DE2211699A1

DE2211699A1 - Thermal radiation sensors - supported on anodically formed oxide film,prodn

Info

Publication number: DE2211699A1
Application number: DE19722211699
Authority: DE
Inventors: Ojars Risgin
Original assignee: Sensors Inc
Current assignee: Sensors Inc
Priority date: 1972-03-10
Filing date: 1972-03-10
Publication date: 1973-09-13

Abstract

A metal blank is anodically oxidised and metal removed from an area to leave an exposed oxide layer integral with the blank and supported over the entire periphery by the blank; a thermocouple junction is then deposited on the oxide film. The blank is pref. of Al, while the thermocouple may be semiconductive materials, vapour deposited in partially overlapping layers, the junctions possibly being subsequently coated with a radiation absorbing material. A number of junctions may be provided to form a thermopile.

Description

Filmförmiger Strahlungsdetektor und Verfahren zur Herstellung desselben Die Erfindung betrifft diinne, filmörmige Strahlungsdetektoren und Verfahren zur Herstellung derselben. Film-shaped radiation detector and method of making the same The invention relates to thin, film-shaped radiation detectors and methods for Manufacture of the same.

Die Erfindung ist besonders auf strahlungsempfindliche Thermoelemente oder Thermosäulen sowie deren herstellung anwendbar und wird nachstehend in diesem Zusammenhang beschrieben0 Bei derartigen Vorrichtungen wird der durch Strahlung hervorgerufene Temperaturanstieg von einer Messtelle (eines Thermoelements) oder einer Reihe von Messstellen (einer Thermosäule) festgestellt. Praktische Vorteile dieser Art von Detektoren sind die folgenden: sie arbeiten bei Raumtemperatur, sie sprechen zu einem gewissen Ausmass auf verschiedene Strahlungswellenlängen an, und sie liefern eine direkte Signalspannung, ohne dass eine Vorspannung angelegt zu werden braucht. Die bisherigen, filmförmigen Thermoelemente hatten jedoch auch einige entschiedene Nachteile, die ihre Xerwendungsmöglichkeiten begrenzten, nämlich ihre zerbrechliche Bauweise, ihre langsame Reaktion auf Strahlungsänderungen und ihren Mangel an gleichmässigem Ansprechen auf Strahlung verschiedener Wellenlängen. Diese Nachteile werden durch die Erfindung beseitigt.The invention is particularly applicable to radiation sensitive thermocouples or thermopiles and their manufacture are applicable and will be discussed below in this Context described0 In devices of this type, the radiation temperature rise caused by a measuring point (a thermocouple) or a number of measuring points (a thermopile). Practical advantages These types of detectors are the following: they work at room temperature, they respond to a certain extent to different radiation wavelengths, and they deliver a direct signal voltage without any bias being applied to it needs to be. However, the previous film-shaped thermocouples also had a few decided disadvantages that limited their possibilities of use, namely theirs fragile Construction, their slow response to changes in radiation and their lack of uniform response to radiation of different wavelengths. These disadvantages are eliminated by the invention.

Beispiele für bekannte Bauweisen sind in den USA-Patentschriften 3 483 045 und 3 405 272 beschrieben. In typischer Weise wird eine dünne Kunststoffolie an einen metallischen Träger so angeklebt, dass sie eine darin befindliche Aussparung überbrückt, oder ein dünner Trägerfilm aus Aluminiumoxid wird mit Epoxyharz oder anderen harzartigen Klebstoffen um eine Öffnung in einem Wärmereservoir aus Aluminium herum befestigt. Obwohl diese.Bauweisen für gewisse Anwendungszwecke zufriedenstellend sein mögen, leiden sie an den offensichtlichen Nachteilen der Kosten des Zusammenbaues und der schwierigen Herstellungsverfahren. In ihrer Anwendungsmöglichkeit sind derartige Vorrichtungen wegen ihrer Zerbrechlichkeit beschränkt. Weniger ins Auge fallend sind vielleicht diejenigen Nachteile, die sich sowohl für die Herstellung als auch für die Anwendung aus der Verwendung der Klebstoffe ergeben. Die Klebstoffe können sich nämlich bei der Herstellung oder Verwendung leicht zersetzen und durch die dabei entstehenden Verunreinigungen das Beschichtungsverfahren oder den Messvorgang beeinträchtigen.Examples of known designs are in US Patents 3 483 045 and 3 405 272. Typically a thin plastic sheet is used glued to a metallic carrier so that they have a recess therein bridged, or a thin support film of alumina is epoxy or other resinous adhesives around an opening in an aluminum heat reservoir attached around. Although these constructions are satisfactory for certain applications they suffer from the obvious disadvantages of the cost of assembly and the difficult manufacturing processes. In their application possibilities are such Devices limited because of their fragility. Less eye-catching are perhaps those downsides that apply to both manufacture as well for the application resulting from the use of the adhesives. The adhesives can namely, easily decompose during manufacture or use and through the the coating process or the measuring process resulting in impurities affect.

Gemäss einem besonderen Merkmal der Erfindung wird ein klebstofffreier dünner Pilm von sehr geringer Masse, niedriger Wärmekapazität und geringer Wärmeleitfähigkeit zur Verfügung gestellt. Ferner wird die Verwendung von halbleitenden Stoffen von hoher thermoelektrischer Kraft möglich gemacht, da ein dünner Film gemäss der Erfindung den verschiedensten Behandlungen, z.B. Wärmebehandlungen beim Bedampfen, unterworfen werden kann, o-n dass er dadurchNirgendwie beeinträchtigt wird.According to a special feature of the invention, one becomes adhesive-free thin pilm of very low mass, low heat capacity and low thermal conductivity made available. Furthermore, the use of semiconducting substances is made by high thermoelectric force made possible, as a thin film according to the invention subjected to a wide variety of treatments, e.g. heat treatments during steaming so that it is not affected in any way.

Statt Folien oder Filme aus Kunststoff zu verwenden und diese an einem metallischen Träger anzukleben oder anderweitig um Anhaften zu bringen, wird erfindungsgemäss aus dem Trägermaterial ein mit demselben einstückiger Film hergestellt. Gemäss einer besonderen Ausfübrungsform der Erfindung wird amorphes Aluminiumoxid (A1203) nach einem Hartbeschichtungs-Eloxierver fahren hergestellt, bei dem man mit praktisch reinem Aluminium arbeitet. Jedoch liegen auch andere Trägerstoffe und Filme im Rahmen der Erfindung, z.B. Aluminiumlegierungen, Tantal, Silicium und andere Stoffe mit geeigneter Wärmeleitfähigkeit und elektrischer Leitfähigkeit, die Deckschichten mit geeigneten Eigenschaften, wie hoher Festigkeit, niedriger Wärmeleitfähigkeit und elektrischem Isoliervermögen, bilden. Solche Deckschichten bilden sich im allgemeinen durch Oxydation; geeignete Deckschichten können jedoch auch durch andere chemische Reaktionen erzeugt werden. Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer Deckschicht in Form eines dünnen Trägerfilms von hoher Festigkeit zur Verwendung als Strahlungsdetektor.Instead of using foils or films made of plastic and these on one To glue metallic supports or otherwise to make them adhere, is according to the invention an integral film is produced from the carrier material. According to one A particular embodiment of the invention is amorphous aluminum oxide (A1203) a hard coating anodizing process produced, in which you can practically pure aluminum works. However, other carriers and films are also possible of the invention, e.g., aluminum alloys, tantalum, silicon and other substances suitable thermal and electrical conductivity, the top layers with suitable properties such as high strength, low thermal conductivity and electrical insulation properties. Such cover layers are generally formed by oxidation; suitable cover layers can, however, also be replaced by other chemical ones Reactions are generated. The invention relates to a method of manufacture a top layer in the form of a thin support film of high strength for use as a radiation detector.

Nachstehend wird als besondere Ausbildungsform ein Eloxierverfahren beschrieben. Bei diesem Verfahren lässt sich die Dicke der anodischen Oxidschicht durch die beim Eloxieren angelegte Spannung steuern. Zum Unterschied von den üblichen eloxierten Ueberzügen auf Aluminium, die zu Schutz- oder Zierzwecken dienen, stellt die erfindungsgemäss erzeugte Oxidschicht eine Sperrschicht dar. Diese Art von Überzug wird in einem Elektrolyten erzeugt, der nicht oder kaum imstande ist, die Oxidschicht zu lösen. Als Ergebnis erhält man eine porenfreie (von winzigen Löchern freie), dichte und harte Oberflächenschicht.An anodizing process is described below as a special form of training described. With this method, the thickness of the anodic oxide layer can be determined controlled by the voltage applied during anodizing. In contrast to the usual anodized coatings on aluminum, which are used for protective or decorative purposes the oxide layer produced according to the invention represents a barrier layer. This type of coating is generated in an electrolyte that is not or hardly able to remove the oxide layer to solve. The result is a pore-free (free of tiny holes), dense and hard surface layer.

Die Erfindung umfasst mehrere Verfahren zum Entfernen von Teilen des Trägers nach dem Eloxieren derart, dass; ein eine Aussparung in dem metallischen Träger überbrückender dünner, harter Film freigelegt wird, holme dass dieser Film beschädigt werden kann. Dieser Film in an seinem Unfang einstückig mit dem Metall geformt un dnicht etwa,wie es bisher üblich war, aufgeklebt. Da das Aluminiumoxid in amorpher, nicht kristalliner Form vorliegt, ist die Wärmeleitfähigkeit gering. Mit diesem Film kann z.B. eine Messstelle eines Thermoelements leichter absorbierte Wärme durch Strahlung abgeben.The invention encompasses several methods of removing parts of the Support after anodizing in such a way that; a recess in the metallic Carrier bridging thin, hard film is exposed, holme that this film damaged can be. This film is one piece in its entirety Shaped with the metal and not glued on, as was previously the case. Since that Alumina is in amorphous, non-crystalline form, is thermal conductivity small amount. With this film, e.g. a measuring point of a thermocouple can be more easily give off absorbed heat through radiation.

Auf den durch chemische Reaktion an der Oberfläche des Trägers entstandenen dünnen, und dem Träger einstückigen Film werden thermoelektrische Sieffe aufgedampft. Halbleiter von hohes Molekulargewicht, die die Vorteile hoher thermoelektrischer Kraft, geringer Warmeleitfähigkeit und hoher elektrischer Leitfähigkeit bishen werden bevorzugt. Beispiele dafür sind Wismuttel @@@@ Bleiselenid, Bleiselenid unddergleischem. Obwohl diese SToffe @te arteigene elektrische Kennwerte aufweisen, kann @ufg @mpfte Filme aus diesen Stoffen bisher als filmförmige Det @oren nicht mit Erfolgt verwendet werden. Schwäch@@ dem @@ kalischen Eigenschalften der bisher bekannt An eiltung @e haben dem Bedampfungsverfahren Grenzen gerstet. Deshalb wird angenommen, dass dies die @rsache für die Verseh dreterung der elektrischen Eigenscharten der Herbleiter wo die sich durch starkes elektrischen Rauscher niedrige t@@ selektrische Kraft und hohen elektrischen Widerstand be@ @bar machten. Es ist anzunehmen, dass diese Fehler auf die unvollkommene Kristallinität der thermoelektrischen überzüge und auf Sperrschichten zwischen kristallinen Grensflächen rückzuführen sind.Due to the chemical reaction on the surface of the carrier Thermoelectric sieves are vapor-deposited on a thin film that is integral to the carrier. High molecular weight semiconductors that take advantage of high thermoelectric properties Power, low thermal conductivity and high electrical conductivity preferred. Examples are Wismuttel @@@@ Bleiselenid, Bleiselenid and dergleischem. Although these substances @te have their own electrical characteristics, @ufg @mpfte Films made from these substances have so far not been used with success as film-like det @ors will. Weakness @@ the @@ calic properties of the previously known approach @e have set limits to the steaming process. Therefore it is believed that This is the reason for the mistake of the electrical properties of the Herbleiter where the low t @@ selective force caused by strong electrical noise and made high electrical resistance possible. It can be assumed that this Defects in the imperfect crystallinity of the thermoelectric coatings and can be traced back to barrier layers between crystalline interfaces.

Ein besonderer Nachteil der bekannten Dünnfilmträger ist der, dass sie sich mehr genügend erhitzen lassen, z.B. im Vakuum.A particular disadvantage of the known thin film carriers is that they can be heated sufficiently, e.g. in a vacuum.

Die Trägerwerkstoffe, die Klebstoffe oder beide waren nicht temperaturbestindig genug; es trat z.B. Schmelzen auf, oder sie zersetzten sich unter Entwicklung von Gas, welches das Arbeiten im Hochvakuum unmöglich machte. Im Gegensatz dazu sind die mit dem Träger einstückig geformten Filme, wie die Aluminiumoxidfalme gemäss @ Erfindung, sehr beständig und lassen sich auf die für das Aufdampfen von Halbleiterschichten von hohem Gütegrad erforderliche Temperatur erhitzen, ohne dass der Träger Schaden leidet, und ohne dass das Vakuum zerstört wird. Ferner ergeben sich daraus verbesserte thermoelektrische Elgenschaften. Darüber hinaus ist der dynamische Bereich für einen Detektor gemäss der Erfindung wesentlich weiter, als es bisher der Fall war. Wegen seiner Hochtemperaturbeständigkeit lässt sich der Detektor zum Messen von starken Energiequellen, z.B. CO2-Lasern, verwenden.The carrier materials, the adhesives or both were not temperature-resistant enough; for example, melting occurred or they decomposed with development of Gas that made it impossible to work in a high vacuum. In contrast, are the films formed integrally with the carrier, such as the alumina blades according to FIG @ Invention, very stable and can be used for vapor deposition heat the temperature required by semiconductor layers of high quality without that the wearer suffers damage without breaking the vacuum. Also revealed this leads to improved thermoelectric properties. In addition, the dynamic range for a detector according to the invention much wider than it has been the case so far. Because of its high temperature resistance, the Use detector to measure strong energy sources, e.g. CO2 lasers.

Ein anderes besonderes Merkmal liest dar dass die erfin dungsgemäss hergestellten Filme nicht eben zu sein brauchen.Another special feature reads that according to the invention produced films do not need to be flat.

Um die Strahlun;sabsorption zu verbessern, kann der Empfänger als Schwarzkörperhohlraum, z.B. konisch, ausgebildet sein.To improve radiation absorption, the receiver can be used as a Black body cavity, e.g., conical.

Der Vorteil der Kegelform (und ähnlicher Hohlraumf.ormen) liegt darin, dass der Kegel Strahlung sämtlicher Wellenlängen nahezu vollständing absorbiert, selbst wenn er auf seiner Innenseite mit einem unyollständig absorbierenden Material beschichtet ist. Daher stellt eine mit einem konischen Kollektor hergestellte Thermosäule einen echten Bezugsnorm-Detektor dar, dessen elektrische Ausgangsleistung nur von der in den Kegel (oder einen ähnlichen Hohlraum) eintretenden Strahlungsenergie, nicht aber von der Spektralverteilung der einfallenden Strahlung, abhängt. Diese Eigenschaft erlangt noch grössere Bedeutung im Balle von höheren Wellenlängen (über 10 m), bei denen die Absorption durch schwarze, ebene Schichten abzunehmen beginnt.The advantage of the cone shape (and similar cavity shapes) is that that the cone absorbs radiation of all wavelengths almost completely, even if it is covered with a fully absorbent material on its inside is coated. Therefore represents a thermopile made with a conical collector represents a real reference standard detector whose electrical output power is only from the radiant energy entering the cone (or a similar cavity), but does not depend on the spectral distribution of the incident radiation. These Property becomes even more important in the ball of higher wavelengths (over 10 m), at which the absorption begins to decrease through black, flat layers.

Die Hauptvorteile der Erfindung sind unter anderem eine grössere Robustheit wegen der arteigenen Festigkeit des Films, und weil der Film mit seinem Rahmen aus einem Stück besteht, eine leichtere Herstellungamöglichkeit und infolgedessen geringere Fertigungskosten, die Möglichkeit, Dünnfilmträger der yerschiedensten Formen herzustellen, die Möglichkeit, halb leitende Stoffe mit besseren thermoelektrischen Kennwerten zufriedenstellend aufzudampfen, und die Erzeugung hochtemperaturbervändiger Detektoren mit einem weiteren Bereich, als er bisher zur Verfügung stand.The main advantages of the invention include greater robustness because of the inherent strength of the film, and because the film is made with its frame one piece is easier to manufacture and consequently less Manufacturing costs, the possibility of producing thin film carriers of various shapes, the possibility of semi-conductive materials with better thermoelectric characteristics vapor deposition satisfactorily, and the production of high-temperature surfaces Detectors with a wider area than was previously available.

Zur wo erden Erläuterung der Erfindung wird auf die Zeichnungen Dezug genommen.For where to explain the invention, reference is made to the drawings taken.

Fig. @ 2 und 3 zeigen schematische Querschnitte durch einen gemäse der Erfindung bearbeiteten metallträger.Fig. @ 2 and 3 show schematic cross sections through a gemäse of the invention machined metal beams.

Fig. ist eine Draufsicht auf einen Detektor gemäss der Erfindung Fig. zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Detektor gemäss der Erfindung.Fig. Is a plan view of a detector according to the invention Fig. shows a schematic cross section through a detector according to the invention.

Fig. e zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine konische *5:usführungsform gemass der Erfindung.Fig. E shows a schematic cross section through a conical * 5: embodiment according to the invention.

Fig. 7 zeigt einen schematischen Querschnitt einer Vakuumbedampfungsvorrichtung zur Durchführung der Erfindung.Fig. 7 shows a schematic cross section of a vacuum deposition apparatus for carrying out the invention.

Fig. 8 zeigt schematisch einen Teil eines Detektors mit einer Thermoelement-Verbindungsstelle gemäss der Erfindung.Fig. 8 schematically shows part of a detector with a thermocouple junction according to the invention.

Fig. 9 ist eine schematische Draufsicht auf einen Detektor gemäss der Erfindung.FIG. 9 is a schematic plan view of a detector according to FIG the invention.

Fig. 10 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Detektor gemäss der Erfindung.Fig. 10 shows a schematic cross section through a detector according to the invention.

Fig. 11 ist ein Querschnitt durch eine besondere Ausführungsform gemäss der Erfindung.11 is a cross section through a particular embodiment according to the invention.

Zur Durchfüilrung der Erfindung wird ein geeignetes Metall, wie Aluminium, durch Stanzen, Ziehen, Drehen, Schneiden und/oder Schmieden geformt Bei der in Fig. 1 dargestellten Ausführungsform ist der Hohlraum 20 in dem Metallträger 22 ausgebildet worden. Die Aussenfläche 24 wird hochgradig poliert. Das Polieren kann mechanisch odeer elektrolytisch durchgeführt werden. Es hat den Zweck, eine äusserst glatte Oberfläche auszubilden, die Keinerlei Poren oder einspringen de Winkel aufweist.To carry out the invention, a suitable metal, such as aluminum, formed by punching, drawing, turning, cutting and / or forging. 1 shown Embodiment is the cavity 20 in the metal carrier 22 trained. The outer surface 24 is highly polished. The polishing can be carried out mechanically or electrolytically. Its purpose is to be a to develop an extremely smooth surface that has no pores or cracks Has angle.

Nach dem Verformen und nach dem Polieren der Oberfläche 24 wird die polierte Oberfläche anodisch oxydiert, um eine dünne, harte Sperrschicht 26 herzustellen.After deforming and polishing the surface 24, the polished surface anodized to produce a thin, hard barrier layer 26.

Bei einer typischen Anwendung zur Herstellung einer Thermosäule beträgt die Gesamtdicke des metallträgers, gemessen längs der Seitenwand 28, etwa 1,6 bis 3,2 mm. Die Metallträger können aus Aluminiumblech hergestellt werden, wobei die Aussparungen z.B. vor dem Eloxieren erzeugt werden Können.A typical application for making a thermopile is the total thickness of the metal support, measured along side wall 28, is about 1.6 to 3.2 mm. The metal supports can be made of aluminum sheet, whereby the Recesses can be created e.g. before anodizing.

Im allgemeinen werden die Träger vor dem anodischen Oxydieren aus dem Blech ausgeschnitten; sie kännen aber auch je nach der verwendeten Schneidvorrichtung nach dem anodischen Oxydieren ausgeschnitten werden, wenn sich eine mechanische Beschädigung der Oberfläche dabei vermeiden lässt. Geeignete Dicken der durch anodische Oxydation erzeugten Schicht 26 liegen im Bereich von etwa 0,1 bis 1 µ.In general, the carriers are peeled off prior to anodizing cut out the sheet; but they can also depending on the cutting device used be cut out after anodizing if there is a mechanical Damage to the surface can be avoided. Appropriate thicknesses of the by anodic Layer 26 generated by oxidation are in the range from approximately 0.1 to 1 μ.

Eine eloxierte Schicht von vorteilhafter Art lässt sich in verdünnten Lösungen von Ammoniumcitrat und Citronensäure oder von Ammoniumtartrat und Weinsäure bei einem pH-Wert von etwa 5 herstellen. Ein typischer Elektrolyt besteht aus destilliertem Wasser, 0,5 g/l Ammoniumcitrat und 0,5 g/l Citronensäure.An anodized layer of an advantageous type can be thinned in Solutions of ammonium citrate and citric acid or of ammonium tartrate and tartaric acid Prepare at a pH of about 5. A typical electrolyte consists of distilled Water, 0.5 g / l ammonium citrate and 0.5 g / l citric acid.

Die besondere Zusammensetzung des Elektrolyten hat die Aufgabe, die Ausbildung einer Porosität in der Oxidschicht infolge Angriffs durch die Elektrolytlösung zu vermeiden.The special composition of the electrolyte has the task of Formation of porosity in the oxide layer as a result of attack by the electrolyte solution to avoid.

Die Dicke des auf dem Aluminium hergestellten Films wird durch die Eloxierspannung bestimmt und beträgt ungefähr 13,5 # je Volt Eloxierspannung. Es ist aber auch möglich, einen mit dem Träger einstückigen Film auf chemischem Wege anders als durch anodische elektrolyt; Oxydation herzustellen, und man kann dazu auch andere Metall als Aluminium verwenden.The thickness of the film made on the aluminum is determined by the Anodizing voltage is determined and is approximately 13.5 # per volt anodizing voltage. It but it is also possible to do one with the One-piece film on carrier chemically different than by anodic electrolyte; To produce oxidation, and you can also use other metals than aluminum.

Der Überzug kann erzeugt werden, indem man den ganzen Gegenstand oder nur eine Seite 24 desselben eloxiert. Wenn der ganze Gegenstand eloxiert et wird, muss die eloxierte Deckschicht am Boden der Aussparung oder eines Teils derselben entfernt werden. Dies kann durch Abschleifen der Oberflächen oder durch Wegätzen mit einem Hydroxid wie z.B. konzentrierter Kalilauge, erfolgen.The coating can be created by touching the whole object or only one side 24 of the same anodized. When the whole item is anodized, the anodized top layer must be at the bottom of the recess or part of it removed. This can be done by grinding the surfaces or by etching away with a hydroxide such as concentrated potassium hydroxide.

Wie Fig. 3 zeigt, verwendet man bei freiliegender Metalloberfläche der Aussparung 26 ein Ätzmittel 30, das die Überzugsschicht 26 nicht angreift, um das Trägermetall 32 abzutragen.As shown in FIG. 3, it is used when the metal surface is exposed the recess 26 an etchant 30 which does not attack the coating layer 26 to to remove the carrier metal 32.

Ein typisches Beispiel für ein solches Ätzmittel ist 25-prezentige Salzsäure. Der Waterbleibt ein Oxidfilm, der mit dem metllischen Träger aus einem Stück besteht. Wie sich deutlicher aus Fig. 4 ergibt. Wie dieser Film rings um seinen Umfang herum abgetützt.A typical example of such an etchant is 25-percent Hydrochloric acid. The water remains an oxide film that is made of one with the metallic carrier Piece consists. As can be seen more clearly from FIG. Like this film around his Circumference worn around.

In Anbetracht der zueserst geringen Dicke und der hohen Festigkeit, mit der sich die Gemicht gemäss der Erfindung herstellen lässt, kann man wie Fig. 5 zeigt, ein Thermoelement mit einem Film herstellen, der Leichter Wärme durch Strahlung abgeben kann. Gleichzeitig erhöht der mit seinem Träger einstückig geformte Film des @kontakt in der durch den Pfeil 38 angedeuteten P@ @m@e ein Maximum, weil er in enger Berührung mit dem Träger steht und ein Wärmeisolierender Klebstoff, wie #ner üblich war, nicht erforderlich ist.Considering the first small thickness and the high strength, with which the Gemicht according to the invention can be produced, as shown in Fig. 5 shows how to manufacture a thermocouple with a film that lighter heat by radiation can deliver. At the same time, the film formed integrally with its support increases des @kontakt in the indicated by the arrow 38 P @ @ m @ e a maximum because he is in close contact with the wearer and a heat insulating adhesive such as #No customary is not required.

Lafo@ des @@@ den Isoliervermögene der Oxidseh@ erhä@@ die @ame elektrische Isolation, so was raschlä@ @@@ @rvoir 22 vermieden werden.Lafo @ des @@@ get the insulating power of Oxidseh @@ the @ame electrical Isolation, something that can be avoided quickly.

Herstellung @@@ moelement-Verbindungsstelle ersich @@@ ist thermoelektrischem Material von dem Film bis auf das Wärmereservoir 22 und eine Schicht 42 aus einem anderen thermoelektrischen Material von der von dem Film getragenen Schicht 44 zu einem anderen Teil des Wärmereservoirs 22. Auf dem dünnen Film wird die Meßstelle 46 gebildet. Leitungen 47 und 48 verbinden die thermoelektrisehen Stoffe mit einem Messgerät, wie einem (nicht dargestellten) empfindlichen Galvanometer. An. den Kontaktstellen 49 und 50 werden elektrische Verbindungemetalle, wie Silber, Gold oder Indium, auf die thermoelektrischen Schichten aufgedampft. An -diesen Verbindungsmetallen werden die Leitungen durch Löten, mit Hilfe eines leitfähigen Metallkitts oder nach ähnlichen, in der Halbleitertechnik bekannten Herstellungsverfahren' befertigt. Die Leitungen 47 und 48 sind feine M-etalldrähte, s.B. aus Gold.Manufacture @@@ moelement connection point ersich @@@ is thermoelectric material from the film to the heat reservoir 22 and a layer 42 of a different thermoelectric material from that carried by the film Layer 44 to another part of the heat reservoir 22. On top of the thin film is the measuring point 46 is formed. Lines 47 and 48 connect the thermoelectrics Substances with a measuring device such as a sensitive galvanometer (not shown). At. the contact points 49 and 50 are electrical connection metals, such as silver, Gold or indium, vapor-deposited on the thermoelectric layers. On these connecting metals the lines are made by soldering, with the help of a conductive metal putty or after similar manufacturing processes known in semiconductor technology '. The lines 47 and 48 are fine M-metal wires, see B. of gold.

Die bisher bekannten filmförmigen Detektoren konnten nicht in besonderen Ausbildungsformen, d.h. in anderen als ebenen Formen, hergestellt werden; dies wird erst durch die'Erfindung ermöglicht. Solche nicht-ebenen Ausbildungen der Oxidschicht, z.B. in Form eines Hohlraums, können im Sinne der Erfindung die verschiedensten Gestalten aufweisen. Nicht-ebene Ausbildungsformen stellen einen besonderen technischen Fortschritt dar, weil sie es ermöglichen, eine der wirksamsten Arten von schwarzen Körpern, nämlich einen konischen Hohlraum, herzustellen, wie es in Fig. 6 dargestellt ist. Die Innenfläche 60 kann mit einem Material, wie Lampenruss, Platinschwarz oder Goldschwarz, beschichtet sein, um die Strahlungsabsorption zu erhöhen. Hierdurch entsteht die charakteristische "Sehwarzkörperhohlraum"-absorption, die sich besonders -für die genaue Messung von Strahlung eignet, welche aus unterschiedlichen Wellenlängen zusammengesetzt ist, und die daher ein ideales Absorptionsorgan darstellt.The previously known film-shaped detectors could not in particular Forms of training, i.e. in other than flat shapes, are produced; this will only made possible by the invention. Such non-planar formations of the oxide layer, e.g. in the form of a cavity, the most varied within the meaning of the invention Show shape. Non-level forms of training represent a special technical one Progress because they allow one of the most effective types of black Bodies, namely a conical cavity to produce, as shown in Fig. 6 is. The inner surface 60 can be made of a material such as lamp black, platinum black, or Gold black, coated to increase radiation absorption. Through this creates the characteristic "black body cavity" absorption, which is particularly -suitable for the precise measurement of radiation coming from different wavelengths is composed, and is therefore an ideal absorption organ.

Die konisch geformte oxydierte Schicht 62 in Fig. 6 trägt thermoelektrische Stoffe, die s.B. eine Messstelle 64 bilden.The conically shaped oxidized layer 62 in Fig. 6 carries thermoelectric Substances that s.B. form a measuring point 64.

Die Vergleichsstelle 66 wird von einem Wärmereservoir 68 getragen.The comparison junction 66 is carried by a heat reservoir 68.

Die Abmessungen, d.h. die Dicke der konischen Oxidschicht und die Abmessungen des in Fig 6 dargestellten Wärmereservoirs, können denjenigen entsprechen, die in Verbindung mit Fig. 5 beschrieben worden sind. Mehrere Mess- und Vergleichsstellen, die um den Kegel herum angeordnet sind, können miteinander zu einer Thermosäule verbunden werden.The dimensions, i.e. the thickness of the conical oxide layer and the Dimensions of the heat reservoir shown in Fig. 6 can correspond to those which have been described in connection with FIG. Several measuring and comparison points, which are arranged around the cone can be combined to form a thermopile get connected.

Geeignete thermoelektrische Stoffe sind Wismut und Antimon, die auch schon bisher verwendet worden sind. Zu den halbleitenden Stoffen, die erst im Sinne der Erfindung verwendet werden können, gehören thermoelektrische Stoffe, wie z.B. Bleitellurid. Die Halbleiter werden wegen ihrer höheren thermoelektrischen Kraft und ihrer geringeren Wärmeleitfähigkeit bevorzugt. Bei den bisher bekannten thermischen Detektoren konnten diese Halbleiter aus praktische Zwecke nicht verwendet werden Es wird angenommen; dass die dem Abscheidungsverfahren bisher gesetzten Grenzen für den hohen elektrischen Widerstand und das hochgradige Rauschen verantwortlich waren. Bei Verwendung des mit dem Träger einstückig geformten Films von hoher Festigkeit gemäss der Erfindung, der keinen Klebstoff benötigt, um an dem metallischen Träger anzuhaften, lässt sich die Bedampfung mit halbleitenden Stoffen bei hohen Temperaturen durchführen, wobei der Film und der metallische Träger erhitzt werden. Infolgedessen werden die Schwierigkeiten, die sich bei den bisher bekannten thermischen Detektoren mit halbleitenden thermoelektrischen Stoffen in bezug auf den hohen Widerstand und das starke Rauschen eingestellt haben, durch die Erfindung praktisch ausgeschaltet.Suitable thermoelectric substances are bismuth and antimony, which are also have already been used. To the semiconducting substances, which only in the sense of the invention include thermoelectric materials such as e.g. Lead telluride. The semiconductors are used because of their higher thermoelectric power and their lower thermal conductivity are preferred. With the previously known thermal Detectors could not use these semiconductors for practical purposes It is believed; that the limits set so far for the deposition process responsible for the high electrical resistance and the high level of noise was. Using the high strength film integrally molded with the support according to the invention, which does not require an adhesive to attach to the metallic support to adhere, the vapor deposition with semiconducting substances at high temperatures perform, heating the film and the metallic support. Consequently are the difficulties encountered with the previously known thermal detectors with semiconducting thermoelectric materials in terms of high resistance and have adjusted the strong noise, practically eliminated by the invention.

Fig. 7 zeigt eine Vorrichtung zur Durchführung eines Bedampfungsvorganges. Die Kammer 70 in der Glocke 72 wird evakuiert.7 shows an apparatus for carrying out a vapor deposition process. The chamber 70 in the bell 72 is evacuated.

Ein Ofen 74 enthält zwei Boote, wie bei 76, zum Unterbringen von thermoelektrischen Stoffen. Der Ofen wird durch Widerstandsheizung, Elektronenbeschuss oder dergleichen erhitzt.A furnace 74 contains two boats, as at 76, for housing thermoelectric Fabrics. The furnace is heated by resistance, electron bombardment or the like heated.

Der zu bedampfende Gegenstand befindet sich bei 78, und der -Erhitzer 80 hält ihn auf der gewünschten Temperatur. Ein Schirm 82 zwischen der Metalldampfquelle und dem zu fenden Gegenstand steuert die Metalldampfströmung. Unmittelbar vor dem zu bedampfenden Gegenstand befindet sich eine Maske 84, die die Form der aufzudampfenden Schicht bestimmt Wenn mehrere Beläge aufgedampft werden sollen, bringt man die Maske zunächst in eine bestimmte Stellung, während einer der aufzudampfenden Stoffe in seinem Behälter erhitzt wird. Stobald sich ein Belag aus diesem Stoff von der gewünschten Dicke gebildet hat, verschiebt man die Maske, erhitzt einen zweiten Stoff und dampft ihn auf, bis sich ein Belag von dem gewünschten Gewicht und der gewünschten Gestalt gebildet hatO Man kann auch mit mehreren Masken arbeiten. Unter Umständen kann man sich der Photätzung bedienen, um einen selektiven Oberflächenüberzug zu erhalten.The object to be steamed is at 78, and the heater 80 keeps it at the desired temperature. A Screen 82 between the metal vapor source and the object to be fished controls the metal vapor flow. Immediately in front of the object to be vaporized is a mask 84 which the shape of the layer to be vapor-deposited determines when several coverings are vapor-deposited the mask is first placed in a certain position during a the substance to be vaporized is heated in its container. As soon as there is a coating made of this fabric of the desired thickness, move the mask, heats a second substance and steams it up until a coating of the desired one is formed Weight and the desired shape has formedO You can also use multiple masks work. Under certain circumstances, photo-etching can be used to make a selective one To obtain surface coating.

Fig. 8 ist eine vergrösserte Teilansicht und zeigt das Ergebnis des Bedampfungsvorganges unter Verwendung der Maske. Ein erster thermoelektrischer Stoff 85 verläuft zwischen dem Metall 86 und dem dünnen Film 88, wobei die Treniinie 89 die Trennlinie zwischen Metall und Film ist. Durch die Bedampfung mit Hilfe der Maske ist ein zweiter thermoelektrischer Stoff 90 aufgedampft worden, der wie die Abbildung zeigt, den ersten Stoff so überlappt, dass auf dem Film eine messstelle 92 entstanden ist. Eine Vergleichsstelle 94 befindet sich aus dem metallträger, wo die beiden Stoffe sich überlappen, usw.Fig. 8 is an enlarged partial view showing the result of Vapor deposition process using the mask. A first thermoelectric substance 85 extends between the metal 86 and the thin film 88, the treni line 89 is the dividing line between metal and film. By steaming with the help of the Mask, a second thermoelectric material 90 has been evaporated, like the The illustration shows the first fabric overlaps in such a way that there is a measuring point on the film 92 was created. A comparison junction 94 is located on the metal carrier, where the two fabrics overlap, etc.

Man verwendet Masken mit vielen Öffnungen, so dass sich Thermoelemente mit vielen Verbindungsstellen in zwei Bedampfungsvorgängen herstellen lassen. Fig. 9 zeigt die Ergebnisse der Herstellung einer solchen Thermosäule. Hier haben sich auf einer Strecke von 2 mm zwanzig Verbindungsstellen gebildet.One uses masks with many openings so that there are thermocouples can be produced with many connection points in two steaming processes. Fig. 9 shows the results of manufacturing such a thermopile. Here have themselves twenty joints formed over a distance of 2 mm.

Die Verbindungsstellen sind nintereinendergeschaltet und durch die Leitungen 96 und 95 mit einem (nicht dargestellten) Messgerät verbunden. die Messstellen 98 auf dem dünnen Film sind mit einem strahlungsabsorbierenden Stoff, wie einer Lampenrussschicht, beschichtet, die durch die gestrichelte Linie 99 dargestellt ist. Die Grenzen des geätzten Teils des dünnen-Films sind durch die ausgezogene Linie 100 dargestellt.The connection points are interconnected and through the Lines 96 and 95 connected to a (not shown) measuring device. the measuring points 98 on the thin film are covered with a radiation absorbing material such as a Lamp soot, coated by the dashed line 99 is shown. The boundaries of the etched part of the thin film are through the Solid line 100 shown.

Fig. 10 zeigt einen typischen thermoelektrischen Schaltkreis, bei dem das Detektororgan 102 in der Kammer 104 untergebracht ist, die ein strahlungsdurchlässiges Fenster 106 aufweist.Fig. 10 shows a typical thermoelectric circuit at which the detector element 102 is housed in the chamber 104, which is a radiation-permeable Has window 106.

Die Leitungen 107 und 108 sind mit einem Messgerät oder Verstärker 109 verbunden. Bei gewissen Ausführungsformen kann die Kammer 104 evakuiert sein, oder sie kann mit einem Inwertgas, wie Argon, gefüllt sein. Das Aggregat kann so hergestellt sein, dass cs einer Packung von genormter Grösse, z.B. einer "JEDEC TO -5"-Transsistorpackung, entspricht.Lines 107 and 108 are connected to a meter or amplifier 109 connected. In certain embodiments, the chamber 104 may be evacuated, or it can be filled with an inert gas such as argon. The unit can do so be manufactured that cs a pack of standardized size, e.g. a "JEDEC TO -5 "transistor package.

Der Detektor gemäss der Erfindung kann mit oder ohne Schutzkammer sowie mit oder c'hne Vakuum von einer Sonde getragen werden. Geeignete Werkstoffe für ein Schutzfenster zum Schutz des Detektororgans An einer nicht evakuierten Kammer sind Kaliumbromid, Polyathylenfolie oder kristallisches oder kompaktes Zinksulfid Einzelheiten einer besonderen Ausführungsform, bei der ein Detektor in einer Transkstorpackung von genormter mittlerer Grösse (TG-5) untergebracht ist, sind in Fig. 11 dargestellt.The detector according to the invention can be with or without a protective chamber as well as carried by a probe with or without a vacuum. Suitable materials for a protective window to protect the detector organ on a non-evacuated chamber are potassium bromide, polyethylene foil or crystalline or compact zinc sulfide Details of a particular embodiment, in which a detector in a transkstorpackung of standardized medium size (TG-5) are shown in FIG. 11.

Der Dünnfilm-Strahlungsdetektor 112 (mit absorbierendem aber zug) ist in der Behälterpackung 116 auf dem Träger 114 befestigt- Feine Drähte 118 und 120 von hoher Leitfähigkeit verbinden die Detektorstoffe an den Lötstellen 126 bzw. 128 mit den Signalleitungen 122 bzw. 124. Wo die Signalleitungen 122 und 124 durch den Gehäuseverschluss 130 hindurchgehen, sind sie von durch Glas isolierten Dichtungeb 132 bzw. 134 umgeben. Eine Erdleitung 136 ist elektrisch mit dem Gehäuseverschluss 130 verbunden. Der Träger 114 ist mit wärmeleitendem Kitt 137 an dem Geläuseverschluss 130 befestigt.The thin film radiation detector 112 (with absorbing but traction) is fixed in the container package 116 on the carrier 114- fine wires 118 and 120 of high conductivity connect the detector materials at the soldering points 126 and 128 to signal lines 122 and 124, respectively. Where signal lines 122 and 124 pass through pass through the housing closure 130, they are of glass insulated seals b 132 and 134 respectively. A ground line 136 is electrical to the housing closure 130 connected. The carrier 114 is attached to the housing closure with heat-conductive cement 137 130 attached.

Das strahlungsdurchlässige Fenster 138 ist mit dem Kitt 140 an der Behälterpackung 116 befestigt. Die Gesamtabmessung Kann so gewählt werden, dass sie jedem beliebigen genormten Transistorteil oder dergleichen entspricht. Die in der Kammer befindliche Atmosphäre, z.B. Vakuum oder Inertgas, lässt sich leicht herstellene Zur Herstellung eines Detektors gemäss der Erfindung kann ein vorgeformter Träger entweder nur auf einer Seite oder auf seiner gesamten Oberfläche behandelt, z.B. eloxiert, werden.The radiation-permeable window 138 is with the cement 140 on the Container pack 116 attached. The overall dimension can be chosen so that it corresponds to any standardized transistor part or the like. In the The atmosphere in the chamber, e.g. vacuum or inert gas, can be easily removed Manufactured To manufacture a detector according to the invention, a preformed Carrier treated either on one side only or on its entire surface, e.g. anodized.

Wenn der Träger auf seiner ganzen Oberfläche eloxiert wird, wird die eloxierte Schicht selektiv abgeschliffen oder abgeätzt. dann wird das freigelegte Trägermetall durch Ätzen, Photoätzen, chemisches Abschleifen oder photochemisches Abschleifen abgetragen. Die gleichen Verfahren können auch zum selektiven Entfornen bestimmter Flächen der aloxierten Schicht angewandt werden.If the carrier is anodized over its entire surface, the Anodized layer is selectively ground or etched. then that becomes exposed Carrier metal by etching, photoetching, chemical grinding or photochemical Abrasion removed. The same procedures can also be used for selective deforming certain areas of the anodized layer can be applied.

Ausser dem elektrolytischen Eloxieren von Aluminium und Aluminiumlegierungen, um eine Überzugsschicht darauf aufzutragen, kann man einen mit dem Träger einstückig geformten Film zum Aufbringen des Detektormaterials auch nach anderen methoden und aus anderen Überzugs schichten als Oxiden herstellen.Besides the electrolytic anodizing of aluminum and aluminum alloys, in order to apply a coating layer thereon, one can be made integral with the support formed film for applying the detector material also by other methods and made of other coating layers than oxides.

Zum Beispiei kann man sich der Plasma-Eloxierung bedienen, um A1203- und AlN-Filme auf Aluminium oder Ta2O3-Filme auf Tantal herzustellen. Eine SiO2-Schicht kann auf Silicium durch thermisches Oxydieren hergestellt werden0 Ferner kann man eine Siliciumnitridschicht (Si3N4) durch chemische Umsetzung an der Oberfläche eines Siliciumträgers -erzeugen0 Unter Umständen kann Silicium wegen seiner Wärmeleitfähigkeit und seiner elektrischen Halbleitereigenschaften Vorteile bieten.For example, you can use plasma anodizing to make A1203- and to produce AlN films on aluminum or Ta2O3 films on tantalum. A SiO2 layer can be produced on silicon by thermal oxidation a silicon nitride layer (Si3N4) by chemical reaction on the surface of a Silicon carrier -generate0 Under certain circumstances, silicon can because of its thermal conductivity and its electrical semiconductor properties offer advantages.

Claims

P a t e n t a n s p r ü c h e

1. Film-shaped radiation detector, characterized by a thin, self-supporting film which is supported on its periphery by a carrier, wherein the film of a chemical compound formed integrally with the carrier of the carrier material and carries a radiation-sensitive material

2. Film-shaped Radiation detector according to claim 1, characterized in that the carrier is electrical It is conductive and the thin film is electrically insulating and made of a chemical There is a connection between the material of a surface of the carrier.

3. Film-shaped radiation detector according to claim 1, characterized in that that the thin film has a low heat capacity, electrically insulating is supported on its periphery by an electrically conductive carrier, otherwise but has no support, and from a chemical reaction product of a surface of the carrier.

4. Film-shaped radiation detector according to claim 1 to 3, characterized characterized in that the thin film carries several thermoelectric substances that Form a radiation-sensitive connection point.

5. Film-shaped radiation detector according to claim 4, characterized in that that the thin film carries several thermocouple measuring points, and that the heat reservoir multiple thermocouple reference junction carries O

6. Film-shaped radiation detector according to claim 1 to 5 ,, characterized in that the thermocouple measuring points are coated with radiation-absorbing material.

7. Film-shaped radiation detector according to claim 1, characterized in that that the thin film is conical in shape.

8. Film-shaped radiation detector according to claim 7, characterized in that that the inner surface of the conical film is coated with radiation absorbing material is.

9. Film-shaped radiation detector according to claim 1 to 8, characterized characterized in that the carrier consists of aluminum.

10. Film-shaped radiation detector according to claim 1 to 9, characterized characterized in that the thin film consists of an oxide of the carrier material.

11. Film-shaped radiation detector according to claim 1 to 10, characterized characterized in that the thin film is an oxidized layer of the aluminum support.

12. Film-shaped radiation detector according to claim 1 to 119 thereby characterized in that the radiation-sensitive material is a semiconducting substance, such as lead telluride, bismuth telluride or lead selenide

13, Film-shaped radiation detector according to claim 5, characterized in that the measuring point and the comparison point of the thermocouple are connected to each other by a measuring device.

14. Film-shaped radiation detector according to claim 2, characterized in that that he is encapsulated in a chamber with a certain atmosphere, that with a Radiolucent tenster is provided, and that electrical connections for the radiation-sensitive material are provided in the chamber.

15. Film-shaped thermocouple, characterized by an electrical insulating, thin film: of low heat capacity, forming a gap in one Bridged heat reservoir, integral with the heat reservoir over its entire circumference is formed and a self-supporting chemically reactive product of the material of the heat reservoir represents d in place on a surface of the heat reservoir as well as a radiation-sensitive one carried by the thin film Material.

16. Process very production of film-shaped radiation detectors ger-ass claim, characterized in that one has a pre-fenced carrier at least one surface is treated in such a way that it creates a highly solid, electrically insulating coating made from a chemical compound of the material Forms carrier, and on a certain area the material of the carrier of the The coating is removed, so that a thin film remains, which extends over its entire circumference is carried by the rest of the wearer, is one piece with it and the Bridged recess in the carrier, whereupon one is supported on this perimeter Film detectors material is deposited.

17. The method according to claim 16, characterized in that the supported film is heated prior to deposition of the detector material.

18. The method according to claim 16 or 17, characterized gekennzeicb, net, -that a support made of aluminum or aluminum alloys is used and anodized an oxide layer is generated on the carrier.

19. The method according to claim 18, characterized in that one the anodizing is carried out in a weak acidic solution, which the oxide layer does not attacks, and creates a hard, practically pore-free oxide layer. -

20. Procedure according to claim 16 to 19:, characterized in that to produce a hole-free Surface the memetallic carrier on the surface to be treated before the treatment polished.

21. The method according to claim 20, characterized in that the Pol-er performs electrolytically.

22. The method according to claim 16 to 21, characterized in that one the metallic support before the treatment to a certain shape, the has one recess, deformed.

23. The method according to claim 22, characterized in that one Recess in the form of a cavity, in particular a conical cavity, is generated.

24. The method according to claim 16 to 23, characterized in that one by depositing several detector substances on the one supported on its periphery Film creates a thermocouple junction.

25. The method according to claim 16 to 24, characterized in that an electrically insulating coating of a certain type is applied to the metallic support Thickness generated.

26. The method according to claim 16 to 25, characterized in that an oxide layer is produced on the metallic carrier.

27. The method according to claim 26, characterized in that the Treatment of the support controls so that there is an oxide layer of a certain thickness forms.

28. The method according to claim 16 to 27, characterized in that the detector material is deposited by vapor deposition.

29. The method iacb claim to 28, characterized in that one a thermo-element connection point by depositing semiconducting substances in sifted layers generated.

30. The method according to claim 29, characterized in that one by partially overlapping, deposition of the semiconducting thermoelectric substances several measuring points on the carrier film and several comparison points on the metallic carrier which are connected to each other to form a thermopile.

31. The method according to claim 30, characterized in that the Measuring points coated with radiation-absorbing material.

32. The method according to claim 16 to 31, characterized in that one uses one made of aluminum as the metallic carrier and anodizing an oxide layer of about 0.1 to 1 µ thickness is produced.

33. The method according to claim 16 to 32, characterized in that the anodizing is carried out in an electrolyte solution that does not have the oxide layer attacks.

34. Process for the manufacture of thermal detectors, since by characterized in that an aluminum blank is made into a cavity having a cavity The carrier deforms an oxide layer of a certain thickness on the carrier by anodizing generated, the anodized layer on opposite inner and outer surfaces of the cavity is exposed so that it is completely separated from the rest of the metallic The carrier is supported and consists of one piece with this and that one goes through Deposition of thermoelectric substances on the exposed anodized layer and on the metallic carrier in a certain arrangement such that parts of the thermoelectric Fabrics overlap, creating thermocouple junctions.

35. The method according to claim 34, characterized in that the outer surface of the cavity polished before anodizing and to produce a smooth, pore-free surface that polishes electrolytically.

36. The method according to claim 34 or 35, characterized in that a conical cavity was created

37. The method according to claim 34, characterized in that ' that the entire metallic carrier is anodized, the anodized layer on the Surface of the cavity of the meta rule by removing at least one Exposing part of the anodized layer from the inner surface of the cavity, and the remaining carrier metal from the im. through the outer surface of the cavity Etching, photoetching, chemical grinding or photochemical grinding is removed.

38. The method according to claim 36 or 37, characterized in that the inner surface of the conical cavity after removing the carrier metal coated with radiation-absorbing material such as lamp soot, 0

39. The method according to claim 34 to 38, characterized in that the thermal Detector in a chamber containing a certain atmosphere.

L e r s e i t e