DE2320563B2 - FOUR-LAYER TRIOD - Google Patents
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Description
dem dritten Bereich (3) die Gleichung -~~ > 0,4the third area (3) the equation - ~~> 0.4
erfüllen.fulfill.
2. Vierschichttriode nach Anspruch 1. dadurch gekennzeichnet, daß der erste Bereich (1) eine Dicke von 5 bis 6 μτη besitzt, daß die Dicke des zweiten Bereiches (2) zwischen dem ersten und dritten Bereich (1, 3) ungefähr 20 am, die Dicke des dritten Bereiches (3) zwischen dem zweiten und vierten Bereich (2, 4) ungefähr 210 μηι und die Dicke des vierten Bereiches (4) ungefähr 4 bis 25 μηι beträgt und daß der erste Bereich (1) einen spezifischen Widerstand von 0,0006 Ohmcm. der zweite Bereich (2) einen spezifischen Widerstand von 0,1 Ohmcm, der dritte Bereich (3) einen spezifischen Widerstand von 40 bis 80 Ohmcm und der vierte Bereich (4) einen spezifischen Widerstand von 0,1 Ohmcm besitzt. 2. Four-layer triode according to claim 1, characterized in that the first area (1) has a thickness of 5 to 6 μτη that the thickness of the second area (2) between the first and third area (1, 3) about 20 am, the thickness of the third area (3) between the second and fourth area (2, 4) is approximately 210 μm and the thickness of the fourth area (4) is approximately 4 to 25 μm and that the first area (1) has a specific resistance of 0 , 0006 ohm cm. the second region (2) has a specific resistance of 0.1 ohm cm, the third region (3) has a specific resistance of 40 to 80 ohm cm and the fourth region (4) has a specific resistance of 0.1 ohm cm.
3. Vierschichttriode nach Anspruch 1. dadurch gekennzeichnet, daß der erste Bereich (1) zur Vergrößerung der Randlänge seiner Querschnittsfläche eine gewundene Peripherie besitzt. 3. Four-layer triode according to claim 1, characterized in that the first area (1) for enlargement the edge length of its cross-sectional area has a tortuous periphery.
4. Vierschichttriode nach Anspruch 1. dadurch gekennzeichnet, daß der vierte Bereich (4) aus mehreren Inseln besteht.4. Four-layer triode according to claim 1, characterized in that the fourth region (4) consists of consists of several islands.
Die Erfindung betrifft eine Vierschichttriode mit vier aufeinanderfolgenden Haibleilerbereichen mit jeweils aufeinanderfolgend wechselndem Leitungstyp und je einer Elektrode an dem ersten und vierten Bereich sowie einer Steuerelektrode an dem zweiten Bereich.The invention relates to a four-layer triode with four successive semiconductor areas each successively changing line type and one electrode each on the first and fourth area and a control electrode on the second Area.
Eine derartige Vierschichttriode ist beispielsweise aus der Literaturstelle »IRE Wescon Convention Record« Pt. 3 (Aug. 1962), S. 1 bis 6. bekannt. Ferner ist eine solche Vierschichttriode in den US-PS 2993 154 und 32 07 962 beschrieben. Diese Vierschichttrioden haben die Eigenschaft, daß die Summe der Stromverstärkungsfaktoren der beiden darin enthaltenen Transistoren 1 nur wenig übersteigt. Das hat zur Folge, daß die Vierschichttriode mit einem kleinen Strom von der Basis eines Stcuertransistors abgeschaltet werden kann.Such a four-layer triode is for example from the literature reference "IRE Wescon Convention Record «Pt. 3 (Aug. 1962), pp. 1 to 6. Such a four-layer triode is also disclosed in US Pat. No. 2,993,154 and 32 07 962. These four-layer triodes have the property that the sum of the current gain factors of the two transistors 1 contained therein only slightly exceeds. That has to The result is that the four-layer triode is switched off with a small current from the base of a Stcuertransistor can be.
Um bei einer Vierschichttriode die Abschallveistärkung zu vergrößern und den Verzögern ütissi rom im Abschaltzustand zu verkleinern, muß die Lebensdauer der Ladungsträger im dritten Bereich klein gemacht werden. Dies erfolgt bei den bekannien Vierschichttnoden durch eine Dotierung mil GoIu. Der wesentliche Nachteil dieser Methode besteht in der Schwierigkeit einer genauen Dotierung.To increase the absorption of a four-layer triode to enlarge and to delay ütissi rom To reduce the size in the switched-off state, the service life of the charge carriers in the third area must be short be made. This is done with the well-known four-layer nodes by doping with gold. The main disadvantage of this method is the Difficulty in exact doping.
Der Erfindung liegt daher die Aulgabe zugrunde. eine Vierschichttriode der eingangs genannten An so ausbilden, daß die eiTekme Lebensdauer der Laauismmer im drillen Bereich auf e.ne leri.gungs- < technisch einfache Weise und mn hoher Genauiykeu Luf Sen ^wünschten Wert verrmger. werden kann.The invention is therefore based on the object. a four-layer triode of the type mentioned at the beginning train that the eiTekme lifespan of laauismmer in the drill area on e.ne leri.g- <technically simple way and mn high accuracy Luf Sen ^ wished value less. can be.
niese Auf-abe wird erlindungsgemaß dadurch gei;«i daß die Quersehniusfläche A des Suomweges. di pe riphcrcLünse/dcrOuerschniHsfläche^de.According to the invention, this task is made possible by the fact that the transverse tendon surface A of the Suomweg. di pe riphcrcLünse / dcrOuerschniHsfläche ^ de.
,1' s und die DilTusionslange /..„ der Ladungs-'0 u£Tt dem dritten Bereich die Gleichung Jai. ^ 0.4 erfüllen., 1 ' s and the dilution length / .. "the charge-' 0 u £ Tt the third area the equation Jai. ^ Meet 0.4.
"wie an Hand der Beschreibung noch naher erläutert wird ist bei der erfindungsgemaßen Vierschichttriode"as explained in more detail on the basis of the description is in the four-layer triode according to the invention
'5 die OuerschniHsflüche A des Stromweges. νcrhaltmsniäßig klein und die periphere Lange/dieser Querschniusfläche verhältnismäßig groß. Dadurch laßt sich die effektive Lebensdauer T1,,, der Ladungsträger' 5 the cross sections A of the current path. Consistently small and the peripheral length / this cross-sectional area relatively large. As a result, the effective service life T 1 ,,, of the charge carriers
,ο innerhalb eines kleinen Bereiches auf niedrigem Wert !"alten obwohl die reale Lebensdauer r„ innerhalb eires «roßen Bereiches liegen kann., ο within a small range on a low value ! "old though the real lifespan r" within can lie in a large area.
Zweckmäßige Ausgestaltungen der erfindungsgemäßen Vierschichttriode ergeben sich aus den L nter-Appropriate configurations of the four-layer triode according to the invention result from the inter-
Finisc Ausfiihrungsbeispiele tier Erfindung sind m der Zeichnung veranschaulicht. Es zeigtFinisc exemplary embodiments of the invention are m illustrated in the drawing. It shows
Fi υ. ι einen vergrößerten Querschnitt durch eine
Vierschichttriode.
Fig. 2 ein Diagramm der Abhängigkeit zwischenFi υ. ι an enlarged cross section through a four-layer triode.
Fig. 2 is a diagram of the dependency between
r°Fig.T3Jeine vergrößerte Draufsicht auf eine Ausführuniisform. r ° Fig. T 3 J is an enlarged plan view of an embodiment.
Fig.4 einen Querschnitt der in I ι g.-> ye/, ,■;.",,4 shows a cross section of the in I ι g .-> ye /,, ■ ;. ",,
,s Ausführungsform entlang der Lime A- ■!., s embodiment along the Lime A- ■ !.
Fig. 5 einen vergrößenen Querschnitt einer anderen Ausführungsform. .Fig. 5 is an enlarged cross section of another embodiment. .
Wie in Fig.! gezeigt ist. enthalt cm n-leitendes Halbleitersubstrat 6 raft einem spezifischen YVider-As in Fig.! is shown. contains cm n-conductive Semiconductor substrate 6 raft a specific YVider-
s'and von 40 bis SO Ohmcm. das einen dritten^ Bereich 3 bildet, einen Bereich 4 mit hoher p-Storstenenkonzentration. einem spezifischen Widerstand von etwa 0 1 Ohmcm und einer Tiefe von etwa 30 μΐη. Dieser Bereich 4 wird beispielsweise durch Diflusions'and from 40 to SO Ohmcm. a third ^ area 3 forms a region 4 with a high p-Storstenen concentration. a specific resistance of about 0.1 Ohmcm and a depth of about 30 μΐη. This area 4 is created, for example, by diffusion
4S von p-Störstellen in das Substrat 6 von einer Ober-4S of p-type impurities in the substrate 6 from an upper
" fläche her gebildet. Ferner ist ein zweiter p-lcitender Bereich 2 mit einem spezifischen Widerstand von 0 1 Ohmcm und einer Tiefe von etwa 30 μηι durch selektive Diffusion von der anderen Oberflache des"surface. There is also a second p-lcitender Area 2 with a specific resistance of 0 1 Ohmcm and a depth of about 30 μm selective diffusion from the other surface of the
Substrates6 her erzeugt. Ein erster Bereich! mit hoher n-Störstellenkonzentration. einem spezifischen Widerstand von 0.0006 Ohmcm und einer Tiefe von ungefähr 5 um ist durch selektive Diffusion innerhalb deizweiten Bereiches 2 gebildet. Die Dicke des drittenSubstrates6 produced. A first area! with high n-impurity concentration. a resistivity of 0.0006 Ohmcm and a depth of about 5 µm is by selective diffusion within deizwide area 2 formed. The thickness of the third
Bereiches 3 (der Abstand W) zwischen dem zweiten und vierten Bereich 2 und 4 wird zwischen IM) und 250 um gewählt. Nach den entsprechenden Diffusionsprozessen diffundiert Gold, welches im HaIbleiicrkristall Rekombinationszentren bildet, in denArea 3 (the distance W) between the second and fourth areas 2 and 4 is selected between IM) and 250 µm. After the corresponding diffusion processes, gold, which forms recombination centers in the lead crystal, diffuses into the
drillen und vierten Bereich und setzt den Alpha-Wert herab.third and fourth area and sets the alpha value down.
Die Vierschichttriode mit dem obigen Aulbau kann beispielsweise in einer Hori/ontalablenkschaitung eine:- !'ernschenipfanuers verwendet werden, wo es n.uweiulii: ist. den Spannungsabfall zwischen Anode und Kathode in Durchlaßrichtung zu erniedrigen und den Bremsstern des Haupistroms nach dem Abschalten der Vierschichttriode zu vermindern. LJmThe four-layer triode with the above structure can, for example, be in a horizontal deflection circuit a: -! 'ernschenipfanuers used where it n.uweiulii: is. the voltage drop between anode and to lower the cathode in the forward direction and the brake star of the main current after To reduce switching off the four-layer triode. LJm
dieses m bewerkstelligen, wird / 5 gewählt.to accomplish this m, / 5 is chosen.
»obei L1.,, die ambipolare Diffiisionslänge in dem Bereich 3 darstellt. Für L1.,, gilt"Obei L 1. ,, represents the ambipolar diffusion length in region 3. For L 1. ,, applies
L,jj = 1'2Dt1.,,. (!) L, jj = 1'2Dt 1. ,,. (!)
worin D der Diffusionskoeffizienl und τ,;, die eiir'ane Lebensdauer sind. Daher wird L1.,, durch Einwirken auf die wirksame Lebensdauer T1., s beeinflußt. Die ambipolare Diffusionslänge entspricht der Diffusionslänae der Majoritälsträger oder der Minoriiätsträger. wenn überschüssige injizierte Ladungsträger vorhanden sind.wherein D is the Diffusionskoeffizienl and τ; that are ir'an lifetimes. Therefore, L 1. ,, is influenced by acting on the effective life T 1. , S. The ambipolar diffusion length corresponds to the diffusion length of the majority or minority carriers. when there are excess injected charge carriers.
Wird die Vierschichttriode in den leitenden Schaltzustand gebracht und in diesem Zustand gehalten, dann fließt ein Elektronenstrom durch den dritten Bereich 3 in Richtung des Pfeiles Z. Ik-im Einschaltvorgang bewirken Elektronen des ersten Bereiches und Löcher des vierten Bereiches 4 eine Lcitfähigkeiismodtilaiion des dritten Bereiche.-, 3. Ist die Elekironendichie des Bereiches 3 ursprünglich K) Atome cm·1, dann wird sie erhöht auf 10!S bis 10"' Atome/cm . Lm solches Anwachsen d.;r Eiektronendichie rutt einen Diiuisionsstrom /, in Richtung 1 senkrecht /ui /-Riehtuηii hervor.If the four-layer triode is brought into the conductive switching state and kept in this state, an electron current flows through the third area 3 in the direction of the arrow Z. Ik-during the switch-on process, electrons in the first area and holes in the fourth area 4 cause the third area to conduct electricity. -, 3. If the electron dichia of area 3 is originally K) atoms cm · 1 , then it is increased to 10 ! S to 10 "'atoms / cm perpendicular / ui / -R Richtuηii emerges.
Betrachtet man eine Elektronenladung Qn im drillen Bereich, so kann die folgende Gleichung aufgestellt w erden:If one considers an electron charge Qn in the third range, the following equation can be set up:
υ On
d; υ On
d;
(2)(2)
Der Diflusionssirom /, kann folgendermaßen als Funktion von Qn ausgedrückt werden:The diffusion sirom /, can be expressed as a function of Qn as follows:
Λ =Λ =
DlDl
AU,AU,
OnOn
(31(31
20 und damit20 and with it
d_Qnd_Qn
"df""df"
QnQn
DlDl
AL0 AL 0
QnQn (4)(4)
Die effektive Lebensdauer τιι;ί ergibt sich daher zuThe effective service life τ ιι; ί therefore results in
DlDl
(5) In dem Diagramm in F i g. 2 /eigen die Kurven 20 und 21 T1.., 'als Funktion son τ,, in den Fallen(5) In the diagram in FIG. 2 / own the curves 20 and 21 T 1 .., 'as a function son τ ,, in the cases
3°3 °
= 0.004 und= 0.004 and
= 2.0. Wie aus den Kurven= 2.0. Like out of the curves
wobei L0 gegeben ist durch Ln = |'2Dt0. In diesem
Fall ist /κ e'n Kaihodenstrom, der von dem ersten
Bereich 1 zum dritten Bereich 3 durch den zweiten Bereich 2 fließt. Λ ist die-Querschnittsfläche des
Stromweges im dritten Bereich 3 für den Fall, daß sich die Vierschichttriode im leitenden Zustand befindet:
sie entspricht derjenigen Querschnittsfläche des Bereiches 1. die dem Bereich 4 gegenüberliegt, das
ist im Falle der F i g. 1 die gesainte Querschnittsfläche des Bereiches 1. / ist die periphere Länge (cm) der
Querschnittsfläche des Stromweges, und τ() ist die
Ladungsträgerlebensdauer in Abhängigkeit von der Lage. i/<v ist der Stromverstärkungsfaktor des aus den
Bereichen 1, 2 und 3 bestehenden NPN-Transistors. wenn der Bereich 2 mit Masse verbunden und der
Transistor somit leitend ist.
Aus Gleichung(5) folgt:where L 0 is given by L n = | '2 Dt 0 . In this case / κ e ' n is Kaihodenstrom, which flows from the first area 1 to the third area 3 through the second area 2. Λ is the cross-sectional area of the current path in the third area 3 for the case that the four-layer triode is in the conductive state: it corresponds to that cross-sectional area of area 1 that is opposite to area 4, that is in the case of FIG. 1 is the total cross-sectional area of region 1. / is the peripheral length (cm) of the cross-sectional area of the current path, and τ () is the carrier lifetime as a function of the location. i / <v is the current amplification factor of the NPN transistor consisting of areas 1, 2 and 3. when area 2 is connected to ground and the transistor is thus conductive.
From equation (5) it follows:
ersichtlich ist. ist die relative Änderung von reljim mit t„ bei L!i- =-- 2.0 kleiner als bei -^J--' = 0.004.can be seen. the relative change of r eljim with t "at L ! i- = - 2.0 is smaller than at - ^ J-- '= 0.004.
Einsprechend kann der Wert r„ für einen bestimmten Wert oder einen bestimmten Bereich um TtlJ, unabhängiger gewühlt werden. Correspondingly, the value r “can be chosen more independently for a specific value or a specific range around T tlJ.
Obwohl die Beschreibung für Elektronen erfolgt, kann sie auch auf Löcher bezogen werden, um quasi neutrale Bedingungen zu erfüllen.Although the description is made for electrons, it can also be related to holes, in order to quasi to meet neutral conditions.
In der oben beschriebenen Vierschichttriode sollte T11Jj die folgende Bedingung erfüllen:In the four-layer triode described above, T 11 Jj should meet the following condition:
0.2 Mikrosekunden < tWj < 2.4 Mikrosekundcn.0.2 microseconds <t W j <2.4 microseconds.
Wählt man T1 ,, in diesem Bereich, dann folgt mit -1-'-' - 0,004If you choose T 1 ,, in this range, then with - 1 -'- '- 0.004 follows
0.2 Mikrosekunden < Tn < 2.4 Mikrosekunden. Auf der anderen Seite folgt mit ~- = 2.00.2 microseconds <T n <2.4 microseconds. On the other hand follows with ~ - = 2.0
0,4 Mikrosekunden <0.4 microseconds <
DlDl
A flor,A flor,
DlDl
2 A \'2 Dt0 2 A \ '2 Dt 0
(6)(6)
(7) Mikrosekunden. (7) microseconds.
L"' innerhalb L "'within
Es ist wünschenswert, die gegenseitige Abhängigkeit von T11Jj- und τη zu verkleinern. Zu diesem Zweck soll das Verhältnis zwischen dem /weiten und ersten Term der Gleichung (7iIt is desirable to reduce the interdependence of T 11 Jj- and τ η . For this purpose, the relationship between the / wide and first term of equation (7i
2. Term _ 2Dt0/ Ln/ T."Term" " 4Ln/! """ 4-1 (X) 2nd term _ 2Dt 0 / L n / T. "Term""4L n /!""" 4-1 (X)
größer oder gleich!). 1 sein. Es gilt somit die Bedingung H' ä 0,4 . (9) greater than or equal to!). Be 1. The condition H ' 0.4 applies. (9)
T0 kann also durch Vergrößern von eines weiten Bereiches gewählt werden.T 0 can thus be chosen by enlarging a wide range.
Damit —°r > 0,4 wird, wird der erste Bereich I durch selektive Diffusion in dem zweiten Bereich in der Weise gebildet, daß sein Rand so gewunden ist. wie F i g. 3 zeigt: dadurch wird die periphere Randlänge der Querschnittsfläche des ersten Bereiches die dem vierten Bereich 4 gegenüberliegt, vergrößert.So that - ° r > 0.4, the first region I is formed by selective diffusion in the second region in such a way that its edge is twisted. like F i g. 3 shows: as a result, the peripheral edge length of the cross-sectional area of the first area which lies opposite the fourth area 4 is increased.
ho In diesem Fall ist es möglich., die Dicke für den eiNien Bereich 1 /wischen ς und d jiii. die Dicke des /weiten Bereiches 2 U! Ii den Abstand /wischen den ''-.VenuberbegcruiiMi e:-.ten und dritten Bereichen ii!-..! 3i mil 20-.-m. die Dicke des dritten Bereiches3ho In this case it is possible to determine the thickness for the one area 1 / between ς and d jiii. the thickness of the / wide area 2 U ! Ii the distance / wipe the '' -.VenuberbegcruiiMi e: -. Th and third areas ii! - ..! 3i mil 20 -.- m. the thickness of the third area 3
!en! en
\h-i.r-.1 /wische\ hi.r-. 1 / wipe
ilen ilen gegenüberliegendenilen ilen opposite
/weiten und \1e11en Bereichen 2 und 4) mit 210 μΐη und die Dicke des vierten Bereiches 4 mit 25 ;/m /.u wählen./ wide and \ 1e11en areas 2 and 4) with 210 μΐη and the thickness of the fourth area 4 with 25; / m / .u Select.
Im Beispiel der F i g. 3 und 4. in denen die gleichen Bezugszeiehen wie in I" ig. I die gleichen Hlemenle bezeichnen, sind drei ringförmige Bereiches, die gemeinhin als Schiilzringc bezeichnet weiden, vom selben Leitungslyp wie der zweite Bereich 2 vorgesehen. Ihre Herstellung kann erfolgen durch eine selektive Diffusion um den zweiten Bereich 2 herum in den dritten Bereich 3 hinein. Durch diesen Bereich 5 werden die SpaniHingsverhällnisse an der Grenzschicht zwischen dem zweiten und dritten Bereich 2 und 3 verbessert.In the example of FIG. 3 and 4. in which the same References as in I "ig. I use the same Hlemenle denote are three annular areas that are commonly used designated as Schiilzringc, provided by the same line style as the second area 2. They can be produced by selective diffusion around the second region 2 into the third area 3 into it. The span ratios at the boundary layer are determined by this area 5 between the second and third areas 2 and 3 improved.
Auf dem ersten und zweiten Bereich 1 und 2 sind eine Kathode K bzw. eine Steuerelektrode (;' in der Weise aufgebracht, daß sie einen ohmschcn Kontakt mit dem zugehörigen Bereich bilden. Auf dem vierten Bereich 4 ist eine Anode A als ohmscher Kontakt aufgebracht. In diesem Falle ist die äußere Peripherie der Kathode K und die innere Peripherie der Steuerelektrode G kurvenförmig ausgebildet, folgen also der Querschniltsform des ersten Bereiches 1. Das Bezugszeiehen 7 bezeichnet eine Schicht aus Siliziumdioxyd. A cathode K and a control electrode (; ') are applied to the first and second areas 1 and 2 in such a way that they form an ohmic contact with the associated area. An anode A is applied to the fourth area 4 as an ohmic contact. In this case, the outer periphery of the cathode K and the inner periphery of the control electrode G are curved, that is, they follow the cross-sectional shape of the first region 1. The reference 7 denotes a layer of silicon dioxide.
Der erste Bereich I muß nicht immer entlang seiner Peripherie kurvenförmig ausgebildet sein, sondern kann eine Mehrzahl von diskreten Inselbeieichen besitzen: es sind dann elektrische Vcrbindungsclektroden von den Inselbcreichcn herausgeführt, um die wirksame periphere Länge durch Summieren der peripheral Längen der lnselbercichc zu vergrößern.The first area I does not always have to be curved along its periphery, but rather can have a plurality of discrete island areas: they are then electrical connecting electrodes brought out from the island regions to the increase effective peripheral length by summing the peripheral lengths of the islands.
In den F i g. 3 und 4 ist die periphere Länge des ersten Bereiches 1 vergrößert, aber es ist auch möglich, die periphere Länge des Teiles des vierten Bereiches4 zu vergrößern, durch den der Strom hindurchgeht. In the F i g. 3 and 4 the peripheral length of the first area 1 is increased, but it is also possible the peripheral length of the part of the fourth area 4 through which the current passes.
Das kann dadurch erreicht werden, daß der vierte Bereich 4 durch selektive Diffusion so ausgebildet wird, daIi sein Rand Kurvenform aufweist. Ls ist auch möglich, den vieren Bereich 4 mit vielen diskreten Inselbcrcit/hen 4 auszubilden, wie es in 1·' ι g. 5 dargestellt ist. in tier gleiche Bezugs/eichen wie in den Fig. I. 3 und 4 deiche Llemente bezeichnen. Line Anode .1 ist allen Inselbereichcn 4 gemeinsam. In diesem l.ille kann die Anodenelekirodt A auch über den dritten Bereich 3 gehen, wie es in der Figur gezeigt ist. Auch in diesem Fall wird, sogar wenn dieThis can be achieved in that the fourth region 4 is formed by selective diffusion in such a way that its edge has a curve shape. It is also possible to design the fourth area 4 with many discrete island areas 4, as shown in FIG. 5 is shown. in tier the same reference numbers as in Fig. I. 3 and 4 denote dike elements. Line anode .1 is common to all island areas 4. In this l.ille, the anode electrode A can also go over the third area 3, as shown in the figure. Also in this case, even if the
ίο Anodcnelektrode .4 auf der Oberfläche des dritten Bereiches 3 aufgebracht ist. durch den hohen spezifischen Widerstand ein Spannungsabfall hervorgerufen, so daß eine bestimmte Vorspannung an dem dem ersten Bereich 1 gegenüberliegenden Teil der Grenzschicht zwischen dem vierten und dritten Bereich 4 und 3 auftritt, wodurch die Temperaturcharakteristik verbessert wird. 1st die Anodenelektrode A so ausgebildet, daß sie sich über den dritten und vierten Bereich 3 und 4 erstreckt, wie es oben be-ίο anodic electrode .4 is applied to the surface of the third area 3. a voltage drop caused by the high specific resistance, so that a certain bias voltage occurs at the part of the boundary layer opposite the first region 1 between the fourth and third regions 4 and 3, whereby the temperature characteristics are improved. If the anode electrode A is formed so that it extends over the third and fourth regions 3 and 4, as described above
:o schrieben ist. dann sind die beiden Bereiche gewissermaßen durch einen Widersland miteinander verbunden. Das hat die Wirkung, daß zum Zeitpunkt des Absehallens der Vorrichtung verbleibende Träger (d. h. Löcher) durch den Widerstand entzogen werden: o is written. then the two areas are in a sense connected by a contradiction. That has the effect of that at the time carriers (i.e., holes) remaining after the device is dropped are withdrawn by the resistor
2s können, und es ergibt sich auch der Effekt, daß der vorgenannte Verzögcrungsstrom als Folge der Ladungsträger vermindert werden kann.2s can, and there is also the effect that the The aforementioned delay current can be reduced as a result of the charge carriers.
Die Beschreibung ist für den Fall erfolgt, daß die ersten bis vierten Bereiche p-, n-. p- und n-Leitfähigkeil besitzen: wenn diese Bereiche n-. p-. n- und p-Leitfahigkeit besitzen, kann die Steuerelektrode G auch auf dem n-lcitenden zweiten Bereich 2 vorgesehen sein. In diesem Fall dienen die Anodenelektrode und Kathodenelektrode als erste und zweite Hauptelektroden. The description has been made on the case that the first to fourth areas are p-, n-. Have p- and n-conductivity wedge: if these areas are n-. p-. Have n- and p-conductivity, the control electrode G can also be provided on the n-conductive second region 2. In this case, the anode electrode and cathode electrode serve as first and second main electrodes.
Hierzu 2 Blatt ZcichnunecnFor this purpose 2 sheets of drawings
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