DE2300597C3

DE2300597C3 - Semiconductor component

Info

Publication number: DE2300597C3
Application number: DE19732300597
Authority: DE
Inventors: Maurice Herouville Boms (Frankreich)
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1972-01-28
Filing date: 1973-01-08
Publication date: 1978-01-26

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement mii Transistoraufbau mit einem Halbleiterkörper mit mindestens zwei an seiner Oberfläche liegenden Emitterteilzonen vom ersten Leitungstyp, die mit der sie völlig umgebenden Basiszone vom zweiten Leitungstyp an der Oberfläche des Halbleiterkörpers endende PN-Übergänge bilden, und mit einer an der Oberfläche des Halbleiterkörpers außerhalb der Emitterteilzonen liegenden streifenförmigen Widerstandsschicht, die durch eine Sperrschicht von dem unter ihr liegenden Teil des Halbleiterkörpers getrennt ist, wobei die Kontaktelektrodenschicht jeder Emitterteilzone die Widerstandsschicht in einem Kontaktelektrodenbereich kontaktiert und wobei weiter ein Anschlußleiter die Widerstandsschicht in einem oder mehreren Anschlußleiterbereichen kontaktiert. Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf einen Hochfrequenztransistor mit diesem Aufbau.The invention relates to a semiconductor component with a transistor structure and a semiconductor body with at least two emitter sub-zones of the first conductivity type lying on its surface, which with them completely surrounding the base zone of the second conductivity type ending on the surface of the semiconductor body Form PN junctions, and with one on the surface of the semiconductor body outside the emitter sub-zones lying strip-shaped resistance layer, which is covered by a barrier layer from the one below it Part of the semiconductor body is separated, the contact electrode layer of each emitter subzone Resistive layer contacted in a contact electrode area and further a connection conductor the Resistance layer contacted in one or more connection conductor areas. In particular relates the invention to a high-frequency transistor with this structure.

Ein solches Halbleiterbauelement ist bekannt aus der DT-OS 18 02 899. Es ist bekannt, daß in einem injizierenden PN-Übergang, z. B. dem Emitterübergang eines Transistors, der bei hoher Frequenz betrieben wird, die Injektion von Ladungsträgern in zu beiden Seiten des PN-Überganges liegenden Gebieten im wesentlichen in lokalisierten kleinen Gebieten der Oberfläche des Übergangs stattfindet.Such a semiconductor component is known from DT-OS 18 02 899. It is known that in one injecting PN junction, e.g. B. the emitter junction of a transistor that operates at high frequency is, the injection of charge carriers in areas lying on both sides of the PN junction in takes place essentially in localized small areas of the surface of the junction.

Um diesem Nachteil entgegenzuwirken, werden in der Praxis zwei Maßnahmen angewandt. An erster Stelle wird der injizierende PN-Übergang in eine Anzahl elektrisch miteinander verbundener, inselförmiger Emitterteilzonen geteilt, wodurch die stromführende Oberfläche und somit die durch den Gesamtübergang zulässige Stromstärke zunimmt. Zweitens ist, um eine örtliche starke Erhitzung und sich daraus ergebende, irreversible Beschädigungen des Übergangs zu verhindern, jede der Inseln mit einem Reihenwiderstand versehen.To counteract this disadvantage, two measures are used in practice. At first In place, the injecting PN junction becomes a number of electrically connected, island-shaped ones Partial emitter zones divided, creating the current-carrying surface and thus through the entire transition permissible amperage increases. Second is to get a local strong heating and get out of it To prevent irreversible damage to the junction resulting in each of the islands with a series resistance Mistake.

Bei bekannten Anordnungen werden verschiedene Arten Reihenwiderstände verwendet, z. B. eine Widerstandsmaterialschicht, die durch eine Sperrschicht (z. B.Various types of series resistors are used in known arrangements, e.g. B. a resistive material layer, through a barrier layer (e.g.

eine Isoliermaterialschicht oder einen Schottky-Übergang) von dem übrigen Teil des Halbleiterkörpers getrennt ist, oder eine in dem Halbleiterkörper angebrachte, z. B. diffundierte, Widerstandsschicht, die mit dem angrenzenden Halbleitermaterial einen PN-Übergang bildet.an insulating material layer or a Schottky junction) from the remaining part of the semiconductor body is separated, or a mounted in the semiconductor body, for. B. diffused, resistive layer that forms a PN junction with the adjacent semiconductor material.

Aus der schon genannten DT-OS 18 02 899 ist ein Transistoraufbau der obengenannten Art bekannt, die außerhalb der Emitter- und Basiszonen eine streifenför-From the already mentioned DT-OS 18 02 899 a transistor structure of the above type is known which outside of the emitter and base zones, a strip-conveying

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mige Widerstandsschicht aufweist, wobei die Kontaktelektrodenbereiche, über die die inselförmigen Emitterteilzonen mit der Widerstandsschicht verbunden sind, dem (den) Anschlußleiterbereich(en) gegenüberliegen, über den die Widerstandsschicht durch den Anschlußleiter kontaktiert wird. Die Reihenwiderstände zwischen den Emitterteilzonen und dem AnschluOleiter werden in diesen bekannten Anordnungen also praktisch durch die sich in der Breitenrichtung der streifenförmigen Widerstandsschicht erstreckenden Teile der Wider-Standsschicht zwischen einem Kontaktelektrodenbereich und dem ihm gegenüberliegenden Anschlußleiterbereich gebildet, der meistens durch einen kontinuierlichen Anschlußstreifen in der Längsrichtung der Widerstandsschicht gebildet wird, der den genannten Kontaktelektrodenbereichen gegenüberliegt.has moderate resistance layer, the contact electrode areas via which the island-shaped emitter sub-zones are connected to the resistance layer, opposite the connection conductor area (s) via which the resistance layer is contacted by the connection conductor. The series resistances between the emitter sub-zones and the connection conductor are thus practically in these known arrangements by the parts of the resistive layer extending in the width direction of the strip-shaped resistance layer are formed between a contact electrode area and the connecting conductor area lying opposite it, which is mostly by a continuous connecting strip in the longitudinal direction of the Resistance layer is formed, which is opposite to said contact electrode areas.

Die beschriebenen bekannten Widerstandsstrukturen weisen u. a. den Nachteil auf, daß die zwischen der Widerstandsschicht und dem darunterliegenden Halbleitergebiet gebildete Streukapazität verhältnismäßig groß ist. Diese Kapazität führt insbesondere bei einem Hochfrequenztransistor mit Emitterreihenwiderständen, der in gemeinsamer Emitterschaltung betrieben wird, eine unerwünschte Vergrößerung der Emitter-Kollektor-Kapazität herbei, die bei einer bestimmten Ausgangsleistung eine Herabsetzung des Kollektorwirkungsgrades zur Folge hat und somit zu einer Erhöhung der Temperatur der PN-Übergänge und einer Herabsetzung der Leistungsverstärkung Anlaß gibt. Im Falle einer gemeinsamen Basisschaltung veranlaßt diese Streukapazität eine erhöhte Rückkopplung zwischen dem Ausgang und dem Eingang, so daß die Gefahr des Auftretens von Schwingungen vorliegt und eine Herabsetzung der höchsten nutzbaren Frequenz auftritt.The known resistor structures described have inter alia. the disadvantage that between the Resistance layer and the underlying semiconductor region formed stray capacitance relatively is great. This capacitance leads in particular to a high-frequency transistor with series emitter resistors, which is operated in a common emitter circuit will cause an undesirable increase in the emitter-collector capacitance, which at a certain Output power leads to a reduction in the efficiency of the collector and thus to an increase the temperature of the PN junctions and a reduction in the power gain gives rise to. In the event of a common base circuit, this stray capacitance causes increased feedback between the output and the input, so that there is a risk of vibrations and a Reduction of the highest usable frequency occurs.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Halbleiterbauelement der eingangs genannten Art zu schaffen, bei der die genannte durch das Vorhandensein von Emitterreihenwiderständen gebildete Streukapazität erheblich geringer als bei bekannten Halbleiterbau- elementen ist.The invention is based on the object of providing a semiconductor component of the type mentioned at the beginning create, in which the said stray capacitance formed by the presence of emitter series resistors is considerably less than in known semiconductor construction elements is.

Die Erfindung gründet sich u. a. auf die Erkenntnis, daß diese Kapazitätsverringerung durch Anwendung einer neuen Gestaltung der Emitterreihenwiderstände erhalten werden kann, bei der die Oberfläche der Widerstandsschicht erheblich kleiner sein kann.The invention is based inter alia. to the realization that this capacity reduction through application a new design of the emitter series resistors can be obtained in which the surface of the Resistance layer can be considerably smaller.

In Anwendung dieser Erkenntnis wird die genannte Aufgabe nach der Erfindung dadurch gelöst, daß, in der Längsrichtung der streifenförmigen Widerstandsschicht gesehen, die Anschlußleiterbereiche und die Kontaktelektrodenbereiche abwechselnd aufeinanderfolgend angeordnet sind. Unter einer wechselweisen Anordnung der Anschlußleiterbereiche und Kontaktelektrodenbereiche ist zu verstehen, daß, ausgenommen an den Enden, jeder Kontaktelektrodenbereich zwischen zwei benachbarten Anschlußleiterbereichen und jeder Anschlußleiterbereich zwischen zwei benachbarten Kontaktelektrodenbereichen liegt.Using this knowledge, the stated object is achieved according to the invention in that, in the Seen in the longitudinal direction of the strip-shaped resistance layer, the connection conductor areas and the contact electrode areas alternately in succession are arranged. An alternating arrangement of the connection conductor areas and contact electrode areas is to be understood as meaning that, with the exception of the Ends, each contact electrode area lies between two adjacent connection conductor areas and each connection conductor area lies between two adjacent contact electrode areas.

Dadurch, daß bei einem Halbleiterbauelement nach der Erfindung die Emitterreihenwiderstände zwischen den Kontaktelektrodenbereichen und den Anschlußleiterbereichen nicht, wie bei bekannten Halbleiterbauelementen, durch Teile der Widerstandsschicht, die sich in der Breitenrichtung der streifenförmigen Widerstandsschicht erstrecken, sondern durch Teile gebildet werden, die mit dieser Breitenrichtung einen Winkel einschließen und sich daher mehr oder weniger in der Längsrichtung der Widerstancisschicht erstrecken, kannCharacterized in that in a semiconductor component according to the invention, the emitter series resistors between the contact electrode areas and the connection conductor areas not, as in known semiconductor components, by parts of the resistance layer that are extend in the width direction of the strip-shaped resistance layer but formed by parts that include an angle with this width direction and are therefore more or less in the Can extend longitudinally of the resistance layer die Breite der Widerstandsschicht bei gleichbleibender Länge desselben erheblich kleiner gemacht werden, wodurch die Oberfläche der Widerstandsschicht und die dieser praktisch proportionale Streukapazität in gleichem Maße herabgesetzt werden. So kann die Breite der Widerstandsschicht, die in bekannten Halbleiterbauelementen praktisch nicht kleiner als etwa 20 μΐη gemacht werden kann, in einem Halbleiterbauelement nach der Erfindung auf Werte zwischen 6 und 8μιη herabgesetzt werden.the width of the resistance layer while remaining the same Length of the same can be made considerably smaller, reducing the surface of the resistive layer and the this practically proportional stray capacitance can be reduced to the same extent. So can the width the resistance layer, which in known semiconductor components is practically no smaller than about 20 μΐη can be made in a semiconductor component according to the invention to values between 6 and 8μιη be reduced.

Obgleich grundsätzlich die Anschlußleiterbereiche z. B. durch Metalldrähte mit dem Anschlußleiter verbunden sein können, wird vorzugsweise das Halbleiterbauelement nach der Erfindung derart ausgebildet, daß der Anschlußleiter eine kammförmige Gestalt aufweist, wobei die Zähne des kammförmigen Anschlußleiters wenigstens teilweise zwischen den Kontaktelektrodenbereichen liegen den und die Widerstandsschicht in den Anschlußleiterbereichen kontaktieren.Although basically the connection conductor areas z. B. by metal wires with the connecting conductor can be connected, the semiconductor component according to the invention is preferably formed in such a way that that the connecting conductor has a comb-shaped shape, wherein the teeth of the comb-shaped connecting conductor are at least partially between the contact electrode areas and contact the resistance layer in the connecting conductor areas.

Um eine möglichst große Herabsetzung der Oberfläche der Widerstandsschicht zu erreichen, wird vorzugsweise dafür gesorgt, daß die Kontaktelektrodenbereiche und die Anschlußleiterbereiche miteinander fluchten. Bei dieser bevorzugten Ausführungsform erstrekken sich die Teile der Widerstandsschicht, die die wirksamen Emitterreihenwiderstände bilden, praktisch in der Längsrichtung der streifenförmigen Widerstandsschicht.In order to reduce the surface of the resistance layer as much as possible, it is preferably ensured that the contact electrode areas and the connection conductor areas are aligned with one another. In this preferred embodiment, the parts of the resistive layer which the form effective emitter series resistors, practically in the longitudinal direction of the strip-shaped resistor layer.

Eine bedeutende Vereinfachung bei der Anbringung der Anschlußleiierbereiche und der Kontaktelektrodenbereiche auf der Widerstandsschicht kann dabei dadurch erreicht werden, daß, wenn die Widerstandsschicht völlig oder teilweise mit einer Isolierschicht überzogen ist, das Bauelement derart ausgebildet wird, daß sich die Anschlußleiter- und die Kontaktelektrodenbereiche alle in einem, in der Isolierschicht angebrachten, spaltförmigen Kontaktfenster mit einer zur Längsrichtung der streifenförmigen Widerstandsschicht parallelen Längsrichtung liegen.A significant simplification in the application of the connection lead areas and the contact electrode areas on the resistance layer can be achieved can be achieved in that when the resistive layer is fully or partially covered with an insulating layer is coated, the component is designed in such a way that the connection conductor and the contact electrode areas are all located in a gap-shaped contact window with a contact window provided in the insulating layer Longitudinal direction of the strip-shaped resistance layer lie parallel to the longitudinal direction.

Die Widerstandsschicht kann, wie bereits erwähnt wurde, aus einer streifenförmigen Widerstandsmaterialschicht, z. B. Titan, bestehen, die durch eine Isolierschicht von der Oberfläche des Halbleiterkörpers getrennt ist oder mit der Oberfläche des Halbleiterkörpers einen Schottky-Übergang bildet, der im Betriebszustand in Sperrichtung polarisiert ist. Vorteilhafterweise wird jedoch das Halbleiterbauelement derart ausgebildet, daß die streifenförmige Widerstandsschicht durch eine an die Oberfläche des Halbleiterkörpers grenzende Halbleiterzone gebildet wird, die mit dem unter ihr liegenden Teil des Halbleiterkörpers einen an der Oberfläche endenden PN-Übergang bildet.As already mentioned, the resistive layer can consist of a strip-shaped resistive material layer, e.g. B. titanium exist, which is covered by an insulating layer from the surface of the semiconductor body is separated or forms a Schottky junction with the surface of the semiconductor body, which is polarized in the reverse direction in the operating state. However, the semiconductor component is advantageously such formed that the strip-shaped resistance layer through a to the surface of the semiconductor body bordering semiconductor zone is formed, which with the part of the semiconductor body lying below it is formed the surface terminating PN junction forms.

Eine weitere, besonders wichtige Ausführungsform des Halbleiterbauelements nach der Erfindung besteht darin, daß die Emitterteilzonen nebeneinanderliegende, zueinander parallele streifenförmige Emitterteilzonen bilden, die innerhalb des Halbleiterkörpers völlig von einer Basiszone vom zweiten Leitungstyp umgeben sind, die an eine Kollektorzone vom ersten Leitungstyp grenzt, wobei vorzugsweise die Längsrichtung der streifenförmigen Widerstandsschicht zu der Längsrichtung der streifenförmigen Emitterleilzonen senkrecht ist.There is another, particularly important embodiment of the semiconductor component according to the invention in that the emitter sub-zones are adjacent, mutually parallel strip-shaped emitter sub-zones form which are completely surrounded within the semiconductor body by a base zone of the second conductivity type, which adjoins a collector zone of the first conductivity type, preferably the longitudinal direction of the strip-shaped resistance layer perpendicular to the longitudinal direction of the strip-shaped emitter part zones is.

Obgleich dabei grundsätzlich die Widerstandsschicht außerhalb der Kollektorzone angebracht sein kann, ist bei der oben beschriebenen Auüführungsform des Halbleiterbauelements vorzugsweise vorgesehen, daßAlthough the resistance layer can in principle be attached outside the collector zone in the embodiment of the semiconductor component described above, it is preferably provided that

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die Basiszone mit der Kollektorzone einen an der Oberfläche cies Halbleiterkörpers endenden PN-Übergang bildet und daß die streifenförmige Widerstandsschicht durch ein außerhalb der Basiszone und innerhalb der Kollektorzone liegende streifenförmige Oberflächenschicht vom zweiten Leitungstyp gebildet ist.the base zone with the collector zone has a PN junction ending on the surface of this semiconductor body forms and that the strip-shaped resistance layer by an outside of the base zone and inside the collector zone lying strip-shaped surface layer of the second conductivity type is formed.

Die Emitterteilzonen können je für sich mit einem eigenen Kontaktelektrodenbereich auf der Widerstandsschicht verbunden sein. Nach einer bevorzugten Ausführungsform sind jedoch die Emitterteilzonen in Gruppen von wenigstens zwei mittels ihrer Kontaktelektrodenschichten mit jeweils einem Kontaktelektrodenbereich der Widerstandsschicht verbunden.The emitter sub-zones can each have their own contact electrode area on the resistance layer be connected. According to a preferred embodiment, however, the emitter sub-zones are in Groups of at least two by means of their contact electrode layers, each with a contact electrode area connected to the resistive layer.

Eine Ausführungsform, bei der die Streukapazität des Widerstandsgebietes erheblich geringer als bei bekannten Halbleiterbauelementen ist, ist weiter dadurch gekennzeichnet, daß die streifenförmige Widerstandsschicht eine Breite von mindestens 6 μιτι und höchstens 8 μπι aufweist.An embodiment in which the stray capacitance of the resistance area is considerably less than in known ones Semiconductor components is, is further characterized in that the strip-shaped resistance layer a width of at least 6 μιτι and at most 8 μπι has.

Ein Ausführungsbeispiel des Halbleiterbauelements nach der Erfindung wird nachstehend an Hand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigtAn embodiment of the semiconductor component according to the invention will be described below with reference to the Drawing explained in more detail. It shows

Fi g. 1 eine Draufsicht auf einen bekannten Hochfrequenztransistor, der mit Emitterreihenwiderständen versehen ist, die durch eine Widerstandsschicht bekannter Gestalt gebildet werden, undFi g. 1 is a plan view of a known high-frequency transistor, which is provided with emitter series resistors through a resistive layer known shape are formed, and

F i g. 2 eine Draufsicht auf einen Hochfrequenztransistor nach der Erfindung.F i g. 2 is a plan view of a high frequency transistor according to the invention.

Die entsprechenden Teile in den F i g. 1 und 2 sind mit den gleichen Bezugsziffern bezeichnet.The corresponding parts in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals.

Die Transistoren sind vom planaren Typ. Es kann z. B. angenommen werden, daß diese Transistoren NPN-Transistoren sind, obwohl dies nicht notwendig ist.The transistors are of the planar type. It can e.g. B. assume that these transistors are NPN transistors although it is not necessary.

Die Transistoren der F i g. 1 und 2 enthalten beide eine erste N-leitende Kollektorzone 10.The transistors of FIG. 1 and 2 both contain a first N-conducting collector zone 10.

In dieser Kollektorzone 10 befindet sich die P-leitende Basiszone 11, die mit der Kollektorzone 10 einen an der Oberfläche des Halbleiterkörpers endenden PN-Übergang bildet. In der Basiszone 11 sind N-leitende Emitterteilzonen angebracht, die durch mehrere streifenförmige, wirksame Oberflächenzonen 12 gebildet werden, die mit der Basiszone 11 an der Oberfläche endende PN-Übergänge bilden.In this collector zone 10 there is the P-conductive base zone 11, which is connected to the collector zone 10 forms a PN junction ending at the surface of the semiconductor body. In the base zone 11 are N-conductive emitter sub-zones attached by several strip-shaped, effective surface zones 12, which form PN junctions ending with the base zone 11 on the surface.

Eine streifenförmige Widerstandsschicht wird durch ein, z. B. diffundiertes, P-leitendes Gebiet 13 gebildet, das sich neben der Basiszone 11 in der Kollektorzone 10 befindet und sich praktisch senkrecht zu der Längsrichtung der Emitterteilzonen 12 erstreckt. Die Widerstandsschicht 13 ist durch eine Sperrschicht, in diesem Falle einen PN-Übergang von der Kollektorzone 10 getrennt.A strip-shaped resistive layer is provided by, e.g. B. diffused, P-conductive region 13 is formed, which is next to the base zone 11 in the collector zone 10 is located and extends practically perpendicular to the longitudinal direction of the emitter sub-zones 12. The resistance layer 13 is through a barrier layer, in this case a PN junction from the collector zone 10 separated.

Auf der Basiszone 11 werden Kontaktelektroden in Form von Metallstreifen 14 angebracht, die miteinander verbunden sind, damit der Ausgangsanschluß 15 der Basiszone 11 gebildet werden kann.On the base zone 11 contact electrodes in the form of metal strips 14 are attached to each other are connected so that the output terminal 15 of the base zone 11 can be formed.

Auch werden Kontaktelektrodenschichten auf den Emitterteilzonen 12 durch Metallschichten in Form von Zähnen 16 gebildet, die vorzugsweise in Gruppen von zwei zu Ansatzstücken 17 zusammengebaut sind.Contact electrode layers are also formed on the emitter sub-zones 12 by metal layers in the form of Teeth 16 are formed, which are preferably assembled in groups of two to form extensions 17.

In F i g. 1 sind ferner Öffnungen 21 dargestellt, die in einer Isolierschicht, ζ. B. aus Siliziumoxid, angebracht sind, die die Widerstandsschicht 13 bedeckt, damit Kontaktelektrodenbereiche Für die Metallschichtzähne 16 gebildet werden, wobei eine öffnung für jedes Zähnepaar vorgesehen istIn Fig. 1 also shows openings 21 which are shown in FIG an insulating layer, ζ. B. made of silicon oxide attached covering the resistance layer 13 so as to make contact electrode areas for the metal layer teeth 16, an opening being provided for each pair of teeth

Dabei bildet eine andere Öffnung 22, die zu der Linie der Öffnungen 21 parallel ist und die über praktisch die ganze Länge der Widerstandsschicht 13 angebracht ist einen Anschlußleiterbereich für den durch eine Metallschicht gebildeten Anschlußleiter 23, der den Ausgangsanschluß des Emitters des Transistors bildet. Die Kontaktelektrodenbereiche in den Fenstern 21 liegen dem Anschlußleiterbereich im Fenster 22 gegenüber.It forms another opening 22 that leads to the line of the openings 21 is parallel and which is applied over practically the entire length of the resistance layer 13 a connection conductor area for the connection conductor 23, which is formed by a metal layer and which forms the output connection of the emitter of the transistor. the Contact electrode areas in windows 21 are opposite to the connection conductor area in window 22.

In dem bekannten Transistor nach Fig. 1 befinden sich die Emitterreihenwiderstände 24 (waagerechte Schraffuren in Fig. 1) zwischen den Rändern 17/4 der Ansatzstücke 17 der Metallisierungszähne 16 und dem Rand 23/4 des Anschlußleiters 23. Die Stromlinien, die durch diese Widerstandselemente 24 hindurchgehen, weisen eine Richtung auf, die im Mittel zu der Richtung der Emitterteilzonen 12 und also zu der Breitenrichtung der Widerstandsschicht 13 parallel ist.In the known transistor of FIG. 1 are located the emitter series resistors 24 (horizontal hatching in Fig. 1) between the edges 17/4 of the Extension pieces 17 of the metallization teeth 16 and the edge 23/4 of the connecting conductor 23. The streamlines, the passing through these resistive elements 24 have a direction which is in the middle of the direction of the emitter sub-zones 12 and is thus parallel to the width direction of the resistive layer 13.

F i g. 2 zeigt einen Transistor nach der Erfindung. Dabei ist auf der Widerstandsschicht 13 nur eine einzige Öffnung 31 in der Isolierschicht angebracht, die die Widerstandsschicht 13 bedeckt, wobei sich diese Öffnung 31 in dem axialen Teil der Widerstandsschicht 13 befindet.F i g. 2 shows a transistor according to the invention. There is only one on the resistance layer 13 Opening 31 made in the insulating layer which covers the resistive layer 13, whereby these Opening 31 is located in the axial part of the resistive layer 13.

An die innerhalb der Öffnung 31 liegende Oberfläche der Widerstandsschicht 13 schließen sich wechselweise Zähne 32 des Anschlußleiters 33 über Anschlußleiterbereiche 35 und Ansatzstücke 17 der Emittermetallschichtzähne 16 über Kontaktelektrodenbereiche 36 an. In der Längsrichtung der streifenförmigen Widerstandsschicht 13 gesehen, sind die Anschlußleiterbereiche 35 und die Kontaktelektrodenbereiche 36 abwechselnd aufeinanderfolgend angeordnet. In diesem Beispiel fluchten sie miteinander.The surface of the resistance layer 13 lying within the opening 31 is alternately closed Teeth 32 of the connection conductor 33 via connection conductor areas 35 and extension pieces 17 of the emitter metal layer teeth 16 via contact electrode areas 36. In the longitudinal direction of the strip-shaped resistance layer 13, the connection conductor regions 35 and the contact electrode regions 36 are alternately consecutive arranged. In this example, they are aligned with each other.

Die Anschlußleiterzähne 32 sind zu einem Kamm zusammengebaut und bilden auf diese Weise den Ausgangsanschluß 33 des Emitters.The connection conductor teeth 32 are assembled into a comb and in this way form the Output terminal 33 of the emitter.

Die Widerstandselemente 34 (in F i g. 2 durch senkrechte Schraffuren angegeben) sind nun aber derarl angebracht, daß die Stromlinien, die durch diese Widerstandselemente hindurchgehen, im Mittel in der Längsrichtung der Widerstandsschicht 13 verlaufen.The resistance elements 34 (indicated in FIG. 2 by vertical hatching) are, however, derarl attached that the streamlines that pass through these resistance elements, on average in the Run in the longitudinal direction of the resistance layer 13.

Wenn die F i g. 1 und 2 miteinander verglicher werden, wird gefunden, daß die Ausführung des Halbleiterbauelements nach der Erfindung eine erhebliche Herabsetzung der Breite der streifenförmigeri Widerstandsschicht 13 gestattet.When the F i g. 1 and 2 are compared, it is found that the execution of the Semiconductor component according to the invention a considerable reduction in the width of the strip-shaped Resistance layer 13 allowed.

In der Praxis liegt die Breite der Widerstandsschichi 13 zwischen 6 μΐη und 8 μπι bei der Ausführungsform nach F i g. 2, während bei der Ausführungsform nach F i g. 1 diese Breite nicht kleiner als 20 μπι bis 22 μπι seir kann. Diese Breitenverringerung bedeutet eine erhebliche Herabsetzung (um etwa zwei Drittel) der auf die Widerstandsschicht zurückgehenden Streukapazitäi zwischen dem Emitter und dem Kollektor.In practice, the width of the resistance layer lies 13 between 6 μm and 8 μm in the embodiment according to FIG. 2, while in the embodiment according to FIG. 1 this width is not less than 20 μπι to 22 μπι seir can. This reduction in width means a considerable reduction (by about two thirds) of the Resistance layer decreasing stray capacitance between the emitter and the collector.

Der Transistor nach F i g. 2 kann unter Verwendung bekannter Maskierungs-, Diffusions- und Metallisie rungsverfahren hergestellt werden.The transistor according to FIG. 2 can be performed using known masking, diffusion and metallization production processes are produced.

Die Herstellung erfolgt z. B. auf folgende Weise. Au einem Substrat, z. B. aus Silizium, wird eine epitaktischi Schicht angebracht die die Kollektorzone 10 de Transistors bildet In dieser Kollektorzone 10 win anschließend die Widerstandsschicht 13 durch Diffusioi angebracht Durch eine andere Diffusion werden dam nacheinander die Basiszone 11 und die die Emitterteil zonen bildenden Oberflächenzonen 12 gebildet Danacl werden Kontaktfenster auf der Basiszone 11, auf de Widerstandsschicht 13 und auf den Emitterteilzonen l: gebildet Durch Aufdampfen wird eine Metallschicht z.B. aus Aluminium, angebracht die durch eil Photoätzverfahren derart bearbeitet wird, daß di Metallschichtteile 14, 15, 16, 17, 32 und 33 gebfldeThe production takes place z. B. in the following way. Au a substrate, e.g. B. made of silicon, an epitaktischi Layer attached that forms the collector zone 10 de transistor In this collector zone 10 win then the resistance layer 13 is attached by diffusion one after the other, the base zone 11 and the surface zones 12 forming the emitter part zones are formed Danacl contact windows on the base zone 11, on the resistance layer 13 and on the emitter sub-zones l: A metal layer, e.g. made of aluminum, is formed by vapor deposition, which is attached by eil Photoetching is processed such that di Metal layer parts 14, 15, 16, 17, 32 and 33 building

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werden. Schließlich wird zum Schutz des Transistors eine Siliziumoxidschicht auf der Oberfläche niedergeschlagen. will. Finally, a silicon oxide layer is deposited on the surface to protect the transistor.

Das beschriebene Ausführungsbeispiel kann vielfältig abgewandelt werden. So kann die Widerstandsschicht 13 statt eines diffundierten Gebietes auch ein auf andere Weise, z. B. durch Ionenimplantation, angebrachtes Gebiet sein. Auch kann die Widerstandsschicht eine durch eine Isolierschicht von der Halbleiteroberfläche getrennte streifenförmige Widerstandsmaterialschicht sein. Die Widerstandsschicht kann auch durch ein Metall geeigneten spezifischen Widerstandes gebildet werden, das mit dem angrenzenden Teil des Halbleiterkörpers, ζ. B. mit der Kollektorzone 10, einen Schottky-Übergang bildet, der im Betriebszustand (ebenso wie der PN-Übergang zwischen den Gebieten 13 und 10 in den oben beschriebenen Beispielen) in Sperrichtung polari-The exemplary embodiment described can be modified in many ways. So can the resistive layer 13 instead of a diffused area also a different way, e.g. B. by ion implantation attached Be territory. The resistance layer can also be formed by an insulating layer from the semiconductor surface be separate strip-shaped resistor material layer. The resistance layer can also be made of a metal suitable specific resistance can be formed, which with the adjacent part of the semiconductor body, ζ. B. with the collector zone 10, forms a Schottky junction, which in the operating state (as well as the PN junction between areas 13 and 10 in the examples described above) in the reverse polarity

siert sein muß. Die verschiedenen Leitungstypen können alle durch die entgegengesetzten Leitungstypen ersetzt werden und das Halbleitermaterial kann ein anderes Material als Silizium sein. Auch können andere Metalle und Isolierschichten verwendet werden.must be sated. The different types of conduction can all be due to the opposite conduction types can be replaced and the semiconductor material can be a material other than silicon. Others can too Metals and insulating layers are used.

Obgleich die größte Herabsetzung der durch die Widerstandsschicht herbeigeführten Streukapazität erreicht wird, wenn, wie in F i g. 2 dargestellt, die Kontaktelektrodenbereiche und die Anschlußleiterbereiche miteinander fluchten, kann unter Umständen bereits eine nutzvolle Kapazitätsherabsetzung erhalten werden, wenn die Kontaktelektrodenbereiche und die Anschlußleiterbereiche nicht miteinander fluchten, die Widerstandselemente also zwischen den wechselweise angeordneten Anschlußleiter- und Kontaktelektrodenbereichen eine Zickzacklinie bilden.Although achieved the greatest reduction in the stray capacitance brought about by the resistive layer if, as in FIG. 2, the contact electrode areas and the lead areas align with each other, can possibly already receive a useful capacity reduction if the contact electrode areas and the lead areas are not aligned with each other, the Resistance elements between the alternately arranged connecting conductor and contact electrode areas form a zigzag line.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen 709684/260 1 sheet of drawings 709684/260

Claims

23 OO 597 claims:

1. Semiconductor component with transistor structure with a semiconductor body with at least two emitter sub-zones of the first conductivity type lying on its surface, which form PN transitions ending on the surface of the semiconductor body with the base zone of the second conductivity type that completely surrounds them, and with one on the surface of the semiconductor body outside the strip-shaped resistance layer lying on the emitter sub-zones, which is separated by a barrier layer from the part of the semiconductor body lying below it, the contact electrode layer of each emitter sub-zone making contact with the resistance layer in a contact electrode area and wherein a connection conductor also contacts the resistance layer in one or more connection conductor areas, as characterized by that, seen in the longitudinal direction of the strip-shaped resistance layer (! 3), the connection conductor areas (35) and the contact electrode areas (36) are arranged alternately one behind the other.

2. A semiconductor component according to claim 1, characterized in that the connecting conductor (33) has a Has comb-shaped shape, the teeth (32) of the comb-shaped connecting conductor at least partially between the contact electrode regions (36) and the strip-shaped resistance layer (13) in the connection conductor areas (35).

3. Semiconductor component according to claim 1 or 2, characterized in that the contact electrode regions (36) and the connection conductor areas (35) are aligned with one another.

4. The semiconductor component according to claim 3, wherein the strip-shaped resistance layer is at least is partially covered with an insulating layer, characterized in that the connecting conductors and the contact electrode areas (35, 36) are all in a gap-shaped area provided in the insulating layer Contact window with a parallel to the longitudinal direction of the strip-shaped resistance layer Lie lengthways.

5. Semiconductor component according to one of the preceding claims, characterized in that the strip-shaped resistance layer (13) through an adjacent to the surface of the semiconductor body Semiconductor zone is formed, which with the part of the semiconductor body lying below it one at the Surface ending PN junction forms.

6. Semiconductor component according to one of the preceding claims, characterized in that the Emitter sub-zones (12) strip-shaped emitter sub-zones lying next to one another and parallel to one another form, which within the semiconductor body entirely from a base zone (11) of the second conductivity type are surrounded, which is adjacent to a collector zone (10) of the first conductivity type.

7. Semiconductor component according to claim 6, characterized in that the longitudinal direction of the strip-shaped Resistance layer (13) to the longitudinal direction of the strip-shaped emitter sub-zones (12) is perpendicular.

8. A semiconductor component according to claim 7, characterized in that the base zone (U) with the Collector zone (10) forms a PN junction ending on the surface of the semiconductor body

and that the strip-shaped resistance layer (13) by an outside of the base zone (11) and is formed within the collector zone (10) lying strip-shaped surface layer of the second conductivity type

9. Semiconductor component according to claim 7 or 8, characterized in that the emitter sub-zones (12) in groups of at least two by means of their contact electrode layers (16) each with one Contact electrode region (36) of the resistance layer (13) are connected.

10. Semiconductor component according to one of the preceding claims, characterized in that the strip-shaped resistance layer (13) has a width of at least 6 μm and at most 8 μm.