DE1272370B

DE1272370B - Storage method for a cathode ray tube operating with bistable charge image storage

Info

Publication number: DE1272370B
Application number: DEP1272A
Authority: DE
Inventors: James Joseph Donoghue; Richard B Mcmillan Jun
Original assignee: Tektronix Inc
Current assignee: Tektronix Inc
Priority date: 1964-01-13
Filing date: 1965-01-09
Publication date: 1968-07-11
Also published as: NL146979B; GB1085811A; FR1422475A; JPS5245187B1; US3413513A; NL6500398A; CH421314A

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLANDFEDERAL REPUBLIC OF GERMANY

DEUTSCHESGERMAN

PATENTAMTPATENT OFFICE

AUSLEGESCHRIFTEDITORIAL

Int. Cl.:Int. Cl .:

GlIcGlIc

Deutsche Kl.: 21 al - 37/46 German class: 21 al - 37/46

Nummer: 1272 370Number: 1272 370

Aktenzeichen: P 12 72 370.5-53 (T 27786)File number: P 12 72 370.5-53 (T 27786)

Anmeldetag: 9. Januar 1965Filing date: January 9, 1965

Auslegetag: 11. Juli 1968Opening day: July 11, 1968

Einleitend soll zunächst kurz das prinzipielle Arbeiten einer bistabilen Speicherröhre erläutert werden: Die vom Schreibstrahlsystem auf die sowohl der Speicherung eines Ladungsbildes als auch der Sichtbarmachung dieses Bildes dienende Phosphorschicht geschossenen Elektronen lösen aus der Phosphorschicht durch Sekundärelektronenemission mehr Elektronen aus, als hineingeschossen werden. Dadurch werden die beschossenen, d. h. beschriebenen Gebiete positiv, während nicht beschossene Gebiete zunächst neutral sind. Zusätzlich wird das ganze Speicherdielektrikum von langsamen Flutoder Rieselelektronen beschossen. Die vom Schreibstrahl positiv gemachten Stellen ziehen die langsamen Hutelektronen stärker an als die nicht beschriebenen Stellen und beschleunigen sie also stärker. Durch diese Beschleunigung können auch die entsprechend beschleunigten Flutelektronen ihrerseits aus den positiven Gebieten Sekundärelektronen herausschlagen. Auf diese Weise werden die einmal beschriebenen, d. h. positiv gemachten Stellen auf positivem Potential gehalten, während die nicht beschriebenen Stellen durch die Flutelektronen auf einem leicht negativem Potential bleiben und dadurch weitere Flutelektronen darin hindern, so stark beschleunigt zu werden, daß sie auch an diesen nicht beschriebenen Stellen eine so starke Sekundärelektronenemission bewirken können, daß auch diese nicht beschriebenen Gebiete positiv würden. Das Beschießen mit Flutelektronen bewirkt also primär, daß die Grenzen zwischen positiven und negativen, d. h. beschriebenen und nicht beschriebenen Gebieten auf dem Speicherdielektrikum sich nicht verwischen können.To begin with, the basic operation of a bistable storage tube should first be briefly explained are: The from the write beam system to both the storage of a charge image and the The phosphor layer used to make this image visible release electrons from the shot Phosphor layer emits more electrons than are shot in through secondary electron emission. As a result, the bombarded, i. H. areas described positively, while not fired at Areas are initially neutral. In addition, the entire storage dielectric is slowly flooded or Trickle electrons shot at. The places made positive by the writing beam pull the slow ones Hat electrons more strongly than the places not described and thus accelerate them stronger. This acceleration can also cause the correspondingly accelerated tide electrons for their part, secondary electrons knock out of the positive areas. Be that way those once described, d. H. bodies made positive are kept at positive potential, while the places not described remain on a slightly negative potential due to the flood electrons and thereby Prevent further tide electrons from being accelerated so strongly that they do not pass through them either described locations can cause such a strong secondary electron emission that these too areas not described would be positive. The bombardment with flood electrons thus primarily causes that the boundaries between positive and negative, i.e. H. areas described and not described cannot smudge on the storage dielectric.

Für das Verständnis der vorliegenden Erfindung ist der Begriff der sogenannten kritischen Spannung oder des kritischen Potentials wichtig: Es gibt offensichtlich eine kritische Potentialdifferenz zwischen den Flutelektronenkathoden und der Oberfläche des Dielektrikums, bei welcher das Sekundärelektronenemissionsverhältnis gerade Eins ist. Wenn diese Potentialdifferenz unter dem kritischen Wert liegt, dann können auftreffende Elektronen kein Ladungsbild speichern, weil so wenig Sekundärelektronen erzeugt werden, daß die positiven Löcher die leicht negative Gesamtladung der Schicht nicht überwinden können. Ist aber dieses Potential größer als die kritische Spannung, dann bewirken alle auftreffenden Elektronen, also auch die Flutelektronen, eine so starke Sekundärelektronenemission, daß die ganze Schicht während der vielen erzeugten positiven Löcher positiv wird. Im praktischen Fall wird derFor the understanding of the present invention, the term is the so-called critical stress or the critical potential important: there is obviously a critical potential difference between the flood electron cathodes and the surface of the dielectric at which the secondary electron emission ratio is just one. If this potential difference is below the critical value, then the impinging electrons cannot show any charge because so few secondary electrons are generated that the positive holes die easily negative overall charge of the layer cannot overcome. But is this potential greater than that critical voltage, then all impacting electrons, including the tide electrons, cause one so strong secondary electron emission that the whole layer produced positive during the many Holes becomes positive. In the practical case, the

Speicherverfahren für eine mit bistabiler
Ladungsbildspeicherung arbeitende
KathodenstrahlröhreStorage method for one with bistable
Charge image storage working
cathode ray tube

Anmelder:Applicant:

Tektronix, Inc., Beaverton, Oreg. (V. St. A.)Tektronix, Inc., Beaverton, Oreg. (V. St. A.)

Vertreter:Representative:

Dipl.-Ing. K. A. Brose, Patentanwalt,Dipl.-Ing. K. A. Brose, patent attorney,

8023 Pullach, Wiener Str. 28023 Pullach, Wiener Str. 2

Als Erfinder benannt:
James Joseph Donoghue, Portland, Oreg.;
Richard B. McMillan jun., Tigard, Oreg.
(V. St. A.)Named as inventor:
James Joseph Donoghue, Portland, Oreg .;
Richard B. McMillan Jr., Tigard, Oreg.
(V. St. A.)

Beanspruchte Priorität:Claimed priority:

V. St. v. Amerika vom 13. Januar 1964 (337 370)V. St. v. America January 13, 1964 (337 370)

Leuchtschirm eines entsprechend ausgebildeten Oszillographen auf der ganzen Fläche gleichmäßig hell.
Will man bei einem solchen Betriebsverfahren ein Ladungsbild speichern, dann muß man das Potential zwischen Flutelektronenkathoden und dem Speicherdielektrikum auf einem gerade unterhalb des kritischen Wertes liegenden Betrag erhalten, damit an den nur mit Flutelektronen beschossenen Stellen kein positives Ladungsbild sich aufbaut, während an den stärker beschossenen Stellen, das sind also die auch mit dem Schreibstrahl beschossenen Stellen, sich ein positives Potential bilden kann.The fluorescent screen of a correspondingly designed oscilloscope is evenly bright over the entire surface.
If you want to store a charge image in such an operating method, then you have to maintain the potential between the flood electron cathode and the storage dielectric at an amount just below the critical value, so that a positive charge image does not build up at the areas that are only bombarded with flood electrons, while at the more heavily bombarded areas Places, that is, the places that are also bombarded with the writing beam, a positive potential can form.

Offensichtlich ist es dabei zum Bewirken des Speicherns, d. h. eines positiven Ladungsbildes entsprechend der Spur des Schreibstrahls erforderlich, daß auf die vom Schreibstrahl getroffenen Stellen eine gewisse Mindestzahl von schnellen Elektronen auffällt, um diese Gebiete überhaupt positiv machen zu können, da ja das ganze Dielektrikum zunächst unterhalb des kritischen Potentials liegt. Damit ist offensichtlich der Schreibgeschwindigkeit eine Grenze gesetzt: Wenn der Schreibstrahl sehr schnell über das Dielektrikum fahren wird, dann fallen möglicherweise nur so wenige Schreibstrahlelektronen auf die zu beschreibenden Stellen, daß diese wenigen Schreibstrahlelektronen nicht ausreichen, die ent-Obviously, in order to effect the storage, it is d. H. a positive charge image is required according to the trace of the write beam, that a certain minimum number of fast electrons on the points hit by the writing beam noticeable in order to be able to make these areas positive at all, since the whole dielectric initially is below the critical potential. So the writing speed is obviously a limit set: If the writing beam will move very quickly over the dielectric, then it may fall only so few write beam electrons at the places to be written on that these few Write beam electrons are not sufficient

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sprechenden Stellen auf ein positives und daher speicherbares Potential zu heben.speaking places on a positive and therefore to raise storable potential.

Um diesem Mangel abzuhelfen, ist (aus der japanischen Patentschrift 11519/1961) ein Steuerverfahren für eine bistabile Speicherröhre bekannt, bei dem wie folgt vorgegangen wird: Zunächst ist das Potential zwischen Flutelektronenkathoden und Dielektrikum relativ niedrig, so daß ein schneller Schreibstrahl nicht so viele Elektronen auf eine Flächeneinheit schießen würde, daß das Potential an den beschossenen Stellen positiv werden kann. Bei dem bekannten Verfahren wird nun gleichzeitig mit dem Anliegen des zu speichernden Signals ein Aktivierungsimpuls zwischen die Flutelektronenkathoden und das Speicherdielektrikum, d. h. die dahinterliegende Elektrode gelegt, der das Potential des ganzen Dielektrikums auf einen ganz wenig unter dem kritischen Potential liegenden Wert hebt. Dabei wird also erreicht, daß offensichtlich bereits relativ wenige Schreibstrahlelektronen die beschossenen Stellen positiv machen können, wodurch auch das Speichern von schnellen Signalen möglich ist. Der Grund, warum man bei den bekannten Verfahren das Potential des Dielektrikums jeweils nur kurzzeitig anhebt und nicht — was apparativ viel einfacher wäre — das Potential dauernd auf dem nur wenig unter dem kritischen Potential liegenden Wert hält, ist dieser: Jedes Rauschen und jede zufällige Häufung von den statistisch verteilt ankommenden Flutelektronen würde dann gespeichert, wenn durch solche unvermeidbare Häufungen an bestimmten Stellen das kritische Potential überschritten würde.In order to remedy this shortcoming, there is a control method (from Japanese Patent Publication 11519/1961) known for a bistable storage tube, in which the procedure is as follows: First, this is Potential between flood electron cathodes and dielectric relatively low, so that a faster The write beam would not shoot so many electrons onto a unit of area that the potential would the fired areas can be positive. In the known method is now simultaneously with the presence of the signal to be stored, an activation pulse between the flood electron cathodes and the storage dielectric, d. H. the electrode located behind it, which shows the potential of the entire dielectric to a value that is a little below the critical potential. Included it is thus achieved that obviously already relatively few write beam electrons are bombarded Can make digits positive, which means that fast signals can also be saved. Of the Reason why the potential of the dielectric is only briefly used with the known methods and not - which would be much simpler in terms of apparatus - the potential only permanently holds a value that is little below the critical potential, is this: Every noise and every random Accumulation of the statistically distributed incoming tide electrons would then be stored when through such unavoidable accumulations at certain points would exceed the critical potential.

Bei dem Vorgehen nach dem bekannten Verfahren ist es aber besonders schwierig, die Höhe des Aktivierungsimpulses einzustellen und vor allem die Amplitude dieses Aktivierungsimpulses längere Zeit bezüglich des kritischen Potentials konstant zu halten, so daß also bei dem bekannten Verfahren ein ständiges Nacheichen erforderlich ist. Dies kommt prinzipell daher, daß bei dem bekannten Verfahren praktisch nur mit einer Erhöhung der Empfindlichkeit gearbeitet wird.When proceeding according to the known method, however, it is particularly difficult to determine the height of the Set activation pulse and especially the amplitude of this activation pulse for a longer time to keep constant with respect to the critical potential, so that a constant Re-verification is required. In principle, this is due to the fact that in the known method practically only an increase in sensitivity is used.

Die Aufgabe der Erfindung besteht gegenüber dem Stand der Technik darin, ein Speicherverfahren für eine mit bistabiler Ladungsbildspeicherung arbeitende Kathodenstrahlröhre zu schaffen, bei dem ebenfalls sehr schnelle Signale aufgezeichnet werden können, bei dem aber eine Nacheichung der bekannten Aktivierungsimpulse nicht erforderlich ist.The object of the invention is compared to the prior art is to provide a storage method for to create a cathode ray tube operating with bistable charge image storage, in which very fast signals can also be recorded, but this requires recalibration of the known Activation impulses is not required.

Zur Lösung dieser Aufgabe geht die Erfindung aus von einem Speicherverfahren für eine mit bistabiler Ladungsbildspeicherung arbeitende Kathodenstrahlröhre, deren Speicherdielektrikum mit schnellen Schreibstrahlelektronen und langsamen Flutelektronen beschossen wird, bei welchem zur Ermöglichung einer hohen Schreibgeschwindigkeit (d. h. bistabile Speicherung von mit geringem Schreibstrahlelektronenstrom erzeugten Ladungsbildern) die Spannung zwischen Flutelektronenkathode und dem Speicherdielektrikum, die den nicht beschriebenen Stellen des Dielektrikums ein unterhalb des bistabile Speicherung ermöglichenden, kritischen Wertes liegendes Potential verleiht, zu Beginn des zu speichernden Signals kurzzeitig erhöht wird, und besteht darin, daß die Spannung zwischen der Flutelektronenkathode und dem Speicherdielektrikum bei Beginn des Beschüsses mit den schnellen Schreibstrahlelektronen auf ein Potential (Vp) erhöht wird, dessen Betrag den Betrag des kritischen Potentials (VCr₁) wesentlich überschreitet und daß diese das Potential des ganzen Dielektrikums zunächst anhebende Spannung wieder unter den dem kritischen Potential (FcT₁) entsprechenden Betrag abgesenkt wird, sobald die vom Schreibstrahl getroffenen Stellen des Dielektrikums das kritische Potential (VcrJ überschritten haben und die nicht vom Schreibstrahl getroffenen Stellen das kritische Potential noch nichtTo solve this problem, the invention is based on a storage method for a cathode ray tube operating with bistable charge image storage, the storage dielectric of which is bombarded with fast write beam electrons and slow flood electrons, in which the voltage is applied to enable a high writing speed (i.e. bistable storage of charge images generated with a low write beam electron current) between the flood electron cathode and the storage dielectric, which gives the unspecified points of the dielectric a potential below the bistable storage enabling, critical value, is briefly increased at the beginning of the signal to be stored, and consists in that the voltage between the flood electron cathode and the storage dielectric at Beginning of the bombardment with the fast write beam electrons to a potential (Vp) is increased, the amount of which the amount of the critical potential _{(VCr 1} ) substantially over occurs and that this voltage, which initially increases the potential of the entire dielectric, _{is lowered again below the amount corresponding to the critical potential (FcT 1} ) as soon as the points of the dielectric hit by the write beam have exceeded the critical potential (VcrJ and the points not hit by the write beam have exceeded the critical potential not yet

ίο erreicht haben.ίο have achieved.

Gegenüber dem bekannten Verfahren zur Aufzeichnung schneller Vorgänge besteht ein grundsätzlicher Unterschied: Es wird nicht das Potential des Dielektrikums kurzzeitig angehoben, um das Dielektrikum empfindlicher zu machen, so daß mit größerer Schreibgeschwindigkeit gearbeitet werden kann, sondern es wird das ganze Speicherdielektrikum mit Absicht über das kritische Potential angehoben, so daß man eigentlich erwarten müßte, daßCompared to the known method for recording rapid processes, there is a fundamental one Difference: The potential of the dielectric is not increased for a short time in order to achieve the To make dielectric more sensitive, so that you can work with greater writing speed can, but the entire storage dielectric is intentionally raised above the critical potential, so that one should actually expect that

ao nach diesem kurzzeitigen Anheben des Potentials des Speicherdielektrikums dessen ganze Oberfläche positiv geladen würde. Das Vorgehen nach der Erfindung ist möglich, weil erkannt worden ist, daß die Geschwindigkeit, mit welcher positive Stellen des Speicherdielektrikums stärker positiv werden, vom Potential der entsprechenden Stellen abhängt, und zwar in dem Sinn, daß stärker positive Stellen schneller weiter positiv werden als weniger stark positiv geladene Stellen. Es wird also, ausgehend von dieser Erkenntnis, nach der Erfindung wie folgt gearbeitet:ao after this brief increase in the potential of the Storage dielectric whose entire surface would be positively charged. The procedure according to the invention is possible because it has been recognized that the speed with which positive digits of the Storage dielectric are more positive, depends on the potential of the corresponding locations, and in the sense that more positive points become more positive more quickly than less strongly positively charged places. Based on this knowledge, it becomes as follows according to the invention worked:

Das ganze Dielektrikum wird auf ein Potential erhöht, auf dem es eigentlich auf seiner ganzen Fläche positiv werden müßte. Die Gebiete, die vom Schreibstrahl getroffen werden, werden stärker positiv als die nicht vom Schreibstrahl getroffenen, und dann wird anschließend das Potential wieder stark gesenkt, und zwar derart, daß die beschossenen Gebiete über dem kritischen Potential bleiben, während die nicht vom Schreibstrahl getroffenen Gebiete wieder unter dieses Potential geholt werden, so daß also dort keine Speicherung einer positiven Ladung stattfinden kann.The whole dielectric is raised to a potential at which it is actually at its whole Area would have to be positive. The areas hit by the writing beam become stronger positive than those not struck by the writing beam, and then the potential becomes again afterwards greatly reduced, in such a way that the bombarded areas remain above the critical potential while the areas not hit by the writing beam be brought back below this potential, so that there is no storage of a positive charge can take place.

In einer besonders zweckmäßigen Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, daß man während der Zeit, während welcher Schreibstrahlelektronen auf dem Speicherdielektrikum zur Erzeugung eines zu speichernden Bildes auftreffen, keine Flutelektronen auf das Speicherdielektrikum fallen läßt. Durch dies Abschalten des Flutelektronenstrahler beim Schreiben ist das Anfangspotential des Dielektrikums vor der Anlage des Aktivierungsimpulses größer als im Normalfall. Dadurch ergibt die Anlage des Aktivierungsimpulses eine größere Erhöhung des Potentials des Dielektrikums, als ohne Abschaltung der Flutelektronenkathoden möglich wäre, wodurch man eine noch größere Schreibgeschwindigkeit erreicht, d. h. also, es können noch schnellere Signale mit noch weniger Schreibelektronen pro Dielektrikum-Flächeneinheit aufgezeichnet werden.In a particularly useful embodiment of the invention it is provided that one during the Time during which write beam electrons on the storage dielectric to generate a impinge storing image, does not allow flood electrons to fall on the storage dielectric. Through this Turning off the flood electron gun when writing is the initial potential of the dielectric before the installation of the activation impulse is greater than in the normal case. This results in the application of the activation pulse a greater increase in the potential of the dielectric than without switching off the flood electron cathodes would be possible, whereby one achieves an even higher writing speed, i. H. So, even faster signals can be used even fewer write electrons are recorded per dielectric area unit.

Weitere besondere Ausgestaltungen des erfindungS'-gemäßen Verfahrens sind in den Ansprüchen 3 bis 6 beschrieben.
Im folgenden wird die Erfindung unter Hinweis auf die Zeichnung erläutert. In dieser zeigtFurther particular embodiments of the method according to the invention are described in claims 3 to 6.
In the following the invention is explained with reference to the drawing. In this shows

Fig. 1 eine schematische Darstellung einer Vorrichtung, bei der das Verfahren gemäß der Erfindung anwendbar ist,Fig. 1 is a schematic representation of a device, in which the method according to the invention is applicable,

F i g. 2 eine Darstellung der an die Kathoden der Flutelektronenstrahler angelegten Spannung für die Speicherröhre nach Fig. 1,F i g. 2 shows the voltage applied to the cathodes of the flood electron guns for the Storage tube according to Fig. 1,

F i g. 3 eine schematische Darstellung einer weiteren Ausführung einer Schaltung zum Betrieb der Flutelektronenstrahler für die Röhre nach Fig. 1 mit automatischer Triggerung,F i g. 3 shows a schematic representation of a further embodiment of a circuit for operating the Flood electron emitter for the tube according to Fig. 1 with automatic triggering,

F i g. 4 die Form der an die Kathode und das Steuergitter der Flutelektronenstrahler nach F i g. 3 gelegten Spannung undF i g. 4 shows the shape of the cathode and the control grid of the flood electron guns according to FIG. 3 laid tension and

F i g. 5 A und 5 B Darstellungen von Wellenformen verschiedener Impulse zur Erhöhung der Schreibgeschwindigkeit, die an die Kathoden der Strahler nach F i g. 1 angelegt werden können; es sind auch die Potentiale der beschriebenen und nicht beschriebenen Targetfläche dargestellt, die durch diese Verstärkerimpulse erzielt werden.F i g. 5 A and 5 B representations of waveforms different impulses to increase the writing speed, which are sent to the cathodes of the emitters according to FIG. 1 can be created; there are also the potentials of the described and not described Target area shown, which are achieved by these amplifier pulses.

Eine Vorrichtung, bei der das Verfahren gemäß der Erfindung zur Speicherung von Impulsen anwendbar ist, ist in F i g. 1 dargestellt. Die Anlage weist eine herkömmliche bistabile Speicherröhre 10 oder eine bistabile Speicherröhre zur unmittelbaren Darstellung von Impulsen u. dgl. auf. Die darzustellenden elektrischen Signale werden an zwei vertikalen Ablenkplatten 12 angelegt, von denen mindestens eine mit einer Eingangsklemme 14 verbunden ist, und zwar über einen Vertikalverstärker 16 und einen für zwei Schaltstellungen ausgelegten Wählschalter 18. Der bewegliche Kontakt des Wählschalters 18 ist in »Schreib«-Stellung gezeigt, um das Eingangssignal während des Schreibvorgangs an die vertikalen Ablenkplatten der Speicherröhre zu legen. In der Röhre sind auch zwei horizontale Ablenkplatten 20 angeordnet und mit einem horizontalen Ablenkgenerator 22 über einen zweiten Wählschalter 24 verbunden, dessen beweglicher Kontakt mit dem des Schalters 18 zur gleichsinnigen Bewegung verbunden ist. Der horizontale Kippgenerator 22 legt das bekannte Sägezahnsignal an die horizontalen Ablenkplatten 20, wenn der Wählschalter 24 in der dargestellten Lage ist. Als Ergebnis hiervon wird eine Speicherschicht 26 (im folgenden und vorausgehenden immer als »Target« bezeichnet) an einem Ende der Röhre 10 von einem schmalen Strahl schneller Schreibelektronen beschossen, die von einer Kathode 28 am anderen Ende dieser Röhre kommen. Der Schreibstrahl wird vermöge der an die horizontalen und vertikalen Ablenkplatten gelegten Signale abgelenkt, so daß er ein Ladungsbild auf dem Speicherdielektrikum des Targets erzeugt, welches der Wellenform der an die Klemme 14 angelegten Eingangssignale entspricht.A device in which the method according to the invention can be used for storing pulses is, is in FIG. 1 shown. The system comprises a conventional bistable storage tube 10 or a bistable storage tube for the immediate display of pulses and the like. The ones to be represented electrical signals are applied to two vertical baffles 12, at least of which one is connected to an input terminal 14, through a vertical amplifier 16 and one for two switch positions designed selector switch 18. The movable contact of the selector switch 18 is in "Write" position shown to send the input signal to the vertical while writing To lay baffles of the storage tube. There are also two horizontal baffles 20 in the tube arranged and with a horizontal deflection generator 22 via a second selector switch 24 connected, whose movable contact is connected to that of the switch 18 for movement in the same direction is. The horizontal tilt generator 22 applies the well known sawtooth signal to the horizontal baffles 20 when the selector switch 24 is in the position shown. As a result, a Storage layer 26 (always referred to as "target" in the following and above) at one end The tube 10 is bombarded by a narrow beam of faster writing electrons emanating from a cathode 28 at the other end of this tube. The writing beam is due to the horizontal and vertical deflection plates deflected signals placed so that it forms a charge image on the storage dielectric of the target, which of the waveforms of the input signals applied to terminal 14 is equivalent to.

Wenn die Stromdichte des von der Kathode 28 ausgesendeten Schreibstrahles hoch genug ist, die Spannungsdifferenz zwischen Kathode und Target 26 entsprechend hoch ist, und wenn fernerhin die Geschwindigkeit des angelegten Kippsignals niedrig genug ist, dann ist das Potential des auf dem Target 26 erzeugten Ladungsbildes so hoch, daß eine bistabile Speicherung dieses Ladungsbildes für eine steuerbare beliebig lange Zeit erzielt wird. Diese bistabile Speicherung wird in bekannter Weise durch im wesentlichen gleichmäßiges Beschießen des Targets mit Elektronen niederer Geschwindigkeit erzielt, die von zwei Flutelektronenstrahlern 30 emittiert werden. Wenn somit das Potential des Ladungsbildes, das vom Schreibstrahl auf dem Speicherdielektrikum des Targets 26 erzeugt wird, die erste Übergangsspannung der Sekundäremissionsrkennlinie des Speicherdielektrikums überschreitet, dann erhöhen die »Halte«- oder Flutelektronen das Potential des Ladungsbildes bis zu einer stabilen Spannung nahe der Spannung der Sammelelektrode des Speichertargets. Gleichzeitig wird derjenige Teil des Dielektrikums, der nicht beschrieben wurde (also der Hintergrund), dessen Potential unter der ersten Übergangsspannung liegt, nach unten in einen stabilen Spannungsbereich gedrückt, der in der Nähe der Spannung der Kathoden 31 der Strahler 30 liegt. Auf diese Weise werden also sämtliche Flächenteile der hinteren Oberfläche des Speichertargets auf einer dieser beiden stabilen Spannungen gehalten. Es ist gefunden worden, daß die tatsächliche »erste Übergangsspannung« sich in Abhängigkeit von dem Feld ändert, das über dem Speicherdielektrikum erzeugt wird, und zwar zumindest bei Phosphortargets, so daß dieser Ausdruck verwendet werden soll, um die geringste Ladespannung zu bezeichnen, die zur Speicherung erforderlich ist; der Wert dieser Spannung kann mit der an der Targetelektrode liegenden Spannung veränderlich sein.If the current density of the write beam emitted by the cathode 28 is high enough, the Voltage difference between cathode and target 26 is correspondingly high, and if furthermore the The speed of the applied tilt signal is low enough, then the potential of the on the target 26 generated charge image so high that a bistable storage of this charge image for one controllable any length of time is achieved. This bistable storage is carried out in a known manner substantially uniform bombardment of the target with low velocity electrons achieved, which are emitted by two flood electron radiators 30. Thus, if the potential of the Charge image that is generated by the write beam on the storage dielectric of the target 26, the first transition voltage of the secondary emission characteristic of the storage dielectric exceeds, then the "hold" or flood electrons increase the potential of the charge image to a stable one Voltage close to the voltage of the collecting electrode of the storage target. At the same time that becomes part of the dielectric that has not been written (i.e. the background), its potential below the first The transition voltage is pushed down into a stable voltage range that is close to the Voltage of the cathodes 31 of the radiators 30 is. In this way, all surface parts of the rear surface of the storage target held on one of these two stable voltages. It is It has been found that the actual "first transition voltage" varies as a function of the field changes that is generated over the storage dielectric, at least in the case of phosphor targets, see above that this term should be used to denote the lowest charge voltage available to the Storage is required; the value of this voltage can match that of the target electrode Tension be changeable.

Das Speicherdielektrikum der Speicherschicht 26 ist in jedem Fall eine dünne Lage aus Phosphormaterial, die dazu dient, sowohl das Ladungsbild bistabil zu speichern als auch das Ladungsbild in ein Lichtbild zur direkten Betrachtung zu verwandeln. Dieses Phosphordielektrikum wird auf einem lichtdurchlässigen elektrisch leitenden Film aus Zinnoxyd gehaltert, welcher auf die hintere Oberfläche der Frontplatte des Röhrenkolbens als Überzug aufgebracht ist. Dieser leitende Film dient als Kollektorelektrode für diejenigen Sekundärelektronen, die von der Phosphorschicht ausgesandt werden wegen der porösen Struktur dieser Schicht, und ist mit einer Targetspannung verbunden, die über einem festen Belastungswiderstand 32 abfällt. Der Belastungswiderstand 32 liegt in Serie mit einem veränderlichen Widerstand 33 zwischen einer positiven Spannungsversorgung von etwa 500VoIt und Erde. Die an den leitenden Film des Speichertargets 26 angelegte Targetspannung wird vermöge des Widerstandes 33 verändert, der den Speisegleichstrom verändert, welcher durch den Belastungswiderstand 32 fließt, so daß die Targetspannung normalerweise im »stabilen Bereich« der Targetspannungen gefahren wird, in welchem eine bistabile Speicherung möglich ist. Dieser konstante Bereich von Targetspannungen ist gleich dem Bereich von Spannungen zwischen der Halteschwelle, unter welcher keine Speicherung möglich ist, und der »Hellspannung«, über welcher das Speichertarget von den Flutelektronen gleichförmig vollständig »beschrieben« wird.The storage dielectric of the storage layer 26 is in any case a thin layer of phosphor material, which serves to store both the charge image bistable and the charge image in to transform a photograph for direct observation. This phosphor dielectric is on a translucent electrically conductive film of tin oxide mounted on the rear surface the front plate of the tubular piston is applied as a coating. This conductive film serves as a Collector electrode for those secondary electrons that are emitted by the phosphor layer because of the porous structure of this layer, and is associated with a target voltage that is above a fixed load resistance 32 drops. The load resistor 32 is in series with a variable one Resistor 33 between a positive voltage supply of about 500VoIt and ground. The target voltage applied to the conductive film of the memory target 26 becomes due to the resistance 33 changes, which changes the direct feed current, which is generated by the load resistor 32 flows, so that the target voltage is normally in the "stable range" of target voltages in which a bistable storage is possible. This constant range of target voltages is equal to the range of voltages between the holding threshold below which no storage is possible and the "bright voltage" above which the storage target of the flood electrons is uniform is completely "described".

Die langsamen Halte- oder Flutelektronen, die von den Kathoden 31 emittiert werden, werden normalerweise durch ein Steuergitter 34 und die Anode 36 der Flutelektronenstrahler auf die Oberfläche des Speichertargets 26 geschossen, nachdem sie mindestens durch eine an der Wand anliegende bandartige Elektrode 38 aus Silber oder anderem leitendem Material getreten sind, welche auf die Innenoberfläche des trichterförmigen Teils des Röhrenkolbens aufgebracht ist. Die bandartige Wandelektrode 38 ist bei normalerweise geerdeter Strahlerkathode 31 auf etwa + 50 Volt vorgespannt, um die Flutelektronen im wesentlichen gleichförmig über die Oberfläche des Speichertargets zu verteilen und um die Flutelektro-The slow hold or flood electrons emitted from the cathodes 31 are normally through a control grid 34 and the anode 36 of the flood electron emitter onto the surface of the storage target 26 shot after at least one tape-like electrode resting on the wall 38 made of silver or other conductive material, which is applied to the inner surface of the funnel-shaped part of the tubular piston is applied. The band-like wall electrode 38 is at normally grounded radiator cathode 31 biased to about + 50 volts to remove the flood electrons in the to be distributed substantially uniformly over the surface of the storage target and to

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nen derart zu richten, daß sie auf das Target im des Ladungsbildes in Richtung nach oben auf die wesentlichen in Richtung der normalen desselben Spannung der Kollektorelektrode zu treiben suchen, auftreffen.. Es ist zwar nur eine bandartige Wand- Es ist auch gefunden worden, daß getrenntenen to be directed so that they are on the target in the charge image in the upward direction on the essentially seek to drive in the direction of the normal same voltage of the collector electrode, It is only a ribbon-like wall. It has also been found that separate

elektrode 38 gezeigt, selbständlich können aber auch Flächen desselben Speichertargets, die anfänglich auf mehrere mit Abstand angeordnete solche bandartige 5 verschiedenen Potentialen waren, mit verschiedenen Wandelektroden vorgesehen werden, die zur noch Geschwindigkeiten durch die Halteelektronen oder genaueren Beeinflussung der Flutelektronen mit ver- Flutelektronen auf höhere Spannungen aufgeladen schiedenem und veränderbarem Potential gespeist werden, wenn die Spannung an den Flutelektronenwerden können. Während somit der Schreibstrahl kathoden unter die erste Übergangsspannung abgeaus schnellen Elektronen in einen engen Strahl kon- io senkt wird, wie in den Fig. 5A, 5B dargestellt ist. zentriert wird, indem man ihn durch ein Steuergitter Das heißt also, daß die Targetflächenabschnitte von 40 und eine aus drei fokussierenden Elementen be- höherer Anfangsspannung, die vom Schreibstrahl stehende Anode 42 treten läßt, so daß der Schreib- getroffen wurden, schneller aufgeladen werden als strahl auf das Target in Form eines kleinen kreis- nicht beschriebene, den Hintergrund darstellende förmigen Fleckes auftrifft, werden die Flutelektronen 15 Flächen von niedrigerer Ausgangsspannung, so daß derart fokussiert, daß sie die ganze Oberfläche des die Spannungsdifferenz zwischen derartigen Target-Targets beschießen. Es ist natürlich auch möglich, flächenteilen mit der Zeit größer wird. Man kann die dargestellten Halteelektronenstrahler durch eine somit unterscheiden zwischen einem Ladungsbild Anordnung zu ersetzen, bei welcher Halteelektronen von sehr niedriger Anfangsspannung und den Hinterin Form eines dem Schreibstrahl ähnlichen Strahles, so grundflächenteilen des Targets, weil diese Flächen aber mit geringerer Geschwindigkeit ausgesendet verschieden schnell geladen werden; man kann also werden und wobei dieser Strahl dann über die Ober- das Ladungsbild speichern, indem man die Kathodenfläche des Speichertargets nach Art der Fernseh- spannung der Flutelektronenstrahler auf Null zubildröhrenabtastung geführt werden, damit in physi- rückholt, nachdem das Potential des Ladungsbildes kaiisch ähnlicher Weise das Ladungsbild gespeichert 25 über die erste Ubergangsspannung gestiegen ist, wowerden kann. bei aber die Potentiale der Flächen, die den HinterWenn ein Eingangssignal von sehr hoher Frequenz grand auf dem Target darstellen, immer noch unter oder ganz besonders kurzer Anstiegszeit an die ver- dieser ersten Übergangsspannung sind. Dadurch tikalen Anlenkplatten 12 gelegt wird, dann ist das kann man die Ladungsbilder von Hochfrequenz-Potential des Ladungsbildes eines solchen Eingangs- 30 Signalen speichern; dieses Phänomen ist besonsignals auf dem Target manchmal unterhalb der ders nützlich beim Speichern schneller Einschaltersten Übergangsspannung, so daß das Ladungsbild vorgänge u. dgl., kann jedoch auch zusammen nicht in normaler Weise gespeichert wird, weil die mit der Ladungsbildintegration zur schnelleren Flutelektronen das Potential nach unten in Richtung Speicherung sich wiederholender Signale verwenauf die Spannung der Kathode der Flutelektronen- 35 det werden.Electrode 38 shown, but also areas of the same memory target that are initially on several spaced such ribbon-like 5 different potentials were, with different Wall electrodes are provided, which are used for even speeds through the holding electrons or more precise influencing of the flood electrons with the flood electrons charged to higher voltages at a different and variable potential when the voltage is applied to the flood electrons can. While the write beam is cathode below the first transition voltage fast electrons are converged into a narrow beam, as shown in FIGS. 5A, 5B. is centered by passing it through a control grid. This means that the target surface sections of 40 and one consisting of three focusing elements with a higher initial voltage generated by the write beam standing anode 42 can occur, so that the write were hit, can be charged faster than beam onto the target in the form of a small circle, not described, representing the background shaped spot strikes, the flood electrons 15 areas of lower output voltage, so that so focused that it covers the entire surface of the voltage difference between such target targets shoot at. It is of course also possible to subdivide the area over time. One can the holding electron emitters shown by a thus differentiate between a charge image To replace arrangement in which holding electrons of very low initial voltage and the back Shape of a beam similar to the write beam, so parts of the base area of the target, because these areas but sent out at a lower speed can be charged at different speeds; so you can and with this beam then over the top store the charge image by touching the cathode surface of the storage target in the manner of the television voltage of the flood electron guns to zero image tube scanning be guided so that in physi- retreats after the potential of the charge image In a similar way, the charge image stored has risen above the first transition voltage can. but the potentials of the areas that represent the rear If an input signal of very high frequency grand on the target is still below or a very particularly short rise time to which this first transition voltage is different. Through this tical articulation plates 12 is placed, then you can see the charge images of high-frequency potential store the charge image of such input signals; this phenomenon is special on the target sometimes below the ders useful when saving quick switch-ons Transition voltage, so that the charge image processes and the like, can, however, also be combined is not stored in the normal way, because the one with the charge image integration for faster Flood electrons use the potential downwards in the direction of storing repetitive signals the voltage of the cathode of the flood electron 35 can be det.

strahler zusammen mit dem Potential der nicht be- Das Verfahren zur Erhöhung der Schreibgeschwin-emitters together with the potential of the

schriebenen Flächen treiben. Es ist nun erkannt wor- digkeit, wie es oben wiedergegeben wurde, wird bei den, daß, wenn die Flut- oder Halteelektronen daran der Vorrichtung nach F i g. 1 durch einen von Hand gehindert werden, das Speichertarget zu beschießen, zu betätigenden Schalter 44 eingeleitet, der drei verwährend die Schreibelektronen auf dem Target das 40 schiedene Schaltstellungen hat und dessen beweg-Ladungsbild erzeugen, ein Anstieg des Potentials licher Kontaktteil mit den Kathoden 31 der Flutdieses Ladungsbildes sich einstellt, welcher meist elektronenstrahler verbunden ist. Der mit »Schreiausreichend ist, um ein solches Ladungsbild bistabil ben« (linke) bezeichnete Kontakt des Schalters 44 ist zu speichern, wenn die Halteelektronen darauf- mit einer positiven Spannungsquelle von etwa folgend das Target wieder beschießen können. Wenn 45 125 Volt über einen Isolationswiderstand 46 verweiterhin das Eingangssignal ein sich wiederholendes bunden, so daß die Flutelektronenstrahler abgeschal-Signal ist, dann ist es möglich, das Potential des tet werden, wenn der Schalter 44 in der linken Ladungsbildes dadurch zu erhöhen, daß man wäh- Schaltstellung ist, da die Steuergitter 34 mit einer rend verschiedener aufeinanderfolgender Perioden negativen Vorspannung von etwa —20 Volt Verbundes Eingangssignals die Flutelektronenstrahler »ab- 50 den sind und die Kathoden der Flutelektronenstrahgeschaltet« läßt, so daß die Ladungsbilder der auf- ler somit umgekehrt mit etwa 145 Volt vorgespannt einanderfolgenden Eingangssignale einander über- sind. Durch diese Maßnahme können die Fluteleklagert werden und deren Potentiale tatsächlich zu- tronen das Speichertarget 26 nicht während der Zeit einander addiert werden, um so das Gesamtpotential beschießen, während welcher der Schreibstrahl von des erzielten Ladungsbildes über die erste Über- 55 der Kathode 28 das Ladungsbild auf dem Speichergangsspannung zu heben. target bildet. In der mittleren Stellung des Schalters Diese Erhöhung des Potentials des Ladungsbildes, 44 sind die Kathoden der Elektronenstrahler an einen die erhalten wird durch Abhalten der Flutelektronen Kondensator 48 gelegt, dessen einer Anschluß an von dem Target während des Schreibens, beruht auf Erde liegt und dessen anderer Anschluß an der Tatsache, daß die Halteelektronen dem Schreib- 60 —75 Volt über einen festen Widerstand 50 und Vorgang entgegenwirken, da sie die Tendenz haben, einen veränderlichen Widerstand 52 (Serienschaldas Potential des Ladungsbildes nach unten auf die tung) liegt. Der Kondensator 48 ist eingangs auf Spannung der Kathoden der Flutelektronenstrahler —70 Volt durch die Widerstände 50 und 52 fließenzu bringen. Diese in der »falschen« Richtung ver- den Strom aufgeladen, so daß durch Verstellen des laufende Wirkung setzt sich fort, bis das Potential 65 Schalters 44 in die mittlere, der Speicherung entdieses Ladungsbildes höher ist als die erste Über- sprechende Stellung die Spannung an den Kathodengangsspannung. Danach unterstützen die Halteelek- Flutelektronenstrahler zunächst auf —70 Volt tronen das Schreiben dadurch, daß sie das Potential kommt. Dadurch werden die Flutelektronenstrahlerdrifting written surfaces. It has now been recognized, as it was reproduced above, is at the fact that when the flood or hold electrons on the device according to F i g. 1 by hand be prevented from bombarding the memory target, initiated switch 44 to be operated, the three halting the writing electrons on the target has 40 different switch positions and its moving charge image generate an increase in the potential of the Licher contact part with the cathodes 31 of the flood Charge image is established, which is usually connected to electron emitters. The contact of switch 44 labeled "Screaming is sufficient to bistable such a charge image" (left) is to save when the holding electrons on it- with a positive voltage source of about can then shoot the target again. If 45 125 volts continue through an insulation resistor 46 the input signal is a repetitive tied, so that the flood electron guns shut-off signal is then it is possible to be the potential of the tet when the switch 44 is in the left To increase charge image that one is wäh- switch position, since the control grid 34 with a rend of different successive periods of negative bias voltage of about -20 volts compound Input signal, the flood electron guns are »switched off and the cathodes of the flood electron beam switched« so that the charge patterns of the fan are reversely biased with about 145 volts successive input signals are above one another. With this measure, the flood can be displaced and their potentials do not actually accede to the memory target 26 during the time are added to each other so as to bombard the total potential during which the write beam of of the charge pattern achieved via the first over- 55 of the cathode 28, the charge pattern on the storage path voltage to lift. target forms. In the middle position of the switch, this increase in the potential of the charge image, 44 are the cathodes of the electron guns to one which is obtained by holding off the flood electron capacitor 48, one terminal of which is connected to of the target during writing, rests on earth and its other terminal is on the fact that the holding electrons write 60-75 volts through a fixed resistor 50 and To counteract the process, as they have the tendency to create a variable resistance 52 (Serienschaldas Potential of the charge image down to the device). The capacitor 48 is initially on Voltage of the cathodes of the flood electron guns -70 volts through the resistors 50 and 52 to flow bring. These are charged in the "wrong" direction, so that by adjusting the ongoing effect continues until the potential 65 switch 44 in the middle, the storage entdieses The charge pattern is higher than the first crosstalk position, the voltage at the cathode output voltage. After that, the Haltelek flood electron guns initially support -70 volts trump the writing by the fact that it comes the potential. This makes the flood electron emitters

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leitend gemacht, da ihre Kathoden dann eine Vor- Das auf dem Target 26 gespeicherte Bild der wärtsspannung von 50 Volt haben. Auf diese Weise Wellenform kann durch das bekannte Löschen zum werden Flutelektronen mit einer anfänglich höheren Verschwinden gebracht werden, indem man nur den Spannung auf das Target geschossen. Der Konden- Widerstand 33 verändert, so daß die Spannung über sator48 beginnt sich jedoch sofort gegen die Span- 5 dem Belastungswiderstand 32 zunächst über die nung an der gemeinsamen Verbindung von Konden- positive Hellspannung gelangt, so daß die Flutsator und Widerstand 50 zu entladen, um die elektronen bewirken, daß das Speichertarget gleich-Geschwindigkeit der Flutelektroden exponentiell ab- förmig hell, d. h. erregt wird. Dann wird die Targetfallen zu lassen. Die Spannung an der Flutelektronen- spannung unter die erste Übergangsspannung odei kathode 31 kann nach der Entladung des Konden- io die Halte-Schwell-Spannung abgesenkt, damit das sators 48 auf Null gebracht werden, indem man die Potential an der hinteren Oberfläche des Speicher-Einstellung des Widerstandes 52 entsprechend ein- dielektrikums negativ in Richtung auf die Spannung stellt, um den Strom so zu ändern, daß der Span- der Kathode der Flutelektronenstrahler geht. Dann nungsabfall über den Widerständen 50 und 52 wird die Spannung über dem Widerstand 32 langsam 70VoIt entspricht. Da die Spannung an den Flut- 15 über den ersten Übergangsspannungspunkt angeelektronenkathoden bei etwa OVoIt bezüglich Erde hoben, so daß die als leitender Film ausgebildete gehalten wird, arbeitet die Speicherröhre 10 in her- Elektrode des Targets auf eine Spannung im stabilen kömmlicher Weise zur Speicherung des Ladungs- Bereich kommt, ohne daß die hintere Oberfläche bildes. des Speicherdielektrikums auf die Spannung der Ein elektrisches Ablesesignal kann an der das 20 Targetelektrode gelangt. Man kann das Löschen Target bedeckenden Elektrode erzeugt werden, in- auch dadurch vornehmen, daß man die Targetdem man die Phosphorschicht des Speichertargets elektrode pulst. Es ist außerdem als wünschenswert mit einem Elektronenlesestrahl abtastet. Dieser Lese- gefunden worden, die Kathode der Flutelektronenstrahl kann durch denselben Strahler erzeugt werden, strahler mit einer positiven Vorspannung von etwa der auch den Schreibstrahl erzeugt, indem man ein- 25 50 Volt während des Löschvorganges zu verbinden, fach die Stellung der Schalter 18 und 24 in die (in Dies kann dadurch geschehen, daß man den bewegder Zeichnung rechte) Lesestellung bringt, so daß liehen Kontaktteil des Schalters 44 (in F i g. 1) nach ein Rastersignalgenerator 54 mit den horizontalen rechts in die Löschstellung bringt,
und vertikalen Ablenkplatten des Rohres 10 verbun- Das Potential der Kathode des Flutelektronenden ist, um den Strahl nach Art eines Fernsehgerätes 30 Strahlers während! des Betriebes der Röhre nach über die Oberfläche des Targets zu führen. Damit F i g. 1 ist durch die Kurve 66 in F i g. 2 dargestellt, das Target das dem Lesestrahl entsprechende Raster- Es wird darauf hingewiesen, daß der Impulsteil 68, bild nicht speichert, muß man entweder die Kathode der der Vergrößerung der Schreibgeschwindigkeit 28 mit einer positiveren Spannung verbinden, um die dient, unmittelbar nach dem Schreiben angelegt wird, Geschwindigkeit der Leseelektronen unter diejenige 35 während welchem die Kathode der Flutelektronender Schreibelektronen zu bringen, oder die negative strahler abgeschaltet ist. Der der Beschleunigung Spannung am Steuergitter 40 erhöhen, um die Strom- dienende Impuls 68 wird in Richtung auf eine dichte des Lesestrahles zu verringern. Dieses letztere negative Spannung kleiner, die im wesentlichen Verfahren hat sich als vorteilhafter erwiesen, und es unterhalb der ersten Übergangsspannung liegen kann, kann durchgeführt werden durch Betätigung eines 40 und wird dann exponentiell auf OVoIt gehen, und Schalters 56, dessen beweglicher Kontakt mit dem zwar mit einer Zeitkonstante, die durch die RC-Steuergitter 40 verbunden ist, so daß in der Konstante des Schaltkreises mit dem Kondensator 48 »Schreibe-Stellung des Schalters 46 das Steuergitter und den Widerständen 50 und 52 bestimmt ist. Damit mit einer negativen Gleichspannung von etwa ist die Breite dieses der Beschleunigung dienenden — 3025 Volt verbunden ist, während in der »Lese«- 45 Impulses etwa 3RC; dieser Wert sollte umgekehrt Stellung dieses Schalters das Steuergitter mit einer proportional der Spannungsamplitude dieses der Be-Spannung von etwa —3050 Volt verbunden ist. Das schleunigung dienenden Impulses sein. Ein großer auf dem leitenden Film des Speichertargets erzeugte die Schreibgeschwindigkeit erhöhender Impuls beelektrische Ablesesignal wird durch einen Koppel- wirkt, daß die den Hintergrund bildenden Flächenkondensator 58 zu einem Vorverstärker 60 mit 50 teile des Targets schneller auf eine positive Ladung niedriger Eingangsimpedanz geleitet. Der Ausgang geladen werden, und zwar entsprechend der des Vorverstärkers 60 ist über einen herkömmlichen Sekundärdektronenemission, die durch die größere Spannungsverstärker 62 an den Z-Achseneingang am Geschwindigkeit der Flutelektronen bewirkt wird, so Steuergitter oder an der Kathode einer entfernt auf- daß der der Beschleunigung dienende Impuls früher gestellten Feraseh-Monitorröhre 64 angeschlossen. 55 enden muß, um zu verhindern, daß die Spannung Die horizontalen und vertikalen Ablenkplatten der dieser den Hintergrund bildenden Flächenteile Monitorröhre 64 sind ebenfalls mit dem Raster- größer wird als die erste Übergangsspannung. Um Signal-Generator 54 verbunden, so daß dasselbe oder einen derartigen Beschleunigungspuls der richtigen ein ähnliches Sägezahn-Raster-Signal an diese Breite zu erhalten, muß man die elektrischen Größen Ablenkplatten gelegt werden kann, wie es an den 60 der Widerstände 50 und 52 sowie des Kondensators horizontalen und vertikalen Ablenkplatten der 48 nur entsprechend aussuchen.
Speicherröhre während des Lesevorganges anliegt. Eine weitere Ausführung zur Durchführung der Dadurch wird das auf dem Speichertarget 26 ge- Erfindung zur Erhöhung der Schreibgeschwindigkeit speicherte Bild der Wellenform auf dem Leuchtschirm der Speicherröhre nach Fig. 1 ist in Fig. 3 gezeigt, der Monitorröhre 64 erzeugt. Selbstverständlich ist 65 Die Flutstrahler 30 werden am Beginn des vertikalen eine elektrische Ablesung nicht notwendig, wenn ein Eingangssignals automatisch abgeschaltet, welches solcher Speicherschirm verwendet wird, der für die durch den Vertikalverstärker 16 an die vertikalen unmittelbare Beobachtung geeignet ist. Ablenkplatten der Röhren gelangt. Dies kann da-made conductive, since their cathodes then have a front voltage image of 50 volts stored on the target 26. In this way waveform can be made to become flood electrons with an initially higher level of disappearance by the well-known erasure, by just having the voltage shot at the target. The condenser resistor 33 changes so that the voltage across sator48 begins to rise immediately against the voltage. around the electrons cause the storage target to be exponentially bright, ie excited, at the same speed as the flood electrodes. Then the target will be trapped. The voltage at the flood electron voltage below the first transition voltage or cathode 31 can be lowered after the discharge of the capacitor, the holding threshold voltage, so that the generator 48 can be brought to zero by the potential on the rear surface of the storage tank. Adjustment of the resistor 52 accordingly puts a dielectric negative in the direction of the voltage in order to change the current so that the voltage goes to the cathode of the flood electron emitter. Then the voltage drop across resistors 50 and 52, the voltage across resistor 32 will slowly equal 70VoIt. Since the voltage at the flood 15 via the first junction voltage point raised electron cathodes at about OVoIt with respect to earth, so that the formed as a conductive film is held, the storage tube 10 works in her- electrode of the target to a voltage in a stable conventional manner for storing the Charge area comes without the rear surface forming. of the storage dielectric to the voltage of the An electrical reading signal can reach the target electrode. The electrode covering the erasure target can also be produced by pulsing the target electrode by pulsing the phosphor layer of the storage target. It is also desirable to scan with an electron reading beam. This read has been found, the cathode of the flood electron beam can be generated by the same emitter, emitter with a positive bias of about that also generates the write beam, by simply connecting the position of the switches 18 and 50 volts during the erasing process 24 in the (in this can be done by bringing the moving drawing on the right) reading position, so that the borrowed contact part of the switch 44 (in FIG. 1) brings a raster signal generator 54 with the horizontal right into the erasing position,
The potential of the cathode of the flood electron end is connected to the beam in the manner of a television set 30 during! the operation of the tube according to the surface of the target. So that F i g. 1 is represented by curve 66 in FIG. 2, the target is the raster corresponding to the reading beam. It should be noted that the pulse part 68 does not store image, one must either connect the cathode of increasing the writing speed 28 to a more positive voltage, which is used immediately after writing is applied to bring the speed of the reading electrons below that 35 during which the cathode of the flood electrons of the writing electrons, or the negative emitter is switched off. The acceleration voltage at the control grid 40 is increased in order to reduce the current-serving pulse 68 in the direction of a density of the reading beam. This latter negative voltage smaller, which in essence has proven to be more advantageous, and it can be below the first transition voltage, can be done by actuating a 40 and will then go exponentially to OVoIt, and switch 56, its movable contact with the though with a time constant which is connected by the RC control grid 40, so that the control grid and resistors 50 and 52 are determined in the constant of the circuit with the capacitor 48 »write position of the switch 46. The width of this acceleration serving - 3025 volts is connected with a negative DC voltage, while in the "read" - 45 pulse it is about 3RC; this value should be reversed position of this switch the control grid with a proportional to the voltage amplitude of this the Be voltage of about -3050 volts is connected. The impulse that serves acceleration. A large pulse generated on the conductive film of the memory target increasing the writing speed and electrical reading signal is effected by a coupling effect that the surface capacitor 58 forming the background is conducted to a preamplifier 60 with 50 parts of the target faster to a positive charge of low input impedance. The output to be loaded, corresponding to that of the preamplifier 60, is via a conventional secondary electron emission, which is effected by the larger voltage amplifier 62 at the Z-axis input at the speed of the tide electrons, so control grid or at the cathode of a remote on- that the acceleration Serving pulse previously provided Feraseh monitor tube 64 connected. 55 must end in order to prevent the voltage from becoming larger than the first transition voltage. In order to have signal generator 54 connected so that the same or such an acceleration pulse of the correct one can receive a similar sawtooth raster signal at this width, one must place the electrical quantities deflector plates, as can be done on the 60 of the resistors 50 and 52 as well of the capacitor's horizontal and vertical baffles of FIG. 48 just pick them out accordingly.
Storage tube is present during the reading process. In a further embodiment for carrying out the process, the image of the waveform stored on the storage target 26 is generated on the luminescent screen of the storage tube according to FIG. It goes without saying that an electrical reading is not necessary at the beginning of the vertical, if an input signal is automatically switched off, which storage screen is used which is suitable for direct observation by the vertical amplifier 16 to the vertical. Baffles of the tubes arrives. This can be

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durch bewirkt werden, daß man einen Teil des F i g. 3), wichtig, weil das von einem solchen Einvertikalen Eingangssignal durch einen Kipp-Trigger- schaltsignal auf dem Speichertarget erzeugte Ladungs-Generator 69 leitet, um Triggerimpulse am Beginn bild wegen der Streuverluste unter die Mindesteines solchen vertikalen Signals zu erzeugen, die spannung für die Speicherung sinken kann, wenn dann an den horizontalen Kippgenerator 22 geleitet 5 kein derartiger Impuls angelegt wird, um den Flutwerden, um das Arbeiten dieses Kippgenerators in elektronenstrahler anzuschalten unmittelbar nach der der bekannten Weise einzuleiten. Der Kipp-Trigger- Erzeugung des Ladungsbildes. Dies ist auch der Generator 59 kann auch mit dem Eingang eines Grund dafür, warum ein bistabiler Multivibrator den Austastmultivibrators 70 für den Strahler verbunden Vorzug als Antastmultivibrator genießt,
werden, um diesen Multivibrator derart zu triggern, io Der den Elektronenstrahler antastende Impuls 72, daß er einen negativen Ausgangsspannungsimpuls72 der von der Einrichtung nach Fig. 3 erzeugt wird, erzeugt. Dieser negative Ausgangsimpuls wird dann ist in F i g. 4 in zeitlicher Beziehung zur Spannung 74 an das Steuergitter 34 des Flutelektronenstrahlers der Kathode der Flutelektronenstrahler dargestellt, gegeben und wirkt als Austastimpuls zur Umkehrung Wenn der Antastimpuls 72 an das Steuergitter 34 der Vorspannung der Kathode dieses Strahlers in den 15 angelegt wird, dann sinkt die Kathodenspannung des abgestellten, d. h. nicht arbeitenden Zustand. Da- Flutelektronenstrahlers vom Wert Null graduell bis durch kann der Kondensator 48 durch den Strom etwa -7OVoIt ab, wenn sich der Kondensator 48 geladen werden, der durch die Widerstände 50 und 52 auflädt. Am Ende des Antastimpulses 72 wird die von der —70-Volt-Spannungsquelle kommt, bis die Kathodenspannung des Strahlers dann von —70 auf Spannung über dem Kondensator die der Spannungs- 20 0 Volt angehoben, wenn sich der Kondensator 48 quelle erreicht. Nachdem das Ladungsbild des entlädt. Dieser in positiver Richtung verlaufende vertikalen Eingangssignal auf das Target »ge- Teil der Kathodenspannung 74 des Flutelektronenschrieben« ist, hört der Austastimpuls 72 auf, um das Strahlers stellt den die Schreibgeschwindigkeit Steuergitter 34 auf eine positivere Spannung zu brin- erhöhenden Impuls dar. Der Antastmultivibrator 70 gen, so daß der Flutelektronenstrahler wieder strahlt. 25 nach F i g. 3 ist mit einer Blockierung versehen, die Zu diesem Zeitpunkt ist die Spannung an der verhindert, daß der Multivibrator noch einmal geKathode 31 des Strahlers gleich denjenigen—70Volt triggert wird, während des Speichervorganges oder des vollständig geladenen Kondensators 48. Die während des Löschens des Ladungsbildes vom Kathodenspannung wird jedoch kleiner, wenn der Target.by causing part of the F i g. 3), important because the charge generator 69 generated by such a vertical input signal by a toggle trigger switch signal on the storage target conducts to generate trigger pulses at the beginning of the image because of the scatter losses below the minimum of such a vertical signal, the voltage for the Storage can decrease if no such pulse is applied to the horizontal tilt generator 22 to initiate the flood to turn on the work of this tilt generator in electron beam emitters immediately in accordance with the known manner. The tilt trigger generation of the charge image. This is also the generator 59 can also be connected to the input of a reason why a bistable multivibrator, connected to the blanking multivibrator 70 for the emitter, is preferred as a probing multivibrator,
in order to trigger this multivibrator in such a way that the pulse 72 probing the electron gun so that it generates a negative output voltage pulse 72 which is generated by the device according to FIG. This negative output pulse is then shown in FIG. 4 in temporal relation to the voltage 74 at the control grid 34 of the flood electron emitter of the cathode of the flood electron emitter, given and acts as a blanking pulse for reversal If the probe pulse 72 is applied to the control grid 34 of the bias voltage of the cathode of this emitter in FIG the parked, ie not working state. Since the flood electron beam from the value zero gradually to through, the capacitor 48 can be charged by the current about -7OVoIt when the capacitor 48, which charges through the resistors 50 and 52. At the end of the contact pulse 72, the voltage comes from the -70 volt voltage source until the cathode voltage of the radiator is then increased from -70 to the voltage across the capacitor that of the voltage 20 0 volts when the capacitor 48 source reaches itself. After the charge image of the discharges. This positive vertical input signal to the target "is part of the cathode voltage 74 of the flood electron writing", the blanking pulse 72 stops, around the emitter represents the pulse that increases the writing speed of the control grid 34 to a more positive voltage. The scanning multivibrator 70 gene, so that the flood electron gun shines again. 25 according to FIG. 3 is provided with a blockage which prevents the multivibrator from being triggered again at the cathode 31 of the radiator equal to the one -70Volt, during the storage process or the fully charged capacitor 48. The one during the deletion of the charge image however, the cathode voltage becomes smaller when the target.

Kondensator sich auf eine positivere Spannung ent- 30 Die Wirkung des Betriebes eines SpeichertargetsCapacitor evolves to a more positive voltage

lädt, die dadurch auf Null gestellt werden kann, daß nach der vorliegenden Erfindung ist in den Kurvenloads, which can be set to zero, that according to the present invention is in the curves

man den Widerstand 52 dem Wert nach verändert, der Fig. 5A und 5B dargestellt. Wenn der an diethe resistor 52 is varied according to the value shown in FIGS. 5A and 5B. When the

bis der Strahlstrom einen Spannungsabfall von Kathode des Flutelektronenstrahlers zur Erhöhunguntil the beam current increases a voltage drop from the cathode of the flood electron gun

70 Volt über den Widerständen 50 und 52 erzeugt. der Schreibgeschwindigkeit angelegte Impuls die70 volts is generated across resistors 50 and 52. the pulse applied to the writing speed

Der Antastimpulsgenerator 70 kann ein mono- 35 Form einer negativen Spannungsspitze 76 gemäß stabiler Multivibrator sein, dessen Frequenz getrennt Fig. 5A hat, dann werden die besten Ergebnisse steuerbar ist, so daß sie erheblich niedriger ist als die erhalten. Dies rührt davon her, daß die Ladungsbild-Frequenz des Eingangssignals am Anschluß 14, so spannung 78 von der Hintergrundspannung 80 um daß Ladungsbildintergration vorgenommen werden einen größeren Betrag Y abweicht, wenn die kann, indem man während verschiedener auf- 40 Ladungsbildspannung über die erste Übergangseinanderfolgender Perioden von derartigen ver- spannung VCr₁ hinausgeht. Bevor der der Beschleunitikalen Eingangssignalen die Flutelektronenstrahler gung dienende Impuls 76 angelegt wird, differiert im abgeschalteten Zustand hält. Es kann aber auch die Ladungsbildspannung 78 von der Hintergrundwünschenswert sein, den Generator 70 als bistabilen spannung 80 um einen kleinen Betrag X, nachdem Multivibrator zu schalten, der durch Kipp-Trigger- 45 das Ladungsbild auf das Target »geschrieben« ist, Impulse getriggert wird und in seinen stabilen An- jedoch bevor die Flutelektronen auf das Target auffangszustand durch ein Signal vom horizontalen treffen. Wenn der der Beschleunigung dienende Kippgenerator zurückgebracht wird, welches dem Impuls 76 an die Kathode der Flutelektronenstrahler Rücklaufteil des horizontalen Kippsignals entspricht, angelegt wird, dann beginnen das Potential des so daß der Antastimpuls 72 unmittelbar nach dem 50 Ladungsbildes und das Potential der Hintergrundhorizontalen Kippsignal unterbrochen wird. Ein targetflächen wegen der ladenden Wirkung der Flutsolcher bistabiler Antastmultivibrator kann wün- elektronen zu steigen. Wie bereits weiter oben darschenswert sein, wenn vertikale Einschwingvorgänge gestellt wurde, steigt die Ladungsbildspannung gespeichert werden sollen. Es wird eigens darauf schneller an als die Hintergrundspannung, weil sie hingewiesen, daß auch eine andere Art von Signal- 55 von Anfang an auf einem höheren Potential war. generator an Stelle des Multivibrators 70 Anwendung Aus diesem Grund sind nach einiger Zeit nach Anfinden kann, und daß der Ausgang dieses Signal- legen des Beschleunigungsimpulses die Ladungsbildgenerators mit der Kathode 31 des Flutelektronen- spannung 78 und die Hintergrundspannung 80 um Strahlers verbunden sein kann, um sowohl einen eine größere Spannungsdifferenz voneinander gepositiven Antastimpuls als auch einen der Erhöhung 60 trennt als X. Dadurch kann der Beschleunigungsder Schreibgeschwindigkeit dienenden Impuls an impuls 76 in einem größeren Zeitbereich enden, ohne diese Kathode legen zu können, ohne daß dazu die daß er ein positives Fading bewirkt, da die Ladungsgetrennte Impulsgeneratorschaltung der Widerstände bildspannung 78 die erste Übergangsspannung VCr₁ 50 und 52 und des Kondensators 48 verwendet wird. viel eher übersteigt als die Hintergrundspannung.The contact pulse generator 70 can be a mono- 35 form of a negative voltage spike 76 according to a stable multivibrator, the frequency of which is separated from FIG. 5A, then the best results can be controlled so that they are considerably lower than those obtained. This is due to the fact that the charge image frequency of the input signal at connection 14, voltage 78 differs from the background voltage 80 by a larger amount Y , if this can be done by varying the charge image voltage over the first successive transition during different charge image voltages Periods of such stress VCr ₁ goes beyond. Before the pulse 76, which serves to accelerate the input signals for the flood electron beam, is applied, it holds different in the switched-off state. However, the charge image voltage 78 from the background may also be desirable to switch the generator 70 as bistable voltage 80 by a small amount X after the multivibrator is triggered, which is "written" by the tilt trigger 45 the charge image on the target and in its stable state, however, before the flood electrons hit the target receiving state through a signal from the horizontal. When the tilt generator serving for acceleration is brought back, which corresponds to the pulse 76 at the cathode of the flood electron beam return part of the horizontal tilt signal, then the potential of the start so that the contact pulse 72 is interrupted immediately after the 50 charge image and the potential of the background horizontal tilt signal . A target surface because of the charging effect of the flood such bistable probing multivibrator may want to rise electrons. As already shown above, when vertical transient processes have been set, the charge image voltage increases and is to be stored. It will pick up faster than the background voltage because it indicates that another type of signal was also at a higher potential from the start. generator instead of the multivibrator 70 application For this reason, after some time after finding, and that the output of this signal application of the acceleration pulse, the charge image generator can be connected to the cathode 31 of the flood electron voltage 78 and the background voltage 80 to emitter a larger voltage difference from each other positive probing pulse as well as one of the increase 60 separates than X. As a result, the acceleration of the writing speed serving pulse at pulse 76 can end in a larger time range without being able to place this cathode, without the fact that it has a positive fading causes the charge separated pulse generator circuit of the resistors image voltage 78, the first junction voltage VCr ₁ 50 and 52 and the capacitor 48 to be used. much sooner than the background voltage.

Wenn man sehr schnelle Einschaltvorgänge als 65 Natürlich muß der die SchreibgeschwindigkeitIf you have very fast switch-ons than 65 Of course you have to speed up the writing

Eingangssignale speichern will, dann ist die oben erhöhende Impuls 76 seiner Spannung nach derartWants to store input signals, then the above increasing pulse 76 is according to its voltage such

beschriebene Beschleunigung des Schreibvorganges, beendet werden bzw. so schnell abfallen, daß er diedescribed acceleration of the writing process, are terminated or fall off so quickly that he the

d. h. der Schreibgeschwindigkeit (Zusammenhang mit Hintergrundspannung nicht über die erste Über-d. H. the writing speed (correlation with background voltage not over the first

gangsspannung heben kann, bevor die Hintergrundspannung zur Erzeugung einer bistabilen Speicherung die Spannung FcT₁ übersteigt.can raise the output voltage before the background voltage to generate a bistable storage exceeds _{the voltage FcT 1.}

Wenn die Ladungsbildspannung 78 über die erste Übergangsspannung angehoben wurde, dann bewirken die Flutelektronen, daß die Ladungsbildspannung nach oben auf eine hohe einem stabilen Zustand entsprechenden Spannung Vt verbracht wird, die etwas höher ist als die an die Kollektorelektrode gelegte Spannung. Gleichzeitig bewirken die Flutelektronen auch, daß die Hintergrundspannung 80 der auf ein Potential unter FcT₁ geladenen nicht beschriebenen Targetflächenteile einen Spannungsabfall auf ein Potential erleiden, welches etwa dem der Kathode des Flutelektronenstrahlers entspricht.When the charge image voltage 78 is raised above the first junction voltage, the flood electrons cause the charge image voltage to be raised to a high steady-state voltage Vt which is slightly higher than the voltage applied to the collector electrode. At the same time, the flood electrons also cause the background voltage 80 of the non-written target surface parts _{charged to a potential below FcT 1 to} suffer a voltage drop to a potential which corresponds approximately to that of the cathode of the flood electron gun.

Wie F i g. 5 B zeigt, ist der Ladevorgang ähnlich wie bei den in Fig. 5A dargestellten Verhältnissen, wenn ein negativer Rechteckimpuls 82 zur Beschleunigung des Schreibvorganges, d. h. zur Erhöhung der Schreibgeschwindigkeit an die Kathode des Flutelektronenstrahlers angelegt wird. Es ist jedoch der Anstieg der Spannungsdifferenz zwischen der Ladungsbildspannung 78' und der Hintergrundspannung 80' nicht so groß. Die Spannungsdifferenz Y' zwischen den Kurven 78' und 80' ist nicht so groß wie die Spannungsdifferenz Y in Fig. 5A, wenn die Kurve 78' über den Wert FcT₁, obwohl die anfängliche Spannungsdifferenz X in beiden Fällen gleich groß ist. Die Breite W des Rechteckimpulses 82 ist also kritischer als die Breite des spitzen der Beschleunigung dienenden Impulses 76, so daß dieser Rechteckimpuls unmittelbar nachdem die Ladungsbildspannung 78' größer wird als FcT₁, enden muß. Selbstverständlich können die maximalen Amplituden V₁, beider Impulse 76 und 82 auch die Amplitude der ersten Übergangsspannung — FcT₁ überschreiten, weil sie über jener Spannung nur für eine kurze Zeit gehalten werden.Like F i g. 5B shows, the charging process is similar to the conditions shown in FIG. 5A when a negative rectangular pulse 82 is applied to the cathode of the flood electron gun to accelerate the writing process, ie to increase the writing speed. However, the increase in the voltage difference between the charge image voltage 78 'and the background voltage 80' is not so great. The voltage difference Y ' between the curves 78' and 80 'is not as great as the voltage difference Y in FIG. 5A when the curve 78' is above the value FcT ₁ , although the initial voltage difference X is the same in both cases. The width W of the square pulse 82 is therefore more critical than the width of the acute acceleration pulse 76, so that this square pulse must end _{immediately after the charge image voltage 78 'is greater than FcT 1.} Of course, the maximum amplitudes V _{1 of} both pulses 76 and 82 can also exceed the amplitude of the first transition voltage - FcT ₁ , because they are only kept above that voltage for a short time.

Man kann beispielsweise auch bei Verwendung einer Ionen-Reflektor-Elektrode oder einer Sekundär-Elektronen-Kollektor-Elektrode zwischen dem Speichertarget und dem Flutelektronenstrahler die Antastimpulse an diese Elektrode legen, um zu verhindern, daß Flutelektronen während des Schreibens auf das Target gelangen. Man kann den zur Erhöhung der Schreibgeschwindigkeit dienenden Impuls an die Speicher-Target-Elektrode anstatt an die Kathode des Elektronenstrahlers legen, indem man einfach die Polarität dieses Impulses ändert. Weiterhin ist es nicht wichtig, daß die Flutelektronenstrahler ganz abgeschaltet sind, während des Schreibens, um ein Beschießen des Targets während dieser Zeit mit Flutelektronen zu verhindern. Es ist im Gegensatz dazu nur notwendig zu verhindern, daß Flutelektronen solche Flächen des Dielektrikums treffen, die während des Beschreibens ein Potential haben, welches geringer ist als die erste Ubergangsspannung. So kann man zulassen, daß Elektroden solche Targetflächen erreichen, deren Potential während dieser Zeit über der ersten Übergangsspannung liegt, da sie das »Beschreiben« dieser Flächen nicht verhindern. Man kann dies beispielsweise erreichen durch Erhöhen des Potentials der Kathoden der Flutelektronenkathoden bezüglich der Rückseite des Targetdielektrikums in positiver Richtung, bis es etwas überhalb der ersten Übergangsspannung liegt. Das Potential des Steuergitters des Flutelektronenstrahlers wird ebenfalls erhöht, so daß immer noch Elektronen emittiert werden. Es werden jedoch die meisten dieser Flutelektronen von den bandförmigen Wandelektroden 38 gefangen, und es können keine Flutelektronen auf das Target gelangen, außer in solche beschriebenen Flächenteile, welche der Schreibstrahl über die erste Übergangsspannung angehoben hat. Wie bei den anderen oben beschriebenen Verfahren wird der negative, die Schreibgeschwindigkeit beschleunigende Impuls nach dem Schreibvorgang an die Kathoden der Flutelektronenstrahler gelegt, damit die ganze Fläche des Targets von Flutelektronen getroffen werden kann.One can, for example, also use an ion reflector electrode or a secondary electron collector electrode Place the probing pulses on this electrode between the storage target and the flood electron gun in order to prevent that flood electrons reach the target during writing. One can do that to increase write speed pulse to the storage target electrode instead of lay the cathode of the electron gun by simply changing the polarity of this pulse. Furthermore, it is not important that the flood electron guns are completely switched off during the Writing to prevent flood electrons from bombarding the target during this time. It is In contrast, only necessary to prevent flood electrons from such areas of the dielectric meet, which have a potential during writing, which is lower than the first transition voltage. So you can allow electrodes to reach target surfaces whose potential during this time is above the first transition voltage, since it does not "write" these surfaces impede. This can be achieved, for example, by increasing the potential of the cathodes of the flood electron cathodes with respect to the back of the target dielectric in the positive direction until it is slightly above the first transition voltage. The potential of the control grid of the flood electron gun is also increased, so that still Electrons are emitted. However, most of these flood electrons are from the ribbon-shaped Trapped wall electrodes 38, and no flood electrons can get onto the target, except in those described surface parts which the write beam is raised above the first transition voltage Has. As with the other methods described above, the negative one, the write speed accelerating impulse after the writing process at the cathodes of the flood electron guns laid so that the entire surface of the target can be hit by flood electrons.

Claims

Patent claims:

1. Storage method for a cathode ray tube working with bistable charge image storage, the storage dielectric of which is bombarded with fast write beam electrons and slow flood electrons, in which the voltage between flood electron cathode and the storage dielectric is used to enable high writing speed (ie bistable storage of charge images generated with low write beam electron current) not described places of the dielectric gives a potential below the bistable storage enabling, critical value, is increased briefly at the beginning of the signal to be stored, characterized in that the voltage between the flood electron cathode and the storage dielectric at the beginning of the bombardment with the fast write beam electrons on Potential (Vp) is increased, the amount of which significantly exceeds the amount of the critical potential (VCr ₁ ) , and that this is the potential of the whole The voltage that initially increases the dielectric _{is lowered again below the amount corresponding to the critical potential (FcT 1} ) as soon as the points of the dielectric hit by the write beam _{have exceeded the critical potential (FcT 1} ) and the points not hit by the write beam have not yet reached the critical potential .

2. The method according to claim 1, characterized in that that one during the time during which write beam electrons on the Storage dielectric to generate an image to be stored, no flood electrons drops onto the storage dielectric.

3. The method according to claim 2, characterized in that during the time during which no flood electrons get onto the storage dielectric, essentially one constant voltage is applied to the collecting electrode, which - from the electron cathodes seen from - located behind the storage dielectric.

4. The method according to claim 2, wherein successively repeating signals of the same type Shape can be placed on the writing electron cathode for storage, characterized in that that during the writing of several such signals no flood electrons on the storage dielectric fall.

5. The method according to claim 1, characterized in that that pulse with which Help the dielectric at the beginning of the decision with writing electrons about the critical potential is raised, has the shape of a voltage peak, the rising edge of which is steeper than the Falling edge is.

6. The method according to claim 1, characterized in that the storage dielectric at the beginning of the bombardment with writing electrons

The pulse that brings about the increased potential is a square pulse.

Considered publications:

German Patent Nos. 923 094, 1013 318;

Japanese Patent Publication No. 11519/1961;

Bell System Techn. Journal, September 1958, pp. 1195-1220;

"IRE Trans. Electronic Computers", December 1959, pp. 479 to 485.

1 sheet of drawings