DE2129906A1 - Material-Pruefgeraet - Google Patents
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Description
PATKNTANWaUTE 8 MÜNCHEN OB POSTFACH 9301 βθ 8 MÜNCHEN Θ0
Unsere Akte: DA-K772(A-733) telegr., buromarcpat München
16. Juni 1971 KLS/PS/RT
Material-Prüfgerät
(Priorität: 17. Juni" 1970, USA, Nr. 46 897)
(Priorität: 17. Juni" 1970, USA, Nr. 46 897)
Die Erfindung bezieht sich' auf elektromechanische Wandler,
deren Fabrikation und Verwendung und betrifft insbesondere neue und verbesserte Ultraschallwandler zum Senden und/
oder Empfangen von fokussierter Ultraschallenergie hoher Frequenzen.
Bei einer Art der zerstörungsfreien Prüfung wird Ultraschallenergie
in ein Werkstück gesendet und/oder von diesem empfangen. Durch Bestimmung der Reaktion der Ultraschallenergie
mit dem Werkstück lassen sich die physikalischen Eigenschaften des Werkstücks ermitteln. Bei der sog. Impuls-•echo-Art
der Ultraschallprüfung wird einem Wandler ein kurzer, hochfrequenter elektrischer Impuls ,zugeführt, der
bewirkt,· daß der Wandler schwingt und einen Impuls mit Ultraschallfrequenz aussendet. In umgekehrter Weise führt
auf den Wandler treffende Ultraschallenergie zur Erzeugung eines elektrischen Signals.
Die Ultraschallenergie wird typischerweise durch ein geeignetes dazwi&chentretendes Kopplungsmittel in das zu
prüfende Werkstück eingekoppelt. Die Ultraschallenergie
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durchsetzt den Prüfling und wird von dessen Oberflächen sowie von in dem Werkstück etwa vorhandenen Unregelmäßigkeiten
umgelenkt. Die umgelenkte Energie kann von dem ursprünglichen oder Sende-Wandler oder einem separaten Empfangswandler
aufgenommen werden.
Das von dem Wandler abgegebene elektrische Signal wird einer geeigneten Ausvrertungseinrichtung zur Anzeige der Werkstückeigenschaften
zugeführt. Beispielsweise können die elektrischen Signale auf ein Sichtgerät, etwa eine Kathodenstrahlröhre,
gegeben werden. Die sich ergebende Anzeige
»kann eine sichtbare Darstellung von Tiefe, Position, Größe, «
Ort usw. einer Unregelmäßigkeit vermitteln.
Ort usw. einer Unregelmäßigkeit vermitteln.
' Um die Auflösungsgenauigkeit und dgl. eines zerstörungsfreien
Ultraschall-Prüfsystems zu verbessern, ist es höchst erwünscht, mit Ultraschallenergie sehr hoher Frequenz
zu arbeiten. Die Frequenz, auf der- der Kristallwandler
schwingt, ist eine Funktion seiner körperlichen Abmessungen. Daher nimmt mit steigender Frequenz der Ultraschallenergie
die Dicke'des Kristalls ab. Liegt die Frequenz in einem Bereich oberhalb einiger MHz, so ist der Kristall
so dünn, daß er*, da piezoelektrische Materialien sehr spröde und brüchig sind, sehr empfindlich und brüchig wird. Dies
macht \iiederum die Handhabung des Kristalls, insbesondere
während der Herstellung, außerordentlich schwierig.
Um Auflösungsvermögen und Genauigkeit zu verbessern; ist
es ferner höchst erwünscht, daß der Kristall nur entsprechend dem angelegten elektrischen Signal sich bewegt oder
schwingt. Die dem Kristall innewohnenden Eigenschaften bewirken jedoch selbst dann, wenn das elektrische Signal
nur eine einpolige Haibwelle umfaßt, daß der Kristall eine beträchtliche Zeit lang nach Beendigung des elektrischen
Signals "klingelt" oder weiter schwingt. Um diese Schwierigkeiten
zit Überwinden, hat man gewöhnlich die eine
oder andere Form einer mechanischen Dämpfung an der Rück-
1098527t38t
seite des Kristalls angebracht.
Um das Auflösungsvermögen und die Genauigkeit weiter zu verbessern, ist es zweckmäßig, die Ultraschallenergie zu
einem Strahl mit bestimmten Eigenschaften zu fokussieren. Ein Mittel, dies zu erreichen, besteht in der Verwendung
akkusticcher Linsen vor dem Wandler.- Akkustische Linsen
sind zwar in der Lage, den Strahl zu fokussieren; sie haben sich jedoch bei höheren Frequenzen aus mehreren Gründen,
beispielsweise wegen der Hochfrequenz-Filterwirkungen derartiger Linsen usw., als nicht zufriedenstellend
erwiesen.
Ein weiteres Mittel, einen fokussierten Ultraschallenergiestrahl
zu erzielen, besteht darin, den piezoelektrischen Kristall auf die gewünschte Form zu gießen oder zu schleifen. Auch dies hat sich jedoch als erfolglos erwiesen.
Dies gilt insbesondere für Kristallwandler, die zur Verwendung bei Hochfrequenzen bestimmt sind, bei denen der
Kristall zwangsläufig sehr dünn sein muß.
Die vorliegende Erfindung sieht Mittel vor, um die obigen Schwierigkeiten zu überwinden. Insbesondere vermittelt die
Erfindung einen neuartigen Ultraschallwandler, der sich besonders für ein Ultraschall-Prüfgerät und dgl. eignet,
sowie ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Fabrikation
von fokussierten Hochfrequenzwandlern.
Bei der hier offenbarten Ausführungsform der Erfindung ist eine Einrichtung vorgesehen, um einen Wandler, etwa einen
piezoelektrischen Kristall, auf eine Form zu bringen, die aufgrund ihrer Eigenschaften die Ausstrahlung eines
fokussierten Ultraschall-Strahls bewirkt und eigengedätopft
ist. Dies wird dadurch erreicht, daß ein Kristall-Rohstück
(beispielsweise durch Läppen usw.) zu einem dünnen flachen Abschnitt geformt wird, der sich für einen
bei der beabsichtigten Frequenz zu verwendenden Kristall-
1098 5271381 BAD 0R1GlNAL
wandler eignet. Der dünne Kristallwandlcr wird zwischen
zwei Elemente gebracht, deren Oberflächen der gewünschten
endgültigen Form entsprechend profiliert sind. Die beiden
Elemente werden dann zusammengedrückt und bewirken, daß der
Kristall auf die gewünschte Gestalt gebogen oder in sonstiger V'eise geformt wird. Falls erwünscht, kann eines der
beiden Elemente ein permanentes Stützelement sein. Jn diesen Fall wird auf der profilierten Fläche und/oder den
Kristellvandler ein Klebstoff oder Bindematerial vorgesehen, wodurch die Rückseite des Vandlers permanent in
inniger Berührung mit dem Element gehalten wird. -
" β Es hat sich herausgestellt, daß, obwohl der Kristallwandler
sehr dünn und im übrigen ziemlich zerbrechlich sein kann, die bei der Verformung in den Wandler"eingebrachten Kompensationsspannungen
seine Zerstörung verhindern. Zusätzlich bewirkt die sich ergebende Sparmungskonfiguration des Kristallwandlers
offenbar, daß die Güte des Kristallwandlers v/es entlich verbessert und dabei ein hohes Maß an Schwingungsdämpfung
gewährleistet wird.
V/eitere Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der
nachstehenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele anhand der Zeichnungen; darin zeigen
Fig. 1 eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen. Vorrichtung, die insbesondere zur Herstellung
von verbesserten Ultraschall-Kristallwandlern geeignet ist;
Fig. 2 eine schematische Ansicht einer Vorrichtung, die zur Durchführung eines späteren Schrittes
in der Fertigung der verbesserten Kristallwandler Verwendung finden kann;
Fig. 3 eine Ansicht einer Ultraschall-Untersuchungseinheit, die mit einem Kristallwandler gemäß
einer Ausführungsform der vorliegenden Lrfin-·
dung arbeitet; und
Fig. h ein Blockschaltbild eines Ultraschall-Prüf-
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BAD OfUGiNAL
K-772 - 5 -
systems, das mit dem erfindungsgemäßen verbesserten ■Wandler arbeitet.
Die in den Zeichnungen veranschaulichte Erfindung ist insbesondere
zur Verwendung in einem neuartigen Kristallwandler sowie bei einem Verfahren zur Herstellung eines solchen
ausgelegt. Zunächst wird ein Kristall-Rohstück 10 aus polarisierbarem, piezoelektrischen Material, etwa Bleiz'ir-konat
oder Bariumtitanat, vorgesehen. Senkrecht zur X-Achse werden zwei parallele Flächen 11 und 12 geformt. Normalerweise
ist die Dicke des Rohstücks 10, d.h. der Abstand zwischen den Flächen 11 und 12, beträchtlich größer.als die Dicke
des fertigen Kritallwandlers.
Zu diesem Zeitpunkt ist es zweckmäßig, das Material des Rohstücks 10 für den gewünschten Schwingungsmodus zu polarisieren.
Die Polarisation kann auf beliebige Weise erfolgen; im vorliegenden Fall werden an die beiden Flächen 11 und 12
zwei Elektroden 13 und 14 angegelgt, bei denen es sich normalerweise um verhältnismäßig dünne Silberbeläge handelt.
An die Elektroden 13 und. 14 wird über die elektrischen Verbindungen 15 und 16 eina Polarisierungs-Potentialquelle,
etwa eine Batterie 17 und ein Potentiometer 18, angeschlossen. Das Rohstück 10 wird nun durch Anlegen eines
geeigneten Potentials aus der Quelle 17, 18 polarisiert. Vorzugweise wird das Rohstück mindestens während eines Teils
des Polarisierungszyklus auf einer erhöhten Temperatur
im Bereich von etwa 400° C gehalten.
Nachdem das Rohstück 10 entsprechend polarisiert worden ist, wird die Temperatur in geeigneter Weise reduziert, und
die Verbindungen 15 und 16 werden entfernt.
Das Rohstück 10 kann in beliebiger Weise für jeden gewünschten Betriebsmodus polarisiert werden; im vorliegenden Fall
ist es zum Betrieb im Dickendehnungs-Modus längs der
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K-772 ·'
X-Achse polarisiert.
Nach dem Polarisieren kann die Dicke des piezoelektrischen
Rohstücks 10 gemäß einer beliebigen bekannten Technik, etwa durch Läppen, auf den gewünschten Betrag reduziert werden.
Der Läppvorgang kann so lange fortgesetzt werden, bis die
Dicke des Rohstücks 10 auf die entgültige Dicke des Kristallwandlers 37 reduziert ist. Diese endgültige Dicke hängt
gewöhnlich von der Betriebsfrequenz ab, bei der Kristallwandler
37 arbeiten soll. Soll der Wandler 37 beispielsweise im Bereich von 20 MHz betrieben werden, so wird er
mit einer Dicke von etwa 0,13 wi versehen.
Durch den Läppvorgang wird notwendigerweise mindestens eine der Elektroden entfernt, während die andere Elektrode an
der ungeläppten Fläche verbleiben kann. Ist der Kristallwandler 37 auf die gewünschte Dicke reduziert worden, so
i es gelegentlich erwünscht, eine zweite Elektrode 14' auf der soeben geläppten Fläche 12' anzubringen. Der Kristallwandler
37 wird dann auf ein Formelement 35 mit profilierter Oberfläche angeordnet. Das Profil der Fläche ist entsprechend
der Gestalt des Kristallwandlers 37 ausgewählt, die die gewünschte Fokussierung usw.. erzeugt. Dieses Profil kann
konkav, konvex, zylindrisch, parabolisch usw. sein; im vorliegenden Fall ist es konkav und im wesentlichen sphärisch«
In der Nähe der profilierten Oberfläche des Elementes 35 ist das Ende eines Preßstenpels 30 angeordnet, dessen Oberfläche
31 komplementär zur Oberfläche des Elements 35 gestaltet ist. Der Preßstempel 30 ist so ausgelegt, daß er
durch eine auf ihn einwirkende Kraft in Richtung des Pfeiles 20 in Fig. 2 vorgeschoben wird.
Die End- oder Stirnfläche 31 tritt beim Betrieb mit der Elektrode 13 und/oder der Fläche 11 des Kristallwandlers
37 in Eingriff. Beim Vorschub des Preßstempels 30 in Richtung des Pfeiles 20 wird der Kristallwandier 37 in die Höhlung
08
If
am Jnde des Elementes 35 hineingedrückt..
Piezoelektrische Materialien, wie sie normalerweise für Ultraschall',
.-andl er verwendet werden, etwa Bleizirkonat, Bariunititf:r?:t
und dgl., find sehr spröde, brüchig usv. Infolgedessen
gell'η diese Kristalle noroialerve: se als sehr empfindlich
und erfordern eine sehr vosichtige Hanclhobung, um Bruch zu
vermeiden. Trots: dieser Z igenschaften df-.r Kristallwandler ist
es jedoch möglich, den Wandler 37 in ausreichendem Haß zu biegen oder in sonstiger V.'eise zu deformieren, um ein beträchtlichem
Maß an Fokussierung zu erzielen. Beispielsweise ist festgestellt worden, daß sich der Kriste.llv,v;rdler 37 unter mini-.
malen Auftreten von Brüchen auf Kugelgestalt formen läßt, (
wenn der Piugelradius mindestens sechsmal größer ist als der
Durchmesser des Y.'andlers 37.
Nachdem der Kristallwandler 37 auf die gewünschte Form gebrecht
ist, λ-.'ird er an einem geeigneten Stützelement befestigt.
Der Kriötallwandler 37 kann ursprünglich auf einem separaten
Forraclcraent gestaltet und dann an einem zweiten Element befestigt
werden. Es hat sich jedoch als vorteilhaft erwiesen, das Formelement 35 als permanentes Stützelement zu verwenden.
In diesem Fall kann an der Oberfläche des Stützelements 35 entweder während des Formens des Kristallwandlers 37 oder
in einem nachfolgenden Schritt ein Film 38 aus einem Binde- | material, etwa einem Epoxyklebstoff, vorgesehen v/erden.
Jedenfalls ist nach Aushärten dieses Filns 38 der Kristallwandler
37 sicher und dauerhaft an dem Stützelement 35 befestigt.
Das Stützelement ist vorzugsweise aus geeignetem akkustisch
dämpfenden Material gefertigt. Dies bewirkt eine Absorption der akkustischen Energie, die von der hinteren Fläche 12
ausgesandt und/oder reflektiert wird. Das Stützelement kann ähnlich dem Element sein, wie es in der USA-Patentschrift
2 972 068 offenbart ist.
Es hat sich ferner als zweckmäßig herausgestellt, daß das
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Stützelement 35 elektrisch leitend ist. Beispielsweise kann es aus Epoxy-Gießharz bestehen, dem mindestens teilweise
Blei, Wolfram usw. zugesetzt ist. In diesem Fall ist das Bindematerial 38 elektrisch leitend.
Zu beachten ist, daß dann, wenn der Kristallwandler 37 deformiert wird und in diesem deformierten Zustand befestigt
wird, in ihm eine starke innere Spannung herrscht. Man nimmt an, daß diese Spannungen eine große Verbesserung der Güte
des Kristallwandlers 37 bewirken.. Insbesondere wird angenommen, daß die inneren Spannungen die körperlichen Bewegungen
'des Kristalls wesentlich stören und dadurch be-™ wirken, daß Schwingungen in dem Kristall rasch zerstreut
··. v/erden. Das bedeutet, daß der Kristallwandler 37, wenn er durch ein angelegtes Signal in Schwingungen versetzt worden
ist, in einer außerordentlich kurzen Zeitspanne in seinen Ruhezustand zurückkehrt.
Gemäß Fig. 3 können zwei elektrische Leitungen 40 und 41
an die -Elektrode 13 und das elektrisch leitende Stützelement 35 bzw. die gegebenenfalls vorhandene Elektrode 14 angeschlossen
werden. Die gesamte Anordnung kann dann in einer geeigneten Untersuchungseinheit 60 verschlossen werden.
Die Untersuchungseinheit 60 kann in ein Ultraschall-Prüfsystem,
wie es etwa in Fig. 4 gezeigt ist, zur Untersuchung von Werkstücken, etwa eines Werkstücks 70, eingebaut werden.
In diesem System gibt ein Impulsgenerator 50 Hochfrequenzsignale an einen Sender 52 ab. Der Impulsgenerator
50 bestimmt normalerweise die Impulsfolgefrequenz der von dem Sender 52 abgegebenen Signale. Die Signale aus dem
Sender 52 werden den Elektroden 13 und 14 · des Kristallwandlers 37 in der Untersuchungseinheit 60 zugeführt. Der
Yfendler 37 wird in Abhängigkeit von den elektrischen Signalen körperlich deformiert und strahlt entsprechende Ultraschallenergie
aus. Da die Oberfläche des Wandlers 37 profiliert ist, wird die Energie zu einem Strahl 80 gewünschter
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BAD ORlQJNAL
Form fokussiert. ^
Die Ultraschallenergie in dem Strahl 80 trifft auf das Werkstück
und breitet sich in und/oder durch dieses hindurch aus. Trifft die Energie auf eine Unregelmäßigkeit, etwa
auf eine der Oberflächen des Werkstücks 70 oder einen darin vorhandenen Fehler 71, *so kehrt mindestens ein Teil 83 der
Energie zu der Untersuchungseinheit 60 und/oder einer zweiten
Untersuchungseinheit 61 zurück.
Beim Auftreffen der zurückkehrenden Ultraschällenergie 83 auf
den Kristallwandler 37 oder den betreffenden Wandler in der Untersuchungseinheit 61 wird ein entsprechendes Signal ■
erzeugt. Die elektrischen Ausgangssignale der Untersuchungseinheit 61 werden' einem Empfänger 53 · zugeführt. In Fig: 4 ·
sind zwar zwei Unt.ersuchungseinheiten dargestellt? es ist jedoch zu beachten, daß der Kristallwandler 37 reziprok ist
und als Sender und/oder Empfänger benützt werden kann. Die Signale von dem Empfänger 53 v/erden dann einem Ablenkgenerator
54 zugeführt, der sie beispielsweise an die vertikalen Ablenkplatten 56 und 58 einer Kathodenstrahlröhre 55
anlegt.
Die horizontale Zeitbasis für die Kathodenstrahlröhre 55 wird von einem Ablenkgenerator 51 vermittelt, der bei Erzeugung
des Initialimpulses von dem Impulsgenerator 50 erregt wird. Das Ablenksignal wird den horizontalen Ablenkplatten
59 und 57 der Kathodenstrahlröhre 55 zugeführt. Die Kathodenstrahlröhre zeigt daher auf dem Sichtschirm
801 vertikale Ablenkungen über einer horizontalen Zeitbasis.
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Claims (17)
1. 'Verfahren zum Formen eines fokussierenden Ultraschallv.'andlers,
dadurch gekennzeichnet, daß ein piezoelektrisches Element auf eine Fläche gelegt
wird, die ihrem Profil der gev/ünschten endgültigen Form
des Wandlers entspricht, daß das Element um diese Fläche herum auf eine endgültige Form gebracht wird und daß
das Element in dieser Form gehalten wird.
2', Verfahren nach Anspruch 1, dadurch g e k e η η zeichnet,
daß das piezoelektrische Element auf· einem Stützelement befestigt und in seinem Spannungszustand
gehalten wird.
3. Verfahren zum Formen eines fokussierenden elektromechanischen Wandlers, dadurch gekennzeichnet,
daß ein piezoelektrisches Rohstück mit zwei zueinander parallelen ebenen Oberflächen polarisiert wird, daß
die Dicke des Rqhstücks. durch Läppen mindestens einer seiner Oberflächen auf die gewünschte Dicke des Wandlers
reduziert wird, daß das geläppte Rohstück auf einem Haüteelement mit einer Oberfläche, deren Profil dem ge-
: wünschten Profil des Wandlers entspricht, angeordnet wird, daß ein Klebstoff zwischen der ■ Oberfläche des Halte·*
elements und dem Rohstück eingebracht wird und daß das Rohstück gegen die Oberfläche des Halteelements gepreßt
und an dem Halteelment angeklebt wird.
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4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß ein Preßstempel mit einer Oberfläche,
die der mit dem Rohstück in Eingriff stehenden Oberfläche des Halteelements entspricht, gegen das
Rohstück gedrückt und dadurch das Rohstück gegen die Oberfläche des Halteelements gepreßt wird.
5. Verfahren zum Formen eines piezoelektrischen Kristalls,
dadurch gekennzeichnet, daß ein im
. wesentlichen flacher dünner piezoelektrischer Kristall mit zwei zueinander parallelen Flächen auf einem Halteelement
angeordnet wird, daß eine der einen Kristallfläche zugewandte konkave Haltefläche aufweist, daß
in dem Bereich zwischen der Haltefläche und der dieser zugewandten Kristallfläche ein Klebstoff eingebracht
wird, daß ein Preßstempel mit einer konvexen Oberfläche, die im wesentlichen zu dem Krümmungsradius der konkaven
Haltefläche paßt, in Eingriff mit der anderen Kristallfläche gebracht wird und der Kristall mit seiner einen
Fläche in innige Berührung mit der konkaven Haltefläche gepreßt wird, wobei der Druck eine ausreichende Zeitlang
ausgeübt wird, so daß der Klebstoff den Kristall im gebogenen Zustand halten kann.
6.!zerstörungsfrei arbeitendes Prüfsystem zur" Ultraschall-
Untersuchung eines Werkstücks auf Unregelmäßigkeiten, gekennze ichne.t durch einen Generator (50)
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- 12 K-772 ■ .
zur Erzeugung mehrer Gruppen von elektrischen Hochfrequenzimpulsen,
ein dünnes piezoelektrisches Element (37) mit zv/ei Flächen, das in Richtung im v/es entliehen senkrecht
zu den Flächen polarisiert und zu einer Spannungskonfiguration mit im wesentlichen einem gemeinsamen Krümmungszentrum
gebogen ist und bei Anlegen eines elektrischen Potentials zwischen seinen beiden Flächen eine
auf dieses KrümmungsZentrum fokussierte Wellenenergie
erzeugt, eine Einrichtung '(52), die die elektrischen
Hochfrequenzimpulse zwischen den Flächen des piezoelektrischen Elements anlegt, um einen fokussierten hochfrequenten Energiestrahl zu erzeugen, eine Einrichtung, die den Strahl in das Werkstück lenkt,- sowie eine Einrichtung (53, 55) zur Feststellung der zurückkehrenden
Signale, die durch Auftreffen des Energiestrahls auf
Unregelmäßigkeiten in dem Werkstück erzeugt werden.
auf dieses KrümmungsZentrum fokussierte Wellenenergie
erzeugt, eine Einrichtung '(52), die die elektrischen
Hochfrequenzimpulse zwischen den Flächen des piezoelektrischen Elements anlegt, um einen fokussierten hochfrequenten Energiestrahl zu erzeugen, eine Einrichtung, die den Strahl in das Werkstück lenkt,- sowie eine Einrichtung (53, 55) zur Feststellung der zurückkehrenden
Signale, die durch Auftreffen des Energiestrahls auf
Unregelmäßigkeiten in dem Werkstück erzeugt werden.
7. Fokussierender elektromechanischer Wandler, gekennzeichnet durch ein Halteelement (35) mit
einer gekrümmten Haltefläche, einen dünnen piezoelektrischen Kristall (37) mit zwei zueinander im wesentlichen parallelen Flächen, von denen die eine in inniger
Berührung mit der gekrümmten Haltefläche steht und
sich in einem Dehnungszustand befindet, während die
andere in einem Kompressionszustand ist, sowie ein Mittel (38), das die erstgenannte Kristallfläche in Berührung mit der Haltefläche hält.
einer gekrümmten Haltefläche, einen dünnen piezoelektrischen Kristall (37) mit zwei zueinander im wesentlichen parallelen Flächen, von denen die eine in inniger
Berührung mit der gekrümmten Haltefläche steht und
sich in einem Dehnungszustand befindet, während die
andere in einem Kompressionszustand ist, sowie ein Mittel (38), das die erstgenannte Kristallfläche in Berührung mit der Haltefläche hält.
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8. Wandler nach Anspruch 7» dadurch gekennzeichnet,
daß der gespannte piezoelektrische Kristall
(37) eine sphärische Konfiguration mit einem im wesentlichen punktform!gen KrümmungsZentrum hat.
9. Wandler nach Anspruch 7» dadurch gekennzeichnet,
daß der gespannte piezoelektrische Kristall (37) eine zylindrische Konfiguration mit einem im wesentlichen
linienförmigen KrümmungsZentrum hat.
10. Wandler nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Haltemittel (38)
ein zwischen der Haltefläche und der erstgenannten Kristallfläche angeordnetes Zementmaterial umfaßt.
11. Wandler nach einem der Ansprüche 7 bis 20, gekennzeichnet durch einen auf der ersten Kristallfläche angebrachten dünnen leitfähigen Belag (13).
12. Fokussierender Ultraschallwandler, gekennzeichne
-t durch ein piezoelektrisches Element (37) mit auf Profil gepressten Flächen und einer Stützeinrichtung
(35) zum Festhalten des Elements in der gepressten Form.
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13. Wandler nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet,
daß die Stützeinrichtung (35) das piezoelektrische Element (37) unter Spannung hält.
14. Wandler nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet
, daß das piezoelektrische Element (37) polarisiert ist.
15. Wandler nach einem der Ansprüche 12 bis 14, dadurch g e ken
η ζ e i c.hn e t, daß das -piezoelektrische Element (37) an mindestens einer seiner Oberflächen geläppt ist.
16. Wandler nach einem der Ansprüche 12 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß das piezoelektrische Element
(37) durch einen Klebstoff (38) an der Stützeinrichtung (35) befestigt ist.
17. Wandler nach einem der Ansprüche 12 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß das piezoelektrische
Element·(37) an einer konkaven Haltefläche der Stützvorrichtung (35) befestigt ist.
109852/138 1
Leerseite
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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CA (1) | CA925998A (de) |
DE (1) | DE2129906A1 (de) |
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