DE2262412B2 - Scannable and light emitting diode array and method for its manufacture - Google Patents
Scannable and light emitting diode array and method for its manufactureInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein abtastbares und lichtemittierendes Diodenfeld mit in Matrixform angeordneten Dioden in einem integralen Aufbau für eine alphanumerische bzw. graphische Anzeige, wobei die Dioden, die mit einer ersten Streifenelektrode einer Adressenleitung für eine Reihe und mit einer zweiten Streifenelektrode einer Adressenleitung für eine Spalte zugeordnet sind, in einer Vielzahl von Reihen und Spalten angeordnet sind, wobei die Matrix der Dioden auf einer transparenten Platte eines dielektrischen Materials angeordnet und mit dieser derart verbunden ist, daß die Adressenleitungen für die ReiheThe invention relates to a scannable and light-emitting diode array with arranged in matrix form Diodes in an integral structure for an alphanumeric or graphic display, the Diodes connected to a first strip electrode of an address line for a row and to a second Strip electrode of an address line for one column are assigned, in a plurality of rows and columns are arranged, the matrix of diodes on a transparent plate of a dielectric Material is arranged and connected to this so that the address lines for the row
to zwischen den lichtemittierenden Dioden und der dielektrischen Platte angeordnet sind und die Adressenleitungen für die Spalten auf dem Bereich der Diode angebracht sind, der der dielektrischen Platte gegenüberliegt, sowie ein Verfahren zur Herstellung einesto between the light emitting diodes and the dielectric Plate are arranged and the address lines for the columns on the area of the diode which is opposite to the dielectric plate, and a method of manufacturing a
abtastbaren und lichtemittierenden Diodenfeldes, wobei in einem Halbleiterträger die eine Elektrode einer Vielzahl von lichtemittierenden Dioden mit einer zum Halbleiterträger entgegengesetzten Leitfähigkeit ausgebildet wird und die Elektroden der Rei-scannable and light-emitting diode array, with one electrode in a semiconductor substrate a plurality of light-emitting diodes with a conductivity opposite to that of the semiconductor substrate is formed and the electrodes of the
ao hen untereinander elektrisch verbunden werden.ao hen are electrically connected to each other.
Bei visuellen Anzeigen, z. B. für alphanumerische Anzeigen, gibt es mehrere Möglichkeiten der Feldgestaltung unter Verwendung lichtemittierender Einrichtungen, wie z. B. hell leuchtende Lampen, Gas-In the case of visual displays, e.g. B. for alphanumeric displays, there are several options for field design using light emitting devices such as e.g. B. bright lights, gas
»5 entladungslampen, elektroluminiszierende Felder und lichtemittierende Diodenfelder. Derartige Felder können in vielfacher V/eise Verwendung finden, wie ζ. θ. für Computeranzeigen, Prozeßüberwachungsinstrumente an Armaturenbrettern von Flugzeugen und Kraftfahrzeugen und auch für Uhren und Meßgeräte. Da die meisten, jedoch nicht alle diese Anwendungsfälle auf Halbleiterelektronik beruhen, ist es wünschenswert, daß das Anzeigefeld mit Spannungen und Strömen gespeist werden kann, welche normalerweise»5 discharge lamps, electroluminescent fields and light emitting diode fields. Such fields can be used in many ways, such as ζ. θ. for computer displays, process monitoring instruments on aircraft dashboards and Motor vehicles and also for clocks and measuring devices. Since most, but not all of these use cases rely on semiconductor electronics, it is desirable to that the display panel can be fed with voltages and currents which normally
in Halbleiterschaltkreisen auftreten, und daß die Anzeigefelder auch die hohen Arbeitsgeschwindigkeiten derartiger Schaltungen vertragen. Eine Hauptschwierigkeit bei den gegenwärtig am meisten verwendeten sichtbaren Anzeigefeldern besteht darin, daß diese aus Gasentladungslampen aufgebauten Felder mit Glühkathoden eine sehr hohe Spannung benötigen, um die Glühentladung auszulösen. Derartige Anzeigen benötigen Grenzschichthalbleiter mit sehr hoher, charakteristischen Sperrspannungen. Lichtemittieiende Diodenfelder sind daher für eine sichtbare Anzeige sehr wünschenswert, da sie mit der Elektronik der Halbleiterschaltkreise völlig verträglich sind.occur in semiconductor circuits, and that the display panels also the high operating speeds tolerate such circuits. A major problem with the most widely used today visible display fields consists in the fact that these fields, which are built up from gas discharge lamps, have hot cathodes need a very high voltage to trigger the glow discharge. Need such ads Boundary layer semiconductors with very high, characteristic reverse voltages. Light emitting end Diode arrays are therefore very desirable for a visible display because they are compatible with the electronics of the Semiconductor circuits are completely compatible.
Es wurden schon alphanumerische Anzeigen aus lichtemittierenden Dioden in diskreten Feldern, Hybridfeldern oder individuell adressierbaren Diodenfeldern ausgeführt. Ein bekanntes Anzeigefeld (USA.-Patentschrift 3 614 769) besteht aus einem matrixartig aufgebauten Feld gekapselter Gaszellen, die durch eine entsprechende Ansteuerung zum Aufleuchten gebracht werden können. Die Verwendung von lichtemittierenden Dioden in derartigen Anzeigefeldern in größerem Umfang ist bisher kaum möglich, da große derartige matrixartig aufgebaute Felder sehr teuer sind.There have already been alphanumeric displays made of light-emitting diodes in discrete fields, hybrid fields or individually addressable diode fields. A familiar display field (USA.-Patent 3 614 769) consists of a matrix-like field of encapsulated gas cells, which can be made to light up by a corresponding control. The usage of light-emitting diodes in such display panels on a larger scale is hardly possible so far, since large fields of this type with a matrix-like structure are very expensive.
Es ist auch bereits bekannt, für ein Anzeigefeld eine Leuchtschicht auf einem Glassubstrat niederzuschlagen, das sich zwischen einer matrixartigen Anordnung horizontal und vertikal verlaufender sowie durchscheinender Streifenelektroden befindet. An den Kreuzungspunkten entstehen einzeln ansteuerbare kleine Kondensatoren auf Grund eines durchgehenden Dielektrikums aus einer aktiven Leuchtschirmsubstanz, die bei der Ansteuerung zum AufleuchtenIt is also already known for a display panel one Luminous layer deposit on a glass substrate, which is between a matrix-like arrangement horizontally and vertically running and translucent strip electrodes are located. To the Crossing points arise individually controllable small capacitors due to a continuous Dielectric made of an active luminescent screen substance that lights up when activated
gebracht werden kann. Bei diesem bekannten Anzeigefeld sind keine Dioden notwendig, und insbesondere ergibt sich auch keine Schwierigkeit, daß das erzeugte Licht durch die transparente dielektrische Substratplatte hindurchtrekm kann, da die Lichterscheinung durch eine Art Glimmentladung an der Streifenelektrode entsteht und nicht am Grenzschichtübergang wie bei einer lichtemittierenden Diode.can be brought. In this known display panel, no diodes are necessary, and in particular There is also no problem that the generated light passes through the transparent dielectric Substrate plate can trekm, as the light phenomenon caused by a kind of glow discharge at the strip electrode and not at the boundary layer transition like a light emitting diode.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Uchtemittierendes abtastbares Diodenfeld zu schaffen, mit dem eine alphanumerische Anzeige und auch graphische Anzeigen möglich sind. Dabei soll das Diodenfeid als integrierte Struktur verhältnismäßig wirtschaftlich herzustellen und an die Spannungen bzw. Ströme herkömmlicher Halbleiterschaltkreise ange^ßt sein.The invention is based on the object of creating a Uchtemittierendes scannable diode field, with which an alphanumeric display and also graphic displays are possible. That should Diodenfeid as an integrated structure to manufacture relatively economically and to the voltages or currents of conventional semiconductor circuits must be appropriate.
Diese Aufgabe wird, ausgehend von dem eingangs erwähnten Diodenfeld, erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die zwischen der dielektrischen Platte und den Dioden angeordneten Adressenleitungen für die Reihe mit Öffnungen versehen sind, durch welche das von dem PN-Übergang erzeugte Licht durch die Adressenleitung für die Reihe hindurchtreten kann.Based on the diode array mentioned at the beginning, this object is achieved according to the invention by that the address lines arranged between the dielectric plate and the diodes for the Row are provided with openings through which the light generated by the PN junction passes through the Address line for the series can pass through.
Das Verfahren zur Herstellung eines abtastbaren und lichtemittierenden Diodenfeldes, wobei in einem Halbleiterträger die eine Elektrode aus einer Vielzahl von lichtemittierenden Dioden mit einer zum Halbleiterträger entgegengesetzten Leitfähigkeit ausgebildet wird und die Elektroden der Reihen untereinander elektrisch verbunden werden, besteht darin, daß die elektrische Verbindung in Form eines Metallisationsstreifens ausgebildet und mit öffnungen versehen wird, daß die eine Oberfläche des Halbleiterträgers und die elektrischen Leitungsverbindungen auf einer transparenten Platte eines dielektrischen Materials befestigt werden, und daß das Substrat auf der gegenüberliegenden anderen Oberfläche in eine Vielzahl von Abschnitten unterteilt wird, die gegeneinander elektrisch isoliert sind und jeweils mit weiteren Metallisationsstreifen versehen werden, wobei die Metallisationsstreifen die andere Elektrode der lichtemittierenden Dioden bilden.The method for producing a scannable and light emitting diode array, wherein in one Semiconductor carrier one electrode from a plurality of light-emitting diodes with one to the semiconductor carrier opposite conductivity is formed and the electrodes of the rows with each other are electrically connected, consists in that the electrical connection in the form of a metallization strip is formed and provided with openings that one surface of the semiconductor carrier and the electrical wiring connections on a transparent sheet of dielectric material be attached, and that the substrate on the opposite other surface in a plurality is divided by sections that are electrically insulated from each other and each with further metallization strips are provided, with the metallization strip the other electrode of the light-emitting Forming diodes.
Nach einer weiteren Ausgestaltung des Verfahrens ist ferner vorgesehen, daß die andere Oberfläche des Substrats durch Ätzen in Abschnitte unterteilt wird, und daß gegebenenfalls vor dem Unterteilen des Substrats durch Ätzen em Teil des Substrats mechanisch abgetragen wird.According to a further embodiment of the method it is also provided that the other surface of the Substrate is subdivided into sections by etching, and that optionally before subdividing the substrate is mechanically removed by etching em part of the substrate.
Ferner ist vorgesehen, daß die dielektrische Platte in einem geeigneten Gehäuse befestigt wird, das eine Vielzahl von elektrischen Anschlußstiften aufweist, die an die Kontaktanschlüsse für die Reihen und Spalten angeschlossen werden.It is further provided that the dielectric plate is mounted in a suitable housing, the one Has a plurality of electrical connection pins which are connected to the contact terminals for the rows and columns be connected.
Die Vorteile der Erfindung ergeben sich auch aus der nachfolgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispiels. Es zeigt The advantages of the invention also emerge from the following description of an exemplary embodiment. It shows
Fig. 1 eine schematische Draufsicht auf ein integriertes lichtemittierendes Diodenfeld gemäß der Erfindung, Fig. 1 is a schematic plan view of an integrated light emitting diode array according to the invention,
F i g. 2 und 3 Schnitte entlang den Linien 2-2 und 3-3 gemäß Fig. 1,F i g. 2 and 3 sections along the lines 2-2 and 3-3 according to FIG. 1,
Fig. 4 bis 9 Schnitte in schematischer Ansicht durch den Halbleiteraufbau des Diodenfeldes während einzelner Verfahrensschritte bei der Herstellung.FIGS. 4 to 9 show a schematic view of sections through the semiconductor structure of the diode array during individual process steps in production.
Obwohl das vorstehende Ausführungsbeispiel an Hand eines monolithischen lichtemittierenden Diodenfeldes aus Galliumarsenidphosphid beschrieben wird, ist es selbstverständlich^ daß auch für optimale Lichtemission Galliumarsenid oder Galliumphosphid verwendet werden kann. Das transparente Substrat für das Diodenfeld kann aus einem geeigneten Material mit ausreichender Transparenz für die Wellenlänge des zu emittierenden Lichtes bestehen.Although the above embodiment is based on a monolithic light-emitting diode array from gallium arsenide phosphide, it goes without saying that also for optimal Light emission gallium arsenide or gallium phosphide can be used. The transparent substrate for the diode array can be made of a suitable material with sufficient transparency for the wavelength of the light to be emitted.
Da einer der abhängigen Werte für die Strombegrenzung einer lichtemittierenden Diode und damit der Intensität des abgegebenen Lichtes der Wärme- bzw. Leistungsverbrauch des Substrats ist, mit welchem die Diode verbunden ist, ist es vorzugsweise zweckmäßig, Glas mit hoher thermischer Leitfähigkeit zu verwenden.Because one of the dependent values for the current limitation of a light-emitting diode and thus the intensity of the emitted light is the heat or power consumption of the substrate with which the diode is connected, it is preferably expedient to use glass with high thermal conductivity to use.
Gemäß Fig. 1 umfaßt das lichtemittierende Dio-According to Fig. 1, the light-emitting di-
'5 denfeld eine Vielzahl von lichtemittierenden Dioden 18, die integral auf einem Träger 19 als orthogonale Matrix aua Reihen und Spalten aufgebaut sind. Die dargestellte Matrix umfaßt fünf lichtemittierende Dioden in jeder Reihe und sechs lichtemittierendeA variety of light emitting diodes are used 18, which are built up integrally on a carrier 19 as an orthogonal matrix of rows and columns. the The matrix shown comprises five light emitting diodes in each row and six light emitting diodes
ί0 Dioden in jeder Spalte, so daß insgesamt fünfunddreißig lichtemittierende Dioden 21 im Feld vorgesehen sind. Die Kontaktanschlüsse Bl bis Bl stehen in Verbindung mit den Anoden der lichtemittierenden Dioden jeder Reihe, wogegen die Kontaktanschlüsse Cl bis CS an die Kathoden der lichtemittierenden Dioden jeder Spalte angeschlossen sind. Somit kann durch ein geeignetes Abtasten oder Ausblenden jede lichtemittierende Diode individuell adressiert werden, um eine Anzeige in Form einer alphanumerischen Wiedergabe oder einer graphischen Darstellung zu bewirken. In der Darstellung ist die Anzeige der Ziffer 4 durch die lichtemittierenden Dioden mit Hilfe einer doppelten Kreislinie angedeutet. Jede Spalte wird durch einen bestimmten Taktimpuls der logischen Schaltung adressiert, so daß die für die Anzeige vorgesehenen lichtemittierenden Dioden durch Adressierung der entsprechenden Anoden der zugeordneten Reihen zum Leuchten gebracht werden. Die Überschneidung der Stromwege mit den Kontaktanschlüssen Cl bis CS und den Kontaktanschlüssen Bl bis BI wird anschließend näher erläutert. 0 diodes in each column so that a total of thirty-five light emitting diodes 21 are provided in the array. The contact connections Bl to Bl are connected to the anodes of the light-emitting diodes of each row, whereas the contact connections Cl to CS are connected to the cathodes of the light-emitting diodes of each column. Thus, by appropriate scanning or masking, each light emitting diode can be individually addressed in order to effect a display in the form of an alphanumeric representation or a graphic representation. In the illustration, the display of the number 4 is indicated by the light-emitting diodes with the aid of a double circular line. Each column is addressed by a specific clock pulse of the logic circuit, so that the light-emitting diodes provided for the display are made to light up by addressing the corresponding anodes of the assigned rows. The intersection of the current paths with the contact connections Cl to CS and the contact connections B1 to BI will then be explained in more detail.
Der integral mit dem Diodenfeld verbundene Träger umfaßt eine transparente Frontplatte 20, auf dessen Rückseite die Kathoden der lichtemittierenden Dioden 21 bis 25 der Spalten mit Hilfe einer transparenten Klebeschicht 26 befestigt sind. Die Anoden 27 der einzelnen Dioden sind in einem regulären Abstand über die Spalten-Dioden 21 bis 25 gemäß Fig. 2 verteilt. Die Anoden der den Kontaktanschlüssen Bl bis Bl zugeordneten Dioden sind durch eine Metallisationsschicht 28 miteinander verbunden, welche quer zu den Spalten zwischen den Spalten und der transparenten Frontpiatte 20 verlaufen. Jede der Spalten 21 bis 25 ist an einen entsprechenden Kontaktanschluß Cl bis C5 mittels einer Leitung 29 angeschlossen, wogegen die Metallisationsstreifen der einzelnen Reihen mit den Kontaktanschlüssen Bl bis Bl über Leitungen 30 verbunden sind. Das gesamte Diodenfeid 19 ist von einem geeigneten Gehäuse 31 umso schlossen, das eine Vielzahl von Kontaktleitern 32 fiir die Spalten und Kontaktleitern 33 für die Reihen hat. Jeder der Metallisationsstreifen 28 der Reihen hait eine ringförmige öffnung 34, die mit einer adhästven transparenten Klebeschicht 26 gefüllt ist, um das vonThe carrier, which is integrally connected to the diode array, comprises a transparent front plate 20, on the rear side of which the cathodes of the light-emitting diodes 21 to 25 of the columns are fastened with the aid of a transparent adhesive layer 26. The anodes 27 of the individual diodes are distributed at regular intervals over the column diodes 21 to 25 according to FIG. The anodes of the contact terminals Bl to Bl associated diodes are connected together by a metallization layer 28, which are transverse to the gaps between the columns and the transparent Frontpiatte 20th Each of the columns 21 to 25 is connected to a corresponding contact connection C1 to C5 by means of a line 29, whereas the metallization strips of the individual rows are connected to the contact connections B1 to B1 via lines 30. The entire diode array 19 is enclosed by a suitable housing 31 which has a plurality of contact conductors 32 for the columns and contact conductors 33 for the rows. Each of the metallization strips 28 of the rows has an annular opening 34 which is filled with an adhesive, transparent adhesive layer 26 to protect the from
dem Diodenübergang der lichtemittierenden Dioden 18 erzeugte Licht durch die transparente Frontplatte 20 austreten zu lassen.the diode junction of the light emitting diodes 18 generated light through the transparent faceplate 20 to leave.
Die einzelnen Verfahrensschritte bei der Herstel-The individual process steps in the manufacture
lung des lichtemittierenden Diodenfeldes sind in Fig. 4 bis 9 schematisch angedeutet. Bei dem Her stellungsverfahren soll eine relativ gute elektrische1 Isolation zwischen den individuellen Dioden 18 erzieli werden, wenn diese in adressierbaren und abtastbaren Spalten und Reihen bei einer gebrauchsfertigen Kapselung angeordnet werden. Gemäß Fi g. 4 ist ein Substrat 40 aus einem monokristallinen Halbleitermaterial, vorzugsweise N-Ieileiielem Galliumurscnidphosphid, mit in geeignetem Absland angeordneter P-leitenden Bereichen 41 versehen, wodurch eine Vielzahl von PN-Übergängen 42 entstehen, die die lichtemittierenden Dioden 18 bilden. Diese P-leitenden Bereiche werden durch ein geeignetes fotolithographisches Verfahren festgelegt, wobei die P-Iciten- 1S den Bereiche vorzugsweise durch Diffusion hergestellt werden, obwohl auch ein geeignetes epitaxiales Verfahren genausogut verwendbar ist. Die gesamte Oberfläche des Substrats 40 mit den P-leitenden Bereichen 41 wird orthogonal aufgebaut und anschließend mit einer geeigneten transparenten dielektrischen Schicht 43 überzogen. Mit Hilfe eines Fotomaskierverfahrens werden in die dielektrische Schicht 43 kreisförmige Öffnungen 44 eingeschnitten, und zwar jeweils über dem P-leitenden Bereich 41. Die gesamte Oberfläche 2S des derart aufgebauten Substrats wird mit einer Metallschicht 45 durch Aufdampfen überzogen. Durch Ätzen werden sodann die Rcihenanschlüssc 28 aus der Metallschicht 45 ausgeformt, indem das Metall zwischen den Reihen entfernt wird. Vorzugsweise werden innerhalb der der Adressierung dienenden Metallisationsstreifen 28 der Reihen gleichzeitig mit dem Ätzvorgang kreistormige Öffnungen 46 vorgesehen, durch welche die Lichtemission vors d<--m PN Übergang 42 der Diode 18 erfolgen kann.development of the light-emitting diode array are indicated schematically in FIGS. 4 to 9. 18 is to be erzieli approval procedure in which establishes a relatively good electrical insulation between the individual diodes 1 when they are arranged in addressable rows and columns and scannable in a ready-to encapsulation. According to Fig. 4, a substrate 40 made of a monocrystalline semiconductor material, preferably N-halide gallium sulphide phosphide, is provided with P-conductive regions 41 arranged in a suitable distance, as a result of which a multiplicity of PN junctions 42 arise which form the light-emitting diodes 18. This P-type regions are defined by a suitable photolithographic method, the P-Iciten- 1 S are the areas preferably formed by diffusion, although a suitable epitaxial method is just as well suitable. The entire surface of the substrate 40 with the P-conductive regions 41 is constructed orthogonally and then coated with a suitable transparent dielectric layer 43. Using a Fotomaskierverfahrens 43 circular openings 44 The entire surface are cut into the dielectric layer, in each case over the P-type region 41. S 2 of the thus configured substrate is coated with a metal layer 45 by vapor deposition. The row connections 28 are then formed from the metal layer 45 by etching by removing the metal between the rows. Circular openings 46, through which the light emission can take place in front of the d <−m PN junction 42 of the diode 18, are preferably provided within the metallization strips 28 of the rows serving for addressing at the same time as the etching process.
Auf diese Weise entsteht ein ringförmiger Kontakt 47 zwischen dem jeweiligen Metailisationsstreifen 28 für die Reihenadressierung und dorn P-leitenden Bereich 41, wobei die kreisförmige (Jff nung 46 das Licht des PN-überganges 42 der cm/clnin Dioden durch ·»« die dielektrische Schicht 43 gemäß den Fig. 5 und 6 austreten läßt.In this way, an annular contact 47 is created between the respective metalization strip 28 for row addressing and mandrel P-conductive area 41, where the circular (opening 46 the light of the PN junction 42 of the cm / clnin diodes through · »« the dielectric layer 43 according to FIGS. 5 and 6 can leak.
Nach der Herstellung der Metallisationsstreifen 28 für die Reihenadressierung wird die transparente Frontplatte 20 mit den metallischen Kontaktanschlussen ΒΪ bis Bl und Cl bis C5 am äußeren Umfang mit der Oberfläche des Substrats mittels einer geeigneten transparenten Klebeschicht 26 verbunden. Die transparente Klebeschicht 26 dient auch dem Ausfüllen der Öffnungen 46 in den Metallisationsstreifen 28 bzw. der freien Räume zwischen den Reihenanschlüssen. Da die Matrix der Diode nicht in integraler Form oder einstückig mit der Frontplatte 20 verbunden ist, kann ein Teil des Substrats 40 auf der Rückseite entlang einer Linie L-L abgetragen werden, wenn dadurch der Spannungsabfall der Kathodcnberciche der Dioden erniedrigt werden soll. Auf jeden Fall werden jedoch durch ein geeignetes fotographisches Maskierverfahren Gräben 48 über das Substrat verlaufend bis /ur dielektrischen Schicht 43 eingeätzt, um die Kathoden der Spalten 21 bis 25 durch das Substrat gemeinsam zu verbinden. Wenn die transparente Frontplatte 20 mit den aufmetallisierten Kontaktanschlüssen Bi bis Bl und (Ί bis CS mit der Oberfläche des Substrats 40 verbunden ist, werden die elektrischen Kontaktverbindungen zwischen den Metallisationsstreifen 28 und den Kontaktaiischlüssen BX bis Bl hergestellt. Wenn es jedoch wünschenswert ist, können die Metallisationsstreifen 28 durch geeignete Ätzschritte freigelegt werden und für die Kontaktgabe MctalleiterAfter the manufacture of the metallization strips 28 for the row address, the transparent front plate 20 to the metallic contact Anschlussen ΒΪ to Bl and Cl to C5 is connected to the outer periphery with the surface of the substrate by means of a suitable transparent adhesive layer 26th The transparent adhesive layer 26 also serves to fill the openings 46 in the metallization strips 28 or the free spaces between the series connections. Since the matrix of the diode is not integrally or integrally connected to the front plate 20, part of the substrate 40 on the rear side can be removed along a line LL if the voltage drop in the cathode areas of the diodes is to be reduced as a result. In any case, however, a suitable photographic masking process is used to etch trenches 48 running over the substrate to the dielectric layer 43 in order to jointly connect the cathodes of the columns 21 to 25 through the substrate. When the transparent front plate 20 with the metallized contact connections Bi to Bl and (Ί to CS is connected to the surface of the substrate 40, the electrical contact connections between the metallization strips 28 and the contact terminals BX to Bl are established. However, if it is desirable, the Metallization strips 28 are exposed by suitable etching steps and for making contact with metal conductors
30 Verwendung finden, um den jeweiligen Melallisationsstreitcn mit dem zugehörigen Anschlußkontakt zu verbinden. Nach dem Aufteilen des Substrats in eine Vielzahl von Spalten wird eine geeignete Metallisationssrhicht 50 auf der Oberfläche der Spalten aufgebracht, um eine elektrische Kontaktverbindung /wischen den Kathoden der Dioden der Spalte und den Kaihoden-Kontaktanschlüssen Cl bis C5 gemäß Fig. *■) herzusiellen, wodurch die Notwendigkeit separater Anschlußleitiingen 29 entfällt und die Kon taktveibindung zu den Kathoden einen niedrigeren Widerstand erhalt. Der integrale Trager 19 mit dci I rontplatlc 20 und der darauf in Matrixform angeordr.etcn Dioden 21 kann anschließend in einem GehäuseFind 30 use to connect the respective Melallisationsstreitcn with the associated connection contact. After the splitting of the substrate in a plurality of columns, a suitable Metallisationssrhicht is applied to the surface of the column 50 to form an electrical contact connection / wipe the cathodes of the diodes of the column and the Kaihoden-contact terminals Cl to C5 as shown in FIG. * ■) herzusiellen, whereby the need for separate connection leads 29 is eliminated and the contact connection to the cathodes is given a lower resistance. The integral support 19 with the front panel 20 and the diodes 21 arranged thereon in matrix form can then be placed in a housing
31 versiegelt werden, wobei die Kontaktanschlüssc ßl bis Blund (. 1 bis (5 mit entsprechend ausgerichteten Anschlußstiften 32 und 33 verbunden werden31 are sealed, the Kontaktanschlüssc ßl to Blund (. 1 to (5 with correspondingly aligned pins 32 and 33 are connected
Obwohl die Flrfindung nur an Hand eines ein/igen Ausführungsbeispiels beschrieben wurde, ist c> offen sichtlich, daß sie in mehrfacher Ausführungsloim /u verwirklichen ist.wobei z. B. N-leitende Bereiche in einem P-leitenden Träger eindiffundiert werden uivl die Kathoden über den Anoden liegen können. F.s ist offensichtlich, daß auch die Formgebung für die Öffnungen in der Melallisationsschicht unerheblich ist. und daß die Metallisationsschicht aufplattiert sein kann, um den Gesamtaufbau zu stärken, so daß die Spalten nicht durch Ätzen sondern vielmehr durch mechanische Bearbeitung voneinander getrennt werden können.Although the discovery was only based on one Embodiment has been described, c> Obviously, that they are in multiple execution loim / u is to be realized. B. N-conductive areas in be diffused into a P-conductive carrier uivl the cathodes can lie above the anodes. It is obvious that the design for the Openings in the melallization layer is insignificant. and that the metallization layer be plated on can to strengthen the overall structure so that the Gaps are not separated from one another by etching but rather by mechanical processing can.
Hierzu 2 Blatt ZeichnungenFor this purpose 2 sheets of drawings
ti*·ti *
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Legal Events
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| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) |