DE2128579A1 - DC VOLTAGE AMPLIFIER STAGE - Google Patents

DC VOLTAGE AMPLIFIER STAGE

Info

Publication number
DE2128579A1
DE2128579A1 DE19712128579 DE2128579A DE2128579A1 DE 2128579 A1 DE2128579 A1 DE 2128579A1 DE 19712128579 DE19712128579 DE 19712128579 DE 2128579 A DE2128579 A DE 2128579A DE 2128579 A1 DE2128579 A1 DE 2128579A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
fet
amplifier
drain
input
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19712128579
Other languages
German (de)
Inventor
Ulrich Dr Ing Weber
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Licentia Patent Verwaltungs GmbH filed Critical Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority to DE19712128579 priority Critical patent/DE2128579A1/en
Publication of DE2128579A1 publication Critical patent/DE2128579A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/34—Dc amplifiers in which all stages are dc-coupled
    • H03F3/343—Dc amplifiers in which all stages are dc-coupled with semiconductor devices only
    • H03F3/345—Dc amplifiers in which all stages are dc-coupled with semiconductor devices only with field-effect devices
    • H03F3/3455—Dc amplifiers in which all stages are dc-coupled with semiconductor devices only with field-effect devices with junction-FET's
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/193—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
    • H03F3/1935—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices with junction-FET devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/50—Amplifiers in which input is applied to, or output is derived from, an impedance common to input and output circuits of the amplifying element, e.g. cathode follower
    • H03F3/505—Amplifiers in which input is applied to, or output is derived from, an impedance common to input and output circuits of the amplifying element, e.g. cathode follower with field-effect devices

Description

"Gleichspannungsverstärkerstufe Die Erfindung betrifft eine Gleichspannungsverstärkerstufe. "DC voltage amplifier stage The invention relates to a DC voltage amplifier stage.

die unter Anwendung des FET-Folgeverstärkerprinzips arbeitet und aufgebaut ist, wobei 'FET" die Ubliche AbkUrzung rdr n Feldeffekt-Transistor" bedeutet. FET-Folgeverstärker werden häufig auch als FET-Folger oder FET-Follower bezeichnet.which operates and constructed using the FET follow-up amplifier principle is, where 'FET "means the usual abbreviation rdr n field effect transistor". FET follower amplifier are also often referred to as FET followers or FET followers.

Die Ublichen FET-Folgeverstärker besitzen zwar einen fUr die meisten Anwendungsfälle ausreichend hohen Eingangswiderstand in der Größenordnung von MOhm, der groß ist gegenüber denjenigen der bekannten Emitter-Folgeverstärkern mit konventionellen pnp- oder npn-Transistoren, weisen jedoch eine häufig unzulässig hohe Eingangskapazität auf, die durch die interne Kapazität zwischen Gate-Source gebildet ist.The usual FET follow-up amplifiers have one for most Applications sufficiently high input resistance in the order of magnitude of MOhm, which is large compared to those of the known emitter follower amplifiers with conventional ones PNP or NPN transistors, however, often have an inadmissibly high input capacitance formed by the internal capacitance between gate-source.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine breitbandige Gleichspannungsverstärkerstufe anzugeben, die besonders vorteilhaft als Eingangsstufe eines mehrstufigen Gleichspannungsverstärkers verwendbar ist und die bei vergleichbar hohen Eingangswiderständen mit den Eingangswiderständen üblicher FET-Folgeverstärker eine gegenüber deren Eingangskapazität wesentlich geringere Eingangskapazität aufweist.The invention is based on the object of a broadband DC voltage amplifier stage indicate which is particularly advantageous as an input stage of a multi-stage DC voltage amplifier can be used and that with comparably high input resistances with the input resistances The usual FET follow-up amplifier has a significantly lower input capacity than its input capacity Has input capacitance.

Die Erfindung besteht in der Kombination zweier FET-Folgeverstärker in der Weise, daß erstens im Strompfad zwischen dem negativen und positiven Betriebspotential des Verstärkers in der folgenden Reihenfolge in Serie geschaltet sind: a) der Arbeitswiderstand des Verstärkers b) die Drain-Source-Strecke eines ersten FET c) die Drain-Source-Strecke eines zweiten FET, daß zweitens der Gate-Anschluß des zweiten FET mit dem Drain-Anschluß des ersten FET galvanisch verbunden ist, daß drittens der Verstärkersignaleingang am Gate-Anschluß des ersten FET und einem Bezugspotential liegt und daß viertens der Verstärkersignalausgang am Drain-Anschluß des ersten bzw. am Gate-Anschluß des zweiten FET liegt.The invention consists in the combination of two FET follow-up amplifiers in such a way that firstly in the current path between the negative and positive operating potential of the amplifier are connected in series in the following order: a) the load resistance of the amplifier b) the drain-source path of a first FET c) the drain-source path of a second FET, that secondly the gate connection of the second FET to the drain connection of the first FET is galvanically connected, that third the amplifier signal input at the gate terminal of the first FET and a reference potential and that fourth the amplifier signal output at the drain connection of the first or at the gate connection of the second FET.

Anhand der Abbildungen werden im folgenden Ausführungsbeispiele der Erfindung näher beschrieben.The following exemplary embodiments of the Invention described in more detail.

Fig. 1 zeigt die Schaltung eines Ausführungsbeispiels der Erfindung. Einem ersten FET 1 werden die Eingangssignale über einen Signaleingang 5 zwischen Masse und dem Gate-Anschluß des FET 1 zugeführt. Der Source-Ansohluß des FET 1 ist mit dem Drain-Anschluß eines FET 2 galvanisch verbunden.Fig. 1 shows the circuit of an embodiment of the invention. A first FET 1 is the input signals via a signal input 5 between Ground and the gate terminal of the FET 1 supplied. The source connection of the FET 1 is galvanically connected to the drain connection of an FET 2.

Eine weitere galvanische Verbindung befindet sich zwischen dem Gate-Anschluß des FET 2 und dem Drain-Ansohluß des FET 1.Another galvanic connection is located between the gate connection of FET 2 and the drain connection of FET 1.

Ein ohmscher Widerstand 3 dient als Arbeitswiderstand des Verstärkers; Uber ihm werden die Verstärkerausgangssignale erzeugt. Sie sind am Signalausgang 4 abnehmbar.An ohmic resistor 3 serves as the working resistor of the amplifier; The amplifier output signals are generated via it. You are at the signal output 4 removable.

Die Eingangskapazität der Schaltung nach Fig. 1 wird dadurch wesentlich herabgesetzt, daß der FET 2 ebenfalls wie der FET 1 als FET-Folgeverstärker arbeitet und die Source des FET 1 wechselspannungsmäßig annähernd immer auf das gleiche Potential zieht wie das Gate des FET 1.This makes the input capacitance of the circuit of FIG. 1 essential Reduced that the FET 2 also works like the FET 1 as an FET follow-up amplifier and the source of the FET 1 in terms of alternating voltage almost always at the same potential pulls like the gate of FET 1.

Zweckmäßigerweise werden als FET 1 und FET 2 Feldeffekttransistoren mit annähernd übereinstimmenden Arbeitskennlinien verwendet und wird zusätzlich der Arbeitspunkt des FET 1 nach Maßgabe der gewünschten Drift-Kompensation gewählt.Expediently, field effect transistors are used as FET 1 and FET 2 is used with approximately matching working characteristics and is also used the operating point of the FET 1 is selected in accordance with the desired drift compensation.

Die Spannungsverstärkung der Schaltung nach Fig. 1 ist annähernd 1 : 1.The voltage gain of the circuit according to FIG. 1 is approximately 1 : 1.

Die Erfindung ist auch gemäß der Schaltung nach Fig. 2 mit unveränderten Vorteilen realisierbar. Die Schaltung nach Fig. 2 unterscheidet sich von derjenigen nach Fig. 1 durch die zusätzliche Verwendung eines ohmschen Widerstandes 7 zwischen dem positiven Bezugspotential und dem Source-Anschluß des FET 2. Die Ausgangssignale lassen sich beispielsweise entweder am Signalausgang 6 oder am Signalausgang 4 abgreifen.The invention is also according to the circuit of FIG. 2 with unchanged Benefits realizable. The circuit of Fig. 2 differs from that according to Fig. 1 by the additional use of an ohmic resistor 7 between the positive reference potential and the source connection of the FET 2. The output signals can be tapped either at signal output 6 or at signal output 4, for example.

Einer dieser Ausgänge kann in der Praxis deswegen meist entfallen.One of these outputs can therefore usually be omitted in practice.

Der Widerstand 5 und die Betr iebsspannung -Ug werden vorzugsweise so dimensioniert oder einstellbar gemacht, daß die gewünschte Drift-Kompensätion erzielt ist bzw. erzielbar ist.The resistor 5 and the operating voltage -Ug are preferred dimensioned or made adjustable so that the desired drift compensation is achieved or is achievable.

Mit der Größe des Widerstandes 7 ist dann die Verstärkung zwischen Eingang 5 und Ausgang 6 einstellbar.With the size of the resistor 7, the gain is between Input 5 and output 6 adjustable.

Typische Werte des Eingangswiderstandes von Verstärkerstufen nach der Erfindung sind Widerstände, die wesentlich größer als 10 MOhm sind. Die Eingangskapazität ist meist wesentlich kleiner als 2 pF, während die Eingangsempfindlichkeit bzw.Typical values of the input resistance of amplifier stages according to of the invention are resistors that are significantly greater than 10 MOhm. The input capacitance is usually much smaller than 2 pF, while the input sensitivity or

Drift meist kleiner als 0,5 mV ist.Drift is usually less than 0.5 mV.

Claims (4)

P a t e n t a n s p r ü c h eP a t e n t a n s p r ü c h e 1) Gleichspannungsverstärkerstufe, insbesondere Eingangsstufe eines mehrstufigen Gleichspannungsverstärkers, mit hohem Eingangswiderstand, kleiner Eingangskapazität und kleiner Drift unter Anwendung des FET-Folgeverstärkerprinzips (FET-Follower, FET = Feldeffekt-Transistor), dadurch gekennzeichnet, daß zwei FET-Folgeverstärker in der Weise siteinander kombiniert sind: 1) im Strompfad zwischen dem negativen und dem positiven Betriebspotential des Verstärkers sind in der folgenden Reihenfolge in Serie geschaltet: a) der Arbeitswiderstand des Verstärkers b) die Drain-Source-Strecke eines ersten FET c) die Drain-Sourcecke eines zweiten FET 2) der Gate-Anschluß des zweiten FET ist mit dem Drain-Anschluß des ersten FET galvanisch verbunden 3) der Verstärkersignaleingang liegt am Gate-Anschluß des ersten FET und einem Bezugspotential 4) der Verstärkersignalausgang liegt am Drain-Anschluß des ersten bzw. am Gate-Anschluß des zweiten FET 2. 1) DC voltage amplifier stage, in particular the input stage of a multi-stage DC voltage amplifier, with high input resistance, small input capacitance and small drift using the FET follower amplifier principle (FET follower, FET = field effect transistor), characterized in that two FET follow-up amplifiers are combined in such a way: 1) in the current path between the negative and the positive operating potential of the amplifier are in the following order connected in series: a) the working resistance of the amplifier b) the drain-source path a first FET c) the drain-source corner of a second FET 2) the gate terminal of the second FET is galvanically connected to the drain terminal of the first FET 3) the The amplifier signal input is at the gate connection of the first FET and a reference potential 4) the amplifier signal output is at the drain connection of the first or at the gate connection of the second FET 2. Verstärkerstufe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem positiven Betriebspotential und dem Source-Anschluß des zweiten FET ein ohmscher Widerstand vorgesehen ist.Amplifier stage according to Claim 1, characterized in that between the positive operating potential and the source terminal of the second FET an ohmic resistor is provided. 5. Verstärkerstufe nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß zwei FET mit annähernd übereinstimmenden Arbeitskennllnien verwendet sind und der Arbeitspunkt des ersten FET nach Maßgabe der gewünschten Drift-Kompensation gewählt ist.5. amplifier stage according to claim 1 or 2, characterized in that that two FETs with approximately identical operating characteristics are used and the operating point of the first FET in accordance with the desired drift compensation is chosen. 4. Verstärkerstufe nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der ohmsche Widerstand und die Betriebspannung so einstellbar oder dimensioniert ist, daß die gewünschte Drift-Kompensation erzielt ist.4. amplifier stage according to claim 2 or 3, characterized in that that the ohmic resistance and the operating voltage can be adjusted or dimensioned is that the desired drift compensation is achieved.
DE19712128579 1971-06-09 1971-06-09 DC VOLTAGE AMPLIFIER STAGE Pending DE2128579A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19712128579 DE2128579A1 (en) 1971-06-09 1971-06-09 DC VOLTAGE AMPLIFIER STAGE

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19712128579 DE2128579A1 (en) 1971-06-09 1971-06-09 DC VOLTAGE AMPLIFIER STAGE

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2128579A1 true DE2128579A1 (en) 1973-01-04

Family

ID=5810260

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19712128579 Pending DE2128579A1 (en) 1971-06-09 1971-06-09 DC VOLTAGE AMPLIFIER STAGE

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE2128579A1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0048885A2 (en) * 1980-09-30 1982-04-07 Siemens Aktiengesellschaft Transistor amplifier arrangement
EP0171867A1 (en) * 1984-06-15 1986-02-19 Precision Monolithics Inc. JFET differential amplifier stage

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0048885A2 (en) * 1980-09-30 1982-04-07 Siemens Aktiengesellschaft Transistor amplifier arrangement
EP0048885A3 (en) * 1980-09-30 1982-05-12 Siemens Aktiengesellschaft Transistor amplifier arrangement
EP0171867A1 (en) * 1984-06-15 1986-02-19 Precision Monolithics Inc. JFET differential amplifier stage

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1812292C3 (en) Circuit arrangement for gain control
DE1487396A1 (en) Circuit arrangement for generating a control or compensation voltage
DE2265734C1 (en) Multiplier circuit
DE2462423C3 (en) Operational amplifier
DE3336949C2 (en) Buffer amplifier
DE2061943C3 (en) Differential amplifier
DE1250494B (en) Differential amplifier with transistors with zero adjustment capability and additional compensation option to suppress the temperature dependence of the zero point correction
DE2128579A1 (en) DC VOLTAGE AMPLIFIER STAGE
DE2850792C2 (en)
DE2608576A1 (en) DIFFERENCE AMPLIFIER CONSTRUCTED FROM FIELD EFFECT TRANSISTORS OF THE SAME CHANNEL TYPE WITH HIGH SPEED SUPPRESSION
DE2229399A1 (en) DIFFERENTIAL AMPLIFIER CIRCUIT WITH DEVICES FOR ADJUSTING OUTPUT SIGNAL DIFFERENCES
EP0275582B1 (en) Current mirror circuit
DE3724980A1 (en) VOLTAGE REPEATER CIRCUIT FOR A RESISTANT LOAD WITH A COMPENSATION WITH COMPENSATION OF THE HARMONIC DISTORTION
DE1774527C3 (en) Circuit arrangement for forming the amount of an electrical time function
DE2846687C2 (en) Field effect transistor voltage amplifier
DE2148880A1 (en) Power source
DE1194465B (en) Circuit for neutralizing an amplifier with an amplifier element with three electrodes
DE3421272A1 (en) Integrable amplifier for bipolar input signals
DE1487472C3 (en) Differential amplifier
DE1271201B (en) Circuit arrangement for remote control of the amplification of a broadband signal
DE2050881C3 (en) Broadband amplifier with high cutoff frequency
DE1638016C3 (en) Circuit arrangement for DC voltage stabilization with frequency-dependent internal resistance
DE1286123B (en) Circuit for the automatic gain control of a direct current amplifier with transistors, especially for integrated circuits
DE1537590C (en) Differential amplifier circuit
DE2113067C3 (en) Semiconductor amplifier with a MOS FET as an amplifier transistor

Legal Events

Date Code Title Description
OHJ Non-payment of the annual fee