DE2144656A1 - PROCEDURE AND ARRANGEMENT FOR CHANGING THE ELECTRICAL RESISTANCE - Google Patents
PROCEDURE AND ARRANGEMENT FOR CHANGING THE ELECTRICAL RESISTANCEInfo
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- H01C—RESISTORS
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Description
Verfahren und Anordnung zur Veränderung des elektrischen Widerstandes.Method and arrangement for changing the electrical resistance.
Die Erfindung betrifft ein Vorfahren zur Veränderung des Xennwertes von Widerständen, insbesondere zuni Feinabolelch von Dünnfilmwiderständen, sowie eine Anordnung zur DurchfUhrung des Verfahrens.The invention relates to a method for changing the nominal value of resistors, in particular to fine baffle of thin-film resistors, as well an order to carry out the procedure.
Dünnfilmwiderstände finden in der Meßtechnik, insbesondere bei gehnungsmeßstreiren Anwendung. Diese Dunnfilmwiderstände erfahren unter dem EinfluB einer aufgebrachten Dehnung eine Veränderung i}lres Widerstandes, die z.B. in einer BrUckenschaltung rnoßbar ist. Es ist damit möglich, eine Dehnung oder eine daraus ableitbar mechanische Größe, z,B. eine Kraft, elektrisch zu messen.Thin-film resistors are used in measurement technology, especially in the case of Gehnungsmeßstreiren Use. These thin film resistances experience under the influence of an applied Elongation is a change in resistance, e.g. in a bridge circuit is drinkable. It is thus possible to establish an expansion or a mechanical one that can be derived from it Size, e.g. a force to measure electrically.
Eine für den Brückenabgleich ausreichend genaue Fertigung der DUnnfilrwider9tSnde ist Jedoch äußerst schwierig. Es ist deshalb notwendig, den elektrischen Widerstand der Dttnnfilmwiderstände durch Nachbearbeitung so zu trimmen, daß die von ihnen gebildete BrüCke abgeglrehen ist.A sufficiently accurate production of the thin-film resistors for the bridge adjustment However, it is extremely difficult. It is therefore necessary to measure the electrical resistance trim the film resistors by post-processing so that those of them The bridge formed has been removed.
Es ist dazu bekannt, die Dünnfilnrderstände einem konzentrierten Laserstrahl auszusetzen, wodurch das Material, aus dem der DUnnfilmwiderstand gefertigt ist, punktweise thermisch verdampft und damit die Geometrie und die Widerstandskennwerte der DUnnfilmwiderstände verändert wird. Weiterhin ist das sogenannte Mikrosandstrahlverfahren bekannt, bei dem das Material, aus dem der Dünnfilmwiderstand hergestellt ist, mittels reinem Staub teilweise abgetragen wird. Auch dadurch wird der Widerstand des Dtlnnfilmwiderstandes verändert.It is known that the thin film resistors are exposed to a concentrated laser beam exposing the material from which the thin-film resistor is made Thermally evaporated point by point and with it the geometry and the resistance values the thin film resistors are changed. The so-called microsandblasting process is also used known in which the material from which the thin film resistor is made by means of pure dust is partially removed. This also increases the resistance of the thin film resistor changes.
Die beiden bekannten Verfahren haben den Nachteil, daß sie relativ ungenau sind. Die höchst erreichbare Genauigkeit bei den bekannten Verfahren beträgt + 0,1%. Das Bestrahlen des DUnnfilmwiderstandes mit Laserlicht hat außerdem den Nachteil, daß durch die örtlich starke Erhitzung und die damit verbundene örtliche Ausdehnung der DUnnfilmwidertand beschädigt werden kann. Bei dem Mikrosandstrahlverfahren wird die Oberfläche des DUnnfilmwiderstandes beschädigt, insbesondere wird die schUtzende Oxydschicht abgetragen, was £r die Stabilität des DUnn--filmwiderstandes nachteilige Folgen hat.The two known methods have the disadvantage that they are relatively are imprecise. The highest possible accuracy with the known methods is + 0.1%. Irradiating the thin film resistor with laser light also has that Disadvantage that due to the strong local heating and the associated local Expansion of the thin film resistor can be damaged. With the microsandblasting process the surface of the thin film resistor is damaged, especially the protective one Oxide layer removed, which is detrimental to the stability of the thin film resistance Has consequences.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verrahren zur Veränderung des Kennwerte von Widerständen zu schaffen, das diese Nachteile nicht aufweist, und das insbesondere eine höhere Genauigkeit besitzt. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Widerstände mit Ionen beschossen werden, die mit dem Widerstandsmaterial chemisch reagieren. Die Ionen dringen in das Schichtmaterial ein, geben dort ihre Ladung ab und verändern durch die nachfolgende chemische Reaktion die Leitfähigkeit des Widerstandes. Dieser Vorgang erfolgt gesondert fUr Jedes einzelne Ion und kann, wenn der Ionenstrom entsprechend klein gewählt wird, beliebig langsam eingestellt werden. Dadurch ist eine sehr hohe Genauigkeit erzielbar. Ein DUnnfilmwiderstand wird bei die sem Verfahren weder örtlich stark erhitzt, noßh makroskopisch beschädigt.The object of the invention is to provide a locking mechanism for changing the characteristic values of resistors that do not have these disadvantages, and in particular has a higher accuracy. According to the invention, this object is achieved by that the resistors are bombarded with ions, which with the resistance material react chemically. The ions penetrate the layer material and give theirs there Charge and change the conductivity as a result of the subsequent chemical reaction of resistance. This process takes place separately for each individual ion and can if the ion current is selected to be correspondingly small, it can be set as slowly as desired will. This enables a very high level of accuracy to be achieved. A thin film resistor is neither locally strongly heated nor damaged macroscopically during this procedure.
In Weiterbildung der Erfindung sind die Ionen, mit denen der Widerstand beschossen wird, Sauerstoffionen. Die Verwendung von Sauerstoffionen hat den Vorteil, daß damit das Widerstands/material nicht nur nicht beschädigt wird, sondern zusätzlich mit einer passivierenden, gegen chemische Angriffe der Atmosphäre schUtzenden Oxydschicht Uberzogen wird.In a further development of the invention are the ions with which the resistance is bombarded, oxygen ions. The use of oxygen ions has the advantage so that the resistance / material is not only not damaged, but additionally with a passivating oxide layer that protects against chemical attack from the atmosphere Is overdrawn.
Eind vorteilhafte Anordnung zur DurchfUhrung des Verfahrens besteht darin, daß die Kathode einer Oasentladungsröhre eine orrnung besitzt, hinter der der zu bearbeitende Widerstand angebracht ist. In Weiterbildung der Erfindung besteht die Kathode der Gasentladungsröhre aus Aluminium, das den Vorteil besitzt, im Sauerstoff keine Kathodenzerstäubung zu zeigen, wodurch Aufstäubung des Sathodenmaterials auf den zu bearbeitenden Widerstand vermieden wird.There is an advantageous arrangement for carrying out the method in the fact that the cathode of an oase discharge tube has an orrnung behind the the resistor to be processed is attached. There is a further development of the invention the cathode of the gas discharge tube made of aluminum, which has the advantage of being in oxygen no cathode sputtering to show, causing sputtering of the cathode material on the resistance to be processed is avoided.
Der Weg der Entladungselektronen kann durch geeignete elektrische oder magnetische Felder derart verlängert werden, daß der Ionenstrom verkleinert wird. Dadurch wird eine sehr genaue Bearbeitung des Widerstandes möglich.The path of the discharge electrons can be through suitable electrical or magnetic fields are lengthened in such a way that the ion current is reduced will. This enables very precise processing of the resistor.
Die Anordnung zur DurchfUhrung des erfindungsgemäßen Verfahrens nird anhand einer schematischen Figur näher erläutert.The arrangement for carrying out the method according to the invention is shown below explained in more detail using a schematic figure.
Die GasentladungsrMhre 1 enthält eine Anode 2 und eine aus Aluminium bestehende Kathode 3. Zwischen Anode 2 und Kathode 9 befindet sich ein Gas, vorzugsweise Sauerstoff mit einem Druck von ca. 0,1 Torr. Nach dem Anlegen einer Hochspannung zündet die Gasentladung. Die positiven Ionen werden zur Kathode 9 hin, die eine oeffnung 4 besitzt, beschleunigt. Duroh diese rRnung 4 treten die positiven Gas ionen aus dem Raum zwischen den beiden Elektroden 2, 3 aus und trerfen auf den dahinter angeordneten DUnnfilmwiderstand 5, der auf dem Trager 6 befestigt ist. Der DUnnfilmwiderstand wird zweckmäßigerweise annähernd auf Kathode potential gelegt. Außerdem ist er an eine Meßeinrichtung 7 angeschlossen, mittels der der Widerstand des DUnnfilmwiderstandes bestimmt werden kann. Durch geeignete, nicht dargestellte Regeleinrichtungen, die insbesondere die den Elektronenweg verlängernden elektrischen und magnetischen Felder als Steuergröße benutzen, und die Meßeinrichtung 7 ist es möglich, den Ionenstrahl zu regeln und damit die Bearbeitung der DUnnfilmwiderstände weitgehend tu automatisieren.The gas discharge tube 1 includes an anode 2 and one made of aluminum existing cathode 3. Between anode 2 and cathode 9 there is a gas, preferably Oxygen at a pressure of about 0.1 torr. After applying a high voltage ignites the gas discharge. The positive ions are towards the cathode 9, the one has opening 4, accelerates. Through this step 4 the positive gas occurs ions from the space between the two electrodes 2, 3 and impinge on the one behind arranged thin film resistor 5, which is attached to the carrier 6. The thin film resistor is expediently placed approximately on cathode potential. Besides, he's on a measuring device 7 is connected, by means of which the resistance of the thin film resistor can be determined. By suitable, not shown control devices that especially the electric and magnetic fields that lengthen the electron path Use as a control variable, and the measuring device 7, it is possible to use the ion beam to regulate and thus to a large extent automate the processing of the thin film resistors.
Claims (7)
Priority Applications (1)
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| DE19712144656 DE2144656A1 (en) | 1971-09-07 | 1971-09-07 | PROCEDURE AND ARRANGEMENT FOR CHANGING THE ELECTRICAL RESISTANCE |
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| DE2144656A1 true DE2144656A1 (en) | 1973-03-15 |
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ID=5818848
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Country Status (1)
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| DE (1) | DE2144656A1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0070809A2 (en) * | 1981-07-20 | 1983-01-26 | SELENIA INDUSTRIE ELETTRONICHE ASSOCIATE S.p.A. | Adjustment to desired value (trimming) on thin film resistors by ion sputtering |
-
1971
- 1971-09-07 DE DE19712144656 patent/DE2144656A1/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP0070809A2 (en) * | 1981-07-20 | 1983-01-26 | SELENIA INDUSTRIE ELETTRONICHE ASSOCIATE S.p.A. | Adjustment to desired value (trimming) on thin film resistors by ion sputtering |
| EP0070809A3 (en) * | 1981-07-20 | 1983-07-13 | SELENIA INDUSTRIE ELETTRONICHE ASSOCIATE S.p.A. | Adjustment to desired value (trimming) on thin film resistors by ion sputtering |
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