DE2156427A1 - Image storage panel for displaying an image of incident radiation - Google Patents
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Description
DiPL-ING. KLAUS NEUBECKERDiPL-ING. KLAUS NEUBECKER
Patentanwalt
Düsseldorf 1 · SchadowplatzPatent attorney
Düsseldorf 1 · Schadowplatz
Düsseldorf, 12. Nov. 1971Düsseldorf, November 12, 1971
.Westinghouse Electric Corporation
Pittsburgh, Pa., V. St. A. .Westinghouse Electric Corporation
Pittsburgh, Pa., V. St. A.
Abbildungs-Speichertafel für die Wiedergabe eines Bildes einfallender Strahlung Image storage panel for displaying an image of incident radiation
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Abbildungs-Speichertafeln für die Wiedergabe eines Bildes einfallender Strahlung, insbesondere auf Bildschirme, mit deren Hilfe Strahlung im Röntgenbereich in sichtbare Strahlung umgewandelt werden kann.The present invention relates to image storage panels for the reproduction of an image of incident radiation, in particular on screens, with the aid of which radiation in the X-ray range can be converted into visible radiation.
In den letzten 20 Jahren sind verschiedene Ausführungen von Festkörper-Verstärkern und -Wandlern entwickelt worden. Hauptziel der meisten dieser Ausführungen war es, einen Schirm zu erhalten, dessen Helligkeit größer als die Helligkeit des in Röntgengeräten vorgesehenen Leuchtschirms ist, um die Belichtung eines Patienten zu beschränken und das Studium durch den Arzt zu ermöglichen. Einige dieser Ausführungen arbeiteten mit Speicherung. Die Speicherzeit war jedoch kurz und dauerte normalerweise weniger als 1 Minute. In dieser kurzen Zeit verblaßte das Bild sehr stark. Die bekannt gewordenen Ausführungen lagen in einer großen Typenzahl vor und litten an einer Vielzahl von Nachteilen. Sowohl hinsichtlich Auflösung als auch Verstärkung, Empfindlichkeit und Kontrast unterlagen sie Beschränkungen. Ein Teil der bekannten Ausführungen war außerdem hinsichtlich seiner Konstruktion kritisch.In the past 20 years there have been various types of solid-state amplifiers and converters. The main aim of most of these designs was to obtain a screen, whose Brightness is greater than the brightness of the fluorescent screen provided in X-ray machines in order to illuminate a patient to restrict and enable the study by the doctor. Some of these designs worked with storage. The storage time however, it was short and usually lasted less than 1 minute. In that short time the picture faded very much. The known The designs that had become available were available in a large number of types and suffered from a large number of disadvantages. Both in terms of Resolution as well as gain, sensitivity and contrast were subject they restrictions. Some of the known designs were also critical in terms of their construction.
In der medizinischen und industriellen Röntgentechnik wird derzeit fotografischer Film eingesetzt, wenn ein hoher Kontrast und eineIn medical and industrial X-ray technology is currently photographic film used when a high contrast and one
Telefon (O211)Telephone (O211)
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11) 32O8 58 Telegramme11) 32O8 58 telegrams
Te CustopatTe Custopat
hohe Auflösung erforderlich sind. Die hohen Kosten, ferner die sich aus der erforderlichen Behandlung, insbesondere Entwicklung des Films ergebende Zeitverzögerung und sonstige umständliche Arbeitsweise stellen unerwünschte Merkmale der mit photographischen Hilfsmitteln arbeitenden Röntgentechnik dar. Eine allgemeine Untersuchung dieser Zusammenhänge findet sich in einem Aufsatz mit dem Titel "Solid State Image Intensifiers, Radiography Amplifiers, and Infrared Converters" von P. J. S. Zoltan, veröffentlicht in der Dezember-1969-Ausgabe der Zeitschrift "Electro-Technology".high resolution are required. The high costs, furthermore, that result from the necessary treatment, especially development The time lag of the film and other cumbersome working methods are undesirable features of the photographic X-ray technology working with aids. A general investigation of these relationships can be found in an article with entitled "Solid State Image Intensifiers, Radiography Amplifiers, and Infrared Converters "by P.J.S. Zoltan, published in the December 1969 issue of Electro-Technology.
Aufgabe vorliegender Erfindung ist es, durch Strahlung wie Röntgenstrahlen erzeugte Bilder ohne die Zuhilfenahme photographischer Mittel und ohne Aufrechterhaltung der Strahlung in besserer Qualität und über eine wesentlich längere Zeit als bisher betrachten zu können.The object of the present invention is to use radiation such as X-rays generated images without the aid of photographic ones Means and without maintaining the radiation in better quality and over a much longer time than before to consider can.
Zur Lösung dieser Aufgabe ist eine Abbildungs-Speichertafel für die Wiedergabe eines Bildes einfallender Strahlung erfindungsgemäß gekennzeichnet durch eine auf Strahlung ansprechende photoleitende Schicht aus mit Sauerstoff und Natrium dotiertem Zinkoxidmaterial, die durch Leitung in Abhängigkeit von der einfallenden Strahlung ein dieser Strahlung entsprechendes und auch nach Beendigung der Strahlung bestehen bleibendes Bild erzeugt, sowie durch eine elektrolumineszierende Schicht aus mit der photoleitenden Schicht gekoppeltem und auf Änderungen in der Leitfähigkeit der photoelektrischen Schicht ansprechendem Material zur Abbildung eines dem durch Leitung erzeugten Bild entsprechenden Bildes.To achieve this object, an image storage panel for reproducing an image of incident radiation is according to the invention characterized by a radiation-responsive photoconductive layer of zinc oxide material doped with oxygen and sodium, the conduction, depending on the incident radiation, corresponds to this radiation and also after the end of the Radiation persist permanent image, as well as generated by an electroluminescent Layer of coupled with the photoconductive layer and for changes in the conductivity of the photoelectric Layer of responsive material to form an image corresponding to the conduction image.
Ein zur Herstellung einer Abbildungs-Speichertafel nach der Erfindung besonders geeignetes Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß das photoleitende Zinkoxid-Speichermaterial durch Mischung fein gemahlenen Zinkoxids und Natriumsulfats sowie durch anschließendes Erhitzen des dabei gewonnenen Gemisches für etwa 2 Stunden in einer Sauerstoffatmosphäre bei einer Temperatur von 800° C 1200° C hergestellt wird.One for making an image storage panel according to the invention A particularly suitable method is characterized in that the photoconductive zinc oxide storage material is mixed finely ground zinc oxide and sodium sulfate as well as subsequent The mixture obtained is heated for about 2 hours in an oxygen atmosphere at a temperature of 800 ° C 1200 ° C.
Die Erfindung wird nachstehend anhand eines AusführungsbeispielsThe invention is explained below using an exemplary embodiment
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in Verbindung mit der zugehörigen Zeichnung erläutert. Die einzige Figur der Zeichnung zeigt schematisch einen Schnitt durch den Aufbau einer Abbildungs-Speichertafel nach der Erfindung.explained in connection with the accompanying drawing. The only Figure of the drawing shows schematically a section through the structure of an image storage panel according to the invention.
Im einzelnen ist in der Zeichnung eine allgemein mit 10 bezeichnete
Speichertafel wiedergegeben, die nach Art eines Rechtecks mit
einer Größe von 20 χ 25 cm ausgebildet sein kann. Diese Speichertafel
10 weist eine Grundplatte 12 aus einem geeigneten Material
auf, das für von einer elektrolumineszenten Schicht 14 erzeugte
Strahlung durchlässig ist. Ein geeignetes Material für die Grundplatte 12 stellt Glas oder ein entsprechender Kunststoff dar. Eine
aus Glas bestehende Grundplatte 12 kann eine Dicke von etwa 1,5 mm
haben. Eine Seite der Grundplatte 12 ist mit einer elektrisch leitenden
Schicht 16 versehen, die ebenfalls für von der elektrolumineszenten Schicht 14 abgegebene Strahlung durchlässig ist. Ein geeignetes
Material für die elektrisch leitende Schicht 16 ist Zinnoxid, das in einer Stärke von etwa 100 nm aufgedampft ist und
einen Widerstand von 100 0hm/cm^ hat. Längs gegenüberliegender
Kanten der elektrisch leitenden Schicht 16 verlaufen elektrisch
leitende Anschlußleisten 18, die aus einem geeigneten Material wie etwa Kupfer bestehen und über einen veränderlichen Widerstand 22
an eine Spannungsquelle 20 angeschlossen sind. Die Spannungsquelle 20 kann eine Wechselspannung von etwa 50 Volt abgeben, so daß die
elektrisch leitende Schicht von einem elektrischen Strom durchflossen wird, der den Speicherverstärker aufheizt. Die elektrolumineszente
Schicht 14 ist auf die elektrisch leitende Schicht 16 aufgebracht und weist ein elektrolumineszentes Pulver auf, das in ein
Kunststoffmaterial hoher Dielektrizität mit einem Gewichtsverhältnis von ungefähr 3 : 1 zwischen dem Leuchtstoff und dem dielektrischen
Material eingebettet ist. Die Stärke der leitenden Schicht
16 kann zwischen etwa 25 und 50 Mikrometer betragen. Das elektrolumineszente
Material der elektrisch leitenden Schicht 16 kann von einem geeigneten elektrolumineszenten Leuchtstoff wie mit Kupfer
und Chrom aktiviertem Zinksulfid gebildet sein, der in einen
Kunststoff hoher Dielektrizitätskonstante wie ein Gemisch aus
Cyano ae thy l-9tärke und Cyanoaethyl-Bohrzucker eingebettet ist.In detail, a memory board, generally designated 10, is shown in the drawing, which is in the manner of a rectangle with
a size of 20 χ 25 cm can be formed. This storage board 10 has a base plate 12 made of a suitable material
on, which is generated for by an electroluminescent layer 14
Radiation is permeable. A suitable material for the base plate 12 is glass or a corresponding plastic. A base plate 12 made of glass can have a thickness of approximately 1.5 mm. One side of the base plate 12 is provided with an electrically conductive layer 16, which is also transparent to radiation emitted by the electroluminescent layer 14. A suitable material for the electrically conductive layer 16 is tin oxide, which is vapor-deposited to a thickness of about 100 nm and
has a resistance of 100 ohm / cm ^. Longitudinally opposite
Edges of the electrically conductive layer 16 run electrically
conductive terminal blocks 18 made of a suitable material such as copper and via a variable resistor 22
are connected to a voltage source 20. The voltage source 20 can deliver an alternating voltage of about 50 volts, so that the
electrically conductive layer is traversed by an electric current that heats the storage amplifier. The electroluminescent layer 14 is applied to the electrically conductive layer 16 and has an electroluminescent powder that is in a
High dielectric plastic material with a weight ratio of approximately 3: 1 is embedded between the phosphor and the dielectric material. The thickness of the conductive layer
16 can be between about 25 and 50 micrometers. The electroluminescent material of the electrically conductive layer 16 can be made of a suitable electroluminescent phosphor such as copper
and chromium activated zinc sulfide be formed into one
High dielectric constant plastic like a mixture of
Cyano ae thy starch and cyanoaethyl drill sugar is embedded.
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Auf der elektrolumineszenten Schicht 14 ist eine photoleitende Schicht 23 angeordnet. Diese photoleitende Schicht 23 kann in folgender Weise hergestellt werden: 100 g sehr reines und sehr feines (weniger als 1 Mikron) Zinkoxidpulver wird mit 25 mg - Ig- optimale Menge 100 mg - Natriumsulfat (Na2SO4) von zur Reaktion geeigneter Qualität und zwischen 0 - 1 g - optimal 100 mg - Bleichlorid (PbCl2)-Pulver von zur Reaktion geeigneter Qualität gemischt. Dieses weniger als 2 Gew% Natriumsulfat und Bleichlorid enthaltende Gemisch wird in einer Luftatmosphäre von etwa 1000° C etwa 2 Stunden lang gebrannt, wobei die Temperatur zwischen 900 und 1200° C schwanken kann. Nach Kühlung wird das Pulver in einen Mischer mit deionisiertem Wasser gebracht und eine Minute lang bei hoher Geschwindigkeit mit dem deionisierten Wasser vermengt. Das so gewonnene Gemisch wird in einen geeigneten Behälter geschüttet, worauf sich das Pulver absetzt und das Wasser dekantiert werden kann. Dieser Vorgang kann wieder^holt werden, um das Pulver zu waschen. Das Pulver wird dann mit 2-Propanol gespült, zum Absetzen gebracht, dekantiert und 3 Minuten lang ultraschallgereinigt. Das erhaltene Pulver wird dann durch ein Filter mit einer Porengröße von 8-1 Mikrometer gefiltert und in einem Ofen mit Zwangsumluft etwa 30 Minuten lang getrocknet. Das Pulver kann dann durch ein 200-Mesh-Sieb geleitet werden.A photoconductive layer 23 is arranged on the electroluminescent layer 14. This photoconductive layer 23 can be in the following Ways to be made: 100 g of very pure and very fine (less than 1 micron) zinc oxide powder is optimal with 25 mg - Ig- Quantity 100 mg - Sodium Sulphate (Na2SO4) of suitable for the reaction Quality and mixed between 0 - 1 g - optimally 100 mg - lead chloride (PbCl2) powder of a quality suitable for the reaction. This Less than 2% by weight of sodium sulfate and lead chloride containing mixture is in an air atmosphere of about 1000 ° C for about 2 hours Fired for a long time, the temperature can fluctuate between 900 and 1200 ° C. After cooling, the powder is added to a mixer Brought deionized water and blended with the deionized water for one minute at high speed. The one won in this way Mixture is poured into a suitable container, whereupon the powder settles and the water can be decanted. This The process can be repeated to wash the powder. The powder is then rinsed with 2-propanol, allowed to settle, decanted and ultrasonically cleaned for 3 minutes. The powder obtained is then passed through a filter with a pore size of 8-1 Micrometer filtered and dried in a forced air oven for about 30 minutes. The powder can then pass through a 200-mesh sieve be directed.
Das entsprechend der vorstehenden Beschreibung erhaltene dotierte Zinkoxidpulver wird dann mit einem Kunststoff gemischt, und zwar 100 g sensibilisiertes Zinkoxidpulver mit 3-3Og Silikonharz DC 804 (vertrieben von Dow Corning), 25 g Amylalkohol sowie 2,5 g Diäthylcarbitol. Die Mischung erfolgt in einer Kugelmühle. Das dabei gewonnene Gemisch kann dann auf die elektrolumineszente Schicht 14 aufgebracht werden. Der Auftrag des Zinkoxid-Silikongemisches auf die elektrolumineszente Schicht 14 erfolgt in einer Stärke von etwa 200 - 400 Mikrometer. Das Auftragen der photoleitenden Schicht 23 selbst kann einfach mittels einer Klinge o. dgl. oder aber einer dünnen Beschichtungsmaschine erfolgen. Die so aufgetragene photoleitende Schicht 23 läßt man in einer horizontalen Lage trocknen. Die Schicht hat einen Widerstand von etwa 10^ Ohr·' cm.The doped zinc oxide powder obtained as described above is then mixed with a plastic 100 g sensitized zinc oxide powder with 3-30 g silicone resin DC 804 (sold by Dow Corning), 25 grams of amyl alcohol and 2.5 grams of diethyl carbitol. Mixing takes place in a ball mill. That The mixture obtained in this way can then be applied to the electroluminescent layer 14. The application of the zinc oxide-silicone mixture on the electroluminescent layer 14 takes place in a thickness of about 200-400 micrometers. Applying the photoconductive Layer 23 itself can be done simply by means of a blade or the like or else a thin coating machine. The so applied photoconductive layer 23 is allowed to dry in a horizontal position. The layer has a resistance of about 10 ^ ear · ' cm.
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Anschließend wird auf die photoleitende Schicht 23 eine elektrolumineszente Schicht 24 aufgedampft. Diese elektrolumineszente Schicht 24 ist gegenüber der einfallenden Strahlung durchlässig, wobei eine geeignete Schicht für Röntgenstrahlen Gold ist. Die Schicht absorbiert auch die Stör- oder Streustrahlung. Die Aufdampfung der elektrolumineszenten Schicht 24 erfolgt in einer Stärke von etwa 0,1-1 Mikrometer. Ihr Widerstand beträgt etwa 20 Ohm/cm^. Zwischen der elektrisch leitenden Schicht 16 und der elektrolumineszenten Schicht 24 liegt eine Spannungsquelle 26, die eine Spannung von etwa 200 - 400 V mit einer Frequenz von etwa 60 - lOOO Hz liefert.Subsequently, an electroluminescent layer is applied to the photoconductive layer 23 Layer 24 evaporated. This electroluminescent layer 24 is transparent to the incident radiation, a suitable layer for X-rays is gold. The layer also absorbs the interference or scattered radiation. The vapor deposition the electroluminescent layer 24 is about 0.1-1 micrometers thick. Your resistance is around 20 Ohms / cm ^. Between the electrically conductive layer 16 and the electroluminescent Layer 24 is a voltage source 26, which has a voltage of about 200-400 V with a frequency of about 60 - 100 Hz supplies.
Bei Betrieb der Speichertafel 10 (Speicherverstärker) nach der Erfindung wird das Röntgenbild auf die Speichertafel 10 gerichtet, wobei es die Schicht 24 durchdringt und die Leitfähigkeit der photoleitenden Schicht 23 entsprechend seiner eigenen Gestalt verändert. Während dieser Phase braucht weder die Spannungsquelle 20 noch die Spannungsquelle 26 an die Speichertafel 10 angeschlossen zu sein. Die photoleitende Schicht 23 ist in der Lage, über eine bestimmte Zeitdauer hinweg für eine Integration zu sorgen. Nach abgeschlossener Belichtung durch die Röntgenstrahlen verbleibt in der photoleitenden Schicht 23 ein der Einfallsstrahlung entsprechendes Bild verringerter Leitfähigkeit. Es kann dann die Spannungsquelle 26 angelegt werden, so daß infolge der zwischen der elektrolumineszenten Schicht 14 und der photoleitenden Schicht wirksamen Wechselspannung durch die Grundplatte 12 hindurch ein Bild beobachtet werden kann. Dieses Licht-Bild entspricht dem Leitfähigkeits-Bild der photoleitenden Schicht 23. Das Bild läßt sich auf diese Weise mehrere Minuten lang und sogar bis zu 100 Minuten beobachten, ohne daß eine nennenswerte Schwächung des Licht-Bildes eintritt. Ebenso ist es möglich, gewünschtenfalls die Erregung durch die Spannungsquelle 26 zu entfernen, das Leitfähigkeits-Bild in der photoleitenden Schicht 23 mehrere Tage lang festzuhalten und dann durch Anschluß der Spannungsquelle 26 das Bild wieder sichtbar zu machen. Vor der Wiederverwendung des Schirms kann das Lud durch Anlegen der Spannungsquelle 20 gelöscht werden, die einen elektrischen Strom durch die elektrisch leitende SchichtWhen operating the memory board 10 (memory amplifier) according to the invention the X-ray image is directed to the storage panel 10, where it penetrates the layer 24 and the conductivity of the photoconductive Layer 23 changed according to its own shape. During this phase, there is no need for the voltage source 20 nor the voltage source 26 to be connected to the memory board 10. The photoconductive layer 23 is able to have a to ensure integration over a certain period of time. After the exposure to the X-rays is complete, the remains in the photoconductive layer 23 has an image of reduced conductivity corresponding to the incident radiation. It can then be the voltage source 26 are applied so that as a result of between the electroluminescent layer 14 and the photoconductive layer effective alternating voltage through the base plate 12 an image can be observed. This light image corresponds to the conductivity image the photoconductive layer 23. The image can be left in this way for several minutes and even up to 100 minutes observe without any noticeable weakening of the light image. It is also possible, if desired, the arousal by the voltage source 26 to hold the conductivity image in the photoconductive layer 23 for several days and then by connecting the voltage source 26 to make the image visible again. Before reusing the screen can that Lud can be deleted by applying the voltage source 20, which an electric current through the electrically conductive layer
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fließen läßt, so daß die photoleitende Schicht 23 erhitzt und damit das Leitfähigkeits-Bild von dieser Schicht 23 entfernt wird. Nach diesem Löschvorgang ist die Speichertafel 10 wieder für den Einsatz in der oben beschriebenen Weise bereit. Das Bild kann ebenso gelöscht werden, indem einfach die gesamte Speichertafel in einem Ofen 5-10 Minuten lang bei einer Temperatur von 100° c erwärmt wird.can flow so that the photoconductive layer 23 is heated and thus the conductivity image is removed from this layer 23. After this erasing process, the memory board 10 is again for the Ready for use in the manner described above. The image can also be erased by simply inserting the entire memory panel in heated in an oven for 5-10 minutes at a temperature of 100 ° C will.
Ggf. kann die Speichertafel gegenüber anderen Strahlungen wie sichtbarem Licht durch Zusatz eines organischen sensibilisierenden Farbstoffes zu dem Zinkoxidpulver empfindlicher gemacht werden. Beispielsweise kann die Speichertafel durch Mischen des Zinkoxidpulvers mit Rhodamin - einem organischen Farbstoff - in einem Gewi chtsverhältnis von 1 - 2000 gegenüber dem sichtbaren Lichteinfall empfindlich gemacht werden.If necessary, the storage panel can be sensitized to other radiations such as visible light by adding an organic Dye can be made more sensitive to the zinc oxide powder. For example, the memory board can be made by mixing the zinc oxide powder with rhodamine - an organic dye - in a weight ratio A ratio of 1 - 2000 can be made sensitive to the incidence of visible light.
Das Material für die photoleitende Schicht 23 muß eine Trap-Dichte oberhalb des Fermi-Niveaus (flache Traps) von mehr als 101^ Traps pro cm3 in einem Energie ab schnitt kT für ein Energieband von mehreren Zehnteln eines eV haben. Das Material muß einen sehr niedrigen Einfangguerschnitt tiefer Traps (Rekombinationszentren) oder eine äußerst kurze Löcher-Lebensdauer, außerdem einen großen Bandabstand (zwischen dem Valenz- und dem Leitungsband) haben. Auf diese Weise liefern die verfügbaren Elektronen mehrere Minuten lang nach Beendigung ihrer Einstrahlung auf die Speichertafel einen langsam abfallenden photoleitenden Strom. Die photoleitende Schicht 23 hat nach einer langen Zeit im Dunkeln oder nach einem Löschvorgang einen sehr niedrigen Dunkelstrom. Ihre flachen Traps sind leer, und wegen des großen Abstandes zwischen dem Valenz- und dem Leitungsband (von mehr als 3 eV) werden keine Elektronen durch thermische Erregung von dem Valenzband zu dem Leitungsband gebracht. Durch Bestrahlung der photoleitenden Schicht dagegen gelangen Elektronen von dem Valenzband zu dem Leitungsband. Diese Elektronen füllen die flachen Traps auf. Die Elektronen in dem Leitungsband und in den flachen Traps stehen thermisch im Gleichgewicht. Sie ändern ihre Lage vielfach, ehe eine Rekombination eintritt (durch die positive Elektrode herausgezogene Elektronen werden durch denThe material for the photoconductive layer 23 must have a trap density above the Fermi level (flat traps) of more than 10 1 ^ traps per cm3 in an energy cut from kT for an energy band of several tenths of an eV. The material must have a very low capture cross-section of deep traps (recombination centers) or an extremely short hole life, and also a large band gap (between the valence and conduction bands). In this way, the available electrons supply a slowly decreasing photoconductive current for several minutes after they have stopped being irradiated on the storage panel. The photoconductive layer 23 has a very low dark current after a long time in the dark or after an erasure process. Their shallow traps are empty, and because of the large distance between the valence and conduction bands (more than 3 eV), no electrons are brought from the valence band to the conduction band by thermal excitation. In contrast, when the photoconductive layer is irradiated, electrons move from the valence band to the conduction band. These electrons fill up the shallow traps. The electrons in the conduction band and in the shallow traps are thermally in equilibrium. They change their position many times before recombination occurs (electrons drawn out by the positive electrode are released by the
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ohmschen Kontakt der anderen Elektrode aufgefüllt). Nach Beendigung der Erregung speist die große Zahl eingefangener Elektronen einen abnehmenden Stromfluß, bis die Traps wieder geleert sind.ohmic contact of the other electrode is filled). After completion With the excitation, the large number of trapped electrons feeds a decreasing flow of current until the traps are emptied again.
Der Speicherverstärker entsprechend der vorstehend beschriebenen Speichertafel 10 weist eine lange Speicherzeit auf, wobei die Helligkeit in 5 - 50 Minuten auf etwa ein Drittel ihres Maximalwerts abfällt. Der Speicherverstärker weist außerdem eine hohe Auflösung von etwa 6-10 Linienpaaren je mm auf. Ferner besitzt der Speicherverstärker nach der Erfindung eine hohe Kontrastempfindllchkeit sowie eine mittlere Empfindlichkeit für Röntgenstrahlen und eine sehr niedrige Empfindlichkeit gegenüber sichtbarem Licht. Die röntgenographische Qualität der Speichertafel ist 2-2T. (Das bedeutet, daß 2T Löcher eines 2 Prozent Penetrameters erfaßt werden können.) Diese Eigenschaften sind besonders wünschenswert, da entsprechende Speicherverstärker anstelle von Röntgenfilmen für zerstörungsfreie Rontgenuntersuchungen eingesetzt werden können und dabei den Vorteil mit sich bringen, daß eine unmittelbare Betrachtung ohne Filmbehandlung möglich ist. Außerdem kann der Speicherverstärker nach der Erfindung gelöscht und immer wieder von neuem benutzt werden.The memory amplifier according to the memory board 10 described above has a long storage time and the brightness drops to about a third of its maximum value in 5 - 50 minutes. The memory amplifier also has a high resolution of about 6-10 pairs of lines per mm. Furthermore, the memory amplifier has according to the invention a high contrast sensitivity as well as medium sensitivity to X-rays and very low sensitivity to visible light. the radiographic quality of the storage panel is 2-2T. (This means that 2T holes of 2 percent penetrometer are detected can.) These properties are particularly desirable as appropriate storage amplifiers instead of X-ray films for non-destructive X-ray examinations can be used and thereby bring the advantage that a direct observation is possible without film treatment. In addition, the memory amplifier according to the invention can be erased over and over again to be used.
Patentansprüche; Claims ;
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