DE1903563C

DE1903563C - Solid state imager

Info

Publication number: DE1903563C
Authority: DE
Inventors: Tadao Yokohama Nakamura Tadao Nakamura Shigeaki Kawasaki Kohashi, (Ja pan)
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Publication date: 1972-04-20

Description

I 903 563I 903 563

1 21 2

Die Erfindung bezieht sich auf einen Festkörper- Diese Aufgabe wird gemliß der Erfindung dadurchThe invention relates to a solid state. This object is thereby achieved according to the invention

Bildwandler mit einer aus zwei Schichten zusammen- gelöst, daß die photoleiteiide Schicht aus einer derImage converter with one of two layers dissolved together, that the photoconductive layer consists of one of the

geseuien phololeitenden Schicht und einer von ihr einfallenden Strahlung zugewandten ersten photo-geese photoconductive layer and a first photoconductive layer facing from it incident radiation

entsprechend der Intensität der einfallenden Strah- leitenden Schicht mit hoher Empfindlichkeit für diecorresponding to the intensity of the incident radiation-guiding layer with high sensitivity for the

lung gesteuerten elektrolumineszierenden Schicht, die 5 einfallende Strahlung und aus einer zweiten photo-treatment controlled electroluminescent layer, the 5 incident radiation and from a second photo-

zwischen zwei strahlungsdurchlässigen Elektroden an- leitenden Schicht mit hohem Dunkelwiderstand undbetween two radiation-permeable electrodes conductive layer with high dark resistance and

geordnet sind. hoher Durchschlagspannung zusammengesetzt ist.are ordered. high breakdown voltage is composed.

Nach dem a!l"emeinen Prinzip der Festkörper- Die Eingangsschicht besteht also aus zwei SchichtenAccording to the principle of solids - the input layer consists of two layers

Bildwandler bestehen diese aus übereinandergelegten von unterschiedlichem photoleitendem Verhalten.These image converters consist of superimposed photoconductive properties of different types.

Schichten, nämlich einer photoleitenden Schicht, einer io Während das erste dieser Schichtelemente eine hoheLayers, namely a photoconductive layer, an io While the first of these layer elements has a high

eine optische Rückkopplung verhindernden Schicht Empfindlichkeit aufweist, also schon bei mäßiger Ein-a layer that prevents optical feedback has sensitivity, i.e. even with moderate input

und einer elektrolumineszierenden Schicht, die zwi- strahlung eine verhältnismäßig hohe Leitfähigkeitand an electroluminescent layer, the intermediate radiation has a relatively high conductivity

sehen zwei strahlungsdurchlässige Elektroden einge- entwickelt, ist das zweite dieser Schichtelemente un-see two radiation-permeable electrodes developed, the second of these layer elements is un-

bracht sind. An den Stellen einfallender Strahlung ver- empfindlicher, es hat eine hohe Dunkelimpedanz undare brought. More sensitive at the points of incident radiation, it has a high dark impedance and

ringen sich derWiderstand der photoleitenden Schicht, 15 hohe Durchschlagspannung. Durch diese Kombi-wrestle the resistance of the photoconductive layer, 15 high breakdown voltage. Through this combination

würaufhin an dieser Stelle ein Strom fließt, der die nation wird die Betriebsweise des Bildwandlers ins-a current would then flow at this point, which the nation will determine the mode of operation of the image converter.

elektrolumineszierende Schicht zum Leuchten bringt. besondere im Bereich unsichtbarer kurzwelligermakes the electroluminescent layer glow. especially in the area of invisible short-wave

EssindderartigeBüi'wandlerbekanntideutschcAus- Strahlungen, die sichtbar gemacht werden sollen, er-These types of Büi'wandler are known to be German radiations that are to be made visible.

legeschrift 1 166 947, cJSA.-Patentschrift 3 339 075), heblich verbessert. Während sich bei geringer Strah-Legeschrift 1 166 947, cJSA.-Patent 3 339 075), significantly improved. While with low radiation

bei ihrer Konstruktion ist man jedoch vor die Wahl 20 lung nur eine schwache Aufhellung ergibt, da derin their construction, however, there is only a weak brightening in front of the choice 20 because the

gestellt, entweder einen empfindlichen Bildwandler hohe Dunkelwiderstand der zweiten Schicht nach wieposed, either a sensitive imager high dark resistance of the second layer according to how

zu schaffen, der dann freilich ein relativ kontrastarmes vor besteht und die erhöhte Stromleitfähigkeit imto create, which then of course has a relatively low contrast and the increased conductivity in the

Ausgangsbild mit allgemeinem Nebelschleier und wesentlichen durch eine bessere Verteilung derInitial image with a general haze of fog and essentially due to a better distribution of the

onne tiefe Schwärze ergibt, oder einen Bildwandler Stromdichte auf Grund der schon eingesetzt haben-onne results in deep blackness, or an image converter current density due to the already used

mit kräftigem, kontrastreichem Ausgangsbild zu »5 d_en Leitfähigkeit des ersten Schichtelements, alsowith vigorous, high contrast output image to "5 d _en conductivity of the first layer member, so

bai:en, der jedoch eine verhältnismäßig intensive Ein- praktisch durch eine Querschnittsvergrößerung imbai: en, which, however, has a relatively intensive input practically due to an increase in cross-section in the

gangsstrahlung erfordert. zweiten Schichtelement bewirkt wird, ergibt sich beiradiation required. second layer element is effected, results at

Es ist auch ein Bildwandler der eingangs genannten starker Einstrahlung sm kräftiges Aufleuchten desIt is also an image converter of the strong irradiation mentioned at the beginning sm strong illumination of the

Art bekannt (britische Patentschrift 1 025 320), mit elektrolumineszierenden Elements auf Grund derArt known (British patent 1 025 320), with electroluminescent element due to the

einer doppelten eingangsseitigen SchicM, die in ihrer 30 nunmehr zusammenbrechenden Impedanz der zweitena double input-side circuit, the now collapsing impedance of the second

der Einstrahlung zugewandten Teilschicht als Fluo- photoleitenden Schicht.the partial layer facing the irradiation as a fluorophotoconductive layer.

reszenzschicht ausgebildet ist, die der A· passung der Der Effekt der Vergrößerung des Leiterquerschnitts Strahlungsenergie an den Empfindlichkeitsbereich der bei niedriger Einstrahlung ergibt sich insbesondere, photoleitenden Schicht dient. Jedoch auch bei diesem wenn diejenige Elektrode, die an der Strahlungseinbekannten Bildwandler muß zwischen empfindlichem 35 gangsseite vorgesehen ist, eine durchbrochene Elek-Eingang oder kontrastreichem Ausgang gewählt trode ist. Die Vergrößerung des Widerstands in werden. Querrichtung wirkt sich also wie eine Flächenver-Diese Alternative ergibt sich aus folgendem: Um größerung einer solchen Elektrode aus. Durchein kontrastreiches Bild zu erzielen, bedarf es einer brochene Elektroden sind an sich bekannt (franzöphotoleitenden Schicht aus einem Material mit sehr 40 sische Patentschrift 1 481 876).
hohem Dunkelwiderstand und einer sehr hohen Vorzugsweise enthält die erste photoleitende Durchschlagspannung, so daß einerseits bei fehlender Schicht CdSe und/oder CdHgTe und enthält die oder sehr geringer Einstrahlung keins Erregung der zweite photoleitende Schicht CdS oder CdS-CdSe. elektrolumineszierenden Schicht stattfindet, anderer- Diese im Bildwandler an sich bekannten Materialien seits jedoch eine genügend hohe Spannung anlegbar 45 (USA.-Patentschrift 2 926 263) erfüllen die durch die ist, um an den Stellen einer kräftigen Einstrahlung Erfindung gestellten Anforderungen in besonders und somit eines stark verminderten Widerstands in günstiger Weise.The effect of enlarging the conductor cross-section of radiation energy to the sensitivity range of the photoconductive layer that results in the case of low irradiation is formed, in particular. However, even with this, if the electrode that must be provided on the known radiation image converter between the sensitive input side, a perforated electrical input or high-contrast output is selected. The increase in resistance in be. This alternative results from the following: To increase the size of such an electrode. A high-contrast image is required to achieve a high-contrast image. Broken electrodes are known per se (French photoconductive layer made of a material with very 40 sische patent specification 1 481 876).
high dark resistance and a very high preferably the first photoconductive breakdown voltage, so that on the one hand in the absence of a layer CdSe and / or CdHgTe and the or very little radiation contains no excitation of the second photoconductive layer CdS or CdS-CdSe. electroluminescent layer takes place, these materials are known per se in the image converter on the other hand, however, a sufficiently high voltage can be applied 45 (USA. Patent 2,926,263) meet is defined by the order provided at the points of a strong irradiation invention requirements in particular, and thus a greatly reduced resistance in a favorable manner.

der photoleitenden Schicht ein helles Leuchten der Weitere Einzelheiten, Vorteile und Merkmale derThe photoconductive layer gives a bright glow of the More details, advantages and features of the

elektrolumineszierenden Schicht zu erhalten. Um Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschrei-to obtain electroluminescent layer. To the invention emerge from the following description

solche Anforderungen zu erfüllen, können Cadmium- 50 bung. In der Zeichnung ist dargestelltTo meet such requirements, cadmium can exercise. In the drawing is shown

sulfid enthaltende Materialien als photoleitendes Fig. 1 ein schematischer Querschnitt durch einensulfide-containing materials as photoconductive Fig. 1 is a schematic cross section through a

Material verwendet werden. bekannten Festkörper-Bildwandler zur ErläuterungMaterial to be used. known solid-state image converter for explanation

Andererseits ist es beispielsweise bei Röntgen- des allgemeinen Prinzips undOn the other hand, it is for example in the case of X-ray the general principle and

schirmen oft erforderlich, auch bei niedriger Strah- Fig. 2 ein Querschnitt durch einen Festkörperlendosis ein schnelles und erkennbares Ansprechen 55 Bildwandler gemäß der Erfindung,
des Schirms zu erreichen. Für solche Anfordeiungen Gemäß Fig. 1 besteht ein herkömmlicher Festsind photoleitende Materialien wie CdS oder CdHgTe körper-Bildwandler aus einer Elektrode 1, die für ein bekannt. Diese Materialien haben jedoch einen ge- Bild L₁ mit einer Eingangsenergie, wie z. B. Licht« ringen Dunkelwiderstand und eine niedrige Durch- strahlen, Strahlungen od. dgl., durchlässig ist, einer Schlagspannung. Sie ergeben deshalb ein flaues Aus- 60 photoleitenden Schicht 2, einer lichtundurchlässigen gangsbild. Schicht 3, einer clektrolumineszierenden Schicht 4 Demgegenüber liegt der Erfindung die Aufgabe zu- zum Erzeugen eines Ausgangslichtbildes L₂ und einer gründe, einen Bildwandler zu schaffen, der auf einen durchsichtigen Tragplatte 6, die mit einer durchsichweiten Bereich der Eingangsstrahlungsstärke gleich- tigen Elektrode 5 überzogen ist, Eine Stromquelle 7 mäßig mit einem weiten Bereich der Ausgangslicht- 65 führt eine Betriebsspannung V zwischen den Elekstärkc reagiert, also auch schon bei geringerer Ein- troden 1 und 5 zu. Wie es bereits erläutert wurde, strahlung ein erkennbares Bild liefert, dabei jedoch kann diese bekannte Vorrichtung keine gute Ausinsgcsamt ein kontrastreiches Bild abgibt. garigsbildqualität erzeugen.shield is often necessary, even with a low beam.
of the screen. For such requirements, as shown in Fig. 1, a conventional solid are photoconductive materials such as CdS or CdHgTe body imagers from an electrode 1 known for a. However, these materials have an image L ₁ with an input energy, such as. B. light wrestle dark resistance and a low level of penetration, radiation or the like, is permeable, an impact voltage. They therefore result in a weak photoconductive layer 2, an opaque image. Layer 3, a clektroluminescent layer 4 In contrast, the object of the invention is to generate an output light _{image L 2} and one of the reasons is to create an image converter that is coated on a transparent support plate 6, which is coated with an electrode 5 that is equal to the input radiation intensity A current source 7 moderately reacts with a wide range of output light 65 leads an operating voltage V between the electrical strengths, that is to say even with lower inputs 1 and 5. As has already been explained, radiation delivers a recognizable image, but this known device cannot deliver a high-contrast image overall. produce garig picture quality.

Eine Ausfiihrungsform des Festkörper-Bildwand- widerstand/?, der Liiekeiuihschnitie der Schicht 21, lers gemäß der Erfindung besieht gemäß Fig. 2 aus die den Röntgenstrahlen L, ausgesetzt sind, infolge einer durchsichtigen Glasplatte 6, die mit einer durch- eines schnellen Ansprechens und einer hohen Empsichtigen Elektrode S überzogen ist, die beispielsweise (indlichkeit wirksam ab. Die Verringerung des Uueraus Zinnoxyd hergestellt ist, einer elektrolumineszie- 5 Widerstandes R, erhöht den wirksamen Bereich der renden Schicht 4 von etwa 50 Mikron Dicke auf der durchhrochenen Hlektrode 10 und damit den Leitdurchsichtigen Elektrode 5. wobei die elektrolumines- wert gegen die durchsichtige ebene Elektrode 5. Dazierende Schicht aus ZnS-Phosphor-Pulver berge- durch steigt der Verschiebungsstrom zwischen den stellt ist, das mit einem Bindemittel, wie z. B. Elektroden 10 und S. In Abhängigkeit von dem AnEpoxydharz, gebunden ist, einer lichtundurchlässigen io stieg des Verschiebungsstrames verändert sich der Schicht 3 von etwa 5 Mikron Dicke, die auf der elek- LichtausgangL.,derelektrolumineszierendenSchicht4. trolumineszierenden Schicht 4 vorgesehen ist und Wenn die Eingangsenergie L₁ weiter erhöht wird, durch Einmischen eines lirhtundiirchlässigen Pulvers, wird die durchbrochene Elektrode 10 tatsächlich eine wie z. B. Druckerschwärze, in ein Bindemittel, das durchgehende Elektrode, und gleichzeitig wird die dem in der elektrolumineszierenden Schicht verwen- 15 Intensität der Röntgenstrahlen, die durch die erste deten ähnlich ist, lichtundurchlässig gemacht worden photoleitende Schicht 21 hindurchgelangt sind, sehr ist, und einer zusammengesetzten photoleitenden groß. Infolgedessen wird auch die zweite photo-Schicht 20, die auf der lichtundurclilässigen Schicht 3 leitende Schicht 22 trotz ihrer geringen Empfindlichangeordnet ist und eine Schichtung darstellt, die aus keit gegen Röntgenstrahlen sehr empfindlich. Infolge einer ersten photoleitenden Schicht 21, die mit einer 20 der Erregung der zweiten photo!*-tenden Schicht 22 porösen Elektrode 10 versehen ist, und eine^r zweiten durch die übertragenen Röntgenstrahlen nimmt der photoleitenden Schicht 22 besteht. Eine Stromquelle 7 Widerstand R₁ der Schicht 22 in Richtung ihrer Dicke führt der porösen Elektrode 10 und der durchsich- ab. Da die Verringerung des Widerstandes R₁ im wetigen Elektrode 5 eine Betriebsspannung Vzu. Als Ein- sentlichen der Verringerung des Abstandes zwischen gangsbild L₁ wird ein Röntgenstrahlenbild verwendet. 25 den Elektroden 10 und 5 äquivalent ist, erhöht sichAn embodiment of the solid-state screen resistor / ?, the Liiekeiuihschnitie of the layer 21, according to the invention seen according to FIG a highly sensitive electrode S is coated, which, for example, is effective against. The reduction in Uuerfrom tin oxide, an electroluminescent resistance R , increases the effective area of the generating layer 4 of about 50 microns thick on the perforated electrode 10 and thus the conductive transparent electrode 5. where the electroluminescent value against the transparent flat electrode 5. The layer of ZnS phosphorus powder overcomes the displacement current between the two, which is made with a binding agent such as electrodes 10 and S Depending on the epoxy resin that is bound, an opaque io increased the displacement current ve the layer 3 of about 5 microns thick, which is located on the elec- light output L., the electroluminescent layer 4. troluminescent layer 4 is provided, and when the input energy L _{1 is} further increased by mixing in a non-conductive powder, the perforated electrode 10 is actually made such as e.g. B. printing ink, in a binder, the continuous electrode, and at the same time the intensity of the X-rays, which is similar to that used in the electroluminescent layer, which is made opaque by the first photoconductive layer 21, is very, and one composite photoconductive great. As a result, the second photo layer 20, which is arranged on the light-impermeable layer 3, which is conductive layer 22 in spite of its low sensitivity, is also a layer which is very sensitive to X-rays. Is provided Tenden porous layer 22 electrode 10, and a second ^r by the transmitted X-rays increases the photoconductive layer 22 consists - as a result of a first photoconductive layer 21 having a 20 of the excitation of the second photo *!. A current source 7 resistance R _{1 of} the layer 22 in the direction of its thickness leads the porous electrode 10 and the transparent. Since the decrease in resistance R ₁ in wet electrode 5, an operating voltage V increases. An X-ray image is used as the essential element of the reduction in the distance between the input image L _1. 25 is equivalent to electrodes 10 and 5 increases

Die erste photoleitende Schicht 21 ist eine Schicht der Verschiebungssirom zwischen den Elektroden 10The first photoconductive layer 21 is a layer of the displacement sirom between the electrodes 10

mit einer Dicke von etwa 50 bis 80 Mikron, die aus und 5 weiter, um ein intensiveres Ausgangslicht L., zuwith a thickness of about 50 to 80 microns, which from and 5 continues to produce a more intense output light L., too

einem Pulver aus photoleitendem Material hergestellt erzeugen.a powder made of photoconductive material.

ist, das einen niedrigen Dunkelwiderstand und eine Allgemein wird die Ansprechzeit eines photoleiniedrige Durchschlagspannung, aber eine schnelle 30 tenden Materials kürzer, wenn der durch eine Ein-Ansprechcharakteristik aufweist und einen großen gangsenergie verursachte Grad seiner Erregung steigt. Photostrom erzeugen kann, wie z. B. CdSe, CdHgTe Da die Änderung der Impedanz der zweiten photousw., das mit einem Bindemittel, wie z. B. Epoxyd- leitenden Schicht 22, die zur Lumineszenz der elekharz, gebunden ist. Die Schicht 21 ist mit einer durch- trolumineszierenden Schicht 4 beiträgt, wirksam ist, brochenen Elektrode versehen, wie z. B. einer Gitter- 35 wenn die Eingangsenergie L₁ hoch ist, wird ein Beelektrode, die beispielsweise aus Wolframfäden mit reich mit ausreichend schnellem Ansprechvermögen einem Durchmesser on etwa 10 bis 50 Mikron her- im wesentlichen der Betriebsbereich, selbst w„-nw eine gestellt ist, lie in Abständen von etwa 200 bis Schicht mit einer langen Ansprechzeit bei geringer 600 Mikron angeordnet sind, oder einer Netzelek- Intensität der Röntgenstrahlen L₁ als zweite phototrode mit etwa 12 bis 60 Maschen pro cm, die durch 40 leitende Schicht 22 verwendet wird. Somit arbeitet bei Verweben von Metallfaden hergestellt ist. Die zweite geringen Höhen der auftreffenden Energie L₁ die erste photoleitende Schicht 22 ist gegen das Röntgenstrahl- photoleitende Schicht 21 und bei großen Höhen der lenbild L₁ bis zu einem bestimmten Grad empfind- Eingangsenergie L₁ die zweite photcleitende Schicht lieh und weist eine Durchschlagspannung und einen 22. Infolgedessen hat die Vorrichtung tatsächlich ein Dunkelwidcrstand auf, die höher sind als diejenigen 45 schnelles Ansprechvermögen, eine hohe Durchschlagder ersten photoleitenden Schicht 21. Die .weite spannung und einen hohen Dunkelwiderstand, wophotoleitende Schicht 22 ist aus einem Pulver aus durch das Anlegen einer hohen Betriebsspannung erMaterial hergestellt, das beispielsweise CdS oder möglicht und ein sehr helles Bild mit hoher Empfind-CdS-CdSe (feste Lösung von CdS und CdSe) mit lichkeit, hohem Kontrast und breitem Helligkeitseinem Binder, wie z. B. Epoxydharz, enthält, und sie 50 bereich geschaffen wird.that is, that has a low dark resistance and, in general, the response time of a photo-low breakdown voltage but a fast 30 tend material becomes shorter as the degree of its excitation caused by an on-response characteristic and a large input power increases. Can generate photocurrent, such. B. CdSe, CdHgTe Since the change in the impedance of the second photousw. B. epoxy conductive layer 22, which is bonded to the luminescence of the electrolytic resin. The layer 21 is provided with a trans-luminescent layer 4 which is effective, broken electrode, such as, for example, B. a grid- 35 when the input _{energy L 1 is} high, a Beelectrode, which for example made of tungsten filaments with rich with sufficiently fast response with a diameter of about 10 to 50 microns - essentially the operating range, even if one is made is, lie at intervals of about 200 to layer with a long response time at less than 600 microns, or a Netzelek- intensity of X-rays L ₁ as a second phototrode with about 12 to 60 meshes per cm, which is used by 40 conductive layer 22 . Thus works when weaving metal thread is made. The second low level of the incident energy L ₁ the first photoconductive layer 22 is against the X-ray photoconductive layer 21 and at high levels of the lenbild L ₁ up to a certain level sensitive input energy L ₁ borrowed the second photoconductive layer and has a breakdown voltage and a 22. As a result, the device actually has a dark resistance higher than the 45 fast response, a high breakdown of the first photoconductive layer 21. The wide voltage and a high dark resistance, the photoconductive layer 22 is made of a powder by the application of a high operating voltage erMaterial produced, for example, CdS or possible and a very bright image with high sensitivity CdS-CdSe (solid solution of CdS and CdSe) with flexibility, high contrast and broad brightness of its binder, such as. B. epoxy, contains, and it is created 50 area.

ist dicker als die Schicht 21, beispielsweise etwa 200 Ir. dieser Ausfiihrungsform wird die erste photobis 400 Mikron dick. Die Dicke der Schichten 21 und leitende Schicht 21 vorwiegend bei ihrer Verände-22 kann in Abhängigkeit von dem Dunkelwidcrstand, rung im Querwiderstand A₁ verwendet. Zu diesem der Durchschlagspannung und dem Verhältnis der Zweck kann die durchbrochene Elektrode 10 so vorÄnderung des Widerstandes oder der Impedanz gegen 55 gesehen werden, daß ein Teil von ihr über der Oberdie Eingangsenergic oder der Empfindlichkeit jedes fläche der photoleitenden Schicht 21 freiliegt und der verwendeten photoleitenden Materials ausgewählt Rest darin eingebettet ist, wie es in Fig. 2 gezeigt werden. ist, daß die Elektrode 10 vollständig in der Schicht 21is thicker than layer 21, for example about 200 Ir. In this embodiment, the first photo is up to 400 microns thick. The thickness of the layers 21 and the conductive layer 21 mainly in their changes can be used depending on the dark resistance in the transverse resistance A ₁ . To this the breakdown voltage and the ratio of the purpose, the broken electrode 10 can be seen before changing the resistance or impedance to 55 that a portion of it is exposed above the input energy or sensitivity of each surface of the photoconductive layer 21 and the photoconductive material used selected remainder is embedded therein as shown in Fig. 2. is that the electrode 10 is completely in the layer 21

Durch das Vorhandensein der zweiten photoleiten- eingebettet ist, daß sie zwischen den ersten und den Schicht 22 mit hohem Dunkelwiderstand und 6° zweiten photoleitenden Schichten 21 und 22 angehoher Durchschlagspannung kann bei fehlender Ein- ordnet ist und daß sie auf der Außenfläche der ersten strahlung und entsprechend schwachem Ausgangs- photolcitenden Schicht 21 angeordnet ist.
licht L₂ eine sehr hohe Betriebsspannung an die Elck- Im obigen Fall kann die Änderung des Widertroden im Vergleich zu dem Fall angelegt werden, Standes der Schicht 21 in Richtung ihrer Dicke zuwo diese zweite photoleitende Schicht 22 nicht vor- 65 sätzlich verwendet werden. Statt hauptsächlich die handen ist. Änderung des Querwiderstandes der Schicht 21 zuThe presence of the second photoconductor means that it can be placed between the first and the layers 22 with high dark resistance and 6 ° second photoconductive layers 21 and 22 with a higher breakdown voltage in the absence of one and that it is on the outer surface of the first radiation and corresponding to a weak output photoconductive layer 21 is arranged.
light L ₂ a very high operating voltage to the Elck- In the above case, the change in resistance can be applied compared to the case where the layer 21 in the direction of its thickness where this second photoconductive layer 22 is not intentionally used. Instead of mainly handing it. Change in the transverse resistance of layer 21 to

Wenn Eingangsröhreustrahleti L₁ auf die erste verwenden, kann hauptsächlich die Änderung desWhen using the input tube emitted L ₁ on the first one can mainly change the

nhotoleitende Schicht 21 auftreffen, nimmt der Quer- Widerstandes in Richtung der Dicke verwendetWhen the photoconductive layer 21 hits, the transverse resistance decreases in the direction of the thickness used

werden, durch geeignetes Erhöhen der Dicke der Schicht 21 und durch Vorsehen einer die Eingangscnergie durchlassenden, durchgehenden Elektrode, beispielsweise einer aufgedampften dünnen Metallfilmclektrode oder einer durchsichtigen leitenden Filmelektrode auf der Oberfläche der Schicht.by appropriately increasing the thickness of the layer 21 and providing an input energy permeable, continuous electrode, for example a vapor-deposited thin metal film electrode or a transparent conductive film electrode on the surface of the layer.

Obwohl in der oben beschriebenen Ausfiihrungsform Röntgenstrahlen als Eingangsenergie L₁ verwendet werden, können auch Infrarotstrahlen als Eingangsenergie L₁ verwendet werden. In diesem Fall kann durch Verwendung eines infrarotleitenden Materials, das einen niedrigen Dunkelwiderstand und eine niedrige Durchschlagspannung aufweist und das in Festkörper-Bildwandlern nicht verwendet werden konnte, wie z. B. PbS, PbSe, CdHgTe usw., als erste energicempfindliche Schicht 21 und durch Verwendung von CdSe, das einen gewissen Grad an Empfindlichkeit gegen Infrarotlicht aufweist, als zweite energieempfindliche Schicht 22 ein Infrarotlichtbild in ein sichtbares Lichtbild umgewandelt werden. aoAlthough X-rays are used as input energy L ₁ in the embodiment described above, infrared rays can also be used as input _{energy L 1} . In this case, by using an infrared conductive material which has a low dark resistance and a low breakdown voltage and which could not be used in solid-state imagers such as e.g. B. PbS, PbSe, CdHgTe, etc., as the first energy-sensitive layer 21 and by using CdSe, which has a certain degree of sensitivity to infrared light, as the second energy-sensitive layer 22, an infrared light image can be converted into a visible light image. ao

In der obigen Beschreibung werden photoleitende Materialien als Materialien für die Schichten 21 und 22 verwendet. Da es jedoch für die Schichten 21 und 22 ausreicht, wenn sie eine Änderung im Widerstand oder in der Impedanz in Abhängigkeit von einer Ein- »s gangsenergie aufweisen, können auch piezoelektrische Materialien, magnetische Widerstandsmaterialien usw. als Materialien für die Schichten 21 und 22 verwendet werden. In diesen Fällen kann elastische Energie, elektromagnetische Energie usw. als Eingangsenergie L₁ verwendet werden. Obwohl ein elektrolumineszierendes Material als Material für die lumineszierende Schicht 4 in der obigen Ausführungsform verwendet wurde, können auch feste Lasermaterialien oder andere lumineszierende Materialien als Material für die lumineszierende Schicht 4 verwendet werden, da die Schicht 4 nur in ihrer Lumineszenz elektrisch gesteuert werden muß.In the above description, photoconductive materials are used as materials for the layers 21 and 22. However, since it is sufficient for layers 21 and 22 if they have a change in resistance or in impedance as a function of an input energy, piezoelectric materials, magnetic resistance materials, etc. can also be used as materials for layers 21 and 22 will. In these cases, elastic energy, electromagnetic energy, etc. can be used as the input energy L ₁ . Although an electroluminescent material was used as the material for the luminescent layer 4 in the above embodiment, solid laser materials or other luminescent materials can also be used as the material for the luminescent layer 4, since the layer 4 only needs to be electrically controlled in its luminescence.

Claims

Patent claims:

1. Solid-state imager with a photoconductive one composed of two layers Layer and one controlled by it according to the intensity of the incident radiation electroluminescent layer arranged between two radiation-permeable electrodes are, characterized in that the photoconductive layer (20) consists of a first photoconductive layer facing the incident radiation Layer (21) with high sensitivity to the incident radiation and from a second photoconductive layer (22) with high dark resistance and high breakdown voltage is composed.

2. Solid-state image converter according to claim 1, characterized in that that of the incident Radiation-facing electrode (10) is a perforated electrode.

3. Solid-state image converter according to claim 1, characterized in that the first photoconductive Layer (21) CdSe and / or CdHgTe and the second photoconductive layer (22) CdS or Contains CdS-CdSe.

1 sheet of drawings

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