DE2165169B2 - Alloy, manufacture thereof and use thereof for devices for direct thermoelectric energy conversion - Google Patents
Alloy, manufacture thereof and use thereof for devices for direct thermoelectric energy conversionInfo
- Publication number
- DE2165169B2 DE2165169B2 DE2165169A DE2165169A DE2165169B2 DE 2165169 B2 DE2165169 B2 DE 2165169B2 DE 2165169 A DE2165169 A DE 2165169A DE 2165169 A DE2165169 A DE 2165169A DE 2165169 B2 DE2165169 B2 DE 2165169B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- alloy
- single crystal
- doped
- magnesium
- thermoelectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims description 35
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims description 35
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 30
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 23
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 14
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 14
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 14
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- 229910019018 Mg 2 Si Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 12
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 229910019021 Mg 2 Sn Inorganic materials 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims description 3
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PZKRHHZKOQZHIO-UHFFFAOYSA-N [B].[B].[Mg] Chemical compound [B].[B].[Mg] PZKRHHZKOQZHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011630 iodine Substances 0.000 claims description 2
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 claims 2
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 101150029062 15 gene Proteins 0.000 claims 1
- 101100400378 Mus musculus Marveld2 gene Proteins 0.000 claims 1
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 claims 1
- 239000011149 active material Substances 0.000 claims 1
- -1 antimonyuride Chemical compound 0.000 claims 1
- GPMBECJIPQBCKI-UHFFFAOYSA-N germanium telluride Chemical compound [Te]=[Ge]=[Te] GPMBECJIPQBCKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims 1
- OMEPJWROJCQMMU-UHFFFAOYSA-N selanylidenebismuth;selenium Chemical compound [Se].[Bi]=[Se].[Bi]=[Se] OMEPJWROJCQMMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GGYFMLJDMAMTAB-UHFFFAOYSA-N selanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Se] GGYFMLJDMAMTAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000005619 thermoelectricity Effects 0.000 claims 1
- 235000001055 magnesium Nutrition 0.000 description 15
- 229940091250 magnesium supplement Drugs 0.000 description 15
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- ZLHNFTFSANKMSR-UHFFFAOYSA-N [Ge].[Mg] Chemical compound [Ge].[Mg] ZLHNFTFSANKMSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RRXGIIMOBNNXDK-UHFFFAOYSA-N [Mg].[Sn] Chemical compound [Mg].[Sn] RRXGIIMOBNNXDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- MKPXGEVFQSIKGE-UHFFFAOYSA-N [Mg].[Si] Chemical compound [Mg].[Si] MKPXGEVFQSIKGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000004720 fertilization Effects 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000001995 intermetallic alloy Substances 0.000 description 1
- OTCKOJUMXQWKQG-UHFFFAOYSA-L magnesium bromide Chemical compound [Mg+2].[Br-].[Br-] OTCKOJUMXQWKQG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001623 magnesium bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- BLQJIBCZHWBKSL-UHFFFAOYSA-L magnesium iodide Chemical compound [Mg+2].[I-].[I-] BLQJIBCZHWBKSL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001641 magnesium iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010310 metallurgical process Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C30/00—Alloys containing less than 50% by weight of each constituent
- C22C30/04—Alloys containing less than 50% by weight of each constituent containing tin or lead
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C23/00—Alloys based on magnesium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/8556—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising compounds containing germanium or silicon
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Description
ergibt sich ein hoher Carnotscher Gütegrad gemäß dem zweiten Hauptsatz der Thermodynamik.the result is a high Carnot quality grade according to the second law of thermodynamics.
Der obenerwähnte Ausdruck »Schmelzpunkt« soll als die Solidus-Temperatur oder genauer als die Mitteltemperatur beim Übergang des Stoffs vom festen zum flüssigen Zustand verstanden werden.The term "melting point" mentioned above is intended to be the solidus temperature, or more precisely the mean temperature to be understood at the transition of the substance from the solid to the liquid state.
Um die bestmögliche Leistung dieser Stoffe für die Verwendung in thermoelektrischen Energieumwandler zu erreichen, kann man folgendes tun:To get the best possible performance from these substances for use in thermoelectric energy converters you can do the following:
1. Die Anteile an Silicium, Germanium und Zinn variieren; und1. The proportions of silicon, germanium and tin vary; and
2. mit geeigneten Verunreinigungen bis zu einem geeigneten Niveau dotieren.2. Dope with appropriate impurities to an appropriate level.
Was den Faktor 1 betrifft, soll darauf hingewiesen werden, daß die beste Lösung darin besteht, für Silicium, Germanium und Zinn gleiche Atomprozente zu verwenden. Infolge der Schwierigkeiten, die bei der Dotierung des Stoffes auftreten, kann es zur Erzielung der bestmöglichen Gütezahl erforderlich sein, die Molekularanteile von Si, Ge und Sn ungleich zu machen.As for the factor 1, it should be noted that the best solution is to use for Silicon, germanium and tin to use equal atomic percentages. As a result of the difficulties that occur when doping the substance, it may be necessary to achieve the best possible figure of merit be to make the molecular fractions of Si, Ge and Sn unequal.
Der Faktor 2 ist wichtig, um ein p-leitendes bzw. η-leitendes Material herzustellen. Durch die Anwendung eines Überschusses oder Mangels an Magnesium, Silicium, Germanium oder Zinn in der erfindungsgemäßen Legierung kann man dafür sorgen, daß das Material η-leitend bzw. p-leitend wird. Ein Überschuß von Magnesium bewirkt eine negative Dotierung, während ein Überschuß eines der anderen drei Elemente eine positive Dotierung erzeugt. Es ist auch möglich andere Dotierungsverunreinigungen (Elemente oder Verbindungen) zu verwenden. Das Dotierungsniveau soll dabei so eingestellt werden, daß eine Ladungsträgerkonzentration bis zu etwa 1020 pro cm3 hervorgerufen wird. Dieser Wert bezieht sich selbstverständlich sowohl auf Donatoren als auch auf Akzeptoren. Die Dotierung des Stoffes in einer Weise, daß ein negativ leitendes Material erhalten wird (Überschuß von Elektronen bzw. Donatoren) erweist sich infolge des hohen Verhältnisses von Elektronenbeweglichkeit zur Löcherbeweglichkeit als leicht. Die Dotierung des Stoffes in einer Weise, daß ein positiv leitendes Material erhalten wird (Überschuß von Löchern bzw. Akzeptoren) wird so vorgenommen, daß eine Verkleinerung des verbotenen Energiebandabstandes bewirkt wird. Dies kann durch eine Erhöhung des Molekularanteils von Zinnmagnesium und, bis zu einem gewissen Umfang, des Molekularanteils von Germaniummagnesium in der Legierung erzielt werden. The factor 2 is important in order to produce a p-conductive or η-conductive material. By using an excess or deficiency of magnesium, silicon, germanium or tin in the alloy according to the invention, it is possible to ensure that the material becomes η-conductive or p-conductive. An excess of magnesium produces a negative doping, while an excess of one of the other three elements produces a positive doping. It is also possible to use other doping impurities (elements or compounds). The doping level should be set so that a charge carrier concentration of up to about 10 20 per cm 3 is caused. This value naturally relates to both donors and acceptors. The doping of the substance in such a way that a negatively conductive material is obtained (excess of electrons or donors) proves to be easy due to the high ratio of electron mobility to hole mobility. The doping of the substance in such a way that a positively conductive material is obtained (excess of holes or acceptors) is carried out in such a way that the forbidden energy band gap is reduced. This can be achieved by increasing the molecular proportion of tin-magnesium and, to some extent, the molecular proportion of germanium-magnesium in the alloy.
Es ist klar, daß zur Herstellung eines thermoelektrischen Energieumwandlers beide Schenkel der Vorrichtung eine verschiedene Zusammensetzung haben müssen.It is clear that in order to produce a thermoelectric energy converter, both legs of the device must have a different composition.
Der Grad, bis zu welchem der Molekularanteil von Mg2Sn gesteigert werden kann, hängt von der Grenze seiner Löslichkeit in den anderen beiden Verbindungen (Mg2Ge und Mg2Si) und von der Notwendigkeit, eine übermäßige Verringerung der Schmelztemperatur zu vermeiden, ab. Außerdem muß darauf geachtet werden, die Umwandlung des Stoffes in einen eigenleitenden Zustand bei verhältnismäßig niedrigen Temperaturen zu verhindern.The degree to which the molecular fraction of Mg 2 Sn can be increased depends on the limit of its solubility in the other two compounds (Mg 2 Ge and Mg 2 Si) and on the need to avoid unduly lowering the melting temperature . In addition, care must be taken to prevent the transformation of the substance into an intrinsic state at relatively low temperatures.
In der Folge sind einige Zusammensetzungen einiger erfindungsgemäßer Legierungen angegeben, die für thermoelektrische Energieumwandlungsvorrichtungen in Frage kommen:In the following some compositions of some alloys according to the invention are given which for thermoelectric energy conversion devices are:
1. Für den negativen Zweig der Vorrichtung (n-Typ-Material):1. For the negative branch of the device (n-type material):
b) Mg2Si014Ge018Sn018
c) Mg2Si018Ge018Sn012 b) Mg 2 Si 014 Ge 018 Sn 018
c) Mg 2 Si 018 Ge 018 Sn 012
2. Für den positiven Zweig der Vorrichtung (p-Typ-Material):2. For the positive branch of the device (p-type material):
b) Mg2Si0-4Ge014Sn014'b) Mg 2 Si 0-4 Ge 014 Sn 014 '
c) Mg2Si018Ge018Sn014 c) Mg 2 Si 018 Ge 018 Sn 014
Um einen Durchbruch in der Anwendung der unmittelbaren thermoelektrischen Energieumwandlung zu schaffen, muß ein Stoff gefunden werden, der einen Gütegrad der Umwandlung der Wärme in Elektrizität von etwa 40 °/o gestattet. Mit der erfindungsgemäßen Legierung wird die Lösung des Problems so diesem Ziel näher gebracht.To make a breakthrough in the application of the immediate To create thermoelectric energy conversion, a substance must be found that a degree of conversion of heat into electricity of about 40 per cent. With the invention Alloy, the solution to the problem is brought closer to this goal.
Die erfindungsgemäßen Legierungen bringen bei der Herstellung von thermoelektrischen Vorrichtungen folgende Vorteile mit sich:The alloys of the invention are useful in the manufacture of thermoelectric devices the following advantages:
1. eine hohe Annäherung an den idealen Gütegrad '5 einer zwischen denselben Temperaturgrenzen arbeitenden Carnotschen Wärmekraftmaschine;1. a close approximation of the ideal quality grade 5 of a Carnot heat engine operating between the same temperature limits;
2. eine hohe Gütezahl infolge2. a high figure of merit as a result
a) einer sehr niedrigen Wärmeleitfähigkeit,a) very low thermal conductivity,
b) einer hohen Beweglichkeit der Elektronen,b) a high mobility of the electrons,
c) einer hohen elektrischen Leitfähigkeit,c) a high electrical conductivity,
d) einer hohen Thermokraft bzw. eines hohen Seebeckschen Koeffizienten;d) a high thermal force or a high Seebeck coefficient;
3. die Möglichkeit, die Zusammensetzung des Stoffes in einem oder in beiden Zweigen der Vorrichtung zwischen der heißen Verbindungsstelle und der kalten Verbindungsstelle entsprechend einzustellen; und3. the possibility of the composition of the substance in one or in both branches of the device between the hot connection point and the cold connection point accordingly to discontinue; and
4. eine gute mechanische Festigkeit wegen des Vorhandenseins von Mg2Si im Stoff.4. Good mechanical strength due to the presence of Mg 2 Si in the fabric.
Die Ausgangselemente, die zur Herstellung der erfindungsgemäßen Legierung verwendet werden (Magnesium, Silicium, Germanium und Zinn) sollen von höchstmöglicher Reinheit sein. Die Reinheit der Ausgangselemente soll nicht weniger als 99,99 Gewichtsprozent für Magnesium und 99,999 Gewichtsprozent für Zinn sein. Für Silicium und Germanium soll sie noch wesentlich höher als der letztgenannte Weri liegen. Das Magnesium, das mit der vorgenannter Reinheit erhältlich ist, soll durch Destillation untei Hochvakuum weiter gereinigt werden, damit es ein Reinheitsniveau erreicht, das ähnlich denen der anderen drei Elemente ist.The starting elements that are used to manufacture the alloy according to the invention (magnesium, Silicon, germanium and tin) should be of the highest possible purity. The purity of the starting elements should not be less than 99.99 percent by weight for magnesium and 99.999 percent by weight be for tin. For silicon and germanium it should be significantly higher than the latter Weri lie. The magnesium, which is obtainable with the aforementioned purity, is said to be untei by distillation High vacuum further cleaning so that it reaches a level of purity similar to that of the others is three elements.
Die erfindungsgemäßen Legierungen sind Vorzugs weise Einkristalle, die mittels einer modifizierter Bridgmanschen Methode bzw. einer anderen geeigne ten Methode gezüchtet werden.The alloys according to the invention are preference as single crystals that are modified by means of a Bridgman's method or another suitable method.
Die erfindungsgemäßen Legierungen werden ent weder durch Vermischen entsprechender Mengen de: Ausgangselemente selbst (Magnesium, Silicium, Ger manium und Zinn) und Zusammenschmelzen ode aber durch selbständige Herstellung einer jeden de drei intermetallischen Verbindungen (Zinnmagne sium, Germaniummagnesium und Slliciummagne sram) und Zusammenschmelzen der entsprechende! Mengen der intermetallischen Verbindungen herge stellt.The alloys according to the invention are either made by mixing appropriate amounts of: Starting elements themselves (magnesium, silicon, Ger manium and tin) and melting together or through the independent production of each de three intermetallic compounds (tin magne sium, germanium magne sium and silicon magne sium sram) and merging the corresponding! Amounts of the intermetallic compounds produced represents.
Bei beiden Verfahren kann das Dotierungsmittel in Ergebnisse wird es bevorzugt, das Schmelzen sowie der gewünschten Menge zu den Grundbestandteilen, das Kristallzüchten in einer Edelgasatmosphäre oder die pulverförmig oder kornförmig sein dürfen, hinzu- einer reduzierenden Atmosphäre oder im Vakuum gesetzt und damit vermischt werden, bevor das auszuführen. Es ist außerdem darauf zu achten, BeSchmelzen begonnen wird. Es ist aber auch möglich, 5 halter und Schmelztiegel zu verwenden, die die das Dotierungsmittel während des Schmelzens zu- Schmelze nicht verunreinigen bzw. das Kristallzugeben, wachstum nicht stören. Ein Zonenschmelzverfahren Falls die erste der obigen Verfahrensvarianten ge- kann angewendet werden, um das Material noch stärwählt wird, werden die Bestandteile bis zu einer Tem- ker zu reinigen.In either method, the dopant can result in preferred melting as well the desired amount to the basic ingredients, crystal growing in a noble gas atmosphere or which may be powdery or granular, in a reducing atmosphere or in a vacuum set and mixed with it before doing this. Care must also be taken to avoid melting is started. But it is also possible to use 5 holders and crucibles that the Do not contaminate the dopant during melting or add the crystal, do not interfere with growth. A zone melting process If the first of the above process variants can be used to strengthen the material the components will be cleaned up to a tem- ker.
peratur, die höher als 1410° C sein muß, erhitzt, da- io Die auf diese Weise gewonnene fsste Lösung soll
mit das Silicium vollständig schmilzt. Hierauf kann vorzugsweise ein Einkristall sein, der mittels einer
die Schmelze bis zu einem Temperaturniveau all- modifizierten Bridgmanschen Methode oder einer anmählich
abgekühlt werden, das einige Grade höher deren geeigneten Methode gezüchtet wird. Falls die
als der Schmelzpunkt von Germaniummagnesium Bridgmansche bzw. Temperaturgefällefriermethode
liegt, welches die Verbindung ist, die die höchste 15 angewendet wird, dann müssen beim Züchten des
Schmelztemperatur (1115° C) aufweist. Dann soll die Einkristalls folgende Maßnahmen durchgeführt wer-Schmelze
eine ausreichende Zeit auf diese Tempe- den.
ratur (etwa 1125° C) gehalten werden, damit die intermetallischen Verbindungen sich vollkommen ver- 1. Die die feste Phase und die flüssige Phase trenmischen.
Hierauf wird der Stoff langsam auf seine »0 nende Zwischenfläche soll genau und sorgfältig
Umgebungstemperatur abgekühlt, wobei ein Ein- reguliert werden. Eine bogenförmige Zwischenkristall
in Form einer festen Lösung erhalten wird. fläche, die sich konkav in die flüssige Phase hin-temperature, which has to be higher than 1410 ° C, so that the finest solution obtained in this way should completely melt with the silicon. A single crystal can preferably be thereupon, which is gradually cooled by means of a Bridgman method that has all modified the melt to a temperature level or a method that is grown a few degrees higher than the suitable method. If that is Bridgman's melting point or temperature gradient freezing method, which is the compound that has the highest 15 used, then it must have the melting temperature (1115 ° C) when growing. The following measures should then be carried out on the single crystal: Melt a sufficient time at this temperature.
temperature (approx. 1125 ° C) must be maintained so that the intermetallic compounds completely mix 1. The separate the solid phase and the liquid phase. The substance is then slowly cooled down to its intermediate surface. An arc-shaped intermediate crystal in the form of a solid solution is obtained. surface that is concave into the liquid phase
Bei der zweiten Verfahrensvariante werden zu- einerstreckt, soll aufrechterhalten werden,
nächst die intermetallischen Verbindungen durch Zu- 2. Ein verhältnismäßig lineares Temperaturgefälle
sammenmischen der betreffenden Elemente in den 25 entlang der Längsachse des den Kristall tragenentsprechenden
stöchiometrischen Mengen und an- den Behälters soll aufrechterhalten werden,
schließendes Schmelzen (um die notwendige chemische Reaktion zustande zu bringen) angefertigt Durch die Einhaltung der obigen zwei Bedingun-(Magnesium
und Silicium; Magnesium und Germa- gen wird es möglich, Einkristalle mit verhältnismäßig
nium; und Magnesium und Zinn). 30 wenig Verschiebungen herzustellen und die Möglich-Zum
Beispiel werden die Ausgangselemente, nach- keit der Entstehung von Kristallunvollkommenheiten,
dem sie zusammengemischt worden sind, bis zu Tem- wie z. B. mikroskopische Risse und ungleiches Kriperaturen,
die ungefähr 50° C über den Schmelzpunk- Stallwachstum, wesentlich zu verringern,
ten der betreffenden intermetallischen Verbindungen Es ist auch möglich, die erfindungsgemäße Legieliegen,
erhitzt und etwa eine Stunde auf dieser Tem- 35 rung durch ein pulvermetallurgisches Verfahren herperatur
gehalten. So werden also die Verbindungen zustellen. Dabei werden die intermetallischen Ver-Zinnmagnesium
und Germaniummagnesium dadurch bindungen erst hergestellt und in ein feines Pulver
aufbereitet, daß die Ausgangselemente bis zu etwa vermählen. Das Material wird dann heiß oder kalt
8300C bzw. U 65° C erhitzt werden. Bei der Her- gepreßt und gesintert. Die Dotierungsmittel werden
stellung des Germaniummagnesiums kann eine Erhit- 40 dem Ausgangsgemisch zugesetzt,
zung seiner Bestandteile bis zu etwa 1250° C oder Wie bereits weiter oben ausgeführt, soll die Legievorzugsweise
bis zu etwa 1200° vorgenommen wer- rung mit entsprechenden Verunreinigungen und bis
den. Die Herstellung von Siliciummagnesium unter- zu einem zweckmäßigen Niveau dotiert werden, dascheidet
sich dadurch, daß die Ausgangselemente bis mit die bestmögliche thermoelektrische Leistung erzu
einer Temperatur, die höher als 1410° C sein muß, 45 langt werden kann. Die Dotierung mit Kupfer, Silber,
erhitzt werden, damit das vollkommene Schmelzen Cadmium oder Zink ergibt ein p-leitendes Material,
von Silicium erreicht wird. Danach kann die Tempe- Aluminium, Gallium, Indium und/oder Gold können
ratur allmählich bis zu ungefähr 1150° C abgesenkt ebenfalls als Zusatzverunreinigungen für Leiter des
und eine ausreichende Zeitspanne auf diesem Niveau p-Typs benützt werden. Lithium, Natrium und/oder
gehalten werden, um die chemischen Reaktionen zu 5» Kalium als Dotierungsmittel ergeben einen Überschuß
Ende zu bringen. Ein starkes Schütteln der Schmelze an Akzeptoren bzw. Löchern und infolgedessen eben-
und ein Überschuß an Magnesium sind Vorsichts- falls eine Legierung vom p-Typ. Es ist auch möglich,
maßregeln, die zur Erlangung von gleichförmigen Verbindungen von Lithium, Natrium und/oder Ka-(homogenen)
und stöchiometrischen Verbindungen lium mit den Elementen Bor, Silicium, Germanium
nützlich sind. 55 und/oder Zinn zu verwenden, wobei wiederum Leim Anschluß daran werden die intermetallischen gierungen vom p-Typ erhalten werden. Beispielsweise
Verbindungen pulverisiert und vermischt und eine kann hierfür Magnesiumborid verwendet werden. Die
ausreichende Zeit auf 1125° C erhitzt, um ein voll- bevorzugten Dotierungsmittel vom p-Typ sind Silber
ständiges Vermischen der intermetallischen Verbin- und Kupfer. Eine kräftige Dotierung erhält man,
düngen zu erreichen. Hierauf wird langsam auf 60 wenn man eines der Elemente Kupfer, Silber, Cad-Raumtemperatur
abgekühlt. mium oder Zink mit mindestens einem der Elemente Die Schmelze soll im übrigen gut geschüttelt wer- Aluminium, Gallium und/oder als Dotierungsmittel
den, um eine einheitliche feste Lösung zu erhalten. kombiniert. Die Dotierung mit dem meisten Elemen-Ein
Überschuß von Magnesium über die stöchiome- ten der Hauptgruppen V, VI und VII des Periodentrisch
nötige Menge ist nützlich, um übermäßige Ver- 65 systems der Elemente ergibt η-leitende Legierungen,
luste dieses Elements durch Verdampfen auszuglei- Beispiele für solche Elemente sind Phosphor, Arsen,
chen. Beim Abkühlen ist es möglich, in der üblichen Antimon, Wismut, Schwefel, Selen, Tellur, Chlor,
Weise Einkristalle zu züchten. Zur Erzielung bester Brom und Jod. Sie können entweder allein oder alsIn the second variant of the procedure, stretching is to be maintained,
next the intermetallic compounds by adding 2. A relatively linear temperature gradient should be maintained between the respective elements in the 25 along the longitudinal axis of the stoichiometric quantities corresponding to the crystal and on the container,
final melting (in order to bring about the necessary chemical reaction) made By observing the above two conditions (magnesium and silicon; magnesium and germagen, it is possible to produce single crystals with relatively nium; and magnesium and tin). 30 to produce few displacements and the possible. B. microscopic cracks and unequal Kriperatures, which about 50 ° C above the melting point stable growth, significantly reduce,
The intermetallic compounds in question can also be heated and kept at this temperature for about an hour using a powder-metallurgical process. So this is how the connections will deliver. The intermetallic tin-magnesium and germanium-magnesium bonds are first produced and processed into a fine powder by grinding the starting elements up to about. The material is then hot or cold 830 0 C or U 65 ° C to be heated. When pressed and sintered. The dopants are placed in the position of the germanium magnesium, a heating 40 can be added to the starting mixture,
As already stated above, the alloying should preferably be carried out up to about 1200 ° with corresponding impurities and up to. The production of silicon magnesium can be doped below an appropriate level, that is, the starting elements can be reached up to a temperature which must be higher than 1410 ° C. with the best possible thermoelectric performance. The doping with copper, silver, can be heated so that the complete melting of cadmium or zinc results in a p-type material, silicon is achieved. Thereafter, the temperature can be used as additional impurities for conductors of the p-type and for a sufficient period of time at this level. Lithium, sodium and / or are kept to bring the chemical reactions to 5 »potassium as a dopant result in an excess end. Vigorous shaking of the melt at acceptors or holes and consequently even and an excess of magnesium are, if precaution, an alloy of the p-type. It is also possible to measure which are useful for obtaining uniform compounds of lithium, sodium and / or Ka- (homogeneous) and stoichiometric compounds lium with the elements boron, silicon, germanium. 55 and / or tin to be used, with glue in turn following this, the p-type intermetallic alloys are obtained. For example, compounds are pulverized and mixed, and magnesium boride can be used for this. The sufficient time heated to 1125 ° C to make a fully preferred p-type dopant are silver constantly mixing the intermetallic compound and copper. A strong doping is obtained to achieve fertilization. It is then slowly cooled to 60 when one of the elements copper, silver, cad is cooled down to room temperature. mium or zinc with at least one of the elements The melt should also be shaken well aluminum, gallium and / or as a dopant in order to obtain a uniform solid solution. combined. Doping with most of the elements - an excess of magnesium over the stoichiome- tes of main groups V, VI and VII of the periodic table is useful to compensate for excessive loss of this element through evaporation - Examples of such elements are phosphorus, arsenic, chen. When cooling, it is possible to grow single crystals in the usual antimony, bismuth, sulfur, selenium, tellurium, chlorine, manner. To achieve the best bromine and iodine. You can either stand alone or as a
Verbindungen mit anderen Elementen, vorzugsweise mit Magnesium, verwendet werden. Beispielsweise können Magnesiumchlorid, Magnesiumbromid und Magnesiumjodid als Dotierungsmittel des η-Typs verwendet werden. Zur Erzielung besserer ErgebnisseCompounds with other elements, preferably with magnesium, can be used. For example For example, magnesium chloride, magnesium bromide and magnesium iodide can be used as η-type dopants will. To get better results
1010
können mehrere Dotierungselemente bzw. ] rungsverbindungen zur Anwendung gebracht wi Eine einfache technische Ausführungsformseveral doping elements or compounds can be used A simple technical embodiment
thermoelektrischen Energieumwandlers ist ii Zeichnung zu sehen.thermoelectric energy converter can be seen ii drawing.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings
Claims (2)
Form eines Einkristalls nach Anspruch 6 und/Menseizung according to claim 2 or 5, possibly in wherein
Shape of a single crystal according to claim 6 and /
richtungen zur unmittelbaren thermoelektrischenas material for the negative branch of Vor 5 λ = the thermal conductivity
directions to the immediate thermoelectric
eventuell in Form eines Einkristalls nach An- io Zur Herstellung von thermoelektrischen Vorrichspruch 6 und/oder dotiert nach einem der An- tungen sind bereits zahlreiche Stoffe entwickelt worsprüche 9 bis 14 und/oder hergestellt nach einem den. Im allgemeinen gehören sie zur Klasse der HaIbder Ansprüche 15 bis 21, als Werkstoff für den leiter. Sie sind entweder einfache metallische EIepositiven Schenkel von Vorrichtungen zur unmit- mente, wie Silicium und Germanium oder Legieruntelbaren thermoelektrischen Energieumwandlung. 15 gen oder intermetallische Verbindungen davon. Von24. The use of an alloy of the composition is thus governed by the second law of thermometallic composition according to one of claims 3 to 5, dynamics and the figure of merit
possibly in the form of a single crystal according to anio For the production of thermoelectric device 6 and / or doped according to one of the statements, numerous substances have already been developed according to claims 9 to 14 and / or manufactured according to one of the. In general, they belong to the class of half of claims 15 to 21, as a material for the conductor. They are either simple metallic egg-positive legs of devices for immediate use, such as silicon and germanium, or alloy-independent thermoelectric energy conversion. 15 gene or intermetallic compounds thereof. from
Stromrichtung) vom Metall geringerer Austrittsarbeit 40 Keiner dieser Stoffe besitzt jedoch einen Gütegrad zum Metall höherer Austrittsarbeit. Die beiden der Umwandlung der thermischen Energie in elek- »Schenkel« laden sich demgemäß unterschiedlich auf. trische Energie von mehr als 10 %>. Infolgedessen Werden diese Schenkel an ihrem freien Ende eben- kommt die Anwendung von Vorrichtungen zur therfalls verbunden, so fließt in den so gebildeten Ring moelektrischen Energieumwandlung für die Erzeukein Strom, da an den beiden Verbindungsstellen 45 g"ng größerer Mengen Elektrizität zur Zeit nicht in Ströme entgegengesetzter Richtung erzeugt werden, Frage. Neben einer zu niedrigen Gütezahl können die sich gegenseitig aufheben. Wird nun eine Verbin- diese Stoffe außerdem den Nachteil aufweisen, daß dungsstelle erwärmt, so wird an dieser Verbindungs- sie bei hohen Temperaturen nicht verwendet werden stelle der Elektronenübergang erleichtert, weshalb können, da sie einen zu niedrigen Schmelzpunkt in diesem Ring ein Strom fließt. Wird einer der 50 haben oder bei diesen Temperaturen eigenleitend Schenkel aufgeschnitten, so kann an den beiden werden.The methods that are used for the direct conversion of energy, 3129117, 3080441, 3075031, 3232719, 3460996, make use of various physical properties. They 3373061, 3321336, 3208835, 3224876, 3201235, are generally referred to as "immediate energy conversion" 3 279 955, 3 070 644, 2 995 613, 3 256 699, 3 249 469, conversion ". One of these methods is the, 3073 883, 3045057, 3021378, 2977400, 3261 721, which utilizes the thermoelectric properties of the 30 3364014, 3061 657, 3005861, 3018312, 3 110629 substances, namely the Seebeck and 3054842 and the following Books: AFJoffe, Peltier Effect. It is therefore referred to as "immediate" Semiconductor Thermocouples and Thermoelectric thermoelectric energy conversion ". Cooling ", Infosearch Limited, London, 1957; In its simplest form, a thermoelectronic system consists of two RR Heikes and RW Ure (Editors), »Thermotrischer Energieumwandler, basically two 35 electricity: Science and Engineering«, Interscience wires of different metals, which are combined in one connection. Publishers, New York - London, 1961; PH leveling parts (soldering point) are connected to one another. (Editor), "Thermoelectricity", John Wiley, New Due to the Different Electron Exit York, 1960; and GW Sutton, "Direct Energy Work An Electric Current Flows (Physical Conversion," McGraw-Hill, New York, 1966.
Current direction) from metal with lower work function 40 However, none of these substances has a quality grade for metal with higher work function. The two of the conversion of thermal energy into electrical "legs" are accordingly charged differently. tric energy of more than 10%>. As a result, if these legs are connected at their free end as well as the use of devices for otherwise, no current flows into the ring formed in this way for the generation of moelectric energy conversion, since at the two connection points 45 g " n g larger amounts of electricity are currently not in Currents in opposite directions are generated, question. In addition to a figure of merit that is too low, they can cancel each other out. If a connection now also has the disadvantage that the connection point is heated, then at this connection it is not used at high temperatures Electron transfer facilitates, which is why a current flows in this ring because it has a melting point that is too low.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CA101889 | 1971-01-04 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2165169A1 DE2165169A1 (en) | 1972-07-27 |
| DE2165169B2 true DE2165169B2 (en) | 1974-11-07 |
| DE2165169C3 DE2165169C3 (en) | 1975-07-10 |
Family
ID=4088384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2165169A Expired DE2165169C3 (en) | 1971-01-04 | 1971-12-28 | Alloy, manufacture thereof and use thereof for devices for direct thermoelectric energy conversion |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5535879B1 (en) |
| BE (1) | BE777592A (en) |
| CA (1) | CA914949A (en) |
| CH (1) | CH549295A (en) |
| DE (1) | DE2165169C3 (en) |
| FR (1) | FR2233854A5 (en) |
| GB (1) | GB1325790A (en) |
| NL (1) | NL7116411A (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3782927A (en) * | 1971-08-24 | 1974-01-01 | M Nicolaou | Material for direct thermoelectric energy conversion with a high figure of merit |
| GB2504127A (en) * | 2012-07-20 | 2014-01-22 | Tegma As | A method for monitoring the heat flux through walls of industrial reactors via thermoelectric device(s) |
| EP2770069A1 (en) * | 2013-02-20 | 2014-08-27 | University Of Cyprus | Quinary Mg2Si-based n-type thermoelectric materials, methods for their preparation and thermoelectric devices using such materials |
-
1971
- 1971-01-04 CA CA914949A patent/CA914949A/en not_active Expired
- 1971-11-15 GB GB5286671A patent/GB1325790A/en not_active Expired
- 1971-11-30 NL NL7116411A patent/NL7116411A/xx not_active Application Discontinuation
- 1971-12-28 DE DE2165169A patent/DE2165169C3/en not_active Expired
- 1971-12-30 JP JP382072A patent/JPS5535879B1/ja active Pending
- 1971-12-30 FR FR7147536A patent/FR2233854A5/fr not_active Expired
- 1971-12-31 BE BE777592A patent/BE777592A/en unknown
-
1972
- 1972-01-04 CH CH7872A patent/CH549295A/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA914949A (en) | 1972-11-21 |
| FR2233854A5 (en) | 1975-01-10 |
| NL7116411A (en) | 1972-07-06 |
| BE777592A (en) | 1972-04-17 |
| DE2165169C3 (en) | 1975-07-10 |
| DE2165169A1 (en) | 1972-07-27 |
| GB1325790A (en) | 1973-08-08 |
| CH549295A (en) | 1974-05-15 |
| JPS5535879B1 (en) | 1980-09-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE961913C (en) | Process for the production of electrically asymmetrically conductive systems with p-n junctions | |
| DE1295043B (en) | Thermocouple for converting thermal energy into electrical energy with a leg consisting of a germanium-silicon alloy over at least part of its length | |
| DE3301155A1 (en) | THERMOELECTRIC AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF | |
| DE102007014499A1 (en) | Thermoelectrically active p- or n- conductive semi-conductor material, useful in thermoelectrical generator and Peltier arrangement, comprises lead-tellurium-tin-antimony compound | |
| DE1444514A1 (en) | Process for making improved epitaxial films | |
| EP2250126A2 (en) | Doped tin tellurides for thermoelectric applications | |
| DE2251938C2 (en) | Solid solution alloy for thermoelectric energy conversion | |
| DE1054519B (en) | Thermocouple and process for its manufacture | |
| DE102017110313B4 (en) | Thermoelectric conversion devices | |
| DE1294677B (en) | Thermoelectric semiconductor material | |
| DE1295195B (en) | Thermoelectric semiconductor material | |
| DE2165169C3 (en) | Alloy, manufacture thereof and use thereof for devices for direct thermoelectric energy conversion | |
| DE960373C (en) | Semiconducting material | |
| DE1162486B (en) | Power semiconductor rectifier for use up to temperatures of around 1000 Ò C with a semiconductor body made of cubic boron phosphide | |
| DE1106968B (en) | Tellurium and selenium or selenium and sulfur-containing lead-based alloys are suitable as legs of thermocouples | |
| DE1162436B (en) | Thermoelectric arrangement | |
| DE112019006220T5 (en) | MANUFACTURING PROCESS FOR THERMOELECTRIC MATERIAL | |
| DE1200400B (en) | Thermoelectric arrangement | |
| DE1239480B (en) | Semiconductor material, method for its production and its use in, in particular, thermoelectric devices | |
| DE1161036B (en) | Process for the production of highly doped AB semiconductor compounds | |
| DE1414622B2 (en) | METHOD FOR MANUFACTURING MOELEMENT LEGS | |
| WO2005114756A2 (en) | Antimonides with novel combinations of properties | |
| DE1277967C2 (en) | Method for producing a semiconductor arrangement, in particular a thermoelectric semiconductor arrangement | |
| DE2123069C2 (en) | Thermoelectric generator | |
| DE10392993B4 (en) | Thermoelectric material containing nitrogen |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
| EGA | New person/name/address of the applicant | ||
| EHJ | Ceased/non-payment of the annual fee | ||
| BI | Miscellaneous see part 2 | ||
| 8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: NICOLAOU, MICHAEL C., DR., 70910 BRASILIA, BR |
|
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee | ||
| 8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: VON BEZOLD, D., DR.RER.NAT. SCHUETZ, P., DIPL.-ING. HEUSLER, W., DIPL.-ING., PAT.-ANW., 8000 MUENCHEN |
|
| 8370 | Indication related to discontinuation of the patent is to be deleted | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |