DE2131542A1

DE2131542A1 - Electron discharge device

Info

Publication number: DE2131542A1
Application number: DE19712131542
Authority: DE
Inventors: Gibbons David John
Original assignee: EMI Ltd
Current assignee: EMI Ltd
Priority date: 1970-06-24
Filing date: 1971-06-22
Publication date: 1971-12-30
Also published as: GB1349351A

Description

EIKENBERG & BRÜMMERSTEDTEIKENBERG & BRÜMMERSTEDT

PATENTANWÄLTE IN HANNOVER 2131542PATENT LAWYERS IN HANNOVER 2131542

Elkenberg & Brümmerstedt · Patentanwälte · D-3 Hannover, Schackslr. 1 · DR. KURT-RUDOLF EIKENBERG Elkenberg & Brümmerstedt · Patent Attorneys · D-3 Hannover, Schackslr. 1 DR. KURT-RUDOLF EIKENBERG

DIPL.-ING. HANS D. BRÜMMERSTEDTDIPL.-ING. HANS D. BRÜMMERSTEDT

EMI Limited 100/399EMI Limited 100/399

ElektronenentladungsvorrichtungElectron discharge device

Die Erfindung betrifft eine Elektronenentladungsvorrichtung mit einem ladungspeichernden Fangschirm und bezieht sich insbesondere auf Pernsehauf nähmeröhren mit einemThe invention relates to an electron discharge device with a charge-storing protective screen and relates especially on TV viewing tubes with a

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fotoleitenden Pangschirm, wie z.B. Vidicons, oder mit Fangschirmen, die von dem Phänomen der Leitfähigkeitserzeugung durch Elektronenbeschuß als Mittel zur Signalspeicherung oder zur Verstärkung Gebrauch machen , wie z.B. Ebicons und Ebitrons oder System-Konversionsspeicherröhren wie z.B. Graphicons.photoconductive umbrella, such as vidicons, or with umbrella, that of the phenomenon of conductivity generation by electron bombardment as a means of signal storage or make use of amplification, such as Ebicons and Ebitrons or system conversion storage tubes such as Graphicons.

Bei Röhren des Vidcontyps wird die Fotoleitfähigkeit in einem isolierenden Fangschirm durch auftreffende elektromagnetische Strahlung erzeugt , und das resultierende ladungsbild auf dem Fangschirm, das dem optischen Abbild entspricht, wird durch einen orthogonal abgetasteten Elektronenstrahl niedriger Geschwindigkeit abgefragt. Bei Röhren, in denen von dem Effekt der Leitfähigkeitserzeugung durch Elektronenbeschuß Gebrauch gemacht wird, beispielsweise beim Ebicon und Ebitron , wird ein ähnlicher Pangsohirm dazu verwendet, um ein Ladungsbild entsprechend dem von einer gesonderten fotoemittierenden Kathode emittierten Potoelektronen zu verstärken und zu speichern.In the case of tubes of the vidcontype, the photoconductivity is in an insulating catch screen by incident electromagnetic Radiation generated, and the resulting charge image on the capture screen, which corresponds to the optical image, is interrogated by an orthogonally scanned low velocity electron beam. With tubes in which of the effect of conductivity generation through electron bombardment Is used, for example with the Ebicon and Ebitron, a similar pangsohirm is used to in order to provide a charge image corresponding to the photoelectrons emitted by a separate photo-emitting cathode amplify and save.

Bei Vidicons für industrielle Anwendungen und für Heimzwecke ist besonders darauf zu achten, daß eine Pehlbedienung unterbleibt, wie z.B. eine zufällige Überbelichtung des Röhrenfangschirms , die einen bleibenden Schaden hervorruft. Ein ähnlicher Schaden kann auch auftreten, wenn auf elektronischem Wege Brennweite und Bildgröße geändert wird, (Zooming) um die Größe des übertragenen Bildes durch Änderung des abgetasteten Bereiches zu modifizieren. Fm derartige Effekte zu vermeiden, ist ein fotoleitender EangschirmWith Vidicons for industrial applications and for home use, special care must be taken to ensure that they are properly operated does not occur, such as accidental overexposure the tube catcher, which causes permanent damage. Similar damage can also occur if the focal length and image size are changed electronically, (Zooming) to modify the size of the transmitted image by changing the scanned area. Fm such A photoconductive screen is used to avoid effects

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für Anwendungen dieser Art vorgeschlagen worden, der aus einem Mosaik von fotoleitenden Siliziumdioden besteht. Silizium ist ein besonders geeignetes Fangschirmmaterial wegen seiner hohen thermischen Leitfähigkeit und wegen seiner Widerstandsfähigkeit gegen Schaden infolge Unterabtastung durch einen Elektronenstrahl geringer Geschwindigkeit.has been proposed for applications of this type, which consists of a mosaic of photoconductive silicon diodes. Silicon is a particularly suitable umbrella material because of its high thermal conductivity and resistance against damage due to undersampling by a low speed electron beam.

Bei dem Vidicon mit Siliziumfangschirm wird der Dunkelstrom durch Dotierung der abgetasteten Seite mit einer Menge von p-Typ Inseln niedrig gehalten, und im Betrieb werden die so gebildeten p⁺-n Dioden umgekehrt vorgespannt. Ein Nachteil eines solchen Aufbaus besteht jedoch darin, daß freiliegende SiO₂ Zonen auf der abgetasteten Fläche (die von den fotolithografischen Prozessen übrig geblieben sind) durch den Elektronenstrahl geladen werden, so daß eine besondere Oberflächenbehandlung erforderlich ist, wenn eine solche Ladung nicht zu einer Abstoßung des Strahls führen soll. Ein weiterer Nachteil besteht darin, daß bei einem Versuch, die Auflösung durch Vergrößerung der Zahl der einzelnen Dioden zu erhöhen, ein seitlicher Nebenfluß der Ladungen auf der abgetasteten Oberfläche stattfindet, wenn die Dioden-Depletionsbereiche einander berühren. Im allgemeinen sind Oberflächenleckstrom und seitliche Diffusion im Driftbereich etwa gleich, und somit ist bei Röhren dieser Art der Auflösung eine Grenze gesetzt.In the case of the vidicon with a silicon protective screen, the dark current is kept low by doping the scanned side with a number of p-type islands, and in operation the p ⁺ -n diodes formed in this way are reverse biased. A disadvantage of such a structure, however, is that exposed SiO ₂ zones on the scanned surface (which are left over from the photolithographic processes) are charged by the electron beam, so that a special surface treatment is required if such a charge does not result in repulsion of the beam should lead. Another disadvantage is that in an attempt to increase the resolution by increasing the number of individual diodes, a lateral tributary flow of charges takes place on the surface being scanned when the diode depletion areas touch one another. In general, surface leakage current and lateral diffusion in the drift region are about the same, and so there is a limit to the resolution of tubes of this type.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Elektronenentladungsvorrichtung mit einem ladungsspeicherndenThe invention is based on the object of an electron discharge device with a charge-storing device

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Fangschirm zu schaffen, die die zuvor erwähnten Nachteile vermeidet.Creating a catch screen that has the aforementioned disadvantages avoids.

Die gestellte Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß der Fangschirm aus amorphem Silizium oder Germanium mit hohem spezifischem Widerstand "besteht.The object set is achieved according to the invention in that the protective screen is made of amorphous silicon or germanium with high resistivity ".

Unter der Bezeichnung "amorph" soll dabei ein nicht kristalliner oder glasartiger Zustand verstanden werden.The term “amorphous” should be understood to mean a non-crystalline or vitreous state.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand von in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert, In der Zeichnung bedeuten:The invention is explained in more detail below with reference to the exemplary embodiments shown in the drawing, In the drawing:

Fig. -1 ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Vorrichtung mit fotoleitendem Fangschirm,Fig. -1 an embodiment of a device according to the invention with photoconductive Catch screen,

Fig. 2 ein weiteres Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Vorrichtung mit einem ladungsspeichernden Fangschirm für die Ausnutzung des Effektes der Leitfähigkeitserzeugung durch Elektronenbeschuss und Fig. 2 shows a further embodiment of a device according to the invention with a Charge-storing umbrella for the Exploitation of the effect of conductivity generation through electron bombardment and

Fig. 3 eine Querschnittsabbildung eines ladungs-Fig. 3 is a cross-sectional illustration of a charge

speichernden Fangschirms für eine Vor-. richtung der in Fig. 2 dargestellten Art zur Erläuterung der Herstellung.saving catch screen for a pre. direction of the type shown in Fig. 2 to explain the production.

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Der ladungsspeich.era.de Fangsehirm einer erfindungsgemäßen Vorrichtung kann durch Zersetzung eines Films aus Siliziumhydrid (SiH.) oder Germaniumhydrid (GeH,) in einer Hochfrequenz-Glimmentladung ohne Anwesenheit eines anderen Gases hergestellt werden. Mit diesem Verfahren können beispielsweise Filme aus amorphem Silizium mit einem spezifischen Widerstand bis zu 10 ohm-cm erzeugt werden. Ein nach diesem Verfahren hergestellter Fangschirm mit einem spezifischen Widerstand, der größer als 10 ohm cm ist und vorzugsweise im Bereich zwischen 10 bis 10 ohm cm liegt, kann beispielsweise als Vidiconfangschirm verwendet werden, ohne daß ein mosaikähnlicher Aufbau erforderlich ist. Hierduroh ergeben sich erhebliche Vorteile, denn eine Oxidladung, eine komplexe Fotolithografie und weiße Stellen(white spots) werden vermieden. Es kann auch eine höhere Auflösung erreicht werden. Darüberhinaus kann mit einer Vorrichtung gemäß der Erfindung ohne Gefahr ein elektronisches "Zooming" durchgeführt werden.The ladungsspeich.era.de catch screen of an inventive Device can be made by decomposing a film of silicon hydride (SiH.) Or germanium hydride (GeH,) in a High frequency glow discharge can be produced without the presence of another gas. With this method, for example Films made of amorphous silicon with a specific resistance up to 10 ohm-cm can be produced. One after This method is produced with a protective screen with a specific resistance that is greater than 10 ohm cm and preferably is in the range between 10 to 10 ohm cm, can be used, for example, as a vidicon protective screen without a mosaic-like structure is required. This results in considerable advantages, because an oxide charge is a complex one Photolithography and white spots are avoided. A higher resolution can also be achieved. In addition, electronic "zooming" can be carried out with a device according to the invention without any risk.

Zur Herstellung eines ladungsspeichernden Fangschirms für eine Vorrichtung gemäß der Erfindung mit einem fotoleitenden Fangschirm kann der Film aus amorphem Silizium oder Germanium in der zuvor beschriebenen Weise auf einer Signalplatte hergestellt werden. Im Falle eines ladungsspeichernden Fangschirms für eine Vorrichtung gemäß der Erfindung, bei der vom Effekt der Leitfähigkeitserzeugung durch Elektronenbeschuss Gebrauch gemacht wird, kann das folgende Verfahren angewendet werden. Ein metallischer Ringkörper dient als Träger einer Membran aus Kunststoff, die über der offenenFor the production of a charge-storing protective screen for a device according to the invention with a photoconductive protective screen, the film can be made of amorphous silicon or Germanium can be produced on a signal plate in the manner described above. In the case of a charge-storing Catch screen for a device according to the invention, in which the effect of conductivity generation by electron bombardment When use is made, the following procedure can be used. A metallic ring body serves as a Supports a membrane made of plastic that covers the open

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Stirnfläche aufgespannt wird, und eine Schicht aus amorphem Silizium oder Germanium wird in der obenbeschriebenen Technik hergestellt, so daß man die in Pig. 3 dargestellte Anordnung erhält. Fig. 3 zeigt den metallischen Ringkörper 1, die Kunststoffmembran 2 und das amorphe Silizium oder Germanium 3, wobei die Dicke der Anordnung zur besseren Veranschaulichung übertrieben wurde . Die Kunststoffmembran wird dann in einem geeigneten organischen lösungsmittel aufgelöst, so daß die Pangschirmplatte aus Silizium oder Germanium auf dem metallischen Ringkörper zurückbleibt. Wenn die Plastikmembran aus Mylar besteht, ist Dimethylformamid ein geeignetes Lösungsmittel für ihre Entfernung.Front face is spanned, and a layer of amorphous Silicon or germanium is produced in the technique described above, so that the one described in Pig. 3 arrangement shown receives. Fig. 3 shows the metallic ring body 1, the plastic membrane 2 and the amorphous silicon or germanium 3, the thickness of the assembly has been exaggerated for clarity. The plastic membrane is then in one suitable organic solvent dissolved, so that the Pangschirmplatte made of silicon or germanium on the metallic ring body remains. If the plastic membrane is made of Mylar, a suitable solvent is dimethylformamide for their removal.

Wenn eine Erhöhung des spezifischen Widerstandes des amorphen Siliziums oder Germaniums erwünscht ist, kann die Glimmentladung in Anwesenheit einer geringen Menge von Ammoniak durchgeführt werden, und das so gebildete Silizium oder Germanium enthält dann geringe Mengen an Siliziumoder Germanium-Nitrid.If an increase in the specific resistance of the amorphous silicon or germanium is desired, the Glow discharge can be carried out in the presence of a small amount of ammonia, and the silicon thus formed or germanium then contains small amounts of silicon or germanium nitride.

Eine erfindungsgemäße Vorrichtung mit einem fotoleitenden , ladungsspeichernden Pangschirm ist in Pig. 1 dargestellt. Auf einem Glasfenster einer Aufnahmeröhre deο Vidicontyps ist eine Schicht aufgebracht, die eine Signalplatte 5 bildet. Auf der Signalplatte 5 wird eine Schicht aus amorphem Silizium in der obenbesohriebenen Weise aufgebracht, wodurch der ladungsspeichernde Pangschirm 6 gebildet wird.A device according to the invention with a photoconductive , charge-storing pan screen is in Pig. 1 shown. Deο on a glass window of a receiving tube Vidicontyps a layer is applied that forms a signal plate 5. On the signal plate 5 is a layer made of amorphous silicon applied in the manner described above, whereby the charge-storing panel 6 is formed.

Die Signalp.latte 5 kann aus jedem geeigneten MaterialThe signal board 5 can be made of any suitable material

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bestehen, jedoch, wird sie vorzugsweise aus einem Zinnoxid 'Hergestellt, das als "Nesa" bekannt ist, und das in einer oxidierenden Atmosphäre durch Aufbringen eines Films aus Zinn-II-Chlorid auf das Pens^r 4 gebildet wird. Das Fenster ist mit der. zylindrischen Seil der Hülle 7 der Röhre mittels Indium aba:.ratend verbunden, da3 zugleich eine Verbindung zwischen di_r Signalplatte und einem Kontaktring 9 herstellt. In der Umhüllung ist eine Elektronenkanone vorgesehen, die eine Kathode 10 mit einem Heizfaden 11 und einer emittierenden Oberfläche "-2 enthält. Hittels zweier Lochelektroden 13 und wird ein schmaler Elektronenstrahl auf den ladungsspeichernden Fangschirm 6 gerichtet, wobei eine Wandanode 15 die Bildung des Strahls unterstützt. Dicht vor dem Pangschirm 6 und parallel zu diesem ist eine Gitterelektrode 16 angeordnet.however, it will preferably consist of a tin oxide 'Manufactured what is known as "Nesa" all in one oxidizing atmosphere is formed by applying a film of tin (II) chloride to the pen ^ r 4. The window is with the. cylindrical rope of the sheath 7 of the tube means Indium aba: connected in a guessing manner, there is a connection at the same time between di_r signal plate and a contact ring 9 produces. In the envelope, an electron gun is provided, which has a cathode 10 with a filament 11 and an emitting Surface "-2 contains. By means of two perforated electrodes 13 and becomes a narrow electron beam on the charge-storing Catch screen 6 directed, with a wall anode 15 supporting the formation of the beam. Right in front of the pang umbrella 6 and A grid electrode 16 is arranged parallel to this.

Außerhalb der Umhüllung 7 sind magnetische Ablenkspulen 17 und ein fokussierendes Solenoid 18 angeordnet. An der Bj.sis der Umhüllung 17 sind Stifte 19 angebracht, die innen an die verschiedenen Elektroden der Röhre angeschlossen sind, jedoch, sind die Zuleitungen der besseren Übersicht halber in der Zeichnung nicht dargestellt. Ferner ist die Halterung der Elektroden in Fig. 1 weggelassen, da diese Halterung beliebig ausgebildet sein kann und dem Fachmann geeignete Anordnungen geläufig sind.Magnetic deflection coils 17 and a focusing solenoid 18 are arranged outside the casing 7. Pins 19 are attached to the Bj.sis of the casing 17, which are connected inside to the various electrodes of the tube, however, the leads are the better ones Not shown in the drawing for the sake of clarity. Furthermore, the holder of the electrodes in Fig. 1 is omitted because this holder can be designed in any way and suitable arrangements are familiar to the person skilled in the art.

Im Setrieb der in Fig. 1 dargestellten Röhre wird ein geeigneter Strom durch das Heizelement geschickt, durch, den dieWhen the tube shown in Fig. 1 is operated, a suitable current sent through the heating element through which the

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Temperatur der Kathode soweit erhöht wird, daß die emittierende Fläche 12 Elektronen emittiert. Die Elektroden 12 und 13 sowie die Wandanode 15 werden an geeignete Spannungen gelegt, damit die Elektronen einen schmalen, auf den Pangschirm gerichteten Strahl bilden. Die Gitterelektrode 16, die auf dem gleichen oder auf einem anderen Potential wie die Wandanode 15 liegen kann, sorgt dafür, daß die von der Kathode 10 emittierten Elektronen des Strahls möglichst senkrecht auf den Pangschirm 6 auftreffen. In "bekannter Weise erscheint ein Videosignal entsprechend einem auf den Pangschirm 6 fokussierten Abbild auf der Signalplatte 5 und wird über die Indiumabdichtung 8 zum Kontaktring 9 übertragen. Den Ablenkspulen 17 werden geeignete Ablenkpotentiale zugeführt, und das Solenoid 18 erhält einen Strom, wie er zur Fokussierung des Elektronenstrahls zu 'einem feinen Punkt auf dem Pangschirm 6 erforderlich ist.The temperature of the cathode is increased so far that the emitting Area 12 emits electrons. The electrodes 12 and 13 and the wall anode 15 are connected to suitable voltages, so that the electrons have a narrow, on the pang screen directed beam. The grid electrode 16, which is at the same or a different potential as the Wall anode 15 can be, ensures that the electrons emitted by the cathode 10 of the beam as possible impinge perpendicularly on the pan screen 6. As is well known, a video signal corresponding to one appears on the Pan screen 6 focuses the image on the signal plate 5 and becomes the contact ring 9 via the indium seal 8 transfer. The deflection coils 17 are given suitable deflection potentials is supplied, and the solenoid 18 receives a current such as that required for focusing the electron beam to a fine one Point on the pan screen 6 is required.

Pig. 2 zeigt eine erfindungsgemäße Anordnung mit ladungsspeicherndem Pangschirm, bei dem von dem Phänomen der Leitfähigkeitserzeugung durch.Elektronenbeschuss Gebrauch gemacht wird. Die Stirnwand der evakuierten Umhüllung 19a einer Aufnahmeröhre bildet ein optisches Penster, und eine Poto-Elektronenemissionskathode 21 ist auf der inneren Pläche dieses Pensters 20 angebracht. Am anderen Ende der Röhre, ist eine Kanone 22 zur Erzeugung eines Elektronenstrahls vorgesehen. Zwischen der Fotokathode 21 und der Kanone 22 ist der ladungsspeichernde Pangschirm 23 mittels eines ringförmigen metallischen Rahmens 24 angeordnet, der in der oben anhand von Pig. 3 beschriebenen Weise hergestellt ist.Pig. 2 shows an arrangement according to the invention with charge-storing pan screen, in which from the phenomenon the generation of conductivity by electron bombardment is made use of. The end wall of the evacuated enclosure 19a an optical penster, and one of a pickup tube Pot electron emission cathode 21 is on the inner surface this penster 20 attached. At the other end of the tube, a cannon 22 is provided for generating an electron beam. Between the photocathode 21 and the cannon 22 is the charge-storing panel 23 by means of an annular metallic frame 24 arranged in the above with reference to Pig. 3 is made in the manner described.

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Zusätzlich zu den bereits beschriebenen Elementen ■ \j besitzt die Röhre eine Wandanode 25 zwischen der Kanone 22 · /'.' und dem Fangschirm 23 sowie eine beschleunigende Wandelektrode 26 zwischen der Fotokathode 21 und dem Fangscairm 23. . Die Röhre wird in Verbindung mit einem Schaltkreis betrieben - O der Abtastspulen 27 und ein fokussierendes Solenoid 28 enthält. Der äußere Kreis enthält ferner Mittel zum Beaufschlagen der einzelnen Elektroden der Röhre mit geeigneten Potentialen, und diese Mittel sind symbolisch, in der Abbildung als ein Potentiometer 29 dargestellt, das über einer geeigneten Spannungsquelle 30 liegt. Die Elektroden sind an verschiedene Abgriffe des Potentiometers angeschlossen, und der Fangschirm 23 wird auf einem geeigneten positiven Potenttal in bezug auf die Fotokathode 21 gehalten, so daß die Fotoelektronen von dort mit ausreichendem.Potential beschleunigt werden, um Leitfähigkeit durch den Elektronenbeschuss zu erzeugen. Beispielsweise wird der Fangschirm 23 auf ein positives Potential im Bereich zwischen 1 800 bis 15 000 Volt in bezug auf die Fotokathode 21 gelegt. Die beschleunigende Wandelektrode 26 wird auf oder über dem Potential des Fangschirms 23 gehalten, wobei ein Potential über dem des Fc.r.gschirins 23 vorzuziehen ist, um eine gute Sättigung von Sekundärelektronen zu erhalten, die von der der Fotokathode'21 «' zugewandten Fläche des Fangschirias 23 emittiert werden. Die Kathode der Kanone 22 wird auf einem Potential gehalten, das in "bezug auf den Fangschirm 23 negativ ist. Wenn somit ein LLchtabbild auf die Fotokathode 21 fokussiert wird, wird dieses in ein Elektronenabbild umgesetzt, das wiederum : auf den Fansschirm 23 fokussiert wird, u^. dort durch Elektronenbeschuß Leitfähigkeit zu erzeugen. Solch eine Leitung ist eineIn addition to the elements already described ■ \ j the tube has a wall anode 25 between the cannon 22 · / '.' and the catch screen 23 and an accelerating wall electrode 26 between the photocathode 21 and the catch screen 23. The tube operates in conjunction with a circuit - O the sensing coils 27 and a focusing solenoid 28 includes. The outer circle also contains means for loading the individual electrodes of the tube with suitable potentials, and these means are symbolic in the figure shown as a potentiometer 29 which is connected to a suitable voltage source 30. The electrodes are on different ones Taps of the potentiometer connected, and the catch screen 23 is on a suitable positive Potenttal held with respect to the photocathode 21, so that the photoelectrons accelerated from there with sufficient potential to generate conductivity through electron bombardment. For example, the safety screen 23 is on positive potential in the range between 1,800 to 15,000 volts with respect to the photocathode 21 placed. The accelerating one Wall electrode 26 is kept at or above the potential of the protective screen 23, with a potential above that of Fc.r.gschirins 23 is preferable to get a good saturation of To receive secondary electrons from the photocathode'21 «' facing surface of the protective shield 23 are emitted. The cathode of cannon 22 is held at a potential which is negative with respect to the capture screen 23. Thus, when a light image is focused on the photocathode 21, this is converted into an electron image, which in turn: is focused on the fan screen 23, u ^. there by electron bombardment To generate conductivity. Such a lead is one

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-10--10-

Funktion der Helligkeit der einzeli^aii P-onkte de3 Licatabbildea, so daß ein entsprechendes Ladungsbild auf dem Fangectiirm 23
aufgebaut wird. Dieses Ladungsabbild wird wiederum periodisch. durch die Abtastaktion des Strahls von der Kanone 22 entladen. Function of the brightness of the individual points de3 Licatabbildea, so that a corresponding charge image on the catcher ctiirm 23
is being built. This charge image in turn becomes periodic. discharged from the cannon 22 by the scanning action of the beam.

-Patentansprüche --Patent claims -

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Claims

-Patent claims-

Electron discharge device with a charge- storing screen, characterized in that the screen is made of amorphous silicon or germanium with a high specific resistance ^.:

2. Electron discharge device according to claim 1, characterized in that the catch screen is a photoconductive catch screen. ': ··.

3. Electron discharge device according to claim 1, characterized in that it singe- for application uer generation of conductivity in the protective screen by electron bombardment. is directed. . . ■

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