DE2303094A1 - METHOD AND DEVICE FOR OPERATING AN IMAGE STORAGE TUBE - Google Patents
METHOD AND DEVICE FOR OPERATING AN IMAGE STORAGE TUBEInfo
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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Description
DIPL.-ING. KLAUS NEUBECKERDIPL.-ING. KLAUS NEUBECKER
Patentanwalt
4 Düsseldorf 1 · Schadowpiatz 9 2303094Patent attorney
4 Düsseldorf 1 Schadowpiatz 9 2303094
.Düsseldorf, 22. Jan. 1973Düsseldorf, Jan. 22, 1973
PF 1814
7305PF 1814
7305
Tektronix, Ine.Tektronix, Ine.
Beaverton, Oregon, V. St. A. Beaverton, Oregon, V. St. A.
Verfahren und Vorrichtung zum Betrieb
einer Bildspeicherröhre Method and device for operation
an image storage tube
Die vorliegende Erfindung bezieht sich allgemein auf Speicherröhren für Ladungsbilder mit netzförmigen Übergabe-Speichertargets und speziell auf ein verbessertes Verfahren und eine Vorrichtung zum Betrieb solcher Röhren, um die Vorbereitungsspannung zu stabilisieren, die auf dem Dielektrikum des Speichertargets aufgebaut wird, bevor auf dieses ein Ladungsbild geschrieben wird.The present invention relates generally to storage tubes for charge images with reticulated transfer storage targets and specifically to an improved method and apparatus to operate such tubes to stabilize the preparatory voltage built up on the dielectric of the storage target before a charge image is written on it.
Bei Speicherröhren mit Ladungsübergabe, wie sie z. B. in der älteren Patentanmeldung P 22 44 967.8 beschrieben sind, ergeben sich Schwierigkeiten, wenn Ladungsbilder guter Qualität auf das zweite Speichertarget übergeben werden sollen. Dies rührt daher, daß einmal Restladungsbilder auf dem ersten Speichertarget verbleiben, nachdem dieses gelöscht worden ist/und daß andererseits die Vorbereitungsspannung auf dem Dielektrikum des ersten Speichertargets sich ändert, bevor ein Beschreiben stattgefunden hat. Letzteres wird durch üngleichmaßigkeiten des Speichertargets und durch unkontrollierte Spannungsänderungen hervorgerufen, die sowohl von Neuverteilungen der Ladungen innerhalb des Dielektrikums als auch von einer Beaufschlagung des Dielektrikums mit positiven Ionen herrühren.In the case of storage tubes with charge transfer, as z. B. in the older one Patent application P 22 44 967.8 are described, difficulties arise when charge images of good quality on the second Storage target are to be transferred. This is due to the fact that once residual charge images remain on the first storage target, after this has been cleared / and that on the other hand the preparation voltage on the dielectric of the first memory target changes before writing has taken place. The latter is caused by irregularities in the storage target and by uncontrolled Voltage changes caused both by redistributions of charges within the dielectric as well result from exposure to the dielectric with positive ions.
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Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei einer Speicherröhre mit einem Speichertarget zur Ladungsbildübergabe eine übergabe der Ladungsbilder von einem Speichertarget auf das andere ohne Qualitätsverlust zu ermöglichen. Insbesondere soll die Vorbereitungsspannung, die auf dem Dielektrikum des Speichertargets aufgebaut wird, bevor ein SchreibVorgang stattfindet, auf 'einen im wesentlichen gleichbleibenden Wert stabilisiert werden.The present invention is based on the object of a storage tube with a storage target for transferring charge images a transfer of the charge images from a storage target to the to enable others without loss of quality. In particular, the preparation voltage should be applied to the dielectric of the memory target is established before a write process takes place on 'be stabilized at a substantially constant value.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß bei einem Verfahren zum Betrieb einer übergäbe-Speicherröhre, die ein netzförmiges Übergabe-Speichertarget mit einer netzförmigen Target-Elektrode und einer auf dieser angeordneten, aus einem Dielektrikum bestehenden Speicherschicht aufweist, erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die aus dem Dielektrikum beste* snde Speicherschicht im wesentlichen gleichmäßig mit einer Flut von Elektronen niedriger Geschwindigkeit beaufschlagt wird, so daß die beaufschlagte Oberfläche des Dielektrikums auf eine Vorbereitungsspannung aufgeladen wird, durch die das Speichertarget zum Beschreiben vorbereitet wird; daß ' während der vorbereitenden Beaufschlagung des Dielektrikums durch die Elektronenflut eine Mehrzahl von Stabilisierungsimpulsen zwischen Target-Elektrode und Flutelektronen-Kathode angelegt wird, wobei die .Spitzenspannung der Impulse größer ist als die Spannung im ersten Eins-Durchgang der Sekundäremissionskennlinie des Dielektrikums, bei dem das Verhältnis zwischen Sekundäremission und auftreffender Elektronenflut größer als eins wird und wobei die Ruhespannung zwischen den Impulsen kleiner als die Spannung im ersten Eins-Durchgang ist, und daß durch die Impulsbeaufschlagung das Dielektrikum während der Impulsdauer positiv und zwischen den Impulsen negativ aufgeladen wird, bis die Vorbereitungsspannung auf einem gegenüber der Spannung der Flutelektronen-Kathode positiven Wert stabilisiert ist, der unter der Spannung im-ersten Eins-Durchgang liegt; und daß die stabilisierte Speicherschicht mit Schreibelektronen hoher Geschwindigkeit beaufschlagt wird, deren Energien über der Spannung im ersten Eins-Durchgang liegen, so daß auf die Speicherschicht ein positives Ladungsbild geschrieben wird, wodurch einer größeren Anzahl der Flutelektronen ermöglicht wird, durch die beschriebenen Bereiche des Speichertargets hindurchzu-According to the invention, this object is achieved in a method for operation a transfer storage tube, which is a reticulated transfer storage target with a reticulated target electrode and a dielectric arranged thereon Has storage layer, achieved according to the invention in that the best of the dielectric * memory layer essentially is evenly acted upon by a flood of low-speed electrons, so that the acted upon surface of the The dielectric is charged to a preparation voltage by which the memory target is prepared for writing; that ' a plurality of stabilization pulses during the preparatory application of the dielectric by the flood of electrons is applied between the target electrode and the flood electron cathode, the peak voltage of the pulses being greater than the Voltage in the first one-pass of the secondary emission characteristic of the dielectric, at which the ratio between secondary emission and the impinging flood of electrons is greater than one and the rest voltage between the pulses is less than the voltage im first one-pass is, and that by the impulse application, the dielectric during the pulse duration positive and between the Impulse is charged negatively until the preparation voltage is positive compared to the voltage of the flood electron cathode Value is stabilized, the one under the tension in the-first one-pass lies; and that the stabilized storage layer is acted upon with high speed writing electrons, the Energies are above the voltage in the first one passage, so that a positive charge image is written on the storage layer, which enables a larger number of flood electrons to pass through the described areas of the storage target.
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treten.step.
Gegenstand der Erfindung ist weiterhin eine Vorrichtung mit übergabe-Speicherröhre, die erfindungsgemäß gekennzeichnet ist durch ein netzförmiges Übergabe-Speichertarget mit einer netzförmigen Target-Elektrode und einerauf dieser angeordneten, aus einem Dielektrikum bestehenden Speicherschicht, die die Netzöffnungen freiläßt; einen Elektronenfluterzeuger mit einer Kathode zum im wesentlichen gleichmäßigen Beaufschlagen der aus dem Dielektrikum bestehenden Speicherschicht mit einer Flut von Elektronen niedriger Geschwindigkeit, so daß die beaufschlagte Oberfläche des Dielektrikums auf eine Vorbereitungsspannung aufgeladen wird, durch die das Speichertarget zum Beschreiben vorbereitet wird; eine Impulsanordnung zum Anlegen einer Mehrzahl von Stabilisierungsimpulsen zwischen Target-Elektrode und Flutelektronen-Kathode während der vorbereitenden Beaufschlagung des Dielektrikums durch die Elektronenflut, wobei die Spitzenspannung der Impulse größer ist als die Spannung im ersten Eins-Durchgang der Sekundäremissionskennlinie des Dielektrikums, bei dem das Verhältnis zwischen Sekundäremission und auftreffender Elektronenflut größer als eins wird und wobei die Ruhespannung zwischen den Impulsen kleiner als die Spannung im ersten Eins-Durchgang ist, und wobei weiterhin Impulsbreite und -abstand so gewählt sind, daß die Vorbereitungsspannung auf einen im wesentlichen konstanten, gegenüber der "cutoff1-Spannung des Speichertargets positiven Wert stabilisiert wird, der unter der Spannung im ersten Eins-Durchgang liegt, wodurch den Flutelektronen ein fortgesetztes Auftreffen auf das Dielektrikum ermöglicht wird, um die Vorbereitungsspannung im wesentlichen auf der gesamten Oberfläche des Dielektrikums gleichmäßig aufrechtzuerhalten; eine Kollektor-Elektrode zum Auffangen der vom Dielektrikum ausgesandten Sekundärelektronen; und eine Schreibeinrichtung mit einer Kathode zum Beaufschlagen der aus dem Dielektrikum bestehenden Speicherschicht mit Schreibelektronen hoher Geschwindigkeit unter Spannungen, die über der Spannung im Eins-Durchgang liegen, so daß auf die Speicherschicht ein Ladungsbild geschrieben wird.The invention further relates to a device with a transfer storage tube, which is characterized according to the invention by a reticulated storage target with a reticulated target electrode and a storage layer made of a dielectric which is arranged thereon and which leaves the network openings free; an electron flood generator with a cathode for substantially uniformly impinging the storage layer consisting of the dielectric with a flood of electrons at low speed, so that the impinged surface of the dielectric is charged to a preparatory voltage by which the memory target is prepared for writing; a pulse arrangement for applying a plurality of stabilization pulses between the target electrode and the flood electron cathode during the preparatory application of the dielectric by the electron flood, the peak voltage of the pulses being greater than the voltage in the first one-pass of the secondary emission characteristic of the dielectric, at which the ratio between secondary emission and the impinging electron flood is greater than one and the rest voltage between the pulses is less than the voltage in the first one-pass, and furthermore the pulse width and spacing are selected so that the preparation voltage is set to a substantially constant, compared to the " cutoff 1 voltage of the memory target is stabilized positive value, which is below the voltage in the first one-pass, whereby the flood electrons a continued impact on the dielectric is allowed to the preparation voltage substantially on the entire surface maintain the surface of the dielectric uniformly; a collector electrode for collecting the secondary electrons emitted by the dielectric; and writing means having a cathode for subjecting the storage layer made of the dielectric to high-speed writing electrons at voltages higher than the one-pass voltage, so that a charge image is written on the storage layer.
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Die vorliegende Erfindung ist besonders dann von Nutzen, wenn sie in einer Übergabe-Speicherröhre mit Ladungs-Transfer eingesetzt wird, bei der ein Ladungsbild auf ein erstes Speichertarget mit hoher Schreibgeschwindigkeit geschrieben wird und später auf ein zweites Speichertarget mit langer Speicherzeit übergeben wird. Die auf dem Dielektrikum des ersten Speichertargets aufgebaute Vorbereitungsspannung wird vor dem Einschreiben eines Ladungsbildes auf einen im wesentlichen gleichmäßigen Wert stabilisiert. Dies erhöht· wesentlich die Qualität des auf das zweite Speichertarget übertragenen Ladungsbildes. Dadurch werden die bei Speicherröhren nach der genannten älteren Anmeldung auftretenden Probleme weitgehend gelöst.The present invention is particularly useful when employed in a transfer storage tube with charge transfer in which a charge image is written onto a first storage target at high writing speed and later onto a second storage target with long storage time is transferred. The preparatory voltage built up on the dielectric of the first memory target is stabilized to a substantially uniform value before a charge image is written. This increases essentially the quality of the charge image transferred to the second storage target. This causes the storage tubes after the earlier registration mentioned, problems occurring largely solved.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, daß die Impulsfrequenz zu Beginn der Vorbereitung des Speichertargets größer als an deren Ende ist. Dadurch wird eine schnellere Aufladung des Dielektrikums des Speichertargets auf die stabilisierte Vorbereitungsspannung erreicht.According to a preferred embodiment of the invention it is provided that the pulse frequency at the beginning of the preparation of the memory target is greater than at the end. This creates a faster charging of the dielectric of the storage target to the stabilized preparation voltage achieved.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von bevorzugten Ausführungsbeispielen in Verbindung mit der Zeichnung erläutert. In der Zeichnung zeigen:The invention is explained below on the basis of preferred exemplary embodiments explained in connection with the drawing. In the drawing show:
Figo 1 eine Seitenansicht einer Übergabe-Speicherröhre gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, wobei ein Teil des Röhrenkolbens weggelassen ist;FIG o 1 is a side view of a transfer-storage tube according to an embodiment of the present invention, wherein a portion of the envelope is omitted;
Fig. 2 ein schematisches Spannungsverlaufs-Diagramm mit den den beiden Speichertargets und der Kollektor-Elektrode der Röhre nach Pig. I zugeführten Spannungen;Fig. 2 is a schematic voltage curve diagram with the the two storage targets and the collector electrode the tube after Pig. I applied voltages;
Fig. 3A die Verläufe der auf dem ersten Speiehertarget nach n Fig. 1 aufgebauten Vorbereitungsspannungen nach dem älteren Vorschlag bzw. nach der vorliegenden Erfindung, unflFig. 3A, the waveforms of the constructed on the first to n Speiehertarget Fig. 1 preparation voltages according to the older proposal or according to the present invention, unfl
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Fig. 4 den Kurvenverlauf der dem ersten Speichertarget in der Röhre nach Fig. 1 zugeführten Spannung entsprechend einer weiteren Ausfuhrungsform der vorliegenden Erfindung. FIG. 4 shows the curve profile of the voltage supplied to the first memory target in the tube according to FIG. 1, correspondingly a further embodiment of the present invention.
■In Fig. 1 ist mit 10 eine Ladungsübergabe-Speicherröhre der Bauart dargestellt, wie sie in der o. g. älteren Patentanmeldung P 22 44 967.8 beschrieben ist. Die Speicherröhre 10 gehört zu einer erfindungsgemäß betriebenen Bildspeichervorrichtung. Die Speicherröhre 10 weist ein erstes netzförmiges Übergabe-Speichertarget 12, ein zweites netzförmiges Obergabe-Speichertarget 14 und einen getrennten Leuchtstoff-Bildschirm 16 auf. Der Leuchtstoff-Bildschirm 16 wird von der Innenfläche einer gläsernen Frontscheibe 18 getragen, die mit einem hohlen Trichter 20 verbunden ist und mit diesem den evakuierten Röhrenkolben bildet. Der Trichter 20 kann aus keramischem Material bestehen. Der Bildschirm 16 weist eine Leuchtstoffschicht 22 auf, die auf die Innenfläche der Frontscheibe 18 an dem einen Ende des Röhrenkolbens aufgetragen ist. Auf der Leuchtstoffschicht 22 liegt eine Beschleunigungselektrode 24, die aus einer Schicht aus Aluminium oder anderem leitfähigen Material besteht, das auf die Oberfläche der Leuchtstoffschicht 22 aufgetragen ist und mit einer äußeren Hochspannungsquelle mit einem positiven Gleichspannungs-Potential von rd. + 5 kV verbunden ist.In Fig. 1, 10 is a charge transfer storage tube of the type as shown in the above earlier patent application P 22 44 967.8 is described. The storage tube 10 belongs to an image storage device operated according to the invention. The storage tube 10 has a first reticulated transfer storage target 12, a second net-shaped transfer storage target 14 and a separate fluorescent screen 16. The fluorescent screen 16 is carried by the inner surface of a glass front panel 18 which is connected to a hollow funnel 20 is and with this forms the evacuated tubular piston. The funnel 20 can be made of ceramic material. The screen 16 has a phosphor layer 22 which is applied to the inner surface of the front panel 18 at one end of the tube bulb is. An acceleration electrode lies on the phosphor layer 22 24, which consists of a layer of aluminum or other conductive material that adheres to the surface of the Phosphor layer 22 is applied and with an external high voltage source is connected to a positive direct voltage potential of around + 5 kV.
Am anderen Ende des Röhrenkolbens befindet sich ein Schreibsteahlerzeuger 26, der eine Schreibstrahlkathode 28 aufweist, die mit einer äußeren Hochspannungsquelle mit einem negativen Gleichspannungs-Potential von rd. - 3 kV verbunden ist. Der Schreibstrahlerzeuger 26 weist wie üblich ein Steuergitter 30 und Fokussier-Anoden 32 auf, die die aus der Schreibstrahlkathode 28 austretenden Schreibelektronen hoher Geschwindigkeit zu einem dünnen Elektronenstrahl 34 fokussieren. Der einen Schreibstrahl darstellende Elektronenstrahl 34 wird zwischen zwei horizontalen Ablenkplatten 36 und zwei vertikalen Ablenkplatten 38 hindurchgeleitet, die den Elektronenstrahl 34 in üblicher Weise in Abhängigkeit von den an sie angelegten Signalspannungen horizontal undAt the other end of the tube piston there is a writing steel generator 26 which has a writing beam cathode 28 which is connected to an external high voltage source with a negative direct voltage potential of around -3 kV. As usual, the write beam generator 26 has a control grid 30 and focusing anodes 32 which focus the write electrons emerging from the write beam cathode 28 at high speed into a thin electron beam 34. The electron beam 34, which represents a write beam, is passed between two horizontal deflection plates 36 and two vertical deflection plates 38 which, in the usual manner , horizontally and in dependence on the signal voltages applied to them
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vertikal ablenken, um so den Elektronenstrahl 34 zu veranlassen, auf eine dielektrische Speicherschicht 40 des ersten Speichertargets 12 ein Ladungsbild zu schreiben.deflect vertically so as to cause the electron beam 34, to write a charge image on a dielectric storage layer 40 of the first storage target 12.
Die dielektrische Speicherschicht 40 des ersten Speichertargets ist auf der linken Seite einer netzförmigen Target-Elektrode 42 vorgesehen und liegt dem S.chreibstrahler zeuger 26 derart, gegenüber, daß die Netzöffnungen freigelassen werden. Damit das erste Speichertarget 12 mit einem extrem schnellen Schreibstrahl beaufschlagt werden kann, kann die dielektrische Speicherschicht 40 aus einem sehr porösen Isoliermaterial hergestellt sein, z. B. aus Magnesiumoxid mit einer Dichte von etwa 5 % oder weniger seiner maximalen Dichte und einer Dicke in der Größenordnung von 20 - 30 Mikron. Die Target Elektrode 42 kann ein galvanoplastisch hergestelltes Nickelnetz mit etwa 100 Linien pro cm sein. Zwischen dem Ausgang der vertikalen Ablenkplatten 38 und einer ersten Richtelektrode 48 sind zwei Elektronenfluterzeuger 44 angeordnet. Die Elektronenfluterzeuger 44 haben je eine geerdete Kathode 46 und eine Fokussieranode 47. Von den Kathoden 46 gehen Flutelektronen niedriger Geschwindigkeit aus und werden als breite, unfokussierte Elektronenfluten 50 weitergeleitet. Die Elektronenfluten 50 beaufschlagen die dielektrische Speicherschicht 40 des ersten Speichertargets 12 im wesentlichen gleichmäßig. Einige der Flutelektronen gelangen durch das erste Speichertarget 12 hindurch zum zweiten Speichertarget 14 und zum Bildschirm 16, um so das Ladungsbild des ersten Speichertargets 12 auf das zweite Speichertarget 14 zu übertragen und in einer noch zu beschreibenden Weise ein.dem Ladungsbild entsprechendes Leuchtbild zu erzeugen.The dielectric storage layer 40 of the first storage target is provided on the left side of a reticulated target electrode 42 and is opposite the write radiation generator 26 in such a way that that the mesh openings are left free. This is the first storage target 12 acted upon with an extremely fast writing beam can be made, the dielectric storage layer 40 can be made of a very porous insulating material, e.g. B. off Magnesium oxide having a density of about 5% or less of its maximum density and a thickness on the order of 20-30 microns. The target electrode 42 can be a galvanoplastically produced nickel mesh with approximately 100 lines per cm. Between Two electron flood generators 44 are arranged at the exit of the vertical deflection plates 38 and a first directional electrode 48. The electron flood generators 44 each have a grounded cathode 46 and a focusing anode 47. Low velocity flood electrons emanate from the cathodes 46 and are considered to be broad, unfocused Electron floods 50 forwarded. The electron floods 50 act on the dielectric storage layer 40 of the first memory target 12 substantially uniformly. Some of the flood electrons pass through the first storage target 12 to the second storage target 14 and to the screen 16 so that Charge image of the first storage target 12 onto the second storage target 14 and to generate a luminous image corresponding to the charge image in a manner yet to be described.
Die Flutelektronen niedriger Geschwindigkeit werden durch die erste Richtelektrode 48 und durch eine zweite und eine-dritte Richtelektrode 52 bzw. 54 hindurchgeleitet. Die Richtelektroden 48, 52 und 54 können als Bänder aus Silber oder anderem leitfähigem Material ausgebildet sein, auf die Innenfläche des Trichters 20 des Röhrenkolbens aufgetragen sein und zur isolation mit Abstand voneinander angeordnet sein. Die Richtelektroden 48, 52 und 54 sind mit verschiedenen Gleichspannungspotentialen von z. B. + 60 V,The low velocity flood electrons are passed through the first directional electrode 48 and through a second and a third Directional electrode 52 or 54 passed through. The directional electrodes 48, 52 and 54 may be formed as ribbons of silver or other conductive material on the inner surface of the funnel 20 of the tubular piston and be arranged at a distance from one another for isolation. The directional electrodes 48, 52 and 54 are with different DC potentials of z. B. + 60 V,
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+ 75 V bzw. +9OV verbunden, um die Flutelektronen gleichmäßig über die Oberfläche des ersten Speichertargets 12 zu verteilen und sie im wesentlichen senkrecht auf die dielektrische Speicherschicht 40 auftreffen zu lassen. Zwischen der dritten Richtelektrode 54 und dem ersten Speichertarget 12 ist eine netzförmige Kollektorelektrode 56 vorgesehen, um die von der dielektrischen Speicherschicht 4O des ersten Speichertargets 12 ausgehenden Sekundärelektronen aufzufangen. Die Kollektorelektrode 56 dient ferner zum Auffangen der von der dielektrischen Speicherschicht des zweiten Speichertargets 14 ausgehenden Sekundärdektronen,nachdem das Ladungsbild auf das zweite Speichertarget 14 übergeben worden ist.+ 75 V or + 9OV connected to the tide electrons evenly over the surface of the first memory target 12 and distribute it substantially perpendicular to the dielectric memory layer 40 hit. Between the third directional electrode 54 and the first memory target 12 is provided with a reticulated collector electrode 56 around that of the dielectric memory layer 4O of the first storage target 12 to capture secondary electrons emanating from the first storage target. The collector electrode 56 is also used for Interception of the secondary electrons emanating from the dielectric storage layer of the second storage target 14 after the Charge image has been transferred to the second storage target 14.
Einer mit der Kollektoralektrode 56 verbundenen Anschlußklemme wird ein in Fig. 2 mit 58 bezeichnetes Kollektorspannungs-Signal (V ) zugeführt, das sich stufenweise zwischen + 105 und + 150 V ändert. Einer weiteren mit der ersten Target-Elektrode 42 verbundenen Anschlußklemme 64 wird ein in Fig. 2 mit 62 bezeichnetes erstes Target-Spannungssignal (V™,) zugeführt. Einer mit einer zum zweiten Speichertarget 14 gehörenden netzförmigen Target-Elektrode 70 verbundenen dritten Anschlußklemme 68 wird ein zwei-A connection terminal connected to the collector electrode 56 becomes a collector voltage signal designated by 58 in FIG (V), which changes in steps between + 105 and + 150 V. Another connected to the first target electrode 42 Terminal 64 is supplied with a first target voltage signal (V ™,), denoted by 62 in FIG. 2. One with one the third terminal 68 connected to the second memory target 14 belonging to the reticulated target electrode 70 is a two-
66
tes Target-Spannungssignal /tVT2) zugeführt.66
tes target voltage signal / tV T2 ) supplied.
Das zweite Speichertarget 14 hat eine längere Speicherzeit, jedoch eine geringere Schreibgeschwindigkeit als das erste Speichertarget 12. Zur Bildung einer zweiten dielektrischen Speicherschicht 72 auf der linken Seite der zweiten Target-Elektrode 70 kann jeder geeignete sekundäremittierende Isolator verwendet werden, der eine bistabile Speicherung eines Ladungsbildes für eine unbestimmte Zeit ermöglicht. Es hat sich z. B. gezeigt, daß eine dünne Schicht aus dichtem Magnesiumoxid, die durch ein übliches Aufdampfverfahren oder auf geeignete andere Weise erzeugt werden kann, als zweite dielektrische Speicherschicht 72 ausreicht. Es lassen sich somit beide dielektrischen Speicherschich-> ten 40 und 72 aus Magnesiumoxid herstellen. Die erste dielektrische Speicherschicht 40 ist dabei von wesentlich geringerer Dichte und größerer Dicke als die zweite, so daß das erste Speichertar-•?et 12 eine niedrigere Kapazität und damit eine höhere Schreibge-The second storage target 14 has a longer storage time, however a lower writing speed than the first memory target 12. To form a second dielectric memory layer 72 on the left side of the second target electrode 70, any suitable secondary emissive insulator can be used which enables a bistable storage of a charge image for an indefinite period of time. It has z. B. shown that a thin layer of dense magnesium oxide produced by a conventional vapor deposition process or in some other suitable manner as the second dielectric storage layer 72 is sufficient. Both dielectric storage layers can thus be used make 40 and 72 from magnesium oxide. The first dielectric storage layer 40 has a significantly lower density and greater thickness than the second, so that the first memory tar- • et 12 a lower capacity and thus a higher write speed
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schwindigkeit als das zweite Speichertarget 14 aufweist. Dagegen hat das zweite Speichertarget 14 eine wesentlich längere Speicherzeit als das erste Speichertarget 12 und eignet sich' zur- bistabilen Speicherung, während das erste Speichertarget 12 als "Halb-1 ton"-Speichertarget für höchste Schreibgeschwindigkeit betrieben wird. Ein Ladungsbild wird zunächst auf das erste Speichertarget 12 geschrieben und dann durch die durch die "beschriebenen" bzw. Ladungsbild-Bereiche des ersten Speichertargets 12 hindurchtretenden Flutelektronen auf das zweite Speichertarget 14 übertragen. Dies geschieht mittels der Spannungssignale 58, 62 und aus Fig. 2. Kurz gesagt verbindet die Speicherröhre 10 die hohe Schreibgeschwindigkeit eines "Halbton"-Speichertargets mit der langen Speicherzeit eines bistabilen Speichertargets.speed than the second storage target 14. In contrast, the second memory target 14 has a considerably longer storage time than the first memory target 12 and is' zur- bistable storage, while the first memory target 12 "ton half 1" as -Speichertarget is operated for the highest writing speed. A charge image is first written on the first storage target 12 and then transferred to the second storage target 14 through the flood electrons passing through the “written” or charge image areas of the first storage target 12. This is done by means of the voltage signals 58, 62 and from FIG. 2. In short, the storage tube 10 combines the high writing speed of a "halftone" memory target with the long storage time of a bistable memory target.
Wie in Fig. 2 dargestellt ist, wird während eines Vorbereitungszeitabschnittes T2 das zweite Speichertarget 13 gelöscht und zum Beschreiben vorbereitet. Zu diesem Zweck wird das erste Target-Spannungssignal 62 auf ungefähr + 120 V gehalten, um den Flutelektronen niedriger Geschwindigkeit ein gleichmäßiges Durchtreten durch das erste Speichertarget 12 und ein Auftreffen auf das zweite Speichertarget 14 zu ermöglichen. Während dieser Zeit steigt das zweite Target-Spannungssignal 66 rasch von einem Ruhewert von + 150 V auf einen Maximalwert von ungefähr + 300 V an. Dieser Maximalwert ist größer als die Spannung im ersten Eins-Durchgang der Sekundäremissionskennlinie der zweiten dielektrischen Speicherschicht 72, so daß die Flutelektronen auf dem gesamten Dielektrikum ein gleichmäßiges "positives Schwinden" bis auf eine entsprechende Spannung verursachen, wodurch jegliches zuvor auf der dielektrischen Speicherschicht 72 gespeichertes Ladungsbild gelöscht wird. Anschließend wird das zweite Target-Spannungssignal 66 rasch von + 300 V auf 0 V abgesenkt, so daß die Flutelektronen die zweite dielektrische Speicherschicht 72 gleichmäßig negativ auf die Spannung der Kathode 46 des Elektronenfluterzeugers 44 in Höhe von 0 V aufladen. Das zweite Target-Spannungssignal 66 steigt dann von 0 V auf einen Betriebswert von + 150 V allmählich an,und zwar mit einer genügend niedrigen Anstiegsgeschwindigkeit, so daß keine merkliche kapazitive KopplungAs shown in FIG. 2, during a preparation period T2 deleted the second storage target 13 and prepared for writing. For this purpose, the first target voltage signal 62 is held at approximately + 120 V to allow the low-velocity flood electrons to pass through evenly through the first storage target 12 and an impact on the second storage target 14 to enable. During this time, the second target voltage signal 66 rises rapidly from a quiescent value from + 150 V to a maximum value of approximately + 300 V. This maximum value is greater than the voltage in the first one-pass the secondary emission characteristic of the second dielectric storage layer 72, so that the flood electrons on the entire Dielectric cause a uniform "positive shrinkage" except for a corresponding voltage, thereby reducing any charge image previously stored on the dielectric storage layer 72 is erased. Then the second target voltage signal 66 is rapidly lowered from + 300 V to 0 V, so that the flood electrons penetrate the second dielectric storage layer 72 uniformly negative on the voltage of the cathode 46 of the electron flood generator Charge 44 at a level of 0 V. The second target voltage signal 66 then rises from 0 V to an operating value of + 150 V gradually, with a sufficiently low rate of rise, so that no noticeable capacitive coupling
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zwischen der zweiten Target-Elektrode 70 und der zweiten dielektrischen Speicherschicht 72 auftritt. Dadurch .wird erreicht, daß das Potential der zweiten dielektrischen Speicherschicht 72 durch die Flutelektronen auf ο V gehalten wird. Während dieser Zeit wird das Kollektor-Spannungssignal 58 von +15OV auf + 105 V abgesenkt und am'Ende des Zeitabschnittes wieder auf + 128 V angehoben. Das zweite Speichertarget 14 ist nun zum Einschreiben eines Ladungsbildes vorbereitet.between the second target electrode 70 and the second dielectric Storage layer 72 occurs. This .wird that the potential of the second dielectric storage layer 72 through the flood electrons are kept at ο V. During this time will the collector voltage signal 58 is lowered from + 15OV to + 105 V. and raised again to + 128 V at the end of the period. That second storage target 14 is now prepared for writing in a charge image.
Während feines VorbereitungsZeitabschnittes Tl wird das erste Speichertarget 12 zum Beschreiben vorbereitet,und zwar durch Absenkung des ersten Target-Spannungssignals 62 auf ungefähr + 20 V, was niedriger ist, als die Spannung im ersten Eins-Durchgang der Sekundäremissionskennlinie der ersten dielektrischen Speicherschicht 40, die ungefähr + 60 V beträgt. Die Sekundäremissionskennlinie der ersten dielektrischen Speicherschicht 4O ist in Fig. 2 mit 74 bezeichnet. Der erste Eins-Durchgang, d. h. der Punkt, bei dem die Sekundäremissionskennlinie 74 zum ersten Mal die Linie kreuzt, bei der das Verhältnis zwischen Sekundäremission und auftreffenden Elektronen eins ist, ist mit 76 bezeichnet und liegt bei etwa + 60 V. Bei Target-Spannungen unterhalb der Spannung im ersten Eins-Durchgang 76 ist das Sekundäremissionsverhältnis {£ ) des Dielektrikums kleiner als eins, so daß die Flutelektronen niedriger Geschwindigkeit die dielektrische Speicherschicht 40 negativ auf eine erste stabile Spannung 78 aufladen, die etwa gleich dem Null-Volt-Potential der Kathode 46 des Elektronenfluterzeugers 44 ist. Bei Target-Spannungen oberhalb des Eins-Durchgangs 76 laden jedoch die Flutelektronen die dielektrische Speicherschicht 40 positiv auf eine zweite stabile Spannung 80 auf, die etwa gleich dem Potential der Kollektorelektrode 56 ist.During the fine preparation period T1, the first memory target 12 is prepared for writing by lowering the first target voltage signal 62 to approximately + 20 V, which is lower than the voltage in the first one-pass of the secondary emission characteristic of the first dielectric memory layer 40, which is approximately + 60V. The secondary emission characteristic of the first dielectric storage layer 40 is denoted by 74 in FIG. 2. The first one passage, ie the point at which the secondary emission characteristic curve 74 crosses for the first time the line at which the ratio between secondary emission and impinging electrons is one, is denoted by 76 and is approximately + 60 V. For target voltages below the voltage in the first one-passage 76, the secondary emission ratio (£) of the dielectric is less than one, so that the low velocity tide electrons negatively charge the dielectric storage layer 40 to a first stable voltage 78 which is approximately equal to the zero volt potential of the Cathode 46 of the electron flood generator 44 is. At target voltages above the one-passage 76, however, the flood electrons charge the dielectric storage layer 40 positively to a second stable voltage 80 which is approximately equal to the potential of the collector electrode 56.
Wie in Fig. 3A durch den Kurventeil 82 dargestellt ist, wird bei dem älteren Verfahren zum Vorbereiten des ersten Speichertargets 12 eine an die erste Target-Elektrode 42 angelegte Spannung 62' während des gesamten VorbereitungsZeitabschnittes Tl auf + 20 V konstant gehalten. Dies führt dazu, daß die in Fig. 3A alsAs shown in Fig. 3A by the curve portion 82, is at the older procedure for preparing the first storage target 12 a voltage 62 'applied to the first target electrode 42 to + 20 V during the entire preparation period T1 kept constant. This results in the in Fig. 3A as
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strichpunktierte Kurve 84 dargestellte Spannung auf der Oberfläche der ersten dielektrischen Speicherschicht 40 negativ auf die erste stabile Spannung 78 aufgeladen wird , die leicht negativ gegenüber dem Null-Potential der Kathode 46 des Elektronenfluterzeugers 44 ist. Am Ende des VorbereitungsZeitabschnittes Tl, zu einem Schreibzeitpunkt 86, wird auf die erste dielektrische Speicherschicht 40 mittels des Elektronenstrahls 34 ein Ladungsbild geschrieben. Unmittelbar nachdem das Ladungsbild auf das erste Speichertarget 12 geschrieben worden ist, wird die an dessen Target-Elektrode 42 angelegte Spannung um eine Spannungsdifferenz AV von dem 20 V-Niveau des Kurventeils 82 auf einen niedrigeren Wert 88 abgesenkt, um zu ermöglichen, daß das Ladungsbild auf das zweite Speichertarget 14 übergeben wird.The dot-dash curve 84 shown stress on the surface of the first dielectric storage layer 40 is charged negatively to the first stable voltage 78, which is slightly negative compared to the zero potential of the cathode 46 of the electron flood generator 44 is. At the end of the preparation period Tl, to a time of writing 86, a charge image is created on the first dielectric storage layer 40 by means of the electron beam 34 written. Immediately after the charge image has been written on the first storage target 12, the is on the Target electrode 42 applied voltage by a voltage difference AV from the 20 V level of the curve portion 82 to a lower The value 88 is lowered in order to enable the charge image to be transferred to the second storage target 14.
Wie in Fig. 2 dargestellt ist, wird dieser Ladungstransfer dadurch zustandegebracht, daß das zweite Target-Spannungssignal 66 von + 150 V auf eine Hochspannung von etwa + 800 V erhöht wird. Dadurch erfolgt eine Beschleunigung der durch die positiv beschriebenen Bereiche des ersten Speichertargets 12 hindurchgetretenen Flutelektronen, die ausreicht, um die Flutelektronen auf dem zweiten Speichertarget 14 mit genügend hoher Geschwindigkeit auftreffen zu lassen, so daß ein entsprechendes Ladungsbild auf die zweite dielektrische Speicherschicht 72 mit einem Potential oberhalb der Spannung im ersten Eins-Durchgang 76 des zweiten Speichertargets 14 geschrieben wird. Zu beachten ist, daß der Grund für die Absenkung des ersten Target-Spannungssignals 62 um Δ V auf den niedrigeren Wert 88 während des Ladungstransfers das starke Feld ist, das durch das zweite Target-Spannungssignal 66 erzeugt wird, wenn dieses auf + 800 V erhöht wird. Das starke Feld würde anderenfalls die Flutelektronen durch die unbeschriebenen Bereiche des ersten Speichertargets 12 hindurchziehen. Im Ergebnis wird das übergebene Ladungsbild bistabil auf dem zweiten Speichertarget auf unbestimmte Zeit gespeichert,und zwar durch gleichmäßige Beaufschlagung der zweiten dielektrischen Speicherschicht 72 mit den Flutelektronen während des Zeitabschnittes der bistabilen Speicherung. Diese bistabile Speicherung auf dem zweiten Speichertarget 14 wird durch Erhöhung des ersten Target-Spannungssignals 62 vonAs shown in Fig. 2, this charge transfer is thereby achieved brought about that the second target voltage signal 66 is increased from +150 volts to a high voltage of about +800 volts. Through this there is an acceleration of the areas of the first memory target 12 that have passed through the positively written areas Flood electrons that are sufficient for the flood electrons to strike the second storage target 14 at a sufficiently high speed to leave, so that a corresponding charge image on the second dielectric storage layer 72 with a potential above the voltage in the first one-passage 76 of the second memory target 14 is written. It should be noted that the reason for the Lowering of the first target voltage signal 62 by Δ V to the lower value 88 during the charge transfer the strong field that is generated by the second target voltage signal 66 when it is increased to + 800V. Otherwise the strong field would pull the flood electrons through the unwritten areas of the first storage target 12. The result is that The transferred charge image is stored bistably on the second storage target for an indefinite period of time, namely through uniform application of the second dielectric storage layer 72 with the flood electrons during the period of bistable storage. This bistable storage on the second storage target 14 is achieved by increasing the first target voltage signal 62 from
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dem niedrigeren Wert 88 von etwa + 18 V auf einen höheren Wert 90 ■ von etwa+120 V erreicht, wodurch den Flutelektronen ermöglicht wird, gleichmäßig durch das erste Speichertarget 12 hindurchzutreten und gleichmäßig das zweite Speichertarget 14 zu beaufschlagen, um auf diesem das übergebene Ladungsbild zu speichern. Gleichzeitig wird der Wert des Kollektor-Spannungssignals 58 von + 128 V auf + 150/ferhöht.the lower value 88 from about + 18 V to a higher value 90 ■ of about + 120 V is reached, as a result of which the flood electrons are enabled to pass uniformly through the first storage target 12 and to act uniformly on the second storage target 14 in order to store the transferred charge image thereon. At the same time, the value of the collector voltage signal 58 is increased from + 128 V to + 150 / f.
Wie in Fig. 3A dargestellt ist, sinkt beim Betrieb der Übergabe-Speicherröhre nach dem älteren Vorschlag das durch die strichpunktierte Kurve 84 dargestellte Oberflächenpotential der ersten dielektrischen Speicherschicht 40 auf einen unter dem Null-Volt-Potential der Kathode 46 des Elektronenfluterzeugers liegenden negativen Wert ab, so daß die Flutelektronen abgestoßen werden und nicht auf die erste dielektrische Speicherschicht 40 auftreffen können. Dies führt dazu, daß das durch die strichpunktierte Kurve 84 dargestellte Potential auf dem Dielektrikum infolge Ungleichmäßigkeiten des Targets, Beaufschlagung mit positiven Ionen, inneren Ladungsverschiebungen usw. in unbeständiger und unkontrollierbarer Weise sich ändert, da die Aufrechterhaltung eines stabilen Potentials durch die auf die dielektrische Speicherschicht 40 auftreffenden Flutelektronen nicht mehr vorhanden ist. Wenn das erste Target-Spannungssignal 62 um Δ V von dem durch den Kurventeil 82 dargestellten Potential auf den niedrigeren Wert 88 abgesenkt wird, wird das durch die strichpunktierte Kurve 84 dargestellte Oberflächenpotential der dielektrischen Speicherschicht 40 um einen entsprechenden Betragt V1 auf ein niedrigeres Niveau 92 von unbestimmter Höhe gesenkt. Da das niedrige Niveau 92 der unbeschriebenen Bereiche der ersten dielektrischen Speicherschicht 40 sich ändert und einen ungewissen Wert hat, wie durch einen Pfeil 93 dargestellt ist, werden auf das zweite Speichertarget 14 Ladungsbilder geringer Qualität übertragen, wenn das mit 94 bezeichnete Ladungsbild-Potential der beschriebenen Bereiche der ersten dielektrischen Speicherschicht 40 nur einige Zehntel Volt größer als das niedrige Niveau 92 der unbeschriebenen Hintergrundbereiche ist. Daher können beimAs shown in FIG. 3A, during operation of the transfer storage tube according to the older proposal, the surface potential of the first dielectric storage layer 40 represented by the dash-dotted curve 84 drops to a negative value below the zero volt potential of the cathode 46 of the electron flood generator so that the flood electrons are repelled and cannot strike the first dielectric storage layer 40. As a result, the potential shown by the dash-dotted curve 84 on the dielectric as a result of irregularities in the target, exposure to positive ions, internal charge shifts, etc. changes in an inconsistent and uncontrollable manner, since the maintenance of a stable potential by the dielectric storage layer 40 impinging tide electrons is no longer available. If the first target voltage signal 62 is lowered by Δ V from the potential represented by the curve part 82 to the lower value 88, the surface potential of the dielectric storage layer 40 represented by the dash-dotted curve 84 is reduced by a corresponding amount V 1 to a lower level 92 lowered from an indefinite height. Since the low level 92 of the unwritten areas of the first dielectric storage layer 40 changes and has an uncertain value, as shown by an arrow 93, charge images of poor quality are transferred to the second storage target 14 if the charge image potential denoted by 94 corresponds to the described Areas of the first dielectric storage layer 40 is only a few tenths of a volt greater than the low level 92 of the unwritten background areas. Therefore, the
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- 12 - 23Ü3Ü9A- 12 - 23Ü3Ü9A
Betrieb nach dem älteren Vorschlag Bilder niedriger Spannung nicht auf das zweite Speichertarget 14 übertragen werden, ohne daß gleichzeitig das Potential der unbeschriebenen Hintergrundbereiche des ersten Speichertargets 12 mit übertragen wird. Dies führt zu einer teilweisen Löschung der Bilder niedriger Spannung auf dem zweiten Speichertarget 14.Operation according to the older suggestion, low voltage images do not be transferred to the second memory target 14 without at the same time the potential of the unwritten background areas of the first memory target 12 is also transmitted. this leads to a partial erasure of the low voltage images on the second storage target 14.
Um dieser Schwierigkeit zu begegnen, werden, wie in Fig. 2 dargestellt ist, der ersten Target-Elektrode 42 während des Vorbereitungszeitabschnittes erfindungsgemäß eine Vielzahl von positiven Stabilisierungsimpulsen 96 zugeführt. Die Stabilisierungsimpulse 96 können eine Amplitude von etwa + 100 V haben und sind einem durch den Kurvejiteil 82 dargestellten, an der ersten Target-Elektrode 42 während dieser Zeit anliegenden Ruhespannungsniveau von + 20 V überlagert. Die Spitzenspannung der Stabilisierungsimpulse 96 beträgt somit + 120 V, also mehr als die Spannung im ersten Eins-Durchgang 76 der ersten dielektrischen Speicherschicht 40. Wie in Fig. 3B dargestellt ist, bewirken die Stabilisierungsimpulse 96 infolge kapazitiver Kopplung ein kurzzeitiges Ansteigen des durch eine strichpunktierte Kurve 84· dargestellten Oberflächenpotentials der ersten dielektrischen Speicherschicht 40 auf eine Spannung, die oberhalb der Spannung im ersten Eins-Durchgang 76 liegt. Dies führt dazu, daß während der Dauer der Stabilisie*- rungsimpulse 96 die erste dielektrische Speicherschicht 40 durch die Flutelektronen positiv auf Potentialabschnitte 98 aufgeladen wird. Der Effekt dieses "Netzüberzuges" von positiver Aufladung (Potentialabschnitte 98) während der Stabilisierungsimpulse 96 und von negativer Aufladung (mit 100 bezeichnete Zwischenpotentialabschnitte) zwischen den Stabilisierungsimpulsen 96 ist der, daß die erste dielektrische Speicherschicht 40 unmittelbar vor dem Beschreiben eine Gleichgewichts-Vorbereitungsspannung 102 erreicht, die gegenüber dem Null-Volt-Potential der Kathode 46 des Elektronenfluterzeugers 44 positiv ist. Daher treffen die Flutelektronen weiterhin auf die dielektrische Speicherschicht auf und stabilisieren diese Vorbereitungsspannung. Das Ergebnis davon ist, daß die stabilisierte Vorbereitungsspannung 102 im Schreibzeitpunkt im wesentlichen auf dem gleichen Wert gehalten wird, ohne RücksichtTo counter this problem, as shown in FIG is, the first target electrode 42 during the preparation period according to the invention a plurality of positive Stabilization pulses 96 supplied. The stabilization pulses 96 can have an amplitude of about + 100 V and are one represented by the curve part 82, at the first target electrode 42 during this time the open-circuit voltage level of + 20 V is superimposed. The peak voltage of the stabilization pulses 96 is thus + 120 V, that is to say more than the voltage in the first one-passage 76 of the first dielectric storage layer 40. As shown in Figure 3B, the stabilization pulses operate 96, due to capacitive coupling, a brief increase in the surface potential represented by a dash-dotted curve 84 · of the first dielectric storage layer 40 a voltage that is above the voltage in the first one-passage 76. This leads to the fact that during the period of stabilization * - tion pulses 96 through the first dielectric storage layer 40 the flood electrons are positively charged to potential sections 98. The effect of this "mesh coating" of positive charging (Potential sections 98) during the stabilization pulses 96 and from negative charging (intermediate potential sections designated by 100) between the stabilization pulses 96 is that the first dielectric storage layer 40 immediately before the Describing an equilibrium preparatory voltage 102 reached, the opposite of the zero volt potential of the cathode 46 of the electron flood generator 44 is positive. The flood electrons therefore continue to strike the dielectric storage layer and stabilize this preparatory tension. The result of this is that the preparatory voltage 102 stabilized at the time of writing is held at essentially the same value regardless of the matter
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darauf, wann das Schreiben stattfindet. Das bedeutet, daß das Potential der unbeschriebenen Bereiche der ersten dielektrischen Speicherschicht 40 umAV auf ein ebenfalls im wesentlichen konstantes niedrigeres Niveau 92' absinkt, wenn das Potential der ersten Target-Elektrode 42 um Δ V auf den für die übergabe des Ladungsbildes geeigneten niedrigeren Wert 88 abgesenkt wird. Daher können extrem niedrige Ladungsbildpotentiale 94' auf das zweite Speichertarget 14 übertragen werden, ohne daß gleichzeitig das Potential mit dem niedrigen Niveau 92' der unbeschriebenen Target-Bereiche mitübertragen wird. Amplitude, Breite und Frequenz der Stabilisierungsimpulse 96 können verschiedenste Größen haben, wobei sich allerdings herausgestellt hat, daß ein Puls mit einer Impulsbreite von etwa 2 MikroSekunden und einer Frequenz von 100 Hz bzw. einer Periodendauer von 10 Millisekunden ausreichend ist. Diese Werte haben sich als geeignet erwiesen, um eine stabilisierte Vorbereitungsspannung 102 in der Größenordnung von etwa + 0,1 V bezüglich der geerdeten Kathode 46 des Elektronenfluterzeugers 44 zu erzeugen.on when the writing takes place. This means that the potential of the unwritten areas of the first dielectric Storage layer 40 µmAV to a likewise substantially constant one lower level 92 'drops when the potential of the first target electrode 42 by Δ V to the level for the transfer of the Charge image suitable lower value 88 is lowered. Therefore, extremely low charge image potentials 94 'can be applied to the second Storage target 14 are transmitted without simultaneously the potential with the low level 92 'of the unwritten target areas is also transmitted. The amplitude, width and frequency of the stabilization pulses 96 can have a wide variety of sizes, with However, it has been found that a pulse with a pulse width of about 2 microseconds and a frequency of 100 Hz or a period of 10 milliseconds is sufficient. These values have proven to be suitable for a stabilized Preparation voltage 102 in the order of magnitude of approximately + 0.1 V with respect to the grounded cathode 46 of the electron flood generator 44 to generate.
In Fig. 4 ist dargestellt, wie nach einer weiteren Ausfuhrungsform der vorliegenden Erfindung zu Beginn des VorbereitungsZeitabschnittes Tl des ersten Speichertargets 12 eine Vielzahl von Hochfrequenz-Stabilisierungsimpulsen 104 vorgesehen ist. Die Hochfrequenz-Stabilisierungsimpulse 104 haben eine höhere Frequenz als die übrigen Stabilisierungsimpulse 96, die dem ersten Speichertarget 12 während des Restes des Vorbereitungszeitabschnittes Tl zugeführt werden. Die Frequenz der Hochfrequenz-Stabilisierungsimpulse 104 kann etwa das Hundertfache der Frequenz der Stabilisierungsimpulse 96 betragen, wobei die Hochfrequenz-Stabilisierungsimpulse 104 die gleiche Breite und Amplitude wie die Stabilisierungsimpulse 96 haben können. Dadurch wird erreicht, daß das Potential der ersten dielektrischen Speicherschicht 40 schneller die Gleichgewichts-Vorbereitungsspannung 102 erreicht und damit ein früheres Schreiben ermöglicht. Es sei noch bemerkt, daß nicht nur rechteckige Stabilisierungsimpulse 96 benutzt werden können, sondern daß Impulse jeder beliebigen geeigneten Kurvenform benutzt werden können, solange nur ihre Amplitude die SpannungIn Fig. 4 it is shown how according to a further embodiment of the present invention at the beginning of the preparation period Tl of the first memory target 12, a plurality of high-frequency stabilization pulses 104 is provided. The high frequency stabilization pulses 104 have a higher frequency than the other stabilization pulses 96 that the first memory target 12 are supplied during the remainder of the preparation period Tl. The frequency of the high frequency stabilization pulses 104 may be approximately one hundred times the frequency of the stabilization pulses 96, with the radio frequency stabilization pulses 104 can have the same width and amplitude as the stabilization pulses 96. This ensures that the Potential of the first dielectric storage layer 40 reaches the equilibrium preparation voltage 102 more quickly and thus enables earlier writing. It should also be noted that not only rectangular stabilization pulses 96 can be used, but that pulses of any suitable waveform can be used as long as their amplitude is the voltage
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des ersten Eins-Durchgangs 76 übersteigt.of the first one-pass 76 exceeds.
Es ist offensichtlich, daß die oben beschriebenen bevorzugten Ausführ ungs formen der vorliegenden Erfindung in ihren Einzelheiten vielfach abgeändert werden können. Z. B. können Verfahren und Vorrichtung der vorliegenden Erfindung auch bei konventionellen Speicherröhren mit einem einzelnen Speichertarget verwendet werden, um die Qualität des auf dem Leuchtschirm wiedergegebenen Leuchtbildes durch die VErbesserung des Kontrastes zu den unbeschriebenen Hintergrundbereichen zu erhöhen.It is obvious that the preferred embodiments described above Forms of the present invention can be varied in their details in many ways. For example, the method and apparatus of the present invention can also be used with conventional storage tubes with a single storage target, about the quality of the luminous image displayed on the luminescent screen by improving the contrast to the unwritten ones Increase background areas.
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8131 | Rejection |