DE1514668B2 - PROCESS FOR PRODUCING CHROME-SILVER CONTACTS ON SEMICONDUCTOR COMPONENTS - Google Patents

PROCESS FOR PRODUCING CHROME-SILVER CONTACTS ON SEMICONDUCTOR COMPONENTS

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DE1514668B2 DE1966S0101518 DES0101518A DE1514668B2 DE 1514668 B2 DE1514668 B2 DE 1514668B2 DE 1966S0101518 DE1966S0101518 DE 1966S0101518 DE S0101518 A DES0101518 A DE S0101518A DE 1514668 B2 DE1514668 B2 DE 1514668B2
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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.The invention relates to a method according to the preamble of claim 1.

Aus US-PS 17 51 361 sind Gleichrichter mit Elektrodenpaaren bekannt, die bezüglich ihres elektrochemischen Potentials asymmetrisch aufgebaut sind. Dabei kommen als elektronegative Elektroden Verbindungen von Metallen und als elektropositive Elektroden reine Metalle in Frage. Ein Hinweis auf die Herstellung von Kontakten auf Halbleiterbauelementen ist jedoch nicht zu finden.From US-PS 17 51 361 rectifiers with pairs of electrodes are known that with respect to their electrochemical Potential are constructed asymmetrically. Connections are used as electronegative electrodes of metals and pure metals as electropositive electrodes. A note on the making of However, no contacts can be found on semiconductor components.

Aus FR-PS 13 98 424 sind Metallkontakte auf Halbleiterbauelementen bekannt, die teils direkt auf der Halbleiteroberfläche aufgebracht werden und teils auf SiO2 und Glasschichten, mit denen Teile der Halbleiteroberfläche beschichtet sind, und die neben anderen Materialien folgende Schichten aufweisen: Eine Aluminiumschicht, darüber eine Chromschicht und auf der Chromschicht eine Kupferschicht. Zur Erzeugung gut haftender Kontakte ist ein Ein tempern bei 6000C vorgesehen.From FR-PS 13 98 424 metal contacts on semiconductor components are known, which are partly applied directly to the semiconductor surface and partly on SiO 2 and glass layers, with which parts of the semiconductor surface are coated, and which have the following layers in addition to other materials: An aluminum layer on top a chrome layer and a copper layer on the chrome layer. In order to produce a well-adhering contact A is provided anneal at 600 0 C.

Bei der Erfindung kommen hingegen als Kontakte Chrom-Silberschichten zur Anwendung. Auf ein Einsintern der Kontakte wird im Hinblick auf die Sperreigenschaften der Bauelemente verzichtet.In the invention, however, chromium-silver layers are used as contacts. On a sintering the contacts are dispensed with with regard to the blocking properties of the components.

ίο Aus BE-PS 6 57 021 ist es bekannt, ohmsche Kontakte mit Schutzschichten auf einer Halbleiteroberfläche aufzubringen. Die Halbleiterbeschichtung setzt sich neben einer Reihe verschiedener anderer Materialien aus den folgenden Schichten zusammen: Eine direkt auf der Halbleiteroberfläche angebrachte, und an den Kontaktstellen mit Fensteröffnungen versehene S1O2-Schicht, darüber eine Titan- oder Chrom-Schicht, über der Chrom-Schicht eine Platinschicht und auf dieser Platinschicht eine Goldschicht. Die bekannten Kontakte weisen zwischen einer unter anderem vorgesehenen Chrom- und Goldschicht eine Zwischenschicht aus Platin. Bei dem bekannten Verfahren ist ein Einsintern der Kontakte bei 5000C bis 6000C vorgesehen. Das erfindungsgemäße Verfahren erübrigt das Einsintern von Kontakten und bezieht sich außerdem auf Chrom-Silber-Schichten.ίο From BE-PS 6 57 021 it is known to apply ohmic contacts with protective layers on a semiconductor surface. The semiconductor coating consists of a number of different other materials from the following layers: An S1O2 layer attached directly to the semiconductor surface and provided with window openings at the contact points, a titanium or chromium layer above it, and a platinum layer above the chromium layer and a layer of gold on top of this platinum layer. The known contacts have an intermediate layer of platinum between a chromium and gold layer that is provided, among other things. In the known method, a sintering-of contacts at 500 0 C to 600 0 C is provided. The method according to the invention makes it unnecessary to sinter in contacts and also relates to chromium-silver layers.

In der GB-PS 1010 111 ist ein Verfahren zum Aufbringen einer Chromschicht auf ein Glassubstrat beschrieben, wobei auf die Chromschicht anschließend eine weitere Metallschicht aufgebracht wird. Beim Aufbringen der Doppelschicht ist jedoch mit Ausnahme von Chrom-Gold ein Eintempern nötig.In GB-PS 1010 111 is a method for Application of a chrome layer on a glass substrate is described, followed by the chrome layer another metal layer is applied. When applying the double layer, however, is an exception chromium gold requires tempering.

Das Eintempern soll jedoch bei dem erfindungsgemäßen Verfahren im Hinblick auf die Sperreigenschaften der gefertigten Bauelemente nicht angewendet werden. Aus US-PS 29 73 466 ist es bekannt, eine Chrom-Gold-Schicht mittels Eintempern auf einem Siliciumsubstrat anzubringen.The tempering should, however, in the method according to the invention with regard to the barrier properties of the manufactured components are not used. From US-PS 29 73 466 it is known, a chrome-gold layer to be attached by annealing on a silicon substrate.

Ein Eintempern soll jedoch bei dem erfindungsgemäßen Verfahren nicht angewendet werden.A tempering should, however, in the case of the invention Procedures are not applied.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zum Herstellen von gut haftenden Kontakten, insbesondere auf nach der Planartechnik gefertigten Halbleiterbauelementen anzugeben, bei dem nach erfolgter Kontaktierung die Kenngrößen der Halbleiterbauelemente, insbesondere ihrer Sperreigenschaften im wesentlichen unverändert bleiben, so daß der Fertigungsteil nach erfolgter Kontaktierung nicht erhöht wird.The object of the present invention is to provide a method for producing well-adhering contacts, in particular to specify on semiconductor components manufactured according to planar technology, in which according to Once contact has been made, the parameters of the semiconductor components, in particular their blocking properties remain essentially unchanged, so that the production part does not after contact has been made is increased.

Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren nach dem Oberbegriff durch die Maßnahmen des kennzeichnenden Teils des Anspruchs 1 gelöst.In the case of a method according to the generic term, this task is carried out by the measures of the characterizing part Part of claim 1 solved.

Die aufgedampften Metalle bei den bisher üblichen Verfahren müssen, damit gute und festhaftende Kontakte entstehen, eingetempert werden. Durch diesen Temperprozeß werden sehr häufig die Sperreigenschaften der gefertigten Bauelemente verschlechtert. Bei Planardioden und -transistoren werden dabei Diffusionsschichten mit < 1 μπι Dicke sehr leicht durchlegiert, wodurch der normale Fertigungsausfall durch das Anbringen der Kontakte noch wesentlich erhöht wird. Außerdem kann gelegentlich die Bildung von Metalltröpfchen stören, weil der Kontakt keine durchgehende Metallschicht bildet.The vapor-deposited metals in the previously common processes must be good and firmly adhering Contacts arise, are tempered. This tempering process very often changes the barrier properties of the manufactured components deteriorated. In the case of planar diodes and transistors, Diffusion layers with a thickness of <1 μm are very light alloyed through, which means that the normal production failure due to the attachment of the contacts is still significant is increased. In addition, the formation of metal droplets can occasionally interfere because there is no contact continuous metal layer forms.

Bei einer Ausführungsform wird die Chromschicht durch Aufdampfen bei einem Druck < ΙΟ-5 Torr aufgebracht Als Verdampfer für Chrom hat sich ein Wolframband, das mit einer insbesondere galvanischIn one embodiment, the chromium layer is applied by vapor deposition of 5 Torr at a pressure <ΙΟ- The evaporator for chromium has a tungsten strip, in particular, with a galvanically

aufgebrachten Chromschicht versehen ist, als sehr gut geeignet erwiesen.applied chrome layer is provided, has proven to be very suitable.

Es kann aber auch eine solche Anordnung gewählt werden, bei der Chrom in pulverförmigem Zustand verwendet wird.However, such an arrangement can also be selected in which the chromium is in powder form is used.

Die Verwendung von gesintertem oder gewalztem Chromblech als Verdampfer bietet eine weitere Möglichkeit zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens.The use of sintered or rolled chrome sheet as an evaporator offers another one Possibility to carry out the method according to the invention.

Es ist vorgesehen, eine Chromschicht in einer Schichtstärke von < 0,1 μπι aufzudampfen.A chrome layer with a thickness of < 0.1 μπι to evaporate.

Grundsätzlich kann Chrom auch durch Kathodenzerstäubung, z. B. in Wasserstoff, bei ca. 10-2Torr aufgebracht werden. Dabei dürfte jedoch der stetige Übergang zu dem Silber etwas schwieriger herstellbar sein.In principle, chromium can also be produced by cathode sputtering, e.g. B. hydrogen, may be applied at about 10- 2 Torr. However, the steady transition to silver is likely to be a little more difficult to manufacture.

Die Silberschicht wird i. a. durch Aufdampfen bei einem Druck < 10-5Torr erzeugt und in einer Schichtstärke von ungefähr 5 μπι hergestellt. Diese Kontakte können untereinander oder mit in gleicher Weise auf eine Passivierungsschicht festhaftend aufgedampften Kontaktierflecken durch Leitbahnen verbunden werden. Teile der Leitbahnen können eventuell unter Verwendung von Fotolack galvanisch verstärkt werden, insbesondere wenn kleine oder komplizierte Geometrien ein dickeres Bedampfen durch gestanzte Masken nicht erlauben.The silver layer is generally creates <10 -5 Torr by vapor deposition at a pressure and μπι produced in a layer thickness of about. 5 These contacts can be connected to one another or to contact pads that are firmly adhered to a passivation layer in the same way by means of interconnects. Parts of the interconnects can possibly be reinforced by electroplating using photoresist, especially if small or complicated geometries do not allow thicker vapor deposition through punched masks.

Bezüglich ihrer elektrischen Eigenschaften sind Chromkontakte als ohmsche Kontakte nur auf sehr niederohmigem Slicium, d. h. im wesentlichen auf hochdotierten Diffusionsschichten und auf den üblichen Epitaxiesubstraten geeignet. Während beispielsweise nicht einlegierte Goldkontakte auf p-dotiertem Silicium bis zu einigen Ohm · cm (ca. 1016 cm~3) brauchbar sind, werden bei Chromkontakten auf p-Silicium mit einer Oberflächenkonzentration von 5 1O17Cm-3 Übergangswiderstände von etwa 10—50 Ohm bei einer Fläche von 300 μπι 0 festgestellt. Andererseits ist auf n-Silicium der Goldkontakt nur bei hoher Dotierung (> 1020Cm-3) als ohmscher Kontakt brauchbar, während Chrom erst unter etwa 1018 cm-3 anfängt, gleichrichtende Metallhalbleiterkontakte zu ergeben.With regard to their electrical properties, chromium contacts are only suitable as ohmic contacts on very low-resistance silicon, ie essentially on highly doped diffusion layers and on the usual epitaxial substrates. While to some, for example, not alloyed gold contacts on p-doped silicon to Ohm · cm (about 10 16 cm -3) are useful are for chromium contacts on p-type silicon with a surface concentration of 5 1O 17 cm -3 contact resistance of about 10- 50 ohms with an area of 300 μπι 0 found. On the other hand, the gold contact on n-silicon can only be used as an ohmic contact with high doping (> 10 20 cm -3 ), while chromium only begins to produce rectifying metal semiconductor contacts below about 10 18 cm -3.

Ein weiterer Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens ist, daß Chrom besser als Gold zur Herstellung gleichrichtender Metallhalbleiterkontakte auf p-Silicium geeignet ist, wenn aus dem Verlauf der Spannungsabhängigkeit der Kapazität einer Aufdampfschicht die Dotierungsverteilung, beispielsweise in Epitaxieschichten, bestimmt werden soll.Another advantage of the process of the invention is that chromium is better than gold for manufacturing rectifying metal semiconductor contacts on p-silicon is suitable if the voltage dependency of the capacitance of a vapor-deposition layer shows the Doping distribution, for example in epitaxial layers, is to be determined.

Bei Verwendung von Germanium als Halbleitermaterial liegen die Verhältnisse ähnlich.When germanium is used as a semiconductor material, the situation is similar.

Die Ausbeute an qualitativ guten Bauelementen ist nach dem erfindungsgemäßen Verfahren erheblich größer als dies nach den bisher üblichen Verfahren möglich war.The yield of high-quality components is considerable according to the method according to the invention larger than was possible with the previously customary methods.

Im folgenden soll die Erfindung an Hand von Ausführungsbespielen und der F i g. 1 bis 6 näher erläutert werden.In the following, the invention is to be based on exemplary embodiments and the F i g. 1 to 6 closer explained.

In F i g. 1 ist im Schnitt eine p-dotierte Siliciumeinkristallscheibe 1 gezeigt, in welcher durch Diffusion mittels einer η-dotierenden Substanz, beispielsweise Phosphor, ein pn-Übergang 2 erzeugt worden ist. Die Halbleiterkristallscheibe wurde mit einer Chromschicht 3 versehen, auf die eine weitere Metallschicht 4, aus Silber bestehend, aufgebracht wurde. Diese Kristallscheibe dient zur Herstellung von Dioden in Glasgehäusen.In Fig. 1 is a section of a p-doped silicon single crystal wafer 1 shown, in which by diffusion by means of an η-doping substance, for example phosphorus, a pn junction 2 has been generated. The semiconductor crystal disc was provided with a chrome layer 3, on which a further metal layer 4, made of silver existing, was applied. This crystal disc is used to manufacture diodes in glass housings.

Vor dem Metallbedampfungsprozeß wird der mit der Dotierung versehene Halbleiterkristall einer kurzen Oberflächenreinigung durch Abätzen von gestörtem Kristallmaterial in gepufferter Flußsäure und anschließender gründlicher Spülung in destilliertem Wasser unterzogen. Nach einem kurzen, etwa 10—20 Sekunden langen Ausheizen bei 350—4009C werden die Kristallscheiben sofort in eine aus dem Rezipienten 11 bestehende Aufdampfapparatur wie in F i g. 2 abgebildet, eingebracht An die Aufdampfapparatur ist bei dem mit 12 bezeichneten Pfeil eine öldiffusionspumpe angeschlossen. Zur Verkürzung der Pumpzeiten und zur Verringerung des öldampfdruckes wird der Rezipient 11 beim Evakuieren mit heißem Wasser geheizt, welches dann beim Aufdampfprozeß durch Leitungswasser normaler Temperatur oder durch flüssigen Stickstoff ersetzt wird. Als Verdampfer für Chrom wird ein Schiffchen 13 aus Wolframband verwendet, in welches Chrom in Pulverform eingefüllt wird. Das Chrom haftet besser am Verdampfer, wenn vor dem Aufheizen etwas Gold beigemischt worden ist. Das Schiffchen mit dem Chrom und dem geringen Goldzusatz wird nun bei geschlossener Blende 25 mittels der Stromzuführung 10 auf eine Temperatur von ca. 1200°C gebracht; durch Messung des Ionenstroms mittels einer Elektrode 26 und eines Mikroampermeters wird eine geeignete Aufdampfgeschwindigkeit eingestellt Zuerst wird bei einem Druck < 10~5 Torr eine sehr dünne Chromschicht 3 von beispielsweise 0,1 μπι Dicke aufgedampft wobei die Schichtdicke mit einer Fotozelle 27 kontrolliert wird, die hinter einer Glasscheibe 28 angeordnet ist und auf das Licht vom glühenden Chromschiffchen 13 anspricht. Wenn der Fotostrom nach etwa 5—20 Sekunden auf die Hälfte abgesunken ist, wird die mittels der Stromzuführungen 20 betriebene Heizung des mit Silber beschickten, neben dem Wolframschiffchen 13 angeordneten Molybdänschiffchens 14 eingeschaltet, so daß kurze Zeit beide Metalle gleichzeitig aufgedampft werden. Dadurch ist die gute Haftfestigkeit der zweiten Metallschicht auf der Chromschicht gewährleistet. Schließlich wird nur noch das zweite Metall, Silber, verdampft und bis zur gewünschten Schichtstärke, beispielsweise bis 5 μπι, auf dem in die Aufdampfmaske 9 eingespannten Halbleitermaterial 1, 2, das mit einem Chromfilm 3 versehen ist, abgeschieden. Die Abscheidung der Silberschicht 4 (s. F i g. 1) dauert bei einer Schichtdicke von 5 μπι ungefähr 30 Sekunden.Before the metal vapor deposition process, the semiconductor crystal provided with the doping is subjected to a brief surface cleaning by etching off disturbed crystal material in buffered hydrofluoric acid and subsequent thorough rinsing in distilled water. After a short, approximately 10-20 seconds long annealing at 350-400 9 C, the wafers are immediately into an existing from the recipient 11 vapor deposition apparatus as shown in F i g. 2 shown, introduced An oil diffusion pump is connected to the vapor deposition apparatus at the arrow labeled 12. To shorten the pumping times and to reduce the oil vapor pressure, the recipient 11 is heated with hot water during evacuation, which is then replaced by tap water at normal temperature or by liquid nitrogen during the evaporation process. A boat 13 made of tungsten tape is used as an evaporator for chromium, into which chromium is poured in powder form. The chrome adheres better to the evaporator if a little gold has been added before heating. The boat with the chromium and the small amount of gold added is now brought to a temperature of approx. 1200 ° C. by means of the power supply 10 with the shutter 25 closed; by measuring the ion current by means of an electrode 26 and a micro-ammeter, a suitable deposition rate is set first is vapor deposited a very thin chromium film 3 of, for example 0.1 μπι thickness at a pressure of <10 -5 Torr wherein the layer thickness is controlled by a photocell 27, which is arranged behind a pane of glass 28 and responds to the light from the glowing chrome boat 13. When the photocurrent has dropped to half after about 5-20 seconds, the heating of the molybdenum boat 14, which is charged with silver and located next to the tungsten boat 13, is switched on, so that both metals are vaporized simultaneously for a short time. This ensures the good adhesive strength of the second metal layer on the chrome layer. Finally, only the second metal, silver, is evaporated and deposited up to the desired layer thickness, for example up to 5 μm, on the semiconductor material 1, 2 which is clamped in the vapor deposition mask 9 and which is provided with a chromium film 3. The deposition of the silver layer 4 (see FIG. 1) takes about 30 seconds with a layer thickness of 5 μm.

Durch Verwendung von zwei deckungsgleichen gestanzten Molybdänmasken, zwischen denen die Kristallscheibe während der Bedampfung gehalten wird und welche beidseitig nur die zum späteren Zerteilen der Systeme vorgesehenen, den Ritzbahnen entsprechenden, etwa 100 μπι breiten Streifen abdecken, ist es möglich, die Systeme so zu trennen, daß sie nach dem Brechen nicht an den Metallkontakten aneinander haften. Die beidseitig bedeckten Siliciumkristallscheiben werden dann mittels eines handelsüblichen Klebstoffs auf eine Glasplatte aufgekittet und durch Ritzen entlang der Ritzbahnen in die einzelnen Systeme zerlegt, die dann in die Glasgehäuse eingebaut werden.By using two congruent punched molybdenum masks, between which the Crystal disk is held during steaming and which on both sides only for later dividing of the systems provided, covering about 100 μm wide strips corresponding to the scoring tracks, it is possible to separate the systems in such a way that they do not stick to each other after breaking at the metal contacts be liable. The silicon crystal wafers, which are covered on both sides, are then attached using a commercially available adhesive cemented onto a glass plate and broken down into the individual systems by scoring along the scoring tracks then be built into the glass housing.

Eine andere Anordnung, ist in F i g. 3 abgebildet. Die Anordnung stellt einen Verfahrensschritt einer Siliciumplanardiode dar, die in ein Miniaturglasgehäuse eingebaut werden soll. In einer p-dotierten Siliciumeinkristallscheibe 1 wurde durch Diffusion aus der Gasphase mittels Phosphor im Bereich eines Oxidfensters 7 eine η-dotierte Zone 2 erzeugt und dabei die Halbleiterkristalloberfläche mit einer glasartigen Phosphoroxidschicht versehen, in die unter erneuter Another arrangement is shown in FIG. 3 pictured. The arrangement represents a process step of a silicon planar diode that is to be built into a miniature glass case. In a p-doped silicon single crystal wafer 1 was obtained by diffusion from the gas phase using phosphorus in the area of an oxide window 7 an η-doped zone 2 is generated and the semiconductor crystal surface is provided with a vitreous phosphorus oxide layer, in which under renewed

Anwendung der bekannten Fotolacktechnik ein kleineres Fenster 17 konzentrisch zum ersten Fenster 7 zum Anbringen des Kontaktes geätzt wurde, so daß die Teile der Phosphoroxidglasschicht und der Siliciumdioxidschicht auf der HalbleiterkristaUoberfläche stehenblieben, die in der Figur mit 15 und 5 bezeichnet sind. Der Aufdampfprozeß zum Herstellen des Metallkontakts auf der freigeätzten η-dotierten Zone 2 erfolgt, wie beim Ausführungsbeispiel nach F i g. 1 beschrieben. Dabei wird durch eine Doppelmaske 6 aus Tantal aufgedampft, die nach dem Bedampfungsvorgang von der anhaftenden Chrom-Silber-Schicht (3, 4) durch Ätzen in einem geeigneten Lösungsmittel leicht wieder befreit werden kann. Beim Aufdampfen durch diese Tantalmaske 6 bildet sich auf der η-dotierten Zone 2 eine in F i g. 3 deutlich erkennbare haufenförmige Abscheidung 4 (Höhe mindestens 70 μΐη) zur späteren Kontaktierung vorgesehenen Materials (3, 4). Nach Entfernung der Masken können die Planarsysteme nach Zerteilen der Kristallscheibe in die einzelnen Systeme sofort in das Glasgehäuse eingebaut werden. Dabei verhindert die haufenförmige Abscheidung der Chrom-Silber-Kontakte (3, 4) auf der η-dotierten Zone 2, daß zwischen Kontaktbügel und Ritzbahnen Kurzschlüsse entstehen.Application of the known photoresist technology a smaller window 17 concentric to the first window 7 for Attaching the contact was etched so that the parts of the phosphorus oxide glass layer and the silicon dioxide layer remained on the semiconductor crystal surface, which are denoted by 15 and 5 in the figure. Of the The vapor deposition process for producing the metal contact on the etched-free η-doped zone 2 takes place, as in the Embodiment according to FIG. 1 described. It is vapor-deposited through a double mask 6 made of tantalum, after the vapor deposition of the adhering chromium-silver layer (3, 4) by etching in one suitable solvent can easily be freed again. During vapor deposition through this tantalum mask 6 one in FIG. 1 is formed on the η-doped zone 2. 3 clearly recognizable heap-shaped deposit 4 (Height at least 70 μm) for later contacting provided material (3, 4). After removing the masks, the planar systems can be used after dividing the Crystal disk in the individual systems can be built into the glass housing immediately. This prevents the heap-like deposition of the chrome-silver contacts (3, 4) on the η-doped zone 2 that between Contact clips and scratch tracks short-circuits occur.

Fig.4 zeigt eine Vergrößerung der in Fig.3 dargestellten Anordnung nach Entfernung der Doppelmaske, wobei die Schichtenfolge der auf dem mit der η-dotierten Zone 2 versehenen Halbleitermaterial 1 aufgebrachten Siliciumdioxidschicht 5, der Phosphoroxidglasschicht 15 und der Chrom-Silber-Schicht 3 und 4 sehr gut erkennbar ist.Fig.4 shows an enlargement of the in Fig.3 shown arrangement after removal of the double mask, the sequence of layers on the with the η-doped zone 2 provided semiconductor material 1 applied silicon dioxide layer 5, the phosphorus oxide glass layer 15 and the chrome-silver layer 3 and 4 can be seen very clearly.

In den F i g. 5 und 6 wird gezeigt, wie es möglich ist, Kontaktierflecken für Halbleiterbauelemente mit kleinsten Geometrien herzustellen. In einer p-dotierten Siliciumeinkristallscheibe 1 wurden durch Diffusion aus der Gasphase mittels Phosphor unter Anwendung bekannter Fotolacktechniken und Diffusionsmaskierung an bestimmten, hierfür vorgesehenen Stellen η-dotierte Zonen 2 erzeugt Die mit 8 bezeichneten Bereiche an der HalbleiterkristaUoberfläche sind die Gebiete, die bei der Freiätzung für die Phosphordiffusion maskiert waren und aus einer passivierenden Siliciumdioxidschicht bestehen. Vor dem Bedampfen der Kristallscheibe mit den Metallkontakten wird die über der η-dotierten Zone 2 bei der Diffusion entstandene Phosphoroxidglasschicht abgeätzt und die Halbleiterscheibe ganzflächig auch auf der Passivierungsschicht wie beim Ausführungsbeispiel in F i g. 1In the F i g. 5 and 6 shows how it is possible Manufacture contact pads for semiconductor components with the smallest of geometries. In a p-doped Single crystal silicon wafers 1 were made by using gas phase diffusion by means of phosphorus known photoresist techniques and diffusion masking at certain points provided for this purpose η-doped zones 2 produced. The areas marked 8 on the semiconductor crystal surface are the Areas that were masked for the phosphorus diffusion during the free etching and from a passivating Consist of silicon dioxide layer. Before the metal contacts are vapor-deposited on the crystal disc, the Etched away over the η-doped zone 2 during the diffusion phosphorus oxide glass layer and the Semiconductor wafer over the entire area also on the passivation layer, as in the exemplary embodiment in FIG. 1

ίο beschrieben bedampft. In bekannter Weise werden die Kontakte, Leitbahnen und Kontaktflecken mit einem Fotolack abgedeckt und die übrige aufgedampfte Chrom- und Silberschicht mit einem oder zwei verschiedenen Lösungsmitteln, gegen die der verwendete Fotolack widerstandsfähig ist, abgelöst. So entsteht die in der F i g. 5 mit 3 bezeichnete Chromschicht und die mit 4 bezeichnete Silberschicht In Fig.6 ist in Draufsicht die gleiche Anordnung wie in Fig.5 im Schnitt gezeigt, wobei die gleichen Bezugszeichen wieίο described steamed. In a known way, the Contacts, interconnects and contact patches are covered with a photoresist and the rest is vapor-deposited Chrome and silver layer with one or two different solvents against which the one used Photoresist is resistant, peeled off. This is how the in FIG. 5 denoted by 3 chrome layer and the silver layer denoted by 4. In FIG. 6, the same arrangement as in FIG. 5 is shown in plan view Section shown, with the same reference numerals as

ίο in Fig.5 gelten. Diese Art der Bedampfung wird angewendet wenn Druck und Temperatur beim Kontaktieren für die Systemgeometrie nicht tragbar sind oder wenn durch die sehr geringen geometrischen Abstände eine direkte Kontaktierung nicht durchführbar ist.ίο in Fig. 5 apply. This kind of steaming will used if pressure and temperature during contact are not acceptable for the system geometry or if direct contact cannot be made due to the very small geometric distances is.

Die Metallkontakte können, wenn erforderlich, auf galvanischem Wege noch verstärkt werden. Wenn hierbei in Sperrichtung geschaltete pn-Übergänge die galvanische Abscheidung behindern, dann kann die oben beschriebene letzte Anwendung der Fototechnik im wesentlichen in umgekehrter Weise angewendet werden, d. h. daß nur die zu verstärkenden Kontakte, Leitbahnen und Kontaktierflächen frei von Fotolack bleiben und galvanisch verstärkt werden, so daß nachThe metal contacts can, if necessary, be reinforced by galvanic means. if In this case, pn junctions switched in the reverse direction hinder the galvanic deposition, then the The last application of the photographic technique described above is essentially applied in the opposite way be, d. H. that only the contacts, interconnects and contact surfaces to be reinforced are free of photoresist stay and are galvanically reinforced, so that after

Entfernung des Lacks durch eine einfache Überätzung ohne Abdeckung die für die Galvanik als Brücken erforderlichen Teile der Aufdampfschicht abgetragen werden können, wobei die galvanisch verstärkten Teile nur unwesentlich angegriffen werden.Removal of the lacquer by a simple overetching without covering, used as bridges for electroplating required parts of the vapor deposition layer can be removed, the galvanically reinforced parts are only insignificantly attacked.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims (10)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Verfahren zum Herstellen von Kontakten für Halbleiterbauelemente, die insbesondere nach der Planartechnik gefertigt sind, bestehend aus einer ersten, das Halbleiterbauelement unmittelbar kontaktierenden Chromschicht und einer Silberschicht, wobei vor Vakuumabscheidung der Chromschicht eine Reinigung der zu kontaktierenden Halbleiteroberfläche durchgeführt wird, dadurch gekennzeichnet, daß nach Abscheidung der Chromschicht zunächst kurzzeitig Chrom und Silber gleichzeitig und sodann das Silber allein abgeschieden werden.1. A method for producing contacts for semiconductor components, in particular according to the Planar technology are made, consisting of a first, the semiconductor component directly contacting Chromium layer and a silver layer, the chromium layer being vacuum deposited the semiconductor surface to be contacted is cleaned, characterized in that that after the chromium layer has been deposited, initially chromium and silver are deposited simultaneously for a short time and then the silver alone is deposited will. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Chromschicht durch Aufdampfen bei einem Druck, der kleiner als 10-5Torr ist, aufgebracht wird.2. The method according to claim 1, characterized in that the chromium layer is applied by vapor deposition at a pressure of less than 10- 5 Torr. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Verdampfer für Chrom ein Wolframband Verwendung findet, das mit einer, insbesondere galvanisch aufgebrachten Chromschicht versehen ist.3. The method according to claim 1 or 2, characterized in that an evaporator for chromium Tungsten tape is used with a, in particular galvanically applied, chromium layer is provided. 4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß Chrom in pulverförmigem Zustand verdampft wird.4. The method according to any one of claims 1 to 3, characterized in that chromium in powdery State is evaporated. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Verdampfer ein gesintertes oder gewalztes Chromblech verwendet wird.5. The method according to any one of claims 1 to 4, characterized in that an evaporator sintered or rolled chrome sheet is used. 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Chromschicht durch Kathodenzerstäubung in Wasserstoff bei 10~2 Torr aufgebracht wird.6. The method according to any one of claims 1 to 5, characterized in that the chromium layer is applied by cathode sputtering in hydrogen at 10 ~ 2 Torr. 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Chromschicht in einer Schichtstärke < 0,1 μπι hergestellt wird.7. The method according to any one of claims 1 to 6, characterized in that the chromium layer in a layer thickness of <0.1 μπι is produced. 8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Silberschicht durch Aufdampfen bei einem Druck der kleiner als 10~5 Torr ist, erzeugt wird.8. A method according to any one of claims 1 to 7, characterized in that the silver layer by vapor deposition at a pressure of less than 10 -5 Torr, is generated. 9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Silberschicht in einer Stärke von ungefähr 5 μπι hergestellt wird.9. The method according to any one of claims 1 to 8, characterized in that the silver layer in a strength of about 5 μπι is made. 10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die aufgebrachten Metallschichten an bestimmten, hierfür vorgesehenen Stellen galvanisch verstärkt werden.10. The method according to any one of claims 1 to 9, characterized in that the applied Metal layers are galvanically reinforced at certain points provided for this purpose.
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