DE2133981C3

DE2133981C3 - Semiconductor component with a semiconductor body with a transistor and method for its production

Info

Publication number: DE2133981C3
Application number: DE19712133981
Authority: DE
Inventors: Else Eindhoven Kooi (Niederlande)
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1970-07-10
Filing date: 1971-07-08
Publication date: 1976-02-12

Description

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper mit einem Transistor, wobei ein im Halbleiterkörper versenktes Muster aus Isoliermaterial sich über wenigstens einen Teil seiner Dicke von einer Hauptoberflächc des Halbleiterkörpers aus in diesen Halbleiterkörper hinein erstreckt, der Halbleiterkörper einen ersten, an die Oberfläche grenzenden, schichtförmigen Teil aufweist, der über seinen ganzen Umfang und über seine ganze Dicke an einen er-The invention relates to a semiconductor component having a semiconductor body with a transistor, wherein a pattern of insulating material sunk in the semiconductor body extends over at least part of its thickness the semiconductor body extends from a main surface of the semiconductor body into this semiconductor body has a first layer-shaped part adjoining the surface which extends over its entire Circumference and over its entire thickness to a

sten Teil des versenkten Musters grenzt und in dem schichtförmigen Teil die Basiszone des Transistors an die Hauptoberfläche und über ihren ganzen Umfang an den ersten Teil des Musters grenzt, in der Basiszone die an die Hauptoberfläche grenzende Emitterzone des Transistors angebracht ist und die Kollektorzone einen unter der Basiszone liegenden Teil aufweist. Eine Weiterbildung der Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterbauelements. Most part of the recessed pattern is adjacent and the base zone of the transistor in the layered part the main surface and, over its entire perimeter, is adjacent to the first part of the pattern, in the base zone the is attached to the main surface adjoining emitter zone of the transistor and the collector zone a has part lying below the base zone. A further development of the invention also relates to a method for the production of such a semiconductor component.

Ein solches Halbleiterbauelement mit einem Transistor ist aus der NL-OS 66 14 016 bekannt und hat wesentliche Vorteile.Such a semiconductor component with a transistor is known from NL-OS 66 14 016 and has essential features Benefits.

Der Kollektor-Basis-Übergang endet nicht über eine starke Krümmung nahe seinem Rande praktisch senkrecht zur Hauptoberfläche. sondern wird unter Vermeidung dieser Krümmung seitlich von dem Muster begrenzt, wodurch die elektrischen Eigenschaften des Transistors günstig beeinflußt werden. Außerdem ermöglicht das versenkte Muster die Verwendung der Kombination dicker und dünner Isolierschichten mit den betreffenden Vorteilen.The collector-base transition does not end practically vertically via a strong curvature near its edge to the main interface. but is limited laterally by the pattern while avoiding this curvature, whereby the electrical properties of the transistor are favorably influenced. Also enables the recessed pattern using the combination of thick and thin layers of insulation the benefits in question.

Der Kollektorkontakt von solchen bekannten Halbleiterbauelementen mit einem Transistor mit einem versenkten Muster ist auf der Unterseite des Halbleiterkörpers angebracht, während die Basis- und die Emitterzone auf der Oberseite de Halbleiterkörpers ihre Kontakte haben. Für eine Anzahl von Verwendungsarten, insbesondere für die Verwendung in einer integrierten Halbleiterschaltung, ist es jedoch erwünscht, auch die Kollektorzone auf der Oberseile des Halbleiterkörpers zu kontaktieren. Zu diesem Zweck kann zwar in einfacher Weise eine öffnung in der versenkten, isolierenden Schicht neben der Basiszone vorgesehen werden, durch welche hindurch ein Kontakt mit der Kollektorzone hergestellt werden kann.The collector contact of such known semiconductor components with a transistor with a recessed pattern is on the underside of the semiconductor body attached, while the base and the emitter zone on the top of the semiconductor body have their contacts. For a number of uses, especially for use in one integrated semiconductor circuit, however, it is desirable to also include the collector region on the tops of the To contact semiconductor body. For this purpose, an opening in the recessed, insulating layer are provided next to the base zone, through which a contact can be made with the collector zone.

Letzteres weist jedoch verschiedene Nachteile auf. Die Genauigkeit beim Anbringen einer öffnung in einer dicken Isolierschicht ist nicht groß. Bekanntlich lassen sich Öffnungen in einer Isolierschicht um so genauer anbringen, je geringer die Dicke der Isolierschicht ist. Weiterhin besteht eine Kontaktelektrode, die durch eine Öffnung in einer Isolierschicht an einer Halbleiterzone angebracht wird, gewöhnlich aus einer in der öffnung angebrachten Metallschicht, die sich bis über die Isolierschicht erstreckt. Die Möglichkeit einer Beschädigung, z. B. in Form von Haarrissen, einer solchen Metallschicht an dem Rand einer öffnung in einer dicken Isolierschicht ist unerwünscht groß. Außerdem muß der Abstand zwischen einer solchen öffnung für den Kollektorkontakt und der Basiszone größer gewählt werden als der minimal zulässige Abstand, da Toleranzen bei der Ortsbestimmung der anzubringenden öffnung berücksichtigt "werden müssen, wodurch der Transistor mehr Raum beansprucht als bei einer genaueren Ortsbestimmung dieser öffnung in bezug auf die Basiszone notwendig wäre.However, the latter has various disadvantages. The accuracy of making an opening in a thick layer of insulation is not great. It is known that openings in an insulating layer can be made all the more accurate attach the thinner the thickness of the insulating layer. There is also a contact electrode, which is attached to a semiconductor zone through an opening in an insulating layer, usually of a in the opening attached metal layer that extends up extends over the insulating layer. The possibility of damage, e.g. B. in the form of hairline cracks, such Metal layer at the edge of an opening in a thick insulating layer is undesirably large. Besides that the distance between such an opening for the collector contact and the base zone must be larger are considered to be the minimum permissible distance, as there are tolerances in determining the location of the opening "must be taken into account, whereby the transistor takes up more space than a more precise determination of the location of this opening in relation to the base zone would be necessary.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Halbleiterbauelement der eingangs erwähnten Art zu schaffen, bei dem die Kollektorzone an der Hauptoberfläche kontaktiert werden kann und die erwähnten Nachteile vermieden werden, und das sich femer besonders gut zur Verwendung in einer integrierten Halbleiterschaltung eignet.The invention is based on the object of a semiconductor component of the type mentioned to create, in which the collector zone on the main surface can be contacted and the disadvantages mentioned can be avoided, and also particularly well suitable for use in a semiconductor integrated circuit.

Der Erfindung, die diese Aufgabe löst, liegt unter anderem die Erkenntnis zugrunde, daß es in einfacher Weise möglich ist, dies durch eine Formgebung des Musters zu erzielen.The invention which solves this problem lies among other things based on the knowledge that it is possible in a simple manner to do this by shaping the To achieve a pattern.

Nach der Erfindung wird diese Aufgabe für ein Halbleiterbauelement der eingangs erwähnten Art dadurch gelöst, daß der Halbleiterkörper einen neben dem ersten schichtförmigen Teil liegenden zweiten schichtförmigen Teil enthält, der an der Hauptoberfläche grenzt und über seinen ganzen Umfang und über seine ganze Dicke an einen gleichzeitig mit dem ersten Teil des Musters angebrachten zweiten Teil des Musters grenzt, und der zweite schichtförmige Teil einen sich an die ίο Hauptoberfläche angrenzenden Teil. Anschlußteil genannt, der Kollektorzone enthält, der lediglich durch einen mindestens einem der beiden erwähnten Musterteile zugehörenden Teil, Trennungsteil genannt, von dem ersten schichtförmigen Teil getrennt ist, und der Anschlußteil der Kollektorzone durch einen wenigstens teilweise unter dem Trennungsteil liegenden Verbindungsteil der Kollektorzone mit dem unter der Basiszone liegenden Teil der Kollektorzone verbunden ist.According to the invention, this object is achieved for a semiconductor component of the type mentioned in that the semiconductor body has one next to the first layer-shaped part lying second layer-shaped Contains part that borders on the main surface and over its entire circumference and over its whole The thickness is adjacent to a second part of the design applied at the same time as the first part of the design, and the second layer-shaped part is a part adjoining the main surface. Connection part called, the collector zone contains, which is only through a part belonging to at least one of the two sample parts mentioned, called the separation part of the first layer-shaped part is separated, and the connection part of the collector zone by at least one The connecting part of the collector zone, partially below the separation part, with the part below the base zone lying part of the collector zone is connected.

Da der Anschlußteil der Kolleklorzone nicht unter, ίο sondern ähnlich wie die Basiszone neben dem versenkten Muster liegt, kann die Kollektorzone durch diesen Anschlußteil durch Anordnung einer öffnung im Muster kontaktiert werden. Weiterhin wird die Stelle der Basiszone sowie die des Anschlußteiles der Kollektorzone durch das versenkte Muster bestimmt. Dies bedeutet, daß bei der Herstellung des Halbleiterbauelements die Stelle der Basiszone und die Stelle des Anschlußteiles mittels der gleichen Maske bestimmt werden, d.h. mittels der Maske, mit deren Hilfe das versenkte Muster angebracht wird, und somit mit der selben Maske, mittels der der erste und der zweite Teil dieses Musters gleichzeitig angebracht werden, so daß die Ortsbestimmung des Anschlußteiles in bezug auf die Basiszone sehr genau ist und bei Verwendung verschiedener Masken unvermeidlich auftretende Toleranzen nicht berücksichtigt zu werden brauchen.Since the connection part of the collector zone is not below, ίο but similar to the base zone next to the sunk Pattern lies, the collector zone can through this connection part by arranging an opening in the pattern to be contacted. Furthermore, the location of the base zone and that of the connection part of the collector zone determined by the recessed pattern. This means that in the manufacture of the semiconductor device the location of the base zone and the location of the connection part can be determined using the same mask, i.e. by means of the mask with the help of which the recessed pattern is applied, and thus with the same Mask by means of which the first and the second part of this pattern are applied simultaneously, so that the determination of the location of the connector with respect to the base zone is very accurate and when using different Masks inevitably occurring tolerances do not need to be taken into account.

Die Kollektorzone hat somit einen Anschlußteil in dem zweiten schichtförmigen Oberflächen-Teil des Halbleiterkörpers, der ähnlich wie der erste schichtförmige Teil mit der Basiszone in dem Muster aus Isoliermaterial aufwärts zur Hauptoberfläche dringt, wobei vorzugsweise die Oberflächen des ersten u.id des zweiten schichtförmigen Teiles praktisch in der gleichen flachen Ebene der Hauptoberfläche liegen.
Während der Herstellung des Halbleiterbauelements haben nach dem Anbringen des versenkten Musters, dessen erster und zweiter Teil sich gleichzeitig ausbilden, diese Teile die gleiche, homogene Dicke (in einer Richtung quer zur Hauptoberfläche des Halbleiterkörpers gesehen). Darauf können gewünschtenfalls Dikkenunterschiede, z. B. durch örtliches Ätzen des Musters, vorgesehen werden. Der Einfachheit halber haben vorzugsweise der erste und der zweite Teil praktisch die gleiche homogene Dicke.The collector zone thus has a connection part in the second layer-shaped surface part of the semiconductor body, which similarly to the first layer-shaped part with the base zone in the pattern of insulating material penetrates up to the main surface, preferably the surfaces of the first and second layer-shaped part practically lie in the same flat plane of the main surface.
During the manufacture of the semiconductor component, after the application of the countersunk pattern, the first and second parts of which are formed simultaneously, these parts have the same, homogeneous thickness (seen in a direction transverse to the main surface of the semiconductor body). If desired, differences in thickness, e.g. B. by locally etching the pattern. For the sake of simplicity, the first and second parts preferably have practically the same homogeneous thickness.

Das Muster oder ein Teil desselben hat eine homogene Dicke, wenn in Querschnitten des Musters oder eines Teiles desselben das Muster zwischen zwei nebeneinanderliegenden Musterrändern stets praktisch die gleiche Dicke aufweist, während in der Nähe dieser Ränder das Muster eine abweichende Dicke aufweisen kann.The pattern or part thereof has a homogeneous thickness when in cross-sections of the pattern or of a part of the same the pattern between two adjacent pattern edges is always practical has the same thickness, while in the vicinity of these edges the pattern has a different thickness can.

Indem z. B. der Halbleiterkörper örtlich geätzt wird, bevor das versenkte Muster angebracht wird, kann ein Muster erhalten werden, von dem ein Teil oder eine Anzahl von Teilen weniger tief im Halbleiterkörper liegt (liegen) als ein weiterer Teil oder eine Anzahl anderer Teile des Musters. Von dem Halbleiterbauelement narh der Erfindung werden wesentliche, einfacheBy z. B. the semiconductor body is locally etched, before the recessed pattern is applied, a pattern can be obtained of which a part or a Number of parts is (are) less deep in the semiconductor body than another part or a number of others Parts of the pattern. The semiconductor component according to the invention becomes essential, simple

Ausführungsformen dadurch erhalten, daß der erste und der zweite Teil des versenkten Musters sich homogen, praktisch über den gleichen Abstand von der Hauptoberfläche des Halbleiterkörpers aus in diesen Halbleiterkörper hinein erstrecken.Embodiments obtained in that the first and the second part of the recessed pattern are homogeneous, practically over the same distance from the main surface of the semiconductor body in this Extend semiconductor body into it.

Das Muster oder ein Teil desselben erstreckt sich praktisch homogen über einen bestimmten Abstand von der Hauptoberfläche aus in den Halbleiterkörper, wenn in Querschnitten des Halbleiterkörpers mit dem Muster oder einem Teil desselben das Muster zwischen zwei nebeneinanderliegenden Rändern des Musters sich stets über diesen bestimmten Abstand von der Hauptoberfläche aus in den Halbleiterkörper hinein erstreckt, wobei in der Nähe diese Ränder das Muster sk?h über einen geringeren Abstand in den Halbleiterkörper hinein erstrecken kann.The pattern or a part of it extends practically homogeneously over a certain distance from the main surface into the semiconductor body when in cross-sections of the semiconductor body with the Pattern or a part of the same the pattern between two adjacent edges of the pattern always extends over this certain distance from the main surface into the semiconductor body, in the vicinity of these edges the pattern sk? h over a smaller distance into the semiconductor body can extend into it.

Vorzugsweise enthält der Anschlußteil der Kollektorzone eine Kontaktzone in Form einer Oberflächenzone des gleichen Leitfähigkeitstyps wie die Kollektorzone, und die Kontaktzone der Kollektorzone weist die gleiche Dicke und das gleiche Dotierungsprofil wie die Emitterzone auf. Eine solche Kontaktzone ist hoch dotiert und ermöglicht einen guten Kollektoranschluß. Derartige Kontaktzonen sind bei Planartransistoren bekannt.The connection part of the collector zone preferably contains a contact zone in the form of a surface zone of the same conductivity type as the collector zone, and the contact zone of the collector zone has the same thickness and the same doping profile as the emitter zone. Such a contact zone is highly doped and enables a good collector connection. Such contact zones are in planar transistors known.

Die Ausgestaltung eines Halbleiterbauelements nach der Erfindung gründet sich weiterhin auf die Erkenntnis, daß ein Halbleiterbauelement nach der Erfindung in einfacher Weise in Form einer integrierten Halbleiterschaltung mit Isolierzonen ausgebildet werden kann, die wenigstens teilweise aus Isoliermaterial bestehen, wobei der aus Isoliermaterial bestehende Teil einer den Transistor umgebenden Isolierzone durch den erwähnten ersten und/oder den erwähnten zweiten Teil des versenkten Musters gebildet wird.The configuration of a semiconductor component according to the invention is further based on the knowledge that a semiconductor component according to the invention in a simple manner in the form of an integrated semiconductor circuit can be formed with insulating zones that are at least partially made of insulating material, the part consisting of insulating material passing through an insulating zone surrounding the transistor the mentioned first and / or the mentioned second part of the recessed pattern is formed.

Eine wesentliche Ausgestaltung des Halbleiterbauelements nach der Erfindung besteht daher darin, daß der Halbleiterkörper außer dem Transistor eine Anzahl von weiteren Schaltungselementen enthält, wobei sich die Schaltungselemente in einer Anzahl an die Hauptoberfläche grenzender, voneinander getrennter Halbleitergebiete, Inseln genannt, befinden, und zwischen diesen Inseln Isolierzonen vorhanden sind, die wenigstens nahe der Hauptoberfläche durch die Inseln umgebende Teile, Isolierteile genannt, des versenkten Musters gebildet werden, wobei der erste und der zweite Teil des versenkten Musters gemeinsam nicht nur den bereits erwähnten Trennungsteil, sondern auch einen die Basiszone und den Anschlußteil der Kollektorzone des Transistors gemeinsam umgebenden Isolierteil bilden, der wenigstens teilweise einem Isolierteil einer den Transistor umgebenden Isolierzone zugehört.An essential embodiment of the semiconductor component according to the invention is therefore that In addition to the transistor, the semiconductor body contains a number of further circuit elements, wherein the circuit elements in a number of semiconductor regions adjoining the main surface and separated from one another, Islands called, are located, and between these islands there are isolation zones that are at least near the main surface by the islands surrounding parts, called insulating parts, of the recessed pattern are formed, the first and the second part of the recessed pattern not only the already mentioned separation part, but also a base zone and the connection part of the collector zone of the transistor jointly surrounding insulating part, which is at least partially an insulating part of a belonging to the isolation zone surrounding the transistor.

Die Isolierzonen können vollständig aus Isoliermaterial bestehen, während der Halbleiterkörper aus einer Anzahl gesonderter Teilkörper besteht, die durch die Inseln gebildet werden, die z.B. auf der Seite der Hauptoberfläche auf einem gemeinsamen Träger aus Isoliermaterial angebracht sein können.The insulating zones can consist entirely of insulating material, while the semiconductor body consists of one Number of separate sub-bodies, which are formed by the islands, e.g. on the side of the Main surface can be mounted on a common carrier made of insulating material.

Eine bevorzugte Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper einen HaIbleitertragkörper und eine darauf angebrachte, an die Hauptoberfläche grenzende epitaktische Schicht enthält, die durch die Isolierzonen in Inseln zugehörende Teile aufgeteilt ist, wobei der Hälbleiterträger ein Substrat aufweist, gegen das die Inseln durch mindestens einen pn-übergang isoliert sind. Die Bildung von Inseln durch Isolierzonen ist bei integrierten Halbleiterschaltungen bekannt.A preferred embodiment is characterized in that the semiconductor body is a semiconductor support body and an epitaxial layer applied thereon adjoining the main surface, which is divided into islands belonging to the parts by the isolation zones, the semiconductor carrier being a substrate has, against which the islands are isolated by at least one pn junction. The formation of islands through isolation zones is known in integrated semiconductor circuits.

Für den Verbindungsteil der Kollektorzone, der den Anschlußteil mit dem unter der Basiszone liegenden Teil der Kollektorzone verbindet, kann günstig eine begrabene Schicht benutzt werden. Daher wird eine vorteilhafte Ausführungsform dadurch erhalten, daß die Kollektorzone des Transistors einen isolierenden pn-Übergang mit dem Substrat bildet und einen in der epitaktischen Schicht liegenden Teil und einen im HaIbleitertragkörncr liegenden Teil, den begrabenen TeilFor the connection part of the collector zone that connects the connection part with the one below the base zone Part of the collector zone connects, a buried layer can conveniently be used. Hence, it becomes an advantageous one Embodiment obtained in that the collector zone of the transistor has an insulating pn junction with the substrate and forms one part lying in the epitaxial layer and one part in the semiconductor support grain lying part, the buried part

ίο genannt, aufweist, wobei der begrabene Teil teilweise unter dem Trennungsteil des versenkten Musters liegt und teilweise einen Teil des Verbindungsteils der Kollektorzone bildet. Begrabene Schichten sind bei Planartransistoren bekannt.ίο called, having the buried part partially lies under the separating part of the recessed pattern and partially part of the connecting part of the collector zone forms. Buried layers are known in planar transistors.

Die Isolierzonen können vollständig aus Isolierteilen des versenkten Musters bestehen, das über die ganze Dicke der epitaktischen Schicht im Halbleiterkörper versenkt ist, wobei die Isolierteile sich bis zum Substrat erstrecken, während der Verbindungsteil der Kollektorzone unter dem Trennungsteil des Musters lediglich aus einer im Halbleitertragkörper untergebrachten, begrabenen Schicht besteht.The isolation zones can consist entirely of isolating parts of the recessed pattern over the whole Thickness of the epitaxial layer is sunk in the semiconductor body, the insulating parts extending to the substrate extend, while the connecting part of the collector zone under the separating part of the pattern only consists of a buried layer accommodated in the semiconductor support body.

Es können sich die Isolierteile des Musters auch nur bis in die Nähe des pn-Überganges zwischen dem Substrat und der epitaktischen Schicht erstrecken, wobei im Betrieb das Verarmungsgebiet dieses pn-Überganges sich bis zu den Isolierteilen erstreckt.The insulating parts of the pattern can also only be in the vicinity of the pn junction between the substrate and the epitaxial layer, the depletion region of this pn junction in operation extends to the insulating parts.

Eine Ausführungsform, bei der ein weniger tief versenktes Muster angebracht zu werden braucht, oder, mit anderen Worten, bei der eine dicke epitaktische Schicht verwendbar ist, ohne daß ein unpraktisch tief versenktes Muster notwendig ist, wird dadurch gekennzeichnet, daß eine Isolierzone eine zwischen dem diese Zone wenigstens teilweise bildenden Isolierteil des versenkten Musters und dem Substrat liegende Zone des gleichen Leitfähigkeitstyps wie das Substrat aufweist.An embodiment in which a less recessed pattern needs to be applied, or, in other words, a thick epitaxial layer can be used without an impractical deep recessed pattern is necessary, is characterized in that an insulating zone between these Zone at least partially forming insulating part of the recessed pattern and the zone lying on the substrate has the same conductivity type as the substrate.

Das Muster kann z. B. dadurch angebracht werden, daß Vertiefungen im Halbleiterkörper vorgesehen und mit Isoliermaterial ausgefüllt werden. Vorzugsweise besteht das versenkte Muster aus durch Umwandlung von Halbleitermaterial des Halbleiterkörpers gebildetem Isoliermaterial. Besteht der Halbleiterkörper aus Silicium, so läßt sich ein Muster aus Siliciumoxyd durch örtliche Oxydation des Halbleiterkörpers ausbilden. Auch eine Umwandlung in z. B. Siliciumcarbid ist möglich.The pattern can e.g. B. be attached in that depressions are provided in the semiconductor body and be filled with insulating material. Preferably, the recessed pattern is made by converting Semiconductor material of the semiconductor body formed insulating material. If the semiconductor body consists of silicon, a pattern of silicon oxide can thus be formed by local oxidation of the semiconductor body. Also a conversion in z. B. silicon carbide is possible.

Eine Weiterbildung der Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements nach der Erfindung und besteht darin, daß von einem Halbleiterkörper mit einem Gebiet des einen Leitfähigkeitstyps, das wenigstens örtlich an eine Hauptoberfläche des Halbleiterkörpers grenzt, ein erster, der Hauptoberfläche zugehörender Oberflächenteil, unter dem das erwähnte Gebiet liegt, und ein von diesem getrennter, zweiter, der Hauptoberfläche zugehörender Oberflächenteil, an den das Gebiet grenzt, maskiert werden, daß ein ersttfr, den ersten Oberflächenteil vollständig umgebender Teil und ein zweiter, den zweiten Oberflächenteil vollständig umgebender Teil eines versenkten Musters aus Isoliermaterial, das sich von der Haupt-A further development of the invention relates to a method for producing a semiconductor component according to the invention and consists in that of a semiconductor body with a region of one conductivity type, which at least locally adjoins a main surface of the semiconductor body, a first, the main surface associated surface part, under which the mentioned area lies, and a separate from this, the second part of the surface belonging to the main surface and bordered by the area are masked, that a first part completely surrounding the first surface part and a second part completely surrounding the second surface part completely surrounding part of a recessed pattern of insulating material, which differs from the main

oberfläche aus in den Halbleiterkörper hinein erstreckt, durch Umwandlung nicht maskierten Halbleitermaterials in Isoliermaterial gleichzeitig angebracht werden, wobei ein erster schichtförmiger Teil des Halbleiterkörpers, der über seinen ganzen Umfang und über seine ganze Dicke an den ersten Musterteil grenzt, und ein zweiter, schichtförmiger Teil des Halbleiterkörpers, der über seinen ganzen Umfang und über seine ganze Dicke an den zweiten Musterteil grenzt, erhalten wer-surface extends into the semiconductor body, are applied simultaneously by converting non-masked semiconductor material into insulating material, wherein a first layer-shaped part of the semiconductor body, which over its entire circumference and over its entire thickness adjoins the first pattern part, and a second, layer-shaped part of the semiconductor body, which borders on the second sample part over its entire circumference and over its entire thickness, are preserved

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den, wobei die schichtförmigen Teile lediglich durch einen wenigstens einem der beiden Musterteile zugehörenden Trennungsteil voneinander getrennt sind und das Muster bis zu einer Tiefe von der Hauptoberfläche aus in den Halbleiterkörper iiinein versenkt wird, bei der noch ein Teil des Gebietes unter dem Trennungsteil liegt, und in dem ersten schichtförmigen Teil eine an den ersten Oberflächenteil grenzende Basiszone des Transistors angebracht wird, die über ihren ganzen Umfang an den ersten Musterteil grenzt und die einen pn Übergang mit einem Gebiet bildet, wobei in der Basiszone eine an den ersten Oberflächenteil grenzende Emitterzone des Transistors angebracht wird, und wenigstens ein Teil des teilweise an den zweiten Oberflächenteil grenzenden und teilweise unter dem Trennungsteil und unter der Basiszone hegenden Gebietes die Kollektorzone des Transistors bildet.the, the layer-shaped parts only through a separation part belonging to at least one of the two sample parts are separated from one another and the pattern is sunk into the semiconductor body to a depth from the main surface which is still part of the area under the separation part, and one on in the first layer-shaped part the base zone of the transistor bordering the first surface part is applied over its whole Perimeter borders on the first pattern part and which forms a pn junction with an area, being in the base zone an emitter zone of the transistor adjoining the first surface part is applied, and at least part of the partially adjacent to the second surface part and partially below the separation part and forms the collector zone of the transistor below the base zone.

Eine wesentliche Ausführungsform eines Verfahrens zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit einer integrierten Halbleiterschaltung ist dadurch gekennzeichnet, daß ein Halbleiterkörper verwendet wird, von dem das Gebiet des einen Leitfähigkeitstyps an die ganze Hauptoberfläche grenzt und durch einen pn-Übergang gegen ein unter dem Gebiet liegendes Substrat des anderen Leitfähigkeitstyps isoliert ist und das Gebiet des einen Leitfähigkeitstyps in nebeneinanderliegende, voneinander getrennte Inseln dadurch aufgeteilt wird, daß in dem Gebiet wenigstens nahe der Hauptoberfläche aus Teilen aus Isoliermaterial. Isolierteile genannt, bestehende isolierzonen angebracht werden, die sich an die Isolierung der Substratseite anschließen, wobei die Isolierteile gleichzeitig mit dem ersten und dem zweiten Musterteil und auf gleiche Weise angebracht werden und einen Teil des Musters bilden, und daß ein die Basiszone und den an den zweiten Oberflächenteil grenzenden Teil. Anschlußteil genannt, der Kollektorzone gemeinsam umgebender Teil des Musters, der mindestens einem der beiden Teile, dem ersten und dem zweiten Musterteil, zugchuri, wenigstens teilweise in Form wenigstens eines Teils eines Isolierteils einer den Transistor umgebenden Isolierzone ausgebildet wird. Wie bei integrierten Halbleiterschallungen mit Inseln üblich, lassen sich mehrere Schaltungselemente wie Transistoren. Dioden. Widerstände und Kapazitäten in den Inseln anbringen.An essential embodiment of a method for producing a semiconductor component with a integrated semiconductor circuit is characterized in that a semiconductor body is used by which the area of one conductivity type borders on the entire main surface and through a pn junction is insulated from an underlying substrate of the other conductivity type and that Area of one conductivity type is thereby divided into adjacent, separate islands that in the area at least near the main surface of pieces of insulating material. Insulating parts called, existing isolation zones are attached, which adjoin the isolation of the substrate side, the insulating parts simultaneously with the first and second pattern parts and in the same manner and that form part of the pattern, and that one is the base zone and that of the second Surface part bordering part. Connection part called, the collector zone common surrounding part of the Pattern, of at least one of the two parts, the first and the second pattern part, zugchuri, at least partially in the form of at least part of an insulating part of an insulating zone surrounding the transistor is trained. As is usual with integrated semiconductor sound systems with islands, several Circuit elements such as transistors. Diodes. Place resistors and capacitors in the islands.

Der Halbleiterkörper mit dem Gebiet des einen Leitfähigkeitstyps läßt sich in einfacher Weise dadurch herstellen, daß von einem Halbleitertragkörper des anderen Leitfähigkeitstyps ausgegangen wird, von dem wenigstens der an eine seine/ Oberflächen. Träger-Oberfläche genannt, grenzende Teil des einen Leitfähigkeitstyps ist, und daß auf der Träger-Oberfläche eine dem erwähnten Gebiet zugehörende epitaktische Schicht des einen Leitfähigkeitstyps angebracht wird.The semiconductor body with the region of one conductivity type can be produced in a simple manner by that a semiconductor support body of the other conductivity type is assumed, from which at least of one of its / surfaces. Called the carrier surface, the bordering part of one conductivity type is, and that on the carrier surface an epitaxial belonging to the mentioned area Layer of one conductivity type is applied.

Eine bevorzugte Ausführungsform des Verfahrens nach der Weiterbildung der Erfindung besteht darin, daß der Tragkörper mit einer an die Träger-Oberfläche grenzenden Oberflächenzone des einen Leitfähigkeitstyps versehen wird, die unter dem anzubringenden Trennungsteil des versenkten Musters liegen wird und die von der anzubringenden, den Transistor umgebenden Isolierzone umgeben wird, worauf die epitaktische Schicht angebracht wird. Auf diese Weise ergibt sich ein niederohmiges Verbindungsteil der Kollektorzone und eine Erniedrigung des Kollektorwiderstandes.A preferred embodiment of the method according to the development of the invention consists in that the support body is provided with a surface zone of one conductivity type adjoining the support surface, the one below the one to be attached Separation part of the countersunk pattern will lie and that of the one to be attached, surrounding the transistor Isolation zone is surrounded, whereupon the epitaxial layer is applied. In this way it arises a low-resistance connection part of the collector zone and a lowering of the collector resistance.

Eine Ausführungsform des Verfahrens, bei der nu^r ein sich über einen Teil der Dicke der epitaktischen Schicht erstreckendes, versenktes Muster angebracht zu werden braucht, ist dadurch gekennzeichnet, daß in an die Träger-Oberfläche grenzenden Oberflächenzonen des Halbleitertragkörpers, die unter den anzubringenden Isolierteilen liegen, die Konzentration der den anderen Leitfähigkeitstyp, also den gleichen Leitfähigkeitstyp wie den des Halbleiterlragkörpers, hervorrufender Fremdstoffe erhöht wird, worauf die epitaktische Schicht angebracht wird und durch Diffusion von Fremdstoffen aus diesen Oberflächenzonen in die epitaktische Schicht den Isolierzonen zugehörende und an das Substrat des Halbleitertragkörpers grenzende Zonen des anderen Leitfähigkeitstyps ernalien werden, und das Muster nur über einen Teil der Dicke der epilaktischen Schicht in diese Schicht versenkt wird.An embodiment of the method, an extending at nu ^r over part of the thickness of the epitaxial layer needs to be mounted recessed pattern, characterized in that in the support surface adjacent surface regions of the semiconductor support body that are below the to be mounted insulating parts , the concentration of foreign substances causing the other conductivity type, i.e. the same conductivity type as that of the semiconductor support body, is increased, whereupon the epitaxial layer is applied and, by diffusion of foreign substances from these surface zones into the epitaxial layer, belonging to the insulating zones and adjoining the substrate of the semiconductor support body Zones of the other conductivity type are increased, and the pattern is only sunk into this layer over part of the thickness of the epilactic layer.

Eine weitere Ausführungsform des Verfahrens, bei der nur ein sich über einen Teil der Dicke der epitaktischen Schicht erstreckendes, versenktes Muster angebracht zu werden braucht, ist dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Anbringen des versenkten Musters durch Umwandlung nicht maskierten Halbleitermaterials in Isoliermaterial in nicht maskierten Oberflächenieilen des Halbleiterkörpers, die den anzubringenden Isolierteilen entsprechen, Fremdstoffe, die das andere Leitfähigkeitstyp hervorrufen, angebracht werden, die während des Anbringens des Musters tiefer in den Halbleiterkörper diffundieren und zwischen den Isolierteilen und dem Substrat liegende Zonen des anderen Leitfähigkeitstyps bilden, die den Isolierzonen zugehören.
Wird beim Anbringen des versenkten Musters HaIbleitermaterial des Halbleiterkörpers in Isoliermaterial umgewandelt, so hat das Isoliermaterial gewöhnlich ein größeres Volumen als das ursprüngliche Halbleitermaterial, wodurch ein Muster erhalten wird, das über einen Teil seiner Dicke in dem Halbleiterkörper versenkt liegt und über den verbleibenden Teil seiner Dikke über den Halbleiterkörper herausragt. Besteht der Halbleiterkörper aus Silicium und wird ein Muster von Siliciumoxyd durch örtliche Oxydation des Siliciumkörpers angebracht, so ergibt sich ein Siliciumoxydmuster.A further embodiment of the method, in which only a recessed pattern extending over part of the thickness of the epitaxial layer needs to be applied, is characterized in that prior to applying the recessed pattern by converting non-masked semiconductor material into insulating material in non-masked surface parts of the semiconductor body, which correspond to the insulating parts to be applied, foreign substances which cause the other conductivity type are applied, which diffuse deeper into the semiconductor body during the application of the pattern and form zones of the other conductivity type between the insulating parts and the substrate, which belong to the insulating zones.
If semiconductor material of the semiconductor body is converted into insulating material when the recessed pattern is applied, the insulating material usually has a larger volume than the original semiconductor material, whereby a pattern is obtained which is recessed over part of its thickness in the semiconductor body and over the remaining part of its thickness protrudes beyond the semiconductor body. If the semiconductor body consists of silicon and a pattern of silicon oxide is applied by local oxidation of the silicon body, a silicon oxide pattern results.

das annähernd über die halbe Dicke in den Siiiciumkör-•per versenkt ist. Daher wird bei einer bevorzugtenalmost half the thickness in the silicon body is sunk. Therefore, in a preferred

Ausführungsform der Herstellung so verfahren, daß vor dem Anbringen des versenkten Musters an der Stelle wenigstens eines Teils des anzubringenden Musters Oberflächenteile des Halbleiterkörpers entfernt werden, so daß Vertiefungen erhalten werden, die sich von der Hauptoberfläche aus über einen Teil der Dicke des Halbleiterkörpers in diesen Halbleiterkörper erstrecken, worauf das Muster durch Umwandlung nicht maskierten Halbleitermaterials in Isoliermaterial angebracht wird, das die Vertiefungen über wenigstens einen Teil der Tiefe füllt. Indem zunächst die Vertiefungen vorgesehen werden, wird ein über einen sehr großen Teil oder sogar über die ganze Dicke versenktes Muster erhalten.Embodiment of manufacture proceed so that before attaching the recessed pattern to the Place at least part of the pattern to be applied away from surface parts of the semiconductor body so that depressions are obtained which extend over part of the thickness from the major surface of the semiconductor body extend into this semiconductor body, whereupon the pattern by conversion is not masked semiconductor material is applied in insulating material, which the recesses over at least fills part of the depth. By first making the indentations are provided, a sunk over a very large part or even over the entire thickness Sample received.

Die Erfindung wird nachstehend an Hand einiger Ausführungsformen und der schematischen Zeichnung näher erläutert, in der
F i g. 1 einen Querschnitt einer AusführungsformThe invention is explained in more detail below with reference to some embodiments and the schematic drawing in which
F i g. 1 shows a cross section of an embodiment

eines Transistors nach der Erfindung,of a transistor according to the invention,

die F i g. 2 und 3 Querschnitte dieses Transistors nach Herstellungsstufen des Verfahrens nach der Weiterbildung der Erfindung,the F i g. 2 and 3 cross sections of this transistor after manufacturing stages of the method according to the Further development of the invention,

F ig. 4 einen Querschnitt längs der Linie IV-IV inFig. 4 shows a cross section along the line IV-IV in FIG

Fig.5 eines Teils einer integrierten Halbleiterschialtung nach einer Ausführungsform des Halbleiterbauelements nach der Erfindung.
F i g. 5 eine Draufsicht auf diese integrierte Halb-5 shows part of an integrated semiconductor circuit according to an embodiment of the semiconductor component according to the invention.
F i g. 5 is a plan view of this integrated half

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leiterschaltung,conductor circuit,

die F i g. 6, 7,8 und 9 Querschnitte dieser integrierten Halbleiterschaltung nach Herstellungsstufen des Verfahrens nach der Weiterbildung der Erfindung,the F i g. 6, 7,8 and 9 cross sections of these integrated Semiconductor circuit according to manufacturing stages of the method according to the development of the invention,

F i g. 10 ein Detail einer abgeänderten Ausführung*- form zu der nach F i g. 4,F i g. 10 a detail of a modified version * - form to that of FIG. 4,

F i g. 11 einen Teil einer integrierten Halbleiterschaltung mit zwei Transistoren mit einer gemeinsamen Kollektorzone nach einer Ausführungsform eines Halbleiterbauelements nach der Erfindung,F i g. 11 part of a semiconductor integrated circuit with two transistors with a common collector zone according to one embodiment Semiconductor component according to the invention,

die F i g. 12, 14, 17, 20 und 21 in Querschnitten Teile anderer Ausführungsformen integrierter Halbleiterschaltungen nach der Erfindung,the F i g. 12, 14, 17, 20 and 21 in cross-sectional parts other embodiments of integrated semiconductor circuits according to the invention,

F i g. 13 ein Detail einer abgeänderten Ausführungsform zu der nach Fi g. 12, F i g. 13 shows a detail of a modified embodiment to that according to FIG. 12,

Fig. 15 im Querschnitt eine integrierte Halbleiterschaltung nach Fig. 14 nach einer Herstellungsstufe des Verfahrens nach der Weiterbildung der Erfindung,15 shows a cross section of a semiconductor integrated circuit 14 after a production stage of the method according to the development of the invention,

F i g. 16 ein Delail einer abgeänderten Ausführnngsform zu der nach Fig. 14 undF i g. 16 a delay of a modified embodiment to that of Fig. 14 and

die Fig. 18 und 19 im Querschnitt eine integrierte Halbleiterschaltung nach Fig. !7 nach Herstellungsstufen des Verfahrens nach der Weiterbildung der Erfindung zeigen.18 and 19, in cross section, an integrated semiconductor circuit according to FIG. 7 after manufacturing stages show the method according to the development of the invention.

Entsprechende Teile der Ausführungsbeispiele des Halbleiterbauelements sind in den verschiedenen Figuren mit den gleichen Bezugsziffern bezeichnet.Corresponding parts of the exemplary embodiments of the semiconductor component are shown in the various figures denoted by the same reference numerals.

Als erste Ausführungsform wild ein Halbleiterbauelement in Form eines Transistors nach der Erfindung erörtert (siehe Fig. 1). Der Transistor enthält einen Halbleiterkörper 1 und ein in diesen Halbleiterkörper versenktes Muster 2 aus Isoliermaterial, das sich über praktisch die ganze Dicke des Musters von der Hauptoberfläche λ des Halbleiterkörpers 1 aus in diesen Halbleiter^ ι per hinein erstreckt. Der Halbleiterkörper 1 hat einen ersten, schichtförmigen Teil 4, der an die Hauptoberfläche 3 grenzt und der weiterhin längs seines ganzen Umfangs und über seine ganze Dicke an einem ersten Teil 5 des versenkten Musters 2 grenzt. In dem schichtförmigen Teil 4 liegt die an die Hauptoberfläche 3 grenzende Basiszone 6 des Transistors. Diese Basiszone 6 grenzt über ihren ganzen Umfang und über ihre ganze Dicke an den ersten Teil 5 des Musters 2. In der Basiszone 6 ist die an die Hauptoberfläche 3 grenzende Emitterzone 7 des Transistors angebracht. Die Kollektorzone 26 enthält einen unter der Basiszone liegenden Teil 8.As a first embodiment, a semiconductor component in the form of a transistor according to the invention is discussed (see FIG. 1). The transistor contains a semiconductor body 1 and a sunk into this semiconductor body pattern 2 of insulating material, which extends over practically the entire thickness of the pattern from the main surface λ of the semiconductor body 1 into this semiconductor ^ ι per into it. The semiconductor body 1 has a first, layer-shaped part 4 which adjoins the main surface 3 and which furthermore adjoins a first part 5 of the recessed pattern 2 along its entire circumference and over its entire thickness. The base zone 6 of the transistor adjoining the main surface 3 lies in the layer-shaped part 4. This base zone 6 adjoins the first part 5 of the pattern 2 over its entire circumference and over its entire thickness. In the base zone 6, the emitter zone 7 of the transistor adjoining the main surface 3 is attached. The collector zone 26 contains a part 8 lying below the base zone.

Bei dem Halbleiterbauelement nach der Erfindung hat der Halbleiterkörper I einen zweiten, schichtförmigen Teil 9, der an die Hauptoberfläche 3 grenzt und neben dem schichtförmigen Teil 4 liegt. Der schichtförmige Teil 9 grenzt über den ganzen Umfang und über die ganze Dicke an einen zweiten Teil 10 des versenkien Musters 2, der gleichzeitig mit dem ersten Teil 5 des Musters 2 angebracht wird. Der zweite, schichtförmige Teil 9 bildet einen an die Hauptoberfläche 3 grenzenden Anschlußteil genannten Teil der Kollektorzone 26, der nur durch einen den beiden erwähnten Teilen 5 und 10 des Musters 2 zugehörenden Teil 11, den Trennungsteil, von dem ersten, schichtenartigen Teil 4 und somit von der Basiszone 6 getrennt ist Der Anschlußteii 9 ist durch einen teilweise unter dem Trennungsteil 11 liegenden Verbindungsteil 12 der Kollektorzone 26 mit dem unter der Basiszone 6 liegenden Teil 8 der Kollek- «orzone 26 verbunden.In the semiconductor component according to the invention, the semiconductor body I has a second, layer-shaped one Part 9, which adjoins the main surface 3 and lies next to the layer-shaped part 4. The layered one Part 9 borders over the entire circumference and over the entire thickness of a second part 10 of the countersunk Pattern 2, which is applied at the same time as the first part 5 of pattern 2. The second, layered Part 9 forms a part of the collector zone 26 called the connection part adjoining the main surface 3, the part 11 belonging only to one of the two mentioned parts 5 and 10 of the pattern 2, the separating part, The connecting part 9 is separated from the first, layer-like part 4 and thus from the base zone 6 by a connecting part 12 of the collector zone 26 partially below the separating part 11 the part 8 of the collector zone 26 lying below the base zone 6.

Der Anschlußteil 9 der Kollektorzone 26 ist mit einer Kontaktzone 13 in Form einer Oberflächenzone des gleichen Leitfähigkeitstyps wie die Kollektorzone 26 versehen. Die Kontaktzone 13 hat die gleiche Dicki und das gleiche Dotierungsprofil wie die Emitterzone ' und läßt sich somit gleichzeitig mit der Emitterzone anbringen. Die Emitterzone des Transistors ist ein hoch dotierte Zone, so wie die Kontaktzone 13. Dk Kontaktzone 13 ermöglicht eine gute elektrische Ver bindung mit der Kollektorzone 26.The connection part 9 of the collector zone 26 is with a contact zone 13 in the form of a surface zone of the the same conductivity type as the collector zone 26 is provided. The contact zone 13 has the same thickness and the same doping profile as the emitter zone and can thus be simultaneously with the emitter zone attach. The emitter zone of the transistor is a highly doped zone, like the contact zone 13. Dk Contact zone 13 enables a good electrical connection to the collector zone 26.

Aus F i g. 1 ist deutlich ersichtlich, daß zum Kontak tieren der Kollektorzone sowie zum Kontaktieren de Emitterzone und der Basiszone keine öffnung in eine dicken, dem Muster zugehörenden Isolierschicht geätz zu werden braucht; da die Kollektorzone 26 in Forn des schichtförmigen Teils 9 in dem Muster aufwärt zum Hauptoberfläche 3 dringt, so daß die Oberflächer der schichtförmigen Teile 4 und 9 praktisch in der glei chen, flachen Ebene der Hauptoberfläche 3 liegen.From Fig. 1 it can be clearly seen that to Kontak animals of the collector zone and to contact de Emitter zone and the base zone no opening is etched into a thick insulating layer belonging to the pattern needs to become; since the collector zone 26 in the form of the layer-shaped part 9 upwards in the pattern penetrates to the main surface 3, so that the surfaces of the layer-shaped parts 4 and 9 practically in the same Chen, flat plane of the main surface 3 lie.

Der erste und der zweite Teil (5 bzw. 10) des Muster: 2 haben die gleiche, homogene Dicke. Dies ist nich stets notwendig oder erwünscht, was an Hand eine weiter unten zu beschreibenden Ausführungsform noch erläutert wird.The first and the second part (5 and 10 respectively) of the pattern: 2 have the same, homogeneous thickness. This is not always necessary or desired, which can be seen in an embodiment to be described below is explained.

Ferner erstrecken sich der erste und der zweite Tei (5 bzw. 10) des Musters 2 homogen über den gleichen Abstand von der Hauptoberfläche 3 im Halbleiterkör per 1. Auch dies ist nicht stets notwendig oder er wünscht, was weiter unten an Hand einer weiteren Ausführungsform noch erläutert wird.Furthermore, the first and the second part (5 and 10, respectively) of the pattern 2 extend homogeneously over the same Distance from the main surface 3 in the semiconductor body per 1. This is not always necessary or he wishes, which will be explained below with reference to a further embodiment.

Der Anschlußteil 9 der Kollektorzone 26 kann den ersten, schichtförmigen Teil 4, also die Basiszone 6 vollständig umgeben.The connection part 9 of the collector zone 26 can form the first, layer-shaped part 4, that is to say the base zone 6 completely surrounded.

Das Muster 2 erstreckt sich im Halbleiterkörper 1 in eine größere Tiefe von der Hauptoberfläche 3 aus als die Basiszone 6. Es ist jedoch auch möglich, daß die Basiszone 6 sich etwas tiefer in den Halbleiterkörper als das Muster 2 erstreckt.The pattern 2 extends in the semiconductor body 1 to a greater depth from the main surface 3 than the base zone 6. However, it is also possible that the base zone 6 extends somewhat deeper into the semiconductor body than the pattern 2 extends.

Nachstehend wird die Herstellung des Transistor durch eine Ausführungsform eines Verfahrens nach de Weiterbildung nach der Erfindung erläutert.The manufacture of the transistor by an embodiment of a method according to de Further development according to the invention explained.

Von einem Halbleiterkörper mit einem Gebiet de einen Leitfähigkeitslyps, das wenigstens örtlich an eine Hauptoberfläche des Halbleiterkörpers grenzt, wird ein erster dieser Hauptoberfläche zugehörender Oberflächenteil, unter dem sich das Gebiet erstreckt, und ein zweiter Oberflächenteil der Hauptoberfläche, an dem das Gebiet anliegt, maskiert. Die beiden Oberflächenteile sind voneinander getrennt.Of a semiconductor body with a region de a conductivity glyps, which is at least locally connected to a The main surface of the semiconductor body is adjacent, a first surface part belonging to this main surface, under which the area extends, and a second surface part of the main surface on which the area is masked. The two surface parts are separated from each other.

In der vorliegenden Ausführungsform wird ein Halbleiterkörper 1 (siehe F i g. 2) verwendet der vollständig dem erwähnten Gebiet zugehört und aus einem Siliciumtragkörper 12 aus einem η-leitenden Einkristall mit einer Dicke von etwa 200 μιη und einem spezifischen Widerstand von etwa 0,01 Ohm · cm besteht auf dessen Oberfläche 15 eine epitaktische η-leitende Siliciümschicht 14 mit einer Dicke von etwa 5μπι und einem spezifischen Widerstand von etwa V2 Ohm · cm angebracht ist. Die Oberfläche der epitaktischen Siliciumschicht 14 ist die Hauptoberfläche 3, deren Teile 3a und 36 durch die Maskierungsschichten 16 und 17 maskiert werden.In the present embodiment, a semiconductor body 1 (see FIG. 2) is used which belongs entirely to the field mentioned and consists of a silicon support body 12 from an η-conductive single crystal with a thickness of about 200 μm and a specific Resistance of about 0.01 ohm · cm consists on the surface 15 of an epitaxial η-conductive silicon layer 14 with a thickness of about 5μπι and one specific resistance of about V2 ohm · cm attached is. The surface of the epitaxial silicon layer 14 is the main surface 3, parts 3a and 3 thereof 36 can be masked by the masking layers 16 and 17.

Die Maskierungsschichten 16 und 17 bestehen au Siliciumnitrid und lassen sich in üblicher bekannte Weise anbringen, z. B. indem zunächst auf der ganzen Oberfläche 3 eine Siliciumnitridschicht durch Oberleitung eines Gemisches aus Wasserstoff. Silan und Am monium bei einer Temperatur von etwa 1000°C ange bracht und darauf diese Nitridschicht örtlich durch 1 zen entfernt wird.The masking layers 16 and 17 are made of silicon nitride and can be applied in a conventionally known manner, e.g. B. by first on the entire surface 3 a silicon nitride layer by overhead conduction of a mixture of hydrogen. Silane and ammonium are applied at a temperature of about 1000 ° C and this nitride layer is then removed locally by 1 zen.

Darauf werden der erste, den ersten OberflächenteiThen the first, the first surface parts

3a vollständig umfassende Teil 5 und der zweite, den zweiten Oberflächenteil 36 umgebende Teil 10 des versenkten Musters 2 aus Isoliermaterial, das sich von der Hauptoberfläche 3 ab im Halbleiterkörper 1 erstreckt, durch Umwandlung des nicht maskierten Halbleitermaterials in Isoliermaterial gleichzeitig angebracht (s. auch F ig. 3).3a completely encompassing part 5 and the second, the second surface part 36 surrounding part 10 of the recessed Pattern 2 made of insulating material, which extends from the main surface 3 in the semiconductor body 1, by converting the unmasked semiconductor material into insulating material attached at the same time (see also Fig. 3).

Durch übliche Oxydation wird das nicht maskierte Silicium in das Muster 2 aus Siliciumoxyd umgewandelt. Es ergibt sich dann jedoch ein Siliciumoxydmuster 2, das sich über nur etwa seine halbe Dicke in den Halbleiterkörper 1 einsenkt Daher werden vor dem Anbringen des Musters 2 an der Stelle dieses Musters Oberflächenteile des Halbleiterkörpers 1 entfernt, so daß Vertiefungen 18 entstehen, die sich von der Hauptoberfläehe 3 über einen Teil der Dicke des Halbleiterkörpers 1 in diesen hinein erstrecken, worauf das Muster 2 durch Umwandlung des nicht maskierten Siliciums in Siliciumoxyd angebracht wird, das die Vertiefungen 18 ausfüllt. Die Vertiefungen 18 haben eine Tiefe von etwa 1 μΐη und das Muster 2 aus Siliciumoxyd hat eine Dicke von etwa 2 μπι.The unmasked silicon is converted into the pattern 2 of silicon oxide by conventional oxidation. However, a silicon oxide pattern 2 then results, which sinks into the semiconductor body 1 over only about half its thickness of the pattern 2 at the point of this pattern removed surface parts of the semiconductor body 1, so that depressions 18 emerge from the main surface 3 extend over part of the thickness of the semiconductor body 1 into this, whereupon the pattern 2 through Conversion of the non-masked silicon into silicon oxide is applied, which fills the depressions 18. The recesses 18 have a depth of about 1 μm and the pattern 2 made of silicon oxide has a thickness of about 2 μπι.

Nach dem Anbringen des Musters 2 hat man einen ersten, schichtförmigen Teil 4 des Halbleiterkörpers 1, der über den ganzen Umfang und über die ganze Dicke an den ersten Teil 5 des Musters 2 grenzt, und einen zweiten, schichtförmigen Teil 9 des Halbleiterkörpers 1, der über den ganzen Umfang und über die ganze Dicke an den zweiten Teil 10 des Musters 2 grenzt.After applying pattern 2 you have one first, layer-shaped part 4 of the semiconductor body 1, which extends over the entire circumference and over the entire thickness adjoins the first part 5 of the pattern 2, and a second, layer-shaped part 9 of the semiconductor body 1, which adjoins the second part 10 of the pattern 2 over the entire circumference and over the entire thickness.

Die schichtförmigen Teile 4 und 9 sind nur durch den den Teilen 5 und 10 zugehörenden Trennungsteil 11 des Musters 2 voneinander getrennt.The layer-shaped parts 4 and 9 are only through the part 5 and 10 associated separation part 11 of the Pattern 2 separated from each other.

Das Muster 2 wird bis zu einer Tiefe in den Halbleiterkörper 1 versenkt, bei der noch ein Teil des Gebietes des einen Leitfähigkeitstyps, dem in der vorliegenden Ausführungsform der ganze Halbleiterkörper 1 angehört, aber dem auch nur ein an die Hauptoberfläche 3 grenzender Oberflächenteil des Halbleiterkörpers 1 zugehören kann, unter dem Trennungsteil 11 liegt.The pattern 2 is sunk into the semiconductor body 1 to a depth at which a part of the area is still of the one conductivity type to which the entire semiconductor body 1 belongs, but also only one surface part of the semiconductor body adjoining the main surface 3 1 can belong, under the separating part 11 is located.

Nach dem Anbringen des Musters 2 werden auf übliche Weise die Siliciumnitridschichten 16 und 17 durch die Siliciumoxydschichten 19 und 20 mit einer Dicks von etwa 0,2 μπι ersetzt.After the pattern 2 has been applied, the silicon nitride layers 16 and 17 are through in the usual way the silicon oxide layers 19 and 20 replaced with a thickness of about 0.2 μm.

Darauf wird durch übliche bekannte Maskierungs- und Diffusionsverfahren in dem ersten, schichtlFörmigen Teil 4 die an den ersten Oberflächenteil 3a grenzende Basiszone 6 angebracht, die über ihren ganzen Umfang an den ersten Teil 5 des Musters 2 grenzt und die mit dem Gebiet (8, 9, 12,13 - siehe F i g. 1) den pn-Übergang 210 bildet. Die piekende Basiszone 6 wird z. B. durch Bordiffusion erhalten und sie hat eine Dicke von etwa 1,8 μιτι und grenzt über ihre ganze Dicke an den ersten Teil 5 des Musters 2. The base zone 6 adjoining the first surface part 3a is then applied by conventional, known masking and diffusion processes in the first, layer-shaped part 4, the base zone 6 adjoining the first part 5 of the pattern 2 over its entire circumference and the area (8, 9 , 12, 13 - see FIG. 1) forms the pn junction 210. The pricking base zone 6 is z. B. obtained by boron diffusion and it has a thickness of about 1.8 μιτι and borders on the first part 5 of the pattern 2 over its entire thickness.

Bei der Basisdiffusion ist eine genaue Maskierungstechnik nicht notwendig, da das Muster 2 als Maske wirksam ist, während die anzubringende Basiszone über ihren ganzen Umfang an das Teil 5 des Musters 2 angrenzen soll.In the case of the base diffusion, an exact masking technique is not necessary, since the pattern 2 is used as a mask is effective, while the base zone to be applied is attached to part 5 of pattern 2 over its entire circumference should adjoin.

Die Emitterzone 7 und die Kollektorkontaktzone 13 werden auf übliche bekannte Weise, z. B. durch Phosphordiffusion, angebracht; sie haben eine Dicke von etwa 1 μπι. Aus dem gleichen Grunde wie bei der Basisdiffusion ist für die Diffusion der Kollektorkontaktzonc keine genaue Maskierung notwendig.The emitter zone 7 and the collector contact zone 13 are in the usual known manner, for. B. by phosphorus diffusion, appropriate; they have a thickness of about 1 μm. For the same reason as with base diffusion, the collector contact zone is for diffusion no exact masking necessary.

Das n-lcitende Gebiet 8, 9, 12, 13, das teilweise an den zweiten Oberflächcnteil 36 grenzt und teilweise unter dem Trennungsteil 11 und unter der Basiszone 6 liegt, bildet die Kollektorzone 26 des Transistors.The n-lcitende area 8, 9, 12, 13, which is partially at the second surface part 36 adjoins and partly below the separation part 11 and below the base zone 6 is, forms the collector zone 26 of the transistor.

Bei dem beschriebenen Verfahren ist es wesentlich, daß die Stelle des Anschlußteiles 9 der Kollektorzone 26 in bezug auf den schichtförmigen Teil 4, also in bezug auf die Basiszone 6, mittels nur eines Maskierungsvorganges, d.h. zum Anbringen des Musters 2 bestimmt wird, so daß diese Bestimmung sehr genau und praktisch ohne Toleranzen erfolgt, wodurch Raum erspart wird. Der Abstand zwischen den Zonen 6 und 13 beträgt etwa 10 μπι.In the method described, it is essential that the location of the connection part 9 of the collector zone 26 with respect to the layer-shaped part 4, that is to say with respect to the base zone 6, by means of only one masking process, i.e. for applying the pattern 2 so that this determination is made very precisely and with practically no tolerances, which saves space will. The distance between zones 6 and 13 is approximately 10 μm.

Es sei bemerkt, daß einfachheitshalber in den F i g. 1 bis 3 Unterätzen und Unteroxydieren nicht berücksichtigt ist. Tatsächlich erstrecken sich die Vertiefungen 18 und das Muster 2 seitlich etwas unter der Maske 16,17.It should be noted that for the sake of simplicity in FIGS. 1 until 3 underetching and underoxidizing are not taken into account. In fact, the recesses 18 extend and the pattern 2 laterally somewhat under the mask 16, 17.

Die Zonen 6, 7 und 13 werden auf übliche bekannte Weise mit einer Basiskontaktschicht 21, einer Emitterkontaktschicht 22 bzw. einer Kollektorkontaktschicht 23 versehen, dte z. B. aus einer Aluminiumschicht bestehen. Die Metsllschichten 21 und 22 erstrecken sich bis über das Muster 2 und mit den auf dem Muster liegenden Teilen dieser Metallschichten ist eine Anschlußleitung verbunden, was in der Figur nur für die Basiskontaktschicht 21 dargestellt ist (s. die Anschlußleitung 24). Die Metallschicht 23 liegt praktisch vollständig auf der Kontaktzone 13 der Kollektorzone 26 und mit dieser Metallschicht 23 ist eine Anschlußleitung 25 verbunden. Die Kontaktzone 13 kann auch kleiner ausgebildet werden, wobei die Metallschicht 23 sich über das Muster 2 erstreckt und über diesem Muster 2 mit der Anschlußleitung 25 verbunden ist.The zones 6, 7 and 13 are in the usual known manner with a base contact layer 21, an emitter contact layer 22 or a collector contact layer 23, dte z. B. consist of an aluminum layer. The Metsllschichten 21 and 22 extend up to the pattern 2 and with those lying on the pattern A connection line is connected to parts of these metal layers, which in the figure only applies to the base contact layer 21 is shown (see the connecting line 24). The metal layer 23 is practically completely on the Contact zone 13 of collector zone 26 and a connecting line 25 is connected to this metal layer 23. The contact zone 13 can also be made smaller, the metal layer 23 extending over the pattern 2 and is connected to the connecting line 25 via this pattern 2.

Senkrecht zum Muster 2 gesehen, haben die unterschiedlichen Zonen und Teile des Transistors die bei einem Transistor üblichen Abmessungen; die Kollektorkontaktzone 13 mit der darauf liegenden Kollektorkontaktschicht 23 hat die für eine Kontaktschicht aus Metall üblichen Abmessungen.Seen perpendicular to pattern 2, the different zones and parts of the transistor have the same as a transistor usual dimensions; the collector contact zone 13 with the collector contact layer lying on it 23 has the usual dimensions for a contact layer made of metal.

Die Basiszone 6 kann vor dem Anbringen des Musters 2 angebracht werden, wobei während des Anbringes des Musters 2 der verbleibende Teil des Halbleiterkörpers 1 das Gebiet des einen Leitfähigkeitstyps bildet, das nicht an den von der Basiszone 6 gebildeten Oberflächenteil der Hauptoberfläche 3 grenzt, sondern sich unter diesem Oberflächenteil erstreckt.The base zone 6 can be applied before the pattern 2 is applied, and during the application of the pattern 2 the remaining part of the semiconductor body 1 forms the region of one conductivity type, which does not adjoin the surface part of the main surface 3 formed by the base zone 6, but rather extends below this surface part.

Es wird nachstehend eine Ausführungsform eines Halbleiterbauelements mit einem in eine Halbleiterschaltung integrierten Transistor Tan Hand der F i g. 4 und 5 erläutert.An embodiment of a Semiconductor component with a transistor integrated in a semiconductor circuit Tan Hand of FIG. 4th and 5 explained.

Das Muster 2 aus Isoliermaterial erstreckt sich von der Hauptoberfläche 3 aus in den Halbleiterkörper 1 über einen Teil der Dicke dieses Halbleiterkörpers. Der erste schichtförmige Teil 4 des Halbleiterkörpers 1 liegt über seinen ganzen Umfang und über die ganze Dicke an dem ersten Teil 5 des versenkten Musters 2 an. In dem Teil 4 ist die an die Hauptoberfläche 3 grenzende Basiszone 6 des Transistors T angebracht, die über ihren ganzen Umfang und über ihre ganze Dicke an den Teil 5 des Muslers 2 grenzt, und in dieser Basiszone ist die an die Hauptoberfläche 3 grenzende Emitterzone 7 angebracht. Die Kollektorzone 26 enthält einen unter der Basiszone 6 liegenden Teil 8.The pattern 2 of insulating material extends from the main surface 3 into the semiconductor body 1 over part of the thickness of this semiconductor body. The first layer-shaped part 4 of the semiconductor body 1 rests against the first part 5 of the countersunk pattern 2 over its entire circumference and over the entire thickness. In the part 4 the base zone 6 of the transistor T adjoining the main surface 3 is attached, which adjoins the part 5 of the musler 2 over its entire circumference and over its entire thickness, and the emitter zone 7 adjoining the main surface 3 is in this base zone appropriate. The collector zone 26 contains a part 8 lying below the base zone 6.

Neben dem ersten schichtförmigen Teil 4 liegt ein zweiter schichtförmiger Teil 9 des Halbleiterkörpers 1, der über den ganzen Umfang und über die ganze Dicke an den zweiten Teil 10 des versenkten Musters 2 grenzt. Der zweite schichtförmige Teil 9 bildet einen an die Hauptoberfläche 3 grenzenden Anschlußteil der Kollektorzone 26, der nur durch den den Teilen 5 und 10 des versenkten Musters 2 zugehörenden Trennungs-Next to the first layer-shaped part 4 is a second layer-shaped part 9 of the semiconductor body 1, over the entire circumference and over the entire thickness of the second part 10 of the countersunk pattern 2 borders. The second layer-shaped part 9 forms a connecting part adjoining the main surface 3 of the Collector zone 26, which is only created by the separation zone belonging to parts 5 and 10 of the recessed pattern 2

2121

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teil 11 von dem ersten, schichtförmigen Teil 4 und somit von der Basiszone 6 getrennt ist. Der Anschlußteil 9 ist durch den teilweise unter dem Trennungsteil 11 liegenden Verbindungsteil 32 mit dem unter der Basiszone 6 liegenden Teil 8 der Kollektorzone 26 verbunden. part 11 of the first, layer-shaped part 4 and thus is separated from the base zone 6. The connection part 9 is through the partially below the separation part 11 lying connecting part 32 is connected to the part 8 of the collector zone 26 lying below the base zone 6.

Die Teile 5 und 10 des Musters haben die gleiche, homogene Dicke (quer zur Hauptoberfläche 3 gemessen) und erstrecken sich homogen über den gleichen Abstand von der Hauptoberfläche 3 im Halbleiterkörper 1.Parts 5 and 10 of the pattern have the same, homogeneous thickness (measured across the main surface 3) and extend homogeneously over the same distance from the main surface 3 in the semiconductor body 1.

Die Oberflächen 3a und 3b der schichtförmigen Teile 4 und 9 liegen praktisch in der gleichen flachen Ebene der Hauptoberfläche 3.The surfaces 3a and 3b of the layer-shaped parts 4 and 9 are practically in the same flat plane of the main surface 3.

Die Kollektorzone 26 ist mit einer im Anschlußteil 9 liegenden Kollektorkontaktzone 13 mit der gleichen Dicke und dem gleichen Dotierungsprofil wie die Emitterzone 7 versehen. Die Kollektorkontaktzone 13 grenzt über den ganzen Umfang und über die ganze Dicke an den zweiten Teil 10 des Musters 2 und ist nur durch den Trennungsteil 11 von der Basiszone 6 getrennt. Mit den Zonen 6, 7 und 13 sind die Kontaktschichten 21,22 und 23 aus Metall verbunden.The collector zone 26 is in the connection part 9 with a collector contact zone 13 with the same Thickness and the same doping profile as the emitter zone 7 provided. The collector contact zone 13 adjoins the second part 10 of the pattern 2 over the entire circumference and over the entire thickness and is only separated from the base zone 6 by the separation part 11. With zones 6, 7 and 13 are the contact layers 21, 22 and 23 made of metal.

In dieser AusfiJhrungsform enthält der Halbleiterkörper eine Anzahl vi.ii Schaltungselementen, unter anderem den Transistor T, die sich in einer Anzahl an die Hauptoberfläche 3 grenzender, voneinander getrennter Halbleitergebiete (6,7,26), 40 bis 49, Inseln genannt, befinden. In this embodiment, the semiconductor body contains a number of vi.ii circuit elements, including the transistor T, which are located in a number of separated semiconductor regions (6, 7, 26), 40 to 49, called islands, which adjoin the main surface 3.

Die Fig.4 und 5 zeigen einfachheitshalber nur die Inseln (6, 7, 26) und 40 vollständig. Weiterhin sind deutlichkeitshalber in F i g. 5 die Inseln bedeckende Isolierschichten und mit Halbleiterzonen verbundene Kontaktschichten weggelassen, wobei die Öffnungen für die Kontaktschichten in den Isolierschichten mit gestrichelien Linien angedeutet sind.For the sake of simplicity, FIGS. 4 and 5 only show the Islands (6, 7, 26) and 40 complete. Furthermore, for the sake of clarity, FIG. 5 insulating layers covering the islands and contact layers connected to semiconductor zones are omitted, the openings for the Contact layers in the insulating layers are indicated with dashed lines.

Das Schaltungselement in der Insel 40 ist ein Widerstandselement R, das eine mit den Kontaktschichten 51 und 52 versehene Oberflächenzone 50 enthält. Die Oberflächenzone 50 hat den gleichen Leilfähigkeitstyp wie die Basiszone 6, und diese Zonen haben weiterhin das gleiche Dotierungsprofil und die gleiche Dicke.The circuit element in the island 40 is a resistance element R which contains a surface zone 50 provided with the contact layers 51 and 52. The surface zone 50 has the same conductivity type as the base zone 6, and these zones continue to have the same doping profile and the same thickness.

Zwischen den Inseln befinden sich Isolierzonen, die durch die Inseln umgebende Teile, Isolierteile genannt, des versenkten Musters gebildet werden. Die Insel (6, 7, 26) wird von dem Isolierteil 53 und die Insel 40 wird von dem Isolierteil 54 des versenkten Musters 2 umgeben. There are isolating zones between the islands, the parts surrounding the islands, called isolating parts, of the recessed pattern. The island (6, 7, 26) is surrounded by the insulating part 53 and the island 40 is surrounded by the insulating part 54 of the recessed pattern 2.

Der erste Teil 5 unrt der zweite Teil 10 des Musters 2 bilden dabei nicht nur den Trennungsteil 11, sondern auch einen die Basiszone 6 und den Anschlußteil 9 der Kollektorzone 26 gemeinsam umgebenden Isolierleil 53, der eine den Transistor T umgebende Isolierzone bildet.The first part 5 and the second part 10 of the pattern 2 not only form the separating part 11, but also an insulating part 53 which jointly surrounds the base zone 6 and the connection part 9 of the collector zone 26 and which forms an insulating zone surrounding the transistor T.

Der Halbleiterkörper 1 enthält einen Halbleitertragkörper 55 und eine darauf angebrachte, an die Hauptobeirflächc 3 grenzende, epitaktische Schichi. 56, die durch die Isolierzonen, wie die Zonen 53 und Ü4, in den Inseln (6, 7, 26) und 40 bis 49 zugehörende Teile aufgeteilt ist. Der Halbleitertragkörper 55 hat ein Substrat 57, gegen welches die Inseln durch einen pn-Übcrgang isoliert sind. Die Insel (6, 7,26) wird durch den pn-Übcrgang 58 und die Insel 40 wird durch den pn-übergang 59 gegen das Substrat 57 isoliert.The semiconductor body 1 contains a semiconductor support body 55 and one attached to the main surface 3 contiguous, epitaxial shichi. 56, which by the isolation zones, such as zones 53 and Ü4, in the Islands (6, 7, 26) and 40 to 49 associated parts is divided. The semiconductor support body 55 has a substrate 57, from which the islands are isolated by a pn junction. The island (6, 7, 26) is created by the pn junction 58 and the island 40 is isolated from the substrate 57 by the pn junction 59.

D'ie Kollektorzone 26 des Transistors T bildet den isolierenden pn-Übcrgang 58 mit den Substrat 57 und enthält einen in der epitaktischen Schicht 56 liegenden Teil 8. 9 und einen im Halblcitcrtragkörpcr '»5 liegenden Teil 32, den begrabenen Teil genannt. Der begrabene Teil 32 liegt teilweise unter dem Trennungsteil 11 des versenkten Musters 2 und bildet den Verbindungsteil der Kollektorzone 26.The collector zone 26 of the transistor T forms the insulating pn junction 58 with the substrate 57 and contains a part 8, 9 located in the epitaxial layer 56 and a part 32 located in the half-metal support body, called the buried part. The buried part 32 lies partially under the separating part 11 of the recessed pattern 2 and forms the connecting part of the collector zone 26.

Das versenkte Muster besteht aus durch Umwandlung von Halbleitermaterial des Halbleiterkörpers 1 gebildetem Isoliermaterial.The recessed pattern consists of one formed by converting semiconductor material of the semiconductor body 1 Insulating material.

Der Transistor T wird auf ähnliche Weise wie der Transistor nach F i g. 1 erhalten.The transistor T is made in a manner similar to that of the transistor of FIG. 1 received.

Von einem Siliciumkörper 1 (siehe F i g. 6) mit einem an die Hauptoberfläche 3 grenzenden n-leiienden Gebiet 69 werden die voneinander getrennten Oberflächenteile 3a und 36 der Hauptoberfläche 3 durch auf übliche bekannte Weise angebrachte Siliciumnitridschichten 60 und 61 maskiert. Ein erster Teil 5 (s. auch F i g. 7), der den Oberflächenteil 3a umgibt, und ein zweiter Teil 10, der den Oberflächenteil 3b umgibt, des versenkten Musters 2 werden gleichzeitig dadurch angebracht, daß auf übliche bekannte Weise nicht maskiertes Silicium in isolierendes Siliciumoxyd, z. B. durch Überleitung von Wasserdampf bei einer Temperatur von etwa 1000⁰C, umgewandelt wird. Die schichtförmigen Teile 4 und 9 des Halbleiterkörpers, die über den ganzen Umfang und über die ganze Dicke an die Teile 5 und 10 des Musters 2 grenzen, sind dann hergestellt. Die schichtförmigen Teile 4 und 9> sind nur durch den Trennungsteil 11 voneinander getrennt, der dem ersten Teil 5 und dem zweiten Teil 10 des Musters 2 zugehört.From a silicon body 1 (see FIG. 6) with an n-conducting region 69 adjoining the main surface 3, the mutually separated surface parts 3a and 36 of the main surface 3 are masked by silicon nitride layers 60 and 61 applied in a conventionally known manner. A first part 5 (see also Fig. 7), which surrounds the surface part 3a, and a second part 10, which surrounds the surface part 3b , of the recessed pattern 2 are applied simultaneously by using silicon which is not masked in the usual known manner in insulating silicon oxide, e.g. B. by transferring water vapor at a temperature of about 1000 ⁰ C, is converted. The layer-shaped parts 4 and 9 of the semiconductor body, which adjoin the parts 5 and 10 of the pattern 2 over the entire circumference and over the entire thickness, are then produced. The layer-shaped parts 4 and 9> are only separated from one another by the separating part 11, which belongs to the first part 5 and the second part 10 of the pattern 2.

Das Muster 2 wird in den Halbleiterkörper 1 bis zu einer Tiefe von der Hauptoberfläche 3 aus versenkt, bei der noch ein Teil 32 des Gebietes 69 unter dem Trennungsteil 11 liegt.The pattern 2 is sunk into the semiconductor body 1 to a depth from the main surface 3, at which is still a part 32 of the area 69 under the separation part 11.

Um das Muster 2 praktisch über die ganze Dicke in den Halbleiterkörper 1 zu versenken und um auf diese Weise eine praktische flache Oberfläche des Halbleiterbauelements zu erzielen, werden vor der Oxydationsbehandlung zum Erzielen des Musters 2 aus Siliciumoxyd unter Verwendung der Nitridschichten als Ätzmasken Vertiefungen 62 geätzt, die sich im Halbleiterkörper 1 in eine Tiefe ~on der Hauptoberfläche 3 aus erstrecken, die annähernd die Hälfte der Tiefe ist, bis zu der das anzubringende Muster 2 sich im Halbleiterkörper 1 erstrecken soll, worauf das Muster 2 durch eine Oxydationsbehandlung angebracht w>rd, wobei die Vertiefungen 62 sich mit Siliciumoxyd ausfüllen. In order to countersunk the pattern 2 practically over the entire thickness in the semiconductor body 1 and in order to this Way to achieve a practical flat surface of the semiconductor device are prior to the oxidation treatment to obtain the pattern 2 of silicon oxide using the nitride layers as Etching masks, depressions 62 are etched, which are located in the semiconductor body 1 to a depth on the main surface 3 extend from which is approximately half the depth to which the pattern 2 to be applied is in the semiconductor body 1 should extend, whereupon the pattern 2 w> rd applied by an oxidation treatment, the depressions 62 filling up with silicon oxide.

Nach dem Anbringen des Musters 2 werden die SiIiciumnitridschichten 60 und 61 durch Siliciumoxydschichten 63 und 64 ersetzt und durch übliche Maskierungs- und Diffusionsverfahren werden die p-leitende Basiszone 6, die η-leitende Emitterzone 7 und die n-leitende Kollektorkontaktzone 13 durch Diffusion von Bor bzw. Phosphor angebracht, wobei die Zonen 7 und 13 gleichzeitig angebracht werden können.After applying the pattern 2, the silicon nitride layers 60 and 61 replaced by silicon oxide layers 63 and 64 and replaced by conventional masking and diffusion methods become the p-type base region 6, the η-type emitter region 7 and the n-type Collector contact zone 13 attached by diffusion of boron or phosphorus, the zones 7 and 13 can be attached at the same time.

Die Basiszone 6 bildet mit dem Teil 26 des Gebietes 69 einen pn-Übergang 210.The base zone 6 forms a pn junction 210 with the part 26 of the region 69.

Dieser Teil, der teilweise an den zweiten Oberflächenteil 3/j grenzt und teilweise unter dem Trennungsteil 11 und unter der Basiszone 6 liegt, bildet die Kollektorzone 26 des Transistors T. This part, which partly borders on the second surface part 3 / j and partly lies below the separation part 11 and below the base zone 6, forms the collector zone 26 of the transistor T.

Bei dieser Ausführungsform wird ein Halbleiterkörper 1 verwendet, dessen n-lcitendes Gebiet 69 (siehe Fig.6) an die ganze Hauptoberfläche 3 grenzt und durch einen pn-Übcrgang 66 gegen ein unter dem Gebiet 69 liegendes p-leitendcs Substrat 57 isoliert ist. Das Gebiet 69 wird in nebeneinanderlicgende Inseln (6, 7 26) und 40 bis 49 (s. auch die F i g. 7 und 5) dadurch aufgeteilt, daß im Gebiet 69 Isolierzonen aus TeilerIn this embodiment, a semiconductor body 1 is used, the n-containing region 69 of which (see FIG Fig. 6) borders on the entire main surface 3 and is insulated by a pn junction 66 from a p-conductive substrate 57 located below the region 69. The Area 69 is thereby divided into adjacent islands (6, 7, 26) and 40 to 49 (see also FIGS. 7 and 5) divided that in the area 69 isolation zones from divider

Isoliermaterial (Isolierteile genannt) des Musters 2 angebracht werden, die sich an die Isolierung auf der Substratseite anschließen. Siehe die Isolierteile 53 und 54 in den F i g. 7,4 und 5 rings um die Inseln (6,7,26) und 40.Insulating material (called insulating parts) of the pattern 2 must be attached, which is attached to the insulation on the substrate side connect. See insulating parts 53 and 54 in FIGS. 7,4 and 5 around the islands (6,7,26) and 40.

Die Isolierzonen werden somit gleichzeitig mit dem Muster 2 als Teile dieses Musters erhalten. Dabei wird der die Basiszone 6 und den Anschlußteil 9 der Kollektorzone 26 gemeinsam umgebende Teil 53, der dem ersten Teil 5 und dem zweiten Teil 10 des versenkten Musters 2 zugehört, in Form eines Isolierteils, in dieser Aüsführungsform somit in Form einer Isolierzone ausgebildet, die den Transistor rumgibt.The isolation zones are thus obtained simultaneously with the pattern 2 as parts of this pattern. It will the base zone 6 and the connection part 9 of the collector zone 26 together surrounding part 53, the first Part 5 and the second part 10 of the recessed pattern 2, in the form of an insulating part, in this Embodiment thus designed in the form of an insulating zone that surrounds the transistor.

Außer der anzubringenden Insel (6, 7, 26). die während dos Anbringens des Musters 2 mittels der Siliciumnitridschichten 60 und 61 (siehe F i g. 6) maskiert wird, werden auch die übrigen zu bildenden inseln während des Anbringes des Musters 2 durch Umwandlung nicht maskierten Halbleitermaierials vor dieser Umwandlung geschützt. Die zu bildende Insel 40 z. B. wird mittels der Siliciumnitridschicht 65 vor Oxydation geschützt. Nach dem Anbringen des Musters 2 werden alle Maskierungsschichten durch Siliciumoxydschichten ersetzt, wobei die Siliciumnitridschicht 65 durch die Siliciumoxydschicht 67 ersetzt wird.Except for the island to be attached (6, 7, 26). the during the application of the pattern 2 is masked by means of the silicon nitride layers 60 and 61 (see FIG. 6), the remaining islands to be formed will not be converted during the application of pattern 2 either masked semiconductor material protected from this transformation. The island to be formed 40 z. B. is by means of the silicon nitride layer 65 protected from oxidation. After applying the pattern 2 will be all masking layers are replaced by silicon oxide layers, with silicon nitride layer 65 being replaced by silicon oxide layer 67 is replaced.

Die p-leitende Zone 50 des Widerstandsclements R (s. die Fig.4 und 5) wird durch Bordiffusion erhalten, die gleichzeitig mit der Diffusion zum Erzielen der Basiszone 6 durchgeführt wird.The p-conducting zone 50 of the resistance element R (see FIGS. 4 and 5) is obtained by boron diffusion, which is carried out simultaneously with the diffusion to achieve the base zone 6.

Der Halbleiterkörper 1 mit dem η-leitenden Gebiet 69 wird dadurch erhalten, daß von einem Halbleitertragkörper 55 (siehe F i g. 8) aus p-leitendem Silicium mit einem spezifischen Widerstand von etwa 2 Ohm-cm und einer Dicke von etwa 200 μηι ausgegangen wird, und daß auf einer Oberfläche dieses Siliciumtragkörpers 55, die Träger-Oberfläche 68 genannt, eine n-leitende epitaktische Siliciumschicht 56 mit einem spezifischen Widerstand von etwa 0,2 Ohm ■ cm und einer Dicke von etwa 2 μηι (siehe F i g. 9) angebracht wird.The semiconductor body 1 with the η-conductive region 69 is obtained by a semiconductor support body 55 (see Fig. 8) made of p-type silicon with a resistivity of about 2 ohm-cm and a thickness of about 200 μm is assumed, and that on one surface of this silicon support body 55, called the support surface 68, an n-type conductor epitaxial silicon layer 56 having a resistivity of about 0.2 ohm · cm and a Thickness of about 2 μm (see FIG. 9) is attached.

Dabei wird der Siliciumtragkörper 55 mit einer an die Träger-Oberfläche 68 grenzenden n-leinenden Oberflächenzone 32.7 z. B. durch Arsendiffusion (siehe F i g. 8) versehen, d'e unter dem anzubringenden Trennungsteil 11 (siehe F i g. 7) des Musters 2 liegt und von der zu bildenden, den Transistor rumgebenden Isolierzone 53 umgeben wird, worauf die epitaktische Sichicht 56 angebracht wird. Der Siliciumtragkörper 55 enthält somit das p-leitende Substrat 57 und den n-leiicnden begrabenen Teil 32, der gemeinsam mit der epitaktischen η-leitenden Schicht 56 das η-leitende Gebiet 69 bildet. Der begrabene Teil 32 hat eine Dick von etwa 5 um. Aus dem begrabenen Teil 32 kann etwas Arsen in die epitaktische Schicht 56 diffundieren, was in F i g. 9 durch eine gestrichelte I.r.iie angedeutet ist.In this case, the silicon support body 55 is provided with an n-line end adjacent to the support surface 68 Surface zone 32.7 e.g. B. provided by arsenic diffusion (see Fig. 8), d'e under the separating part to be attached 11 (see FIG. 7) of the pattern 2 and of the insulating zone to be formed surrounding the transistor 53 is surrounded, whereupon the epitaxial layer 56 is applied. The silicon support body 55 contains thus the p-conductive substrate 57 and the n-conductive substrate buried part 32 which, together with the epitaxial η-conductive layer 56, forms the η-conductive region 69 forms. The buried part 32 has a thickness of about 5 µm. From the buried part 32, some arsenic can be in diffuse the epitaxial layer 56, which is shown in FIG. 9 is indicated by a dashed I.r.iie.

Das Muster 2 wird bis zu einer Tiefe größer als die Dicke der epitaktischen Schicht 56 in den Halbleiterkörper 1 versenkt, z. B. bis zu einer Tiefe von 2,1 bis 2,2 μηι von der Hauptoberfläche 3 aus.The pattern 2 becomes larger to a depth than the thickness of the epitaxial layer 56 in the semiconductor body 1 sunk, e.g. B. up to a depth of 2.1 to 2.2 μm from the main surface 3.

Die maskierenden Siliciumnilridschichten 60, 61 und 65 haben eine Dicke von etwa 0,2 μιη und lassen sich durch Überleitung eines Gemisches aus Wasserstoff, Silan und Ammonium bei einer Temperatur von etwa 1000"C anbringen. Diese Schichten werden auf übliche Weise durch Siliciumoxydschichten 63. 64 und 67 mit einer Dicke von etwa 0,2 μηι ersetzt.The masking silicon nitride layers 60, 61 and 65 have a thickness of about 0.2 μm and can by passing a mixture of hydrogen, silane and ammonium at a temperature of about 1000 "C. These layers are in the usual way by silicon oxide layers 63, 64 and 67 with a thickness of about 0.2 μm.

Die Basiszone 6 und die Widerstandszonc 50 haben eine Dicke von etwa I μιη und die Emitterzone 7 und die Kolleklorkontakt/.onc 13 haben eine Dicke von etwa 0,6 μιη. In F i g. 5 sind die Abmessungen der Basiszone 6 etwa 45 χ 30 μπι, die der Emitterzone etwa 20 χ 20 μιη, die der Koüekiorkontakizonc 13 etwa 20 χ 30 μιη und die Breite B der Isolierteile 53 und 54 und des Trenmingsteils 11 ist etwa 10 bis 15 μιη.The base zone 6 and the resistance zone 50 have a thickness of approximately 1 μm and the emitter zone 7 and the collector contact / .onc 13 have a thickness of approximately 0.6 μm. In Fig. 5, the dimensions of the base zone 6 are about 45 χ 30 μm, those of the emitter zone about 20 χ 20 μm, those of the Koüekiorkontakizonc 13 about 20 χ 30 μm and the width B of the insulating parts 53 and 54 and the separating part 11 is about 10 to 15 μm .

Da das p-leitende Substrat 57 verhältnismäßig hochohinig ist (2 Ohm · cm), können im Substrat 57 an das Muster 2 grenzende, leitende Kanäle auftreten, die die Inseln miteinander verbinden. Diese Kanäle lassen sich dadurch vermeiden, daß die p-Typ-Dotierung im Substrat 57 unter dem Muster 2 vergrößert wird, was in den F i g.4, 6, 7 und 9 durch die Zonen 71 angedeutet ist, die durch Bordiffusion in die Zonen 71a des Siliciumtragkörpers 55 (s. F i g. 8) erhalten werden. Es kann auch ein Siliciumtragkörper 55 gewählt werden, der niederohmig ist und einen spezifischen Widerstand von z. B. 0,02 Ohm ■ cm aufweisi, wodurch jedoch eine niedrige Durchschlagspannung der pn-Übergänge 58 und 59 (siehe F i g. 4) auftritt.Since the p-conductive substrate 57 has a relatively high ohmic surface (2 ohm · cm), conductive channels which adjoin the pattern 2 and connect the islands to one another can occur in the substrate 57. These channels can be avoided by increasing the p-type doping in the substrate 57 under the pattern 2, which is indicated in FIGS Zones 71a of the silicon support body 55 (see FIG. 8) are obtained. It is also possible to choose a silicon support body 55 which is of low resistance and has a specific resistance of z. B. 0.02 ohm · cm aufweisi, which, however, a low breakdown voltage of the pn junctions 58 and 59 (see Fig. 4) occurs.

Eine andere Möglichkeit ist in Fig. 10 dargestellt, die einfachheitshalber nur einen Teil des Halbleiterbauelements darstellt, entsprechend dem linken Teil der F i g. 4. Das Muster 2 erstreckt sich nicht bis in das Substrat 57, sondern nur bis in das Verarmungsgebict 73 des pn-Übcrgangs 66, das durch die gestrichelte Linie 74 umrahmt wird. Dieses Verarmungsgebiet 73 tritt im Betrieb des Halbleiterbauelements bei einer üblichen Spannung in der Sperrichtung des pn-Überganges 66 auf. Im Betrieb schließt dieses Verarmungsgebiet die Isolierung zwischen den Inseln.Another possibility is shown in FIG. 10, which for the sake of simplicity only shows part of the semiconductor component represents, corresponding to the left part of FIG. 4. Pattern 2 does not extend into that Substrate 57, but only as far as the depletion area 73 of the pn junction 66, which is indicated by the dashed line 74 is framed. This depletion region 73 occurs during the operation of the semiconductor component in a conventional manner Voltage in the reverse direction of the pn junction 66. In operation, this impoverished area closes the Isolation between the islands.

Die Basiszone 6 kann in den beschriebenen Ausführungsformen auch vor dem Anbringen des Musters 2 angebracht werden.In the embodiments described, the base zone 6 can also be used before the pattern 2 is applied be attached.

Fig. 11 zeigt einen Transistor Γι der gleichen Art wie den Transistor Γ nach den Fig.4 und 5. Dieser Transistor Ti hat jedoch eine Kollektorzone 26 gemeinsam mit einem Transistor T2, der zu dem Transistor Trier F i g. 4 und 5 identisch ist. In diesem Aufbau des Halbleiterbauelements gehört der Teil 53 des Musters 2, der die Basiszone 6 und den Anschlußteil 9 der Kollektorzone des Transistors Γι gemeinsam umgibt, nicht vollständig einer Isolierzone zu, da der Teil 75 des Teiles 53 auch als Trennungsteil zwischen dem Anschlußteil 9 der Kollektorzone und der Basiszone 6 des Transistors T2 dient.11 shows a transistor Γι of the same type as the transistor Γ according to FIGS. 4 and 5. However, this transistor Ti has a collector zone 26 in common with a transistor T2, which is connected to the transistor Trier F i g. 4 and 5 is identical. In this construction of the semiconductor component, the part 53 of the pattern 2, which surrounds the base zone 6 and the connection part 9 of the collector zone of the transistor Γι together, does not completely belong to an insulating zone, since the part 75 of the part 53 also acts as a separating part between the connection part 9 of the Collector zone and the base zone 6 of the transistor T2 is used.

Fig. 12 zeigt im Schnitt einen Teil einer Ausführungsform eines Halbleiterbauelements nach der Erfindung, die nur darin von der nach den F i g. 4 und 5 abweicht, daß die Isolierzonen (2, 76) Zonen des gleichen Leitfähigkeitstyps wie das Substrat 57 enthalten, die zwischen dem Substrat 57 und den Isolicrteilen 53 und 54 der Isolierzonen (2, 76) liegen. Die Zonen 76 haben somit p-Lcilfähigkeit.Fig. 12 shows in section part of an embodiment of a semiconductor component according to the invention, which is only used therein from the according to FIGS. 4 and 5 differ, that the isolation zones (2, 76) contain zones of the same conductivity type as the substrate 57, the lie between the substrate 57 and the insulating parts 53 and 54 of the insulating zones (2, 76). The zones 76 have thus p-oil capacity.

Die Herstellung des Halbleiterbauelements nach Fig. 12 weicht nur geringfügig von dem Halbleiterbauelement nach den F i g. 4 und 5 ab.The production of the semiconductor component according to FIG. 12 differs only slightly from the semiconductor component according to the F i g. 4 and 5.

In an die T, äger-Oberfläche 68 (siehe F i g. 8) grenzenden Oberflächenzonen 71,7 des Siliciumtragkörpers 55, die unter den zu bildenden Isoliertcilen 53, 54 liegen wird /.. B. durch Bordiffusion die Konzentration p-Leitfähigkeit hervorrufender fremdstoffe erhöht. Daraul wird die η-leitende epitaktische Schicht 56 (s. auch Fig. 12) angebracht und durch Diffusion von Fremdstoffen aus den Zonen 71;i in die epitaktische Schicht 56 werden die in der epitaktischen Schicht 56 liegenden und den Isolierzonen (2, 76) zugehörenden, an das Substrat 57 grenzenden Zonen 76 mit p-Leilfahigkeil erhallen. Das Muster 2 wird nur über einen Teil der Dikke der enilaktischen Schicht 56 in diese Schicht ver-In adjoining the T, ager surface 68 (see FIG. 8) Surface zones 71, 7 of the silicon support body 55, which lie under the insulating tiles 53, 54 to be formed is / .. B. by boron diffusion, the concentration of p-conductivity causing foreign substances is increased. Daraul the η-conductive epitaxial layer 56 (see also FIG. 12) is applied and by diffusion of foreign matter the zones 71; i in the epitaxial layer 56 become those lying in the epitaxial layer 56 and zones 76, which belong to the insulating zones (2, 76) and adjoin the substrate 57, have a p-type wedge. The pattern 2 is only applied over part of the thickness of the enilactic layer 56 into this layer.

senkt und die !solierzonen (2, 76) werden nur nahe der Hauptobeifläche 3 durch die Isolierteile Sl und 54 des versenkten Musters 2 gebildet.lowers and the! solierzonen (2, 76) are formed only near the Hauptobeifläche 3 through the insulating parts and Sl 54 of the sunken pattern. 2

Die Zonen 76 grenzen an das Muster 2. Eine weitere Möglichkeit liegt darin, daß das Muster 2 nicht bis zu den Zonen 76 in den Halbleiterkörper 1, sondern nur bis zum Verarmungsgebiet 78 des pn-Übergangs 77 versenkt wW, der das Substrat 57 und die Zonen 76 begrenzt. F i g^ 13 zeigt nur einen Teil des Halbleiterbauelements entsprechend dem linken Teil der F i g. 12. Das Verarmungsgebie! 78 zwischen dem pn-übergang 77 und der gestrichelten Linie 80 tritt im Betrieb bei einer üblichen Spannung in der Sperrichtung über dem pn-Übergang 77 auf.The zones 76 adjoin the pattern 2. Another possibility is that the pattern 2 is not up to the zones 76 in the semiconductor body 1, but only up to the depletion region 78 of the pn junction 77 sunk wW, of the substrate 57 and the zones 76 limited. FIG. 13 shows only part of the semiconductor component corresponding to the left part of FIG. 12. The impoverished area! 78 between the pn junction 77 and dashed line 80 occurs during operation at a normal voltage in the reverse direction across the pn junction 77.

Bei dem Aufbau des Halbleiterbauelements nach den F i g. 12 und 13 kant. c^:ne dickere epitaktische Schicht 56. z. B. mit einer Dicke von 4 μπι, unter Vermeidung einer unpraktischen Versenkungstiefe des Musters 2 verwendet werden, wobei unter dem Trennungsteil 11 des Musters 2 mehr Raum für den Verbindungsteil der Kollektorzone zur Verfügung steht. Dabei kann gegebenenfalls der begrabene Teil 32 entbehrt werden.In the construction of the semiconductor component according to FIGS. 12 and 13 point. c ^{: a} thicker epitaxial layer 56. e.g. B. be used with a thickness of 4 μπι, avoiding an impractical countersunk depth of the pattern 2, with more space for the connecting part of the collector zone is available under the separating part 11 of the pattern 2. The buried part 32 can optionally be dispensed with.

F i g. 14 zeigt eine andere Ausführungsform, bei der die Isolierzonen (2, 81) p-leiteride Zonen 81 enthalten, die zwischen dem Substrat 57 und den Isoliertcilen 53 und 54 liegen. Die Zonen 81 werden jedoch nicht durch Diffusion aus dem Substrat erhalten, sondern wie folgt: Vor dem Anbringen des Musters 2 werden die p-leicenden Zonen 8Id, die an den zu bildenden Isolierteilen 54 und 53 entsprechende Vertiefungen 62 grenzen, in der epitaktischen Schicht 56 (siehe Fig. 15 und vergleiche F i g. 6) angebracht. Die Zonen 81a lassen sich z.B. durch Ionenimplantation unter Benutzung der Maskicrungswirkung der Siliciumnitridschichten 60, 61 und 65 anbringen. Die Siliciumnitridschichten 60, 61 und 65 ragen etwas aus den Vertiefungen 62 hervor, da beim Anbringen der Vertiefungen 62 durch Ätzen Unterätzung auftritt. Letzteres ist einfachheitshalber in F i g. 15 (und in Fig. 6) nicht dargestellt. Darauf wird durch Oxydation das versenkte Muster 2 aus Siliciumoxyd angebracht, wobei die Zonen 81 durch Diffusion gleichsam vor dem sich senkenden Muster 2 herlaufen. Das Muster 2 wird nur über einen Teil der Dicke der epitaktischen Schicht S6 in diese Schicht versenkt, während die an das Muster 2 grenzenden p-leitenden Zonen 81 4s sich bis in das p-lel:ende Substrat 57 erstrecken. Im übrigen vollzieht sich die Herstellung des Halbleiterbauelements nach Fig. 14 in gleicher Weise wie die des Halbleiterbauelements nach den F i g. 4 und 5.F i g. 14 shows another embodiment in which the insulating zones (2, 81) contain p-conductor zones 81 which lie between the substrate 57 and the insulating cells 53 and 54. The zones 81 are not obtained from the substrate by diffusion, but as follows: Before the pattern 2 is applied, the p-type zones 8Id, which adjoin the corresponding depressions 62 to the insulating parts 54 and 53 to be formed, are formed in the epitaxial layer 56 (see Fig. 15 and compare Fig. 6) attached. The zones 81a can be applied, for example, by ion implantation using the masking effect of the silicon nitride layers 60, 61 and 65. The silicon nitride layers 60, 61 and 65 protrude somewhat from the depressions 62, since undercutting occurs when the depressions 62 are made by etching. For the sake of simplicity, the latter is shown in FIG. 15 (and in Fig. 6) not shown. The sunk pattern 2 of silicon oxide is then applied by oxidation, with the zones 81 running, as it were, in front of the sinking pattern 2 by diffusion. The pattern 2 is sunk into this layer over only part of the thickness of the epitaxial layer S6, while the p-conductive zones 81 4s adjoining the pattern 2 extend into the p-lel: end substrate 57. Otherwise, the semiconductor component according to FIG. 14 is produced in the same way as that of the semiconductor component according to FIGS. 4 and 5.

Die Zonen 81 brauchen das Substrat 57 nicht zu erreichen. Es genügt, wenn sie sich bis in das Verarmungsgebiet 82 des pn-Überganges 83 (siehe F i g. Ib) erstrecken. Dieses Verarmungsgebiet tpti im Betrieb des Halbleiterbauelements bei der üblichen Sperrspannung über dem pn-Übcrgang 83 auf. Fig. 16 zeigt einfachheiishalbjr nur einen Teil des Halbleiterbauelements, der dem linken Teil der Fig. 14 entspricht.The zones 81 do not need to reach the substrate 57. It is enough if they move into the impoverished area 82 of the pn junction 83 (see FIG. 1b) extend. This impoverished area tpti in operation of the semiconductor component at the usual reverse voltage across the pn junction 83. Fig. 16 shows halfway through only a part of the semiconductor component, which corresponds to the left-hand part of FIG.

Es wird einleuchten, daß das Halbleiterbauelement nach F i g. 11 mit Isolierzonen 2, 76 nach F i g. 12 oiler den Isolierzonen 2, 81 nach Fig. 14 versehen sein kann.It will be evident that the semiconductor component according to FIG. 11 with insulating zones 2, 76 according to FIG. 12 oiler the insulating zones 2, 81 according to FIG. 14 may be provided can.

In den beschriebenen Ausführungsformcn ist das ganze Muster 2 praktisch über seine ganze Dicke in den Halbleiterkörper 1 versenkt. Um dies zu bewerkstelligen, werden Vertiefungen 62 im Halbleiterkörper 1 vorgesehen, bevor das Muster 2 angebracht wird (s. die Fig.b und 15). Werden die Vertiefungen 62 nicht vorgesehen, so ergibt sich ein Musler 2 aus Siliciumoxyd, das annähernd über seine halbe Dicke versenkt ist.In the embodiments described, the entire pattern 2 is sunk into the semiconductor body 1 over practically its entire thickness. In order to accomplish this, depressions 62 are provided in the semiconductor body 1 before the pattern 2 is applied (see FIGS. B and 15). If the depressions 62 are not provided, the result is a musler 2 made of silicon oxide, which is sunk approximately over half its thickness.

Es ist möglich, einen Teil des Musters 2 über seine ganze Dicke und einen anderen Teil des Musters nur über einen Teil seiner Dicke in den Halbleiterkörper i zu versenken. F i g. 17 gibt ein Beispiel dafür und zeigt ein Halbleiterbauelement, das nur darin von dem nach den F i g. 4 und 5 verschieden in, daß der Trennungsteil 11 des Musters 2 über etwa die halbe Dicke in den Halbleiterkörper 1 versenkt ist, während der übrige Teil des Muslers 2 praktisch über die ganze Dicke in den Halbleiterkörper 1 versenkt ist. Diese Struktur kann dadurch erhalten werden, daß Vertiefungen 62 (siehe F i g. 6) an der Stelle des zu bildenden Musters mit Ausnahme des zu bildenden Trennungsteiles 11 des Musters 2 vorgesehen werden, worauf durch Oxydation das Muster 2 angebracht wird.It is possible to have part of the pattern 2 over its entire thickness and another part of the pattern only countersunk over part of its thickness in the semiconductor body i. F i g. 17 gives an example of this and shows a semiconductor component that is only used therein from the one according to FIGS. 4 and 5 different in that the separation part 11 of the pattern 2 is sunk into the semiconductor body 1 over approximately half the thickness, while the rest Part of the musler 2 is sunk into the semiconductor body 1 practically over the entire thickness. This structure can be obtained by making depressions 62 (see Fig. 6) at the location of the pattern to be formed with the exception of the separating part to be formed 11 of the Pattern 2 are provided, whereupon the pattern 2 is attached by oxidation.

Ein Vorteil des Aufbaus nach Fig. 17 besteht darin, daß die geringere Tiefe der Versenkung des Trennungsteiles 11 eine bessere Verbindung zwischen dem Anschlußteil 9 und dem unter der Basiszone 6 liegenden Teil 8 der Kollektorzone 26 ergibt und gegebenenfalls der begrabene Teil 32 entbehrlich ist.An advantage of the structure according to Fig. 17 is that that the smaller depth of the countersink of the separation part 11 a better connection between the Connection part 9 and the part 8 of the collector zone 26 located below the base zone 6 and, if appropriate, results the buried part 32 is dispensable.

Das Muster 2 nach Fig. 17 läßt sich in einfacher Weise wie folgt anbringen: Auf dem Halbleiterkörper 1 (s. Fig. 18) wird eine Maskierungsschicht angebracht, die aus einer Siliciumnitridschii_ht 85 und darauf einer Siliciumoxydschicht 86 besteht, die beide an der Stelle der zu bildenden Isolierteile 53 und 54 entfernt werden. Darauf wird nur die Siliciumoxydschicht 86 an der Stelle des zu bildenden Trennungsteiles U entfernt und darauf werden die Vertiefungen 62 an der Stelle der Isolierteile 53 und 54 geätzt, wodurch die Struktur nach F i g. 18 erhalten wird.The pattern 2 of Fig. 17 can be in a simpler Apply as follows: A masking layer is applied to the semiconductor body 1 (see Fig. 18), which consists of a silicon nitride layer 85 and then a silicon oxide layer 86, both in place of the insulating parts 53 and 54 to be formed are removed. Only the silicon oxide layer 86 is then put in place of the separation part to be formed U removed and then the recesses 62 at the point of Isolating parts 53 and 54 are etched, whereby the structure according to FIG. 18 is obtained.

Dann wird die Siliciumnilridschicht 85 an der Stelle des zu bi'denden Trennungsteiles 11 durch selektives Ätzen entfernt, wobei die Siliciumoxydschicht 86 als Ätzmaske dient.Then the silicon nitride layer 85 at the location of the separation part 11 to be formed is selectively Etch removed, with silicon oxide layer 86 serving as an etch mask.

Die Struktur nach Fig. 19 hat sich dann ergeben, worauf das Muster 2 durch eine Oxydationsbehandlung angebracht werden kann.The structure according to FIG. 19 has then resulted whereupon the pattern 2 can be applied by an oxidation treatment.

In der Ausführungsform nach Fi g. 17 erstreckt sich der erste Teil 5 des Musters 2, der die Basiszone 6 umgibt, und der zweite Teil 10 des Musters 2, der den Anschlußteil 9 der Kollektorzonc 26 umfaßt, im Gegensatz zu den vorhergehenden Ausführungsformen nicht homogen über den gleichen Abstand von der Hauptoberflächc des Halbleiterkörpcrs 1 aus. Die Teile 5 und 10 haben jedoch eine homogene Dicke und werden gleichzeitig angebracht. Es ist jedoch möglich, durch Ätzen den überstehenden Teil des Trcnnungsteilcs 11 wenigstens teilweise zu entfernen. Dann weisen die Teile 5 und 10 nicht mehr eine homogene Dicke auf. Die schichtförmigen Teile 4 und 9 erstrecken sich in dieser Ausführungsform über den gleichen Abstand von der Hauptoberfläche 3 aus in den Halbleiterkörper 1 wie der Trcnnungsieil 11, während die Isolierteile 53 und 54 sich tiefer in den Halbleiterkörper 1 erstrecken.In the embodiment according to Fi g. 17 extends the first part 5 of the pattern 2, which surrounds the base zone 6, and the second part 10 of the pattern 2, which surrounds the Connection part 9 of the collector zone 26 includes, in contrast not homogeneous to the previous embodiments over the same distance from the main surface c of the semiconductor body 1 from. The parts 5 and 10, however, have a homogeneous thickness and will attached at the same time. However, it is possible to etch the protruding part of the separation part 11 to remove at least partially. Then the parts 5 and 10 no longer have a homogeneous thickness. The layer-shaped parts 4 and 9 in this embodiment extend over the same distance from the main surface 3 into the semiconductor body 1 such as the separating element 11, while the insulating parts 53 and 54 extend deeper into the semiconductor body 1.

Es ist möglich, in den beschriebenen Ausführungsformcn das Substrat 57 ganz, oder teilweise, z. B. durch Ätzen, zu entfernen. F i g. 20 zeigt das Halbleiterbauelement nach F ig. 12, bei dem das Substrat 57 bis zum begrabenen Teil 32 entfernt ist. Auf dem begrabenen Teil 32 kann eine Metallschicht 90 zur Verringerung des Kollcktorwiderstandes angebracht werden, während außerdem gcwünschterifalls der Kollektoranschluß auch auf der Unterseite durch diese Metallschicht angeschlossen oder durchverbunden werdenIt is possible in the described embodiments the substrate 57 in whole or in part, e.g. B. by etching to remove. F i g. 20 shows the semiconductor device according to Fig. 12, in which the substrate 57 is removed to the buried part 32. On the buried Part 32, a metal layer 90 can be applied to reduce the Kollcottor resistance while in addition, if desired, the collector connection also on the underside through this metal layer connected or through-connected

2:1 33S812: 1 33S81

Es ist möglich, die verbleibenden p-leiienden Teile 57, 71 und 76 in F i g. 20 durch Ätzen zu entfernen, worauf gar kein Substrat mehr vorhanden ist, so daß die Isolierzonen aus den Isolierteilen 53 und 54 und aus Nuten an der Stelle der Zonen 76 bestehen. Diese Nuten können gegebenenfalls mit isoliermaterial ausgefüllt werden. Es gibt dann keine pn-lsolicrung und folglich keine Streukapazitäten und dann besteht der Halbleiterkörper 1 aus einer Anzahl voneinander getrennter Teile (Inseln).It is possible to use the remaining p-bearing parts 57, 71 and 76 in FIG. 20 to be removed by etching, whereupon there is no longer any substrate, so that the Isolation zones consist of the insulating parts 53 and 54 and grooves at the location of the zones 76. These grooves can be filled with insulating material if necessary. There is then no pn insulation and consequently no stray capacitances and then the semiconductor body 1 consists of a number of mutually separated Parts (islands).

Auf gleiche Weise, wie an Hand des Halbleiterbauelements nach F i g. 12 erörtert wurde, kann das Substrat 57 des Halbleiterbauelements den Fig.4 und 5 des Halbleiterbauelements nach Fig. 11 und können das Substrat 57 und die Zonen 811 des Halbleiterbauelements nach F i g. 14 entfernt werden.In the same way as on the basis of the semiconductor component according to FIG. 12, the substrate may be 57 of the semiconductor component in FIGS. 4 and 5 of the semiconductor component according to FIG. 11 and the substrate 57 and the zones 811 of the semiconductor component according to FIG. 14 can be removed.

Es ist weiterhin möglich, bei den Halbleiterbauelementen nach den F i g. 12 und 14 die Zonen 76 und 71 bzw. die Zonen 81 nicht, aber einen begrabenen Teil 32 anzubringen, der sich unter allen Inseln erstreckt. Das Substrat 57 kann entfernt werden und Nuten können unter den Isolierteilen 53 und 54 des Musters 2 quer durch den begrabenen Teil 32 bis zu den Isolicrteilen 53 und 54 geätzt werden, wodurch das Halbleiterbauelement nach F i g. 21 mit begrabenen Teilen 32.7,32b usw. erhalten wird. Die Anbringung der begrabenen Teile 32a. 326 usw. erfordert dann keine Maskierung. Es kann von einem p-leitenden Halbleitertragkörper 55 ausgegangen werden, der mit einer hochdotierten, n-leitenden epitaktischen oder diffundierten Schicht versehen ist, auf der die weniger hoch dotierte, η-leitende epitaktische Schicht 56 angebracht wird. Es ist auch möglich, von einem Halbleitertragkörper 55 auszugeben, der vollständig aus niederohmigem n-leitcndem Silicium besteht.It is also possible, in the case of the semiconductor components according to FIGS. 12 and 14 the zones 76 and 71 or not the zones 81, but to provide a buried part 32 which extends under all the islands. The Substrate 57 can be removed and grooves can be made under the insulating parts 53 and 54 of the pattern 2 across through the buried part 32 to the insulating parts 53 and 54 are etched, whereby the semiconductor device according to FIG. 21 with buried parts 32.7,32b etc. is obtained. The attachment of the buried parts 32a. 326 etc. then does not require masking. It can can be assumed from a p-conductive semiconductor support body 55 with a highly doped, n-conductive epitaxial or diffused layer is provided on which the less highly doped, η-conductive epitaxial Layer 56 is attached. It is also possible to output from a semiconductor support body 55 which consists entirely of low-resistance n-conductive silicon.

Bei dem Halbleiterbauelement nach Fig.21 besteht der Halbleiterkörper aus den voneinander getrennten Teilen (Inseln) la, 16, Ic usw.In the case of the semiconductor component according to FIG the semiconductor body from the separate parts (islands) la, 16, Ic etc.

Die beschriebenen Halbleiterbauelemente lassen sich in üblicher bekannter Weise mit leitenden Bahnen versehen, die Verbreiterungen aufweisen, mit denen Anschlußleitungen verbunden werden können und die vorzugsweise auf dem versenkten Muster 2 angebracht werden.The semiconductor components described can be provided with conductive tracks in the usual known manner, which have widenings with which connecting lines can be connected and which preferably be attached to the recessed pattern 2.

Es wird einleuchten, daß das Halbleiterbauelement nach der Erfindung außer in den beschriebenen auch noch in anderen Ausführungsformen ausführbar ist. Der verwendete Halblcitertragkörper z. B. braucht nur in dem an die Träger-Oberfläche 68 (siehe Fig.8) grenzenden Teil p-Leitfähigkeit aufzuweisen, während er unterhalb der gestrichelten Linie 90 n-Lcitfähigk^it haben kann. Die Maskierungsschichten 60, 61 und 65 (siehe F i g. 6) können aus einer auf dem Halbleiterkör·It will be evident that the semiconductor component according to the invention, in addition to those described, also is still feasible in other embodiments. The Halblcitträgerkörper used z. B. only needs in which on the carrier surface 68 (see Fig. 8) bordering part to exhibit p-conductivity while he below the dashed line 90 n-conductivity may have. The masking layers 60, 61 and 65 (see FIG. 6) can consist of a layer formed on the semiconductor body.

ίο per 1 angebrachten Siliciumoxydschicht bestehen, auf der eine Siliciumnitridschieht angebracht ist, wobei nach dem Anbringen des Musters 2 und nach dem Entfernen der Siliciumnitridschichten sofort die Siliciumoxydschichten 63. 64 und 67 (siehe F i g. 7) erhalten werden. Die Emitterzonen 7 der beschriebenen Ausführungsformen können über einen Teil ihres Umfangs auch an dem versenkten Muster 2 angrenzen. Die Oxydalionsbchandlung zum Bilden des Musters 2 kann unterbrochen werden, wobei während der Unterbrechung das bereits gebildete Siliciumoxyd wenigstens teilweise z. B. durch Ätzen entfernt werden kann. Es ist dann nicht notwendig, zum Erzielen eines praktisch über die ganze Dicke in den Halbleiterkörper versenkten Musters 2 vor der Oxydationsbehandlung die Vertiefungen 62 (siehe z. B. F i g. 6) vorzusehen. Es ist nicht notwendig, die Siliciumnitridschichten 60,61 und 65 durch SiIiciumoxydschichten 63,64 und 67 (s. die F i g. 6 und 7) zu ersetzen. Die Siliciumnitridschichten 60, 61 und 65 sind auch zum Maskieren während der Diffusionsvorgängeίο insist on 1 silicon oxide layer applied a silicon nitride layer is attached, after the application of the pattern 2 and after the removal Of the silicon nitride layers, the silicon oxide layers 63, 64 and 67 (see FIG. 7) are immediately obtained will. The emitter zones 7 of the described embodiments can over part of their circumference also adjoin the recessed pattern 2. The oxidation treatment to form the pattern 2 can be interrupted, with during the interruption the silicon oxide already formed at least partially z. B. can be removed by etching. It is then not necessary to achieve a pattern sunk into the semiconductor body practically over the entire thickness 2, the depressions 62 (see, for example, FIG. 6) are to be provided before the oxidation treatment. It's not necessary, the silicon nitride layers 60, 61 and 65 by silicon oxide layers 63, 64 and 67 (see Figs. 6 and 7). The silicon nitride layers 60, 61 and 65 are also for masking during diffusion processes

verwendbar. Der zweite schichtförmige Teil 9 des Halbleiterkörpers 1 (siehe z. B. F i g. 24) braucht nicht vollständig dem Anschlußteil der Kollektorzonc 26 zuzugchören; er kann z. B. noch eine Diode enthalten. Zwei verschiedene Inseln können auf gleiche Weise wie der Anschlußteil 9 mit dem unter der Basiszone 6 liegenden Teil 8 der Kollektorzone 9 mil dem unter der Basiszone 6 liegenden Teil 8 der Kollektorzone 26 in den beschriebenen Ausführungsformen miteinander verbunden werden. Andere übliche Halbleitermaterialien als Silicium sind verwendbar, wobei das Muster 2 aus mit Isoliermaterial ausgefüllten Nuten oder aus Isoliermaterial bestehen kann, das durch Umwandlung von Halbleitermaterial in Isoliermaterial erhallen wird. Es kann z. B. das Halbleitermaterial Siliciumcarbid durch Oxydation in Siliciumoxyd umgewandelt werden.usable. The second layer-shaped part 9 of the semiconductor body 1 (see, for example, FIG. 24) is not required completely zuzuchören the connection part of the collector zone 26; he can z. B. still contain a diode. Two different islands can do the same like the connection part 9 with the part 8 of the collector zone 9 lying under the base zone 6 with the under the Base zone 6 lying part 8 of the collector zone 26 in the described embodiments with one another get connected. Common semiconductor materials other than silicon can be used, the pattern 2 may consist of grooves filled with insulating material or of insulating material obtained by converting Semiconductor material is reverberated in insulating material. It can e.g. B. the semiconductor material silicon carbide can be converted into silicon oxide by oxidation.

Hierzu 7 Blatt ZeichnungenIn addition 7 sheets of drawings

Claims

Patent claims:

1. Semiconductor component with a semiconductor body which contains a transistor and in which a sunk Pattern of insulating material is present which extends over at least part of its thickness extends from a main surface of the semiconductor body into this semiconductor body, wherein the semiconductor body has a first layer-shaped part adjoining this main surface contains, which borders over its entire circumference and over its entire thickness on a first part of the 'recessed pattern and in the layered part' the base zone of the transistor to the main surface and over its entire circumference to the first Part of the pattern borders, with the emitter zone bordering on the main surface in the base zone Transistor is attached and the collector zone has a part lying below the base zone, characterized in that the semiconductor body (1) has a layer shaped next to the first Part (4) contains lying, second layer-shaped part (9) which is attached to the main surface (3) adjoins one at the same time as the first over its entire circumference and over its entire thickness Part (5) of the pattern (2) attached, second part (10) of the pattern adjoins, and the second layer-shaped Part (9) is a part adjoining the main surface (3), called the connecting part (9), of the KoI-lektorzone (26) contains, which only by at least one of the two sample parts mentioned (5, 10) associated part (11), called separation part, separated from the first layer-shaped part (4) is, and the connection part (9) of the collector zone (26) through an at least partially under the Separation part (U) lying connecting part (12) of the collector zone (26) with the one below the base zone (8) lying part (8) of the collector zone (26) is connected (FIG. 1).

2. Semiconductor component according to claim 1, characterized in that the first (5) and the second (10) part of the recessed pattern (2) have practically the same, homogeneous thickness.

3. Semiconductor component according to claim 1 or 2, characterized in that the surfaces (3a, 3b) of the first and the second, layer-shaped part (4, 9) in the same, flat plane of the one main surface (3) of the semiconductor body (1) lie.

4. Semiconductor component according to one of the preceding claims, characterized in that the first (5) and the second (10) part of the recessed pattern (2) are homogeneous over the same distance extend from the main surface (3) of the semiconductor body (1) into this semiconductor body.

5. Semiconductor component according to one of the preceding Claims, characterized in that the connection part (9) of the collector zone (26) is a Contact zone (13) in the form of a surface zone of the same conductivity type as the Koilektorzone (26), and the contact zone (13) of the collector zone (26) has the same thickness and the same Has Dolierungsprofil as the emitter zone (7).

6. Semiconductor component according to one of the preceding claims, characterized in that the semiconductor body (1) in addition to the transistor (T) contains a number of further circuit elements (R ₁ , the circuit elements (T unc R) 'm a number on the main surface (3) bordering, separated semiconductor regions called islands (6, 7, 26; 40 to 49), and between these islands there are insulating zones (53, 54) which are at least close to the main surface (3) by the islands surrounding parts , Called insulating parts (53, 54), of the recessed pattern (2) are formed, the first (5) and the second (10) part of the recessed pattern (2) together not only the already mentioned separation part (11), but also form an insulating part (53) which together surrounds the base zone (6) and the connection part (9) of the collector zone (26) of the transistor (T) and which at least partially belongs to an insulating part (53) of an insulating zone (53) surrounding the transistor (Fi g. 4 and 5).

7. Semiconductor component according to claim 6, characterized in that the semiconductor body (1) a semiconductor support body (55) and one attached to it and adjoining the main surface (3), contains epitaxial layer (56), which by the insulating zones (53, 54) in the islands (6, 7, 2b; 40 to 49) zugeliörtiide parts is divided, wherein the semiconductor support body (55) contains a substrate (57) against which the islands by at least one PN junction (58,59) are isolated (Fig. 4).

8. Semiconductor component according to claim 7, characterized in that the collector zone (26) of the transistor (77 an isolating. PN junction (58) forms with the substrate (57), and a part (8) and a part lying in the epitaxial layer in the semiconductor support body lying part (32), called buried part, the buried part Part (32) partially and at least partially under the separating part (11) of the recessed pattern (2) forms part of the connection part of the collector zone (26) (FIG. 4).

9. Semiconductor component according to one of claims 6 to 8, characterized in that an insulating zone one between the insulating part (53, 54) of the versonkien pattern which partially forms this zone (2) and the substrate (57) lying zone (76) of the same conductivity type as the substrate (Fig. 12).

10. Semiconductor component according to one of the preceding claims, characterized in that the recessed pattern (2) formed by converting semiconductor material of the semiconductor body (1) Insulating material consists.

!1. Method for producing a semiconductor component with a transistor (T) according to one of the preceding claims, characterized in that a semiconductor body (1) with a region (12, i4) of one conductivity type which is at least locally on a main surface (3) of the semiconductor body bordering, a first (3a) surface part belonging to the main surface, under which this area extends, and a second (3b) surface part which is separate from the main surface and which this area (12, 14) adjoins, are masked, that a first, the first surface part (3n) completely surrounding part (5) and a second (10), the second surface part {3b) completely surrounding part of a recessed pattern (2) of insulating material, which extends from the main surface (3) in the half

Conductor body (1) extends into it, are attached by converting non-masked semiconductor material into insulating material at the same time, a first, layer-shaped part (4) de :: semiconductor body, which adjoins the first pattern part (5) over its entire LiTiiang and over its entire thickness , and a second, layer-shaped part (9) of the semiconductor body which borders on the second pattern part (10) over its entire circumference and over its entire thickness, the layer-shaped parts (4, 9) being obtained only by at least one of the two mentioned pattern parts (5, 10) associated separation part (11) are separated from each other and the pattern (2) is sunk into the semiconductor body (1) to a depth from the main surface (3), in which part of the area is still (12, 14) is below the separation part (11), and in the first ^r; is a layer adjacent to the first surface portion (3a), base region (6) attached to the transistor (T) chichtförmigen part (4) which borders on the first pattern part (5) over its entire circumference and which forms a PN junction (21) with the area (12, 14), an emitter zone adjoining the first surface part (3a) in the base zone (6) (7) of the transistor is attached, and at least a part (26) of the region (12, 14) which partially adjoins the second surface part (3b) and lies partially under the separation part (11) and under the base zone (6), the colleteor zone (26) of the transistor forms (F i g. 1 to 3).

12. The method according to claim 11, characterized in that a semiconductor body (1) is used, of which the region (56, 32) of one conductivity type borders on the entire main surface (3) and is formed by a PN junction (58, 54) is insulated from a substrate (57) of the other conductivity type lying below this area, and the area (56, 32) of one conductivity type in juxtaposed, separate islands (6, 7, 26; 40 to 49) by attaching at least near the Main surface (3) is divided from parts of insulating material, called insulating parts (53, 54), existing insulating zones in this area (56, 32) and the insulating zones (53, 54) adjoin the insulation (58, 59) on the substrate side , wherein the insulating parts (53, 54) are attached simultaneously and in the same way as the first (5) and the second (10) pattern part and form part of the pattern (2), and that a base zone (6) and the on the second surface part (3) gre Nzenden part (9), called connection part, the collector zone (26) jointly surrounding pattern part (53), which belongs to at least one of the two parts, the first (5) or the second (10) pattern part, at least partially in the form of at least one Part of the transistor (T) surrounding insulating zone (53) is formed (F i g. 4 to 9).

13. The method according to claim 12, characterized in that the semiconductor body (1) with the area (56, 32) of the one conductivity type is obtained by using a half-liner (55) is assumed from which at least the one of its surfaces (68), called the carrier surface, bordering part! of the other conductivity type and on the support surface (68) one of the mentioned region (56, 32) associated, epitaxial layer (56) of the one conductivity type attached (Figs. 8 and 9).

14. The method according to claim U, characterized in that that the semiconductor support body (55) with a surface zone adjoining the support surface (68) (32a) of one conductivity type is provided under the separation part to be formed (11) of the recessed pattern (2) and that of the one to be formed surrounding the transistor Isolation zone (53) is surrounded, whereupon the epitaxial layer (56) is applied (Fig. 8 and 9).

15. The method according to claim 13 or 14, characterized characterized in that in surface zones (71) of the semiconductor carrier body adjoining the carrier surface (68) (55), which will be under the insulating parts (53, 54) to be formed, the concentration of the other conductivity type, i.e. the same conductivity type as that of the semiconductor body, causing foreign matter is increased, whereupon the epitaxial layer (56) is applied and by diffusion of foreign matter from these surface zones (71) into the epitaxial layer (56) the insulating zones (53, 54, 76) belonging to the substrate (57) of the semiconductor support body (1) Boundary zones (76) of the other conductivity type are obtained, and the pattern (2) only over part of the thickness of the epitaxial layer (56) is sunk into this layer (FIG. 12).

16. The method according to any one of claims 12 to 14, characterized in that before applying the countersunk pattern (2) by conversion unmasked semiconductor material in insulating material in unmasked surface parts of the semiconductor body (1), which correspond to the insulating parts to be formed, causing the other conductivity type Foreign matter are attached, which during the attachment of the pattern (2) deeper into the Diffuse semiconductor body (1) and between the insulating parts (53, 54) and the substrate (57) Forming zones (81) of the other conductivity type which belong to the insulating zones (53, 81; 54, 81) (Fig. 14).

17. The method according to any one of claims 11 to 16, characterized in that before the application of the countersunk pattern (2) at the point at least of a part of the pattern to be formed, surface parts of the semiconductor body (1) are removed, whereby depressions (62) result, which extend from the main surface over a part the thickness of the semiconductor body * (1) extend into this semiconductor body, whereupon the pattern (2) by converting unmasked semiconductor material into insulating material that supports the Fills depressions (62) over at least part of the depth (Figs. 14 and 15).