DE885567C

DE885567C - Processes and circuits for amplifying electrical currents

Info

Publication number: DE885567C
Application number: DEC4158A
Authority: DE
Inventors: Frederick Henry Townsend
Original assignee: Cathodeon Ltd
Current assignee: Heraeus Noblelight Analytics Ltd
Priority date: 1951-05-08
Filing date: 1951-05-08
Publication date: 1953-08-06

Description

Verfahren und Schaltungen zur Verstärkung elektrischer Ströme Die Erfindung befaßt sich mit der Verstärkung elektrischer Ströme und hat zum Ziel, eine Methode zu schaffen, nach welcher eine solche Verstärkung in einfacher Weise durch dieAnwendung eines neuartigen Prinzips erreicht wird.Methods and circuits for amplifying electrical currents Invention is concerned with the amplification of electrical currents and has the aim of to provide a method by which such reinforcement can be achieved in a simple manner is achieved through the application of a novel principle.

Nach der Erfindung wird die Verstärkung eines elektrischen Stromes dadurch bewirkt, d aß dieser Strom in Form eines Elektronenstromes oder -strahles die Leitfähigkeit oder den Widerstand eines Schaltmittels beeinflußt, welch letzteres einen Teil eines äußeren Stromkreises darstellt, der von einer getrennten Stromquelle gespeist wird. Auf diese Weise wird die Leitfähigkeit oder der Widerstand des Schaltelements durch den Elektronenstrom oder -strahl moduliert, wobei ein der Modulation entsprechender Wechselstrom durch das Schaltelement und den äußeren Stromkreis fließt. Der so erhaltene Wechselstrom stellt denAusgangsstrom der Ve-rstärkeranordnung -dar, wobei die Amplitude des Stromes von der Amplitude des Stromes im Elektronen@stram oder -strahl zwar kontrolliert, aber nicht begrenzt wird.According to the invention, the amplification of an electric current This causes this current in the form of an electron current or beam influences the conductivity or the resistance of a switching means, which latter represents part of an external electrical circuit from a separate power source is fed. In this way, the conductivity or resistance of the switching element modulated by the electron stream or beam, one corresponding to the modulation Alternating current flows through the switching element and the external circuit. The thus obtained Alternating current represents the output current of the amplifier arrangement, where the amplitude of the current from the amplitude of the current in the electron @ stram or beam controlled but not limited.

Durch die Modulation des Elektronenstromes oder -strahles wird .die Leitfähigkeit oder der Widerstand des Schaltelements entsprechend moduliert in Übereinstimmung mit der jeweiligen Stromdichte im Elektronenstrom oder -strahl. In gleicher Weise wird der .durch das Schaltelement fließende Stromanteil ,des äußeren Kreises m:odufiert, wobei der modulierte Ausgangsstrom um ein Vielfaches den Strom des modulierenden Elektronenstromes oder -strables übertrifft.By modulating the electron stream or beam, the Conductivity or the resistance of the switching element modulated accordingly in accordance with the respective current density in the electron current or beam. In the same way the current component of the outer circle flowing through the switching element is modulated, the modulated output current being a multiple of the current of the modulating Electron current or strables.

Eine dieser Erfindung entsprechend aufgebaute Verstärkeranordnung wird dieKombination solcher Einrichtungen enthalten, welche geeignet sind, die besch-riebenen@ Effekte hervorzubringen; in Verbindung mit einem Schaltmittel :der beschriebenen Art.An amplifier arrangement constructed in accordance with this invention becomes the combination of such Facilities included which are suitable are to produce the described @ effects; in connection with a switching means : of the kind described.

Überall, wo Strom- oder Spannungsverstärkungen in Frage kommen, kann der vorliegende Erfindungsgedanke angewendet werden. Ein Anwen-.dung@sbenspiel ist z. B. die Erzeugung von Bildsignalen beim Fernsehen. Hierbei ist ein Verfahren und eine Aufnahmeröhre vorgesehen, welche Bildsignale hervorbringt, deren Kurvenform sich für die Übertragung von Fernsehbid@dern eignet. Bei dieser Methode wird ein Elektronenstrom oder -strahl entsprechend dem jeweiligen Bildinhalt moduliert. Dieser modulierte Strom oder Strahl moduliert dann seinerseits die Leitfähigkeit bzw. den Widerstand eines Schaltelements der beschriebenen Art, wobei in dem äußeren Stromkreis ein entsprechend modulierter Strom entsteht, der ein originalgetreues elektrisches Abbild :dies zu, übertragenden Bildes darstellt.Everywhere where current or voltage amplification can come into question the present inventive concept can be applied. An application.dung@sbenspiel is z. B. the generation of image signals in television. Here is a procedure and a pickup tube is provided which produces image signals, their waveform is suitable for the transmission of television images. This method uses a Electron stream or beam modulated according to the respective image content. This The modulated current or beam then in turn modulates the conductivity or the Resistance of a switching element of the type described, wherein in the external circuit a correspondingly modulated current is created, which is a true-to-original electrical Image: this represents the image to be transmitted.

Die Modulation der veränderlichen Leitfähigkeit oder des variablen Widerstandes kann auf verschiedene Weise -herbeigeführt werden. Bei einer Ausführung stellt das Schaltelement eine Substanz dar, die unter dem Ein:fluß auftreffender Elektronen ihre Leitfähigkeit oder den elektrischen Widerstand äntdert. Einige kristalline Stoffe, z. B. einige Formen von Diamanten, die gewöhnlich als elektrische Isolatoren angesehen werden, besitzen bekanntlich die Eigenschaft, daß sie unter dem Einflüß auftreffender Elektronen leitend werden. Ähnlich ve-rha,lten sich auch andere Isolatoren, z. B. Si:lica, wenn dieselben in sehr dünnen Folien hergestellt werden. Solche Stoffe können nm Vakuum montiert werden, und zwar zwischen Elektronen verschiedenen Potentials, wobei der Elektronenstrom oder -strahl, falls erforderlich, nach vorangegangener Vervielfachung auf die Substanz gerichtet wird. Hierdurch nimmt deren Widerstand ab, wobei durch die Substanz unter dem Einfluß der angelegten Potentialdifferenz ein Strom in dem äußeren Kreiss fließt, dessen Größe einerseits von der erwähnten Patentialidifferenz, andererseits von der Dichte und der Geschwindigkeit der auftreffenden Elektronen abhängt. Dieser Ausgangsstrom kann um ein Vielfaches größer als der Strom im einfallenden Strahl sein. In einem anderen Beispiel trifft der Elektronenstrom öder -strahl auf ein fluoreszierendes Element, wobei die HeIligkeit des letzteren in Übereinstimmung mit der Elektronendichte schwankt. Das fluoreszierende Element wird so angeordnet, daß eine lichtempfindliche Schicht, z. B. eine Selenzelle, angestrahlt wird, deren Widerstand sich mit den Schwankungen des auffallenden Lichtis.tromes ändert. Das fluoreszierende und das lichtempfindliche Element können dicht nebeneinander montiert werden. Das lichtempfindliche Element, dass in diesem Fall dem mit veränderlicher Leitfähigkeit bzw. veränderlichem Widerstand ausgestatteten Schaltmittel im Sinne des Erfindungsgedankens entspricht, bildet einen Bestandteil eines Stromkreises mit gesonderter Spannungsquelle. In diesem Fall wird die Modulation des Ausgangsstromes gewissermaßen in zwei Stufen bewirkt, wobei zu beachten isst, ;daß das Potential des Schaltmittels mit veränderlicher Leitfähigkeit bzw. veränderlichem Widerstand, nämlich der lichtelektrischenZelle, von dem .des Elektronenstrahles verschieden sein kann.The modulation of the variable conductivity or the variable Resistance can be brought about in a number of ways. At one execution the switching element represents a substance, which under the influence of the impact Electrons change their conductivity or electrical resistance. Some crystalline Substances, e.g. B. Some forms of diamonds that are commonly used as electrical insulators are viewed, are known to have the property that they are under the influence Electrons impinging on it become conductive. Similar to ve-rha, other insulators should also be z. B. Si: lica, if they are made in very thin foils. Such substances nm vacuum can be mounted between electrons of different potential, the electron stream or beam, if necessary, according to the preceding Multiplication is directed towards the substance. This increases their resistance from, being through the substance under the influence of the applied potential difference a current flows in the outer circle, the magnitude of which depends on the one hand from that mentioned Patential difference, on the other hand, on the density and the speed of the hitting Electrons depends. This output current can be many times greater than the current be in the incident ray. In another example, the electron stream hits or beam on a fluorescent element, the brightness of the latter varies in accordance with the electron density. The fluorescent element is arranged so that a photosensitive layer, e.g. B. a selenium cell, irradiated whose resistance changes with the fluctuations of the incident light current changes. The fluorescent and the photosensitive element can be close together to be assembled. The photosensitive element that in this case the one with changeable Conductivity or variable resistance equipped switching means in the sense corresponds to the inventive idea, forms part of a circuit with separate voltage source. In this case the modulation of the output current in a manner of speaking it is effected in two stages, whereby it is important to note that the potential of the switching means with variable conductivity or variable resistance, namely the photoelectric cell, different from that of the electron beam can be.

Bei einem anderen Ausführungsbeispiel läßt man den Elektronenstrahl auf eine Schicht veränderlicher Leitfähigkeit bzw. veränderlichen Widerstandes fallen, welche eine fluoreszierende Substanz enthält, die ihrerseits schon lichtempfindln@cheEigenschaften besitzt, z. B. Zimksulfi.d, deren elektrische Leitfähigkeit sich also unter dem Einflüß des Fluoreszenzleuchtens ändert. Auf diese Weise wird die gewünschte Modulation des Schaltelements in wirksamer Weise erhalten, wie oben beschrieben, genau wie bei einer Substanz, deren Leitfähigkeit sich unter dem Einfluß des Elektronenbombardements direkt ändert, nur mit dem Unterschied, daß im Fa,'ll der fluoreszierenden photoelektrischen Schicht ein Teil der Elektronenenergie verschwendet wird, um die Fluoreszenz hervorzubringen.In another embodiment, the electron beam is released fall on a layer of variable conductivity or variable resistance, which contains a fluorescent substance, which in turn already has light-sensitive properties owns, e.g. B. Zimksulfi.d, whose electrical conductivity is below the Influence of fluorescent lighting changes. This way you get the modulation you want of the switching element is effectively obtained as described above, just like in the case of a substance whose conductivity changes under the influence of electron bombardment changes directly, only with the difference that in the Fa, 'll the fluorescent photoelectric Layer some of the electron energy is wasted to produce the fluorescence.

Bei einem anderen Ausführungsbeispiel wird ein optisches Bild auf eine lichtempfindliche Kathode projiziert, wobei die emittierten Elektronen zu einem elektronenoptischen Abbild fokussiert werden, welches mit Hilfe geeigneter Abl;enkmittel an einer kleinen Öffnung von der Größe eines Bildelements vorbeibewegt wird, so daß ein Eled"-tronenstrahl resultiert, dessen Dichte entsprechend der an .dem jeweiligen Bildpunkt herrschenden Helligkeit variiert, ähnlich wie dies bei dem :be.-kannten Verfahrender Bildtrennung geschieht, das in der Röhre vom Bildauflösertyp (image dissector tube) angewendet wird. Während bei den bekannten Typen dieser Röhren :die durch die Öffnung hindurchgegangenen Elektronen von einer Sammelelektrode aufgefangen werden, und zwar entweder direkt oder nach vorangegangener Vervielfachung, wobei der im Stromkreis der Sam-melelektrode auftretende Strom deal Ausgangsstrom der Röhre enthält, moduliert im Gegensatz hierzu mach dem vorliegenden Erfindungsgedanken der durch die Öffnung hindurchtretende bildmoidulierte Elektronenstrom die Leitfähigkeit öder den Widerstand eines Schaltelements der beschriebenen Ausführung; welche an die Stelle der obererwähnten Sammelelektrode tritt, welche in den bekannten Typen der B,ildauflöserröhren verwendet wird. Der durch die Öffnung hindurchgetretene Elektronenstrom trifft auf das erwähnte Schaltelement, und zwar entweder direkt oder nach vorangegangener Verstärkung durch Sekundärelektronen. Falls erwünscht, können ;die durch die Öffnung hindurchgetretenen Elektronen durch Anlegen einer zusätzlichen Spannung weiter beschleunigt und, wenn nötig; fokussiert werden, bevor dieselben das erwähnte Schaltelement oder den Elektronenvervielfacher erreichen. Im letzteren Fall kann die zusätzliche Beschleunigung und Fokussierung auch nach der Verstärkung im Verviel.facher vor dem Erreichen des besagten Schaltelements vorgenommen werden. Eine dementsprechend 'konstruierte Aufnahmeröhre besteht also im wesentlichen aus zwei Teilen; in -dem ersteren wird dass elektronenoptische Abbild durch Lichtemission aus der lichtempfindlichen Kathode gebildet, mittels einer geeigneten Elektronenlinse fokussiert und an der Öffnung mittels geeigneter Ablenkvorrichtungen vorbeibewegt. In dem zweiten Teil werden die durch die Öffnung hirndurchgetretenen Elektronen entweder direkt oder nach vorangegangener Verstärkung im Sekundärelektronenvervielfacher mit oder ohne zusätzliche Beschleunigung und Fokussierung auf das Schaltelement verändexlicherLeitfähigkeit bzw. veränderlichen Widerstandes treffen, welches einen Teil eines äußeren Stromkreises ausmacht, welcher den Ausgangskreis der Röhrenanordnung darstellt. Der erste Teil der Röhre kann mit verhältnismäßig niedrigen Spannungen betrieben werden (z. B. unter iooo Volt) mit entsprechend geringem Aufwand für Fokussierung und Ablenkmittel, während der zweite Teil der Röhre hohe Beschleunigungsspannungen enthält, um die Energie ,der auf die Schicht veränderlicher Leitfähigkeit auftreffenden Elektronen zu erhöhen.In another embodiment, an optical image is created A photosensitive cathode is projected, whereby the emitted electrons become one electron-optical image are focused, which with the help of suitable deflection; is moved past a small opening the size of a picture element, so that an Eled "electron beam results, the density of which corresponds to that of the respective The brightness of the pixel varies, similar to that of the: known The process of image separation takes place in the tube of the image resolution type (image dissector tube) is used. While with the known types of these tubes: the Electrons that have passed through the opening are captured by a collecting electrode either directly or after previous multiplication, where the current occurring in the circuit of the collecting electrode deal the output current of the Contains tube, modulated in contrast thereto, according to the present inventive concept the image-modulated electron current passing through the opening determines the conductivity or the resistance of a switching element of the embodiment described; which on takes the place of the above-mentioned collecting electrode, which in the known types the picture resolution tubes are used. The one who passed through the opening Electron stream hits the mentioned switching element, either directly or after previous amplification by secondary electrons. If desired, can; the electrons that have passed through the opening by applying a additional tension further accelerated and, if necessary; be focused before the same can reach the mentioned switching element or the electron multiplier. In the latter case, the additional acceleration and focusing can also be after the gain in the multiplier before reaching said switching element be made. A pickup tube designed accordingly essentially consists of two parts; in -the former becomes that electron optical Image formed by light emission from the photosensitive cathode, by means of a suitable electron lens and focused at the opening by means of suitable Deflectors moved past. In the second part, those are through the opening electrons passed through the brain either directly or after prior amplification in the secondary electron multiplier with or without additional acceleration and Focusing on the switching element of changeable conductivity or changeable Meet resistance, which forms part of an external circuit, which represents the output circuit of the tube assembly. The first part of the tube can be with relatively low voltages are operated (e.g. below 100 volts) with correspondingly little effort for focusing and deflection means, while the second Part of the tube contains high acceleration voltages in order to reduce the energy applied to the Layer of variable conductivity to increase impinging electrons.

Der Erfindungsgedanke läßt sich auch bei Fernsehaufnahmeröhren des Speichertyps anwenden, bei welcher eine Speicherelektrode von einem Elektronenstrahl abgetastet wird. Hier wird der rückkehrende Strahl entweder direkt oder nach vorangegangener Verstärkung durch Sekundärelektronen in Berührung mit der Schicht veränderlicher Leitfähigkeit bzw. veränderlichen Wliderstandes gebracht, welche an einer geeigneten Stelle im Innern der Röhre zu diesem Zweck anzuordnen ist. Da der rückkehrende Strahlstrom dem jeweiligen Ladezustand der Speicherelektrode, also der Helligkeitsverteilung des Bildes entsprechend moduliert wird, so moduliert der rückkehrende Strom das Element veränderlicher Leitfähigkeit derart, daß der im äußeren Kreis fließende Strom den gleichen Modulationsanteil enthält und somit denAusgangssignals trom der Röhrenanordnung darstellt.The idea of the invention can also be applied to television tubes Apply storage type in which a storage electrode from an electron beam is scanned. Here the returning ray is either directly or after the previous one Amplification by secondary electrons in contact with the layer more variable Conductivity or variable resistance brought to a suitable Place inside the tube for this purpose. As the returning jet stream the respective state of charge of the storage electrode, i.e. the brightness distribution is modulated accordingly, the returning current modulates that Element of variable conductivity such that the one flowing in the outer circle Current contains the same modulation component and thus the output signal flows Represents tube arrangement.

Zum Beispiel können Aufnahmeröhren in der beschriebenen Weise ausgebildet werden, welche dem Orthikon oder dem Bildorthikon ähneln, nur mit den folgenden Unterschieden, nämlich daß bei Röhren des Orthikontyps,das Ausgangssignal nicht an der Signalelektrode der Speicherplatte abgenommen wird, sondern als Modulation des Rückstrahles, welcher entweder direkt oder nach voran- , gegangener Verstärkung durch Sekundärelektronen mit oder ohne Nachbeschleunigung und Fokussierung auf ein Element veränderlicher Leitfähigkeit oder veränderlichen Widerstandes trifft, mit dem Ergebnis, daß in dem äußeren Stromkreis, von welchem das erwähnte Element einen Bestandteil bildet, der Ausgangsstrom der Röhre erzeugt wird. Bei Röhren des Bildorthikontyps wird als Ausgangsspannung nicht die an der letzten Anode des Elektronenvervielfachers, welchen der modulierte Rückstrahl passiert, erhaltene Spannungsschwankung abgenommen, sondern man läßt den modulierten Rückstrahl entweder direkt oder nach vorangegangener Verstärkung durch Sekundärelektronen mit oder dhne Nachbeschleunigung und Fokussierung auf ein Element veränderlicher Leitfähigkeit oder veränderlichen Widerstandes in .der beschriebenen Weise treffen, wobei im äußeren Stromkreis der Ausgangssignalstrom entsteht.For example, pick-up tubes can be formed in the manner described which resemble the orthicon or the image orthicon, only with the following Differences, namely that with tubes of the orthicon type, the output signal is not at the signal electrode of the storage disk, but as modulation of the return beam, which either directly or after previous amplification by secondary electrons with or without post-acceleration and focusing on one Element of variable conductivity or variable resistance meets with the result that in the external circuit of which the mentioned element is a Forms component, the output current of the tube is generated. For tubes of the image orthicontype the output voltage is not the one at the last anode of the electron multiplier, which the modulated return beam passes, the voltage fluctuation obtained is reduced, but one leaves the modulated return beam either directly or after the previous one Amplification by secondary electrons with or without post-acceleration and focusing to an element of variable conductivity or variable resistance in .the described manner, with the output signal current in the external circuit arises.

Außer bei Fernsehaufnahmeröhren läßt sich der Erfindungsgedanke auch auf Verstärkerröhren anwenden, bei welchen nach dieser Erfindung ein spannungsmodulierter Elektronenstrahl auf ein Element veränderlicher Leitfähigkeit oder veränderlichen Widerstandes trifft und so ein entsprechend moduliertes und verstärktes Stromsignal im angeschlossenen Stromkreis erzeugt.Except for television tubes, the idea of the invention can also apply to amplifier tubes in which a voltage modulated according to this invention Electron beam on an element of variable conductivity or changeable Resistance meets and so a correspondingly modulated and amplified current signal generated in the connected circuit.

Zum besseren Verständnis der Erfindung sollen unter Bezugnahme auf die Zeichnungen verschiedene Anwendungsbevspiele näher beschrieben werden.For a better understanding of the invention, reference should be made to the drawings of various application examples are described in more detail.

Fig. i bis d. zeigen verschiedene Ausführungsformen des veränderlichen Schaltelements; Fig. 5 zeugt das Anwendungsbeispiel einer FernsehaufnahmeTöhre, die den Erfindungsgedanken benutzt; Fig.6 zeigt eine abgeänderte Ausführung von Fig. 5 ; Fig. 7 zeigt einen anderen Typ einer Aufnahmeröhre, welche ebenfalls den Erfindungsgedanken zur Ausführung bringt;. ' Fig. 8 zeigt einen weiteren Typ einer Aufnahmeröhre, die den Erfindungsgedanken benutzt.Figs. I to d. show different embodiments of the mutable Switching element; Fig. 5 shows the application example of a television receiver tube, who uses the inventive idea; 6 shows a modified embodiment of Fig. 5; Fig. 7 shows another type of pickup tube which also has the Bringing inventive ideas to execution. 'Fig. 8 shows another type of one Pick-up tube that uses the idea of the invention.

Fig. i zeigt ein empfindliches Schaltelement, das aus der leitenden Trägerschicht i besteht, ferner die Schicht 2 enthält, welche von einer Substanz gebildet wird, die .die Eigenschaft besitzt, unter der Wirkung auftreffender Elektronen ihre Leitfähigkeit oder ihren Widerstand zu ändern. 3 isst eine elektronendurchlässige, leitende Schicht. Die Schicht 2 kann aus einer kristallinen Substanz bestehen, z. B. einem Diamanten geeigneter Beschaffenheit, welche die geforderte Eigenschaft besitzt; diese Schicht kann auch aus einem dünnen Film von Siilica oder einem anderen Material gebildet sein, welches normalerweise als Isolator wirkt, aber unter der Einwirkung eines Elektronenbombardements,die gewünschteEigenschaft aufweist. Die drei Schichten sind hintereinander in der Richtung des Elektronenstrahles angeordnet, was durch die Pfeile in der Zeichnung angedeutet wird. Eine Spannungsquelle, angedeutet d'urc'h die Batterie 4, liegt zwischen den Schichten i und 3 mit einem Widerstand 5 in Reihe, wobei das gesamte Schaltelement im Innern der Röhre untergebracht ist. Auf Grund der der Schicht 2 innewohnenden Eigenschaften wird ihr Widerstand beim Auftreffen der Elektronen abnehmen, wobei im äußeren Kreis ein Strom fließt und am Widerstand 5 abgenommen werden kann. Die Größe -des Stromes wird einerseits vom Potential der Batterie q. abhängen, andererseits von der Intensität und Geschwindigkeit der einfallenden Elektronen. Dieser Ausgangsstrom kann um ein Vielfaches größer als der einfallende Elektronenstrom sein, doch wird im allgemeinen eine weitere Verstärkung angebracht sein. Dies kann am wirksamsten .dadurch erreicht werden, @daß der Strom durch den Widerstand 5 geleitet und der Spannungsiabfall einem Verstärker zugeleitet wird, ,der in Fig. i durch die Triode 6 angedeutet ist, wo der verstärkte. Strom an der Anode 7 abgenommen werden kann.Fig. I shows a sensitive switching element, which consists of the conductive Carrier layer i consists, furthermore contains the layer 2, which of a substance is formed, which has the property under the action of impinging electrons change their conductivity or resistance. 3 eats an electron permeable, conductive layer. The layer 2 may consist of a crystalline substance, e.g. B. a diamond of suitable quality, which the required property owns; this layer can also consist of a thin film of Siilica or another Material be formed, which normally acts as an insulator, but under the Exposure to electron bombardment having the desired property. the three layers are arranged one behind the other in the direction of the electron beam, which is indicated by the arrows in the drawing. A voltage source, indicated d'urc'h the battery 4, lies between layers i and 3 with a resistor 5 in series, with the entire switching element housed inside the tube. Due to the properties inherent in layer 2, its resistance is at The impact of the electrons decreases, with a current flowing in the outer circle and can be removed at the resistor 5. The size of the current is on the one hand from the Potential of the battery q. depend, on the other hand on the intensity and speed of the incident electrons. This output current can be many times larger than the incident electron current, but will generally be another Reinforcement be appropriate. This can most effectively be achieved by @that the current passed through the resistor 5 and the voltage drop an amplifier is fed, which is indicated in Fig. i by the triode 6, where the amplified. Current can be taken from the anode 7.

In einem anderen Anwendungsbeispiel stellt die Schicht 2 keine Substanz dar, die unter dem Einfluß auftreffender Elektronen ihre Leitfähigkeit ändert, sondern besteht aus einem :Material, welches gleichzeitig fluoreszierende und lichtempfindliche Eigenschaften besitzt, so daß die Leitfähigkeit der Substanz durch das Licht ihrer eigenen Fluoreszenz verändert wird. Die gewünschte Möidulation wind mit diesem Element in analoger Weise erhalten, wie zuvor beschrieben, nur daß ein Teil der Elektronenenergie bei idem Zustandekommen der Fluoreszenz verlorengeht: Als Beispiel für eine solche Substanz, welche fluoreszierende und licht-,empfindliche Eigenschaften miteinander vereinigt, sei Zinksulfid genannt.In another application example, the layer 2 does not constitute a substance which changes its conductivity under the influence of impinging electrons, but consists of one: material that is fluorescent and light-sensitive at the same time Has properties such that the conductivity of the substance through the light of its own fluorescence is changed. The desired modulation is achieved with this element obtained in a manner analogous to that described above, only that part of the electron energy is lost when the fluorescence occurs: As an example of such Substance which fluorescent and light-sensitive properties with one another united, let zinc sulfide be named.

Fig. 2 zeigt eine andere Form des Schaltellements, wie es dem Erfrndunpgedanken entspricht. Es besteht aus den beiden Halterungen 8 und 9, welche eine plattenähnliche Schicht iio an ihrem äußeren Rand halten. Das Material in Schtchtlio kann dem der Schicht 12. in. Fig. @i ähnlich sein, oder es kann fluoreszierende und lichtelektrische Eigenschaften besitzen, wie in dem zweiten Anwendungsbeispiel (Fig. @i) beschrieben. Ähnlich der oben beschriebenen Ausführungsweise ist das komplette. Element im Vakuum untergebracht und außerhalb der Röhre mit der Batterie 4 verbunden mit dem Widerstand 5 in Serie, an welchem ein Spannungsabfall erzeugt wird, der mittels der Verstärkerröhre 6 nochmals verstärkt wird, wobei die verstärkte Spannung an der Anode 7 abgenommen werden kann. Der einfallende Elektronenstrahl ist durch die Pfeile veranschaulicht.Fig. 2 shows another form of the switching element, as it corresponds to the Errndunpgedanke. It consists of the two holders 8 and 9, which hold a plate-like layer iio on their outer edge. The material in Schtchtlio can be similar to that of the layer 12 in. Fig. @I, or it can have fluorescent and photoelectric properties, as described in the second application example (Fig. @I). The complete one is similar to the embodiment described above. Element housed in a vacuum and outside the tube with the battery 4 connected to the resistor 5 in series, at which a voltage drop is generated, which is amplified again by means of the amplifier tube 6 , wherein the increased voltage can be taken from the anode 7. The incident electron beam is illustrated by the arrows.

Fig.3 zeigt ein weiteres Anwendungsbeispiel, das eine leitende Schicht i i, ,eine lichtempfindliche Schicht ie., die z. B. aus Selen bestehen kann, deren Widerstand sich der jeweiligen Belichtung entsprechend ändert, eine durchsichtige leitende Schicht 13 und eine fluoreszierende Schicht (i4, vorsieht. Wenn die letztere, i`4, in der Pfeilrichtung von einem Elektronensträ'hl bestrahlt wird, wird dieselbe zum Leuchten kommen und die lichtempfindliche Schicht -i.2 bestrahlen, so daß deren Widerstand bzw. Leitfähigkeit sieh ändert, wie in den früheren Beispielen beschrieben. Wie aus der Zeichnung ersichtlich, hat das kombinierte Schaltelement .das Aussehen einer belegten Brotscheibe, mit den einzelnen Schichten hintereinander senkrecht zur Richtung d es Elektronenstrahles angeordnet. Das Element ist im Vakuum untergebracht und mit einem äußeren Schaltkreis verbunden, der, wie oben beschrieben, aus der Batterie 4; dem Widerstand 5 und der Verstärkerröhre 6 mit ihrer Anode 7 besteht. Wenn Elektronen auf die fluoreszierende Schicht treffen, wird dieselbe die lichtempfindliche Schicht belichten, wobei sich -deren )Widerstand. entsprechend der Beleuchtungsstärke ändert undeine Spannungssehwankung im äußeren Kreis hervorruft, die, von der Röhre 6 verstärkt, an der Anode 7 abgenommen werden kann.Fig.3 shows another application example, which is a conductive layer i i,, a photosensitive layer ie., z. B. may consist of selenium, whose Resistance changes according to the respective exposure, a transparent one conductive layer 13 and a fluorescent layer (i4, provided. If the latter, i`4, irradiated in the direction of the arrow by an electron beam, becomes the same come to light and irradiate the light-sensitive layer -i.2, so that their Resistance or conductivity changes as described in the previous examples. As can be seen from the drawing, the combined switching element has the appearance a topped slice of bread, with the individual layers vertical one behind the other arranged to the direction of the electron beam. The element is housed in a vacuum and connected to an external circuit which, as described above, consists of the Battery 4; the resistor 5 and the amplifier tube 6 with its anode 7 consists. When electrons hit the fluorescent layer, it becomes the photosensitive one Exposure of the layer, with their) resistance. according to the illuminance changes and causes a voltage fluctuation in the outer circle, the, of the tube 6 reinforced, at the anode 7 can be removed.

Fig.4 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel, bei welchem die Funktionen von Fig. 2 mit denen der Fig. 3 vereinigt sind. Zwischen den Halterungen 15 und .i@6 wird die als Platte .ausgebildete Schicht aus lichtempfindlichem Material an ihrem Rand gehaltert. Eine fluoreszierende Schicht 18 ist vor dem Element angeordnet, so daß der Elektronenstrahl diese zunächst berührt, zum Leuchten bringt und somit die lichtelektrische Schicht 17 beleuchtet. Wie bei den früheren Beispielen ist .das Element im Vakuum untergebracht und an einen äußeren Stromkreis angeschlossen, der die Batterie 4; den Widerstand 5 und die Röhre 6 mit der Anode 7 enthält. Die Wirkungsweise der Anordnung ist ähnlich wie bei den bereits beschriebenen Beispielen; .da sich der Widerstand der lichtempfindlichen Schicht 17 in Übereinstimmung mit dien Intensitätsschwankungen des Elektronenstrahles ändert, wobei im äußeren Kreis entsprechende Spannungsschwankungen auftreten, welche der Verstärkerröhre 6 zugeführt und verstärkt an der Anode 7 abgenommen werden 'können.FIG. 4 shows another exemplary embodiment in which the functions of FIG. 2 are combined with those of FIG. 3. The layer of light-sensitive material formed as a plate is held at its edge between the holders 15 and .i @ 6. A fluorescent layer 18 is arranged in front of the element so that the electron beam initially touches it, causes it to glow and thus illuminates the photoelectric layer 17. As in the earlier examples, the element is housed in a vacuum and connected to an external circuit that contains the battery 4; the resistor 5 and the tube 6 with the anode 7 contains. The mode of operation of the arrangement is similar to that of the examples already described; . Since the resistance of the light-sensitive layer 17 changes in accordance with the intensity fluctuations of the electron beam, with corresponding voltage fluctuations occurring in the outer circle, which can be supplied to the amplifier tube 6 and amplified at the anode 7.

Nachstehend sollen einige komplette Apparaturen beschrieben werden, die den Erfindungsg?edanken zur- Ausführung bringen.In the following some complete apparatuses are to be described, which bring the idea of the invention to execution.

Fig: 5 zeigt; wieder Erfindungsgedanke bei einer Fernseh.aufnahmeröhre vom Bildauflösertyp durchgeführt wird. Die Röhre besteht zunächst aus der zumeist aus Glas gefertigten Hülle.ig, in der eine lichtempfindliche Kathode 2o und eine Anode 2:i eingeschmolzen sind. Mittels der Spannungsquelle 22 wind zwischen Kathode und Anode der erforderliche. Potentialunterschied hergestellt. Wenn ein Lichtstrahl auf die Kathode 2o, z. B. mittels der Linse 23; geworfen wird, werden Elektronen aus der Kathode frei gemacht, wobei diese zu einem Strahl vereinigt wenden, der zur Anode 2,i unter dem Einfluß der angelegten Spannung beschleunigt wird. Die Anode 211 erhält eine Öffnung 2q. von der Größe eines Bildelements; ferner ist die Fokussierspule 25 vorgesehen und Ablenkeinr'ic'htungen, mit deren Hilfe der Elektronenstrahl in bekannter Weise an der Öffnung vorbeibewegt werden kann. Bei der gewöhnlichen Bildauflöserröhre werden die durch die Öffnung hindurchgetretenen Elektronen von einer Sammelelektrode aufgefangen und erzeugen in dem angeschlossenen ,Stromkreis die gewünschten Bildsignale. Nach dem Erfindungsgedanken wird der Elektro'nens'trahl jedoch mit dem oberen beschriebenen Element in Berührung gebracht zur Erhöhung der Verstärkung, die auf diese Weise- erzielt werden kann. Das maßgebende Element ist schematisch in Fiig.5 mit 26 angedeutet in der in Fig. i gezeigten Ausführung, und zwar mit einer leitenden Trägerschicht i, einer dem Elektronenbömbandement ausgesetzten halbleitenden Schicht ,-q und der elektronendurchlässigen Schicht 3. Selbstverständlich können auch sämtliche anderen oben beschriebenen Ausführungsformen an der Stelle des Elements 28 benutzt werden. Wie oben bei der Erläuterung der Fig. i bis 4 beschrieben, wird das im Vakuum untergebrachte empfindliche Schaltelement mit einem äußeren Stromkreis verbunden, der ans der Batterie 4., dem Widerstand 5 und der schematisch mit 7 wiedergegebenen Röhre 6 besteht. An der Anode 7 kann, wie oben beschrieben, die gewünschte Ausgangsspannung abgenommen werden.Figure 5 shows; Another idea of the invention for a television recording tube of the image resolution type. The tube initially consists of mostly Sheath made of glass, in which a light-sensitive cathode 2o and a Anode 2: i are melted down. By means of the voltage source 22 winds between the cathode and anode the required. Potential difference established. When a ray of light on the cathode 2o, z. B. by means of the lens 23; is thrown, become electrons made free from the cathode, these being combined to form a beam which to the anode 2, i is accelerated under the influence of the applied voltage. The anode 211 is given an opening 2q. the size of a picture element; furthermore is the focusing coil 25 provided and deflection devices with the help of which the electron beam in can be moved past the opening in a known manner. With the ordinary picture dissolver tube the electrons that have passed through the opening are from a collecting electrode captured and generate the desired image signals in the connected circuit. According to the idea of the invention, however, the electron beam is described with the above Element brought into contact to increase the gain, which in this way- can be achieved. The decisive element is indicated schematically in Fiig.5 with 26 in the embodiment shown in Fig. i, with a conductive carrier layer i, a semiconducting layer exposed to the electron arcing element, -q and the electron-permeable layer 3. Of course, all other Embodiments described above can be used in place of element 28. As above with the explanation of the Figs. I to 4 will be described the sensitive switching element housed in a vacuum with an external circuit connected to the 4th of the battery, the resistor 5 and the shown schematically with 7 Tube 6 consists. As described above, the desired output voltage can be applied to the anode 7 be removed.

Wie schon erwähnt, wird ein optisches Bild auf die Photokathode 2o projiziert, wobei die freigemachten Elektronen ein lichtelektrisches Abbild ergeben, das an der Öffnung 24 vorbeigelenkt wird, so daß ein dem jeweiligen Helligkeitswert entsprechend in seiner Dichte modulierter Strahl die Öffnung 24 verläßt.As already mentioned, an optical image is shown on the photocathode 2o projected, whereby the released electrons result in a photoelectric image, which is deflected past the opening 24, so that one of the respective brightness value The beam with its density modulated accordingly leaves the opening 24.

Fig.6 zeigt eine abgeänderte Ausführung von Fig. 5, bei welcher der Elektronenstrahl nach Verlassen der Öffnung 24 einem Sekun.därelektronenvervielfacher zugeführt wird, bevor .derselbe das empfindliche Schaltelement erreicht. Soweit die einzelnen Teile ähnliche Funktionen wie in Fiig. 5 erfüllen, werden die gleichen Bezugszahlen benutzt. Die in Fig. 6 gezeigte Röhre besteht wieder aus dem (Glaskörper ig, der Photokathode 20 mit der Anode 21i, an welche eine ausreichend hohe Spannung angelegt wird, um das erforderliche Feld zwischen den beiden Elektroden zu erzielen. Das Abbild der zu übertragenden Szene wird mittels der Linse 23 auf die Photokathode 210 geworfen. Das mittels der Fokussierspule 25 konzentrierte elektronenoptische Bild wird wieder, wie oben beschrieben, an der Öffnung 24 vorbeibewegt. Nach Verlassen der Öffnung 24 passieren die Elektronen die schematisch mit 27 angedeutete Vervielfacheranordnung und erreichen schließlich das empfindliche Umwandlungselement 26, das erfindungsgemäß nach dem Vervielfacher i2:7 angeordnet ist. Die Ausführung dieses Elements entspricht der in Fig. 2 beschriebenen. Die Halterungen 8 und g tragen die als Platte ausgeführte Schicht ilo, welche aus einer Substanz besteht, die ihren Widerstand bzw. ihre Leitfähigkeit in Abhängigkeit von der Elektronenbestrahlung ändert. Dieses Element ist im Hüllkörper im Vakuum eingeschmolzen und mit der Batterie 4 und dem Widerstand 5 verbunden, wobei die am Widerstand abfallende Spannung der Röhre 6 zugeführt und an deren Anode 7 verstärkt abgenommen werden kann. In der Praxis wird eine relativ kleine Zahl von Elektronen, welche zu Beginn des Betriebes durch die Öffnung 24 hindurchgetreten ist, gewaltig verstärkt werden. Ein Teil der auf dieseWeise erzeugten Elektronen wird die Schicht io erreichen, worauf sich der Prozeß so abspielt, wie früher in Verbindung mit Fig. 2 beschrieben, wobei die gewünschte Ausgangsspannung an der Anode 7 der Röhre,6 abgenommen werden kann.Fig.6 shows a modified embodiment of Fig. 5, in which the Electron beam after leaving the opening 24 a secondary electron multiplier is supplied before .derselbe reaches the sensitive switching element. So far the individual parts have similar functions as in Fiig. 5 meet will be the same Reference numbers used. The tube shown in Fig. 6 again consists of the (glass body ig, the photocathode 20 with the anode 21i, to which a sufficiently high voltage is applied to achieve the required field between the two electrodes. The image of the scene to be transmitted is applied to the photocathode by means of the lens 23 210 thrown. The electron-optical concentrated by means of the focusing coil 25 The image is again moved past the opening 24, as described above. After leaving The electrons pass through the opening 24 through the multiplier arrangement indicated schematically at 27 and finally reach the sensitive conversion element 26, according to the invention after the multiplier i2: 7 is arranged. The execution of this element is the same that described in FIG. The brackets 8 and g carry the plate designed as a plate Layer ilo, which consists of a substance that reduces its resistance or conductivity changes depending on the electron irradiation. This element is in the enveloping body melted in vacuum and connected to battery 4 and resistor 5, wherein the voltage drop across the resistor is fed to the tube 6 and to its anode 7 can be removed reinforced. In practice this will be a relatively small number of electrons which passed through the opening 24 at the beginning of the operation is to be tremendously strengthened. Part of the electrons generated in this way will reach layer io, whereupon the process takes place as before in Connection with Fig. 2 described, the desired output voltage at the Anode 7 of the tube 6 can be removed.

Falls erwünscht, können die durch die Öffnung 2@4 hindurchgetretenen Elektronen mittels der Batterie 28 zwecks Erhöhung ihres Energiegehaltes weiter beschleunigt und, soweit nötig, noch fokussiert werden, bevor dieselben das Element 2.6 oder den Elektronenvervielfacher 27 erreichen. Bei Anwendung eines Vervielfachers kann die Beschleunigung auch nachher durch die Elektroden 28d unter Benutzung der Batterie 28 .vorgenommen werden, jedoch vor dem Auftreffen auf das Element.If desired, the can pass through the opening 2 @ 4 Electrons by means of the battery 28 in order to increase their energy content further accelerated and, if necessary, still focussed before the same the element 2.6 or the electron multiplier 27. When using a multiplier the acceleration can also be achieved afterwards by the electrodes 28d using the Battery 28 .be made, but before hitting the element.

Es sei noch bemerkt, daß der erste Teil der Röhre, wie .dieser unter Bezugnahme auf Fig. 5 und 6 beschrieben wurde, welcher also den Teil der Gesamtanordnung enthält, in dem das elektronenoptische Bild aus der Photokathode entsteht und, durch eine zweckentsprechende Elektronenlinse fokussiert, an der Öffnung 24 vobeibewegt wird, mit verhältnismäßig niedrigen Spannungen, z. B. iooo Volt und darunter, betrieben werden kann, was eine erhebliche Einsparung an Fokussier- und Ablenkmitteln bedeutet. Der zweite Teil der Röhre jedoch, in welchem die durch die Öffnung hindurchgetretenen Elektronen entweder mit oder ohne darauffolgende Verstärkung im Sekundärelektronenvervielfacher weiter mit oder ohne zusätzliche Nachbeschleunigung und Folzussierung auf das Element veränderlicher Leitfähigkeit treffen, kann, falls erwünscht, mit höherer Spannung betrieben werden, um den Energiegehalt des zu steiggern.It should also be noted that the first part of the tube, like this one below Referring to Figures 5 and 6, which is part of the overall arrangement contains, in which the electron-optical image arises from the photocathode and, through an appropriate electron lens focused, moved at the opening 24 is, with relatively low voltages, e.g. B. 100 volts and below, operated can be, which means a considerable saving in focusing and deflection means. The second part of the tube, however, in which the penetrated through the opening Electrons either with or without subsequent amplification in the secondary electron multiplier continue with or without additional acceleration and follow-up to the element variable conductivity can, if desired, with a higher voltage operated to increase the energy content of the.

Fig.7 zeigt, wie sich der Erfindungsgedanke auch auf Fernsehaufnahmeröhren des Speichertyps anwenden läßt, bei welchen eine Speicherfläche durch den Elektronenstrahl abgetastet wird. Ein Hüllkörper 2g aus Glas enthält eine Photokathode 30, eine Spei-che@rplatte 3'i und ein StrahlerzeugungssYstem 3(2 zur Erzeugung des Elektronenstrahles, welcher das Mosaik 3 i in der bei Fernsehaufnahmeröhre.n des Speichertyps üblichen Weise abtastet.Fig. 7 shows how the inventive idea is also applied to television pick-up tubes of the storage type can be used in which a storage area by the electron beam is scanned. An enveloping body 2g made of glass contains a photocathode 30, a storage plate 3'i and a beam generation system 3 (2 for generating the electron beam, which the mosaic 3 i in the manner customary in television recording tubes of the memory type scans.

Ein Bild der zu übertragenden Szene wird mittels der Linse 33 auf die Photokathode 30 projiziert, welche daraufhin Elektronen emittiert, die mittels der F'okuss!ierspule 34 auf die Mosaikplatte 31 konzentriert werden, wobei Sekundärelektronen in bekannter Weise entstehen, welche als Rückstrahl zur Sammelelektrode 35 gelangen. Sow=eit entspricht die beschriebene Röhre: einem normalen Bildikonoskop. Bei einer dein Erfindungsgedanken entsprechend ausgeführten Röhre wird die Sammelelektrode 35 durch das in den Fig. ii bis 4 wiederbegebene Schaltelement ersetzt. Fig. 8 zeigt schematisch hierfür ein spezielles Anwendungsbeispiel. Bei diesem besteht das erwähnte Element aus einer ringförmig ausgeführten leitenden Schicht 36, die als Träger für die gleichfalls ringförmig angeordnete Schicht 37 dient, die ihrerseits aus einem Material besteht, das seine Leitfähigkeit unter dem Einfluß auftreffender Elektronen ändert. 38 stellt eine ebenfalls ringförmig ausgebildete el-ektrone durchlässige leitende Schicht,dar. Das gesamte Element ist innerhalb des Hüllkörpers 29 im Vakuum eingeschmolzen und an d er Rückseite mit der Metallplatte 38a versehen; schließlich wird das komplette Schaltelement, wie bei den Fig. i bis 4 erläutert, in einen äußeren Stromkreis einbezogen, der aus der Batterie 4, dem Widerstand 5 und der Verstärlcerröhre !6, an deren Anode 7 die gewünschte Ausgang$spannung abgenommen werden kann, besteht. Der vom Mosaik 3r1 zurückkehrende Strahl beeinflußt den Widerstand der Schicht ß7 in der Weise, daß unter dem Einfloß der Batteriespannung am äußeren Widerstand Spannungsschwankungen erzeugt und der Röhre 6 zugeführt werden. Um zu verhindern; daß das mittlere Potential der Elektrode 38" sich verschiebt, kann der statische Schirm 39a zwischen ,letztere und'. die empfindliche Schicht eingeführt werden. Dieser wird am besten mit einer in der Zeichnung nicht wiedergegebenen Spannung beaufschlagt. Eine Beschleunigungsspannung 38b liegt zwischen der rückwärtigen Elektrode 38a und dem kompletten Element.An image of the scene to be transmitted is projected by means of the lens 33 onto the photocathode 30, which then emits electrons which are concentrated on the mosaic plate 31 by means of the focus coil 34, with secondary electrons being produced in a known manner, which are reflected as a return beam to the collecting electrode 35 arrive. So far the tube described corresponds to: a normal picture iconoscope. In the case of a tube designed according to your inventive concept, the collecting electrode 35 is replaced by the switching element shown in FIGS. Ii to 4. Fig. 8 schematically shows a special application example for this. In this case, the mentioned element consists of an annular conductive layer 36, which serves as a support for the likewise annularly arranged layer 37, which in turn consists of a material which changes its conductivity under the influence of impinging electrons. 38 shows a likewise ring-shaped electrically permeable conductive layer. The entire element is melted down inside the envelope 29 in a vacuum and provided on the rear side with the metal plate 38a; Finally, the complete switching element, as explained in FIGS. 1 to 4, is included in an external circuit which consists of the battery 4, the resistor 5 and the amplifier tube! consists. The beam returning from the mosaic 3r1 influences the resistance of the layer β7 in such a way that, under the influence of the battery voltage, voltage fluctuations are generated at the external resistor and fed to the tube 6. To prevent; that the mean potential of the electrode 38 " shifts, the static screen 39a can be inserted between" the latter and "the sensitive layer. This is best applied with a voltage not shown in the drawing. An acceleration voltage 38b lies between the rear electrode 38a and the complete element.

Falls erwünscht, kann die Schicht 37 durch eine fluoreszierende und eine lichtempfindliche Schicht ersetzt werden, wie früher beschrieben.If desired, the layer 37 can be fluorescent and a photosensitive layer can be replaced as described earlier.

Fig. 8 zeigt ein Orthikon, bei dem ;der Erfindungsgedanke ebenfalls zur Ausführung gekommen ist. Der Hüllkörper 39 enthält ein StrahlerzeugungssYstem 40, welches den mit 41 angedeuteten Elektronenstrahl erzeugt. Dieser tastet das halbdurchlässige Pho@to@mosaik 42 ab und bildet somit ein elektrisches Bild des mittels der Linse 43 in der bei 0'r thikonröhren üblichen Weise auf das Mosaik projizierten optischen Bildes ab. Der Strahl 41 wird durch die mit 44 gekennzeichneten Ablenkplatten unter dem gleichzeitigen Einfloß der schematisch mit 45 angedeuteten Zeilen- ,und B'ildablenkspulen abgelenkt. Der rückkehrende Strahl 416 durchläuft sodann eine schematisch mit 47 angegebene Vervie facheranordnung, bevor dieser das dem Erfindungsgedanken entsprechend aufgebaute Schaltelement erreicht. Dieses Element enthält wieder eine Trägerschicht q:8, eine elektronenempfindliche Schicht 49 und eine elektronendurchlässige Schicht 50, ähnlich der in Fäg. i wiedergegebenen Anordnung. Dieses Element ist innerhalb dies Hül'lkörpers 39 wieder im Vakuum eingeschmolzen und mit einem äußeren Stromkreis verbunden, der aus der Batterie 4, -dem Widierstand 5 und der Röhre 6 besteht, wobei die verfügbare Ausgangsspannung an der Anode 7 abgenommen wird. Die Wirkungsweise dies aus den Elementen 48, q:9 und S@o zusammengesetzten Schaltelements wurde bereits in dien früheren Abschnitten beschrieben.Fig. 8 shows an orthicon in which; the idea of the invention also has come to execution. The enveloping body 39 contains a beam generation system 40, which generates the electron beam indicated by 41. This is feeling it semi-permeable Pho @ to @ mosaik 42 and thus forms an electrical image of the projected onto the mosaic by means of the lens 43 in the manner customary with 0'r thikonröhren optical image. The beam 41 is through the baffles marked 44 with the simultaneous influx of lines, and, indicated schematically at 45 Image deflection coils deflected. Returning ray 416 then passes through a schematically indicated by 47 multiplier arrangement, before this the idea of the invention achieved accordingly constructed switching element. This element again contains a Carrier layer q: 8, an electron-sensitive layer 49 and an electron-permeable layer Layer 50, similar to that in Fäg. i reproduced arrangement. This element is inside this Hül'lkörpers 39 melted again in a vacuum and with an outer Connected circuit that consists of the battery 4, the resistor 5 and the tube 6 exists, the available output voltage at the anode 7 being taken. the How this works from the elements 48, q: 9 and S @ o composed switching element has already been described in the previous sections.

Obschon nur einige besondere Ausführungsbeispiele des elektronenempfindlichen Schaltelements unter Bezugnahme auf die Fig. 5 bis 8 beschrieben wurden, so können natürlich die einzelnen Elemente auch gegeneinander ausgetauscht werden bei sinngemäßer Abänderung der beschriebenen Au'sführunrg'sweise.Although only a few special embodiments of the electron-sensitive Switching element have been described with reference to FIGS. 5 to 8, so can Of course, the individual elements can also be exchanged for one another in the case of analogy Modification of the described execution.

Claims

PATENT CLAIMS: i. Arrangement for current amplification, characterized in that that the current to be amplified. in the form of electron irradiation, the electrical Changes the conductivity or resistance of an element that is part of a external circuit is fed by an independent Stromduell, so that the Change in conductivity or resistance, which the electron flow or -beam causes a correspondingly changed current flow through the mentioned Circle and Ida's element.

2 :. Arrangement for the production of television broadcasting purposes suitable image signals, characterized in that one corresponds to the respective image content correspondingly modulated electron irradiation, the conductivity or the resistance of an element inside a television pickup tube, which is a component a circuit outside the tube forms so that the electron beams induced change in conductivity or resistance of the element The consequence is that a correspondingly changed current through the mentioned circle and the mentioned element flows.

3. Arrangement according to claim i or 2, characterized in that that the electron-sensitive element has a layer structure, wherein a first layer made of a conductive material as a carrier for a layer (2, 12) from a substance whose resistance or conductivity is under the influence of electron bombardment changes, and above the one -electron permeable conductive Protection (3) lies.

4: Arrangement according to claim i or 2, characterized by @ that the ele @ itronene @ sensitive element has a multitude of conductive supports has, which rest on the edge of a plate-like layer (io, iz) of a .Substanz, whose resistance or conductivity changes under the influence of electron irradiation changes.

5. Arrangement according to claim 3 or in which the layer of substance, whose resistance or conductivity changes in the electron bombardment a fluorescent photosensitive material, e.g. B. from zinc sulfide.

6. Arrangement according to claim 3 or 4, in which the layer of variable power capability (1.2 or 17) made of a conductive material when exposed, e.g. B. of selenium and combined with a further layer (i: 2 'or 18) of a fluorescent seaweed is, the arrangement of the layers is such "that if the further layer Q14. or 118) is hit by the electron beam, the same for fluorescent lighting comes and thus the light-sensitive layer (12, 12 or) 17) irradiated, whereby this changes its conductivity or its resistance.

7: TV recording image decomposition ear, characterized by a combined electron-sensitive element according to one : of claims 3 to 6.

S. TV tube from Ikonoskop-oder Image iconoscope type, characterized in that it contains an electron-sensitive Element according to one of claims 3 to 6 is incorporated.

9. TV pickup tube of the orthicon or image orthicon type, characterized in that in the same, a electron-sensitive element according to one of claims 3 to 6, is incorporated. ok Television pick-up tube according to Claim 8 or 9, characterized in that the Tube also contains a secondary electron multiplier stage through which the electron beam passes before it reaches the sensitive element. Cited publications: "Electrical engineering", Vol. 3, 1.949, p. 5.1, Fig. I.