DE2346277C2

DE2346277C2 - Method and circuit arrangement for pulse-code modulation of a semiconductor laser

Info

Publication number: DE2346277C2
Application number: DE19732346277
Authority: DE
Inventors: Peter Dipl.-Ing.Dr. 7913 Senden Russer
Original assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Current assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date: 1973-09-14
Filing date: 1973-09-14
Publication date: 1983-12-29
Also published as: DE2346277A1

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Puls-Code-Modulation eines Halbleiter-Lasers, nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1. Die Erfindung betrifft weiterhin eine Schaltungsanordnung zur Durchführung dieses Verfahrens.The invention relates to a method for pulse code modulation of a semiconductor laser according to the preamble of claim 1. The invention further relates to a circuit arrangement for implementation this procedure.

Ein derartiges Verfahren ist bekannt aus der DE-OS 16 14 820. Gemäß dem in der dortigen Fig. 5 angegebe-Such a method is known from DE-OS 16 14 820. According to the indicated in Fig. 5 there.

jij nen Blockschallbild erzeugt ein Gunn-Stromimpulsgenerator einen (mpulszug mit konstanter Impulsfolgefrequenz. Impulsdauer und Impulsamplitude. Dieser Impulszug wird einem steuerbaren Schalter zugeführt, an dessen Ausgang der Halbleiter-Laser angeschlossenA Gunn current pulse generator generates a block diagram a (pulse train with constant pulse repetition frequency. pulse duration and pulse amplitude Pulse train is fed to a controllable switch, connected to the output of the semiconductor laser

Ji ist. Der Schalter wird durch ein die digitalisierte Information enthaltendes Steuersignal derart betätigt, daß aus dem Inipulszug einige Impulse ausgeblendet werden. Am Ausgang des Schalters entsteht dadurch ein Puls-Codemoduliertes Signal. wcK-hes den Halbleiter-Laser steuert. Ein derartiges Verfahren isl insbesondere verwendbar zur optischen Nachrichtenübertragung über einen Lichiwellenleiier. der eine hohe Informationsübertragungsrate ermöglicht. Der DE-OS 16 14 820 ist jedoch nicht entnehmbar, mit welcher Schallgeschwindigkeit (Modulationsrille) der Schalter betrieben werden kann.Ji is. The switch is digitized by a die Control signal containing information actuated in such a way that some pulses are faded out from the initial pulse train will. This creates a pulse-code-modulated signal at the output of the switch. wcK-hes the semiconductor laser controls. Such a method can be used in particular for optical message transmission via a Lichiwellenleiier. which has a high information transfer rate enables. However, DE-OS 16 14 820 cannot be found with which Speed of sound (modulation groove) the switch can be operated.

Aufgabe der Erfindung isl es daher, ein gattungsgemäßes Verfahren anzugeben, das eine direkte Modulation eines Halblckcr-Lasers mit einer möglichst hohenThe object of the invention is therefore to provide a generic Process to indicate the direct modulation of a Halblckcr laser with as high a

in Modulationsrate, z. B. einigen Mbil/s. ermöglicht. Die Aufgabe besteht weiterhin darin, eine Schaltungsanordnung zur Durchführung des Verfahrens anzugeben.in modulation rate, e.g. B. a few Mbil / s. enables. the The object is also to specify a circuit arrangement for carrying out the method.

Diese Aufgabe w^;rd erfindungsgemäß gelöst durch die in den kennzeichnenden Teilen der Patcniansprü-This task w ^; rd solved according to the invention by the in the characterizing parts of the patent test

ü ehe I und 3 angegebenen Merkmale. Weiterbildungen und Ausgestaltungen sind den üntcransprüchcn cntnehmbar. ü before I and 3 specified characteristics. Advanced training and refinements can be found in the statements.

Ein erster Vorteil der Erfindung besteht darin, daß selbst bei einem Datenfluß in der Größenordnung vonA first advantage of the invention is that even with a data flow of the order of

M) mehreren lOOMbit/s ein kleines Tastverhältnis (Verhältnis Von Impulsdauer zu Impulsabstand) möglich wird bei den Modulntionstromimpulsen. welche den Halbleiter-Laser steuern. Ein derartiger Modulationsstroni erzeugt eine geringe Verlust wärme im Halbleiter-M) several lOOMbit / s a small duty cycle (ratio From pulse duration to pulse spacing) is possible with the modulation current pulses. which the Controlling semiconductor lasers. Such a modulation stroni generates little heat loss in the semiconductor

v) Laser, so daß dessen Lebensdauer wesentlich erhöht wird.v) Laser, so that its service life is significantly increased will.

Ein zweiter Vorteil der Erfindung besieht darin, daß für die Modulation eines derartigen Halbleiterlaser mitA second advantage of the invention is that for the modulation of such a semiconductor laser with

sehr hohen Bitfolgefrequen/cn. im Gegensalz zu bekannten Transisiorsehiiliungcn. die vergleichbare Leistungen nur durch eine aufwendige Parallelschaltung teuerer Höchstfrcquen/.transisioren erreichen, nur ein relativ geringer Sehaliungsaufwand erforderlich ist. Dadurch können die Kosten für derartige Modulationsschallungen sehr stark reduziert werden.very high bit rate / cn. in contrast to it known transistor systems. the comparable Achievements only through a complex parallel connection Reach more expensive maximum frcquen / .transisioren, only one relatively little effort is required. As a result, the costs for such modulation sounds can be reduced very significantly.

Die Erfindung beruht auf der Verwendung einer sogenannten Speicherschaitdiode, die an sich bekannt ist. z.B. aus der Sicmens-Zeilschrift 38 (1964). Nr. 3, Seiten 164—168. Dort angegebene Speicherschaltdiodcn werden verwende! bei der Erzeugung von Oberwellen, zur Impulsformung sowie in Tunneldioden-Impulsgeneratorcn. The invention is based on the use of a so-called memory switching diode, which is known per se is. e.g. from Sicmens cuneiform 38 (1964). No. 3, Pages 164-168. Memory switching diodes specified there will use! in the generation of harmonics, for pulse shaping and in tunnel diode pulse generators.

Bei der Erfindung wird dagegen eine Speicherschaltdiode benutzt zum Aufbau eines Schalters, der aus einem Impulszug, mit konstanter Impulsfolgefrequenz, einzelne Impulse auswählt entsprechend der in codierier Form vorliegenden Nachricht. Es entstehen puls-code-modulicrte Modulaiionsstromimpulse. welehe den Schwellenstrom des Halbleiter-Lasers überschreiten und dadurch die Lichtemission des Halbleiter Lasers steuern.In the invention, however, a memory switching diode is used to build a switch that is off a pulse train, with constant pulse repetition frequency, selects individual impulses according to the encoded Form present message. Pulse-code-modulated modulation current pulses are generated. welehe exceed the threshold current of the semiconductor laser and thereby the light emission of the semiconductor laser steer.

Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbcispielen näher erläutert unter Bezugnah- 2; nie auf eine schematische Zeichnung. Dabei zeigtThe invention is explained in more detail below with reference to exemplary embodiments with reference to 2; never on a schematic drawing. It shows

Fig.! ein erstes Ausführungsbeispiel einer Schaltungsanordnung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens, bei der dem Halbleiter-Laser nur ein Modulationssignal zugeführt wird. joFig.! a first embodiment of a circuit arrangement for implementing the invention Process in which only one modulation signal is fed to the semiconductor laser. jo

Fig.2 ein zweites Ausführungsbeispiel einer Schaltungsanordnung, bei der dem Halbleiter-Laser mehrere Schaltspeicherdioden parallel geschaltet sind.2 shows a second exemplary embodiment of a circuit arrangement, in which several switching memory diodes are connected in parallel to the semiconductor laser.

Gemäß Fig. 1 ist als Lichtsender ein Halbleker-Laser LO vorgesehen, z. B. eine Halbleiterlaserdiode, die als 3~> sogenannte Heterostrukturdiode ausgebildet ist. Parallel zu diesem Halbleiter-Laser LD ist eine Speicherschaitdiode SD geschaltet, der über einen mit ihrer Anode verbundenen Impulseingang 12 ein Impiilszug zugeführt werten kann, der aus einer Nadelimpulsfolge N von negativ gerichteten Nadclimpulsen bestchi. Die in Sperrichtung geschaltete Speicherschaitdiode SO stelli für die am Impulseingang 12 angelegten Nadclimpulse einen sehr großen Widerstand dar. so daß diese den Halbleiter-Laser LD nicht ansteuern können. Wenn eine derartige Spcichcrsch; ltdiode SD in Flußrichtung betrieben wird, so wird in ihr eine Ladung gespeichert. Die Größe dieser Ladung ist im wesentlichen gleich dem Integral des Stromes über die Zeit, vermindert um einen Ar.'cil. der sich aufgrund der >n endlichen Lebensdauer der Ladungsträger ergibt und der cxponeitionell mit der Zeit zunimmt. Die Lebensdauer der Ladungsträger liegt in der Größenordnung von lOOnsec. Fließt unmittelbar nach der Aufladung der Speicherschaitdiode ein Strom in y> Sperrichtung der Diode, so bleibt die Diode solange niederohmig, bis die zuvor gespeicherte Ladung vollständig wieder abgeflossen ist. Erst dann erfolgt wieder ein abrupter Übergang der Speicherschaitdiode in den gesperrten Zustand. Dabei liegt die Übergangs-/eil vom leitenden in den gesperrten Zustand in der Größenordnung von etwa I Picosckunde. Dieses an sich bekannte Verhalten einer Spcieherschiiltdiode läßt sich nun vorteilhaft für ein Verfahren zur Modulation eines Halbleiter-Lasers ausnüt/on. In der Schallungsanord- β5 ming nach Fig. 1 ist d.i/1¹ die Kathode der Speicherschaitdiode SD iiber eirA' Induktivität 1.2 mit dein Kollektor eines Transistors T verbunden, dessen Emitier mit dem negativen Pol der Betriebsspannung UB verbunden ist. und dessen Basis 11 ein Steuersignal Λ zuführbar ist. Andererseits ist die Anode der Speicherschaitdiode SD über eine- weitere Induktivität LI mit dem anderen Pol der Betriebsspannung verbunden. Durch ein Steuersignal St an der Basis 11 des Transistors Twirdein Durchlaßstroni Win Flußrichtung der Speicherschaitdiode SD bewirkt, wobei, wie schon zuvor beschrieben in dieser Speicherschaitdiode eine von der Stärke des Stromes und von der Dauer des Stromflusses abhängige Ladung gespeichert wird. Erfolgt dieser Stromfluß in Durchlaßrichtung der Speicherschaitdiode SD und die: damit verbundene Ladungsspeicherung innerhalb der Diode gerade innerhalb einer Impulspause zwischen den mit konstantem Abstand am Impulscingang 12 liegenden negativen Nadelimpuisen. dann ist die Speicherschaitdiode SD für den unmittelbar darauffolgenden Nadelimpuls durchlässig, wodurch eine Ansteuerung der Laserdiode LD durch diesen Nadelimpuls ermöglicht vird. Die an der Basis II des Transistors Γ angelegten Steuersignale St entsprechen dabei in ihrem zeitlichen Abrauf einer in codierter Form vorliegenden Nachricht mit der die Strahlung des Halbleiter-Lasers LD moduliert werfen soll. In Abhängigkeit davon, ob während der Impulspausen ein steuersignal Sf am Basisanschluß 11 des Transistors Tgelegcn hat oder nicht, gelangt somit einer der nachfolgenden am Impulseingang 12 angelegten Nadelimpulse über die Speicherschaitdiode zum Halbleiter-Laser. Durch das Steuersignal Sf einsieht daher ein Durchlaßstrom /V/mit Steuers.itromimpulsen für die Speicherschaitdiode SD. Durch diese Sleuerstroniimpulse werden aus der Nadelimpulsfolge N einzelne Nadelimpulse ausgewählt. Der Halbleiter-Laser LD wird daher durch eine piiis-ecde-modulierte Folge von Entladeimpiilsen Ic angeregt.According to Fig. 1, a half-ker laser LO is provided as a light transmitter, for. B. a semiconductor laser diode, which is designed as a 3 ~> so-called heterostructure diode. In parallel with this semiconductor laser LD , a memory circuit diode SD is connected, which can evaluate a pulse train supplied via a pulse input 12 connected to its anode, which pulse train consists of a needle pulse sequence N of negatively directed needle pulses. The reverse-biased memory circuit diode SO represents a very large resistance for the needle pulses applied to the pulse input 12, so that they cannot control the semiconductor laser LD. If such a memory; ltdiode SD is operated in the direction of flow, a charge is stored in it. The magnitude of this charge is essentially equal to the integral of the current over time, reduced by an Ar.'cil. which results from the> n finite life of the charge carriers and which exponentially increases with time. The service life of the charge carriers is in the order of magnitude of 100nsec. If a current flows in the y> reverse direction of the diode immediately after the storage circuit diode has been charged, the diode remains low-resistance until the previously stored charge has completely drained away again. Only then does an abrupt transition of the memory switch diode into the blocked state takes place again. The transition from the conductive to the blocked state is in the order of magnitude of about 1 picosecond. This behavior of a mirror switching diode, which is known per se, can now be used advantageously for a method for modulating a semiconductor laser. In the Schallungsanord- β5 ming of FIG. 1 is di / 1 ^1, the cathode of the Speicherschaitdiode SD via Eira 'inductance 1.2 connected to your collector of a transistor T, whose Emitier is connected to the negative pole of the operating voltage UB. and the base 11 of which can be supplied with a control signal Λ. On the other hand, the anode of the memory circuit diode SD is connected to the other pole of the operating voltage via a further inductance L I. A control signal St at the base 11 of the transistor Twirdein Durchlaßstroni Win causes the direction of flow of the memory circuit diode SD , whereby, as already described above, a charge dependent on the strength of the current and the duration of the current flow is stored in this memory circuit diode. If this current flow occurs in the forward direction of the storage circuit diode SD and the associated charge storage within the diode occurs precisely within a pulse pause between the negative needle pulses located at a constant distance on the pulse input 12. then the memory circuit diode SD is permeable to the immediately following needle pulse, which enables the laser diode LD to be controlled by this needle pulse. The control signals St applied to the base II of the transistor Γ correspond in terms of their timing to a message present in coded form with which the radiation of the semiconductor laser LD is to be modulated. Depending on whether or not a control signal Sf is applied to the base terminal 11 of the transistor Tlegercn during the pulse pauses, one of the subsequent needle pulses applied to the pulse input 12 reaches the semiconductor laser via the memory circuit diode. The control signal Sf therefore provides a forward current / V / with control input pulses for the memory circuit diode SD. These Sleuerstroni pulses are selected from the needle pulse sequence N individual needle pulses. The semiconductor laser LD is therefore excited by a piiis-ecde-modulated sequence of discharge pulses Ic.

Der Wen der in der Schaltungsanordnung vorgesehenen Induktivitäten /. I und L 2 ist derartig zu wählen, daß durch sie einerseits während der inipulspausen der Nadelinipulsfolge N der Durchlaßstroni kl der Speicherschaitdiode SD nicht behindert wird, und andererseits aber die kurzen Nadelimpulse zuverlässig gesperrt werden. Die weitere Induktivität /. 1 muß weiterhin so gewählt werden, daß ein durch ein Steuersignal Sf am Basisanschluß 11 des Transistors T veranlaßtcr Steuerstromimpuls nur über die Speicherschaitdiode SD fließt und nicht enva seinen Wea über den Halbleiter-Laser LD nimmt, lim diese Möglichkeit mit Sicherheit auszuschließen, kann eine weitere Gleichspannungsquellc LJO vorgesehen werden, die zwischen Anode des Halbleiter-Lasers LD und dem positiven Pol +</ßder Betriebsspannung geschaltet wird. Diese Abwandlung ist im Ausführungsbeispiel nach F.'g. 1 durch eine gestrichelte Leitungsführung angedeutet.The value of the inductances / provided in the circuit arrangement. I and L 2 is to be selected such that is not obstructed by one hand during the inipulspausen Nadelinipulsfolge N of the Durchlaßstroni kl Speicherschaitdiode SD, and on the other hand, the short needle pulses are reliably locked. The further inductance /. 1 must also be selected so that a control current pulse initiated by a control signal Sf at the base terminal 11 of the transistor T flows only through the memory circuit diode SD and does not take its weave through the semiconductor laser LD , lim this possibility can be excluded with certainty, another DC voltage source LJO are provided, which is connected between the anode of the semiconductor laser LD and the positive pole + </ ß the operating voltage. This modification is in the embodiment according to F.'g. 1 indicated by a dashed line routing.

Fig. 2 zeigt ein weiteres Ausfiihrungsbeispicl einer Schaltungsanordnung zur Durchführung des Verfahrens. Diese Schaltungsanordnung ist besonders dann geeignet, wenn der als LichtSicndcr vorgesehene Halbleiter-Laser mit noch höheren Bitfolgcfrcquenzcn getastet werden soll. Von der Schaltungsanordnung nach Fig. I unterscheidet sich dieses Ausführjiigsbeispiel vor allem dadurch.daß mehrere Speicherschaltdiodcn SD 1 bis SDN vorhanden sind, die dem Halbleiter-Laser LD parallel gcchaltet sind. Entsprechend der Anzahl der vorgesehenen Speicltersehaltdioden sind Transistoren Tl bis TN vorgesehen, über deren Rasiscingänge ST \ bis STN die Aufladung derFIG. 2 shows a further exemplary embodiment of a circuit arrangement for carrying out the method. This circuit arrangement is particularly suitable when the semiconductor laser provided as a light sensor is to be scanned with an even higher bit sequence frequency. This exemplary embodiment differs from the circuit arrangement according to FIG. 1 primarily in that there are several memory switching diodes SD 1 to SDN which are connected in parallel to the semiconductor laser LD. Accordingly, the number of provided Speicltersehaltdioden are provided transistors Tl to TN, whose Rasiscingänge ST \ STN to the charging of the

zugehörigen Spcichcrschalidiodc gesteuert werden kiiiiii. Weilerhin sind, wit· '.flnni aus der Schalluiigsan- onliiiiiijj nach Cig. I bekannt, für jede Speichersclialt diode zwei Induktivitäten ungesehen. Dabei sind mil /.Il bzw. /.2I die /ur Speichcrsclialuliode .SYiI gehörigen Induktivitäten bezeichnet, während die zur Speicherschalidiodc .SVW geh«>rigen Induktivitäten mil l.iN b/w. /.2iV gekennzeichnet sind. Die /ur Modulation des I lalbleiler-Lasers 1.1) vorgesehenen Nadelimpiilsfolyt-n werden ilen ein/einen Speichersfhalulioden .SV) I bis SI)N über mn ihrer Anode verbundene lnipulseinyiiniic II. \ bis H(N /tigcfi'ihrt. Diese Nadelimpulsioljien einhalten, wie schon in der Stliallunysanordnunt; /u I i μ. I erwiihnt. negativ gerichtete Impulse mil konstanter Iniptilsfolgefreqtien/. die an sich bekannten Impulsgeneratoren entnommen werden können, /weckmal.iijzerweise wird den ein/einen Inipiil.seingängcn II. \ bis //:7V die für die Ansteuerung der l.ascrdiode 1.1) vorgesehene impulsliflge um einen gewissen Betrag zeitlich versel/t /ugeführi. Ik-ispielsweise können die an die ein/einen liiipulseingiinge II. \ bis //:7V angelegten Na'lelimpuisfolgen /eitlich derartig gestaffelt werden, dall die hinsichtlich Impulsiolgefreciuen/. Impulsanipliludc und Impulsdauer völlig iilenlisclien I olgeii m>ii Sleuerslroiiiimpulsen jeweils um eine oder mehrere Impulsdauern versetzt an die Speicherschaltdiodeu angelegt wc:den. Welcher der an ilen Inipulseiiigiliigen II'{ bis //.V angelegten Nadelimpulse dann i.itsai'hlich zur Ansteuerung des Halbleiter Lasers /./) \ erwendet wird, hangt vom jeweiligen Ladungszustand der zugeordneten Sneichersehaltiliode ab. der. wie ausführlich zu I ι g. I erläutert, in Abhängigkeit von einem zu übertragenden Nachrichtensignal über den llasisanschlul! des jeweils , ugeoi dneten Transistors bestimmt weiden kann line derartige Parallelschaltung einer Mehrzahl \·>η Speiclierschalldiodcn bietet den \...n,.il ,|:,u ,· ,,,_. naclilolgende Speichel 'schaltdiode bereits aiilL'el.iden werden kann, walii'eiui die vorangehende noch einen Nadcliiiipuls zum I lalbleilei-laser II) iliiichscli.iliel Abweichend vom Aiisluliniiigsbeispiel nach ΙΊ·_'. I sind in der .Schallungsanordnung nach I ι g. 2 zusätzlich noch Dioden Di ins ///V voi jrest-lien. die uci.iü ^L-MMäiici sind. ilaLt ihre kathode jeweils der zugeordneten Speicherschaltilioile verbuiulen ist. wahrend ihre Anoden alle mit der Kathode der l.ascrdiode I I) verbunden sind.associated Spcichcrschalidiodc be controlled kiiiiii. Weiler are, wit · '.flnni from the Schalluiigsan- onliiiiiijj after Cig. I known two inductors unseen for each memory slot diode. Here mil /.Il are or /.2I the / ur Speichcrsclialuliode .SYiI referred associated inductors, while the Speicherschalidiodc .SVW go "> engined inductors mil l.iN b / w. /.2iV are marked. The / for modulation of the laser I lalbleiler 1.1) provided Nadelimpiilsfolyt-n ilen be a / a Speichersfhalulioden .SV) I-SI) N mn over its anode connected lnipulseinyiiniic II. \ To H (N / tigcfi'ihrt. Comply This Nadelimpulsioljien As already mentioned in the Stallunysanordnunt; / u I i μ. I. negatively directed impulses with constant iniptile sequence frequencies /. which can be taken from known impulse generators, / sometimes . one / one inipiil.is input II. \ to / /: 7V the pulse flight provided for the activation of the 1st ashtrdiode 1.1) is temporally shifted by a certain amount. For example, the nail pulse sequences applied to the one lip pulse input II . The pulse structure and pulse duration are completely isolated and applied to the memory switching diode. Which of the needle impulses applied to ilen Inipulseiiigiliigen II '{ to //.V is then actually used to control the semiconductor laser /./) \ depends on the respective state of charge of the assigned Sneichersehaltiliode. the. as detailed to I ι g. I explained, depending on a message signal to be transmitted over the llasisanschlul! of the respective, properly sized transistor can be determined by such a parallel connection of a plurality \ ·> η Speiclierschalldiodcn offers the \ ... n, .il, |:, u, · ,,, _. The following saliva 'switching diode can already be used, if the preceding one still needs a needle pulse to the I lallbleilei laser II) iliiichscli.iliel Deviating from the Aiisluliniiigsbeispiel after ΙΊ · _'. I are in the .Schallungsanordnung after I ι g. 2 additional diodes Di ins /// V voi jrest-lien. the uci.iü ^ L-MMäiici are. ilaLt your cathode is connected to the associated storage circuitry. while their anodes are all connected to the cathode of the 1.ascrdiode II) .

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims

Palent claims:

I. A method for pulse-code modulation of a semiconductor laser, in which the semiconductor laser is excited by modulation pulses in such a way that it is acted upon with a current exceeding the Sehwcllenstrom only during the Modulalioiisimpulse, and in which to generate the Moduiaiionsimpulse from a Pulse train of constant pulse repetition rates /. Pulse duration and pulse amplitude can be selected with the help of a switch and a control current pulse corresponding to the digitized information to be transmitted, which is applied to it, characterized in that a needle pulse train (N) is used as the pulse train, that a switch to the semiconductor laser (LD) parallel recovery diode (SD / 'is used. to which the needle pulse train (N) is applied in the reverse direction, uni! that the Steuersiromimpulse respectively flowing in pulse pauses of the needle pulse train (N) in the forward direction of the step recovery diode (SD) as a forward current (Id) and the step recovery diode charge so that a subsequent needle pulse of the needle pulse sequence (N) / .u leads to a discharge pulse (Ic) flowing through the semiconductor laser (LD ) of the memory switching diode (SD) .

2. The method according to claim 1, characterized in that a semiconductor laser (LD) discharge pulses from at least two memory switching diodes (SD I to SDN) are supplied, which are acted upon by at least one needle pulse sequence and at least one sequence of Stejcrstrowimpulssen, and that a temporal Offset between the needle pulse trains and / or t! 1 sequence of control current pulses is provided.

3. Circuit arrangement for performing the method according to one of the preceding claims, characterized in that a memory switching diode (SD) is provided. whose cathode is connected on the one hand to the cathode of a semiconductor laser (LD) and on the other hand via an inductance (L 2) and a transistor (T) to the negative pole (- UB) c \ ncr operating voltage source and its anode via a further inductance (L I) is connected to the positive pole (+ UB) of the Bciricbsspannungsquellc. to which the anode of the semiconductor laser (LD) also leads that a pulse input (12) is provided at the anode of the memory switching diode (SD). Via which at least one needle pulse sequence (N) can be fed. and that the transistor (T) can be controlled via its bar connector (II) with a control signal (Sf /) corresponding to the digital information.

4. Circuit arrangement according to claim 3, characterized in that the inductances (Li. L2) are designed such that Durchlaßslrom (Id) and Entladeimpulsc (/ ^ are separable.

5. Circuit arrangement according to claim 3 or 4, characterized by an additional bias source (UO) connected between the anode of the half-liter Lasefs (ID) and the positive pole (+ LIB) of the operating voltage source.

6. Circuit arrangement for performing the method according to claim 2, characterized in that it is indicated. that a plurality of memory switching diodes (SD I. SDN) are provided, the cathodes of which each by means of a series connection of an inductance (/.21. L2N) and a transistor, Tl. 77vy are connected to the negative pole (-UB) of an operating voltage source, and their anodes are each connected to the positive pole (+ UB) of an operating voltage source by means of a further inductance (/.1I. LiN) , so that the cathodes of the storage hall diodes (SD 1 . SDN) are still connected via diodes (D I. DN) to the cathode of the semiconductor laser (LD) whose

ίο the anode is connected to the positive pole (+ UB) of the operating voltage source. that at the anodes of the memory switching diodes (SDi. SDN) pulse inputs (IE i. IEN) are provided, to which at least one needle pulse sequence (N) can be applied. and that the

Ii transistors (Ti. TN ) can be controlled via base connections (STi. STN) with at least one control signal (S1) corresponding to the digital information.