DE2129726A1 - Thin film capacitor - using silicon compound dioxide and nitride) dielectrics - Google Patents
Thin film capacitor - using silicon compound dioxide and nitride) dielectricsInfo
- Publication number
- DE2129726A1 DE2129726A1 DE19712129726 DE2129726A DE2129726A1 DE 2129726 A1 DE2129726 A1 DE 2129726A1 DE 19712129726 DE19712129726 DE 19712129726 DE 2129726 A DE2129726 A DE 2129726A DE 2129726 A1 DE2129726 A1 DE 2129726A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- silicon nitride
- silicon dioxide
- nitride layer
- dioxide layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 title description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 title 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 60
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 30
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 claims description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 abstract 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 abstract 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/92—Capacitors with potential-jump barrier or surface barrier
- H01L29/94—Metal-insulator-semiconductors, e.g. MOS
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
Description
Verfahren zur Herstellung von Dünnschicht-Kondensatoren Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Dünnschicht-Kondensatoren mit einer Siliciumdioxydschicht auf einem Halbleitermaterial. Process for the manufacture of thin film capacitors The invention relates to a method for producing thin-film capacitors with a silicon dioxide layer on a semiconductor material.
Dünnschicht-Kondensatoren sind in der integrierten Schaltkreistechnik weit verbreitet. Derartige Kondensatoren sind gleichartig wie diskrete Kondensatorelemente aufgebaut und bestehen aus zwei leitenden Platten, die durch ein dielektrisches Material voneinander getrennt sind. In der integrierten Schaltkreistechnik werden Dünnschicht-Kondensatoren in der Regel auf einem Teil der Halbleiterscheibe mit niederes Widerstandswert ausgebildet, wobei diese oxydiert und darüber eine Metallschicht angeordnet wird. Die Bezeichnung "Dünnschicht" bezieht sich in der Regel auf Schichten, die weniger als lym dick sind.Thin-film capacitors are used in integrated circuit technology widespread. Such capacitors are similar to discrete capacitor elements constructed and consist of two conductive plates, which are supported by a dielectric Material are separated from each other. In integrated circuit technology Thin film capacitors usually on part of the semiconductor wafer with Formed low resistance value, which is oxidized and a metal layer over it is arranged. The term "thin film" usually refers to layers which are less than lym thick.
Das dielektrische Material, das in der Regel für die Herstellung von Dünnschicht-Kondensatoren bei monolithisch integrierten Schaltkreisen Verwendung findet, ist Siliciumdioxyd.The dielectric material that is usually used for the manufacture of Thin-film capacitors are used in monolithic integrated circuits finds is silicon dioxide.
Derartige Kondensatoren können in unterschiedlicher Weise hergestellt werden. Ein Herstellungsverfahren besteht darin, daß für den Kondensator die gesamte Rest-Siliciumdioxydschicht Verwendung findet, die während der verschiedenen Verfahrensschritte bei der Herstellung der aktiven Elemente in dem integrierten Schaltkreis entsteht. Daraus ergibt sich, daß die Rest-Siliciumdioxydschicht verhältnismäßig dick ist und zu Kondensatoren führt, die nur eine niedere Kapazität aufweisen.Such capacitors can be manufactured in different ways will. One manufacturing method is that for the capacitor the entire Residual silicon dioxide layer is used during the various process steps arises in the manufacture of the active elements in the integrated circuit. It follows that the residual silicon dioxide layer is relatively thick and leads to capacitors that have only a low capacitance.
Kondensatoren unter Verwendung der gesamten Rest-Siliciumdioxydschicht werden.hSufig verwendet, wenn der integrierte Schaltkreis flache Trennschichten besitzt.Capacitors using the entire residual silica layer Frequently used when the integrated circuit has flat interfaces owns.
Zur Vergrößerung der Kapazität von Kondensatoren dieser Art wurde bereits die Rest-Siliciumdioxydschicht teilweise weggeätzt, jedoch führten diese Versuche zu keinem zufriedenstellenden Ergebnis, da es zu schwierig ist, den Ätzprozeß unter Kontrolle zu halten.To increase the capacity of capacitors of this type was made the remaining silicon dioxide layer was already partially etched away, but this led Do not try to get a satisfactory result as it is too difficult to control the etching process to keep under control.
Ein weiteres Verfahren zur Herstellung von Dünnschicht-Kondensatoren besteht im Ablösen der Rest-Siliciumdioxydschicht von der Oberfläche der Halbleiterscheibe im Kondensatorbereich, nachdem die aktiven Elemente fertig gestellt sind und im erneuten Aufwachsen einer Oxydschicht, wobei die Halbleiterscheibe bei einer erhöhten Temperatur von zum Beispiel zwischen 900° und 1200° Celsius oxydiert wird. Um ein ausreichend zufriedenstellendes Dielektrikum herzustellen, muß diese thermisch aufgebrachte Oxydschicht ausreichend dick sein und etwa 500 i Dicke besitzen, damit Feinlunker vermieden werden, die zuhinem Kurzschluß zwischen den beiden Kondensatorplatten führen würden. Da die Dicke des Kondensator-Dielektrikums kritisch ist, wird dieses thermische Aufwachsen des Oxyds im letzten thermischen Verfahrensschritt bei der Herstellung der Halbleiteranordnung ausgeführt. Aufgrund der ungünstigen Einflüsse Einflüsse der erhöhten Temperatur auf die bereits vorher bearbeiteten Bereiche, insbesondere flach liegende Grenzschichtübergänge, ist eine solche Temperaturbehandlung unerwünscht.Another method of manufacturing thin film capacitors consists in detaching the residual silicon dioxide layer from the surface of the semiconductor wafer in the capacitor area after the active elements are completed and in the regrowth of an oxide layer, the semiconductor wafer at an increased Temperature of for example between 900 ° and 1200 ° Celsius is oxidized. To a To produce a sufficiently satisfactory dielectric, this must be thermally applied Oxide layer be sufficiently thick and about 500 i thick, so that pinholes avoid the short circuit between the two capacitor plates would lead. Since the thickness of the capacitor dielectric is critical, this will be thermal growth of the oxide in the last thermal process step in the Manufacture of the semiconductor arrangement carried out. Because of the unfavorable influences Influences the increased temperature on the previously processed areas, in particular If the boundary layer transitions lie flat, such a temperature treatment is undesirable.
Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung von Dünnschicht-Kondensatoren zu schaffen, das für die Verwendung bei integrierten Schaltkreisanordnungen mit flach liegenden Grenzschichten Verwendung finden kann. Dabei soll ein stabiler Kondensator mit verhältnismäßig niederen Temperaturen nach der Herstellung der aktiven Elemente geschaffen werden.The invention is therefore based on the object of providing a method for Manufacture of thin film capacitors to create that for use at Integrated circuit arrangements with flat boundary layers use Can be found. It should be a stable capacitor with relatively low temperatures after the active elements are manufactured.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß über der auf dem Haibleitermaterial angebrachten Siliciumdioxydschicht eine Siliciumnitridschicht (Si3N4) angebracht wird, über der eine weitere Siliciundioxydschicht (Si °2) liegt und daß eine Metallschicht auf der Oberfläche eines Teils der Siliciumnitridschicht angebracht wird.This object is achieved in that over the on silicon dioxide layer attached to the semiconductor material is a silicon nitride layer (Si3N4) is attached, over which a further silicon dioxide layer (Si ° 2) lies and that a metal layer on the surface of part of the silicon nitride layer is attached.
Eine weitere Ausgestaltung der Erfindung besteht darin, daß nach dem Aufbringen der Siliciumnitridschicht Uffnungen in die Siliciumnitridschicht und die darunter liegende Siliciumdioxydschicht geätzt werden, um durch diese oeffnungen aktive Halbleiteranordnungen sowie Widerstände in diesen oeffnungen anbringen zu können, daß die während der Bildung der aktiven Elemente im Halbleitermaterial entstehenden Oxydschichten auf der Siliciumnitridschicht in denjenigen Bereichen entfernt wird, welche für den Kondensator bestint sind, und daß auf der in dieser Weise freigelegten Siliciumnitridoberfläche eine Metallschicht angebracht wird.Another embodiment of the invention is that after Application of the silicon nitride layer and openings in the silicon nitride layer The underlying silicon dioxide layer will be etched to pass through these openings Install active semiconductor arrangements and resistors in these openings may arise during the formation of the active elements in the semiconductor material Oxide layers on the silicon nitride layer are removed in those areas which are bestint for the capacitor, and that on the exposed in this way Silicon nitride surface a metal layer is applied.
Für die Verwirklichung des erfindungsgenlßen Verfahrens ist es besonders vorteilhaft, wenn das Verfahren in der Weise durchgeführt durchgeführt wird, daß die Siliciumdioxydschicht in einer oxydierenden Atmosphäre bei erhöhter Temperatur gebildet wird und daß die Siliciumnitridschicht aus der gasförmigen Mischung von Silan, Ammoniak und Wasserstoff gebildet wird, die über die Siliciumdioxydschicht bei einer Substrat-Temperatur von etwa 8000 Celsius bis 1150° Celsius geführt wird, wobei das Mol-Verhältnis zwischen Wasserstoff und Silan über 1000:1 und das Mol-Verhältnis zwischen Ammoniak und dem Silan zwischen etwa 60:1 und 200:1 liegt.It is special for the implementation of the method according to the invention advantageous when the procedure is carried out in the manner carried out is that the silicon dioxide layer in an oxidizing atmosphere at increased Temperature is formed and that the silicon nitride layer from the gaseous mixture from silane, ammonia and hydrogen is formed over the silicon dioxide layer is performed at a substrate temperature of about 8000 Celsius to 1150 ° Celsius, wherein the molar ratio between hydrogen and silane is over 1000: 1 and the molar ratio between about 60: 1 and 200: 1 between ammonia and the silane.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung gehen aus der nachfolgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispieles in Verbindung mit den Ansprüchen und der Zeichnung hervor. Es zeigen Fig. 1 bis 5 eine Halbleiteranordnung nach verschiedenen Schritten des erfindungsgemäßen Verfahrens.Further features and advantages of the invention emerge from the following Description of an embodiment in connection with the claims and Drawing. 1 to 5 show a semiconductor arrangement according to various types Steps of the method according to the invention.
Gemäß Fig. 1 wird ein Halbleitersubstrat 10, das aus einer Siliciumscheibe besteht, oxydiert, um darauf eine Schicht 12 aus Siliciumdioxyd zu bilden, die vorzugsweise eine Dicke von etwa 500 R besitzt, obwohl sie auch bis zu einer Dicke von 1500 2 ausgeführt werden kann. Eine Schicht 14 aus Siliciumnitrid Si3N4 wird vorzugsweise unter Verwendung eines Gemisches aus Silan, Ammoniak und Wasserstoff gebildet, welches über die Siliciumdioxydoberfläche geführt wird. Die Schicht kann auch durch andere Verfahren, zum Beispiel durch Zerstäuben, aufgebracht werden. Die Dicke der Siliciumnitridschicht 14 bestimmt im wesentlichen die Kapazität des Kondensators einer gegebenen Flächengröße. Diese Dicke der Siliciumnitridschicht 14 kann zwischen etwa 500 R bis zu einer Dicke von etwa 10 000 bis 15 000 2 variieren. Wie in Fig. 2 dargestellt, wird die Siliciumnitridschicht 14 und die Siliciumdioxydschicht 12 geätzt, um eine Uffnung 16 vorzusehen, durch welche aktive Haibleiteranordnungen im Substrat ausgebildet werden können.According to FIG. 1, a semiconductor substrate 10, which consists of a silicon wafer is oxidized to form thereon a layer 12 of silicon dioxide, which is preferably has a thickness of about 500 R, although it is also up to a thickness of 1500 2 can be executed. A layer 14 of silicon nitride Si3N4 is preferred formed using a mixture of silane, ammonia and hydrogen, which is passed over the silica surface. The shift can also be done by others Process, for example by atomization, can be applied. The thickness of the silicon nitride layer 14 essentially determines the capacitance of the capacitor of a given area size. This thickness of the silicon nitride layer 14 can range from about 500 R up to one thickness vary from about 10,000 to 15,000 2. As shown in Fig. 2, the silicon nitride layer becomes 14 and the silicon dioxide layer 12 etched to provide an opening 16 through which active semiconductor arrangements can be formed in the substrate.
Die Die Darstellung gemäß Fig. 3 zeigt eine aktive Halb leiteranordnung mit den Bereichen 22 und 24 im Substrat 10. Aufgrund der Herstellung der aktiven Halbleiterbereiche bildet sich auf der Siliciumnitridschicht 14 eine Vielzahl von Siliciumdioxydschichten 18 und 20. Diese Siliciumdioxydschichten 18 und 20 werden weggeätzt, um eine Öffnung 26 zu schaffen, um die Oberfläche der Siliciumnitridschicht 14 in dem Bereich, der als Kondensator dienen soll, freizulegen. Eine Halbleiteranordnung in diesem Verfahrenszustand ist in Fig. 4 dargestellt. Gemäß Fig. 5 werden die Öffnungen 26 mit einer Metallschicht 28 ausgefüllt, die als die obere Leiterplatte des Kondensators dient.the The illustration according to FIG. 3 shows an active one Semiconductor arrangement with the areas 22 and 24 in the substrate 10. Due to the production of the active semiconductor regions is formed on the silicon nitride layer 14 A plurality of silicon dioxide layers 18 and 20. These silicon dioxide layers 18 and 20 are etched away to create an opening 26 to the surface of the silicon nitride layer 14 to be exposed in the area that is to serve as a capacitor. A semiconductor device this process state is shown in FIG. According to Fig. 5, the openings 26 filled with a metal layer 28, which acts as the top circuit board of the capacitor serves.
Im. nachfolgenden Beispiel wird die Herstellung eines bistabilen Multivibrators beschrieben, der zwei Nitridkondensatoren umfaßt. Ausgegangen wird von einer dielektrisch isolierenden Siliciumscheibe mit P-Leitung, die bei einer Temperatur von 11000 C oxydiert wird, um darauf eine Siliciumdioxydschicht mit einer Dicke von etwa 500 R auszubilden. Eine Schicht aus Siliciumnitrid, mit einer Dicke von etwa 1600 R wird auf der Oberfläche der Siliciumdioxydschicht abgelagert, indem ein Gemisch aus Silan, Ammoniak und Wasserstoff über die Halbleiterscheibe geleitet wird, wobei diese auf einer erhöhten Temperatur gehalten wird. Ober dem Kondensatorbereich aus Siliciumnitrid entsteht während der Ausbildung der übrigen Elemente im Halbleitersubstrat, insbesondere der aktiven Elemente, eine Siliciumdioxydschicht. Die beiden Kondensatoren des bistabilen Multivibrators werden durch das Freiätzen eines Bereiches von etwa 2 x 10 2mm der Siliciumnitridoberfläche gebildet, auf welche anschließend ein Metall aufgebracht wird. Jeder dieser Kondensatoren besitzt eine Kapazität von ungefähr 36 pF. Beide Kondensatoren sind parallel geschaltet über Chrom-Nickel-Widerstünde mit einem Widerstandswert von 1,5 k-Ohm.The following example shows the production of a bistable multivibrator which comprises two nitride capacitors. It is assumed that it is dielectric insulating silicon wafer with P-line, which is at a temperature of 11000 C is oxidized to a silicon dioxide layer with a thickness of about 500 R to train. A layer of silicon nitride, about 1600 R thick is deposited on the surface of the silicon dioxide layer by a mixture of silane, ammonia and hydrogen is passed over the semiconductor wafer, wherein this is kept at an elevated temperature. Above the condenser area Silicon nitride is formed during the formation of the other elements in the semiconductor substrate, in particular of the active elements, a silicon dioxide layer. The two capacitors of the bistable multivibrator are etched free of an area of about 2 x 10 2mm of the silicon nitride surface is formed, onto which a metal is then applied is applied. Each of these capacitors has a capacitance of approximately 36 pF. Both capacitors are connected in parallel via chrome-nickel resistors with a resistance of 1.5 k-ohms.
Das Das vorausstehend beschriebene Verfahren besitzt mehrere Vorteile. Ein Vorteil besteht darin, daß die Dicke der Siliciumnitridschicht, welche als dielektrisches Material wirkt, sehr fein kontrolliert werden kann, wodurch es möglich wird, Kondensatoren mit einer bestimmten Kapazität in einem engen Toleranzbereich herzustellen. Ein weiterer wesentlicher Vorteil besteht darin, daß das Verfahren besonders gut geeignet ist für Halbleiteranordnungen mit flachliegenden Grenzschichtübergängen, da keine Notwendigkeit bestehteht, Hochtemperaturverfahrensschritte zu verwenden, wie dies bei bekannten Verfahren der Fall ist, wenn die das Dielektrikum bildende Oxydschicht thermisch bei einer Temperatur der Graßenordnung von 1000 bis 11000C aufgewachsen wird. Ein wesentlicher Unterschied bei der Herstellung des Kondensators gemäß der Erfindung besteht darin, daß die dielektrische Schicht des Kondensatorssbereits vor dem Ausbilden der aktiven Elemente auf dem Halbleiter angebracht wird, wogegen beim bekannten Stand der Technik die -dielektrische Schicht erst nach dem Ausbilden der aktiven Elemente aufgewachsen wird.That The method described above has several advantages. One advantage is that the thickness of the silicon nitride layer, which acts as a dielectric material, can be controlled very finely, whereby it becomes possible to use capacitors with a certain capacitance within a narrow tolerance range to manufacture. Another major advantage is that the process is particularly suitable for semiconductor arrangements with flat boundary layer transitions, since there is no need to use high temperature processing steps, as is the case with known methods when the dielectric forming the Thermal oxide layer at a temperature of the order of 1000 to 11000C is grown up. A major difference in the manufacture of the capacitor according to the invention consists in that the dielectric layer of the capacitor is already is attached to the semiconductor prior to the formation of the active elements, whereas in the known prior art, the dielectric layer only after it has been formed of active elements is grown up.
Zusammenfassend besteht das Verfahren zur Herstellung von Dünnschichtkondensatoren gemäß der Erfindung in dem Ausbilden einer Siliciumdioxydschicht auf einer Oberfläche eines Halbleitermaterials, über der dann eine Siliciumnitridschicht aufgebracht wird Die Siliciumdioxydschicht und die Siliciumnitridschicht wird dann in den Bereichen freigeätzt, in denen in dem Halbleitermaterial aktive bzw. passive Elemente ausgebildet werden sollen. Nachdem die aktiven Elemente in dem Halbleitermaterial aufgebaut sind, werden die Oxydschichten, die sich auf dem Siliciumnitrid ausgebildet haben, in denjenigen Bereichen entfernt, die für den Kondensator Verwendung finden sollen. Anschließend wird auf den freigelegten Oberflächen der Siliciumnitridschicht ein Metall angebracht, das als Kondensatorplatte und Kontaktanschluß für den Kondensator dient0 Patevx sprfich@In summary, there is the method for the production of thin film capacitors according to the invention in the formation of a silicon dioxide layer on a surface of a semiconductor material, over which a silicon nitride layer is then applied The silicon dioxide layer and the silicon nitride layer will then be in the areas etched free, in which active or passive elements are formed in the semiconductor material should be. After the active elements are built up in the semiconductor material are, the oxide layers that have formed on the silicon nitride, removed in those areas that are to be used for the capacitor. A silicon nitride layer is then applied to the exposed surfaces Metal attached as a capacitor plate and contact connection for the capacitor serves0 Patevx speak @
Claims (4)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US4606270A | 1970-06-15 | 1970-06-15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2129726A1 true DE2129726A1 (en) | 1972-02-03 |
Family
ID=21941380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19712129726 Pending DE2129726A1 (en) | 1970-06-15 | 1971-06-15 | Thin film capacitor - using silicon compound dioxide and nitride) dielectrics |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE2129726A1 (en) |
| NL (1) | NL7107979A (en) |
-
1971
- 1971-06-10 NL NL7107979A patent/NL7107979A/xx unknown
- 1971-06-15 DE DE19712129726 patent/DE2129726A1/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL7107979A (en) | 1971-12-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2217538C3 (en) | Method of making interconnections in a semiconductor device | |
| DE1930669C2 (en) | Method for manufacturing an integrated semiconductor circuit | |
| DE3314100A1 (en) | METHOD FOR PRODUCING AN INTEGRATED CONDENSER AND AN ARRANGEMENT OBTAINED IN THIS WAY | |
| DE19851703A1 (en) | Electronic structure, e.g. FET, is produced by plotting, spraying, spin coating or spreading of insulating, semiconducting and-or conductive layers onto a substrate | |
| DE2052424B2 (en) | Process for making electrical line connections | |
| DE2439300A1 (en) | PROCESS FOR ETCHING BEVEL EDGES, ESPECIALLY ON SILICON OXIDE LAYERS | |
| DE1764378C3 (en) | Integrated boundary layer diode matrix and process for its manufacture | |
| DE2249832C3 (en) | Method for producing a wiring layer and application of the method for producing multilayer wiring | |
| DE3038773C2 (en) | Method for producing an integrated semiconductor circuit arrangement with MOS transistors and with voltage-independent capacitors | |
| DE3317222A1 (en) | METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE | |
| DE2632049A1 (en) | RAISED CONTACT SPOTS ON SEMICONDUCTOR COMPONENTS AND METHOD OF MANUFACTURING | |
| DE2117365A1 (en) | Integrated circuit and method of making it | |
| DE2140108A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| DE2052221B2 (en) | METHOD FOR GENERATING A SILICON OXIDE LAYER ON A SILICON SUBSTRATE AND DEVICE FOR CARRYING OUT THIS METHOD | |
| DE2548563A1 (en) | Capacitor for integrated semiconductor circuits - formed by metal pattern on insulation covering silicon substrate | |
| DE2931825C3 (en) | Magnetic bubble storage device | |
| DE2252832A1 (en) | SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH ELECTRODES AND THE METHOD OF ITS MANUFACTURING | |
| DE2251829A1 (en) | METALIZED PANEL PRODUCTION METHOD | |
| EP0026376A3 (en) | Method of making integrated semiconductor circuits, particularly ccd circuits with self-aligned, non-overlapping polysilicon electrodes | |
| DE2514139A1 (en) | METHOD OF MAKING A CONDENSER | |
| DE2900747C2 (en) | Method for manufacturing a semiconductor device | |
| DE2129726A1 (en) | Thin film capacitor - using silicon compound dioxide and nitride) dielectrics | |
| DE1764937C3 (en) | Process for the production of insulation layers between multilayered metallic line connections for a semiconductor arrangement | |
| DE1564136C3 (en) | Method for manufacturing semiconductor components | |
| DE2945385A1 (en) | Multilayer substrate for semiconductor chip esp. integrated circuit - with conducting zones sepd. by insulating layers |