DE2360024A1 - SWITCHING WITH A SWITCHING TRANSISTOR - Google Patents
SWITCHING WITH A SWITCHING TRANSISTORInfo
- Publication number
- DE2360024A1 DE2360024A1 DE19732360024 DE2360024A DE2360024A1 DE 2360024 A1 DE2360024 A1 DE 2360024A1 DE 19732360024 DE19732360024 DE 19732360024 DE 2360024 A DE2360024 A DE 2360024A DE 2360024 A1 DE2360024 A1 DE 2360024A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- transistor
- current
- base
- negative feedback
- switching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/04—Modifications for accelerating switching
- H03K17/041—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0412—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
- H03K17/04126—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in bipolar transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/14—Modifications for compensating variations of physical values, e.g. of temperature
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich aufThe present invention relates to
Schaltungen mit einem Schalttransistor, dessen Basis ein Schaltsignal von einer Schaltsignalquelle zugeführt wird-, urn den Schalttransistor in den leitenden Zustand zu bringen.Circuits with a switching transistor, the base of which is supplied with a switching signal from a switching signal source, in order to bring the switching transistor into the conductive state.
In einer· derartigen Schaltung soll dafürIn such a circuit,
gesox'gt werden, dass der verfügbare Basissteuerstrom dazu genügt, den S cha 11 tr ans i s t or voMständig unter den erforderlichen Betriebsbedingungen der .Schaltung, d.h. über den ganzen Temperaturbereich der Schaltung und über den ganzen Bereicli der 'errarteten Änderungen der Speisespannung und des Schaltsigiials, umzuschalten. Meistens soll der Schalttransistor zum vollständigen Umschalten inso that the available basic control current is added it is sufficient to list the S cha 11 tr ans i s t or completely under the required Operating conditions of the circuit, i.e. over the entire temperature range of the circuit and over the whole range of the expected changes in the supply voltage and the switch signal to switch. Mostly should the switching transistor for complete switching in
409827/0956409827/0956
PHC. 355lh, 16-10-1973,PHC. 355 lh, 16-10-1973,
Sättigung ausgesteuert werden.Saturation can be controlled.
Bei den bekannten Schaltungen ergibt sichIn the case of the known circuits
die Schwierigkeit, dass diese Entwurfanforderungen einen unnötig hohen Basisstrom bei der Nennbetriebstemperatur und der Nenngrösse der Speisespannung und des Schaltsignals erfordern, was eine unnötig hohe Verlustleistung in der Basissteuerung zur Folge hat. Ausserdem sei bemerkt, dass die Temperaturzunahme gewöhnlich eine Herabsetzung des erforderlichen Basissteuerstroms für den Schalttransistor ergibt. Mit arideren Worten: bei einer Temperatur-Zunahme wird die Basis-Emitterspannung des Schalttransistors im Betriebszustand kleiner werden. Bei der bekannten Schaltung führt also eine Teinperaturzunahme eine Zunahme des Basissteuerstroms herbei, wahrend die Stromverstärkung des Schalttransistors im allgemeinen zunimmt, wodurch tatsächlich ein niedrigerer Basissteuerstrom benötigt wird. Venn die Basisstromsteuerschaltung einenthe difficulty that these design requirements generate an unnecessarily high base current at the rated operating temperature and the nominal size of the supply voltage and the switching signal require, which results in an unnecessarily high power loss in the basic control. It should also be noted that the temperature increase usually a decrease in the required base control current for the switching transistor results. In other words: if the temperature increases, the base-emitter voltage of the switching transistor becomes become smaller in the operating state. In the known circuit, an increase in temperature therefore leads to an increase of the base control current, while the current gain of the switching transistor generally increases, whereby actually a lower base control current is required. Venn the base current control circuit one
als Emitterfolger geschalteten Steuertransistor enthält, wird dieses Problem noch grosser.contains a control transistor connected as an emitter follower, this problem becomes even greater.
Bei einer Schaltung nacli der Erfindung wirdIn a circuit according to the invention
das Schaltsignal des Schalttransistors von der Schaltsignalquelle über einen Verstärker mit einer stromdetektierenden Impedanz, die zwischen dem Verstärkerausgang und der Basis des Schalttransistors angeordnet ist, zugeführt, wobei sich der Verstärker in einem Gegenkopplungskreis befindet, in dem ein Gegenkopplungssignal dem Kollektor eines ein Gegenkopplungssignal liefernden Transistorsthe switching signal of the switching transistor from the switching signal source through an amplifier with a current-detecting impedance between the amplifier output and the Base of the switching transistor is arranged, supplied, wherein the amplifier is in a negative feedback loop in which a negative feedback signal is sent to the collector a transistor supplying a negative feedback signal
409827/0956409827/0956
PHC. 35514. 16-10-1973.PHC. 35514. 16-10-1973.
entnommen wird, dessen Basis-Emitter-Ubergang auf derartige Ifeise übex" der stromdetektierenden Impedanz angeordnet ist, dass der Basisstrom für den Schalttransistor den Basis-Emitter-Ubergang des das Gegenkopplungssignal liefernden Transistors in der Durchlassrichtung polarisiert!is taken, the base-emitter junction on such Ifeise überex "arranged the current-detecting impedance is that the base current for the switching transistor the base-emitter junction of the negative feedback signal supplying transistor polarized in the forward direction!
Die Schaltungselemente einer Schaltung nach der Erfindung sollen derart bemessen sein, dass über den erwarteten Bereich von. Betriebsbedingungen der Wert des als Reaktion auf das Schaltsignal dem Schalttransistor zugeführten Basisstroms gleich oder grosser als der für die Sättigung benötigte Strom ist.The circuit elements of a circuit according to the invention should be dimensioned such that over the expected range of. Operating conditions the value of the switching transistor in response to the switching signal supplied base current is equal to or greater than the current required for saturation.
Ausserdem müssen die genannten Schaltungselemente derart bemessen sein, dass über einen erheblichen Teil des genannten erwarteten Bereiches der Betrag des Basissteuerstroms, um den der für die Sättigung benötigte Strom überschritten wird, beträchtlich kleiner als der Überschuss ist, der auftreten würde, wenn der Gegenkopplungskreis am Kollektor des genannten das Gegenkopplungssignal liefernden Transistors unterbrochen werden würde.In addition, the circuit elements mentioned must be dimensioned in such a way that over a considerable Part of said expected range is the amount of the base control current by which that is required for saturation Current is exceeded is considerably less than the excess that would occur if the negative feedback loop were to be used at the collector of said the negative feedback signal supplying transistor would be interrupted.
Vorzugsweise soll die Verstärkung in demPreferably the reinforcement should be in the
Gegenkopplungskreis derart hoch seih, dass der Gegenkopplungsstrom von dem Kollektor des das Gegenkopplungssignal liefernden Transistors her klein gegenüber dem Strom ist, der die stroradetektierende Impedanz durchfliesst*The negative feedback circuit is so high that the negative feedback current from the collector of the transistor supplying the negative feedback signal is small compared to the current, which flows through the current-detecting impedance *
Bei einer Ausführungsform der Er-findmig ist der vorerwähnte Verstärker als ein Steuertransistor aus- -geführtj der als Emittex-folger geschaltet ist, wobei dasIn one embodiment that is inventively the aforementioned amplifier is designed as a control transistor which is connected as an Emittex follower, the
409827/0956409827/0956
PHC. 16-10-1973PHC. 16-10-1973
Gegenkopplungssignal, das dom Kollektor des das Gegenkopplungssignal liefernden Transistors entnommen -wird, der Basis des Steuertransistors zugeführt wird. In dieser Ausführung wird das Schaltsignal der Schaltsignalquelle auch der Basis des Steuertransistors über eine Reihenimpedanz zugeführt. Eine derartige Reihenimpedanz kann aber weggelassen werden, wenn die Impedanz der Schaltsignal— quelle dazu genügt, die erforderliche Schleifenverstärkung zu erreichen. . ■ Negative feedback signal, the dom collector of the negative feedback signal supplying transistor is removed -is fed to the base of the control transistor. In this Execution is the switching signal of the switching signal source also fed to the base of the control transistor via a series impedance. Such a series impedance can, however can be omitted if the impedance of the switching signal source is sufficient to achieve the required loop gain. . ■
Die Erfindung wird nachstehend beispielsweise an Hand der Zeichnung näher erläutert, wobei jeweils der Schalttransistor in seinem leitenden Zustand in Sättigung ausgesteuert werden muss. Es zeigen:The invention is explained in more detail below, for example with reference to the drawing, in each case the switching transistor in its conductive state must be driven into saturation. Show it:
Fig. 1 ein Schaltbild einer bekannten Schaltung des Typs, auf den sich die Erfindung bezieht, undFig. 1 is a circuit diagram of a known circuit of the type to which the invention relates, and
?ig. 2. ein Schaltbild der Schaltung nach der vorliegenden Erfindung.? ig. 2. a circuit diagram of the circuit according to of the present invention.
In Fig. 1 ist in dem Kollektorkreis einesIn Fig. 1 there is one in the collector circuit
Schalttransistors TR1 eine Belastung L angeordnet, wobei der Transistor mittels eines Schaltsignals leitend gemacht wird, das von einer (nicht dargestellten) Signalquelle über die Klemme S, den stromverstärkenden Transistor TR2 und den Strombegrenzungswiderstand R der Basis des Transistors TR1 zugeführt wird.Switching transistor TR1 arranged a load L, wherein the transistor is made conductive by means of a switching signal from a signal source (not shown) via the terminal S, the current-amplifying transistor TR2 and the current limiting resistor R of the base of the transistor TR1 is supplied.
Bei einem Schaltsignal einer bestimmten Grösse wird die Grosse des Basisstroms für den Transitor TRI im wesentlichen durch den Wert des BegrenzungswiderstandesWith a switching signal of a certain size, the size of the base current for the transistor TRI essentially by the value of the limiting resistor
A 0 9 8 2 7 / 0 9 5 6A 0 9 8 2 7/0 9 5 6
PHC. 355lh. 16-10-1973.PHC. 355 lh. 16-10-1973.
R bestimmt, der derart gewählt werden muss, dass die Verlustleistung in der Schaltung minimal ist und dass zugleich der verfügbare Basisstrom dazu genügt, den Transistor TR1 bei allen Betriebstemperaturen und über den erwarteten Bereich von Änderungen des Wertes des Schaltsignals Und der Speisespannung in Sättigung zu bringen.R determined, which must be chosen such that the Power loss in the circuit is minimal and that at the same time the available base current is sufficient for the transistor TR1 at all operating temperatures and over the expected range of changes in the value of the switching signal And bring the supply voltage into saturation.
Es wird von einer Speisespannung von 6 V,It is powered by a supply voltage of 6 V,
einer Signalquellenamplitude von 5 V und Basis-Emitterspannungen im leitenden Zustand der Transistoren TR1 und TR2 von 0,7 V bei der Nenntemperatur und bei einem Wert von 500 Π. des Widerstandes R ausgegangen, der derart in bezug auf die Kennlinien der Transistoren TR1 und TR2 gewählt ist, dass ein genügender Basisstrom geliefert wird, um den Transistor TR1 in Sättigung zu steuern und zugleich sicherzustellen, dass der Basisstrom nicht derart noch ist, dass eine zu hohe Verlustleistung in der Basissteuerschaltung erhalten wird. Bei diesen Werten kann berechnet werden, dass der auftretende Basisstrom des Transistors TR1 7»2 mA betragen wird.a signal source amplitude of 5 V and base emitter voltages in the conductive state of the transistors TR1 and TR2 of 0.7 V at the nominal temperature and at one Value of 500 Π. of the resistance R assumed that such with respect to the characteristics of the transistors TR1 and TR2 is chosen that a sufficient base current is supplied to control the transistor TR1 in saturation and at the same time ensure that the base current is not yet such that too high a power loss in the base control circuit is obtained. With these values it can be calculated that the occurring base current of the transistor TR1 will be 7 »2 mA.
Wenn nun die Temperatur die Nenntemperatur um 5O°C unterschreitet und angenommen wird, dass der Temperaturkoeffizient -2 mV/°C für die Basis-Emitterspannungen der Transistoren TR1 und TR2 beträgt, werden die Basis-Emitterspannungen der Transistoren TR1 und TR2 von ihrem Nennwert von 0,7 V auf 0,8 V zunehmen. Dies ergibt eine. Herabsetzung des BasisSteuerstroms von 7»2 mA auf 6,8 mA. Normalerweise wäreeine-derartige HerabsetzungIf the temperature now falls below the nominal temperature by 50 ° C and it is assumed that the temperature coefficient is -2 mV / ° C for the base-emitter voltages of the transistors TR1 and TR2, the base-emitter voltages of the transistors TR1 and TR2 are from their nominal value of 0.7 V to increase to 0.8 V. This gives a. Reduction of the basic control current from 7 »2 mA to 6.8 mA. Normally there would be a reduction of this kind
40 98 2 77 095 640 98 2 77 095 6
PHC. 16-10-1973PHC. 16-10-1973
an sich nicht von Bedeutung, aber dieser Effekt wird durch die Zunahme der benötigten Steuerung für den Transistor TR1 Ijei der niedrigeren Temperatur infolge der herabgesetzten Stromverstärkung dieses Transistors bei niedriger Temperatur verstärkt.per se not important, but this effect is made up by the increase in the control required for the transistor TR1 Ijei the lower temperature due to the lowered Current gain of this transistor is increased at low temperature.
Wenn der Entwurf derartig ist, dass derIf the design is such that the
Transistor TR1 unter den beschriebenen Bedingungen gesättigt wird, ist es einleuchtend, dass bei der Nenntemperatur und t>ei diese Nenntemperatur überschreitenden Temperaturen der Basisstrom des Transistors TR1 höher als der für die Sättigung benötigte Strom sein wird, so dass eine zu hohe Verlustleistung bei hohen Temperaturen auftreten wird, wobei diese zu hohe Verlustleistung eben die grössten Schwierigkeiten bereitet, insbesondere wenn, die hier beschriebene Schaltung einen Teil einer integrierten Schaltung bildet.Transistor TR1 becomes saturated under the conditions described, it is evident that at the nominal temperature and t> ei temperatures exceeding this nominal temperature the base current of the transistor TR1 will be higher than the current required for saturation, so that too high a current Power loss will occur at high temperatures, with this excessively high power loss being the largest Difficulties, especially if the one described here Circuit forms part of an integrated circuit.
Auch wird es dem Fachmann klar sein, dass, wenn beim Entwerfen extremen Werten der Signalquellen— grösse und der Speisespannungsgrösse Rechnung getragen wird, dies zu einer weiteren Vergrösserung de*· Verlustleistung bei dem Nennwert und diesen Nennwert überschreitenden Werten des Speisespannung und der Signalquellen— grösse führen wird.It will also be clear to those skilled in the art that when designing extreme values of the signal sources— size and the supply voltage size are taken into account, this leads to a further increase in the * · power loss at the nominal value and values of the supply voltage and signal sources exceeding this nominal value greatness will lead.
Die Nachteile der Schaltung der Fig. 1 werden bei Anwendung der Schaltung nach Fig. 2 verringert.The disadvantages of the circuit of FIG. 1 are reduced when the circuit of FIG. 2 is used.
In Fig. 2 sind entsprechende Teile mit den gleichen Ziffern und Buchstaben bezeichnet. Der wichtigsteIn Fig. 2, corresponding parts are denoted by the same numerals and letters. The most important
409827/0956409827/0956
PHC. 35514» 16-10-1973·PHC. 35514 » 16-10-1973
Unterschied zwischen der Schaltung nach Fig. 1 und der Schaltung nach.Fig. 2 besteht darin, dass,der, Widerstand R nun eher ,als Stromdetektor als als Strombegrenzer dient. Ausserdem^misst ein ein Gegenkopplungssignal liefernder Transistor TR3 den Spannungsabfall über .dem Widerstand R und liefert ein Gegenkopplungssignal über seinen Kollektor an die. Basis des Verstarkertransisto.rs T^-3 · Der Widerstand R1 dient sowohl als Belastung für den Transistor TR3 als auch zur Kopplung der Klemme S^ mit. der Basis des Transistors TR2. .... . . ;.Difference between the circuit according to Fig. 1 and the circuit according to Fig. 2 is that, the, resistor R now serves as a current detector rather than a current limiter. In addition ^ a negative feedback signal supplying transistor TR3 measures the voltage drop across the resistor R and supplies a negative feedback signal via its collector to the. Basis of the amplifier transistor T ^ -3 · The resistor R 1 serves both as a load for the transistor TR3 and to couple the terminal S ^ with. the base of transistor TR2. .... . ; .
. . _ Wieder sei. angenommen,_dass die Speisespannung 6 V ist, dass die Signalquellenamplitude 5 V ist und dass die Basis-Emitterspannung der Transistoren TRI, TR2 und TR3 4-m leitenden Zustand 0,7 V beträgt, wenn die Nennteniperatur_ eingehalten wird und. der Widerstand R einen Wert von 120.fl. aufweist, der derart in bezug auf die Kennlinien der Transistoren TR1,,TR2 und TR3 gewählt'ist, dass ein genügender Ba sis si; euer strom geliefert wird, um den Transistor TRl in Sättigung zu steuern und zugleich sicherzustellen, dass der Basisstrom nicht derart gross ist, dass er eine zu hohe Verlustleistung in der Basis-. . _ Again be. assume that the supply voltage is 6 V, that the signal source amplitude is 5 V and that the base-emitter voltage of the transistors TRI, TR2 and TR3 4- m conductive state is 0.7 V when the nominal temperature is maintained and. the resistance R has a value of 120 fl. which is selected with respect to the characteristics of the transistors TR1, TR2 and TR3 that a sufficient base si; your current is supplied in order to control the transistor TRl in saturation and at the same time ensure that the base current is not so large that it causes too high a power loss in the base
schaltung herbeiführt. Venn auch angenommen wird, dass die Transistoren TR1 und TR2 je eine Stromverstärkung von 50 aufweisen und dass der Widerstand R1 einen Wert von 10.000.il aufweist, wird bei einer die Nenntemperatur um 50°C unterschreitenden Temperatur der Transistor TR1 einen Basissteuerstrom von 6,8; mA empfangen, wie dies bei der Schaltung nach Fig. 1 der Fall ist. Wonn jedoch diecircuit brings about. If it is also assumed that the transistors TR1 and TR2 each have a current gain of 50 and that the resistor R1 has a value of 10,000.il, if the temperature falls below the nominal temperature by 50 ° C, the transistor TR1 has a base control current of 6.8 ; mA received, as is the case with the circuit of FIG. However, delighted
4098 27/0-9S&-M ■ Ίίηΐ :': ä 4098 27 / 0-9S & -M ■ Ίίηΐ: ': ä
PHC. 35514. 16-10-1973.PHC. 35514. 16-10-1973.
Nenntemperatur eingehalten wird, ifird der Bäsissteuerstrom auf 6,0 mA herabgesetzt, was mit Rücksicht auf die höhere Stromverstärkung des Transistors TR1 bei· der Kenntemperatur im Vergleich zu der Stromverstärkung1 bei der niedrigen Temperatur (5O°C unterhalb der Nenntemperatur) noch genügend sein wird, um sicherzustellen, dass der Transistor TR1 in Sättigung gebracht wird, wobei jedoch die Verlustleistung nur 80 $> der Verlustleistung beträgt, die bei der Nenntemperatur der Schaltung nach Fig. 1 auftritt. Bei die Nenntemperatur "überschreitenden Temperaturen wird die Verlustleistung noch weiter herabgesetzt.If the nominal temperature is maintained, the base control current is reduced to 6.0 mA, which will still be sufficient in view of the higher current gain of the transistor TR1 at the nominal temperature compared to the current gain 1 at the low temperature (50 ° C below the nominal temperature) in order to ensure that the transistor TR1 is brought into saturation, but the power dissipation is only 80 $> the power dissipation which occurs at the nominal temperature of the circuit according to FIG. At temperatures exceeding the nominal temperature, the power loss is further reduced.
Die Herabsetzung des Basissteuerstroms bei Zunahme der Temperatur wird durch die Herabsetzung.der Basis-Emitterspannung des Transistors TR3 erzielt, an die der Spannungsabfall über dem Widerstand R durch die Gegenkopplungsschaltung angepasst wird, Selbstverständlxch bedeutet eine Herabsetzung des Spannungsabfalls über dem Widerstand R infolge einer Temperaturzunahme eine Herabsetzungdes über diesen Widerstand der Basis des Transistors TR1 zugeführten Stromes* Jeder Strom, der die Basis des Transistors TR1 über den Emitter des Transistors TR3 erreicht, ist klein im Vergleich zu dem Strom, der-die Basis des Transistors TR1 über den Widerstand R erreicht, wodurch die Änderung in diesem Teil der Basissteuerschalttmg ohne Bedeutung ist.The reduction in the basic control current as the temperature increases is achieved by reducing the Base-emitter voltage of the transistor TR3 achieved, to which the voltage drop across the resistor R by the negative feedback circuit is adjusted, of course, means a reduction in the voltage drop across the Resistance R due to an increase in temperature, a decrease in the current fed through this resistor to the base of transistor TR1 * Any current passing through the base of the transistor TR1 through the emitter of the transistor TR3 reached, is small compared to the current that-reaches the base of the transistor TR1 via the resistor R, whereby the change in this part of the basic control circuit is irrelevant.
Da der Basissteuerstrom für den Transistor TR1 im wesentlichen über· den Widerstand R zugeführt wirdSince the base control current for the transistor TR1 is essentially supplied via the resistor R.
409827/0956409827/0956
PHC. 35512K 16-10-1973PHC. 3551 2 K 16-10-1973
und der Spannungsabfall über diesem Widerstand an die Basis-Emitterspannung des Transistors TR3 abgepasst ist, ist es einleuchtend, dass der.der Basis des Transistors TR1 zugeführte Strom in hohem Masse von Speisespannungs-and the voltage drop across that resistor to the When the base-emitter voltage of the transistor TR3 is matched, it is evident that the base of the transistor TR1 supplied current to a large extent from supply voltage
' sr'sr
• änderungen oder Änderungen der Grosse der Signalquelle unabhängig ist, obgleich ein gewisser Nebeneffekt infolge des kleinen Stroms auftreten wird, der die Basis des Transistors TR1 über den Emitter des Transistors TR3 erreicht, • Changes or changes in the size of the signal source independently although there will be some side effect due to the small current reaching the base of transistor TR1 through the emitter of transistor TR3,
Es wird dem Fachmann klar sein, dass vieleIt will be clear to those skilled in the art that many
Abwandlungen der an Hand der Fig. 2 beschriebenen Ausführungsform und alternative Ausführungsformen dieser Schal-Modifications of the embodiment described with reference to FIG. 2 and alternative embodiments of this switching
tung möglich sind. Bei einer Abwandlung werden z.B. zusätzliche Schaltungselemente, wie ein Leckwiderstand, an die Basis-Elektrode des Schalttransistors angeschlossen, um entgegengesetzte Basisströme beim Umschalten von dem leitenden in den nichtleitenden Zustand zu neutralisieren. Es versteht sich, dass bei der Bemessung einer Schaltung nach der Erfindung der von derartigen zusätzlichen Schaltungselementen aufgenommene Strom berücksichtigt werden soll. Bei einer anderen Abwandlung ist die Stromdetektionsimpedanz nicht als ein Widerstand ausgeführt. Derartige Abwandlungen und alternative Ausführungsformen liegen ebenfalls im Rahmen der vorliegenden Erfindung.are possible. In the case of a modification, additional Circuit elements, such as a leakage resistor, are connected to the base electrode of the switching transistor in order to to neutralize opposite base currents when switching from the conductive to the non-conductive state. It goes without saying that when dimensioning a circuit according to the invention, that of such additional circuit elements Consumed current should be taken into account. Another variation is current detection impedance not executed as a resistor. Such modifications and alternative embodiments are available also within the scope of the present invention.
4 098 27/09564 098 27/0956
Claims (6)
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| AU59174/73A AU468524B2 (en) | 1972-12-20 | 1972-12-20 | Improved circuit arrangements comprising a switching transistor |
| AUPB169072 | 1972-12-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2360024A1 true DE2360024A1 (en) | 1974-07-04 |
Family
ID=25632267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19732360024 Pending DE2360024A1 (en) | 1972-12-20 | 1973-12-01 | SWITCHING WITH A SWITCHING TRANSISTOR |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS4998162A (en) |
| DE (1) | DE2360024A1 (en) |
| FR (1) | FR2211818B1 (en) |
| GB (1) | GB1432199A (en) |
| IT (1) | IT1000522B (en) |
| NL (1) | NL7317142A (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2447628A1 (en) * | 1979-01-24 | 1980-08-22 | Materiel Telephonique | Overload protection circuit for electronic switch - has switch in series with PTC resistor and controlled via low-voltage |
| FR2519211A1 (en) * | 1981-12-30 | 1983-07-01 | Radiotechnique Compelec | OUTPUT STAGE FOR INTEGRATED CIRCUIT WITH DOOR NETWORK OF ECL TECHNIQUE REGULATED WITH RESPECT TO VARIATIONS ASSOCIATED WITH OPERATING TEMPERATURES |
| GB2204445B (en) * | 1987-03-06 | 1991-04-24 | Texas Instruments Ltd | Semiconductor switch |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL6705024A (en) * | 1967-04-08 | 1968-10-09 | ||
| US3611172A (en) * | 1969-11-24 | 1971-10-05 | Avco Corp | Temperature-compensating shunt for solid-state devices |
-
1973
- 1973-12-01 DE DE19732360024 patent/DE2360024A1/en active Pending
- 1973-12-14 NL NL7317142A patent/NL7317142A/xx unknown
- 1973-12-17 GB GB5837973A patent/GB1432199A/en not_active Expired
- 1973-12-17 JP JP48139738A patent/JPS4998162A/ja active Pending
- 1973-12-17 IT IT7072873A patent/IT1000522B/en active
- 1973-12-20 FR FR7345680A patent/FR2211818B1/fr not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL7317142A (en) | 1974-06-24 |
| FR2211818B1 (en) | 1976-11-19 |
| IT1000522B (en) | 1976-04-10 |
| FR2211818A1 (en) | 1974-07-19 |
| GB1432199A (en) | 1976-04-14 |
| JPS4998162A (en) | 1974-09-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3871890T2 (en) | CONTROL CIRCUIT DEVICE FOR INDUCTIVE LOAD. | |
| DE60017049T2 (en) | Linear regulator with low series voltage drop | |
| EP0080567B1 (en) | Semiconducter integrated current source | |
| DE2260405B2 (en) | Reference voltage generator circuit | |
| DE69214010T2 (en) | Control circuit for a power transistor with the base current as a given function of the collector current | |
| DE69016845T2 (en) | Voltage regulator with low dropout voltage and low common current. | |
| DE2337138A1 (en) | AMPLIFIER CIRCUIT | |
| DE2542403A1 (en) | COMPARATOR CIRCUIT | |
| DE2410205C3 (en) | Hysteresis circuit | |
| DE2636198C3 (en) | Circuit arrangement for keeping a voltage constant between an input and an output terminal | |
| DE3587924T2 (en) | Circuit for accelerating the high-low transition for TTL gates. | |
| DE2250625C3 (en) | Circuit arrangement for keeping a current supplied to a load constant | |
| DE2543441C2 (en) | ||
| DE2360024A1 (en) | SWITCHING WITH A SWITCHING TRANSISTOR | |
| DE1126496B (en) | Current regulator to maintain a constant direct current | |
| DE3014308A1 (en) | CONSTANT VOLTAGE GENERATOR FOR INTEGRATED CIRCUITS | |
| DE2200580B2 (en) | Difference amplifier comparison circuit | |
| DE1948178C3 (en) | A monolithic semiconductor circuit consisting of a large number of individual logic circuits with an integrated DC voltage stabilization semiconductor circuit | |
| DE2404850C3 (en) | Electronic fuse for a push-pull amplifier | |
| DE1135038B (en) | Bistable switching arrangement with tunnel diodes and switching transistors | |
| DE1911959C3 (en) | Bistable trigger circuit | |
| DE3904363C2 (en) | Voltage regulator | |
| DE1762561C3 (en) | Multi-stage DC-coupled amplifier with adjustable gain | |
| DE4123904C1 (en) | ||
| DE1951439A1 (en) | Three-point controller with two zero threshold switches |