DE2412339C2 - Monolithic high density bodies made of silicon nitride and silicon carbide - Google Patents

Monolithic high density bodies made of silicon nitride and silicon carbide

Info

Publication number
DE2412339C2
DE2412339C2 DE2412339A DE2412339A DE2412339C2 DE 2412339 C2 DE2412339 C2 DE 2412339C2 DE 2412339 A DE2412339 A DE 2412339A DE 2412339 A DE2412339 A DE 2412339A DE 2412339 C2 DE2412339 C2 DE 2412339C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
silicon
silicon nitride
silicon carbide
resistance
high density
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2412339A
Other languages
German (de)
Other versions
DE2412339A1 (en
Inventor
David Walter Tempe Ariz. Richerson
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Saint Gobain Abrasives Inc
Original Assignee
Norton Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Norton Co filed Critical Norton Co
Publication of DE2412339A1 publication Critical patent/DE2412339A1/en
Application granted granted Critical
Publication of DE2412339C2 publication Critical patent/DE2412339C2/en
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/597—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon oxynitride, e.g. SIALONS
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/584—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride
    • C04B35/593—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride obtained by pressure sintering

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Description

Aus der US-PS 8 66 444 aus 1970 ist das Reaktionssintern von Silicium in Gegenwart von Siliciumcarbid bekannt. Die so erhaltenen Formkörper sind unter den gegebenen Umständen als dicht, hart und widerstandsfähig bezeichnet worden und eignen sich als Schleifkorn zur Herstellung von Schleifscheiben oder aufgrund der thermischen und chemischen Widerstandsfähigkeit als elektrische Heizleiter. Nähere Angaben zu Dichte, Festigkeit bei Raumtemperatur und in der Wärme und elektrische Widerstandswerte sind nicht angegeben. Aus der US-PS 33 94 026 ist es bekannt, Siliciumcarbid dem Silicium für das Reaktionssintern zu Siliciumnitrid zuzusetzen, um dessen Kriechfestigkeit zu verbessern. Die Festigkeitswerte sind nicht als zufriedenstellend zu bezeichnen. Ein Forschungsbericht der Firma Westinghouse Nr. 100014-68-C-0323 erwähnt eine Zugabe von Siliciumcarbid mit einer Körnung von etwa 5 μΐη zu Siliciumnitrid, um aus diesem Gemisch durch Heißpressen Formkörper verbesserter Querbiegefestigkeit oder Bruchmoduls herzustellen. Die dort angegebenen Versuchsergebnisse lassen zwar eine gewisse Verbesserung erkennen, jedoch sind die angegebenen Werte für Bruchmodul oder Querbiegefestigkeit nicht zufriedenstellend; auch wird dort keine Angabe zum elektrischen Widerstand der Formkörper gemacht. Im Hinblick auf die grobe Korngröße (das kleinste Korn ist 5 μΐη) wird der elektrische Widerstand der Formkörper selbst bei relativ hohen Konzentrationen an SiC durch seine Isolierwirkung gegenüber dem Siliciumnitrid beträchtlich sein.From US-PS 8 66 444 from 1970 the reaction sintering of silicon in the presence of silicon carbide is known. The moldings obtained in this way are dense, hard and resistant under the given circumstances have been designated and are suitable as abrasive grain for the production of grinding wheels or due to the thermal and chemical resistance as an electrical heating conductor. More details on density, Strength at room temperature and in the heat and electrical resistance values are not given. From US-PS 33 94 026 it is known to silicon carbide silicon for the reaction sintering to silicon nitride add to improve its creep resistance. The strength values are not considered to be satisfactory to call. A Westinghouse research report No. 100014-68-C-0323 mentions one Addition of silicon carbide with a grain size of about 5 μΐη to silicon nitride in order to get through this mixture Hot pressing to produce moldings of improved transverse flexural strength or modulus of rupture. The ones specified there Test results show a certain improvement, but the values given are unsatisfactory for modulus of rupture or transverse bending strength; there is also no information about the electrical Resistance made of the molded body. With regard to the coarse grain size (the smallest grain is 5 μΐη) the electrical resistance of the molded body even with relatively high concentrations of SiC by its Insulating effect against the silicon nitride can be considerable.

Aus der US-PS 34 68 992 ist ein Verfahren zur Herstellung harter Produkte unbekannter Eigenschaften bekannt, wonach gleiche Teile Siliciumcarbid (SiC) und Siliciumnitrid (Si1N,,) in Gegenwart von 4% B2O3 gepreßt und anschließend an der Luft gebrannt werden. Einem NASA-Bericht 3-14333 ist zu entnehmen, daß dieFrom US-PS 34 68 992 a process for the production of hard products of unknown properties is known, according to which equal parts of silicon carbide (SiC) and silicon nitride (Si 1 N ,,) are pressed in the presence of 4% B 2 O 3 and then in air to be burned. A NASA report 3-14333 shows that the

•40 Zugabe von SiC-Whiskers zu Si3N4 und Heißpressen des Gemischs zu einer höheren Festigkeit des Formkörpers führt. Jedoch sind die damit erreichbaren Vorteile nicht ausreichend, um den Aufwand des Einsatzes von SiC-Whiskers zu rechtfertigen.• The addition of SiC whiskers to Si 3 N 4 and hot pressing of the mixture leads to a higher strength of the molded body. However, the advantages that can be achieved are not sufficient to justify the expense of using SiC whiskers.

Hinsichtlich eines Gehaltes an SiC und Siliciumaluminiumoxynitrid in Form körpern sind noch die US-PS 33 05 372 und 32 91 623 zu erwähnen. Dort geht es um Verfahren auf der Basis von Reaktionen, die zur Bildung eines Gemischs von SiC und Si3N4 unter Bildung von oder in Gegenwart von Tonerde AI2O3 führen. Bei der Nitrierung kann möglicherweise in geringem Umfang Siliciumaluminiumoxynitrid gebildet werden. Diesen beiden amerikanischen Patentschriften sind jedoch keine Angaben hinsichtlich der elektrischen und physikalischen Eigenschaften der Verfahrensprodukte zu entnehmen, die einen Vergleich mit den nach vorliegender Erfindung herzustellenden Formkörpern zuließenWith regard to a content of SiC and silicon aluminum oxynitride in the form of bodies, the US-PS 33 05 372 and 32 91 623 are to be mentioned. This deals with processes based on reactions that lead to the formation of a mixture of SiC and Si 3 N 4 with the formation of or in the presence of alumina Al 2 O 3 . Silicon aluminum oxynitride may possibly be formed to a small extent during nitriding. However, these two American patents do not contain any information with regard to the electrical and physical properties of the process products which would allow a comparison with the molded bodies to be produced according to the present invention

Für verschiedene Anwendungsgebiete von heißgepreßtem Siliciumnitrid wäre die Möglichkeit der Einstellung der elektrischen Leitfähigkeit (bzw. deren Kehrwert des elektrischen Widerstands) außerordentlich anstrebenswert, jedoch dürfte die Einstellung der Leitfähigkeit nicht auf Kosten der Querbiegefestigkeit oder des Bruchmoduls bei Raumtemperatur oder in der Wärme gehen.
Aufgabe der Erfindung sind nun hochdichte Formkörper auf der Basis von Siliciumnitrid, enthaltend Siliciumcarbid mit einstellbarem elektrischen Widerstand und ungewöhnlich hoher Querbiegefestigkeit bzw. Bruchmodul bei Raumtemperatur und in der Hitze, die nach dem an sich bekannten Verfahren des Heißpressens hergestellt worden sind.For various areas of application of hot-pressed silicon nitride, the possibility of setting the electrical conductivity (or its reciprocal value of the electrical resistance) would be extremely desirable, but the setting of the conductivity should not be at the expense of the transverse bending strength or the modulus of rupture at room temperature or in the heat.
The object of the invention is now high-density molded bodies based on silicon nitride, containing silicon carbide with adjustable electrical resistance and unusually high transverse flexural strength or modulus of rupture at room temperature and in the heat, which have been produced by the known method of hot pressing.

Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß in den monolithischen hochdichten Körpern 10 bis 50 Gew.-% Siliciumcarbid mit einer mittleren Teilchengröße von Sl μπα in einer Grundmasse von Siliciumnitrid und/oder SiIi-This object is achieved in that in the monolithic high-density bodies 10 to 50 wt .-% silicon carbide with an average particle size of Sl μπα in a matrix of silicon nitride and / or SiIi-

(i0 ciumaluminiumoxynitrid, welches in der Hauptsache in der/?-Modifikation oder -Phase vorliegt, eingebettet ist und darüber hinaus ein geringer Anteil eines komplexen Metallsilicats vorliegt, welches durch Reaktion des Sinterhilfsmittels beim Heißpressen gebildet worden ist. Die erfindungsgemäßen Körper weisen bei 200C und 4-Punkt-Auflage einen Bruchmodul von zumindest 69 000 N/cm2 und bei 1375°C und 3-Punkt-Auflage von zumindest 27 600 N/cm3 auf, wobei der spezifische Widerstand zwischen 1 und 1 · 107 Ω · cm liegt. Bevorzugt(i0 ciumaluminiumoxynitrid which mainly in the /? -. present modification, or phase, is embedded and moreover a small portion of a complex metal silicate is present which has been formed by the reaction of the sintering aid in hot pressing the bodies of the invention have at 20 0 C and 4-point support a modulus of rupture of at least 69,000 N / cm 2 and at 1375 ° C and 3-point support of at least 27,600 N / cm 3 , the specific resistance between 1 and 1 · 10 7 Ω · Cm is preferred

h5 beträgt der Siliciumcurbidgehalt 30 bis 40 Gew.-%. Die Eigenschaften besonders bevorzugter erfindungsgemäßer Körper sind in den Untcransprüchen angegeben.h5, the silicon curbide content is 30 to 40% by weight. The properties of particularly preferred according to the invention Bodies are indicated in the claims.

!•"ür die Herstellung der erfindungsgemäßen Körper wird sehr feines Siliciumcarbid und außerordentlich feines »-Siliciumnitrid als homogene Mischung mit einem Sinterhilfsmittel heiß gepreßt, wodurch man einVery fine silicon carbide and extremely fine silicon carbide are used for the production of the bodies according to the invention »-Silicon nitride hot-pressed as a homogeneous mixture with a sintering aid, whereby one

ineinander fixiertes Gefüge von Siliciumnitrid und Siliciumcarbid erreicht. Die Fig. 1 bis 3 zeigen Mikrofotografien (1000 X) im Auflicht von Produkten aus verschiedenen Gemischen von Si1N., und SiC, nämlich 90 : 10 bzw. 75 : 25 bzw. 65 : 35. Die eingeblendete Skala zeigt kleinste Unterteilung von 2,85 um; die Bilder lassen graues Siliciumnitrid und weißes Siliciumcarbid erkennen. Das gröbste SiC-Korn ist 3 bis 5 u.m, während die mittlere Körnung bei maximal 1 μπι liegt. Da es sich um nicht geätzte Proben handelt, ist den Mikrofotografien nicht zu entnehmen, ob die Siliciumcarbidteilchen einkristallin oder polykristallin sind. Die einzelnen SiliciumnitridteiJchen sind nicht unterscheidbar.A fixed structure of silicon nitride and silicon carbide is achieved. 1 to 3 show photomicrographs (1000 X) in incident light of products made from various mixtures of Si 1 N. and SiC, namely 90:10 or 75:25 or 65:35. The scale shown shows the smallest subdivisions of 2.85 µm; the images reveal gray silicon nitride and white silicon carbide. The coarsest SiC grain is 3 to 5 μm, while the average grain size is a maximum of 1 μm. Since the samples are not etched, the photomicrographs do not indicate whether the silicon carbide particles are single crystal or polycrystalline. The individual silicon nitride particles cannot be distinguished.

Fig. 4 zeigt eine elektronenmikroskopische Aufnahme der Bruchfläche eines Formkörper aus einem Gemisch Si3N4 : SiC = 65 : 35 bei 2000 X. Si3N4 läßt sich nicht von SiC unterscheiden. Die mittlere Korngröße liegt offensichtlich unter 1 μπι.4 shows an electron microscope image of the fracture surface of a shaped body made from a mixture of Si 3 N 4 : SiC = 65: 35 at 2000%. Si 3 N 4 cannot be distinguished from SiC. The mean grain size is obviously below 1 μm.

Aus dem Vergleich der Fig. 1 bis 3 lassen sich die elektrischen Eigenschaften der Produkte erläutern. Im Gefüge, wie es in F i g. 1 dargestellt ist, dominiert als Grundmasse Siliciumnitrid. Jedes SiC-Teilchen ist vollständig von isolierendem Si3N4 (elektrischer Widerstand > 1 · 1010 Ω · cm, abhängig von der Reinheit) umgeben. Ein Strompfad existiert nicht, so daß der Formkörper einen hohen Widerstand besitzt. In dem in Fig. 2 gezeigten Mikxogefüge dominiert die Grundmasse des Siliciumnitrids, jedoch liegen die SiC-Teilchen näher aneinander und berühren sich an vielen Stellen. Es ist somit die Möglichkeit einer beschränkten Anzahl von Strompfaden gegeben und damit der Widerstand des Formkörpers geringer. Das Mikrogefüge der F ig. 3 läßt erkennen, daß noch immer Siliciumnitrid als Matrix vorliegt, jedoch bilden anscheinend die SiC-Teilchen eine ununterbrochene miteinander verbundene Phase, so daß eine erhöhte Anzahl von Strompfaden vorhanden ist, gleichbedeutend mit geringerem Widerstand.The electrical properties of the products can be explained by comparing FIGS. 1 to 3. In the structure, as shown in FIG. 1, silicon nitride dominates as the matrix. Each SiC particle is completely surrounded by insulating Si 3 N 4 (electrical resistance> 1 · 10 10 Ω · cm, depending on the purity). A current path does not exist, so that the molded body has a high resistance. In the microstructure shown in FIG. 2, the matrix of silicon nitride dominates, but the SiC particles are closer to one another and are in contact in many places. There is thus the possibility of a limited number of current paths and thus the resistance of the molded body is lower. The microstructure of fig. 3 shows that silicon nitride is still present as a matrix, but the SiC particles appear to form an uninterrupted interconnected phase, so that there is an increased number of current paths, which means less resistance.

In der folgenden Tabelle 1 sind die elektrischen Eigenschaften, nämlich der spezifische Widerstand, und die mechanischen Eigenschaften, nämlich der Bruchmodul, bei Raumtemperatur und in der Wärme von Formkörpern angegeben, die aus 100% Si3N4 und abgestuften Mengen an SiC bis zu einem Verhältnis Si3N4: SiC = 60 : 40 bestehen. Die Widerstandswerte stehen in guter Übereinstimmung mit dem, was aus dem Mikrogefüge zu erwarten war.In the following Table 1, the electrical properties, namely the specific resistance, and the mechanical properties, namely the modulus of rupture, at room temperature and in the heat of moldings are given, which consist of 100% Si 3 N 4 and graded amounts of SiC up to one Ratio Si 3 N 4 : SiC = 60:40 exist. The resistance values are in good agreement with what was to be expected from the microstructure.

Zur Bestimmung des spezifischen Widerstands wurde ein Prüfkörper 3,175 · 6,35 · 50,8 mm in einen Stromkreis geschaltet und die Stromstärke / für konstante Wechselspannung E unter Berücksichtigung von Zeit und Temperatur bestimmt. Der Widerstandswert R bzw. der spezifische Widerstand ρ ergeben sich aus den Gleichungen To determine the specific resistance, a test piece 3.175 × 6.35 × 50.8 mm was connected to a circuit and the current strength / for constant alternating voltage E was determined , taking time and temperature into account. The resistance value R and the specific resistance ρ result from the equations

R=J- bzw. R = J- resp.

Si3N4 Si 3 N 4

SiCSiC

Mittl. Körnung PhasenMean Grain phases

Verunreinigungen (Gew.-%) Mg Ca Fe AlImpurities (wt%) Mg Ca Fe Al

< 0,149 mm 92% a-Si3N4 <0.149 mm 92% a-Si 3 N 4

< 8% JO-Si3N4 <8% JO-Si 3 N 4

< 1% Si2ON2 <1% Si 2 ON 2

0,01-0,1 0,02-0,1 0,02-0,4 0,01-0,30.01-0.1 0.02-0.1 0.02-0.4 0.01-0.3

3-5 μΐπ
6He-SiC3-5 μΐπ
6He-SiC

0,1-0,3
0,1-0,30.1-0.3
0.1-0.3

Diese Pulver wurden in der entsprechenden Zusammensetzung gemischt und als Sinterhilfsmittel 3% Magnesiumarbonat - bezogen auf Siliciumnitridgewicht - zugesetzt. In einer mit Wolframcarbid ausgekleideten Kugelmühle wurde etwa 17 h in Isopropanol mit einem Mahlmedium aus Wolframcarbid auf die entsprechende Feinheit gemahlen. Dann wurde während 60 min unter einem Druck von 1380 N/m2 bei 1730 bis 1775°Cheiß gepreßt. Höhere Temperaturen erfordern höhere Siliciumcarbidanteile.These powders were mixed in the appropriate composition and 3% magnesium carbonate - based on silicon nitride weight - was added as a sintering aid. In a ball mill lined with tungsten carbide, grinding was carried out for about 17 hours in isopropanol with a grinding medium made of tungsten carbide to the appropriate fineness. This was followed by pressing for 60 minutes under a pressure of 1380 N / m 2 at 1730 to 1775 ° Hot. Higher temperatures require higher proportions of silicon carbide.

3030th

worin L die Länge und F die Querschnittsfläche des Prüfkörpers ist. Die Ergebnisse sind in der Tabelle 2 zusammengefaßt. Die den Untersuchungen für die Tabelle 1 und 2 herangezogenen Prüfkörper wurden aus folgenden Pulvern hergestellt.where L is the length and F is the cross-sectional area of the specimen. The results are summarized in Table 2. The test specimens used in the tests for Tables 1 and 2 were produced from the following powders.

40 45 50 5540 45 50 55

Tabelle 1Table 1

Probesample Si3N„/SiCSi 3 N "/ SiC Dichtedensity BruchmodulModulus of rupture bei 1375°C·*)at 1375 ° C *) Spez.Spec. bei 200C*)at 20 0 C *) kN/cm2 kN / cm 2 Widerstandresistance g/cm3 g / cm 3 kN/cm2 kN / cm 2 36,5736.57 U cmU cm Si3N4 Si 3 N 4 100/0100/0 3,253.25 71,7571.75 -- >1010 > 10 10 G-2 (Fig. 1)G-2 (Fig. 1) 90/1090/10 3,273.27 55,2055.20 >106 > 10 6 H-IHI 85/1585/15 3.333.33 72.4572.45 sn nonsn non

60 6560 65

Fortsetzungcontinuation

Probesample Si3N4/SiCSi 3 N 4 / SiC Dichtedensity BruchmodulModulus of rupture bei 1375°C«)at 1375 ° C «) Spez.Spec. bei 20° C*)at 20 ° C *) kN/cm2 kN / cm 2 Widerstandresistance g/cnr1 g / cnr 1 kN/cm2 kN / cm 2 Ω cmΩ cm I-II-I 82,5/17,582.5 / 17.5 3,323.32 79,3579.35 40,5040.50 720720 D-2D-2 80/2080/20 3,053.05 83,49*·*)83.49 * · *) 35,8835.88 136136 L-IL-I 72,5/27,572.5 / 27.5 3,343.34 71,0771.07 32,2232.22 8,28.2 E-2E-2 70/3070/30 3,183.18 72,45***)72.45 ***) -- 4,54.5 M-IM-I 67,5/32,567.5 / 32.5 3,303.30 74,5274.52 31,7431.74 3,33.3 N-2(Fig. 3)N-2 (Fig. 3) 65/3565/35 3,393.39 82,8082.80 32,2932.29 2,02.0 F-2F-2 60/4060/40 3,033.03 73,14***)73.14 ***) 1,91.9

*) 4-Punki-Auflage, äußerer Abstand 38 mm, innerer Abstand 19 mm. ♦♦) 3-Punkt-Auflage, Abstand 25,4 mm. 20 ***) 3-Punkt-Auflage, Abstand 19 mm.*) 4-point support, outer distance 38 mm, inner distance 19 mm. ♦♦) 3-point support, distance 25.4 mm. 20 ***) 3-point support, distance 19 mm.

Die elektrischen Eigenschaften dieser Produkte wurden in der Tabelle 2 mit verschiedenen ähnlich hergestellten Produkten verglichen.The electrical properties of these products are shown in Table 2 with various similarly prepared Products compared.

25 Tabelle 225 Table 2

Probesample

(Si3N4/ SiC)(Si 3 N 4 / SiC)

Temperatur temperature

ZeitTime

Stromstärke Amperage

Spannungtension

Widerstand resistance

Spez. WiderstandSpecific resistance

Ω ■ cmΩ ■ cm

80/2080/20

35 B 70/30 35 B 70/30

<200<200 keineno <0,l<0, l 4545 —- —- Änderungmodification in 4 minin 4 min R.T.R.T. 00 0,10.1 4545 450450 17,817.8 375375 33 0,20.2 4545 225225 8,98.9 600600 77th 0,30.3 4545 150150 5,95.9 RT.RT. 00 1,01.0 4545 450450 17,817.8 600600 0,750.75 1,61.6 4545 196196 7,87.8 850850 33 3,13.1 4545 145145 5,75.7 RTRT 00 —- 120120 -- -- 600600 1,51.5 0,40.4 120120 300300 11,911.9 750750 55 0,60.6 120120 200200 7,97.9 200200 0,150.15 11 120120 120120 4,74.7 600600 0,350.35 22 120120 6060 2,42.4 12001200 11 33 120120 4040 1,61.6 RT.RT. 00 2,42.4 8080 3333 1,31.3 600600 0,150.15 2,72.7 8080 3030th 1,21.2 12001200 0,50.5 55 8080 1616 0,70.7 >1300> 1300 11 5,85.8 8080 1414th 0,50.5 RT.RT. 00 0,30.3 8080 266266 10,510.5 600600 1,751.75 11 8080 8080 3,23.2 >700> 700 33 1,11.1 8080 7373 2,92.9 RT.RT. 00 1,51.5 8080 5353 2,12.1 200200 0,10.1 22 8080 4040 1,61.6 600600 0,30.3 44th 8080 2020th 0,80.8 14001400 0,70.7 77th 8080 1111th 0,50.5

60/4060/40

80/2080/20

70/3070/30

60/4060/40

70/3070/30

60/4060/40

R.T. = Raumtemperatur.R.T. = Room temperature.

Die Werte für Widerstand und spezifischen Widerstand sind die berechneten Werte.The values for resistance and specific resistance are the calculated values.

Die Produkte mit einem Gehalt von 20 bis 40 Gew.-% Siliciumcarbid haben sehr interessante elektrische Eigenschaften. Die Proben E und F wurden in Vorrichtungen zum Materialabtrag durch elektrische Entladung (Funkenerosionsabtrag) geprüft (12 A »Elox«); Abtraggeschwindigkeit 0,25 bis 0,50 mm/min. Aus obigen Versuchen ergibt sich, daß anscheinend die elektrischen Eigenschaften von Siliciumnitrid/Siliciumcarbid-Körpcrn, insbesondere solche mit 30 bis 40% Siliciumcarbid, beim Stromdurchgang zu einer Erwärmung des MaterialsThe products with a content of 20 to 40% by weight silicon carbide have very interesting electrical properties Properties. Samples E and F were placed in devices for material removal by electrical discharge (Spark erosion) tested (12 A »anodized«); Removal speed 0.25 to 0.50 mm / min. From the above experiments it appears that the electrical properties of silicon nitride / silicon carbide bodies, in particular those with 30 to 40% silicon carbide, cause the material to heat up when the current passes through it

Tühren. Die letztlich erreichte Temperatur, die Aufheizgeschwindigkeit und die erforderliche Stromstärke lassen sich durch die Zusammensetzung der Körper einstellen. So lassen sich die verschiedensten elektrischen Bauteile mit hoher Festigkeit und Oxidationsbeständigkeit durch entsprechende Einstellung ihrer elektrischen Eigenschaften herstellen. Damit hat man die Möglichkeit der verschiedensten Werkstoffe für Heizelemente oder für die Herstellung komplexer Formkörper, wobei der Materialabtrag durch elektrische Entladung nur eine s der möglichen Verfahren für billige Produktion ist.Dozen. The temperature ultimately reached, the heating-up speed and the required amperage do not change adjust themselves through the composition of the body. A wide variety of electrical components can be with high strength and resistance to oxidation by adjusting their electrical properties accordingly Establish properties. This gives you the option of using a wide variety of materials for heating elements or for the production of complex moldings, where the removal of material by electrical discharge only takes a s is the possible method for cheap production.

Nach einer anderen Ausgestaltungsform der Erfindung kann in dem heißgepreßten Produkt das Siliciumnitrid ganz oder teilweise durch Siliciumaluminiumoxynitrid ersetzt sein. Unter dem Begriff »Siliciumaluminiumoxynitrid« versteht man einen Stoff, der Silicium, Aluminium, Sauerstoffund StickstoiTin Form einer festen Lösung von Aluminiumoxid oder Aluminium in Siliciumnitrid oder Siliciumoxynitrid enthält oder aber als Substitutionsverbindung vorliegt, worin Aluminium und/oder Sauerstoff Silicium und/oder Stickstoff in dem Grundgefüge des Siliciumnitrids ersetzen.According to another embodiment of the invention, the silicon nitride can be used in the hot-pressed product be completely or partially replaced by silicon aluminum oxynitride. Under the term "silicon aluminum oxynitride" is a substance that contains silicon, aluminum, oxygen and nitrogen in the form of a solid solution of aluminum oxide or aluminum in silicon nitride or silicon oxynitride or as a substitution compound is present, wherein aluminum and / or oxygen silicon and / or nitrogen in the matrix of silicon nitride.

Das Gefiige von Siliciumaluminiumoxynitrid ist sehr ähnlich dem desjö-Siliciumnitrids, obwohl die Gitterabstände etwas größer sind und diese Gitteraufweitung vom Aluminiumgehalt abhängt. Es gibt verschiedene Möglichkeiten zur Herstellung von Siliciumaluminiumoxynitrid (Jack und Wilson, »Nature Physical Science« Bd. 238, iO. Juli 1972, Seite 28 und 29).The structure of silicon-aluminum oxynitride is very similar to that of desjö-silicon nitride, although the lattice spacing are slightly larger and this lattice expansion depends on the aluminum content. There are different Possibilities for the production of silicon aluminum oxynitride (Jack and Wilson, "Nature Physical Science" Vol. 238, OK. July 1972, pages 28 and 29).

Danach wird Aluminiumoxid mit Siliciumnitrid unter Bildung von Siliciumaluminiumoxynitrid umgesetzt. Die Formel entspricht in etwa Si6_07SvAl067vN8.vOv. Nach einem älteren Vorschlag kommt man zu einem Siliciumaluminiumoxynitrid der Formel Si2-VA1VON2.Thereafter, aluminum oxide is reacted with silicon nitride to form silicon aluminum oxynitride. The formula roughly corresponds to Si 6 _ 07Sv Al 067v N 8 . v O v . According to an older proposal, a silicon aluminum oxynitride of the formula Si 2 - V A1 V ON 2 is obtained .

Siliciumaluminiumoxynitrid-haltige Produkte werden dann bevorzugt, wenn zusammen mit hoher Warmfestigkeit optimale Oxidationsbeständigkeit erforderlich ist. Das Gemisch von Siliciumaluminiumoxynitrid und Siliciumcarbid hat auch den Vorteil, daß man es sintern kann, ohne es heiß pressen zu müssen. Die bisherigen Untersuchungen zeigen jedoch noch nicht, daß man maximale Kaltfestigkeiten nur durch Sintern erreichen kann. Eine bevorzugte Methode zur Herstellung dieser Siliciumaluminiumoxynitrid-haltigen Produkte wird im folgenden beschrieben:Products containing silicon aluminum oxynitride are preferred when they are combined with high heat resistance optimal oxidation resistance is required. The mixture of silicon aluminum oxynitride and Silicon carbide also has the advantage that it can be sintered without having to press it hot. The previous However, studies have not yet shown that maximum cold strengths can only be achieved by sintering can. A preferred method of making these silicon aluminum oxynitride-containing products is in described below:

105 g Siliciumnitrid obiger Spezifikation wurden mit 105 g Aluminiumoxid und 90 g des Siliciumcarbids obiger Charakterisierung gemischt. Das Aluminiumoxid war hochrein und hatte eine Korngröße von 5 μίτι. Das Gemisch wurde mit 400 cm3 Isopropanol 20 h in einer mit Wolframcarbid ausgekleideten Mühle mit Wolframcarbidkugeln gemahlen, der Schlamm durch ein 43^m-Sieb gegossen und der Filterkuchen getrocknet. 150 g des Pulvers wurden in eine Graphitform - 0 76 mm - gefüllt und bei 175O0C 30 min unter einem Druck von 2070 N/cm2 heiß gepreßt. Der erhaltene Körper hatte eine Dichte von 3,11 g/cm3.105 g of silicon nitride of the above specification were mixed with 105 g of aluminum oxide and 90 g of the silicon carbide of the above characterization. The aluminum oxide was highly pure and had a grain size of 5 μm. The mixture was ground with 400 cm 3 of isopropanol for 20 hours in a mill with tungsten carbide balls lined with tungsten carbide, the sludge was poured through a 43 μm sieve and the filter cake was dried. 150 g of the powder were placed in a graphite mold - 0 76 mm - and filled cm 2 was pressed at 175O 0 C for 30 min under a pressure of 2070 N / hot. The body obtained had a density of 3.11 g / cm 3 .

Ein Teil des Körpers wurde gemahlen und das Pulver der Röntgenbeugungsanalyse unterworfen. Es lag nur daSjß-Siliciuninitridgefiige und die Siliciumcarbidphase vor. Die Banden des Siliciumnitrids waren etwas zu größeren Gitterabständen verschoben. Daraus läßt sich der Schluß ziehen, daß das gesamte Aluminiumoxid als Teil des Gefüges im .^-Siliciumnitrid vorliegt.A part of the body was ground and the powder was subjected to X-ray diffraction analysis. It just lay the silicon nitride structure and the silicon carbide phase. The bands of the silicon nitride were a little too larger Grid spacing shifted. From this it can be concluded that all of the alumina is a part of the structure is present in. ^ - silicon nitride.

Aus dem obigen Körper wurden Prüfkörper geschnitten (3,175 - 6,35 · 50 bis 76 mm). Der spezifische Widerstand betrug etwa 7 Ω · cm und der mittlere Bruchmodul bei 3-Punkt-Auflage und Raumtemperatur 48 852 N/cm2. Der spezifische Widerstand ist ähnlich dem vergleichbaren Produkt mit Si3N4: SiC = 70 ■ 30 aus Tabelle 1.Test specimens (3.175 - 6.35 x 50 to 76 mm) were cut from the above body. The specific resistance was about 7 Ω · cm and the mean modulus of rupture with 3-point support and room temperature was 48 852 N / cm 2 . The specific resistance is similar to the comparable product with Si 3 N 4 : SiC = 70 · 30 from Table 1.

Siliciumaluminiumoxynitrid kann möglicherweise über die gesamten Zusammensetzungen, wie sie für SiIiciumitrid angegeben wurden, verwendet werden. Im allgemeinen wird Siliciumnitrid fester sein, insbesondere bei Raumtemperatur, als Siliciumaluminiumoxynitrid. Letzteres hat jedoch Vorteile hinsichtlich Warmfestigkeit und Oxidationsbeständigkeit. Im allgemeinen weist Siliciumaluminiumoxynitrid überragende Temperaturwechselbeständigkeit und geringe Wärmedehnung auf.Silicon aluminum oxynitride can possibly have overall compositions such as those for silicon nitride should be used. In general, silicon nitride will be stronger, especially at room temperature, as silicon aluminum oxynitride. The latter, however, has advantages in terms of heat resistance and oxidation resistance. In general, silicon aluminum oxynitride has excellent thermal shock resistance and low thermal expansion.

4545

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims (5)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Monolithische hochdichte Körper aus Siliciumnitrid und Siliciumcarbid mit einstellbarem elektrischen Widerstand, dadurchgekennzeichnet. daß sie in einer Grundmasse von Siliciumnitrid - in der Hauptsache in derjS-Phase - und/oder Siliciumaluminiumoxynitrid 10 bis 50 Gew.-% Siliciumcarbid - mit einer mittleren Teilchengröße von ί Ium- und einen geringen Anteil eines komplexen Metallsilicats, welches durch Reaktion ues Sinterhilfsmittels beim Heißpressen gebildet worden ist, enthalten und die bei 20° C und 4-Punkt-Auflage einen Bruchmodul von zumindest 69 000 N/m2 und bei 1375°C und 3-Punkt-Auflage von zumindest 27 600 N/nr sowie einen spezifischen Widerstand von 1 bis 1 · 107 Ω · cm besitzen.1. Monolithic high-density body made of silicon nitride and silicon carbide with adjustable electrical resistance, characterized. that they are in a matrix of silicon nitride - mainly in the S phase - and / or silicon aluminum oxynitride 10 to 50 wt .-% silicon carbide - with an average particle size of ί Ium- and a small proportion of a complex metal silicate, which by reaction ues sintering aid has been formed during hot pressing, and which at 20 ° C and 4-point support a modulus of rupture of at least 69,000 N / m 2 and at 1375 ° C and 3-point support of at least 27,600 N / nr as well as a specific Have a resistance of 1 to 1 · 10 7 Ω · cm. 2. Hochdichte Körper nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie 30 bis 40 Gew.-% Siliciumcarbid enthalten.2. High density body according to claim 1, characterized in that it is 30 to 40 wt .-% silicon carbide contain. 3. Hochdichte Körper nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie bei einem Siliciumcarbidgehalt von 20 bis 50 Gew.-% einen spezifischen Widerstand zwischen 1 und 1 · 103 Ω ■ cm aufweisen.3. High density body according to claim 1, characterized in that they have a specific resistance between 1 and 1 · 10 3 Ω · cm with a silicon carbide content of 20 to 50 wt .-%. 4. Hochdichte Körper nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der spezifische Widerstand bei Raumtemperatur 1 bis 1 · 150 Ω · cm beträgt.4. High density body according to claim 3, characterized in that the specific resistance at Room temperature is 1 to 1 · 150 Ω · cm. 5. Hochdichte Körper nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß dcj spezifische Widerstand bei Raumtemperatur < 10 Ω · cm ist.5. High density body according to claim 4, characterized in that dcj specific resistance at Room temperature is <10 Ω cm.
DE2412339A 1973-03-14 1974-03-14 Monolithic high density bodies made of silicon nitride and silicon carbide Expired DE2412339C2 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US34094873A 1973-03-14 1973-03-14
US392094A US3890250A (en) 1973-03-14 1973-08-27 Hot pressed silicon nitride containing finely dispersed silicon carbide or silicon aluminum oxynitride

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2412339A1 DE2412339A1 (en) 1974-09-19
DE2412339C2 true DE2412339C2 (en) 1986-02-06

Family

ID=26992307

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2412339A Expired DE2412339C2 (en) 1973-03-14 1974-03-14 Monolithic high density bodies made of silicon nitride and silicon carbide

Country Status (8)

Country Link
US (1) US3890250A (en)
JP (1) JPS5025609A (en)
CA (1) CA1020961A (en)
DE (1) DE2412339C2 (en)
FR (1) FR2221527B1 (en)
GB (1) GB1462640A (en)
IT (1) IT1020544B (en)
SE (1) SE403627B (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19704910A1 (en) * 1997-02-10 1998-08-13 Bayer Ag Liquid-phase sintered, electrically conductive and oxidation-resistant ceramic material, a process for its production and its use

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3974106A (en) * 1974-05-22 1976-08-10 Norton Company Ceramic electrical resistance igniter
GB1573299A (en) * 1976-06-03 1980-08-20 Lucas Industries Ltd Method of forming a ceramic product
US4127416A (en) * 1976-07-24 1978-11-28 Lucas Industries Limited Method of producing a ceramic product
US4243623A (en) * 1978-01-19 1981-01-06 Westinghouse Electric Corp. Method of encapsulating electrical apparatus
US4141740A (en) * 1978-02-23 1979-02-27 University Of Utah Solid solution and process for producing a solid solution
DE3142058A1 (en) * 1981-10-23 1983-05-05 Elektroschmelzwerk Kempten GmbH, 8000 München PRACTICAL, PORE-FREE, MOLDED BODIES MADE OF POLYCRYSTALLINE SILICON NITRIDE AND SILICON CARBIDE AND METHOD FOR THEIR PRODUCTION BY ISOSTATIC HOT PRESSING
JPS59102862A (en) * 1982-12-03 1984-06-14 工業技術院長 Composite sintered ceramics
JPS59102861A (en) * 1982-12-03 1984-06-14 工業技術院長 Silicon carbide composite oxide sintered ceramics
DE3305375C2 (en) * 1983-02-17 1985-01-03 Degussa Ag, 6000 Frankfurt Process for the production of binder-free thermal insulation moldings
DE3325490A1 (en) * 1983-07-14 1985-01-24 Elektroschmelzwerk Kempten GmbH, 8000 München FIRE-RESISTANT, ELECTRICALLY CONDUCTIVE MIXING MATERIALS AND METHOD FOR THEIR PRODUCTION THROUGH ISOSTATIC HOT PRESSING
JPS61111969A (en) * 1984-11-05 1986-05-30 住友電気工業株式会社 Discharge-processable electroconductive silicon nitride sintered body and manufacture
US5045237A (en) * 1984-11-08 1991-09-03 Norton Company Refractory electrical device
US5085804A (en) * 1984-11-08 1992-02-04 Norton Company Refractory electrical device
JPS61158867A (en) * 1984-12-28 1986-07-18 工業技術院長 Enhancement for silicon nitride sintered body
US5187130A (en) * 1985-02-04 1993-02-16 Lanxide Technology Company, Lp Composite ceramic articles
US4916113A (en) * 1985-02-04 1990-04-10 Lanxide Technology Company, Lp Methods of making composite ceramic articles
CA1256126A (en) * 1985-09-20 1989-06-20 Anil V. Virkar Dense ceramics containing a solid solution and method for making the same
US5162273A (en) * 1986-05-08 1992-11-10 Lanxide Technology Company, Lp Shaped ceramic composites and methods of making the same
US4946807A (en) * 1986-08-18 1990-08-07 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Composite ceramic material reinforced with silicon carbide whiskers
US4800182A (en) * 1987-01-22 1989-01-24 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Silicon nitride-silicon carbide composite material and process for production thereof
US4826791A (en) 1987-05-29 1989-05-02 Kennametal Inc. Silicon carbide-alpha prime sialon beta prime sialon
JP2566580B2 (en) * 1987-07-01 1996-12-25 日産自動車株式会社 Silicon carbide / silicon nitride composite sintered body
JP2556888B2 (en) * 1987-12-24 1996-11-27 日立金属株式会社 Ceramics conductive material with less variation in electrical resistivity
SE463416B (en) * 1988-09-02 1990-11-19 Sandvik Ab OXID-BASED CERAMIC MATERIAL FOR CHEESE SEPARATION PROCESSING STEEL
EP0419150B1 (en) * 1989-09-18 1994-12-07 Ngk Insulators, Ltd. Sintered ceramic composite body and method of manufacturing same
GB8924018D0 (en) * 1989-10-25 1989-12-13 Secr Defence Gas detection by ion mobility
JP2842723B2 (en) * 1990-12-27 1999-01-06 京セラ株式会社 Silicon nitride-silicon carbide composite sintered body and method of manufacturing the same
US5637540A (en) * 1991-06-17 1997-06-10 Alliedsignal Inc. Sintered silicon nitride of high toughness, strength and reliability
EP0589997B1 (en) * 1991-06-17 1995-07-19 AlliedSignal Inc. High toughness-high strength sintered silicon nitride
US5494866A (en) * 1991-06-17 1996-02-27 Alliedsignal Inc. Stress-rupture resistant sintered silicon nitride
JP2974473B2 (en) * 1991-10-30 1999-11-10 日本碍子株式会社 Composite ceramics and manufacturing method thereof
US5521129A (en) * 1994-09-14 1996-05-28 The Carborundum Company Sialon-bonded silicon carbide refractory
US6328913B1 (en) 1998-09-02 2001-12-11 Peter T. B. Shaffer Composite monolithic elements and methods for making such elements
US6391812B1 (en) 1999-06-23 2002-05-21 Ngk Insulators, Ltd. Silicon nitride sintered body and method of producing the same
US7061363B2 (en) * 2000-01-25 2006-06-13 Robert Bosch Gmbh Passive, high-temperature-resistant resistor element for measuring temperature in passenger and commercial vehicles
JP4828685B2 (en) * 2000-07-12 2011-11-30 株式会社東芝 Silicon nitride sintered body, sliding member using the same, and bearing ball

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US866444A (en) * 1905-12-02 1907-09-17 Siemens & Co Geb Process for the manufacture of solid forms.
US2750268A (en) * 1952-05-01 1956-06-12 Union Carbide & Carbon Corp Silicon nitride
US2968530A (en) * 1957-03-20 1961-01-17 Union Carbide Corp Silicon-oxygen-nitrogen composition of matter
US3052814A (en) * 1959-03-23 1962-09-04 Gen Motors Corp Method for making silicon nitride-bonded silicon carbide semiconductors and resulting bodies and articles using same
US3211527A (en) * 1962-05-28 1965-10-12 Union Carbide Corp Process for producing ultrafine silicon nitride
DE1646700B1 (en) * 1965-04-22 1970-12-17 Montedison Spa Process for the production of molded bodies from silicon nitride or its mixtures with silicon carbide
US3356513A (en) * 1966-12-20 1967-12-05 Norton Co Production of silicon oxynitride
JPS4981416A (en) * 1972-12-08 1974-08-06

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19704910A1 (en) * 1997-02-10 1998-08-13 Bayer Ag Liquid-phase sintered, electrically conductive and oxidation-resistant ceramic material, a process for its production and its use
DE19704910C2 (en) * 1997-02-10 2000-07-06 Bayer Ag Liquid-phase sintered, electrically conductive and oxidation-resistant ceramic material, a process for its production and its use

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5025609A (en) 1975-03-18
CA1020961A (en) 1977-11-15
FR2221527A1 (en) 1974-10-11
IT1020544B (en) 1977-12-30
DE2412339A1 (en) 1974-09-19
GB1462640A (en) 1977-01-26
US3890250A (en) 1975-06-17
FR2221527B1 (en) 1982-07-02
SE403627B (en) 1978-08-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2412339C2 (en) Monolithic high density bodies made of silicon nitride and silicon carbide
DE60306428T2 (en) GRINDING AGENTS BASED ON ALUMINUM AND ZIRCONIUM OXYNITRIDE
DE2744700C2 (en) Sintered material based on dense, non-metallic hard materials such as high-melting metal carbides, metal nitrides, metal borides and metal oxides with embedded zirconium and / or hafnium oxide
DE2733354C2 (en) A method of making a ceramic product comprising at least 80% by volume of a single phase silicon aluminum oxynitride
EP0004031B1 (en) High density, polycrystalline silicon carbide articles and method for their preparation by pressureless sintering
DE2940629C2 (en)
DE2363036A1 (en) HOT-PRESSED SILICON CARBIDE
DE2923213A1 (en) CUTTING INSERT FOR CUTTING MACHINING
DE1567844A1 (en) Method of making a sintered mass of aluminum nitride
DE2314384C3 (en) Silicon carbide dense body and process for its manufacture
EP0237072A2 (en) Practically pore-free polycrystalline aluminium nitride body and method of making the same without use of sintering aids
DE112015002603B4 (en) Aluminum-based composite material and process for its production
EP0021239B1 (en) Process for the production of dense polycrystalline alpha-silicon carbide shaped articles by hot pressing and so obtained shaped articles
DE19942137C2 (en) Process for producing a porcelain, porcelain and use of the porcelain as a ceramic insulator
DE3537709A1 (en) ZIRCONIUM DIOXIDE PORCELAIN
DE2927226A1 (en) Dense molded body made of polycrystalline beta-silicon carbide and process for its production by hot pressing
DE1182130B (en) Fireproof bodies made of grainy silicon carbide
DE2934968A1 (en) Sintered silicon carbide product and process for its manufacture
DE4401589C5 (en) Silicon nitride ceramics and processes for the production of nitride ceramics
DE2801474A1 (en) POWDERED CERAMIC MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING IT
DE2102980C2 (en) Process for the production of a dispersion hardened alloy powder
DE19704910C2 (en) Liquid-phase sintered, electrically conductive and oxidation-resistant ceramic material, a process for its production and its use
DE2330595C2 (en) Process for the production of silicon nitride molded bodies
DE3445948C2 (en)
DE1169902B (en) Process for the production of electrically conductive cubic boron nitride

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8363 Opposition against the patent
8331 Complete revocation