DE2134266A1

DE2134266A1 - SEMICONDUCTOR COMPONENT

Info

Publication number: DE2134266A1
Application number: DE19712134266
Authority: DE
Inventors: Karl-Heinz Krieg; Guenter Dipl Phys Dr Matthaei
Original assignee: Robert Bosch GmbH
Current assignee: Robert Bosch GmbH
Priority date: 1971-07-09
Filing date: 1971-07-09
Publication date: 1973-01-25

Description

Halbleiterbauelement Die Erfindung betrifft ein zwei plättchenförmige Halbleiterkörper mit jeweils mindestens zwei Anschlußkontakten enthaltendes Halbleiterbauelement, bei welchem der'erste Halbleiterkörper mit einem eine ganze Oberflächenseite einnehmenden, ersten Anschlußkontakt auf eine gleichzeitig als Elektrodenanschluß dienende Sockelplatte aufgelötet ist und bei welchem der zweite Halbleiterkörper mit einem eine ganze Oberflächenseite einnehmenden, ersten Anschlußkontakt auf einen oberhalb der Sockelplatte angeordneten, als Blechfahne ausgebildeten Träger aufgelötet ist, bei welchem ferner der Träger mit einem Durchzug versehen ist, mit welchem er über einen die Sockelplatte isoliert durchdringenden, ersten Anschlußstift geschoben und mit diesem verlötet ist, bei welchem der auf die' Sokkelplatte aufgelötete Halbleiterkörper an seiner der Sockelplatte abgekehrten Oberseite einen zweiten Anschlußkontakt hat, der mit einem nach unten abgebogenen, als Eontaktspitze ausgebildeten Teil des Trägers verlötet ist, und bei welchem der auf den Träger aufgelötete'Halbleiterkörper an seiner dem Träger abgekehrten Oberseite einen zweiten Anschlußkontakt hat, der mit einem die Sockelplatte isoliert durchdringenden, zweiten Anschlußstift elektrisch leitend verbunden ist. Semiconductor component The invention relates to a two platelet-shaped Semiconductor body with semiconductor component each containing at least two connection contacts, in which the first semiconductor body with a whole surface side occupying, first connection contact on a base plate which also serves as an electrode connection is soldered and in which the second semiconductor body with a whole Surface side occupying, first connection contact on one above the base plate arranged, designed as a sheet metal flag carrier is soldered, in which further the carrier is provided with a passage with which it is connected to the base plate insulated penetrating, first pin pushed and with this is soldered, in which case the semiconductor body soldered onto the base plate has a second connection contact on its upper side facing away from the base plate, that with a downwardly bent part of the carrier designed as an Eontaktspitze is soldered, and at which the semiconductor body soldered onto the carrier its top facing away from the wearer has a second terminal contact with a second connection pin penetrating the base plate in an insulated manner is conductively connected.

Es ist bereits ein Halbleiterbauelement dieser Art bekannt.A semiconductor component of this type is already known.

Bei diesem Halbleiterbauelement wird die elektrisch leitende Verbindung zwischen dem zweiten Anschlußstift und dem zweiten Anschlußkontaktdes auf den Träger aufgelöteten Halbleiterkörpers durch einen Anschlußdraht gebildet, der mit einem wendelförmig ausgebildeten Endabschnitt über den zweiten Anschlußkontakt des auf den Träger aufgelöteten Halbleiterkörpers verlötet ist. Die Montage dieses Halbleiterbauelements vor dem Zusammenlöten ist ziemlich aufwendig, da der Anschlußdraht hierbei mit seinem geradlinig ausgebildeten Endabschnitt genau auf den flächenmäßig sehr eng begrenzten oberen Anschlßkontakt des zweiten Halbleiterkörpers treffen muß. Außerdem muß die nach unten weisende Kontaktspitæe des Trägers genau auf den oberen Anschlußkontakt des ersten Halbleiterkörpers \treffen.In this semiconductor component, the electrically conductive connection between the second connection pin and the second connection contact on the carrier soldered semiconductor body formed by a connecting wire, which with a helically formed end section on the second terminal contact of the the carrier soldered-on semiconductor body is soldered. The assembly of this semiconductor component before soldering together is quite expensive, since the connecting wire here with his rectilinear end section exactly on the very narrowly limited area must meet the upper connection contact of the second semiconductor body. In addition, the downward facing Kontaktspitæe of the carrier exactly on the upper connection contact of the first semiconductor body \.

Deshalb sind für die Montage eine Reihe von Schablonenplatten mit genau aufeinander abgestimmten Aussparungen erforderlich.Therefore, a number of template plates are included for assembly Precisely matched recesses are required.

Außerdem benotigt-man eine geschickte Hilfskraft zum Einlegen des Anschlußdrahtes.You also need a skilled assistant to insert the Connecting wire.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei einem Halbleiterbauelement der eingangs genannten Art diese Nachteile zu beseitigen.The invention is based on the object of a semiconductor component of the type mentioned to eliminate these disadvantages.

Erfindungsgemäß ist diese Aufgabe dadurch gelöst, daß die elektrisch leitende Verbindung zwischen dem zweiten Anschlußstift und dem zweiten Anschlußkontakt des auf den Träger aufgelöteten Halbleiterkörpers durch einen einarmigen Eontaktbügel gebildet ist, dessen federnder Kontaktarm oberhalb der Sockelplatte im gleichen Abstand wie der Träger angeordnet ist und welcher einen Durchzugaufweist, mit dem er über den zweiten Anschlußstift geschoben und mit diesem verlötet ist, wobei der federnde Kontaktarm an seinem äußeren Ende in einen nach oben abgebogenen Lappen ausläuft, der an seinem äußeren Ende eine nach unten weisende Kontaktspitze aufweist, die mit dem zweiten Anschlußkontakt des auf den Träger aufgelöteten Halbleiterkörpers verlötet ist.According to the invention this object is achieved in that the electrically conductive connection between the second connection pin and the second connection contact of the semiconductor body soldered onto the carrier by a one-armed contact clip is formed, the resilient contact arm above the base plate in the same Distance how the carrier is arranged and which has a passage with which it is pushed over the second pin and soldered to it, the resilient contact arm at its outer end in an upwardly bent tab runs out, which has a downward-pointing contact tip at its outer end, those with the second connection contact of the semiconductor body soldered onto the carrier is soldered.

Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements der beschriebenen Art, bei welchem auf eine bereits mit den Anschlußstiften versehene Sokkelpiatte eine mit einem Ausschnitt für den ersten Halbleiterkörper versehene Montageschablone aufgelegt wird und bei welchem dann in diesen Ausschnitt der auf die Sockelplatte aufzulötende, mindestens an einem oberen Anschlußkontakt mit Lot vorbelegte Halbleiterkörper - gegebenenfalls nach vorherigem Einlegen eines Lotplättchens - eingelegt wird. Dieses Verfahren ist gemäß der Erfindung dadurch gekennzeichnet, daß anschließend auf die Anschlußstifte ein vorgefertigtes Leiterblech mit eingeklemmtem zweitem Halblei terkörper aufgeschoben wird, wobei der zweite Halbleiterkörper in gleicher Weise wie der erste Halbleiterkörper mit Lot vorbelegt ist und wobei gegebenenfalls unter ihn ein Lotplättchen gelegt ist, wobei ferner das vorgefertigte Leiterblech sowohl den Träger als auch den einarmigen Kontaktbügel bereits in ihrer jeweiligen endgültigen Form enthält, wobei jedoch der Träger und der einarmige Kontaktbügel über einen noch zu entfernenden Verbindungssteg, der zusammen mit dem Träger und dem einarmigen Kontaktbügel das Leiterblech bildet, zusammenhängen, daß dann auf die Anschlußstifte je ein Lotring aufgeschoben wird, daß das so montierte Gebilde im Lötofen erhitzt wird, daß dann die als Wegwerfschablone ausgebildete Montageschablone auf geschnitten und entfernt wird und daß schließlich das Leiterblech durch Ausschneiden des Verbindungssteges aufgetrennt wird.The invention also relates to a method for producing a Semiconductor component of the type described, in which on an already with the A base plate with connecting pins and a cutout for the first one Semiconductor body provided mounting template is placed and in which then in this cutout to be soldered onto the base plate, at least on one upper connection contact with solder pre-loaded semiconductor body - if necessary after prior insertion of a solder plate - is inserted. This procedure is in accordance with of the invention characterized in that then on the connecting pins Prefabricated conductor plate with a clamped-in second semiconductor body pushed on is, wherein the second semiconductor body in the same way as the first semiconductor body is preallocated with solder and where appropriate placed under him a solder plate is, furthermore, the prefabricated conductor plate both the carrier and the one-armed Contains contact bracket already in their respective final form, however the carrier and the one-armed contact bracket via a connecting web that has yet to be removed, the together with the carrier and the one-armed contact bracket forms the conductor plate, related that a solder ring is then pushed onto each of the connecting pins, that the structure assembled in this way is heated in the soldering furnace, that then as a disposable template trained mounting template is cut and removed and that finally the conductor plate is separated by cutting out the connecting web.

Anhand der Zeichnung soll die Erfindung näher erläutert werden.The invention is to be explained in more detail with the aid of the drawing.

Es zeigen: Fig. 1 ein Halbleiterbauelement gemäß der Erfindung, bei welchem jeder der beiden Halbleiterkörper an seiner Oberseite zwei Anschlußkontakte hat, in perspektivischer Darstellung mit teilweise aufgeschnittener Deckkappe, Fig. 2 das elektrische Schaltbild des Halbleiterbauelements nach Fig. 1, Fig. 3 das in Herstellung begriffene, aus einem ebenen Blechstreifen ausgestanzte und noch nicht weiter verformte Leiterblech (Platine), Fig. 4 das Leiterblech nach Fig. 3 in weiter fortgeschrittenem Zustand seiner Bearbeitung, perspektivisch, Fig. 5 eine schematische Darstellung des ersten Halbleiterkörpers im Schnitt durch seine beiden oberen Anschlußkontakte, Fig. 6 das Leiterblech nach Fig. 4 mit aufgelegtem und eingeklemmtem zweitem Halbleiterkörper, Fig. 7 eine schematische Darstellung des zweiten Halbleiterkörpers im Schnitt durch seine beiden oberen Anschlußkontakte, Fig. 8 ein Explosionsdiagramm der für den Lötprozeß durch Montage zusammengefügten Teile.1 shows a semiconductor component according to the invention, at which each of the two semiconductor bodies has two connection contacts on its upper side has, in a perspective view with a partially cut-open top cap, Fig. 2 shows the electrical circuit diagram of the semiconductor component according to FIG. 1, FIG. 3 shows the in Production conceived, punched out of a flat sheet metal strip and not yet further deformed conductor plate (circuit board), FIG. 4 the conductor plate according to FIG. 3 in further advanced state of its processing, in perspective, FIG. 5 a schematic Representation of the first semiconductor body in section through its two upper connection contacts, FIG. 6 shows the conductor plate according to FIG. 4 with the second semiconductor body placed on top and clamped in, Fig. 7 shows a schematic illustration of the second semiconductor body in section through its two upper connection contacts, Fig. 8 is an exploded diagram for the soldering process parts assembled by assembly.

Das in Fig. 1 dargestellte Halbleiterbauelement enthält zwei plättchenförmige Halbleiterkörper 10, 11.The semiconductor component shown in Fig. 1 contains two plate-shaped Semiconductor body 10, 11.

Der Halbleiterkörper 10 trägt an seiner Unterseite einen ersten Anschlußkontakt, der sich über diese ganze Unterseite erstreckt. Mit diesem Anschlußkontakt ist der Halbleiterkörper 10 auf eine Sockelplatte 12 aufgelötet, welche einen Teil des Gehäuses des Halbleiterbauelements bildet und gleichzeitig als Elektrodenanschluß für den Halbleiterkörper 10 dient. Der andere Teil des Gehäuses des Halbleiterbauelements ist durch eine in Fig. 1 nur teilweise dargestellte Deckkappe 13 gebildet, die auf die Sockelplatte 12 aufgeschweißt ist.The semiconductor body 10 has a first connection contact on its underside, which extends over this entire underside. With this connection contact is the Semiconductor body 10 is soldered onto a base plate 12, which is part of the housing of the semiconductor component forms and at the same time as an electrode terminal for the Semiconductor body 10 is used. The other part of the housing of the semiconductor component is formed by a cover cap 13, only partially shown in Fig. 1, which on the base plate 12 is welded on.

Der zweite Halbleiterkörper 11 trägt an seiner Unterseite ebenfalls einen ersten Anschlußkontakt, der sich über diese ganze Unterseite erstreckt. Mit diesem Anschlußkontakt ist der Halbleiterkörper 11 auf einen oberhalb der Sockelplatte 12 angeordneten, als Blechfahne ausgebildeten Träger 14 auf gelötet. Der Träger 14 ist mit einem Durchzug D1 versehen. Mit diesem Durchzug ist der Träger 14 über einen ersten Anschlußstift s; geschoben und mit diesem verlötet. Der Anschlußstift S1 ist mittels einer Glaseinschmelzung G, isoliert durch die Sockelplatte 12 hindurchgeführt.The second semiconductor body 11 also carries on its underside a first connection contact which extends over this entire underside. With This connection contact is the semiconductor body 11 on one above the base plate 12 arranged, designed as a sheet metal flag carrier 14 soldered on. The carrier 14 is provided with a passage D1. With this passage, the carrier 14 is over a first pin s; pushed and soldered to this. The connector pin S1 is passed through the base plate 12 in an insulated manner by means of a glass seal G.

Der Halbleiterkörper 10 hat außer seinem an der Unterseite liegenden ersten Anschlußkontakt noch einen zweiten Anschlußkontakt 15 (Fig. 5), der an der Oberseite angeordnet und'mit einem nach unten abgebogenen, als Kontaktspitze 16 ausgebildeten Teil des Trägers 14 mittels einer Lotschicht 15' verlötet ist.The semiconductor body 10 has in addition to its lying on the underside first connection contact still a second connection contact 15 (Fig. 5), which is arranged on the top and 'with a downwardly bent, as a contact tip 16 formed part of the carrier 14 is soldered by means of a solder layer 15 '.

Der Halbleiterkörper 11 hat einen zweiten Anschlußkontakt 17 (Fig. 7), der an dessen Oberseite angeordnet und mit einem zweiten Anschlußstift S2 (Fig. 1) elektrisch leitend verbunden ist, der mittels einer Glaseinschmelzung G2 isoliert durch die Sockelplatte 12 hindurchgeführt ist. Diese elektrisch leitende Verbindung ist. durch einen einarmigen Kontaktbügel 18 gebildet, der einerseits mit einem Durchzug D2 versehen ist, mit dem er über den zweiten Anschlußstift S2 geschoben und mit diesen verlötet ist, und der andererseits einen federnden Kontaktarm 18a hat, der an seinem freien Ende in einen nach oben abgebogenen Lappen 18b ausläuft, der an seinem äußeren Ende eine nach unten weisende Kontaktspitze 18c hat, die mit dem zweiten Anschlußkontakt 17 des Ealbleiterkörpers 11 mittels einer Lotschicht 17' verlötet ist. Der federnde Kontaktarm 18a ist dabei oberhalb der Sockelplatte 12 im gleichen Abstand wie der Träger 14 angeordnet.The semiconductor body 11 has a second connection contact 17 (Fig. 7), which is arranged on its top and connected to a second pin S2 (Fig. 1) is connected in an electrically conductive manner, which insulates by means of a glass seal G2 is passed through the base plate 12. This electrically conductive connection is. formed by a one-armed contact bracket 18, the one hand with a passage D2 is provided with which it is pushed over the second pin S2 and with this is soldered, and the other hand has a resilient contact arm 18a, the runs out at its free end in an upwardly bent tab 18b, which at its outer end has a downwardly facing contact tip 18c, which with the second connection contact 17 of the conductor body 11 by means of a solder layer 17 ' is soldered. The resilient contact arm 18a is above the base plate 12 arranged at the same distance as the carrier 14.

Der Halbleiterkörper 10 hat noch einen dritten Anschlußkontakt 19 (Fig. 5), der neben dem zweiten nnschlußkontakt 15 an der Oberseite angeordnet ist. Auch der Halbleiterkörper 11 hat einen dritten, an seiner Oberseite sitzenden Anschlußkontakt 20 (Fig. 7). Jeder der beiden dritten Anschlußkontakte 19 und 20 ist mit einem gemeinsamen dritten Anschlußstift , welcher mittels einer Glaseinschmelzung G3 isoliert durch die Sockelplatte 12 hindurchgeführt ist, elektrisch leitend verbunden. Hierzu dient ein zweiarmiger Kontaktbügel 21, dessen federnde Kontaktarme 21a, 21b oberhalb der Sockelplatte 12 im gleichen Abstand wie der Träger 14 angeordnet sind. Der Eontaktbügel 21 ist mit einem Durchzug D3 versehen, mit dem er über den dritten Anschlußstift 53 geschoben und mit diesem verlötet ist. Der Kontaktarm 21a hat an seinem äußeren Ende eine nach unten weisende Kontakt spitze 21c, die mit dem dritten Anschlußkontakt 19 des Halbleiterkörpers 10 mittels einer Lotschicht 19' verlötet ist.The semiconductor body 10 also has a third connection contact 19 (Fig. 5), which is arranged next to the second connection contact 15 on the top. The semiconductor body 11 also has a third connection contact seated on its upper side 20 (Figure 7). Each of the two third connection contacts 19 and 20 has a common connection third pin, which is isolated by means of a glass seal G3 the base plate 12 is passed through, electrically connected. Serves for this a two-armed contact bracket 21, the resilient contact arms 21a, 21b above the Base plate 12 are arranged at the same distance as the carrier 14. The contact bracket 21 is with a draft D3 provided with which he said about the third Terminal pin 53 is pushed and soldered to this. The contact arm 21a is on its outer end a downward contact tip 21c, which with the third Connection contact 19 of the semiconductor body 10 is soldered by means of a solder layer 19 ' is.

Der zweite Kontaktarm 21b läuft an seinem äußeren Ende in einen nach oben abgebogenen Lappen 21d aus, der an seinem äußeren Ende eine nach unten weisende Kontaktspitze 21e aufweist, die mit dem dritten Anschlußkontakt 20 des Halbleiterkörpers 11 mittels einer Lotschicht 20' verlötet ist.The second contact arm 21b traces into one at its outer end flap 21d bent at the top, which has a downward pointing at its outer end Has contact tip 21e, which is connected to the third terminal contact 20 of the semiconductor body 11 is soldered by means of a solder layer 20 '.

Die beiden Halbleiterkörper 10, 11 können diskrete Elemente sein, von denen jedes beispielsweise nur einen einzigen Transistor enthält. Sie können aber auch monolithisch integrierte Schaltkreise I10, I11 enthalten, welche beispielsweise in Planartechnik ausgeführt sein können. Fig. 2 zeigt ein mögliches Ausführungsbeispiel, bei dem sowohl der Halbleiterkörper 10 als auch der Halbleiterkörper 11 eine integrierte Schaltung enthält. Mit strichpunktiertem Linienzug sind in Fig. 2 die im Halbleiterkörper 10 enthaltenen, mit gestricheltem Linienzung die im Halbleiterkörper 11 enthaltenen, integrierten Einzelelemente umrandet.The two semiconductor bodies 10, 11 can be discrete elements, each of which contains, for example, only a single transistor. You can but also contain monolithically integrated circuits I10, I11, which for example can be executed in planar technology. Fig. 2 shows a possible embodiment, in which both the semiconductor body 10 and the semiconductor body 11 are integrated Circuit includes. Those in the semiconductor body are shown in dash-dotted lines in FIG 10 contained, with dashed lines those contained in the semiconductor body 11, integrated individual elements bordered.

Der Halbleiterkörper 10 enthält bei diesem Ausführungsbeispiel eine Darlington-Transistor-Schaltung. Diese Darlington-Transistor-Schaltung besteht aus einem Treibertransistor TT, einem Leistungstransistor LT, dessen Kollektor mit. dem Kollektor des Treibertransistors und dessen Basis mit dem Emitter des Treibertransistors verbunden ist, ferner aus einem parallel zur Emitter-Basis-Strecke des Treibertransistors liegenden Widerstand R3, aus einem parallel zur Emitter-Basis-Strecke des Leistungstransistors liegenden Widerstand R2 und aus einer parallel zur Emitter-Eollektor- Strecke des Leistungstransistors liegenden Diode D, deren Anode mit dem Emitter des - Leistungstransistors verbunden ist.In this exemplary embodiment, the semiconductor body 10 contains a Darlington transistor circuit. This darlington transistor circuit consists of a driver transistor TT, a power transistor LT, whose collector with. the collector of the driver transistor and its base with the emitter of the driver transistor is connected, further from a parallel to the emitter-base path of the driver transistor lying resistor R3, from a parallel to the emitter-base path of the power transistor lying resistor R2 and from a parallel to the emitter-collector- route of the power transistor lying diode D, whose anode connects to the emitter of the power transistor connected is.

Der mit der Sockelplatte 12 verlötete erste Anschlußkontakt des Halbleiterkörpers 10 bildet dabei den gemeinsamen Kollektoranschluß der beiden Transistoren 12 LT, der zweite Anschlußkontakt 15 den Basisanschluß des Treibertransistors TT und der dritte Anschlußkontakt 19 den Emitteranschluß des Leistungstransistors LT.The first connection contact of the semiconductor body soldered to the base plate 12 10 forms the common collector connection of the two transistors 12 LT, the second terminal contact 15, the base terminal of the driver transistor TT and the third connection contact 19 the emitter connection of the power transistor LT.

Der Halbleiterkörper 11 enthält beim Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 eine monolithisch integrierte Schaltung, die sich aus einem Steuertransistor ST, einem Widerstand R1 parallel zur Emitter-Basis-Strecke des Steuertransistors und einer Zenerdiode Z zusammensetzt, die mit ihrer Anode an die Basis des Steuertransistors angeschlossen ist. Der mit dem Träger 14 verlötete erste Anschlußkontakt des Halbleiterkörpers 11 bildet dabei den Kollektoranschluß des Steuertransistors ST, der mit der Kontaktspitze 18c des einarmigen Kontaktbügels 18 verlötete zweite Anschlußkontakt den Kathodenanschluß der Zenerdiode Z und der dritte Anschlußkontakt 20 den Emitteranschluß des Steuertransistors ST.In the exemplary embodiment according to FIG. 2 a monolithically integrated circuit consisting of a control transistor ST, a resistor R1 parallel to the emitter-base path of the control transistor and a Zener diode Z composed of its anode to the base of the control transistor connected. The first connection contact of the semiconductor body soldered to the carrier 14 11 forms the collector connection of the control transistor ST, which is connected to the contact tip 18c of the one-armed contact clip 18, the second connection contact soldered the cathode connection the Zener diode Z and the third terminal contact 20 the emitter terminal of the control transistor ST.

Die Fig. 3, 4 und 6 zeigen das bei der Herstellung des Halbleiterbauelements nach Fig. 1 verwendete zusammenhängende Leiterblech in den verschiedenen Phasen seiner Herstellung.FIGS. 3, 4 and 6 show this during the manufacture of the semiconductor component according to Fig. 1 used coherent conductor plate in the various phases its manufacture.

Das Ausgangsmaterial bildet ein Blechstreifen bestimmter Breite und beliebiger Länge (endloses Band) aus einer Kupfer-Silber-Legierung mit einem Silberanteil von 0,25 Gewichtsprozent. Aus diesem Blechstreifen werden Iteiterbleche 25 "am lauf enden Band" allein durch Stanz- und Biegearbeitsgänge hergestellt. Die ersten fünf Arbeitsgänge werden in einem kombinierten Schnitt-Biege-Werkzeug durchgeführt. Die restlichen drei Arbeitsgänge werden in Einzelwerkzeugen durchgeführt, dabei die Arbeitsgänge sechs und sieben in Streifen zu zehn Stück gleichzeitig.The starting material is a sheet metal strip of a certain width and of any length (endless band) made of a copper-silver alloy with a silver component of 0.25 percent by weight. From this sheet metal strip, it is 25 "on the run end tape "produced solely by punching and bending operations. The first five Operations are carried out in a combined cutting-bending tool. the remaining three operations are carried out in single tools, thereby the operations six and seven in strips of ten at the same time.

Gemäß Fig. 3 wird in einem ersten Arbeitsgang ein ebenes Leiterblech 25', welches bereits das gewünschte Profil 14' des Trägers 14, das Profil 18' des einarmigen Kontaktbügels 18 und das Profil 21' des zweiarmigen Kontaktbügels 21 enthält, ausgestanzt. Ein schmaler Randstreifen R des Ausgangsmaterials wird dabei stehengelassen, so daß die Leiterbleche 25' zunächst noch Bestandteil eines endlosen Bandes sind. Die Leiterbleche 25' nach Fig. 3 enthalten ferner bereits Löcher D11, D2, und D3' für die daraus zu formenden Durchzüge D1, D2 und D3.According to Fig. 3, a flat conductor plate is in a first step 25 ', which already has the desired profile 14' of the carrier 14, the profile 18 'of the one-armed contact clip 18 and the profile 21 ′ of the two-armed contact clip 21 contains, punched out. A narrow edge strip R of the starting material is thereby left standing, so that the conductor plates 25 'initially still part of an endless Band are. The conductor plates 25 'according to FIG. 3 also already contain holes D11, D2 and D3 'for the passages D1, D2 and D3 to be formed therefrom.

In einem zweiten Arbeitsgang werden dann die Durchzüge D1, D2 und D3 hergestellt. Der Innendurchmesser der Durchzüge wird dabei etwas kleiner als der Durchmesser der Anschlußstifte S1, und S3 gewählt.In a second step, the passages D1, D2 and D3 manufactured. The inside diameter of the passages is slightly smaller than the diameter of the connecting pins S1, and S3 is selected.

In einem dritten Arbeitsgang wird dann die Auflage 26 für den zweiten Halbleiterkörper 11 und gleichzeitig die Vertiefung 27, die zur Erhöhung der Stabilität des Trägers 14 dient, eingepreßt.In a third operation, the support 26 is then used for the second Semiconductor body 11 and at the same time the recess 27, which increase the stability of the carrier 14 is used, pressed in.

Nun werden in einem vierten Arbeitsgang die Kontaktspitzen 16 und 21c, die für den ersten Halbleiterkörper 10 bestimmt sind, nach unten umgebogen. Gleichzeitig werden die Kontaktspitzen 18c und 21e, die für den zweiten Halbleiterkörper 11 bestimmt sind, nach oben umgebogen, so daß das Leiterblech die in Fig. 4 dargestellte Form erhält. Abweichend von Fig. 4 ist dabei jedoch das Leiterblech noch Bestandteil des endlosen Bandes R.Now, in a fourth operation, the contact tips 16 and 21c, which are intended for the first semiconductor body 10, bent downward. At the same time, the contact tips 18c and 21e for the second semiconductor body 11 are determined, bent upwards so that the conductor plate is that shown in FIG Shape. In contrast to FIG. 4, however, the conductor plate is still a component of the endless tape R.

Im fünften Arbeitsgang werden dann aus dem endlosen Band R Teilstücke mit je zehn Leiterblechen 25'abgetrennt.In the fifth work step, the endless belt R is then made into sections separated by ten conductor plates 25 'each.

In einem sechsten Arbeitsgang wird dann der zweite Halbleiterkörper 11, der an seinen beiden oberen Anschlußkontakten 17 und 20 Lotschichten 17' und 20' trägt, auf die Auflage 26 aufgelegt. Der Hålbleiterkörper 11 ist auch an seiner Unterseite mit Lot vorbelegt (Fig. 7). Statt dessen oder zusätzlich kann aber auch auf die Auf lage 26 vor dem Auflegen des Halbleiterkörpers 11 ein Lotplättchen aufgelegt werden. Das Leiterblech 25' ist dabei immer noch Bestandteil des aus zehn Leiterblechen bestehenden Bandstückes.The second semiconductor body is then formed in a sixth operation 11, the solder layers 17 'and at its two upper connection contacts 17 and 20 20 ', placed on the support 26. The semiconductor body 11 is also on his Bottom pre-filled with solder (Fig. 7). Instead or in addition, however, can also A solder plate is placed on the position 26 before the semiconductor body 11 is placed will. The conductor plate 25 'is still part of the ten conductor plates existing piece of tape.

Nun werden in einem siebten Arbeitsgang die beiden Lappen 18b und 21d um 90° nach oben umgebogen, so daß die Kontaktspitzen 18c und 21e eine Schwenkbewegung um denselben Winkel ausführen und dabei auf die beiden oberen Lotschichten 17 und 20' des zweiten Halbleiterkörpers 11 treffen, sich in diese Lotschichten eingraben und den Halbleiterkörper 11 gegen die Auflage 26 drücken.Das so entstehende, in Fig. 6 dargestellte vorgefertigte Gebilde wird nun von dem Bandteilstück äbgetrennt (achter Arbeitsgang).Now, in a seventh step, the two tabs 18b and 21d bent upwards by 90 °, so that the contact tips 18c and 21e swivel run around the same angle and thereby on the two upper layers of solder 17 and 20 'of the second semiconductor body 11, dig into these solder layers and press the semiconductor body 11 against the support 26. The resulting, in The prefabricated structure shown in FIG. 6 is now separated from the band section (eighth operation).

Für den Zusammenbau des gesamten Halbleiterbauelements muß auch die Sockelplatte 12 mit ihren Anschlußstiften S<, S2 und S3 bereits vorgefertigt vorliegen. Diese Vorfertigung besteht darin, daß die Anschlußstifte S1, S2 und 53 in entsprechend bemessene Bohrungen der Sockelplatte eingeschmolzen werden, so daß die Glaseinschmelzungen G1, G2 und Gf entstehen, und daß dann alle Metalloberflächen des vorgefertigten Sockels mit einer Metallschicht, die mit Weichlot benetzbar ist, vorzugsweise mit Nickel, überzogen werden.For the assembly of the entire semiconductor component must also Base plate 12 with its connecting pins S <, S2 and S3 already prefabricated are present. This prefabrication consists in connecting pins S1, S2 and 53 be melted into appropriately sized holes in the base plate, so that the glass seals G1, G2 and Gf arise, and that then all metal surfaces the prefabricated base with a metal layer that can be wetted with soft solder, preferably with nickel.

Beim Zusammenbau des Halbleiterbauelements wird wie folgt verfahren: Der vorgefertigte Sockel wird mit den an seiner Unterseite vorstehenden Anschlußstiften S1, S2 und S3 in hierfür bestimmte Bohrungen einer Aufnahme gesteckt. Dann wird auf die Sockelplatte 12 gemäß Fig. 8 eine als Wegwerfschablone ausgebildete Montageschablone 30 aufgelegt. Die an der Oberseite der Sockelplatte 12 vorstehenden Anschlußstifte S1 S2 und 53 treten dabei durch schlitzförmige, in der Montageschablone 30 angebrachte Aussparungen A1> A2 und Af, wodurch die Lage der Montageschablone 30 relativ zur Sockelplatte 12 genau festgelegt wird. Die Schablone 30 hat eine vierte Aussparung A4, die zur Aufnahme des auf die Sockelplatte aufzulötenden Halbleiterkörpers 10 dient. In diese Aussparung wird nun zuerst ein Lotplättchen 31 und dann der Halbleiterkörper 10, der gemäß Fig. 5 an seinen oberen Anschlußkontakten 15 und 19 Lotschichten 15' und 19' trägt, eingelegt. Die Ecken der Aussparung A4 sind zum Schutz der Xristallecken aufgeweitet.When assembling the semiconductor component, proceed as follows: The prefabricated base is with the connecting pins protruding from its underside S1, S2 and S3 are inserted into holes of a receptacle intended for this purpose. Then it will be on the base plate 12 according to FIG. 8 a mounting template designed as a disposable template 30 hung up. The connecting pins protruding from the top of the base plate 12 S1, S2 and 53 pass through slot-shaped, in the mounting template 30 attached Recesses A1> A2 and Af, whereby the position of the mounting template 30 is relative to the base plate 12 is set exactly. The template 30 has a fourth recess A4, which is used to hold the semiconductor body 10 to be soldered onto the base plate serves. A solder plate 31 and then the semiconductor body are first inserted into this recess 10, which according to FIG. 5 at its upper connection contacts 15 and 19 solder layers 15 ' and 19 ', inserted. The corners of the recess A4 are to protect the crystal corners widened.

An seiner Unterseitd kann der Halbleiterkörper 10 ebenfalls mit Lot vorbelegt sein. In diesem Falle kann auf die Verwendung des Lotplättchens 31 verzichtet werden. Nun wird auf die AnschlußstiSte Sn, S2 und S3 das in Fig. 6 im Detail dargestellte, vorgefertigte Leiterblech 25, das bereits den zweiten Halbleiterkörper 11 enthält, aufgeschoben. Dabei entsteht Preßspannung zwischen den Durchzügen Di, D2 und D3 einerseits und den Anschlußstiften S1 2 und S3 andererseits. Das Leiterblech 25 wird dabei so weit nach unten geschoben, bis seine nach unten weisenden Kontaktspitzen 16 und 21c auf die beiden oberen Lotschichten 15' und 19' des ersten Halbleiterkörpers 10 treffen und sich in diese Lotschichten etwas eindrücken.The semiconductor body 10 can also be soldered to its underside be pre-assigned. In this case, the use of the solder plate 31 can be dispensed with will. Now the connection points Sn, S2 and S3 shown in detail in Fig. 6, prefabricated conductor plate 25, which already contains the second semiconductor body 11, postponed. This creates compressive stress between the passages Di, D2 and D3 on the one hand and the connecting pins S1 2 and S3 on the other hand. The conductor plate 25 is pushed down until its contact tips point downwards 16 and 21c on the two upper solder layers 15 'and 19' of the first semiconductor body 10 and press a little into these solder layers.

Dann wird auf die Anschlußstifte S1, S2 und 53 je ein Lotring L1, L2 und L3 aufgeschoben.Then a solder ring L1, L2 and L3 postponed.

Das gesamte Gebilde wird nun im Lötofen erhitzt und damit sämtliche Lötverbindungen hergestellt.The entire structure is now heated in the soldering furnace, and with it all of them Soldered connections made.

Das verlötete Gebilde enthält noch die Montageschablone 30.The soldered structure still contains the assembly template 30.

Diese ist so ausgebildet, daß ihre beiden Schmalseiten über die Sockelplatte 12 hinausragen. Außerdem ragt die schlitzförmig ausgebildete Aussparung A1 an einer dieser beiden Schmalseiten ebenfalls über die Sockelplatte 12 hinaus. Die, Aussparung A1 mündet in die Aussparung A3 und setzt sich auf der gegenüberliegenden Seite der Montageschablone in Form eines zweiten Ausläufers A<' fort, der an dieser Seite der Montageschablone ebenfalls über die Sockelplatte 12 hinausragt. Die in dieser Weise als WegwerSschablone ausgebildete Montageschablone 30 wird nun in einfacher Weise durch Abschneiden ihrer beiden über die Sockelplatte hinausragenden Schmalseiten in zwei Teile zertrennt, die dann leicht entfernt werden können, da die Dicke der Wegwerfschablone 30 kleiner als der Abstand zwischen dem Leiterblech 25 und der Sockelplatte 12 ist.This is designed so that its two narrow sides over the base plate 12 protrude. In addition, the slot-shaped recess A1 protrudes from one these two narrow sides also beyond the base plate 12. The, recess A1 opens into the recess A3 and sits on the opposite side of the Mounting template in the form of a second extension A <'continued on this side the mounting template also protrudes beyond the base plate 12. The one in this Way as a disposable template assembly 30 is now easier Way by cutting off its two narrow sides protruding beyond the base plate divided into two parts, which can then be easily removed, given the thickness of the Disposable template 30 smaller than the distance between the conductor plate 25 and the Base plate 12 is.

Das Leiterblech 25 bildet nun immer noch ein zusammenhängendes Gebilde, d. h. der Träger 14 hängt mit dem einarmigen Kontaktbügel 18 über einen Verbindungssteg 40 und mit dem zweiarmigen Kontaktbügel 21 über einen Verbindungssteg 50 zusammen (Fig. 6).The conductor plate 25 now still forms a coherent structure, d. H. the carrier 14 hangs with the one-armed contact clip 18 via a connecting web 40 and with the two-armed contact bracket 21 via a connecting web 50 (Fig. 6).

In einem einzigen Scherarbeitsgang werden nun diese beiden Verbindungsstege 40 und 50 herausgeschnitten und so das Leiterblech 25 in den Träger 14 und die beiden Kontaktbügel 18 und 21 zerteilt (Fig. 1).These two connecting webs are now in a single shear operation 40 and 50 cut out and so the conductor plate 25 in the carrier 14 and the two Contact clip 18 and 21 divided (Fig. 1).

Dann wird auf die Sockelplatte 12 die Deckkappe 13 aufgeschweiß, die zur Abdichtung des Halbleiterbauelements gegen atmosphärische Einflüsse dient.Then the top cap 13 is welded onto the base plate 12, which serves to seal the semiconductor component against atmospheric influences.

Claims

Expectations

S Two platelet-shaped semiconductor bodies, each with at least two Semiconductor component containing terminal contacts, in which the first semiconductor body with a whole surface side occupying, first connection contact to a at the same time serving as the electrode connection base plate is soldered and at which the second semiconductor body with an entire surface side occupying, first connection contact on one arranged above the base plate, as a sheet metal flag formed carrier is soldered, in which further the carrier with a passage is provided, with which he insulates the base plate penetrating, first pin is pushed and soldered to this, in which the on the base plate soldered-on semiconductor body on its remote from the base plate Top has a second connection contact, which is connected to a downwardly bent, formed as a contact tip part of the carrier is soldered, and in which the Semiconductor body soldered onto the carrier on its upper side facing away from the carrier has a second connection contact which is insulated with a penetrating through the base plate, second connection pin is connected in an electrically conductive manner, through this characterized in that the electrically conductive connection between the second connecting pin (S2) and the second connection contact (17) of the semiconductor body soldered onto the carrier (14) (11) is formed by a one-armed contact bracket, the resilient contact arm of which (18a) above the base plate (12) at the same distance as the carrier (14) is uud which is provided with a passage (D2), with which he over the second The connecting pin (S2) is pushed and soldered to it, the resilient contact arm, (18a) runs out at its free end into an upwardly bent tab (18b), which has a downward-facing contact tip (18c) at its outer end, which with the second connection contact of the semiconductor body soldered onto the carrier (14) (11) is soldered.

2. Semiconductor component according to claim 1, in which both semiconductor bodies each have a third connection contact on their top, each the two third connection contacts with a common, third connection pin, which penetrates the base plate in an insulated manner, is connected in an electrically conductive manner, characterized in that this electrically conductive connection as a two-armed Contact bracket (21) is formed whose resilient contact arms (21a, 2Zb) above the er -kelplatte (12) at the same distance as the X6ger (14) are arranged and which is provided with a passage (D) with which he over the third pin (S3) is pushed and soldered to this, the a contact arm (21a) at its outer end a downwardly facing contact tip (21c) that connects to the third connection contact (19) of the base plate (12) on soldered semiconductor body (10) is soldered, and wherein the other contact arm (21b) runs out at its outer end into an upwardly bent tab (21d), which has a downward-pointing contact tip (21e) at its outer end, those with the third connection contact (20) of the semiconductor body soldered onto the carrier (14) (11) is soldered.

3. Semiconductor component according to Claims 1 to 3, characterized in that that the two semiconductor bodies (10, 11) each have a monolithically integrated circuit contain.

4. Semiconductor component according to claim 3, characterized in that the semiconductor body (10) soldered onto the base plate is a Darlington transistor circuit contains, which consists of a driver transistor (TT), a power transistor (led), its collector with the collector of the driver transistor and its base with the Emitter of Driver transistor is connected, from one, in parallel to the emitter-base path of the driver transistor lying resistor (R3) a resistor lying parallel to the emitter-base path of the power transistor (R2) and from a parallel to the emitter-EolleRtor path of the power transistor lying diode (D) whose anode is connected to the emitter of the power transistor is composed, the first connection contact soldered to the base plate (12) of the semiconductor body (10) the common collector connection of the two transistors (TT, solder), the second connection contact (19) the emitter push of the power transistor (LT) forms.

5. Semiconductor component according to claim 3, characterized in that the semiconductor body (11) soldered onto the carrier (14) is monolithically integrated Contains circuit made up of a control transistor (ST), from a resistor (R1) parallel to the emitter-base path of the control transistor and from a Zener diode (Z) composed of its anode to the base of the control transistor (set) is connected, the first connection contact soldered to the carrier (14) of the semiconductor body (11) the collector terminal of the control transistor (ST), the with the contact tip (18c) of the one-armed contact bow (18) soldered second connection contact the cathode connection of the Zener diode (Z) and the third connection contact (20) forms the emitter connection of the control transistor (ST).

6. A method for producing a semiconductor component according to claim 1, in which on a base plate already provided with the connection pins a mounting template provided with a cutout for the first semiconductor body is placed and with which then in this cutout the on the base plate on semiconductor bodies to be soldered, preallocated with solder on at least one upper terminal contact - if necessary after inserting a solder plate - is inserted, characterized in that then on the connecting pins (S1, S2> a Prefabricated conductor plate (25) with the clamped-in second semiconductor body (11) pushed on is, wherein the second semiconductor body in the same way as the first semiconductor body is preallocated with solder and, if necessary, placed a dead plate under him is, wherein the prefabricated conductor plate (25) both the carrier (14) as also the one-armed contact bracket (18) already in their respective final form contains, however, the carrier (14) and the one-armed contact clip (18) via a still to be removed connecting web (40), which together with the carrier and the one-armed Contact bracket forms the conductor plate (25), related, that then a solder ring (L1, L2) is pushed onto the connecting pins (S1, S2) so that the so assembled structure is heated in the soldering furnace that then as a disposable template trained mounting template (30) is cut open and removed and that finally the conductor plate (25) is separated by cutting out the connecting web (40).

7. The method according to claim 6 for producing a semiconductor component according to claim 2, characterized in that the prefabricated conductor plate (25) also contains the two-armed contact clip (21) in its final form, wherein however, the carrier (14) and the two-armed contact bracket (21) via a second connecting web (50) related, and that after removing the mounting template (30) this second connecting web (50) together with the first connecting web (40) in one cut out in a single shear operation.