DE2423712C2 - Method for stabilizing a superconductor - Google Patents
Method for stabilizing a superconductorInfo
- Publication number
- DE2423712C2 DE2423712C2 DE19742423712 DE2423712A DE2423712C2 DE 2423712 C2 DE2423712 C2 DE 2423712C2 DE 19742423712 DE19742423712 DE 19742423712 DE 2423712 A DE2423712 A DE 2423712A DE 2423712 C2 DE2423712 C2 DE 2423712C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- getter
- superconductor
- temperature
- conductor
- copper
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims description 17
- 230000000087 stabilizing Effects 0.000 title claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 27
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 25
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 13
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical class [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N HCl Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 claims description 5
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 28
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 18
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N tin hydride Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 7
- -1 niobium-aluminum-germanium Chemical compound 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 6
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium(0) Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 3
- 229910000807 Ga alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000004940 Nucleus Anatomy 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 description 2
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052904 quartz Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFVLUOAHQIVABZ-UHFFFAOYSA-N Iodofenphos Chemical compound COP(=S)(OC)OC1=CC(Cl)=C(I)C=C1Cl LFVLUOAHQIVABZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J Tin(IV) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- PBKWZFANFUTEPS-CWUSWOHSSA-N Transportan Chemical compound C([C@@H](C(=O)N[C@@H](CC(C)C)C(=O)N[C@@H](CC(C)C)C(=O)NCC(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)N[C@H](C(=O)N[C@@H](CC(N)=O)C(=O)N[C@@H](CC(C)C)C(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)N[C@@H](C)C(=O)N[C@@H](CC(C)C)C(=O)N[C@@H](C)C(=O)N[C@@H](C)C(=O)N[C@@H](CC(C)C)C(=O)N[C@@H](C)C(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)N[C@@H]([C@@H](C)CC)C(=O)N[C@@H](CC(C)C)C(N)=O)[C@@H](C)CC)NC(=O)CNC(=O)[C@H](C)NC(=O)[C@H](CO)NC(=O)[C@H](CC(N)=O)NC(=O)[C@H](CC(C)C)NC(=O)[C@@H](NC(=O)[C@H](CC=1C2=CC=CC=C2NC=1)NC(=O)CN)[C@@H](C)O)C1=CC=C(O)C=C1 PBKWZFANFUTEPS-CWUSWOHSSA-N 0.000 description 1
- 125000004429 atoms Chemical group 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 108010062760 transportan Proteins 0.000 description 1
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Stabilisieren eines Supraleiters mit wenigstens einem ganz oder teilweise aus einer intermetallischen supraleitenden Verbindung bestehenden, mit einem Mantel aus einer ein gut elektrisch normalleitendes Metall und ein Element der Verbindung enthaltenden Legierung versehenen Kern.The invention relates to a method for stabilizing a superconductor with at least one whole or partially consisting of an intermetallic superconducting compound, with a jacket made of an alloy containing a metal with good normal electrical conductivity and an element of the compound provided core.
Aus zwei Elementen bestehende supraleitende intermetallische Verbindungen des Typs A3B, beispielsweise Nb3Sn oder V3Ga, die A 15-Kristallstruktur besitzen, haben sehr gute Supraleitungseigenschaften und zeichnen sich insbesondere durch ein hohes kritisches Magnetfeld, eine hohe Sprungtemperatur und eine hohe kritische Stromdichte aus. Sie eignen sich daher besonders als Supraleiter für Supraleitungsspulen zum Erzeugen starker Magnetfelder, wie sie beispielsweise für Forschungszwecke benötigt werden. Weitere Einsatzmöglichkeiten bestehen beispielsweise bei Supraleitungsmagneten für die Schwebeführung von Magnetschwebebahnen oder in Wicklungen elektrischer Maschinen. Neuerdings sind auch Ternärverbindungen, wis beispielsweise das Niob-Aluminium-Germanium (Nb3Al08Ge0.,), von besonderem Interesse.Superconducting intermetallic compounds of type A 3 B consisting of two elements, for example Nb 3 Sn or V 3 Ga, which have A 15 crystal structure, have very good superconducting properties and are characterized in particular by a high critical magnetic field, a high transition temperature and a high critical Current density off. They are therefore particularly suitable as superconductors for superconducting coils for generating strong magnetic fields, such as those required for research purposes. Other possible uses are, for example, superconducting magnets for levitating magnetic levitation trains or in the windings of electrical machines. Recently, ternary compounds, such as niobium-aluminum-germanium (Nb 3 Al 08 Ge 0 ,), have also been of particular interest.
Da diese Verbindungen sehr spröde sind, bereitet jedoch ihre Herstellung in einer beispielsweise für Magnetspulen geeigneten Form erhebliche Schwierigkeiten. Es sind mehrere Verfahren bekanntgeworden, die eine Herstellung von Supraleitern mit insbesondere zweikomponentigen intermetallischen Verbindungen in Form langer Drähte oder Bänder ermöglichen. Since these compounds are very brittle, however, their preparation in an example for Solenoid coils suitable form considerable difficulties. Several procedures have become known the manufacture of superconductors with, in particular, two-component intermetallic compounds in the form of long wires or ribbons.
Bei diesen Verfahren, die insbesondere zur Herstellung von sogenannten Vielkernleitern mit in einer normalleitenden Matrix angeordneten Drähten, insbesondere aus Nb3Sn und V3Ga, oder mit Niob- bzw. Vanadiumdrähten mit Oberflächenschichten aus den genannten Verbindungen dienen, wird ein drahtförmiges duktiles Element der herzustellenden Verbindung, beispielsweise ein Niob- oder ein Vanadiumdraht, mit einer Hülle aus einer ein in der Regel elektrisch gut normalleitendes duktiles Trägermetall und die übrigen Elemente der Verbindung enthaltenden Legierung, beispielsweise einei Kupfer-Zinn-Legierung oder einer Kupfer-Gallium-Legierung, umgeben. Insbesondere können auch eine Vielzahl solcher Drähte in eine Matrix aus der Legierung eingelagert werden. Der so gewonnene Aufbau wird dann einer querschnittsverringernden Bearbeitung unterzogen. Dadurch wird einmal ein langer Draht erhalten, wie er für Spulen benötigt wird. Zum anderen wird bei dieser Bearbeitung der Durchmesser der beispielsweise aus Niob oder Vanadium bestehenden Drähte auf einen niedrigen Wert in der Größenordnung von etwa 30 bis 50 μπι oder noch weniger reduziert, was im Hinblick auf die Supraleitungseigenschaften des Leiters wünschenswert ist. Ferner wird durch die querschnittsverringernde Bearbeitung noch angestrebt, eine möglichst gute metallurgische Verbindung zwischen dem Draht und dem umgebenden Matrixmaterial aus der Legierung zu erhalten, ohne daß jedoch Reaktionen auftreten, die zu einer Versprödung des Leiters führen. Nach der querschnittsverringernden Bearbeitung wird dann der aus einem oder mehreren Drähten und dem umgebenden Matrixmaterial bestehende Leiter einer Wärmebehandlung derart unterzogen, daß die gewünschte Verbindung durch Reaktion des Drahtmaterials, also beispielsweise des Niobs oder Vanadiums, mit dem in der umgebenden Matrix enthaltenen weiteren Element der Verbindung, beispielsweise Zinn oder Gallium, gebildet wird. Das in der Matrix enthaltene Element diffundiert dabei in das aus dem anderen Element der Verbindung bestehende Drahtmaterial ein und reagiert mit diesem unter Bildung einer aus· der gewünschten Verbindung bestehenden Schicht (DT-OS 20 44 660, 20 52 323, 21 05 828).In these processes, which are used in particular for the production of so-called multi-core conductors with wires arranged in a normally conductive matrix, in particular made of Nb 3 Sn and V 3 Ga, or with niobium or vanadium wires with surface layers made of the compounds mentioned, a wire-shaped ductile element of The connection to be made, for example a niobium or a vanadium wire, is surrounded by a sheath made of a ductile carrier metal with normally good electrical conductivity and the other elements of the connection, for example a copper-tin alloy or a copper-gallium alloy . In particular, a large number of such wires can also be embedded in a matrix made of the alloy. The structure obtained in this way is then subjected to a cross-section-reducing processing. In this way, a long wire is obtained, as is required for coils. On the other hand, the diameter of the wires made of niobium or vanadium, for example, is reduced to a low value in the order of about 30 to 50 μm or even less, which is desirable with regard to the superconducting properties of the conductor. Furthermore, through the cross-section-reducing processing, the aim is to obtain the best possible metallurgical connection between the wire and the surrounding matrix material made of the alloy, without, however, reactions occurring which lead to embrittlement of the conductor. After the cross-section-reducing processing, the conductor consisting of one or more wires and the surrounding matrix material is then subjected to a heat treatment in such a way that the desired connection is achieved by reaction of the wire material, e.g. niobium or vanadium, with the further element of the connection contained in the surrounding matrix , for example tin or gallium, is formed. The element contained in the matrix diffuses into the wire material consisting of the other element of the connection and reacts with this to form a layer consisting of the desired connection (DT-OS 20 44 660, 20 52 323, 21 05 828).
Bei diesem Verfahren besteht jedoch unter anderem die Schwierigkeit, daß das die eingelagerten Kerne aus dem einen Element der herzustellenden Verbindung enthaltene Matrixmaterial aus dem Trägermetall und dem anderen Element der herzustellenden Verbindung insbesondere bei höheren Konzentrationen dieses Elementes verhältnismäßig schlecht verformbar ist. Zur Behebung dieser Schwierigkeit sind bereits andere Verfahren bekanntgeworden, bei denen zunächst ein oder mehrere Kerne aus einem ElementIn this method, however, there is, inter alia, the problem that the stored cores matrix material from the carrier metal contained in one element of the connection to be produced and the other element of the compound to be prepared, especially at higher concentrations this element is relatively difficult to deform. To resolve this difficulty are Other processes have already become known, in which one or more cores from one element are initially used
J 4J 4
der herzustellenden Verbindung, insbesondere Niob wendig und erfordert große Sorgfalt in der Verfah-the connection to be made, especially niobium, is agile and requires great care in the process
oder Vanadium, in ein duktiles Matrixmaterial, bei- rensführung, um einerseits beim Ablösen der Matrixor vanadium, in a ductile matrix material, bears guide, on the one hand, when the matrix is detached
spielsweise. Kupfer, Silber oder Nickel, eingelagert die Nb.,Sn-Kerne nicht zu beschädigen, und andenr-for example. Copper, silver or nickel, incorporated the Nb., Sn cores not to be damaged, and other
werden, das selbst kein Element der herzustellenden seits reproduzierbare Ergebnisse zu erzielen.that itself is not an element of the part to be produced to achieve reproducible results.
Verbindung oder nur sehr geringe Mengen eines sol- ζ Aufgabe der Erfindung ist es, einen SupraleiterCompound or only very small amounts of a sol- ζ The object of the invention is to provide a superconductor
chen Elementes enthält. Der aus den Kernen und mit wenigstens einem ganz oder teilweise aus einerChen element contains. The one from the kernels and with at least one wholly or partially from one
diesem Matrixmaterial bestehende Aufbau kann intermetallischen supraleitenden Verbindung be-this matrix material structure can be intermetallic superconducting compound
dann leichter durch querschnittsverringernde Bear- stehenden, mit einem Mantel aus einer ein gut elek-then more easily by means of cross-section-reducing machin-
beitung zu einem dünnen Draht verarbeitet werden, trisch normalleitendes Metall und ein Element derprocessing into a thin wire, trisch normal conducting metal and an element of the
der' sehr dünne Kerne aus Vanadium oder Niob io Verbindung enthaltenden Legierung versehenen Kernthe core provided with an alloy containing very thin cores made of an alloy containing vanadium or niobium
enthält. Nach dem letzten querschnittsverringerp.den in wesentlich einfacherer Weise zu stabilisieren.contains. After the last cross-section reduction, it is much easier to stabilize.
Bearbeitungsschritt werden bei diesem Verfahren Dies wird erfindungsgemäß dadurch erreicht, daßProcessing steps are in this method. This is achieved according to the invention in that
dann auf das Matrixmaterial die restlichen Elemente das im Mantel enthaltene Element der Verbindungthen on the matrix material the remaining elements the element of the connection contained in the jacket
der herzustellenden Verbindung, im Falle von Nb:1Sn durch chemische Transportreaktion aus dem Mantelthe connection to be made, in the case of Nb : 1 Sn by chemical transport reaction from the jacket
also Zinn, aufgebracht. Dies geschieht dadurch, daß 15 wenigstens teilweise entfernt wird,that is, tin, applied. This is done by removing 15 at least partially,
man den Draht kurz in eine Zinnschmelze taucht, so Chemische Transportreaktionen sind an sich be-if the wire is briefly immersed in molten tin, chemical transport reactions are inherently
daß auf dem Matrixmaterial eine dünne Zinnschicht reits bekannt und dadurch charakterisiert, daß sichthat a thin layer of tin on the matrix material is already known and characterized by the fact that
gebildet wird, oder daß man eine Zinnschicht auf ein fester oder flüssiger Stoff mit Gasen unter Bildungis formed, or that a layer of tin on a solid or liquid substance with gases under formation
das Matrixmaterial aufdampft. Anschließend wird nur gasförmiger Reaktionsprodukte umsetzt und daßthe matrix material is vapor-deposited. Then only gaseous reaction products are converted and that
dann eine Wärmebehandlung durchgeführt, bei der 20 anschließend an anderen Stellen des Systems Rück-then a heat treatment is carried out, in which 20 subsequently return to other parts of the system
die auf das Matrixmaterial aufgebrachten Elemente reaktion unter Abscheidung des Ausgangsstoffes statt-the elements applied to the matrix material react with deposition of the starting material instead of
der herzustellenden Verbindung zunächst in das Ma- findet. Voraussetzung für eine chemische Transport-the connection to be established into the machine first. Requirements for a chemical transport
trixmaterial ein- und durch dieses hindurchdiffun- reaktion ist neben der Reversibilität der stattnnden-trix material in and through this diffusion reaction is, in addition to the reversibility of the
dieren und dann durch Reaktion mit den Kernen die den chemischen Reaktion das Vorliegen eines Kon-and then through reaction with the nuclei that determine the chemical reaction
eewünschte supraleitende Verbindung bilden (»Ap- 25 zentrationsgefälles zwischen der Stelle, an der dieE form the desired superconducting connection (»Ap- 25 centering gradient between the point at which the
plied Physics Letters«, 20 (1972), S. 443 bis 445; gasförmigen Reaktionsprodukte gebildet werden undPlied Physics Letters ", 20 (1972), pp. 443 to 445; gaseous reaction products are formed and
DT-OS 22 05 308). der Stelle, an welcher durch Zerfall dieser Reaktions-DT-OS 22 05 308). the point at which this reaction-
\\\e diese Verfahren haben jedoch gemeinsam, daß produkte die Rückreaktion erfolgen soll (vgl. H.
im fertigen Leiter die Kerne aus der supraleitenden Schäfer, »ChemischeTransportreaktionen«, Weinintermetallischen
Verbindung von einem Matrix- 30 heim/Bergstr., Verlag Chemie, 1962, S. 11).
material umgeben sind, das aus einer Legierung eines Gegenüber dem bekannten Verfahren ergeben sich
in der Regel gut elektrisch normalleitenden Metalls, durch den erfindungsgemäßen Einsatz von chemiwie
Kupfer, mit einem Element der hergestellten sehen Transportreaktionen zur Entfernung des im
intermetallischen Verbindung, beispielsweise Gallium Mantel enthaltenen Elementes der Verbindung aus
oder Zinn, besteht. Derartige Legierungen haben 35 dem Mantel eine Vielzahl von Vorteilen. Einmal hat
natürlich eine schlechtere elektrische Leitfähigkeit es sich gezeigt, daß sich chemische Transportreak-
und auch eine schlechtere Wärmeleitfähigkeit als bei- tionen bei Temperaturen durchführen lassen, die
spielsweise reines Kupfer. Dies wirkt sich auf die erheblich unterhalb des Schmelzpunktes von Kupier
elektrische Stabilisierung der Leiter nachteilig aus. liegen. Zum anderen wird eine Ablösung der Matrix
Für eine gute elektrische Stabilisierung ist es nämlich 40 von den Kernen und damit eine Zerstörung des
wünschenswert, daß die supraleitenden Kerne eine während der querschnittsverringernden Bearbeitung
Umhüllung aus möglichst gut elektrisch und ther- hergestellten guten metallurgischen Kontaktes der
misch leitendem Metall aufweisen, das erforderlichen- Kerne mit dem Matrixmaterial vermieden. Außerdem
falls bei einem Übergang der supraleitenden Kerne läßt sich mit Hilfe von chemischen Transportreakin
den normalleitenden Zustand einen den Leiter 45 tionen das im Mantel enthaltene Element gut reprodurchfließenden
Strom übernehmen und im Leiter duzierbar entfernen, so daß die elektrische Leittahigauf
Grund von magnetischen Flußsprüngen oder, bei keil des Mantels durch entsprechende Reaktionseinem
Übergang in den normalleitenden Zustand, führung leicht eingestellt werden kann,
auf Grund ohmscher Verluste auftretende Wärme gut An sich genügt es, für eine chemische Transportan
das den Leiter umgebende Kühlmittel ableiten 50 reaktion den zu behandelnden Supraleiter zusammen
kann mit einem Transportmittel in ein evakuiertes oder What these processes have in common, however, is that the reverse reaction should take place in products (cf. 1962, p. 11).
material are surrounded, which is made of an alloy of a the compound of or tin. Such alloys have a number of advantages over the cladding. On the one hand, of course, a poorer electrical conductivity has been shown that chemical transport reactivity and also a poorer thermal conductivity than ions can be carried out at temperatures such as pure copper. This has a detrimental effect on the electrical stabilization of the conductors, which is considerably below the melting point of Kupier. lie. On the other hand, a detachment of the matrix is necessary for good electrical stabilization from the cores and thus destruction of the superconducting cores to be encased during the cross-section-reducing machining of the best possible electrical and thermal good metallurgical contact of the mixed conductive Have metal, the necessary cores avoided with the matrix material. In addition, if the superconducting cores change over to the normally conductive state, the element contained in the sheath can be taken over by the conductor 45 with the help of chemical transport reactions and removed in the conductor, so that the electrical conduction is reduced due to magnetic flux jumps or wedge of the sheath through appropriate reaction a transition to the normally conducting state, guidance can be easily adjusted,
occurring due to ohmic losses heat well By itself, it is sufficient for a chemical transportan drain the coolant surrounding the conductor responsive 50 the superconductor can be treated with a means of transport in an evacuated or
Zur Verbesserung der Stabilisierung ist es daher mit Schutzgas gefülltes Reaktionsgefäß einzubringenTo improve the stabilization, it is therefore necessary to introduce a reaction vessel filled with protective gas
anzustreben, die schlecht leitende Legierungsmatrix und dieses dann zu erhitzen. Auch bei gleicher! em-to strive to heat the poorly conductive alloy matrix and this then. Even with the same! em-
der Supraleiter durch eine Matrix oder Umhüllung peratur von Leiter und Gefäßwand kann dann bereitsthe superconductor through a matrix or envelope temperature of the conductor and the vessel wall can then already
aus möglichst reinem, gut elektrisch und thermisch 55 das zu entfernende Element der Verbindung vomfrom as pure as possible, good electrical and thermal 55 the element to be removed from the connection from
leitendem Metall zu ersetzen. Bei einem aus der Leitermantel zur Wand des Reaktionsgefaßes trans-to replace conductive metal. In the case of a transfer from the conductor jacket to the wall of the reaction vessel
DT-OS 22 05 308 bekannten Verfahren wird dies portiert werden, auf der es sich dann als Metal 1-DT-OS 22 05 308 known method, this will be ported, on which it then turns out to be Metal 1-
dadurch erreicht, daß bei einem Nb3Sn-Vielkernleiter spiegel abscheidet. Ein solcher Stofftransport ohneachieved in that with a Nb 3 Sn multi-core conductor is deposited in a mirror. Such a mass transport without
nach der Wärmebehandlung zum Herstellen der Temperaturgefälle hat sich überraschenderweisealsafter the heat treatment to produce the temperature gradient has surprisingly been found
Nb,Sn-Schichten die Kupfer-Zinn-Matrix durch ehe- 60 möglich erwiesen, weil offenbar bei en tspreclhen*aenNb, Sn layers have shown the copper-tin matrix through marriage to be possible, because evidently with each other
mische Reaktion oder durch elektrolytische anodische Transportreaktionen sich an der die Quelles fur das zumixing reaction or by electrolytic anodic transport reactions to which the sources for the too
Auflösung wenigstens teilweise von den Nb.Sn-Ker- transportierende Element bildenden Legierung emer-Dissolution at least partially of the Nb.Sn-Ker- transporting element forming alloy emer-
nen entfernt wirf. Anschließend werden die Kerne seits und der GefäßwandI andererseits auch be, gier-throw away. Then the nuclei on the one hand and the vessel wall on the other hand are also greedily
dann mit einer Kupfermatrix versehen, indem man eher Temperatur unterschiedliche Reaktionsgewichtethen provided with a copper matrix by rather temperature different reaction weights
sie durch ein Bad aus geschmolzenem Kupfer führt, 65 einstellen. ...,., ■ λ u a^ ,„ PntfPT pass it through a bath of molten copper, set 65. ...,., ■ λ ua ^ , " Pn tf PT
das auf einer Temperatur von 11000C bei inerter Besonders vorteilhaft ist es jedoch, das zu1 entf *-that at a temperature of 1100 0 C with inert, however, it is particularly advantageous to remove the
■ - , wird nende Element nicht an der Gefaßwand abzuschei-■ -, designating element is not abzuschei- at the vessel wall
ist aber äußerst auf- den, sondern zur Aufnahme des zu entfernendenbut is extremely demanding, rather it is used to accommodate what is to be removed
Elementes ein entsprechendes Getter, vorzugsweise des behandelten Leiters vor und nach der EntfernungElement a corresponding getter, preferably the treated conductor before and after removal
aus dem auch in der Legierung enthaltenen gut elek- des Zinns aus der Matrix durch die chemische Trans-from the good electrical tin also contained in the alloy from the matrix through the chemical trans-
trisch normalleitenden Metall, in der Nähe des zu portreaktion zeigte einen deutlichen FarbunterschiedTrisch normal conductive metal, near the port reaction showed a clear color difference
behandelnden Supraleiters vorzusehen. Das Getter der beiden Proben. Vor der Transportreaktion warto provide treating superconductor. The getter of the two samples. Before the transport reaction was
kann den Leiter dabei vorteilhaft rohrförmig um- 5 die Drahtprobe gelb, also bronzefarben, nach derthe conductor can advantageously be tubular around the wire sample yellow, i.e. bronze-colored, after the
schließen. Transportreaktion eindeutig kupferfarben. Eine Rcst-shut down. Transport reaction clearly copper-colored. A back
Zur Beschleunigung der Transportreaktion emp- widerstandsmessung von Proben vor und nach derTo accelerate the transport reaction, measure the resistance of samples before and after the
fiehlt es sich ferner, zwischen Leiter und Getter ein Transportreaktion ergab für die Probe vorher einenit is also not possible that a transport reaction between the conductor and the getter resulted in a previous one for the sample
Temperaturgefälle einzustellen. Dabei wird der Leiter Wert von 1,5 · 10,5~5 Ω · cm und für die ProbeAdjust the temperature gradient. In doing so, the conductor value is 1.5 · 10.5 ~ 5 Ω · cm and for the sample
in der Regel auf der höheren, das Getter auf der io nachher einen Wert von 1,5-10-° Ω cm, d.h. eineusually on the higher, the getter on the io afterwards a value of 1.5-10- ° Ω cm, i.e. one
niedrigeren Temperatur gehalten. Verminderung des Restwiderstandes durch die che-kept lower temperature. Reduction of the residual resistance through the chemical
Zum Stabilisieren eines Leiters mit wenigstens mische Transportreaktion um den Faktor 10. DieTo stabilize a conductor with at least a mixed transport reaction by a factor of 10. The
einem ganz oder teilweise aus Nb3Sn bestehenden, Zinnkonzentrationen in der Legierungsmatrix desa tin concentration in the alloy matrix of the consisting entirely or partially of Nb 3 Sn
von einer Kupfer-Zinn-Legierung umgebenen Kern Leiters, die durch Mikrosondenmessung ermitteltThe core of the conductor is surrounded by a copper-tin alloy and determined by microprobe measurement
hat es sich als besonders günstig erwiesen, den Leiter 15 wurden, betrugen vor der Transportieaktion etwaIf it has proven to be particularly favorable, the ladder 15 was before the transport action was about
in Anwesenheit eines Kupfergetters einer Glühbe- 6,3 Atom-'/o Zinn und nach der Transportreaktionin the presence of a copper getter of an incandescent bulb 6.3 atom / o tin and after the transport reaction
handlung in einer Chlorwasserstoffgasatmosphäre zu etwa 0,3 Alom-% Zinn.treated in a hydrogen chloride gas atmosphere to about 0.3 Alom% tin.
unterziehen. Chlor bzw. Chlorwasserstoff ist nämlich Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich alsoundergo. This is because the process according to the invention is suitable for chlorine or hydrogen chloride
ein besonders gutes Transportmittel für Zinn. Leiter hervorragend dazu, um aus der Kupfer-Zinn-Matrixa particularly good means of transport for tin. Head excellent for this to get out of the copper-tin matrix
und Getter können dabei vorteilhaft im Temperatur- 20 eines fertigen Leiters mit diffundierten Nb3 Sn-Ker-and getter can advantageously be used in the temperature of a finished conductor with diffused Nb 3 Sn core
bereich von 700 bis 800° C gehalten werden, wobei nen das Zinn wieder zu entfernen und eine nieder-range of 700 to 800 ° C, whereby the tin can be removed again and a low-
die Temperatur des Getters etwa 10 bis 40° C nied- ohmige Kupfermatrix herzustellen,the temperature of the getter about 10 to 40 ° C to produce a low-ohmic copper matrix,
riger ist als die Temperatur des Leiters. Zur Behandlung längerer Drähte nach dem erfin-is lower than the temperature of the conductor. For the treatment of longer wires after the invented
Zum Stabilisieren eines Leiters mit wenigstens dungsgemäßen Verfahren eignet sich insbesondereTo stabilize a conductor with at least the method according to the invention is particularly suitable
einem ganz oder teilweise aus V3Ga bestehenden, von 25 die in der Figur dargestellte Vorrichtung. Der zuone consisting entirely or partially of V 3 Ga, of 25 the device shown in the figure. The to
einer Kupfer-Gallium-Legierung umgebenen Kern behandelnde Supraleiter 1, beispielsweise ein Nb3Sn-a copper-gallium alloy core treating superconductor 1, for example an Nb 3 Sn-
kann in entsprechender Weise verfahren werden. Vielkernleiter mit einer Kupfer-Zinn-Matrix wirdcan be proceeded in a corresponding manner. Multi-core conductor with a copper-tin matrix
Hierbei ist besonders Jod als Transportmittel für zunächst auf ein Keramikrohr 2 aufgewickelt. DiesesHere, iodine in particular is initially wound onto a ceramic tube 2 as a means of transport. This
Gallium geeignet. wird in eine Quarzampulle 3 eingebracht und auf eineGallium suitable. is placed in a quartz ampoule 3 and on a
An Hand einer Figur, die schematisch eine Vor- 30 in der Ampulle vorgesehene Einstülpung 4 aufgerichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen schoben. Als Getter wird in die Ampulle 3 ein Kup-Verfahrens darstellt, und einiger Ausführungsbei- ferrohr5 derart eingebracht, daß es das mit dem spiele soll die Erfindung noch näher erläutert werden. Draht 1 bewickelte Keramikrohr 2 etwa konzentrischOn the basis of a figure, the schematically erecting an indentation 4 provided in the ampoule pushed to carry out the invention. A Kup process is used as a getter in the ampoule 3 represents, and some Ausführungsbei- ferrohr5 introduced in such a way that it is with the games, the invention will be explained in more detail. Wire 1 wound ceramic tube 2 approximately concentrically
Ein etwa 15 cm langes Stück eines bandförmigen, umschließt. Die Ampulle wird wiederum auf etwaAn approximately 15 cm long piece of a ribbon-shaped, enclosing. The ampoule will turn to about
440 μΐη breiten und 100 um starken Leiters mit 220 35 10~6 Torr evakuiert und mit Chlorwasserstoffgas440 μm wide and 100 μm thick conductor with 220 35 10 ~ 6 Torr and evacuated with hydrogen chloride gas
in eine Kupfer-Zinn-Matrix eingelagerten Nb3Sn- eines Druckes von 0,5 Torr gefüllt. Der supraleitende Nb 3 Sn- embedded in a copper-tin matrix at a pressure of 0.5 Torr. The superconducting one
Kernen wurde zur Absenkung des Zinngehaltes der Draht 1 wird dann mit Hilfe eines in die Einstül-Cores was used to lower the tin content. The wire 1 is then inserted into the insert with the help of a
Matrix einer chemischen Transportreaktion unter- pung 4 eingeschobenen Heizfingers 6 auf eine Tem-Matrix of a chemical transport reaction under- pung 4 inserted heating fingers 6 on a temperature
zogen. Das Leiterstück wurde zu diesem Zweck in peratur von etwa 750° C, das rohrförmige Getter 5pulled. For this purpose, the conductor section was kept at a temperature of around 750 ° C., the tubular getter 5
eine etwa 12 cm lange Quarzampulle mit einem 40 mit Hilfe eines Rohrofens 7 auf eine Temperatur vonan approximately 12 cm long quartz ampoule with a 40 using a tubular furnace 7 to a temperature of
Innendurchmesser von etwa 30 mm eingebracht. Als etwa 740" C erhitzt. Da an der Oberfläche der zinn-Introduced inside diameter of about 30 mm. Heated as about 740 "C. Since on the surface of the tin-
Gettermaterial wurde in die Ampulle ferner ein etwa reichen Matrix des Drahtes 1 das Gleichgewicht deiGetter material was added to the ampoule further an approximately rich matrix of the wire 1 the balance dei
10 cm langer Kupferdraht mit einem Durchmesser Transportreaktion zur Zinnchloridbildung hin, an dei10 cm long copper wire with a diameter transport reaction to tin chloride formation, at dei
von etwa 500 μπι eingelegt. Anschließend wurde die zinnarmen Oberfläche des Getters 5 dagegen zuiinserted from about 500 μπι. The low-tin surface of the getter 5 was then closed
Ampulle bis zu einem Restgasdruck von 10~eTorr 45 Freisetzung von Zinn hin verschoben ist, wird durchAmpoule is shifted to a residual gas pressure of 10 ~ e Torr 45 release of tin, is through
evakuiert, dann mit Chlorwasserstoffgas mit einem die chemische Transportreaktion Zinn vom Draht 1evacuated, then with hydrogen chloride gas with a chemical transport reaction tin from the wire 1
Druck von 0,05 Torr bei Raumtemperatur gefüllt zum Getter 5 transportiert.Transported to getter 5 filled with a pressure of 0.05 Torr at room temperature.
und abgeschmolzen. Die Ampulle wurde dann Das erfindungsgemäße Verfahren läßt sich auf alkand melted. The ampoule was then The method according to the invention can be applied to alk
48 Stunden lang erhitzt, wobei der bandförmige Lei- Supraleiter mit supraleitenden intermetallischen Ver·Heated for 48 hours, the ribbon-shaped lei superconductor with superconducting intermetallic compounds
ter auf einer Temperatur von etwa 750° C, der als 50 bindungen unabhängig von ihrer speziellen Herter at a temperature of about 750 ° C, which is considered to be 50 bonds regardless of their special origin
Gettermaterial dienende Kupferdraht auf einer Tem- stellung anwenden, wenn sie nur eine UmhüllungUse copper wire used for getter material on a tem- perature if they only have a covering
peratur von etwa 730° C gehalten wurde. Anschlie- aus einer Legierung aus einem gut elektrisch leiten-temperature of about 730 ° C was maintained. Subsequently made of an alloy of a well electrically conductive
ßend wurde die Ampulle abgekühlt und geöffnet. den Metall und einem chemischen transportierbarerThe ampoule was then cooled and opened. the metal and a chemical transportable
Die metallographische Untersuchung von Proben Element besitzen.Metallographic examination of specimens possessing element.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings
Claims (7)
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19742423712 DE2423712C2 (en) | 1974-05-16 | Method for stabilizing a superconductor | |
FR7513004A FR2271642B1 (en) | 1974-05-16 | 1975-04-25 | |
US05/573,075 US4010047A (en) | 1974-05-16 | 1975-04-30 | Method for stabilizing a superconductor |
CH561375A CH615041A5 (en) | 1974-05-16 | 1975-05-02 | |
CA226,827A CA1042640A (en) | 1974-05-16 | 1975-05-13 | Method for stabilizing a superconductor |
GB2102275A GB1470942A (en) | 1974-05-16 | 1975-05-16 | Manufacture of superconductors |
JP50058496A JPS50161193A (en) | 1974-05-16 | 1975-05-16 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19742423712 DE2423712C2 (en) | 1974-05-16 | Method for stabilizing a superconductor |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2423712A1 DE2423712A1 (en) | 1975-06-05 |
DE2423712B1 DE2423712B1 (en) | 1975-06-05 |
DE2423712C2 true DE2423712C2 (en) | 1976-01-15 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2333893C3 (en) | Method for producing a superconductor with a superconducting intermetallic compound consisting of at least two elements | |
DE2331962A1 (en) | METHOD FOR PRODUCING A SUPRAL CONDUCTOR WITH A SUPRAL CONDUCTING INTERMETALLIC JOINT FROM TWO ELEMENTS | |
DE69120945T2 (en) | METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING A SUPERCONDUCTIVE Nb3-Al WIRE | |
DE1256507B (en) | Process for the production of superconducting layers | |
DE1665250B1 (en) | SUPRAL CONDUCTORS AND PROCESS AND DEVICE FOR ITS MANUFACTURING | |
DE3243265C2 (en) | Superconducting materials and method for their production | |
DE2423712C2 (en) | Method for stabilizing a superconductor | |
EP0032691A1 (en) | Process for producing a superconductor with an intermetallic connection | |
DE2541689C3 (en) | Method for making a V3Ga superconductor | |
DE2515904A1 (en) | METHOD OF MANUFACTURING A STABILIZED SUPRAL CONDUCTOR | |
DE2331919C3 (en) | Method for producing a superconductor with a superconducting intermetallic compound of at least two elements | |
US4031609A (en) | Method for the manufacture of a superconductor with a superconductive intermetallic compound consisting of at least two elements | |
CA1042640A (en) | Method for stabilizing a superconductor | |
DE1521010C3 (en) | Process for the electrolytic copper plating of niobium | |
DE10055628A1 (en) | Copper content niobium/aluminum extra fine multicore super conductive wire for superconductors, includes copper and forms specific phase structure on rapid heating and cooling, which is additionally heat treated | |
DE2339050C3 (en) | Method and device for producing a superconductor with a superconducting intermetallic compound consisting of at least two elements | |
DE2423882C3 (en) | Method for producing a superconductor with a superconducting intermetallic compound consisting of at least two elements | |
DE2819242B2 (en) | Process for the manufacture of a superconductor | |
DE2428817C2 (en) | Method for producing a superconductor with a superconducting intermetallic compound consisting of at least two elements | |
DE3002196C2 (en) | ||
DE2339050B2 (en) | Method and device for producing a superconductor with a superconducting intermetallic compound consisting of at least two elements | |
DE2231487C3 (en) | Superconductor and process for its manufacture | |
DE2241359A1 (en) | METHOD OF MANUFACTURING A STABILIZED SUPRAL CONDUCTOR AND SUPERCONDUCTORS MANUFACTURED ACCORDING TO THE METHOD | |
CH615778A5 (en) | ||
DE3002177C2 (en) | Method for producing a superconductor with an intermetallic compound |