate, expediently to use the halogens in the form of their compounds.

Für die Herstellung der Schichten des Aufzeichnungs materials haben sich übliche Aufdampfverfahren al geeignet erwiesen. So ist zum Beispiel die Verdampfung aus einer einzigen Verdampfungsquelle durchau möglich, und bei einem Mischsystem der Zusammenset zungFor the production of the layers of the recording material, conventional vapor deposition processes have al proved suitable. For example, evaporation from a single evaporation source is consistent possible, and with a mixed system of the composition

X(P₂Se₃)-(I-J)(As₂Se₃)X (P ₂ Se ₃ ) - (IJ) (As ₂ Se ₃ )

stellt dieses Verfahren zugleich die wirtschaftlichst Methode dar, die zu einer gleichmäßigen Elementvertei lung führt. Gegebenenfalls kann die Verdampfung abe auch aus mehreren Verdampfungsquellen erfolgen, wii dies etwa in der deutschen Patentanmeldung P 24 25 286.6 beschrieben wurde, wobei sich dann in diesem Fall in dem einen Verdampfungsgefäß da System Selen-Phosphor und in dem anderen Verdamp fungsgefäß das System Selen-Arsen befinden. Diesi Methode ist zumal bei sehr kleinen Arsenkonzentrationen empfehlenswert. this method is also the most economical Method that leads to an even distribution of elements ment leads. If necessary, the evaporation can also take place from several evaporation sources, wii this was described for example in the German patent application P 24 25 286.6, and then in In this case, in one evaporation vessel there is the selenium-phosphorus system and in the other evaporation the selenium-arsenic system. This method is particularly recommended for very small arsenic concentrations.

Hierzu 2 Blatt ZeichnungenFor this purpose 2 sheets of drawings

Claims

Patent claims:

1. Electrophotographic recording material, in the case of selenium, a selenium alloy or a selenium compound as a photoconductor on an electrically conductive support is evaporated and in which the photoconductor as a further component Contains phosphorus, characterized that the photoconductor also contains arsenic in such an amount that the photoconductor is a mixed system

* (P2Sej) - (l-.v; (As ₂ Sei)

whose x-values lie between 0 <* <0.8. gene.

2. Electrophotographic recording material according to claim I, characterized in that the photoconductor also has one or more Contains halogens. _> n

3. Electrophotographic recording material according to AÄspruch I or 2, characterized in that that the photoconductor contains chlorine and / or iodine.

4. Electrophotographic recording material according to Claims I to 3, characterized in that j-ΐ that the photoconductor also has one or more halogens in a concentration of I to Contains 10,000 ppm.

5. Elektrophoiugraphisches recording material according to claim 1 to 4, characterized in that so that the photoconductor additionally contains one or more halogens in a concentration of 1 to 100 ppm contains.

6. Electrophotographic, recording material according to claim I bie 5. characterized in that the halogens are in the form of compounds be used.