DE1802899C3

DE1802899C3 - Semiconductor device

Info

Publication number: DE1802899C3
Application number: DE19681802899
Authority: DE
Inventors: George Eindhoven Kerr (Niederlande)
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1968-06-21
Filing date: 1968-10-12
Publication date: 1977-06-23

Description

Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung nut einem Halbleiterkörper, einer auf einer im wesentlichen ebenen Fläche des Halbleiterkörpers aufgebrachten Isolierschicht und einem auf der Isolierschicht angeordneten metallischen Kontakt, der mehrere iingerartig ausgebildete, durch Öffnungen in der Isolierschicht mit einer oder mehreren Oberflächenzonen des Halbleiterkörpers verbundene Teile und einem im Abstand von diesen angeordneten gemeinsamen Anschlußteil aufweist, /wobei die Kontaktfinger und der gemeinsame Anschlußteil durch schichtförmig ausgebildete Reihenwiderstände verbunden sind.The invention relates to a semiconductor arrangement having one semiconductor body, one essentially on top of one Flat surface of the semiconductor body applied insulating layer and one on the insulating layer arranged metallic contact, the several finger-like formed through openings in the Insulating layer with one or more surface zones of the semiconductor body connected parts and has a common connection part arranged at a distance from these, / wherein the contact fingers and the common terminal part is connected by series resistors formed in a layered manner are.

Bei Halbleiteranordnungen werden häufig derartige Kontakte mit fingerartig ausgebildeten Teilen, sogenannten Kontaktfingern, verwendet. Für integrierte Schaltungen z. B., bei denen zwei oder mehr Schaltkreise einen gemeinsamen Punkt haben, kann es erwünscht sein, in jeden der Schaltkreise einen Reihenwiderstand aufzunehmen, wobei diese Reihenwiderstände z.B. aus Symmetrieerwägungen gleich groß oder wenigstens von der gleichen Größenordnung sind. Die Reihenwiderstände können z. B. zur Förderung einer guten Stromverteilung auf mehrere parallel geschaltete Dioden oder Transistoren dienen.In semiconductor arrangements, such contacts with finger-like parts, so-called Contact fingers, used. For integrated circuits e.g. B. where two or more circuits have a common point, it may be desirable to include a series resistor in each of the circuits with these series resistances being the same size, e.g. for reasons of symmetry or at least of the same order of magnitude. The series resistors can, for. B. to promote a good current distribution to several diodes or transistors connected in parallel.

Aus der GB-PS 1044 469 ist ein Mehremittertransistbr bekannt mit einem Emitter- und einem Basiskontakt, die zusammen ein interdigitales Muster bilden, wobei die Finger des Emitterkontaktes über Reihenwiderstände mit einem für die Finger gemeinsamen Teil des Emitterkontaktes verbunden sind.GB-PS 1044 469 discloses a multi-emitter transistor known with an emitter and a base contact, which together form an interdigital pattern, wherein the fingers of the emitter contact via series resistors with a common for the fingers Part of the emitter contact are connected.

Weiter war es aus der GB-PS II 09 211 bekannt, bei einem Mehremittertransistor ein besonderes, vom Transistor getrenntes Siliziumplättchen als für mehrere Emitterkontakte gemeinsamen Reihenwiderstand zu verwenden, der ebenfalls für gleichmäßige Stromverteilung sorgt.It was also known from GB-PS II 09 211, in the case of a multi-emitter transistor, a special silicon wafer separate from the transistor than for several Emitter contacts use common series resistance, which is also used for even current distribution cares.

Schließlich war es aus der US-PS 33 58 197 bekannt, bei einem Mehremittertransistor die fingerförmigen Emitterteilzoncn über als Einzel-Serienwiderstände wirkende Bereiche an der Oberfläche mit einem allen Emitterteilzonen gemeinsamen Emitterkontakt zu verbinden.Finally, it was known from US-PS 33 58 197, the finger-shaped in a multi-emitter transistor Partial emitter zone over areas acting as individual series resistors on the surface to be connected to an emitter contact common to all emitter sub-zones.

Bei den bekannten Halbleiteranordiungen treten entweder, soweit die einzelnen Reihenwiderstände nicht voneinander getrennt sind, unerwünschte Kopplungen auf, oder es sind zum Anbringen dieser Reihenwiderstände bei der Herstellung der Anordnung zusätzliche Pho'.omaskierungsstufen erforder-In the known semiconductor arrangements occur either, as far as the individual series resistors are not separated from each other, undesirable Couplings on, or there are to attach these series resistors in the manufacture of the arrangement additional Pho'.o masking levels required

Hch, die eine sehr genaue Ausrichtung einer Maske für die seitliche Begrenzung der Reihenwiderstände erfordern, sowie ein anschließendes, schwer zu beherrschendes Ätzverfahren. Aus diesen Gründen ergab sich entweder eine unerwünschte Kopplung und damit eine nicht korrekte Stromaufteilang, oder es trat bei der Herstellung der Anordnungen ein hoher Ausschuß auf.Hch, the very precise alignment of a mask for the lateral limitation of the series resistors require, as well as a subsequent, difficult to control etching process. For these reasons resulted Either an undesired coupling and thus an incorrect Stromaufteilang, or it a high level of scrap occurred in the manufacture of the assemblies.

Der Erfindung liegt nun, ausgehend von diesem Stand der Technik, die Aufgabe zugrunde, eine Halbleiteranordnung der eingangs genannten Art zu schaffen, die sich ohne Schwierigkeiten mit den bekannten Verfahren mit hoher Ausbeute herstellen läßt und bei der durch die Reihenwiderstände eine möglichst gleichmäßige Stromverteilung bewirkt wird.The invention is based on this prior art, the object of a To create a semiconductor device of the type mentioned, which can easily deal with the known Can produce process with high yield and in which by the series resistors a The most uniform possible current distribution is achieved.

Die Erfindung geht dabei unter anderem von der Erkenntnis aus, daß es nicht erforderlich ist, daß die Reihenwiderstände elektrisch voneinander isoliert sind, sondern daß auch mit einer geschlossenen Widerstandsschicht für die einzelnen Kontaktfinger eine hinreichend unabhängige Rückkopplung und damit eine gleichmäßige Stromverteilung erzielt werden kann.The invention is based, inter alia, on the knowledge that it is not necessary that the Series resistors are electrically isolated from each other, but that also with a closed one Resistance layer for the individual contact fingers a sufficiently independent feedback and so that an even current distribution can be achieved.

In Anwendung dieser Erkenntnis wird die genannte Aufgabe dadurch gelöst, daß wenigstens einige der Reihenwiderstände Teil einer quer zu den kürzesten Verbindungswegen zwischen den Kontaktfingern und dem gemeinsamen Anschlußteil verlaufenden, in sich geschlossenen Widerstandsschicht sind, die durch eine im Halbleiterkörper ausgebildete, durch einen PN-Übergang von dem angrenzenden Teil des Halbleiterkörpers getrennte Oberflächenzone oder durch eine auf der Isolierschicht angeordnete Schicht aus Widerstandsmaterial gebildet ist.Using this knowledge, the stated object is achieved in that at least some of the series resistances part of a transverse to the shortest connection paths between the contact fingers and the common connection part running, self-contained resistive layer which are formed by one formed in the semiconductor body, through a PN junction from the adjacent one Part of the semiconductor body separated surface zone or by one arranged on the insulating layer Layer of resistance material is formed.

Mit einer solchen Ausbildung der Halbleiteranordnung wird der Vorteil erreicht, daß ihre Fertigung einfacher und damit auch die Ausbeute größer wird. Überdies gestattet es die Verwendung einer geschlossenen Widerstandsschicht, den Gesamtwert der Reihenwiderständü mit einer größeren Genauigkeit herzustellen. Dies ist unter anderem deshalb wichtig, weil bei Transistoren der Gesamtwiderstand des Emitterseriertwiderstandes einen ausgeprägten Einfluß auf den in einer Schaltung erreichbaren Höchstwert der Verstärkung des Transistors hat.With such a design of the semiconductor device, the advantage is achieved that its manufacture simpler and thus the yield is also greater. It also allows the use of a closed one Resistance layer to produce the total value of the series resistance with greater accuracy. This is important, among other things, because with transistors the total resistance of the Emitter-generated resistance has a pronounced influence to the maximum gain of the transistor that can be achieved in a circuit.

Die Anbringung der Reihenwiderstände erfordert auch keine kritischen zusätzlichen Verfahrensschritte, da die Abmessungen in einer Richtung quer zur Dickenrichtung der Widerstandsschicht den Wert der Widerstände praktisch nicht mehr beeinflussen. Der Widerstandswert wird außer durch den spezifischen Widerstand und die Dicke der Widerstandsschicht im wesentlichen durch d°n Abstand der Kontaktfinger vom gemeinsamen Anschlußteil des Kontaktes bestimmt, wobei der genannte Abstand nicht von einem Ausrichtvorgang abhängig ist, sondern durch die Maske bestimmt wird, mit der gleichzeitig sowohl die Begrenzung der Finger als auch die des gemeinsamen Anschlußteils bestimmt wird.The attachment of the series resistors also does not require any critical additional process steps, since the dimensions are transverse in one direction to the thickness direction of the resistance layer practically no longer influence the value of the resistors. The resistance value is determined by the specific resistance and the thickness of the resistance layer essentially by the distance between the contact fingers and the common connecting part of the contact determined, wherein the mentioned distance is not dependent on an alignment process, but is determined by the mask, with which both the limitation of the fingers and that of the common connector is determined.

Es sei noch bemerkt, daß aus der erwähnten GB-PS 10 44 469 ebenfalls ein Transistor mit einem Emitterkontakt mit Reihenwiderständen bekannt ist. wobei dieselbe geschlossene Widerstandsschicht für sämtliche Reihenwiderstände verwendet wird. Da'tc befinden sich die Reihenwiderstände jedoch nicht i.. den Verbindungswegen zwischen den Fingern und deni den Fingern gemeinsamen Anschlußteil des Kontaktes, sondern der Emitterkontakt besteht aus einem geschlossenen Metalhnuster, das sich über eine auf der Isolierschicht und in den Fenstern Hegende Widerstandsschiclrt erstreckt, die völlig durch das Metallmuster bedeckt ist. Weil nur die Widerstandsschicht mit der unterliegenden Emitterzone verbunden ist, bildet diese Widerstandsschicht einen Reihenwiderstand zwischen der Emitterzone undIt should be noted that from the aforementioned GB-PS 10 44 469 also a transistor with a Emitter contact with series resistors is known. being the same closed resistive layer for all series resistors are used. Da'tc However, if the series resistors are not located i .. the connecting paths between the fingers and deni the connection part of the contact common to the fingers, but the emitter contact consists of a closed metal pattern that extends over a layer on the insulating layer and in the windows Resistance layer extends, which is completely covered by the metal pattern. Because only the resistance layer is connected to the underlying emitter zone, this resistance layer forms a Series resistance between the emitter zone and

ίο dem Metallmuster des Kontaktes, wobei der Strom die Widerstandsschicht in der Dickenrichtung durchfließt. ίο the metal pattern of the contact, where the current flows through the resistive layer in the thickness direction.

Diese Konfiguration von Reihenwiderständen gemäß der obenerwähnten Patentschrift eignet sich jedoch für alle Anwendungen nicht gleich gut. Sie kann z. B. bei Emitterzonen oder Emitterteilzonen mit verhältnismäßig großem Flächeninhalt zu einer Widerstandsschicht mit unpraktisch großer Dicke führen, wie dies auch bei kleineren Emitterzonen der Fall sein kann, wenn ein höherer Reihenwiderstand gewünscht ist.However, this configuration of series resistors according to the above-mentioned patent specification is suitable not equally good for all applications. You can z. B. for emitter zones or partial emitter zones with a relatively large surface area lead to a resistance layer with an impractically large thickness, as can also be the case with smaller emitter zones if a higher series resistance is desired.

Die Erfindung ist besonders wichtig zur Anwendung bei Transistoren. Bei Transistoren, insbesondere bei Transistoren für hohe Frequenzen und große Leistungen, werden bekanntlich häufig Reihenwiderstände mit Emitterkontakt verwendet, u. m. zum Schutz gegen Sekundärdurchbruch. Die Abmessungen und der Abstand der Finger des Kontaktes voneinander sowie der Widerstandswert der Reihenwiderstände, der z. B. von einigen Zehntel Ohm bis zu einigen Ohm betragen kann, sind üblicherweise so, daß die Ausrichtung der Maske für die Begrenzung der einzelnen Widerstände besonders genau erfolgen muß. Die Anwendung der Erfindung hat eine erhebliche Vereinfachung zur Folge, und eine wichtige Weiterbildung der Halbleiteranordnung nach der Erfindung ist denn auch dadurch gekennzeichnet, daß der Kontakt der Emitterkontakt eines Transistors ist.The invention is particularly important for application to transistors. With transistors, in particular As is well known, series resistors are often used in transistors for high frequencies and high powers Used with emitter contact, among other things for protection against secondary breakdown. The dimensions and the distance between the fingers of the contact and the resistance value of the series resistors, the z. B. from a few tenths of an ohm to a few ohms are common so that the alignment of the mask for the limitation of the individual resistors is particularly precise must be done. The application of the invention results in a considerable simplification, and a important further development of the semiconductor arrangement according to the invention is also characterized in that that the contact is the emitter contact of a transistor.

Die sich als ein schichtförmiges Gebiet auf der Isolierschicht erstreckende Widerstandsschicht kannThe resistance layer extending as a layer-shaped area on the insulating layer can

z. B. aus Titan, Tantal, Aluminium oder einer Nikkel-Chrom-Legierung bestehen.z. B. made of titanium, tantalum, aluminum or a nickel-chromium alloy exist.

Bei einer weiteren wichtigen Ausführungsform der Halbleiteranordnung nach der Erfindung ist der Widerstand in der Widerstandssch'chl zwischen zwei benachbarten Kontaktfingern mindestens ebenso groß wie der Widerstand in der Widerstandsschicht zwischen jedem dieser Kontaktfinger und dem diesen Kontaktfingern gemeinsamen Anschlußteil des Kontaktes. Auf diese Weise wird eine gute Stromverteilung auf die verschiedenen Kontaktfinger gefördert.In a further important embodiment of the semiconductor device according to the invention is the Resistance in the resistance loop between two adjacent contact fingers is at least the same as great as the resistance in the resistance layer between each of these contact fingers and this one Contact fingers common connecting part of the contact. This way there will be a good power distribution promoted on the various contact fingers.

Vorzugsweise wird die die Widerstandsschicht bildende Oberflächenzonc durch eine Diffusionsbehandlung erhalten, bei der die Diffusionsiiefe und die Dotierungskonzentration dem gewünschten Widerstandswert völlig angepaßt werden. Auch für diese Diffusionsbehandlung gilt, daß dabei durch die Anwendung der Erfindung keine genauen Ausrichtvorgange eingeführt werden.Preferably, the surface area forming the resistive layer is given a diffusion treatment obtained at which the diffusion depth and the doping concentration meet the desired resistance value be fully customized. For this diffusion treatment, too, it is true that it is due to the application no precise alignment processes are introduced according to the invention.

Bei der Anwendung diffundierter Reihenwiderstände können genaue Ausrichtvorgänge auch dadurch vermieden werden, daß die Diffusionsbehandlung für die Widerstände gleichzeitig mit einer oder mehreren Diffusionen erfolgt, die für die Herstellung eines Schaltungselements, z. B. des zu kontaktierenden Bauelements, erforderlich sind. 3ei der Herstellung eines Transistors könnten z. B. die Reihen-When using diffused series resistors, precise alignment processes can also be achieved be avoided that the diffusion treatment for the resistors at the same time with an or several diffusions takes place, which are necessary for the production of a circuit element, e.g. B. the to be contacted Component, are required. 3ei the manufacture of a transistor could z. B. the row

widerstände gleichzeitig mit der Emitter- und/oder der Basisdiffusion erhalten werden. Weil dabei die Reihenwiderstände im Halbleiterkörper meistens durch ein Gebiet umgeben werden, das zur Kollektorzone des Transistors gehört, führt die erforderliche Isolierung der Reihenwiderstände zur Verwendung der Basisdiffusion für diese Widerstände. Andererseits macht der gewünschte Widerstandswert der Reihenwiderstände die Verwendung der Emitterdiffusion erwünscht. In der Praxis ist eine Kombination dieser beiden Diffusionen, bei der der eigentliche Widerstand durch eine Oberflächenzone gebildet wird, die gleichzeitig mit der Emitterzone erhalten worden ist und zur Isolierung durch eine weitere Oberflächenzone umgeben wird, die gleichzeitig mit der Basiszone erhalten worden ist, besonders geeignet. Zur Verhinderung einer unerwünschten Transistorwirkung wird dabei der Emitter^JBasis-Übergang vorzugsweise kurzgeschlossen.resistances are obtained simultaneously with the emitter and / or the base diffusion. Because the series resistors in the semiconductor body are mostly surrounded by an area that belongs to the collector zone of the transistor, the required isolation of the series resistors leads to the use of base diffusion for these resistors. On the other hand, the desired resistance of the series resistors makes the use of emitter diffusion desirable. In practice, a combination of these two diffusions, in which the actual resistance is formed by a surface zone which has been obtained at the same time as the emitter zone and is surrounded for insulation by a further surface zone which has been obtained simultaneously with the base zone, is particularly suitable . In order to prevent an undesired transistor effect, the emitter ^J base junction is preferably short-circuited.

Die vorstehend beschriebenen doppelt-diffundierten Widerstände sind bisher nicht als Reihenwiderstände in den Kontaktfingern des Emitterkontaktes eines Transistors verwendet worden. In bestimmten Fällen kann ein Grund dafür in einem Raummangel bestehen, z. B. wenn der Abstand der — im folgenden kurz als Finger bezeichneten — Kontaktfinger voneinander zu klein ist, um in jeden der Finger einen doppeltdiffundierten Reihenwiderstand aufnehmen zu können. Weil die Reihenwiderstände je zwei Oberflächenzonen mit zwei an der Halbleiteroberfläche endenden PN-Übergängen enthalten, können die Reihenwiderstände nämlich erheblich breiter als die Finger sein.The double-diffused resistors described above have not been designed as series resistors has been used in the contact fingers of the emitter contact of a transistor. In particular In some cases, a reason for this may be lack of space, e.g. B. if the distance of - in the following briefly referred to as fingers - contact fingers of one another is too small to fit into each of the fingers to be able to accommodate a double-diffused series resistor. Because the series resistances are two each Surface zones with two PN junctions ending at the semiconductor surface can contain that is, the series resistances must be considerably wider than the fingers.

Die Erfindung verringert diesen Nachteil, und eine weitere Ausführungsform der Halbleilei anordnung gemäß der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsschicht durch zwei Zonen gebildet wird, von denen die erste eine Oberflächenzone ist, die im Halbleiterkörper völlig durch die zweite Zone umgeben wird, während die zweite Zone sowohl mit der Oberflächenzone als auch mit dem an die zweite Zone grenzenden Teil des Halbleiterkörpers je einen PN-Übergang bildet, wobei eine dieser beiden PN-Übergänge, vorzugsweise der PN-Übergang zwischen der Oberflächenzone und der zweiten Zone, kurzgeschlossen ist.The invention reduces this disadvantage, and a further embodiment of the half-liner arrangement according to the invention is characterized in that the resistance layer is formed by two zones is, of which the first is a surface zone that completely passes through the second in the semiconductor body Zone is surrounded, while the second zone with both the surface zone and the at the part of the semiconductor body bordering the second zone each forms a PN junction, one of these both PN junctions, preferably the PN junction between the surface zone and the second Zone that is short-circuited.

Die beiden Zonen der Widerstandsschicht können gleichzeitig mit weiteren anzubringenden Zonen, z.B. den Zonen eines Transistors, erzeugt werden. Ferner braudien sich bei dieser Konfiguration zwischen benachbarten Reihenwiderständen keine an der Oberfläche endenden PN-Übergänge zu befinden, wodurch sich diese Konfiguration auch zur Anwendung bei Kontakten mit geringem Abstand der Finger voneinander eignet The two zones of the resistance layer can be produced simultaneously with further zones to be applied, for example the zones of a transistor. Furthermore, with this configuration there need not be any surface-terminating PN junctions between adjacent series resistors, which means that this configuration is also suitable for use with contacts with a small distance between the fingers

Bei einer weiteren Ausfuhrungsform ist die Oberflächenzone in mehrere Teilzonen unterteilt, wobei der PN-Übergang zwischen jeder der Teilzonen und der zweiten Zone kurzgeschlossen ist. Bei einer doppeltdiffundierten Widerstandsschicht mit einer derartigen Konfiguration wird der Widerstand in der Widerstandsschicht zwischen benachbarten Fingern im wesentlichen durch den zwischen diesen Fingern liegenden Teil der zweiten Zone bestimmt, weil der Flächenwiderstand der zweiten Zone meistens erheblich höher als der der Teilzonen ist. Infolgedessen hat dieser Widerstand zwischen benachbarten Fingern leicht einen Wert, der mindestens ebenso groß ist wie der des Widerstandes zwischen jedem der F-inger und dem den Fingern gemeinsamen Teil des Kontaktes. In a further embodiment, the surface zone is divided into several sub-zones, the PN junction between each of the sub-zones and the second zone being short-circuited. In the case of a double-diffused resistance layer with such a configuration, the resistance in the resistance layer between adjacent fingers is essentially determined by the part of the second zone lying between these fingers, because the sheet resistance of the second zone is usually considerably higher than that of the sub-zones. As a result, this resistance between adjacent fingers tends to have a value which is at least as great as that of the resistance between each of the fingers and the part of the contact common to the fingers.

Im Zusammenhang mit vorstehendem sei ferner bemerkt, daß der PN-Übergang zwischen jeder der Teilzonen und der zweiten Zone vorzugsweise an der dem gemeinsamen Anschlußteil des Kontaktes zugekehrten Seite der Teilzonen angebracht ist. Dabei können nicht nur die Teilzonen durch ein gemeinsames Kontaktfenster mit dem gemeinsamen Teil des Kontaktes Kontakt machen, sondern die Stromflußrichtung in den Teilzonen ist auch derart, daß der PN-Übergang zwischen den Teilzonen und der zweiten Zone in einiger Entfernung vom Kurzschluß in Sperrichtung vorgespannt ist, wodurch der Widerstand zwischen benachbarten Fingern besonders hoch ist.In connection with the above, it should also be noted that the PN junction between each of the Partial zones and the second zone preferably on the one facing the common connection part of the contact Side of the sub-zones is attached. Not only can the sub-zones share a common Contact window make contact with the common part of the contact, but the direction of current flow in the sub-zones is also such that the PN junction between the sub-zones and the second Zone some distance from the short circuit is reverse biased, reducing the resistance is particularly high between adjacent fingers.

Zweckmäßig kann eine Widerstandsschicht verwendet werden, die eine langgestreckte Form mit zwei einander gegenüberliegenden langen Rändern hat, wobei längs eines dieser Ränder mehrere Kontaktfinger mit der Widerstandsschicht verbunden sind, während die Widerstandsschicht praktisch längs des gesamten gegenüberliegenden langen Randes mit dem den Kontaktfingern gemeinsamen Anschlußteil des Kontaktes verbunden ist. Eine derartige langgestreckte Widerstandsschicht ist z. B. rechteckig oder ringförmig.
Auf diese Weise wird erreicht, daß die Reihenwiderstände zwischen jedem der Finger und dem gemeinsamen Teil des Kontaktes einen praktisch gleichen Widerstandswert aufweisen, wodurch eine gute Stromverteilung auf die verschiedenen Finger gefördert wird.Appropriately, a resistive layer can be used which has an elongated shape with two long edges lying opposite one another, several contact fingers being connected to the resistive layer along one of these edges, while the resistive layer is practically along the entire long opposite edge with the connecting part of the contact common to the contact fingers connected is. Such an elongated resistive layer is e.g. B. rectangular or ring-shaped.
In this way it is achieved that the series resistances between each of the fingers and the common part of the contact have practically the same resistance value, whereby a good current distribution to the different fingers is promoted.

Bei der vorstehend beschriebenen, langgestreckten Widerstandsschicht hat offensichtlich auch der den Fingern gemeinsame Teil des Kontaktes häufig eine langgestreckte Form, wobei der Abstand der Ansatzstelle des am gemeinsamen Anschlußteil zu befestigenden Anschlußleiters von den Fingern üblicherweise nicht bei jedem Finger der gleiche ist. Ferner ist der Flächenwiderstand der Elektrodenschicht, die den gemeinsamen Anschlußteil bildet, meistens niedriger als der der Widerstandsschicht, so daß die Strombahnen, die von der Ansatzstelle zu den Fingern laufen, auf einer möglichst großen Strecke im gemeinsamen Anschlußterl liegen. Die Längenunterschiede der im gemeinsamen Anschlußteil des Kontaktes liegenden Teile dieser Strombahnen haben Unterschiede im Reihenwiderstand für die verschiedenen Finger zur Folge, wodurch die Stromverteilung nachteilig beeinflußt werden kann. In the case of the elongated resistive layer described above, the part of the contact common to the fingers obviously also has an elongated shape, the distance between the attachment point of the connection conductor to be attached to the common connection part and the fingers usually not being the same for each finger. Furthermore, the sheet resistance of the electrode layer, which forms the common connection part, is usually lower than that of the resistance layer, so that the current paths that run from the point of attachment to the fingers are as long as possible in the common connection area. The differences in length of the parts of these current paths located in the common connection part of the contact result in differences in the series resistance for the various fingers, which can have a detrimental effect on the current distribution.

Der erwähnte Unterschied im Reihenwiderstand kann auf verschiedene Weise verringert oder besei- The mentioned difference in series resistance can be reduced or eliminated in various ways.

tigt werden, z.B. durch die Verwendung eines gemeinsamen Anschlußteils des Kontaktes mit verlaufender Dicke. Auch können die Dotierungskonzentration und/oder die Diffusionstiefe der diffundierten Widerstandsschicht oder die Dicke der aufsuch as the use of a common terminal portion of the contact of gradual thickness. The doping concentration and / or the diffusion depth of the diffused resistance layer or the thickness of the der Isolierschicht liegenden Widerstandsschicht örtlich verschieden gewählt werden.the resistance layer lying on the insulating layer can be selected locally different.

Eine wichtige Ausführungsform der Halbleiteranordnung nach der Erfindung, bei der der gemeinsame Anschlußteil des Kontaktes mit einem AnschlußleiterAn important embodiment of the semiconductor device according to the invention, in which the common Connection part of the contact with a connection conductor versehen ist, ist jedoch dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsschicht eine praktisch homogene Schicht ist, wobei der kürzeste Abstand zwischen einen Kontaktfinger und dem gemeinsamen An-is provided, but is characterized in that the resistive layer is a practically homogeneous layer, with the shortest distance between a contact finger and the common

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F ι j* ! v:htmi£iK.h eine Draufv.;h; auf ein Au<f.-.hruri^.\bci^s-pici einer erfindung.rgemaßen HaIb-Ie-. i.tranofdn ung,F ι j *! v: htmi £ iK.h a top v.; h; to an Au <f .-. hruri ^. \ bci ^s -pici of an inventive Halb-Ie. transfusion,

F-1 y. 2 v.hernamch Einen längs eier Linie H-H der \ .'4, 1 geführten Schnitt durch diese Halbleiteranordnung, F-1 y. 2 v.hernamch a cut along a line HH of \ .'4, 1 through this semiconductor arrangement,

f^: ι f! 2 v:hemati*.ch eine Drauf'-icht auf einen TeU einer anderen Ausfuhrungsform einer Halbleiteranordnung gemäß der Erfindung,f ^: ι f! 2 v: hemati * .ch a plan view of a part of another embodiment of a semiconductor arrangement according to the invention,

F ι g. 4 schematisch einen längs der Linie IV-IV der F ι g. 3 geführten Schnitt durch diese Halbleiteranordnung, Fig. 4 schematically one along the line IV-IV the figure. 3 guided section through this semiconductor arrangement,

Fig. 5 schct:*atisch eine Draufsicht auf eine weitere Ausführungsform der erfindungsgemäßen HaIb-Itiicranordnung, Fig. 5 schct: * atically a plan view of another Embodiment of the Halb-Itiicranordnung according to the invention,

Fig. Ci schematisch einen längs der Linie VI-VI der F ι g. 5 geführten Schnitt durch diese Anordnung.Fig. Ci schematically a along the line VI-VI the figure. 5 guided section through this arrangement.

Die Halbleiteranordnung nach den F i g. 1 und 2 enthält einen Halbleiterkörper 1, von dem eine praktisch ebene Fläche 2 mit einer Isolierschicht 3 versehen ist, wobei sich über die Isolierschicht 3 ein Kontakt 4, 5 erstreckt, der mehrere Teile 5, die nachstehend als Finger bezeichnet werden, und einen den f injjc-rn S gemeinsamen Anschlußteil 4 aufweist, wobei in jeden der Verbindungswege zwischen den Fingern S und dem gemeinsamen Anschlußteil 4 ein Ueihenwidersstand aufgenommen ist, während die Finger 5 durch öffnungen 8 in der Isolierschicht 3 mil dem Halbleiterkörper 1 Kontakt machen.The semiconductor arrangement according to FIGS. 1 and 2 contain a semiconductor body 1, of which a practically flat surface 2 is provided with an insulating layer 3, a contact 4, 5 extending over the insulating layer 3, the several parts 5, hereinafter referred to as fingers, and one the f injjc-rn S has a common connection part 4, a series resistance being received in each of the connecting paths between the fingers S and the common connection part 4, while the fingers 5 make contact with the semiconductor body 1 through openings 8 in the insulating layer 3.

Dabei bilden wenigstens einige der Reihenwiderstände einen Teil einer in sich geschlossenen Widerstandsschidn 6, 7.At least some of the series resistors form part of a self-contained resistance section 6, 7.

Beim vorliegenden Ausführungsbeispiel ist der Kontakt 4, 5 der EmiUerkoniakt eines Transistors. Dabei sei bemerkt, daß in der Draufsicht nach Fig. 1 die Isolierschicht3 durchsichtig gedacht wird, wodurch die unterliegenden Halbleiterzonen sichtbar sind. Der erwähnte Transistor hat zwei Emitterzonen^ die durch eine Basiszone 10 umgeben sind, während der angrenzende Teil 11 des Halbleiterkörpers 1 zur Kollektorzone gehört. Die Basiszone 10 macht durch Fenster 12 Kontakt mit dem Basiskontakt 13, der ebenfalls mehrere Finger aufweist, wobei der Emitterkontakt 4, 5 und der Basiskontakt 13 zusammen ein interdigitales Muster bilden.In the present exemplary embodiment, the contact 4, 5 is the emitter of a transistor. It should be noted that in the plan view according to FIG. 1, the insulating layer 3 is thought to be transparent, whereby the underlying semiconductor zones are visible. The transistor mentioned has two emitter zones which are surrounded by a base zone 10, while the adjoining part 11 of the semiconductor body 1 belongs to the collector zone. The base zone 10 makes contact through the window 12 with the base contact 13, which also has a plurality of fingers, the emitter contact 4, 5 and the base contact 13 together forming an interdigital pattern.

Die Widerstandsschicht 6, 7 besteht aus zwei Zonen, von denen die erste eine Oberflächenzone 6 ist, die im Halbleiterkörper 1 völlig durch die zweite Zone 7 umgeben wird, wobei diese zweite Zone 7 sowohl mit der Oberflächenzone 6 als auch mit dem an die zweite Zone grenzenden Teil 11 des Halbleiterkörpers 1 einen in der Fig. 14 bzw. 15 bezeichneten PN-Übergang bildet. Zur Verhinderung einer unerwünschten Transistorwirkung ist im vorliegenden Beispiel der PN-Übergang 14 durch den gemeinsae-- =-c-;.iXi-i;c \Ji^Jr-Lr.JThe resistance layer 6, 7 consists of two zones, the first of which is a surface zone 6, which is completely surrounded in the semiconductor body 1 by the second zone 7, this second zone 7 both with the surface zone 6 as well as with the part 11 of the semiconductor body adjoining the second zone 1 denoted in FIGS. 14 and 15, respectively PN junction forms. To prevent an undesirable transistor effect is in the present Example of the PN junction 14 through the common a-- = -c - ;. iXi-i; c \ Ji ^ Jr-Lr.J

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-s »ur^h:. Ba-. Vurzieiciiiosjtfrxn-. PN-rtvrci"£ 15 iTih: .tr. Betr.^bsTJiUTia rnkfsrh dl* tm u;r-koi- :e».tor-Sp£.inung über dem PN-L'riria-j 14. v»v.^vdurch dieser PN-Cberiini: 14 be.rr. nonralcn Bc- ;rieb de?. Transistor? in d;r Vor*artsric^tuni *orjc--s »ur ^ h :. Ba-. Vurzieiciiiosjtfrxn-. PN-rtvrci "£ 15 iTih: .tr. Betr. ^ BsTJiUTia rnkfsrh dl * tm u; r-koi-: e» .tor-Sp £ .inung over the PN-L'riria-j 14th v »v. ^v through this PN-Cberiini: 14 be.rr. nonralcn Bc-; rubbed de?. transistor? in d; r vor * artsric ^ tuni * orjc-

•■5 spannt und die Obenlacher.zor.c < > n.ch: \on o." KoI- !ektorzone 11 isoliert ist.• ■ 5 spans and the Obenlacher.zor.c < > n.ch: \ on o. "KoI- ! ector zone 11 is isolated.

Die Oberflächerszone 6 :>: in zwei Teiironen unterteilt, wobei die PN-Cbergänge 14 zwischen icdc oer Teilzonen und der zweiten Zone 7 kurzgeschio-senThe surface zone 6:>: divided into two teiironen, where the PN transitions 14 between icdc oer Sub-zones and the second zone 7 short-shot

ao sind. Diese Unterteilung ;n Teilzonen ist jedoch nicht wesentlich; die Oberflächenzone 6 kann auch cmc zusammenhängende Zone sein.ao are. This subdivision; n sub-zones is not, however significant; the surface zone 6 can also be cmc contiguous zone.

Der Transistor nach den F i g. I und Z kjiin völlig auf in der Halbleuertechnik übliche Weise gefertigtThe transistor according to FIGS. I and Z kjiin completely manufactured in the usual way in semi-conductor technology

J5 werden. Der Halbleiterkörper 1 besteht z.B. aus einem Halbleitersubstrat 17 und einer auf diesem angebrachten epitaktischen Schicht 11. die einen höheren spezifischen Widerstand hat als das Substrat 17. Die epitaktische Schicht 11 und das Substrat 17 siml vom gleichen Leitungstyp und bilden zusammen die Kollektorzone des Transistors. In der epitaktischen Schicht 11 sind die Basiszone 10 und die zweite Zone 7 von einem demjenigen der epitaktischen Schicht 11 entgegengesetzten Leitungstyp vorzugsweise während der gleichen üblichen Difiusionsbchandlung angebracht. Während einer weiteren Diffusionsbeharrdilung können dann gleichzeitig die Emitterzone^ 9 und die Oberflächenzonen 6 hergestellt werden.J5 become. The semiconductor body 1 is made of, for example a semiconductor substrate 17 and one mounted thereon epitaxial layer 11. which has a higher specific resistance than the substrate 17. The epitaxial layer 11 and the substrate 17 siml of the same conductivity type and together form the collector zone of the transistor. In the epitaxial Layer 11 are the base zone 10 and the second zone 7 of one of those of the epitaxial Layer 11 of the opposite conductivity type, preferably during the same usual diffusion treatment appropriate. During a further diffusion persistence the emitter zone ^ 9 and the surface zones 6 can then be produced at the same time will.

Ferner werden auf eine übliche Weise auf der Isolierschicht 3, die z. B. aus Siliciumdioxyd besteht, die Kontakle 4, 5 und 13, die z.B. aus Aluminium oder einem anderen geeigneten Elektrodenmaterial, wie Gold oder Nickel, bestehen, angebracht, wobei der Basiskontakt 13 durch öffnungen 12 mit der Basiszone 10 Kontakt macht, während die Finger 5 durch öffnungen 8 mit den Emitterteilzonen 9 und durch öffnungen 18 mit den Oberfiächenteilzonen 6 der Widerstandsschicht 6, 7 Kontakt machen und der ge- Furthermore, in a conventional manner on the insulating layer 3, the z. B. consists of silicon dioxide, the contacts 4, 5 and 13, which for example consist of aluminum or another suitable electrode material, such as gold or nickel, are attached, the base contact 13 making contact through openings 12 with the base zone 10, while the fingers 5 make contact through openings 8 with the emitter sub-zones 9 and through openings 18 with the surface sub-zones 6 of the resistance layer 6, 7 and

so memsaine Anschlußteil 4 durch eine öffnung 16 sowohl mit den Oberfiächenteilzonen 6 als auch mit der zweiten Zone 7 verbunden istso memsaine connection part 4 through an opening 16 both with the surface sub-zones 6 and with the second zone 7 is connected

Der Basiskontakt 13 und der gemeinsame Anschlußteil 4 des Emitterkontakts 4, 5 können auf üb-The base contact 13 and the common connection part 4 of the emitter contact 4, 5 can be

ss liehe Weise mit einem Anschlußleiter versehen sein, ■während das Substrat 17 auf eine übliche Weise mil einem Kollektorkontakt verbunden sein kann. Femei kann der Transistor in einer üblichen Hülle untergebracht sein.ss borrowed way be provided with a connecting conductor, While the substrate 17 mils in a conventional manner can be connected to a collector contact. Furthermore, the transistor can be accommodated in a conventional casing.

Der beschriebene Transistor weist einen Emitterkontakt mit Reihenwiderständen in jedem der Ftngei auf, wobei für die Herstellung der Reihenwider stände kerne zusätzlichen Herstellungsstufen erforderlich sind, während für die doppeltdrffundiertetThe transistor described has an emitter contact with series resistors in each of the terminals on, whereby additional manufacturing steps are required for the manufacture of the series resistors, while for the double-funded cores Reihecwiderstände eine Konfuguration verwende worden ist, die eine gute Stromverteilung auf die ver schiedenen Finger gibt auch bei kleinen Abständet zwischen den Fingern Anwendung finden kann, DiiSeries resistors use a configuration which has a good power distribution on the ver different fingers are also used for small spaces between the fingers, Dii

709625/S709625 / S

Unterteilung der Oberflächenzone 6 in Teilzonen hat den Vorteil, daß der Widerstand in der Widerstandsschichl zwischen benachbarten Fingern, d. h. der Widerstand der Widerstandsschicht zwischen einem Fenster 18 und einem benachbarten Fenster 18, leicht größer ist als der Widerstand zwischen jedem der Fenster 18 und dem Fenster 16, was die Stromverteilung begünstigt.Subdivision of the surface zone 6 into sub-zones has the advantage that the resistance in the resistance layer between adjacent fingers, d. H. the resistance of the resistive layer between one Window 18 and an adjacent window 18, is slightly larger than the resistance between each the window 18 and the window 16, which favors the current distribution.

Der Kurzschlußder PN-Übergänge 14 durch das Fenster 16 hindurch mit andren Worten an der dem gemeinsamen Anschlußteil 4 zugekehrten Seite der Teilzonen, hat den Vorteil, daß im Betriebszustand dienenigen Teile der PN-Übergänge 14, die in einiger Entfernung vom Kurzschluß, d. h. vom Fenster 16 liegen, bei der üblichen Richtung des Emitterstroms in Sp;rrichtung vorgespannt sind, wodurch der Widerstand in der Widerstandsschicht 6, 7 zwischen benachbarten Fingern 5 erheblich größer ist als der Widerstand zwischen jedem der Finger 5 und dem gemeinsamen Anschlußteil 4.The short circuit of the PN junctions 14 by the Window 16 through, in other words, on the side facing the common connecting part 4 Sub-zones has the advantage that, in the operating state, parts of the PN junctions 14, which in some Distance from short circuit, d. H. from window 16, with the usual direction of the emitter current are pretensioned in the direction of travel, whereby the Resistance in the resistance layer 6, 7 between adjacent fingers 5 is considerably greater than that Resistance between each of the fingers 5 and the common connector 4.

Die Erfindung kann auch bei integrierten Schaltungen Anwendung finden. Ein Beispiel ist in den F i g. 3 und 4 dargestellt. Es handelt sich dabei um zwei Transistoren, deren Emitter mit einem gemeinsamen Anschlußleiter 22 verbunden sind, welche Kombination von Transistoren in eine Schaltung aufgenommen ist, deren übriger Teil für die Erfindung nicht wichtig und deshalb nicht dargestellt ist. Übrigens sind in den Fig. 3 und 4 entsprechende Teile mit den gleichen Bezugsziffern wie in den F i g. 1 und 2 bezeichnet.The invention can also be used in integrated circuits. An example is in the F i g. 3 and 4 shown. These are two transistors, the emitter of which is connected to a common Terminal conductors 22 are connected, which combination of transistors is included in a circuit is, the remaining part of which is not important for the invention and is therefore not shown. by the way 3 and 4 corresponding parts are given the same reference numerals as in FIGS. 1 and 2 designated.

Dieses Ausführungsbeispiel zeigt ein Substrat 17 und eine epitaktische Schicht vom entgegengesetzten Leitungstyp, wobei Teile der epitaktischen Schicht auf übliche Weise in Isolierzonen 20 vom gleichen Leitungstyp wie das Substrat 17 umgewandelt sind. Dabei bilden die verbleibenden inselförmigen Teile 11 der epitaktischen Schicht die Kollektorzonen der beiden Transistoren. Diese Kollektorzonen 11 stehen durch Fenster 23 mit einer Metalleitbahn 24 in Kontakt, die mit weiteren Teilen der Schaltung verbunden ist. Ferner können die Kollektorzonen 11 mit einer niederohmigen Zone 11a zur Verringerung des Kollektorreihcnwiderstandes versehen sein.This exemplary embodiment shows a substrate 17 and an epitaxial layer of the opposite conductivity type, parts of the epitaxial layer being converted in the usual way into insulating regions 20 of the same conductivity type as the substrate 17. The remaining island-shaped parts 11 of the epitaxial layer form the collector zones of the two transistors. These collector zones 11 are in contact through windows 23 with a metal conductor track 24 which is connected to other parts of the circuit. Furthermore, the collector zones 11 can be provided with a low-resistance zone 11a to reduce the collector series resistance.

Die Widerstandsschicht wird durch eine einzige geschlossene Oberflächenzone 21 gebildet, die gleichzeitig mit den Emitterzonen 9 hergestellt sein kann. Diese Oberflächenzone 21 ist durch eine Isolierzone 20 umgeben and von dieser durch einen PN-Übergang 25 getrennt. Vorzugsweise hat eine derartige diffundierte Widerstandsschicht einen Flächenwiderstand von 1 bis 10 Obm. The resistance layer is formed by a single closed surface zone 21, which can be produced at the same time as the emitter zones 9. This surface zone 21 is surrounded by an insulating zone 20 and separated from it by a PN junction 25. Such a diffused resistance layer preferably has a sheet resistance of 1 to 10 µm.

Es sei bemerkt, daß es mit Rücksicht auf die Durchbruchspannung des PN-Obergangs 25 gewünscht sein kann, daß die Widerstandsschicht nicht durch eine Isolierzone, die meistens einen niedrigen spezifischen Widerstand hat, umgeben ist In diesem Fall kann die Widerstandsschicht z.B. aus einem weiteren inselförmigen Gebiet 11 bestehen, dessen spezifischer Widerstand erforderlichenfalls örtlich durch die Anbringung einer oder mehrere Oberflächenzonen vom gleichen Leitungstyp wie das inselförmige Gebiet herabgesetzt sein kann. Auch kann die Hand der F i g. 1 und 2 beschriebene Konfiguration Anwendung finden, in welchem Falle die Halb- leiterzonen des Transistors und die Widerstandsschicht ζ. B. im gleichen inselförmigen Gebiet angebracht sein können.It should be noted that in view of the breakdown voltage of the PN junction 25, it may be desired that the resistive layer not through an isolation zone, which is usually a low one Has specific resistance, is surrounded in this In this case, the resistance layer can consist of a further island-shaped area 11, for example If necessary, the specific resistance can be reduced locally by the application of one or more surface zones of the same conductivity type as the island-shaped area. Also can the hand of fig. 1 and 2 are used, in which case the half- conductor zones of the transistor and the resistance layer ζ. B. can be attached in the same island-shaped area.

Die Widerstandsschicht 21 hat eine langgestreckt! Form mit zwei einander gegenüberliegenden langer Rändern, wobei längs eines dieser Ränder mehren Finger 5 durch Fenster 18 mit der Widerstands schicht 21 verbunden sind, während die Wider Standsschicht 21 praktisch längs des ganzen gegenüberliegenden Randes durch das Fenster 16 mit dem gemeinsamen Anschlußteil des Kontakts 4, 5 verbunden ist.The resistance layer 21 has an elongated! Shape with two opposite long Edges, along one of these edges several fingers 5 through window 18 with the resistance Layer 21 are connected, while the resistance layer 21 practically along the whole of the opposite Edge through the window 16 with the common connection part of the contact 4, 5 connected is.

Der gemeinsame Anschlußteil 4 des Kontakts 4, 5 schließt sich an den für die Emitter der Transistoren gemeinsamen Anschlußleiter 22 an, der beim vorliegenden Beispiel durch eine Metalleitbahn gebildet wird, welche die Emitter mit einem weiteren Punkt in der Schaltung verbindet. Dabei erstrecken sich die Slromwege, die von den Emittern herüber die Finger 5 und die Widerstandsschicht 21 zum gemeinsamen Anschlußteil 4 führen, vom gemeinsamen Teil herüber den Übergang oder die Ansatzstelle des gemeinsamen Anschlußteils 4 und den Anschlußleiter 22 weiter. Für eine gute Stromverteilung auf die verschiedenen Emitterteilzonen 9 ist es gewünscht, daß der Widerstand längs dieser Stromwege zwischen den Emitterteilzonen 9 und der erwähnten Ansatzstelle für sämtliche Teilzonen 9 praktisch gleich ist. Dies wird im vorliegenden Beispiel dadurch erreicht, daß der kürzeste Abstand zwischen einem Finger 5 und dem gemeinsamen Anschlußteil 4 des Kontakts 4. 5 für einen Finger 5, der nahe bei der Ansatzstelle des Anschlußleiters 22 am gemeinsamen Anschlußteil 4 liegt, größer ist als für einen Finger 5. der sich in größerer Entfernung von dieser Ansatzstelle befindet. Infolge dieser Differenzen in den Abständen der Fenster 18 vom Fenster 16 ist der Widerstand längs der in der praktisch homogenen Widcrstandsschicht 21 liegenden Teile der Stromwege für jeden Finger 5 verschieden, wobei für einen Stromweg, dessen im gemeinsamen Anschlußteil 4 liegender Teil einen großen Widerstand aufweist, der in der Widerstandschicht liegende Teil einen niedrigen Widerstand hat, und umgekehrt. Infolgedessen werden die Differenzen im Gesamtreihenwiderstand der Stromwege, die von der Ansatzstelle zur Emitterzone führen, für die verschiedenen Finger auf einfache Weise beseitigt oder wenigstens verringert.The common connection part 4 of the contact 4, 5 adjoins the connection conductor 22 common to the emitters of the transistors, which in the present example is formed by a metal interconnect which connects the emitters to another point in the circuit. The current paths that lead from the emitters over the fingers 5 and the resistance layer 21 to the common connection part 4 extend from the common part over the transition or the attachment point of the common connection part 4 and the connection conductor 22. For a good current distribution to the various emitter sub-zones 9 , it is desired that the resistance along these current paths between the emitter sub-zones 9 and the mentioned attachment point is practically the same for all sub-zones 9. This is achieved in the present example in that the shortest distance between a finger 5 and the common connection part 4 of the contact 4.5 for a finger 5, which is close to the attachment point of the connection conductor 22 on the common connection part 4, is greater than for one Finger 5. that is further away from this point of attachment. As a result of these differences in the distances between the window 18 and the window 16, the resistance along the parts of the current paths lying in the practically homogeneous resistance layer 21 is different for each finger 5, with a current path whose part in the common connection part 4 has a high resistance, the part lying in the resistance layer has a low resistance, and vice versa. As a result, the differences in the total series resistance of the current paths which lead from the point of attachment to the emitter zone are easily eliminated or at least reduced for the various fingers.

An Hand der Fig.5 und 6 wird jetzt ein weiteres Ausführungsbeispiel beschrieben. Dabei handelt es sieb um einen sogenannten Mehremittertransistor, bei dem der Halbleiterkörper ein Substrat 51 vom einen Leirungstyp enthält, auf dem eine epitaktische Schicht 52, ζ. B. vom gleichen Leitungstyp aber mit höherem spezifischem Widerstand, angebracht ist. Das Substrat 51 und die epitaktische Schicht 52 bilden zusammen die Kollektorzpne des Transistors. A further exemplary embodiment will now be described with reference to FIGS. This is a so-called multi-emitter transistor, in which the semiconductor body contains a substrate 51 of a conductivity type on which an epitaxial layer 52, ζ. B. of the same conductivity type but with a higher specific resistance is attached. The substrate 51 and the epitaxial layer 52 together form the collector terminals of the transistor.

In der epitaktische Schicht 52 ist eine Basiszone 53 vom entgegengesetzten Leitungstyp angebracht, die mit einem Gitter 53 α vom entgegengesetzten Leitungstyp mit niedrigerem spezifischem Widerstand versehen ist Das Gitter 53 α, das wie üblich zur Verringerung des Basis-Reihenwiderstandes vorgesehen ist, umgibt mehrere Basisteile 53£>, in denen sich Emitterteilzonen 54 befinden.In the epitaxial layer 52 a base zone 53 of the opposite conductivity type is provided, which is provided with a grid 53 α of the opposite conductivity type with a lower specific resistance £>, in which there are emitter sub-zones 54.

Die praktisch ebene Halbleiteroberfläche ist durch eine Isolierschicht 55 bedeckt, über die sich ein Basisikontakt 56 und ein Emitterkontakt 57, 58 erstrekken. Der Bmitterkontakt 57, 58 besteht aus Fingern 58, die durch Fenster 59 mit den Emitterteflzonen 54 Kontakt machen und mit einem für die Finger 58 ee-The practically flat semiconductor surface is through covers an insulating layer 55, over which a base contact 56 and an emitter contact 57, 58 extend. The transmitter contact 57, 58 consists of fingers 58 passing through window 59 with emitter zones 54 Make contact and with one for the fingers 58 ee

nieinsamen Anschlußteil 57 des Kontakts verbunden sind. Dabei bilden der gemeinsame Anschlußteil 57 des Emitterkontakts und der Basiskontakt 56 ein interdigitales Muster, wobei der Teil 57 und der Kontakt 56 kammfürmig ineinandergreifen.nieinsamen connecting part 57 of the contact connected are. The common connection part 57 of the emitter contact and the base contact 56 form an interdigital one Pattern, the part 57 and the contact 56 intermeshing in a comb-shaped manner.

Dabei erstreckt sich über die Isolierschicht 55 eine Widerstandsschicht 60 als ein schichtföimiges Gebiet. In diesem Beispiel gibt es zwei Widerstandsschichten 60, die beide einerseits mit mehreren Fingern 58 und andererseits mit dem gemeinsamen Anschlußteil 57 Kontakt machen, wobei in jeden der Verbindungswege zwischen den Fingern 58 und dem gemeinsamen Anschlußteil 57 ein Teil einer Widerstandsschicht 60 als Reihenwiderstand aufgenommen ist. Die Widerstandsschichten 60 sind praktisch homogen, und der Abstand zwischen jedem der Finger 58 und dem gemeinsamen Anschlußteil 57 sowie der Abstand zwischen benachbarten Fingern 58 sind so bemessen, daß der Widerstand in der Widerstandsschicht 60 zwischen zwei benachbarten Fingern 58 größer als der Widerstand in der Widerstandsschicht 60 zwischen jedem dieser Finger 58 und dem für die Finger gemeinsamen Anschlußteil 57 ist.A resistance layer 60 extends over the insulating layer 55 as a layered area. In this example there are two resistive layers 60, both of which have multiple fingers on one side 58 and on the other hand make contact with the common connection part 57, in each of the Connection paths between the fingers 58 and the common connection part 57 are part of a resistive layer 60 is added as a series resistor. The resistance layers 60 are practically homogeneous, and the distance between each of the fingers 58 and the common terminal 57 as well as the Distance between adjacent fingers 58 are dimensioned so that the resistance in the resistive layer 60 between two adjacent fingers 58 is greater than the resistance in the resistance layer 60 between each of these fingers 58 and the connecting part 57 common to the fingers.

Das Ausführungsbeispiel gemäß den Fig. 5 und 6 kann völlig auf eine in der Halbleitertechnik übliche Weise gefertigt werden. Die Widorstandsschichten 60 können z. B. durch Aufdampfen erhalten werden, wobei dieses Aufdampfen sowohl vor als auch nach der Anbringung des Metallmusters der Kontakte 56 und 57, 58 erfolgen kann. Dabei ist der Widerstandswert des in den Kontakt 57, 58 aufgenommenen Reihenwiderstandes nicht nur von diesem Material, das z. B. Titan sein kann, sondern auch von der Dicke der Widerstandsschicht 60, vom Abstand zwischen den Fingern 58 und dem gemeinsamen Anschlußteil 57 und von der Breite der Finger 58 abhängig.The embodiment according to FIGS. 5 and 6 can be manufactured entirely in a manner customary in semiconductor technology. The resistor layers 60 can e.g. B. obtained by vapor deposition, this vapor deposition both before and after the application of the metal pattern of the contacts 56 and 57, 58 can be done. Where is the resistance value of the series resistance taken up in the contact 57, 58 not only from this material, the z. B. titanium, but also on the thickness of the resistive layer 60, the distance between the fingers 58 and the common connecting part 57 and on the width of the fingers 58 depending.

Der Basiskontakt 56 und der gemeinsame Anschluiiteil 57 des Emitterkontakts können auf übliche Weise mit Anschlußleitern versehen sein, und der Halbleiterkörper kann auf gleichfalls übliche Weise in eine Hülle aufgenommen sein.The base contact 56 and the common connection part 57 of the emitter contact can be provided with connecting conductors in the usual way, and the The semiconductor body can also be accommodated in a sheath in a likewise customary manner.

Dieser Mehremittertransistor weist eine gute Stromverteilung des Gesamtemitterstroms auf die verschiedenen Emitterteilzonen auf und ist einfach herstellbar, wobei die Herstellung der Reihenwiderstände im Emitterkontakt keine kritischen Photoätzvorgänge in den Fertigungsablauf einführt.This multi-emitter transistor has a good current distribution of the total emitter current different emitter sub-zones and is easy to produce, with the production of the series resistors does not introduce any critical photo-etching processes into the production process in the emitter contact.

Es dürfte einleuchten, daß die Erfindung nicht auf die beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt ist und daß für den Fachmann im Rahmen der Erfindung viele Abänderungen möglich sind. Der Halbleiterkörper kann aus den üblichen Halbleitermaterialien, wie Silicium. Germanium oder einer A|||-B_N-Verbindung, bestehen, während die Isolierschicht außer aus Siüciumdioxyd z. B. auch aus Siliciumnitrid bestehen kann. Der Halbleiterkörper braucht nicht aus einem mit einer epitaktischen Schicht versehenen Substrat zu bestehen, sondern er kann praktisch homogen sein oder z. B. aus einem Halbleiterkörper bestehen, dessen Leitfähigkeit mit Ausnahme einer Oberflächenschicht durch Diffusion eines Dotierungsstoffes erhöht ist. Auch können die Oberflächenschicht und das Subastrat von verschiedenen Leitungstypen sein.It should be evident that the invention is not restricted to the exemplary embodiments described and that many modifications are possible for those skilled in the art within the scope of the invention. The semiconductor body can be made from the usual semiconductor materials, such as silicon. Germanium or an A ||| -B _N compound, exist, while the insulating layer apart from Siüciumdioxyd z. B. can also consist of silicon nitride. The semiconductor body does not need to consist of a substrate provided with an epitaxial layer, but it can be practically homogeneous or z. B. consist of a semiconductor body, the conductivity of which, with the exception of a surface layer, is increased by diffusion of a dopant. The surface layer and the substrate can also be of different types of conductors.

Weiter brauchen die Finger des Kontakts nicht alle mit einer gesonderten Zone oder Teil/one des kontaktierten Halbleiterbauelements verbunden zu sein, sondern es können auch mehrere Finger mit der gleichen zusammenhängenden Halbleiterzone Kontakt machen, wobei die aufgenommenen Reihenwiderstände die Stromverteilung über diese eine Halbleiterzone beeinflussen.Furthermore, the fingers of the contact need not all have a separate zone or part / one of the contacted Semiconductor component to be connected, but there can also be several fingers with the same contiguous semiconductor zone make contact, with the recorded series resistances affect the current distribution over this one semiconductor zone.

Auch kann der Widerstandswert für die Reihenwiderstände durch Anpassung der Abmessungen des Leitermusters der Finger an der Stelle, an der dieses Leitermuster mit der Widerstand^schicht Kontakt macht, angepaßt sein. Zum Beispie! gibt bei einer diffundierten Widerstandsschicht eine Verbreiterung der Kontaktfenster eine Herabsetzung des Reihen-Widerstands. The resistance value for the series resistors can also be adjusted by adjusting the dimensions of the Conductor pattern of the finger at the point where this conductor pattern makes contact with the resistance ^ layer makes, be adapted. For example! gives a widening in the case of a diffused resistance layer the contact window reduces the series resistance.

Ferner ist es klar, daß z. B. die einander gegenüberliegenden langen Ränder der in F i g. 3 dargestellten Widerstandsschicht nicht parallel zueinander zu verlaufen brauchen, sondern daß auch die seitliche Form der Widerstandsschicht an den für die verschiedenen Finger gewünschten Widerstandswert angepaßt sein kann, und daß ferner die Form und oder die Stelle des Kontaktfensters 16 den Widerstandswert der verschiedenen Reihenwiderstände beeinflußt. It is also clear that, for. B. the opposite long edges of the in F i g. 3 resistive layer shown not to run parallel to each other need, but that also the lateral shape of the resistive layer on the for the different Finger can be adapted to the desired resistance value, and that also the shape and or the location of the contact window 16 affects the resistance of the various series resistors.

Hierzu 3 Blatt ZeichnungenFor this purpose 3 sheets of drawings

Claims

Patent claims:

1. Semiconductor arrangement with a half-body, an insulating layer applied to an essentially flat surface of the semiconductor body and one arranged on the insulating layer metallic contact, the several fkiger-like formed, through openings in the insulating layer with one or more surface zones of the semiconductor body connected parts and an im. Having a distance from these arranged common connecting part, wherein the contact fingers and the common connection part through series resistors in the form of a shaft are connected, characterized in that at least some of the series resistors are part of a transverse to the shortest Connection paths between the contact fingers (5; 58) and the common connection ao part ([4; 57) running, self-contained resistance layer, which is through a in the semiconductor body (1; 51, 52) formed by a PN junction from the adjacent part of the Surface zone (6, 7; 211) separated from the semiconductor body or by one on the insulating layer (55) arranged layer (60) is formed from resistance material.

2. Semiconductor arrangement according to claim 1, characterized in that the contact (4, 5) of the Emil.terkontakt of a transistor is.

3. Semiconductor arrangement according to claim 1 or 2, characterized in that the resistance layer is formed by two zones (6, 7), one of which is a surface zone (6) which is completely surrounded in the semiconductor body by the second zone (7), the second zone both with the surface zone as well as with the part (11) of the semiconductor body adjoining the second zone (1) forms a PN junction and one of these two PN junctions is short-circuited.

4. Semiconductor arrangement according to claim 3, characterized in that the surface zone (6) is divided into several sub-zones, the PN junction between each of the sub-zones (6) and the second zone (7) is short-circuited.

5. Semiconductor arrangement according to one or more of the preceding claims, characterized in that that the resistance in the resistance layer (6, 7) between two adjacent Konlaktfingers (5) is at least as great as the resistance in the resistance layer between each of these contact fingers (5) and the for the contact fingers common connection part of the contact (4).

6. Semiconductor arrangement according to one or more of the preceding claims, characterized in that the resistance layer (21) has an elongated shape with two opposing long edges, with several contact fingers (5) being connected to the resistance layer (21) along one of these edges, while the resistance layer is practically long «; of the entire opposite edge is connected to the common connection part of the contact (4, S) (Fig. 3, 4).

7. Semiconductor arrangement according to claim 6, in which the common connecting part (4) of the contact is provided with a connection conductor (22), characterized in that the resistance layer (21) is a practically homogeneous layer, with the shortest distance between one Contact finger (5) and the common connection part (4) of the contact for a contact finger, the one close to the point of attachment of the connection conductor (22) on the common connection part is larger than for a contact finger located a greater distance from this point of attachment located