DE212021000261U1 - Vergrabene Solarzelle mit einem selektiven Kontaktbereich und zugehörige Rückseitenkontaktstruktur - Google Patents

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Abstract

Rückseitenkontaktstruktur einer Solarzelle, dadurch gekennzeichnet, dass sie umfasst:
Nuten, die voneinander beabstandet an der Rückseite eines Siliziumsubstrats angeordnet sind;
eine erste dielektrische Schicht, die an der Rückseite des Siliziumsubstrats angeordnet ist;
einen ersten Dotierungsbereich, der an der ersten dielektrischen Schicht und innerhalb der Nuten angeordnet ist;
einen zweiten Dotierungsbereich, der an der ersten dielektrischen Schicht und außerhalb der Nuten angeordnet ist;
eine zweite dielektrische Schicht, die zwischen dem ersten Dotierungsbereich und dem zweiten Dotierungsbereich angeordnet ist, wobei die zweite dielektrische Schicht in einer Anzahl von mindestens eins bereitgestellt wird; und
eine elektrisch leitfähige Schicht, die an dem ersten Dotierungsbereich und dem zweiten Dotierungsbereich angeordnet ist.

Description

  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die Erfindung gehört zum technischen Gebiet der Solarzellen und betrifft insbesondere eine vergrabene Solarzelle mit einem selektiven Kontaktbereich und eine zugehörige Rückseitenkontaktstruktur
  • STAND DER TECHNIK
  • In kristallinen Silizium-Solarzellen kann der Effizienzverlust der Zelle in zwei Aspekte, nämlich elektrischen Verlust und optischen Verlust, unterteilt werden. Der wichtige Teil des elektrischen Verlusts ist der Verbundverlust und der Widerstandsverlust, die durch den Metall-Halbleiter-Kontakt verursacht werden, während der wichtige Teil des optischen Verlusts die Verdeckung der Licht aufnehmenden Seite durch das Metallgitter ist.
  • Die passivierte Metallkontaktstruktur weist signifikante elektrische Eigenschaften auf und kann gleichzeitig einen niedrigen Kontaktwiderstand und einen niedrigen Oberflächenverbund erhalten. Die Struktur besteht aus einer ultradünnen Tunneloxidschicht und einer n-dotierten oder p-dotierten Polysiliziumschicht. Da die Absorption von Licht durch die dotierte polykristalline Siliziumschicht zu einer „parasitären“ Absorption gehört, d.h. nicht zum photogenerierten Strom beiträgt, wird die passivierte Metallkontaktstruktur hauptsächlich auf der Rückseite der Zelle verwendet, so dass das Verdecken der vorderen Oberfläche durch Metallgitter vollständig vermieden wird. Die durch die Solarzelle aufgenommene Sonnenstrahlung erzeugt Elektronen und Löcher, die in die dotierten polykristallinen Siliziumschichten wandern, was wiederum eine Spannungsdifferenz zwischen den dotierten polykristallinen Siliziumschichten erzeugt.
  • Die existierende p-dotierte Polysiliziumschicht und n-dotierte Polysiliziumschicht werden direkt auf der Rückseite eines Siliziumwafers abgeschieden, aber wenn sie ohne Trennung miteinander verbunden sind, treten nachteilige Phänomene wie Leckstrom auf. Um das Problem zu lösen, das durch fehlende Trennung verursacht wird, wird daher die Trennung der p-dotierten Polysiliziumschicht von der n-dotierten Polysiliziumschicht durch Vorsehen einer Rille mit einer sehr schmalen Breite zwischen der p-dotierten Polysiliziumschicht und der n-dotierten Polysiliziumschicht realisiert, wodurch Leckstrom und dadurch gesenkte Leerlaufspannung der Zelle vermieden werden. Die existierenden Rillen werden jedoch durch Laserbohren oder Nassätzen hergestellt. Die Herstellung ist aufgrund der bestehenden Rillenbreite von einigen zehn Mikrometern und der hohen Anforderung an Breitenregelung schwierig und nur eine einschichtige dielektrische Schicht wird passiviert. Das Passivieren einer einschichtigen dielektrischen Schicht führt jedoch zu unzureichendem Passivierungseffekt und schlechtem innerem Rückreflexionseffekt.
  • OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
  • Die Aufgabe der Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Rückseitenkontaktstruktur einer Solarzelle bereitzustellen, um somit Probleme hoher Anforderungen an die Rillenbreitensteuerung und schlechter Passivierungswirkung zu lösen.
  • Gemäß den Ausführungsbeispielen der Erfindung wird die Aufgabe gelöst durch eine Rückseitenkontaktstruktur einer Solarzelle, die umfasst:
    • Nuten, die voneinander beabstandet an der Rückseite eines Siliziumsubstrats angeordnet sind;
    • eine erste dielektrische Schicht, die an der Rückseite des Siliziumsubstrats angeordnet ist;
    • einen ersten Dotierungsbereich, der an der ersten dielektrischen Schicht und innerhalb der Nuten angeordnet ist;
    • einen zweiten Dotierungsbereich, der an der ersten dielektrischen Schicht und außerhalb der Nuten angeordnet ist;
    • eine zweite dielektrische Schicht, die zwischen dem ersten Dotierungsbereich und dem zweiten Dotierungsbereich angeordnet ist, wobei die zweite dielektrische Schicht in einer Anzahl von mindestens eins bereitgestellt wird; und
    • eine elektrisch leitfähige Schicht, die an dem ersten Dotierungsbereich und dem zweiten Dotierungsbereich angeordnet ist.
    • Ferner kann vorgesehen sein, dass der erste Dotierungsbereich ein p-Dotierungsbereich und der zweite Dotierungsbereich ein n-Dotierungsbereich, oder dass
    • der erste Dotierungsbereich ein n-Dotierungsbereich und der zweite Dotierungsbereich ein p-Dotierungsbereich ist.
  • Ferner kann vorgesehen sein, dass der zweite Dotierungsbereich in einem Teilbereich außerhalb der Nuten angeordnet ist.
  • Ferner kann vorgesehen sein, dass die Gesamtdicke der ersten dielektrischen Schicht und des ersten Dotierungsbereichs, die innerhalb der Nuten angeordnet sind, kleiner als die Tiefe der Nuten ist.
  • Ferner kann vorgesehen sein, dass die Gesamtdicke der ersten dielektrischen Schicht und des ersten Dotierungsbereichs, die innerhalb der Nuten angeordnet sind, größer als die Tiefe der Nuten ist.
  • Ferner kann vorgesehen sein, dass der erste Dotierungsbereich und der zweite Dotierungsbereich dotiertes Polysilizium oder dotiertes Siliziumcarbid oder dotiertes amorphes Silizium umfassen.
  • Ferner kann vorgesehen sein, dass die erste dielektrische Schicht eine der Strukturen Tunneloxidschicht, intrinsische Siliziumcarbidschicht und intrinsische amorphe Siliziumschicht oder eine Kombination mehrerer davon ist.
  • Ferner kann vorgesehen sein, dass die zweite dielektrische Schicht eine der Strukturen Aluminiumoxidschicht, Siliziumnitridschicht, Silizium-Oxinitridschicht, intrinsische Siliziumcarbidschicht, intrinsische amorphe Siliziumschicht und Siliziumoxidschicht oder eine Kombination mehrerer davon ist.
  • Ferner kann vorgesehen sein, dass die zweite dielektrische Schicht einen Bereich zwischen dem ersten Dotierungsbereich und dem zweiten Dotierungsbereich abdeckt oder sich den ersten Dotierungsbereich und/oder den zweiten Dotierungsbereich abdeckend erstreckt.
  • Ferner kann vorgesehen sein, dass die Rückseite des Siliziumsubstrats, das sich in einem Bereich zwischen dem ersten Dotierungsbereich und dem zweiten Dotierungsbereich befindet, eine grobe Texturstruktur aufweist.
  • Ferner kann vorgesehen sein, dass der p-Dotierungsbereich eine Breite von 300 bis 600 um, der n-Dotierungsbereich eine Breite von 100 bis 500 um und die Nut eine Tiefe von 0,01 bis 10 um aufweist.
  • Ferner kann vorgesehen sein, dass der horizontale Abstand zwischen dem ersten Dotierungsbereich und dem zweiten Dotierungsbereich 0 bis 500 um beträgt.
  • Ferner ist vorgesehen, dass die erste dielektrische Schicht den ersten Dotierungsbereich und den zweiten Dotierungsbereich oder die gesamte Rückseite des Siliziumsubstrats abdeckt.
  • Ferner kann vorgesehen sein, dass ein dritter Dotierungsbereich in einem Siliziumsubstrat angeordnet ist, das sich in einem Bereich zwischen dem ersten Dotierungsbereich und dem zweiten Dotierungsbereich befindet.
  • Ferner kann vorgesehen sein, dass die erste dielektrische Schicht mit der Bodenwand und einer Seitenwand der Nut verbunden ist.
  • Ferner kann vorgesehen sein, dass die erste dielektrische Schicht mit der Bodenwand der Nut und die zweite dielektrische Schicht ferner mit einer Seitenwand der Nut verbunden ist.
  • Ferner kann vorgesehen sein, dass die Nut bogenförmig, trapezförmig oder quadratisch ist.
  • Ferner kann vorgesehen sein, dass die erste dielektrische Schicht eine Dicke von 1 bis 20 nm aufweist und die Gesamtdicke der ersten dielektrischen Schicht und des ersten Dotierungsbereichs oder des zweiten Dotierungsbereichs größer als 20 nm ist.
  • Ferner kann vorgesehen sein, dass das dotierte Siliziumcarbid dotiertes hydriertes Siliziumcarbid umfasst.
  • Ferner kann vorgesehen sein, dass die erste dielektrische Schicht eine Tunneloxidschicht und eine intrinsische Siliziumcarbidschicht ist.
  • Ferner kann vorgesehen sein, dass die Tunneloxidschicht aus einer oder mehreren der Schichten Siliziumdioxidschicht und Aluminiumoxidschicht besteht.
  • Ferner kann vorgesehen sein, dass die intrinsische Siliziumcarbidschicht in der ersten dielektrischen Schicht eine intrinsische hydrierte Siliziumcarbidschicht enthält.
  • Ferner kann vorgesehen sein, dass die zweite dielektrische Schicht eine Aluminiumoxidschicht und eine intrinsische Siliziumcarbidschicht oder alternativ dazu eine Siliziumdioxidschicht und eine intrinsische Siliziumcarbidschicht ist, wobei die zweite dielektrische Schicht eine Dicke von mehr als 25 nm aufweist.
  • Ferner kann vorgesehen sein, dass die Dicke der Aluminiumoxidschicht oder der Siliziumdioxidschicht in der zweiten dielektrischen Schicht weniger als 25 nm und die Dicke der intrinsischen Siliziumcarbidschicht in der zweiten dielektrischen Schicht größer als 10 nm ist.
  • Ferner kann vorgesehen sein, dass die intrinsische Siliziumcarbidschicht in der zweiten dielektrischen Schicht aus mindestens einem ersten intrinsischen Siliziumcarbidfilm mit unterschiedlichen Brechungsindizes besteht.
  • Ferner kann vorgesehen sein, dass die Brechungsindizes der einzelnen ersten intrinsischen Siliziumcarbidfilme der Reihe nach von der Rückseite des Siliziumsubstrats nach außen abnehmen.
  • Ferner kann vorgesehen sein, dass die äußere Schicht der zweiten dielektrischen Schicht ferner mit einer Magnesiumfluoridschicht versehen ist.
  • Ferner kann vorgesehen sein, dass die elektrisch leitfähige Schicht ein transparenter elektrisch leitfähiger TCO-Film und/oder eine Metallelektrode ist.
  • Ferner kann vorgesehen sein, dass die Metallelektrode eine Silberelektrode, eine Kupferelektrode, eine Aluminiumelektrode, eine zinnbeschichtete Kupferelektrode oder eine silberbeschichtete Kupferelektrode umfasst.
  • Ferner kann vorgesehen sein, dass die Kupferelektrode eine durch Galvaniktechnik hergestellte verkupferte Elektrode oder eine durch physikalische Gasphasenabscheidung hergestellte Kupferelektrode ist.
  • Ferner kann vorgesehen sein, dass die erste dielektrische Schicht, die dem ersten Dotierungsbereich zugeordnet ist, der ersten dielektrischen Schicht, die dem zweiten Dotierungsbereich zugeordnet ist, gleicht oder nicht gleicht.
  • Ferner kann vorgesehen sein, dass sich der erste Dotierungsbereich zu einem Teilbereich außerhalb der Nut erstreckt und nicht mit dem benachbarten zweiten Dotierungsbereich verbunden ist.
  • Die Aufgabe eines anderen Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung besteht ferner darin, eine vergrabene Solarzelle mit einem selektiven Kontaktbereich bereitzustellen, die umfasst:
    • ein Siliziumsubstrat;
    • eine oben genannte Rückseitenkontaktstruktur, die an der Rückseite des Siliziumsubstrats angeordnet ist; und
    • eine dritte dielektrische Schicht, die an der Vorderseite des Siliziumsubstrats angeordnet ist.
  • Ferner kann vorgesehen sein, dass die dritte dielektrische Schicht eine der Strukturen Aluminiumoxidschicht, Siliziumnitridschicht, Silizium-Oxinitridschicht, intrinsische Siliziumcarbidschicht, intrinsische amorphe Siliziumschicht und Siliziumoxidschicht oder eine Kombination mehrerer davon ist.
  • Ferner kann vorgesehen sein, dass die dritte dielektrische Schicht eine Siliziumdioxidschicht und eine intrinsische Siliziumcarbidschicht oder alternativ dazu eine Aluminiumoxidschicht und eine intrinsische Siliziumcarbidschicht ist, wobei die dritte dielektrische Schicht eine Dicke von mehr als 50 nm aufweist.
  • Ferner kann vorgesehen sein, dass die Dicke der Aluminiumoxidschicht oder der Siliziumdioxidschicht in der dritten dielektrischen Schicht weniger als 40 nm und die Dicke der intrinsischen Siliziumcarbidschicht in der dritten dielektrischen Schicht größer als 10 nm ist.
  • Ferner kann vorgesehen sein, dass die intrinsische Siliziumcarbidschicht in der dritten dielektrischen Schicht aus mindestens einem dritten intrinsischen Siliziumcarbidfilm mit unterschiedlichen Brechungsindizes besteht.
  • Ferner kann vorgesehen sein, dass die Brechungsindizes der einzelnen zweiten intrinsischen Siliziumcarbidfilme der Reihe nach von der Vorderseite des Siliziumsubstrats nach außen abnehmen.
  • Ferner kann vorgesehen sein, dass die äußere Schicht der dritten dielektrischen Schicht ferner mit einer Magnesiumfluoridschicht versehen ist.
  • Ferner kann vorgesehen sein, dass ferner eine elektrische Feldschicht oder ein schwimmender Übergang zwischen der Vorderseite des Siliziumsubstrats und der dritten dielektrischen Schicht angeordnet ist.
  • Eine Aufgabe eines anderen Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung besteht ferner darin, ein Solarzellenmodul bereitzustellen, das die oben beschriebene vergrabene Solarzelle mit einem selektiven Kontaktbereich umfasst.
  • Eine Aufgabe eines anderen Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung besteht auch darin, ein photovoltaisches System bereitzustellen, das das oben beschriebene Solarzellenmodul umfasst.
  • Eine Aufgabe eines anderen Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung besteht auch darin, ein Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen Solarzelle mit einem selektiven Kontaktbereich bereitzustellen, welches Verfahren Folgendes umfasst:
    • Vorsehen mehrerer voneinander beabstandeter Nuten an der Rückseite eines Siliziumsubstrats;
    • Herstellen einer ersten dielektrischen Schicht an der Rückseite des Siliziumsubstrats;
    • Herstellen eines ersten Dotierungsbereichs und eines zweiten Dotierungsbereichs jeweils innerhalb bzw. außerhalb der einzelnen Nuten;
    • Herstellen einer zweiten dielektrischen Schicht und einer dritten dielektrischen Schicht jeweils an der Rückseite bzw. der Vorderseite des Siliziumsubstrats;
    • Herstellen einer elektrisch leitfähigen Schicht an dem ersten Dotierungsbereich und dem zweiten Dotierungsbereich.
  • Ferner ist vorgesehen, dass der Schritt zum Herstellen eines ersten Dotierungsbereichs und eines zweiten Dotierungsbereichs jeweils innerhalb bzw. außerhalb der einzelnen Nuten Folgendes umfasst:
    • Abscheidung von intrinsischem amorphem Silizium oder intrinsischem Siliziumcarbid innerhalb und außerhalb der einzelnen Nuten;
    • Dotieren verschiedener Dotierungsarten abwechselnd innerhalb und außerhalb der einzelnen Nuten;
    • Hochtemperaturkristallisationsbehandlung, um intrinsisches amorphes Silizium oder intrinsisches Siliziumcarbid in dotiertes Polysilizium oder dotiertes Siliziumcarbid umzuwandeln, womit ein erster Dotierungsbereich, der in der Nut angeordnet ist, und ein zweiter Dotierungsbereich, der außerhalb der Nut angeordnet ist, erhalten werden.
    • Ferner ist vorgesehen, dass der Schritt zum Herstellen eines ersten Dotierungsbereichs und eines zweiten Dotierungsbereichs jeweils innerhalb bzw. außerhalb der einzelnen Nuten Folgendes umfasst:
      • Abscheidung von intrinsischem amorphem Silizium oder intrinsischem Siliziumcarbid innerhalb und außerhalb der einzelnen Nuten;
      • Durchführen von Diffusion verschiedener Arten abwechselnd innerhalb und außerhalb der einzelnen Nuten durch Masken, um intrinsisches amorphes Silizium oder intrinsisches Siliziumcarbid in dotiertes Polysilizium oder dotiertes Siliziumcarbid umzuwandeln, womit ein erster Dotierungsbereich, der in der Nut angeordnet ist, und ein zweiter Dotierungsbereich, der außerhalb der Nut angeordnet ist, erhalten werden.
  • Ferner ist vorgesehen, dass der Schritt zum Herstellen eines ersten Dotierungsbereichs und eines zweiten Dotierungsbereichs jeweils innerhalb bzw. außerhalb der einzelnen Nuten Folgendes umfasst:
    • Abscheiden von dotiertem amorphem Silizium oder dotiertem amorphem Siliziumcarbid mit verschiedenen Dotierungsarten abwechselnd innerhalb und außerhalb der einzelnen Nuten;
    • Hochtemperaturkristallisationsbehandlung, um dotiertes amorphes Silizium oder dotiertes amorphes Siliziumcarbid in dotiertes Polysilizium oder dotiertes Siliziumcarbid umzuwandeln, womit ein erster Dotierungsbereich, der in der Nut angeordnet ist, und ein zweiter Dotierungsbereich, der außerhalb der Nut angeordnet ist, erhalten werden.
  • Ferner ist vorgesehen, dass der Schritt zum Dotieren verschiedener Dotierungsarten abwechselnd innerhalb und außerhalb der einzelnen Nuten Folgendes umfasst:
    • Implantieren von Ionen der ersten Art und Ionen der zweiten Art zum Dotieren abwechselnd innerhalb und außerhalb der einzelnen Nuten; oder
    • Abscheiden einer Dotierungsquelle der ersten Art und einer Dotierungsquelle der zweiten Art zum Dotieren abwechselnd innerhalb und außerhalb der einzelnen Nuten; oder
    • Einleiten von Quellengas der ersten Art und Quellengas der zweiten Art zum Dotieren abwechselnd innerhalb und außerhalb der einzelnen Nuten.
  • Bei der Rückseitenkontaktstruktur, die durch das Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung bereitgestellt wird, wird durch Vorsehen voneinander beabstandeter Nuten auf der Rückseite des Siliziumsubstrats und durch Vorsehen des ersten Dotierungsbereichs in jeder Nut und des zweiten Dotierungsbereichs außerhalb jeder Nut erreicht, dass durch das Siliziumsubstrat, bei dem der erste Dotierungsbereich Bereiche in den Nuten nicht abdeckt, oder durch das Siliziumsubstrat, bei dem der zweite Dotierungsbereich Bereiche außerhalb der Nuten nicht abdeckt, das Trennen des ersten Dotierungsbereichs in den Nuten und des zweiten Dotierungsbereichs außerhalb der Nuten realisiert wird. Die angeordnete Nut stellt lockerer Breitensteuerungsanforderungen als bei der bestehenden Rille und die Herstellung ist einfacher als die Herstellung der bestehenden Rille. Der Abscheidungseffekt ist besser, wenn die erste dielektrische Schicht und der erste Dotierungsbereich in der Nut abgeschieden werden. Zur gleichen Zeit steht die erste dielektrische Schicht aufgrund der Anordnung der Nut in Kontakt mit der Bodenwand und der Seitenwand der Nut. Daher werden die Träger, die auf dem Siliziumsubstrat erzeugt werden, auch leicht durch die erste dielektrische Schicht an der Seitenwand der Nut getrennt und selektiv in dem entsprechenden ersten Dotierungsbereich gesammelt. Es ermöglicht nicht nur die Verringerung des Leckstroms, sondern auch den selektiven Transport von Trägern in Längs- und Querrichtung, was vorteilhaft ist, um eine mehrdimensionale Sammlung von Trägern in der Bodenwand und der Seitenwand der Nut zu realisieren; Da mindestens eine zweite dielektrische Schicht vorgesehen ist, wird die Rückseite des Siliziumsubstrats durch mindestens eine zweite dielektrische Schicht mehrschichtig passiviert, was zu einem besseren Passivierungseffekt und einer Verbesserung der inneren Rückreflexion führt, wodurch ein besserer Passivierungseffekt und ein interner Rückreflexionseffekt erzielt werden und das bestehende Problem der hohen Anforderungen an die Rillenbreitensteuerung und des schlechten Passivierungseffekts gelöst wird.
  • Figurenliste
    • 1 bis 10 zeigen strukturelle schematische Darstellungen verschiedener Ausführungen einer vergrabenen Solarzelle mit einem selektiven Kontaktbereich nach einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
    • 11 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zur Herstellung einer vergrabenen Solarzelle mit einem selektiven Kontaktbereich nach einem anderen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • KONKRETE AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Zum besseren Verständnis der Aufgabe, der technischen Lösung und der Vorteile der vorliegenden Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen anhand eines Ausführungsbeispiels auf die vorliegende Erfindung näher eingegangen. Es versteht sich, dass das beschriebene konkrete Ausführungsbeispiel lediglich zur Erklärung der vorliegenden Erfindung dient, ohne diese einzuschränken.
  • Bei der vorliegenden Erfindung sollen die Begriffe „anbringen“, „miteinander verbunden“, „verbinden“, „befestigen“ o. dgl., soweit nicht ausdrücklich anders angegeben, im weiteren Sinne verstanden werden. So kann es sich dabei z.B. sowohl um eine feste, eine lösbare oder eine einteilige Verbindung als auch um eine mechanische und auch eine elektrische Verbindung handeln. Zudem sind auch direkte Verbindungen, indirekte bzw. über ein Zwischenstück hergestellte Verbindungen wie auch innere Verbindungen zweier Elemente denkbar. Als durchschnittliche Fachleute auf diesem Gebiet kann man von der Sachlage ausgehen, um zu ermitteln, welche Bedeutung die genannten Begriffe gemäß der vorliegenden Erfindung haben sollen. Der hierbei verwendete Begriff „und/oder“ umfasst jegliche und alle Kombinationen eines oder mehrerer der aufgeführten Elemente.
  • Bei der vorliegenden Erfindung wird durch Vorsehen voneinander beabstandeter Nuten auf der Rückseite des Siliziumsubstrats und durch Vorsehen des ersten Dotierungsbereichs in jeder Nut und des zweiten Dotierungsbereichs außerhalb jeder Nut erreicht, dass durch das Siliziumsubstrat, bei dem der erste Dotierungsbereich Bereiche in den Nuten nicht abdeckt, oder durch das Siliziumsubstrat, bei dem der zweite Dotierungsbereich Bereiche außerhalb der Nuten nicht abdeckt, das Trennen des ersten Dotierungsbereichs in den Nuten und des zweiten Dotierungsbereichs außerhalb der Nuten realisiert wird. Die angeordnete Nut stellt lockerer Breitensteuerungsanforderungen als bei der bestehenden Rille und die Herstellung ist einfacher als die Herstellung der bestehenden Rille. Der Abscheidungseffekt ist besser, wenn die erste dielektrische Schicht und der erste Dotierungsbereich in der Nut abgeschieden werden. Zur gleichen Zeit steht die erste dielektrische Schicht aufgrund der Anordnung der Nut in Kontakt mit der Bodenwand und der Seitenwand der Nut. Daher werden die Träger, die auf dem Siliziumsubstrat erzeugt werden, auch leicht durch die erste dielektrische Schicht an der Seitenwand der Nut getrennt und selektiv in dem entsprechenden ersten Dotierungsbereich gesammelt. Es ermöglicht nicht nur die Verringerung des Leckstroms, sondern auch den selektiven Transport von Trägern in Längs- und Querrichtung, was vorteilhaft ist, um eine mehrdimensionale Sammlung von Trägern in der Bodenwand und der Seitenwand der Nut zu realisieren. Da mindestens eine zweite dielektrische Schicht vorgesehen ist, wird die Rückseite des Siliziumsubstrats durch mindestens eine zweite dielektrische Schicht mehrschichtig passiviert, was zu einem besseren Passivierungseffekt und einer Verbesserung der inneren Rückreflexion führt, wodurch ein besserer Passivierungseffekt und ein interner Rückreflexionseffekt erzielt werden und das bestehende Problem der hohen Anforderungen an die Rillenbreitensteuerung und des schlechten Passivierungseffekts gelöst wird.
  • Ausführungsbeispiel 1
  • Das erste Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung stellt eine Rückseitenkontaktstruktur einer Solarzelle bereit. Um die Beschreibung zu erleichtern, werden nur Teile gezeigt, die sich auf das Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung beziehen. Es wird auf 1 bis 10 hingewiesen. Die Rückseitenkontaktstruktur der Solarzelle, die durch die Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bereitgestellt wird, umfasst:
    • Nuten, die voneinander beabstandet an der Rückseite eines Siliziumsubstrats 10 angeordnet sind;
    • eine erste dielektrische Schicht 20, die an der Rückseite des Siliziumsubstrats 10 angeordnet ist,
    • einen ersten Dotierungsbereich 30, der an der ersten dielektrischen Schicht 20 und innerhalb der Nuten angeordnet ist;
    • einen zweiten Dotierungsbereich 40, der an der ersten dielektrischen Schicht 20 und außerhalb der Nuten angeordnet ist;
    • eine zweite dielektrische Schicht 50, die zwischen dem ersten Dotierungsbereich 30 und dem zweiten Dotierungsbereich 40 angeordnet ist, wobei die zweite dielektrische Schicht 50 in einer Anzahl von mindestens eins bereitgestellt wird und ihre Brechungsindices der Reihe nach von der Rückseite des Siliziumsubstrats 10 nach außen abnehmen; und
    • eine elektrisch leitfähige Schicht 60, die an dem ersten Dotierungsbereich 30 und dem zweiten Dotierungsbereich 40 angeordnet ist.
  • Dabei weist in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung das Siliziumsubstrat 10 während des normalen Betriebs eine Vorderseite, die der Sonne zugewandt ist und eine der Vorderseite gegenüberliegende Rückseite auf und die Vorderseite ist eine Licht aufnehmende Seite. Die Rückseite ist der Vorderseite gegenüberliegend auf der anderen Seite des Siliziumsubstrats 10 angeordnet, das heißt, die Vorderseite und die Rückseite befinden sich auf verschiedenen Seiten des Siliziumsubstrats 10 und sind entgegengesetzte Seiten, wobei in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel das Siliziumsubstrat 10 ein Siliziumwafer vom N-Typ ist. In anderen Ausführungsbeispielen kann das Siliziumsubstrat 10 auch ein anderer Siliziumwafer sein. Dabei sind Nuten voneinander beabstandet an der Rückseite des Siliziumsubstrats 10 angeordnet. Die Nut kann durch Lasererosion oder durch eine Kombination von Masken (wie Hartmasken, Siliziumoxidmasken, Siliziumnitridmasken und Photoresistmasken usw.) und Nass-/Trockenätzen gebildet werden. Aufgrund der Nut, die auf der Rückseite des Siliziumsubstrats 10 ausgebildet ist, hat der Bereich zwischen den zwei benachbarten Nuten des Siliziumsubstrats 10 im Wesentlichen die Form einer Ausbuchtung, so dass das Rückseitenmuster des Siliziumsubstrats 10 im Wesentlichen durch abwechselnd angeordnete Nuten und Ausbuchtungen gebildet wird.
  • Ferner befindet sich in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung die erste dielektrische Schicht 20 auf der Rückseite des Siliziumsubstrats 10 und bedeckt mindestens den ersten Dotierungsbereich 30 und den zweiten Dotierungsbereich 40, wobei bei konkreter Ausführung die erste dielektrische Schicht 20 nur den ersten Dotierungsbereich 30 und den zweiten Dotierungsbereich 40 abdecken kann oder auch die gesamte Rückseite des Siliziumsubstrats 10 abdecken kann. In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung ist unter Bezugnahme auf 1 vorgesehen, dass die erste dielektrische Schicht 20 nur d ersten Dotierungsbereich 30 und den zweiten Dotierungsbereich 40 bedeckt, wobei die Rückseite des Siliziumsubstrats 10, die in dem Bereich zwischen dem ersten Dotierungsbereich 30 und dem zweiten Dotierungsbereich 40 angeordnet ist, nicht durch die erste dielektrische Schicht 20 abgedeckt ist. In einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung bedeckt die erste dielektrische Schicht 20 unter Bezugnahme auf 2 die gesamte Rückseite des Siliziumsubstrats 10, d.h., die erste dielektrische Schicht 20 bedeckt die gesamte Rückseite, die durch die Nut des Siliziumsubstrats 10 und die Ausbuchtung gebildet wird. Es ist anzumerken, dass, wie in 1 und 2 gezeigt, die erste dielektrische Schicht 20 mit der Bodenwand und der Seitenwand der Nut verbunden ist, wenn die erste dielektrische Schicht 20 den ersten Dotierungsbereich 30 bedeckt.
  • Ferner ist in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung der erste Dotierungsbereich 30 ein p-Dotierungsbereich und der zweite Dotierungsbereich 40 ein n-Dotierungsbereich. Alternativ dazu ist der erste Dotierungsbereich 30 ein n-Dotierungsbereich und der zweite Dotierungsbereich 40 ein p-Dotierungsbereich. Das heißt, die erste dielektrische Schicht 20 und der p-Dotierungsbereich können in der Nut vorgesehen und die erste dielektrische Schicht 20 und der n-Dotierungsbereich können außerhalb der Nut angeordnet sein, oder die erste dielektrische Schicht 20 und der n-Dotierungsbereich sind in der Nut angeordnet und die erste dielektrische Schicht 20 und der p-Dotierungsbereich sind außerhalb der Nut angeordnet. Somit sind die erste dielektrische Schicht 20 und der erste Dotierungsbereich 30 sowie die erste dielektrische Schicht 20 und der zweite Dotierungsbereich 40 abwechselnd innerhalb und außerhalb der Nut angeordnet. Somit wird durch das Siliziumsubstrat, bei dem der erste Dotierungsbereich 30 Bereiche in den Nuten nicht abdeckt, oder durch das Siliziumsubstrat, bei dem der zweite Dotierungsbereich 40 Bereiche außerhalb der Nuten nicht abdeckt, das Trennen des ersten Dotierungsbereichs 30 in den Nuten und des zweiten Dotierungsbereichs 40 außerhalb der Nuten realisiert.
  • Dabei befindet sich die erste dielektrische Schicht 20 an dem Siliziumsubstrat 10 zwischen dem ersten Dotierungsbereich 30, der in der Nut angeordnet ist, und dem zweiten Dotierungsbereich 40, der außerhalb der Nut angeordnet ist, und wird als Tunnelstruktur verwendet. Die erste dielektrische Schicht 20 und der damit verbundene und dadurch bedeckte hochdotierte erste Dotierungsbereich 30 oder zweite Dotierungsbereich 40 bilden zusammen eine Passivierungskontaktstruktur. Die Passivierungskontaktstruktur bietet eine gute Oberflächenpassivierung für die Rückseite des Siliziumsubstrats 10. Zur gleichen Zeit hat die erste dielektrische Schicht 20 eine ausreichend dünne Dicke. Einer der Träger erreicht eine selektive Übertragung durch das Tunnelprinzip. Der andere Träger kann hingegen aufgrund der Barriere und des Feldeffekts des Dotierungsbereichs schwierig die erste dielektrische Schicht 20 durchdringen. Daher kann die erste dielektrische Schicht 20 bewirken, dass ein Träger in den Dotierungsbereich eindringt, während ein anderer Träger blockiert wird, wodurch ansonsten eine Rekombination verursacht wird, so dass die Rekombination der Grenzfläche signifikant reduziert werden kann und die Solarzelle eine höhere Leerlaufspannung und einen hohen Kurzschlussstrom aufweist, wodurch die photoelektrische Umwandlungseffizienz erhöht wird. Zur gleichen Zeit, wie in den 1 bis 10 gezeigt, bildet die Oberfläche, auf der das Siliziumsubstrat 10 in Kontakt mit der ersten dielektrischen Schicht 20 steht, eine Vielzahl von inneren Diffusionsbereichen, die dem ersten Dotierungsbereich 30 oder dem zweiten Dotierungsbereich 40 entsprechen. Zur gleichen Zeit steht die erste dielektrische Schicht 20 aufgrund der Anordnung der Nut in Kontakt mit der Bodenwand und der Seitenwand der Nut. Daher werden die Träger, die auf dem Siliziumsubstrat 10 erzeugt werden, auch leicht durch die erste dielektrische Schicht 20 an der Seitenwand der Nut getrennt und selektiv in den entsprechenden ersten Dotierungsbereich 30 gesammelt, was vorteilhaft für eine mehrdimensionale Sammlung der Träger in der Bodenwand und der Seitenwand der Nut ist.
  • Ferner ist in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung die erste dielektrische Schicht 20 vorzugsweise eine der Schichten Tunneloxidschicht, intrinsische Siliziumcarbidschicht und intrinsische amorphe Siliziumschicht oder eine Kombination mehrerer davon. Als einige Beispiele der Erfindung kann die erste dielektrische Schicht 20 eine Tunneloxidschicht eines einzelnen Materials oder eine Kombination einer Tunneloxidschicht und einer intrinsischen amorphen Siliziumschicht einer Vielzahl von Materialien sein, und es kann auch eine Kombination von intrinsischem amorphem Silizium mit mehreren Schichten unterschiedlicher Brechungsindizes eines einzelnen Materials sein. Es ist verständlich, dass die spezifische strukturelle Anordnung der ersten dielektrischen Schicht 20 mehrere der oben aufgeführten Möglichkeiten umfasst, aber nicht darauf beschränkt ist. Die erste dielektrische Schicht 20 ist entsprechend den tatsächlichen Verwendungsbedürfnissen entsprechend eingestellt und hier liegt keine spezifische Einschränkung vor.
  • In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung umfasst die erste dielektrische Schicht 20 vorzugsweise eine Tunneloxidschicht und eine intrinsische Siliziumcarbidschicht. Dabei sind die Tunneloxidschicht und die intrinsische Siliziumcarbidschicht der Reihe nach von dem Siliziumsubstrat 10 nach außen angeordnet und die Tunneloxidschicht steht in Kontakt mit der Rückseite des Siliziumsubstrats 10. Die intrinsische Siliziumcarbidschicht steht in Kontakt mit dem ersten Dotierungsbereich 30 oder dem zweiten Dotierungsbereich 40. Ferner ist vorgesehen, dass die Tunneloxidschicht aus einer oder mehreren der Schichten Siliziumdioxidschicht und Aluminiumoxidschicht besteht. Daher kann die erste dielektrische Schicht 20 auch eine Kombination der Siliziumdioxidschicht in der Tunneloxidschicht mit der Aluminiumoxidschicht sein. Dabei umfasst die intrinsische Siliziumcarbidschicht in der ersten dielektrischen Schicht 20 eine intrinsische hydrierte Siliziumcarbidschicht. Nun reduzieren die Tunneloxidschicht und die intrinsische Siliziumcarbidschicht die Grenzflächenzustandsdichte zwischen dem Siliziumsubstrat 10 und dem ersten Dotierungsbereich 30 bzw. dem zweiten Dotierungsbereich 40 durch chemische Passivierung. Zum Beispiel Wasserstoff in der intrinsischen hydrierten Siliziumcarbidschicht dringt unter Einwirkung des Diffusionsmechanismus und des thermischen Effekts in das Siliziumsubstrat 10 ein, so dass die Aufhängungsbindung auf der Rückseite des Siliziumsubstrats 10 neutralisiert wird und die Defekte auf der Rückseite des Siliziumsubstrats 10 passiviert werden, wodurch das Energieband in der Bandlücke in das Valenzband oder das Leitungsband übertragen wird, so dass die Wahrscheinlichkeit erhöht wird, dass der Träger durch die erste dielektrische Schicht 20 in den ersten Dotierungsbereich 30 oder den zweiten Dotierungsbereich 40 eintritt.
  • Als einige spezifische Beispiele der Erfindung verwendet die erste dielektrische Schicht 20 vorzugsweise eine Siliziumdioxidschicht von 1-2 nm und eine intrinsische Siliziumcarbidschicht von 2-5 nm. Im Vergleich zu der Verwendung nur einer Siliziumdioxidschicht als Tunnelstruktur kann die intrinsische Siliziumcarbidschicht auch einen zusätzlichen Wasserstoffpassivierungseffekt bereitstellen und das Herstellungsprozessfenster der Tunnelstruktur erhöhen, ohne den Tunneleffekt zu beeinträchtigen. Natürlich ist es auch möglich, direkt eine Siliziumdioxidschicht von 1-2 nm oder eine Siliziumdioxidschicht von 1 nm mit einer Aluminiumoxidschicht von 1 nm oder eine intrinsische amorphe Siliziumschicht von 2 oder mehr Schichten mit unterschiedlichen Brechungsindizes zu verwenden, und es ist verständlich, dass die spezifische strukturelle Anordnung der ersten dielektrischen Schicht 20 mehrere der oben aufgeführten spezifischen Beispiele umfasst, aber nicht darauf beschränkt ist. Zusätzlich kann die erste dielektrische Schicht 20 auch eine intrinsische mikrokristalline Siliziumschicht, eine intrinsische mikrokristalline Siliziumoxidschicht, eine intrinsische amorphe Siliziumoxidschicht und dergleichen sein. Wie in 1-10 gezeigt, ist die dargestellte erste dielektrische Schicht 20 einschichtig ausgebildet und es ist verständlich, dass die spezifische Struktur der ersten dielektrischen Schicht 20 entsprechend den tatsächlichen Bedürfnissen gestaltet ist, anstatt völlig gemäß den Zeichnungen ausgebildet zu sein
  • Dabei ist darauf hinzuweisen, dass, wenn die erste dielektrische Schicht 20 nur den ersten Dotierungsbereich 30 und den zweiten Dotierungsbereich 40 abdeckt, die Struktur der ersten dielektrischen Schicht 20, die auf dem ersten Dotierungsbereich 30 und dem zweiten Dotierungsbereich 40 angeordnet ist, gleich oder unterschiedlich sein kann, da jede der ersten dielektrischen Schichten 20 getrennt ist. Im Detail ist die erste dielektrische Schicht 20, die dem ersten Dotierungsbereich 30 entspricht, gleich oder verschieden von der ersten dielektrischen Schicht 20, die dem zweiten Dotierungsbereich 40 entspricht, zum Beispiel kann die erste dielektrische Schicht 20 als eine Siliziumdioxidschicht und eine intrinsische Siliziumcarbidschicht ausgebildet sein. Die erste dielektrische Schicht 20 in der Nut, die mit dem ersten Dotierungsbereich 30 versehen ist, kann auch eine Siliziumdioxidschicht und eine intrinsische Siliziumcarbidschicht sein. Die erste dielektrische Schicht 20 in der Ausbuchtung, die mit dem zweiten Dotierungsbereich 40 versehen ist, ist eine Aluminiumoxidschicht und eine intrinsische Siliziumcarbidschicht oder dergleichen, und die Filmschichtstruktur der ersten dielektrischen Schicht 20 auf dem ersten Dotierungsbereich 30 und dem zweiten Dotierungsbereich 40 ist entsprechend den tatsächlichen Verwendungsanforderungen ausgebildet. Hier liegt keine Einschränkung vor.
  • Ferner sind in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung der erste Dotierungsbereich 30 und der zweite Dotierungsbereich 40 jeweils innerhalb bzw. außerhalb jeder Nut angeordnet und der erste Dotierungsbereich 30 und der zweite Dotierungsbereich 40 umfassen vorzugsweise dotiertes Polysilizium oder dotiertes Siliziumcarbid oder dotiertes amorphes Silizium. Dabei kann dotiertes Siliziumcarbid dotiertes hydriertes Siliziumcarbid umfassen und das dotierte hydrierte Siliziumcarbid wird insbesondere durch Zugabe von Wasserstoff bei der Abscheidung von Siliziumcarbid erzeugt. Dabei ist anzumerken, dass, wenn die erste dielektrische Schicht 20 die oben beschriebene Siliziumdioxidschicht und die intrinsische Siliziumcarbidschicht ist, der erste Dotierungsbereich 30 und der zweite Dotierungsbereich 40 konkret dotiertes Siliziumcarbid sind. Wenn die erste dielektrische Schicht 20 die oben beschriebene Siliziumoxidschicht oder eine andere Kombination ist, können der erste Dotierungsbereich 30 und der zweite Dotierungsbereich 40 dotiertes Polysilizium oder dergleichen sein. Wenn die erste dielektrische Schicht 20 die oben beschriebene intrinsische amorphe Siliziumschicht ist, sind der erste Dotierungsbereich 30 und der zweite Dotierungsbereich 40 konkret dotiertes amorphes Silizium. Gleichzeitig ist anzumerken, dass der erste Dotierungsbereich 30 und der zweite Dotierungsbereich 40 gleich oder unterschiedlich sein können, zum Beispiel sind der erste Dotierungsbereich 30 und der zweite Dotierungsbereich 40 dotiertes Polysilizium oder der erste Dotierungsbereich 30 ist dotiertes Polysilizium und der zweite Dotierungsbereich 40 ist dotiertes Siliziumcarbid. Der erste Dotierungsbereich 30 und der zweite Dotierungsbereich 40 sind entsprechend den tatsächlichen Verwendungsanforderungen ausgebildet und hier liegt keine Einschränkung vor.
  • In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung ist der zweite Dotierungsbereich 40 in einem Teilbereich außerhalb der Nut angeordnet. Wie in 1 gezeigt, kann die Isolierung des ersten Dotierungsbereichs 30 von dem zweiten Dotierungsbereich 40 durch den Hauptkörper des Siliziumsubstrats 10 realisiert werden, da sich der zweite Dotierungsbereich 40 nur in einem Teilbereich der Ausbuchtung befindet. Die Gesamtdicke der ersten dielektrischen Schicht 20 und des ersten Dotierungsbereichs 30, die in der Nut angeordnet sind, kann größer oder kleiner oder gleich der Tiefe der Nut sein, d.h., der erste Dotierungsbereich 30 kann in der Nut angeordnet sein oder über die Nut hinausragen. Unter Bezugnahme auf die 1 und 2 ist die Gesamtdicke der ersten dielektrischen Schicht 20 und des ersten Dotierungsbereichs 30 kleiner als die Tiefe der Nut. Unter Bezugnahme auf 3 ist die Gesamtdicke der ersten dielektrischen Schicht 20 und des ersten Dotierungsbereichs 30 gleich der Tiefe der Nut. Unter Bezugnahme auf 4 ist die Gesamtdicke der ersten dielektrischen Schicht 20 und des ersten Dotierungsbereichs 30 größer als die Tiefe der Nut. Es muss auch darauf hingewiesen werden, dass in einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, wie in 5 gezeigt, die erste dielektrische Schicht 20 die gesamte Rückseite des Siliziumsubstrats 10 bedeckt. Wenn die Gesamtdicke der ersten dielektrischen Schicht 20 und des ersten Dotierungsbereichs 30 größer ist als die Tiefe der Nut, kann sich der erste Dotierungsbereich 30 auch auf einen Teilbereich der Ausbuchtung außerhalb der Nut erstrecken und ist dann nicht mit dem benachbarten zweiten Dotierungsbereich 40 verbunden. Nun bilden die erste dielektrische Schicht 20 und der erste Dotierungsbereich 30, die auf der Ausbuchtung außerhalb der Nut angeordnet sind, ebenfalls eine Passivierungskontaktstruktur und sind mit der ersten dielektrischen Schicht 20 und dem ersten Dotierungsbereich 30 in der Nut verbunden, so dass die Kontaktfläche der ersten dielektrischen Schicht 20 vergrößert wird, durch die der Träger selektiv hindurchgeht.
  • In anderen Ausführungsbeispielen der Erfindung ist der zweite Dotierungsbereich 40 in allen Bereichen außerhalb der Nut angeordnet. Nun, wie in 6 gezeigt, ist der zweite Dotierungsbereich 40 auf den gesamten Ausbuchtungen außerhalb der Nuten angeordnet und, u eine Isolierung des ersten Dotierungsbereichs 30 von dem zweiten Dotierungsbereich 40 zu erreichen, ist daher die Gesamtdicke der ersten dielektrischen Schicht 20 und des ersten Dotierungsbereichs 30, die in der Nut angeordnet sind, kleiner als gleich der Tiefe der Nut, so dass das Isolieren des ersten Dotierungsbereichs 30 von dem zweiten Dotierungsbereich 40 durch ein Siliziumsubstrat, dessen Nuten nicht durch den ersten Dotierungsbereich 30 abgedeckt ist, realisiert wird.
  • Ferner beträgt in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung die Dicke der ersten dielektrischen Schicht 20 1-20 nm, die Gesamtdicke der ersten dielektrischen Schicht 20 und des ersten Dotierungsbereichs 30 ist größer als 20 nm und die Gesamtdicke der ersten dielektrischen Schicht 20 und des zweiten Dotierungsbereichs 40 ist größer als 20 nm. Zur gleichen Zeit beträgt der horizontale Abstand zwischen dem ersten Dotierungsbereich 30 und dem zweiten Dotierungsbereich 40 0-500 µm, das heißt, der zweite Dotierungsbereich 40 kann die gesamten Ausbuchtungen abdecken und benachbart zu dem ersten Dotierungsbereich 30 in horizontaler Richtung sein, oder der zweite Dotierungsbereich 40 deckt einen Teil des Bereichs außerhalb der Nut ab. Wenn der erste Dotierungsbereich 30 ein p-Dotierungsbereich ist, beträgt die Nutbreite des p-Dotierungsbereichs 300-600 µm, und die Breite des n-Dotierungsbereichs, der in den Ausbuchtungen angeordnet ist, beträgt 100-500 µm und die Tiefe der Nut beträgt 0,01 bis 10 µm. Wenn der erste Dotierungsbereich 30 ein n-Dotierungsbereich ist, beträgt die Nutbreite des n-Dotierungsbereichs 100-500 µm, und die Breite des p-Dotierungsbereichs, der in den Ausbuchtungen angeordnet ist, beträgt 300-600 µm und die Tiefe der Nut beträgt 0,01 bis 10 µm. Als ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung beträgt die Breite des p-Dotierungsbereichs vorzugsweise 500 µm. Die Breite des n-Dotierungsbereichs beträgt vorzugsweise 300 µm und der Abstand zwischen dem ersten Dotierungsbereich 30 und dem zweiten Dotierungsbereich 40 beträgt vorzugsweise 100 µm. Es ist ersichtlich, dass die eingestellte Nutbreite lockerer Steueranforderungen als bestehende Rillen mit Dutzenden Mikrometern und die Herstellung ist einfacher als die Herstellung der bestehenden Rille.
  • Ferner deckt in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung die zweite dielektrische Schicht 50 einen Bereich zwischen dem ersten Dotierungsbereich 30 und dem zweiten Dotierungsbereich 40 ab oder erstreckt sich auf den ersten Dotierungsbereich 30 und/oder den zweiten Dotierungsbereich 40 Unter Bezugnahme auf 7 kann die zweite dielektrische Schicht 50 nur den Bereich zwischen dem ersten Dotierungsbereich 30 und dem zweiten Dotierungsbereich 40 abdecken und dementsprechend bedeckt die leitfähige Schicht 60 zu diesem Zeitpunkt den ersten Dotierungsbereich 30 und die gesamte Rückseite des ersten Dotierungsbereichs 30, um eine elektrische Verbindung herzustellen. Siehe 1. Die zweite dielektrische Schicht 50 kann auch ausgehend von der Ausbuchtung den ersten Dotierungsbereich 30 und/oder den zweiten Dotierungsbereich 40 abdecken. Dementsprechend kann die zweite dielektrische Schicht 50 zusätzlich einen Teilbereich des ersten Dotierungsbereichs 30 oder einen Teilbereich des zweiten Dotierungsbereichs 40, oder einen Teilbereich des ersten Dotierungsbereichs 30 und des zweiten Dotierungsbereichs 40 abdecken. Zu diesem Zeitpunkt bedeckt die leitfähige Schicht 60 die Rückseite des verbleibenden Teils der zweiten dielektrischen Schicht 50 in dem ersten Dotierungsbereich 30 und dem zweiten Dotierungsbereich 40, um eine elektrische Verbindung mit dem ersten Dotierungsbereich 30 bzw. dem zweiten Dotierungsbereich 40 zu bilden. Natürlich kann die zweite dielektrische Schicht 50 während des Herstellungsverfahrens auch vollständig die gesamte Rückseite der Rückseitenkontaktstruktur abdecken. Wenn die leitfähige Schicht 60 hergestellt wird, wird die leitfähige Schicht 60 durch Einfädeln oder dergleichen durch die zweite dielektrische Schicht 50 hindurchgeführt, um eine elektrische Verbindung mit dem ersten Dotierungsbereich 30 bzw. dem zweiten Dotierungsbereich 40 zu bilden. Dabei ist anzumerken, dass, wenn die erste dielektrische Schicht 20 nur den ersten Dotierungsbereich 30 und den zweiten Dotierungsbereich 40 abdeckt, die zweite dielektrische Schicht 50 in direktem Kontakt mit der Rückseite des Siliziumsubstrats 10 steht, was in 1 gezeigt ist. Wenn die erste dielektrische Schicht 20 die gesamte Rückseite des Siliziumsubstrats 10 bedeckt, steht die zweite dielektrische Schicht 50 in Kontakt mit der ersten dielektrischen Schicht 20, was in 2 gezeigt ist.
  • Ferner ist in einem Ausführungsbeispiel der Erfindung vorgesehen, dass die zweite dielektrische Schicht 50 vorzugsweise eine der Strukturen Aluminiumoxidschicht, Siliziumnitridschicht, Silizium-Oxinitridschicht, intrinsische Siliziumcarbidschicht, intrinsische amorphe Siliziumschicht und Siliziumoxidschicht oder eine Kombination mehrerer davon ist. Dabei wirkt die zweite dielektrische Schicht 50 als Passivierung und die zweite dielektrische Schicht 50 ist mindestens einschichtig ausgebildet. Der Brechungsindex jeder Schicht nimmt von dem Siliziumsubstrat 10 nach außen ab, so dass die Filmschicht in der Nähe des Siliziumsubstrats 10 passiviert wird, während die Filmschicht von dem Siliziumsubstrat 10 weg als Antireflexion wirkt, so dass der Antireflexionseffekt verbessert werden kann, wodurch die Absorption und Verwendung von Licht durch das Siliziumsubstrat 10 erhöht wird, wodurch die Kurzschlussstromdichte erhöht wird. Zusätzlich kann die zweite dielektrische Schicht 50 auch eine dotierte Siliziumschicht (z. B. eine dotierte mikrokristalline Siliziumschicht, eine dotierte amorphe Siliziumschicht, eine dotierte polykristalline Siliziumschicht), eine dotierte Siliziumcarbidschicht (z. B. eine dotierte polykristalline Siliziumcarbidschicht), eine dotierte Siliziumoxidschicht (z. B. dotiertes polykristallines Siliziumoxid, dotiertes amorphes Siliziumoxid) und dergleichen sein. Zusätzlich kann die Filmschicht jeder Schicht mit unterschiedlichen Strukturen in der zweiten dielektrischen Schicht 50 auch aus Mehrschichtfilmen mit unterschiedlichen Brechungsindizes bestehen. Und gemäß dem Brechungsindex jeder der oben beschriebenen Filmschichten nimmt der Brechungsindex von dem Siliziumsubstrat 10 nach außen ab, und beispielsweise kann die Siliziumoxidschicht in der zweiten dielektrischen Schicht 50 ein mehrschichtiger Siliziumoxidfilm sein, dessen Brechungsindex von dem Siliziumsubstrat 10 nach außen abnimmt.
  • Als einige spezifische Beispiele der Erfindung kann die zweite dielektrische Schicht 50 eine dreischichtige Struktur sein, die aus einer Siliziumdioxidschicht/Aluminiumoxidschicht, einer intrinsischen Siliziumcarbidschicht, einer Siliziumnitridschicht/einer Siliziumnitridschicht besteht. Nun ist die Dicke der Siliziumdioxidschicht/Aluminiumoxidschicht, die sich in der ersten Schicht auf der Innenseite befindet, größer als 0,5 nm, die Dicke der intrinsischen Siliziumcarbidschicht in der zweiten Schicht ist größer als 1 nm und die Dicke der Siliziumnitridschicht/Siliziumnitridschicht in der dritten Schicht auf der Außenseite ist größer als 50 nm.
  • Als einige spezifische Beispiele der vorliegenden Erfindung kann die zweite dielektrische Schicht 50 auch eine zweischichtige Struktur sein, die aus einer Aluminiumoxidschicht, einer Siliziumnitridschicht/einer Siliziumnitridschicht besteht, wobei die Dicke der Aluminiumoxidschicht, die sich in der ersten Schicht auf der Innenseite befindet, größer als 1 nm ist. Die Dicke der Siliziumnitridschicht/Siliziumnitridschicht, die sich in der zweiten Schicht auf der Außenseite befindet, ist größer als 50 nm.
  • Als einige spezifische Beispiele der Erfindung kann die zweite dielektrische Schicht 50 auch eine dreischichtige Struktur sein, die aus einer Siliziumoxidschicht/Aluminiumoxidschicht, einer dotierten polykristallinen Siliziumcarbidschicht/einer dotierten polykristallinen Siliziumcarbidschicht/einer dotierten polykristallinen Siliziumoxidschicht und einer Siliziumnitridschicht/einer Siliziumstickstoffoxidschicht besteht. Nun beträgt die Dicke der Siliziumdioxidschicht/Aluminiumoxidschicht, die sich in der ersten Schicht auf der Innenseite befindet, 0,5-3 nm, die Dicke der dotierten Polysiliziumschicht/dotierten polykristallinen Siliziumcarbidschicht/dotierten polykristallinen Siliziumdioxidschicht in der zweiten Schicht beträgt 20-100 nm und die Dicke der Siliziumnitridschicht/Siliziumnitridschicht in der dritten Schicht auf der Außenseite ist größer als 50 nm.
  • Als einige spezifische Beispiele der Erfindung kann die zweite dielektrische Schicht 50 auch eine dreischichtige Struktur sein, die aus einer intrinsischen amorphen Siliziumschicht, einer dotierten amorphen Siliziumschicht/einer dotierten amorphen Siliziumoxidschicht, einer Siliziumnitridschicht/einer Siliziumnitridschicht besteht. Nun beträgt die Dicke der intrinsischen amorphen Siliziumschicht, die sich in der ersten Schicht auf der Innenseite befindet, 2-10 nm, die Dicke der dotierten amorphen Siliziumschicht/dotierten amorphen Siliziumoxidschicht in der zweiten Schicht beträgt 2-50 nm und die Dicke der Siliziumnitridschicht/Siliziumnitridschicht in der dritten Schicht auf der Außenseite ist größer als 50 nm.
  • Als einige spezifische Beispiele der Erfindung kann die zweite dielektrische Schicht 50 auch eine dreischichtige Struktur sein, die aus einer Siliziumdioxidschicht/Aluminiumoxidschicht, einer intrinsischen Siliziumcarbidschicht/einer dotierten amorphen Siliziumdioxidschicht, einer Siliziumnitridschicht/einer Siliziumnitridschicht besteht. Nun beträgt die Dicke der Siliziumdioxidschicht/Aluminiumoxidschicht, die sich in der ersten Schicht auf der Innenseite befindet, 0,5-3 nm, die Dicke der intrinsischen Siliziumcarbidschicht/dotierten amorphen Siliziumdioxidschicht in der zweiten Schicht beträgt 10-50 nm und die Dicke der Siliziumnitridschicht/Siliziumnitridschicht in der dritten Schicht auf der Außenseite ist größer als 50 nm.
  • Es ist verständlich, dass die spezifische strukturelle Anordnung der zweiten dielektrischen Schicht 50 mehrere spezifische Beispiele umfasst, die oben aufgeführt sind, aber nicht darauf beschränkt sind. In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung ist die zweite dielektrische Schicht 50, wie in 1 gezeigt, vorzugsweise eine zweischichtige Struktur einer Aluminiumoxidschicht und einer intrinsischen Siliziumcarbidschicht oder eine zweischichtige Struktur einer Siliziumdioxidschicht und einer intrinsischen Siliziumcarbidschicht, wobei die Gesamtdicke der zweiten dielektrischen Schicht 50 größer als 25 nm ist, wobei die normale Herstellung im Allgemeinen 70-80 nm beträgt. Nun liefert die intrinsische Siliziumcarbidschicht nicht nur einen Wasserstoffpassivierungseffekt, kann sondern auch verglichen mit der intrinsischen amorphen Siliziumschicht, der dotierten Polysiliziumschicht usw. die parasitäre Lichtabsorption aufgrund der großen optischen Bandlücke und des kleinen Absorptionskoeffizienten reduzieren. Ferner ist die Dicke der Aluminiumoxidschicht oder der Siliziumdioxidschicht in der zweiten dielektrischen Schicht 50 weniger als 25 nm und die Dicke der intrinsischen Siliziumcarbidschicht in der zweiten dielektrischen Schicht 50 größer als 10 nm. Es ist anzumerken, dass in der Mehrschichtstruktur in dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung das Anordnen nach Reihenfolge von dem Siliziumsubstrat 10 nach außen erfolgt. Wenn die zweite dielektrische Schicht 50 z.B. eine Aluminiumoxidschicht und eine intrinsische Siliziumcarbidschicht ist, ist die Aluminiumoxidschicht nahe dem Siliziumsubstrat 10, während die intrinsische Siliziumcarbidschicht nahe der Außenseite liegt. Gleichzeitig ist darauf hinzuweisen, dass in den Zeichnungen der Beschreibung, wie in 1-10 gezeigt, nur die zweite dielektrische Schicht 50 als zweischichtige Struktur gezeigt ist, und es ist verständlich, dass die zweite dielektrische Schicht 50 auch eine andere Anzahl von Schichten haben kann, deren spezifische Struktur entsprechend den tatsächlichen Bedürfnissen eingestellt ist und nicht vollständig mit den Zeichnungen der Beschreibung übereinstimmen muss. Gleichzeitig ist darauf hinzuweisen, dass die verschiedenen Zeichnungen der Erfindung nur verwendet werden, um die spezifische Strukturverteilung in der Rückseitenkontaktstruktur zu beschreiben. Dabei ist jedoch nicht die tatsächliche Größe der einzelnen Struktur gezeigt. Z.B. hat die oben beschriebene erste dielektrische Schicht 20 eine Dicke von 1-20 nm und die zweite dielektrischen Schicht 50 eine Dicke von mehr als 25 nm, was nicht vollständig der Darstellung entspricht, und die spezifischen Parameter, die in der vorliegenden Ausführungsform bereitgestellt werden, sollen ausschlaggebend sein.
  • Ferner ist vorgesehen, dass die intrinsische Siliziumcarbidschicht in der zweiten dielektrischen Schicht 50 aus mindestens einem ersten intrinsischen Siliziumcarbidfilm mit unterschiedlichen Brechungsindizes besteht. Dabei nehmen die Brechungsindizes der einzelnen ersten intrinsischen Siliziumcarbidfilme der Reihe nach von der Rückseite des Siliziumsubstrats 10 nach außen ab. Optional kann der Brechungsindex der obigen verschiedenen Materialien im Allgemeinen wie folgt ausgewählt werden: der Brechungsindex von Einkristallsilizium beträgt 3,88. Der Brechungsindex von amorphem Silizium beträgt 3,5-4,2. Der Brechungsindex von Polysilizium beträgt 3,93, der Brechungsindex von Siliziumcarbid beträgt 2-3,88, der Brechungsindex von Siliziumnitrid beträgt 1,9-3,88, der Brechungsindex von Siliziumnitrid beträgt 1,45-3,88, der Brechungsindex von Siliziumoxid beträgt 1,45 und der Brechungsindex von Aluminiumoxid beträgt 1,63. Es ist verständlich, dass der Brechungsindex der obigen verschiedenen Materialien auch entsprechend den tatsächlichen Verwendungsanforderungen auf andere Werte eingestellt werden kann, und hier liegt keine spezifische Einschränkung vor.
  • Ferner ist in einem Ausführungsbeispiel der Erfindung vorgesehen, dass die äußere Schicht der zweiten dielektrischen Schicht 50 ferner mit einer Magnesiumfluoridschicht versehen ist und mit anderen Worten das zweite dielektrische Schicht 50 eine der Strukturen Aluminiumoxidschicht, Siliziumnitridschicht, Silizium-Oxinitridschicht, intrinsische Siliziumcarbidschicht, intrinsische amorphe Siliziumschicht und Siliziumoxidschicht oder eine Kombination mehrerer davon ist und zusätzlich eine Magnesiumfluoridschicht an der äußeren Schicht der zweiten dielektrischen Schicht 50 vorgesehen sein kann. Dabei hat die Magnesiumfluoridschicht die niedrigste Brechungsindexanforderung und im Allgemeinen ist ihr Brechungsindex auf 1,4 eingestellt, um die optische Wirkung der Antireflexion zu verbessern.
  • Ferner ist in einem Ausführungsbeispiel der Erfindung vorgesehen, dass die elektrisch leitfähige Schicht 60 ein transparenter elektrisch leitfähiger TCO-Film und/oder eine Metallelektrode ist. Dabei umfasst die Metallelektrode eine Silberelektrode, eine Kupferelektrode, eine Aluminiumelektrode, eine zinnbeschichtete Kupferelektrode oder eine silberbeschichtete Kupferelektrode. Ferner ist die Kupferelektrode eine durch Galvaniktechnik hergestellte verkupferte Elektrode oder eine durch physikalische Gasphasenabscheidung hergestellte Kupferelektrode. Das galvanisierte Kupfer verwendet Nickel, Chrom, Titan und Wolframelektroden als seine Samenschicht oder Schutzschicht. Wenn die Rückseitenkontaktstruktur auf eine HBC-Batterie (Kreuzfinger-Rückkontakt-Heteroübergangs-Solarzelle) eines Niedertemperaturprozesses angewendet wird, ist die elektrisch leitfähige Schicht 60 ein transparenter leitfähiger TCO-Film und eine Metallelektrode, und wenn die Rückseitenkontaktstruktur auf eine POLO-IBC-Batterie (Passivierungskontakt-IBC-Batterie) eines Hochtemperaturprozesses angewendet wird, ist die elektrisch leitfähige Schicht 60 eine Metallelektrode. Es sollte jedoch darauf hingewiesen werden, dass die Metallelektrode, die eine Niedertemperatur-Silberaufschlämmung verwendet, nur auf HBC-Batterien in einem Niedertemperaturprozess angewendet werden kann.
  • Ferner ist in einem Ausführungsbeispiel der Erfindung vorgesehen, dass die Nut bogenförmig, trapezförmig oder quadratisch ist. Wie in 1 gezeigt, ist in einem spezifischen Ausführungsbeispiel die Nut quadratisch. Wie in 8 gezeigt, ist in einem anderen spezifischen Ausführungsbeispiel die Nut trapezförmig. Die Nut ist vorzugsweise kreisförmig oder trapezförmig ausgebildet, wobei, wenn die Nut kreisförmig oder trapezförmig ausgebildet ist, die Wirkung der Lichtreflexion an der Innenwand der Nut besser ist und die Oberfläche der ersten dielektrischen Schicht 20, die spezifisch als Tunnelstruktur in Kontakt mit dem Siliziumsubstrat 10 dient, erhöht werden kann. Bei quadratischer Nut ist der tatsächliche Produktionsprozess natürlich einfacher, so dass die Form der Nut entsprechend den tatsächlichen Verwendungsanforderungen eingestellt ist und hier keine spezifische Einschränkung vorliegt.
  • Dabei ist darauf hinzuweisen, dass in anderen Ausführungsbeispielen der Erfindung denkbar ist, dass die erste dielektrische Schicht 20 mit der Bodenwand der Nut und die zweite dielektrische Schicht 50 ferner mit einer Seitenwand der Nut verbunden ist. Es liegt hauptsächlich daran, dass das Silizium in einem Teil des Siliziumsubstrats 10 neben dem ersten Dotierungsbereich 30 korrodiert wird, wenn eine Maske verwendet wird, um den Nutbereich zu maskieren, wodurch die Breite der Nut erweitert wird, und wenn die zweite dielektrische Schicht 50 abgeschieden wird, wird die zweite dielektrische Schicht 50 in dem freien Bereich abgeschieden, so dass die zweite dielektrische Schicht 50 mit der Seitenwand der Nut verbunden ist. Wenn eine bogenförmige Nut (z. B. eine elliptische Nut) hergestellt wird, kann der Fall auftreten, dass das Abscheiden der ersten dielektrischen Schicht 20 und des ersten Dotierungsbereichs 30 an eine Innenwand in der Hauptachsenrichtung der bogenförmigen Nut unmöglich ist. Daher wird die zweite dielektrische Schicht 50 in den freien Bereich gefüllt, wenn sie abgeschieden wird, so dass die zweite dielektrische Schicht 50 mit der Seitenwand der bogenförmigen Nut verbunden ist, oder sie kann auch nicht in dem freien Bereich abgeschieden werden, wenn die zweite dielektrische Schicht 50 abgeschieden wird, so dass eine gewisse Lücke zwischen der Seitenwand der bogenförmigen Nut und der ersten dielektrischen Schicht 20 und dem ersten Dotierungsbereich 30 besteht. Natürlich ist anzumerken, dass in dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung bei der Rückseitenkontaktstruktur vorzugsweise die erste dielektrische Schicht 20 direkt mit der Seitenwand der Nut verbunden ist, so dass die erste dielektrische Schicht 20, die an der Seitenwand der Nut angeordnet ist, eine selektive mehrdimensionale Sammlung durch Träger erreichen kann.
  • In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, siehe 9, ist ein dritter Dotierungsbereich 70 in dem Siliziumsubstrat 10 in dem Bereich zwischen dem ersten Dotierungsbereich 30 und dem zweiten Dotierungsbereich 40 vorgesehen. Das heißt, der dritte Dotierungsbereich 70 kann auf der gesamten Ausbuchtung außerhalb der Nut angeordnet oder auch auf einem Teil der Ausbuchtung angeordnet sein. Der dritte Dotierungsbereich 70 ist spezifisch eine Diffusionsschicht. Die Diffusionsschicht ist eine Diffusionsschicht, die durch Dotieren verschiedener Arten von Diffusionsquellen auf dem Siliziumsubstrat 10 der einzelnen Ausbuchtungen gebildet wird. Daher ist bildet durch Diffusion ein Teil des Siliziumsubstrats 10, das auf der Ausbuchtung angeordnet ist, eine Diffusionsschicht. Die Diffusionsschicht kann eine p-Diffusionsschicht oder eine n-Diffusionsschicht sein, wobei die p-Diffusionsschicht durch Diffusion von Bor, Aluminium, Gallium usw. und die n-Diffusionsschicht durch Diffusion von Stickstoff, Phosphor, Arsen usw. gebildet wird. Nun ist die n-Diffusionsschicht eine N+-Schicht relativ zu dem Siliziumsubstrat 10, das konkret ein n-Siliziumwafer ist, das heißt, die Diffusionsschicht wird durch eine lokale Rediffusion gebildet. Es ist anzumerken, dass der einzelne dritte Dotierungsbereich 70, der auf dem Siliziumsubstrat 10 angeordnet ist, entsprechend den tatsächlichen Verwendungsanforderungen als eine p-Diffusionsschicht vom P-Typ oder eine n-Diffusionsschicht ausgebildet sein kann, und hier liegt keine spezifische Einschränkung vor. Vorzugsweise werden abwechselnd verschiedene Arten von Diffusion auf einzelnen Ausbuchtungen des Siliziumsubstrats 10 durchgeführt, um eine p-Diffusionsschicht und eine n-Diffusionsschicht zu bilden. Da zu diesem Zeitpunkt die Seitenwand der Nut und die Ausbuchtung außerhalb der Nut mit einer ersten dielektrischen Schicht 20 versehen sind, wird der dritte Dotierungsbereich 70 wird durch Diffusion zwischen dem ersten Dotierungsbereich 30 und dem zweiten Dotierungsbereich 40 in dem Siliziumsubstrat 10 gebildet. Es ist somit einfacher, die Träger in dem dritten Dotierungsbereich 70 selektiv durch die erste dielektrische Schicht 20 in der benachbarten Nutseitenwand zu trennen und in den entsprechenden ersten Dotierungsbereich 30 zu sammeln und selektiv durch die erste dielektrische Schicht 20 auf der Ausbuchtung zu trennen und in den entsprechenden zweiten Dotierungsbereich 40 zu sammeln.
  • Ferner ist In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, wie in 10 gezeigt, vorgesehen, dass die Rückseite des Siliziumsubstrats 10, das sich in einem Bereich zwischen dem ersten Dotierungsbereich 30 und dem zweiten Dotierungsbereich 40 befindet, eine grobe Texturstruktur 80 aufweist. Das heißt, die Oberfläche der Ausbuchtung des Siliziumsubstrats 10 weist die grobe Texturstruktur 80 auf, wobei, wenn die erste dielektrische Schicht 20 nur den ersten Dotierungsbereich 30 und den zweiten Dotierungsbereich 40 abdeckt, die grobe Texturstruktur 80 an einer in Kontakt mit der Rückseite des Siliziumsubstrats 10 stehenden Position der zweiten dielektrischen Schicht 50 liegt. Wenn die erste dielektrische Schicht 20 die Rückseite des gesamten Siliziumsubstrats 10 abdeckt, befindet sich die grobe Texturstruktur 80 in einer Position, in der die erste dielektrische Schicht 20 in Kontakt mit der Rückseite des Siliziumsubstrats 10 steht. Die grobe Texturstruktur 80 wird typischerweise durch Texturieren gebildet und kann eine unregelmäßige hemisphärische Textur beim Texturieren mit Säure oder eine pyramidenförmige Textur beim Texturieren mit Alkali aufweisen oder zuerst wird eine pyramidenförmige Textur durch Texturieren mit Alkali gebildet und dann durch Texturieren mit Säure die Pyramidenspitze geglättet. Es ist verständlich, dass die grobe Texturstruktur 80 auch die gesamte Rückseite des Siliziumsubstrats 10 abdecken kann. Das heißt, das Siliziumsubstrat 10, das sich in der Nut befindet, weist auch eine grobe Texturstruktur 80 auf, und nun kann das Siliziumsubstrat 10 nach der Herstellung der Nut mit der gesamten Rückseite texturiert werden, ohne dass ein nachfolgendes Verfahren zum Entfernen der groben Texturstruktur 80 in dem ersten Dotierungsbereich 30 und dem zweiten Dotierungsbereich 40 erforderlich ist, wodurch das Verfahren vereinfacht wird. Es sollte jedoch darauf hingewiesen werden, dass in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel vorzugsweise nur die Oberfläche des Bereichs zwischen dem ersten Dotierungsbereich 30 des Siliziumsubstrats 10 und dem zweiten Dotierungsbereich 40 texturiert wird, so dass die Reflexion des einfallenden Lichts innerhalb des Siliziumsubstrats 10 erhöht wird, wodurch die Absorptionsrate von Licht erhöht wird, während die Oberfläche, in der sich das Siliziumsubstrat 10 befindet, an dem ersten Dotierungsbereich 30 und dem zweiten Dotierungsbereich 40 nicht texturiert wird.
  • Laut Prüfung kann die Batterieumwandlungseffizienz der HBC-Zelle mit der Rückseitenkontaktstruktur nach dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung im Vergleich zu der POLO-IBC-Zelle der Kontrollgruppe, die durch das existierende Rillenverfahren hergestellt wird, effektiv auf etwa 26,0% verbessert werden und die Zuverlässigkeit wird stark verbessert. Die Ergebnisse der elektrischen Eigenschaften sind in Tabelle 1 dargestellt: Tabelle 1
    Bezeichnung UOC JSC FF EF
    HBC-Zelle 746 41,4 84,3% 26,0%
    POLO-IBC-Zelle 732 42,8 84,7% 25,9%
    Kontrollgruppe 725 41,6 84,5% 25,5%
  • Vorteilhafte Auswirkungen der vorliegenden Erfindung gegenüber dem Stand der Technik:
    1. 1. Durch Vorsehen voneinander beabstandeter Nuten auf der Rückseite des Siliziumsubstrats und durch Vorsehen des ersten Dotierungsbereichs in jeder Nut und des zweiten Dotierungsbereichs außerhalb jeder Nut wird erreicht, dass durch das Siliziumsubstrat, bei dem der erste Dotierungsbereich Bereiche in den Nuten nicht abdeckt, oder durch das Siliziumsubstrat, bei dem der zweite Dotierungsbereich Bereiche außerhalb der Nuten nicht abdeckt, das Trennen des ersten Dotierungsbereichs in den Nuten und des zweiten Dotierungsbereichs außerhalb der Nuten realisiert wird. Die angeordnete Nut stellt lockerer Breitensteuerungsanforderungen als bei der bestehenden Rille und die Herstellung ist einfacher als die Herstellung der bestehenden Rille. Der Abscheidungseffekt ist besser, wenn die erste dielektrische Schicht und der erste Dotierungsbereich in der Nut abgeschieden werden.
    2. 2. Zur gleichen Zeit steht die erste dielektrische Schicht aufgrund der Anordnung der Nut in Kontakt mit der Bodenwand und der Seitenwand der Nut. Daher werden die Träger, die auf dem Siliziumsubstrat erzeugt werden, auch leicht durch die erste dielektrische Schicht an der Seitenwand der Nut getrennt und selektiv in den entsprechenden ersten Dotierungsbereich gesammelt, was neben dem Verwirklichen der Verringerung des Leckstroms und des selektiven Transports von Trägern in Längs- und Querrichtung vorteilhaft für eine mehrdimensionale Sammlung der Träger in der Bodenwand und der Seitenwand der Nut ist.
    3. 3. Da mindestens eine zweite dielektrische Schicht vorgesehen ist, wird die Rückseite des Siliziumsubstrats durch mindestens eine zweite dielektrische Schicht mehrschichtig passiviert, was zu einem besseren Passivierungseffekt und einer Verbesserung der inneren Rückreflexion führt, wodurch ein besserer Passivierungseffekt erzielt wird, und der Brechungsindex jeder Schicht nimmt der Reihe nach von dem Siliziumsubstrat nach außen ab, so dass das langbandige Licht auf der inneren Rückseite des Siliziumsubstrats reflektiert werden kann, wodurch die Kurzschlussstromdichte erhöht wird.
    4. 4. Da die Nut eine gewisse Tiefe aufweist, steht die Hartmaske nur in direktem Kontakt mit dem konvexen Teil zwischen den beiden Nuten, Die Hartmaske berührt nicht direkt den Boden der Nut und reduziert somit die Verunreinigungsverschmutzung, so dass das Siliziumsubstrat an der Bodenwand der Nut geschützt werden kann, ohne sich Sorgen über die Beschädigung des Siliziumsubstrats durch die Hartmaske machen zu müssen, und die Beschädigung, die durch den Kontakt der Hartmaske auf der Oberfläche der Ausbuchtung des Siliziumsubstrats verursacht wird, kann auch durch den nachfolgenden Texturierprozess entfernt werden.
    5. 5. Bei der selektiven Abscheidung des ersten Dotierungsbereichs oder des zweiten Dotierungsbereichs unter Verwendung einer Hartmaske, z. B. wenn der erste Dotierungsbereich des Nutbereichs abgeschieden wird, kann eine Hartmaske verwendet werden, um Ausbuchtung außerhalb der Nut abzudecken. Weil die Nut eine gewisse Tiefe hat, berührt die Hartmaske nicht direkt den Boden der Nut. Dadurch ist der Abscheidungseffekt besser. Da außerdem eine Ausbuchtungsstruktur des Siliziumsubstrats einer bestimmten Breite zwischen den einzelnen Nuten zur Isolierung vorhanden ist, muss die Ausrichtung der Hartmaske nicht sehr genau sein, wenn die Hartmaske bei der Abscheidung des Rillenbereichs zum Abdeckt verwendet wird, und es kann eine moderate Abweichung vorhanden sein, was die Ausrichtung der Hartmaske einfacher macht, wodurch die Schwierigkeit des Verfahrens verringert wird.
    6. 6. Beim Rillenbereich im Stand der Technik ist aufgrund der Begrenzung der Breite und Tiefe und aufgrund der Hydrophobie von Wasser und Siliziumwafern nicht möglich, mit der chemischen Lösung der Boden der Rille vollständig zu benetzen, um Texturieren durch chemisches Nassverfahren durchzuführen. Aufgrund der vorgesehenen Nut in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel und der Ausbuchtung an der Rückseite des Siliziumsubstrats zwischen benachbarten Nuten ist es einfacher als bei existierender Rillenstruktur, eine grobe Texturstruktur zu erhalten, und die Reflexion von Licht auf der inneren Rückseite des Siliziumsubstrats wird durch Texturieren der Ausbuchtung auf der Rückseite des Siliziumsubstrats erhöht, wodurch die Absorptionsrate von Licht auf dem Siliziumsubstrat erhöht wird.
    7. 7. Da ein dritter Dotierungsbereich in dem Bereich zwischen dem ersten Dotierungsbereich und dem zweiten Dotierungsbereich in dem Siliziumsubstrat angeordnet ist, ist es einfacher, die Träger in dem dritten Dotierungsbereich selektiv durch die erste dielektrische Schicht in der benachbarten Nutseitenwand zu trennen und in den entsprechenden ersten Dotierungsbereich zu sammeln und selektiv durch die erste dielektrische Schicht auf der Ausbuchtung zu trennen und in den entsprechenden zweiten Dotierungsbereich zu sammeln.
  • Ausführungsbeispiel 2
  • Das zweite Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung stellt eine vergrabene Solarzelle mit einem selektiven Kontaktbereich bereit. Um die Beschreibung zu erleichtern, werden nur Teile gezeigt, die sich auf das Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung beziehen. Es wird auf 1 bis 10 hingewiesen. Die vergrabene Solarzelle mit einem selektiven Kontaktbereich, die durch die Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bereitgestellt wird, umfasst:
    • ein Siliziumsubstrat 10,
    • eine nach dem obigen Ausführungsbeispiel beschriebene Rückseitenkontaktstruktur 10, die an der Rückseite des Siliziumsubstrats angeordnet ist; und
    • eine dritte dielektrische Schicht 90, die an der Vorderseite des Siliziumsubstrats 10 angeordnet ist.
  • Ferner können in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung die zweite dielektrische Schicht 50 und die dritte dielektrische Schicht 90 durch das gleiche Bearbeitung der Vorder- und Rückseite des Siliziumsubstrats 10 hergestellt werden, wobei die dritte dielektrische Schicht 90 die gleiche Struktur wie die zweite dielektrische Schicht 50 in dem obigen Ausführungsbeispiel sein kann. Daher kann die dritte dielektrische Schicht 90 unter Bezugnahme auf das obige Ausführungsbeispiel auch vorzugsweise eine der Strukturen Aluminiumoxidschicht, Siliziumnitridschicht, Silizium-Oxinitridschicht, intrinsische Siliziumcarbidschicht, intrinsische amorphe Siliziumschicht und Siliziumoxidschicht oder eine Kombination mehrerer davon sein.
  • Als einige Beispiele der Erfindung kann die dritte dielektrische Schicht 90 auch eine dreischichtige Struktur sein, die aus einer Siliziumoxidschicht/Aluminiumoxidschicht und einer dotierten polykristallinen Siliziumcarbidschicht/dotierten polykristallinen Siliziumcarbidschicht/dotierten polykristallinen Siliziumoxidschicht und einer Siliziumnitridschicht/Siliziumstickstoffoxidschicht besteht, oder eine dreischichtige Struktur, die aus einer intrinsischen amorphen Siliziumschicht und einer dotierten amorphen Siliziumschicht/dotierten amorphen Siliziumoxidschicht und einer Siliziumnitridschicht/Siliziumnitridschicht besteht, oder eine dreischichtige Struktur sein, die aus einer Siliziumoxidschicht/Aluminiumoxidschicht und einer intrinsischen Siliziumcarbidschicht/dotierten amorphen Siliziumoxidschicht und einer Siliziumnitridschicht/Siliziumnitridschicht besteht.
  • Ferner ist in einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 1 die dritte dielektrische Schicht 90 entsprechend vorzugsweise eine zweischichtige Struktur einer Siliziumdioxidschicht und einer intrinsischen Siliziumcarbidschicht oder eine zweischichtige Struktur einer Aluminiumoxidschicht und einer intrinsischen Siliziumcarbidschicht, und die Dicke der dritten dielektrischen Schicht 90 ist größer als 50 nm. Dabei beträgt die Dicke der Aluminiumoxidschicht oder der Siliziumdioxidschicht in der dritten dielektrischen Schicht 90 weniger als 40 nm und die Dicke der intrinsischen Siliziumcarbidschicht in der dritten dielektrischen Schicht 90 ist größer als 10 nm. Nun liefert die intrinsische Siliziumcarbidschicht nicht nur einen Wasserstoffpassivierungseffekt, kann sondern auch verglichen mit der intrinsischen amorphen Siliziumschicht, der dotierten Polysiliziumschicht usw. die parasitäre Lichtabsorption aufgrund der großen optischen Bandlücke und des kleinen Absorptionskoeffizienten reduzieren. Ferner ist vorgesehen, dass die intrinsische Siliziumcarbidschicht in der dritten dielektrischen Schicht 90 aus mindestens einem zweiten intrinsischen Siliziumcarbidfilm mit unterschiedlichen Brechungsindizes besteht. Dabei nehmen die Brechungsindizes der einzelnen zweiten intrinsischen Siliziumcarbidfilme der Reihe nach von der Vorderseite des Siliziumsubstrats 10 nach außen ab. Ferner ist in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung vorgesehen, dass die äußere Schicht der dritten dielektrischen Schicht 90 ferner mit einer Magnesiumfluoridschicht versehen ist. Dabei hat die Magnesiumfluoridschicht der äußersten Schicht die niedrigste Brechungsindexanforderung und im Allgemeinen ist ihr Brechungsindex auf 1,4 eingestellt, um die optische Wirkung der Antireflexion zu verbessern.
  • Natürlich kann sich die dritte dielektrische Schicht 90 auch von der strukturellen Anordnung der zweiten dielektrischen Schicht 50 in dem obigen Ausführungsbeispiel unterscheiden, und die Filmschichtstruktur der zweiten dielektrischen Schicht 50 und der dritten dielektrischen Schicht 90 ist entsprechend den tatsächlichen Verwendungsanforderungen ausgebildet und hier liegt keine spezifische Einschränkung vor.
  • In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung ist ferner eine elektrische Feldschicht oder ein schwimmender Übergang zwischen der Vorderseite des Siliziumsubstrats 10 und der dritten dielektrischen Schicht 90 vorgesehen, insbesondere wird durch Phosphordiffusion des Siliziumsubstrat 10 eine elektrische Feldschicht erhalten oder durch Bordiffusion ein schwimmender Übergang erhalten, wobei die elektrische Feldschicht oder der schwimmende Übergang als das vordere elektrische Oberflächenfeld (FSF) der vergrabenen Solarzelle mit einem selektiven Kontaktbereich dient.
  • Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel wird durch Vorsehen voneinander beabstandeter Nuten auf der Rückseite des Siliziumsubstrats und durch Vorsehen des ersten Dotierungsbereichs in jeder Nut und des zweiten Dotierungsbereichs außerhalb jeder Nut erreicht, dass durch das Siliziumsubstrat, bei dem der erste Dotierungsbereich Bereiche in den Nuten nicht abdeckt, oder durch das Siliziumsubstrat, bei dem der zweite Dotierungsbereich Bereiche außerhalb der Nuten nicht abdeckt, das Trennen des ersten Dotierungsbereichs in den Nuten und des zweiten Dotierungsbereichs außerhalb der Nuten realisiert wird. Die angeordnete Nut stellt lockerer Breitensteuerungsanforderungen als bei der bestehenden Rille und die Herstellung ist einfacher als die Herstellung der bestehenden Rille. Der Abscheidungseffekt ist besser, wenn die erste dielektrische Schicht und der erste Dotierungsbereich in der Nut abgeschieden werden. Zur gleichen Zeit steht die erste dielektrische Schicht aufgrund der Anordnung der Nut in Kontakt mit der Bodenwand und der Seitenwand der Nut. Daher werden die Träger, die auf dem Siliziumsubstrat erzeugt werden, auch leicht durch die erste dielektrische Schicht an der Seitenwand der Nut getrennt und selektiv in dem entsprechenden ersten Dotierungsbereich gesammelt. Es ermöglicht nicht nur die Verringerung des Leckstroms, sondern auch den selektiven Transport von Trägern in Längs- und Querrichtung, was vorteilhaft ist, um eine mehrdimensionale Sammlung von Trägern in der Bodenwand und der Seitenwand der Nut zu realisieren. Da mindestens eine zweite dielektrische Schicht vorgesehen ist, wird die Rückseite des Siliziumsubstrats durch mindestens eine zweite dielektrische Schicht mehrschichtig passiviert, was zu einem besseren Passivierungseffekt und einer Verbesserung der inneren Rückreflexion führt, wodurch ein besserer Passivierungseffekt und ein interner Rückreflexionseffekt erzielt werden und das bestehende Problem der hohen Anforderungen an die Rillenbreitensteuerung und des schlechten Passivierungseffekts gelöst wird.
  • Ausführungsbeispiel 3
  • Das dritte Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung stellt ein Verfahren zum Herstellen einer vergrabenen Solarzelle mit einem selektiven Kontaktbereich bereit. Um die Beschreibung zu erleichtern Verfahren zur Herstellung, werden nur Teile gezeigt, die sich auf das Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung beziehen. Es wird auf 11 hingewiesen. Das Verfahren zum Herstellen einer vergrabenen Solarzelle mit einem selektiven Kontaktbereich, das durch das Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung bereitgestellt wird, wird verwendet, um eine vergrabene Solarzelle mit einem selektiven Kontaktbereich nach den obigen Ausführungsbeispielen herzustellen, und das Verfahren umfasst konkret:
    • Schritt S 11: Vorsehen mehrerer voneinander beabstandeter Nuten an der Rückseite eines Siliziumsubstrats; wobei vor Schritt S11 auch eine Vorbehandlung des Siliziumsubstrats enthalten sein sollte;
  • Die obige Vorbehandlung umfasst das Reinigen des Siliziumsubstrats, um die beschädigte Schicht zu entfernen. Konkret umfasst sie Folgendes:
    1. (1) RCA-Standardreinigung, Entfernung von Partikeln und organischen Stoffen auf der Oberfläche des Siliziumsubstrats;
    2. (2) Reinigen des Siliziumsubstrat, Eingeben dann in eine 2-5%ige KOH-Alkalilösung (Kaliumhydroxid) oder eine TMAH-Lösung (Tetramethylammoniumhydroxid, nämlich Entwickler) bei einer Behandlungstemperatur von 50-80°C für eine Behandlungszeit von 1-5 min, um die durch den Schneidprozess verursachte Oberflächenschädigungsschicht zu entfernen;
    3. (3) Beizen der Oberfläche des Siliziumsubstrats mit HCl, um die auf der Oberfläche des Siliziumsubstrats verbleibende Lauge zu neutralisieren und Metallverunreinigungen zu entfernen, die auf der Oberfläche des Siliziumwafers verbleiben;
    4. (4) Reinigen des Siliziumsubstrats mit einer HF-Lösung, um die Siliziumdioxidschicht auf der Oberfläche des Siliziumwafers zu entfernen und eine Si-H-Passivierungsbindung mit der Aufhängungsbindung auf der Oberfläche des Siliziumsubstrats zu bilden, und Trocknen mit Stickstoff.
  • Nach der Vorbehandlung des Siliziumsubstrats kann ferner das Ausbilden der Nut auf folgende Weise realisiert werden:
    • Methode 1: Entfernen des lokalen Siliziumkristalls auf der Rückseite des Siliziumsubstrats durch direktes Ausbilden einer Nut direkt in dem Teil, in dem beabstandete Nuten durch den Laser ausgebildet sein sollen um die gewünschte Nut zu bilden; Methode 2: Thermische Oxidationsbehandlung des Siliziumsubstrats, um eine Schicht von Siliziumoxid auf der gesamten Oberfläche des Siliziumsubstrats zu bilden, Entfernen von Siliziumoxid in der Vorder- und Rückseite des Siliziumsubstrats durch Laserrillenbildung und dann Entfernen von Siliziumoxid durch Nassätzen und mit Säure (wie HF); Methode 3: Abscheiden einer Schicht aus Siliziumnitrid durch ein PECVD-Verfahren auf die Rückseite des Siliziumsubstrats, Entfernen von Siliziumnitrid in der lokalen Region der Rückseite durch Laserrillenbildung, und dann Entfernen von Siliziumnitrid durch Nassätzen, um die gewünschte Nut zu bilden; Methode 4: Abscheiden von Siliziumnitrid auf der Rückseite des Siliziumsubstrats oder thermische Oxidation des Siliziumsubstrats zur Bildung von Siliziumoxid, Abscheiden einer Photoresistmaske dann auf der Rückseite, Entwickeln in der Entwicklungszone durch Mustergitter und Belichtung, Entfernen der Entwicklungszone durch Nassverfahren mit einem Entwickler, Entfernen von Siliziumnitrid/Siliziumoxid in der Entwicklungszone durch Säure (wie HF), und dann Entfernen der Photoresistmaske und des Siliziumnitrids/Siliziumoxids durch Nassätzen, um gewünschte Nut zu bilden; Methode 5: Aufdrucken einer gemusterten Aufschlämmung als Maske auf die Rückseite des Siliziumsubstrats und Entfernen der Aufschlämmung durch Nassätzen, um die gewünschte Nut zu bilden.
  • In dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird vorzugsweise die obige Methode 2 verwendet, um die Nut zu bilden. In der obigen Methode 2 umfasst der thermische Oxidationsbehandlungsschritt konkret: Trockensauerstoffoxidation/Wasserdampfoxidation/Nasssauerstoffoxidation (d.h. trockener Sauerstoff + Wasserdampf) in einem Quarzrohr, wobei die spezifischen Reaktanten Sauerstoff und/oder hochreiner Wasserdampf sind, der Reaktionsdruck 50-1000 mbar beträgt, die Reaktionstemperatur 900-1200°C beträgt und die durch die Reaktion hergestellte Siliziumdioxiddicke größer als 10 nm ist. Der Schritt zum Lasernutbilden und zum Entfernen von Siliziumdioxid umfasst konkret: Bilden einer Nut durch einen Laser mit einer Laserwellenlänge von 532 nm, einer Laserleistung von 10-60 W, einer Laserfrequenz von weniger als 250 bis 1500 kHz und einer Laserpulsbreite von 3-50 ns und Entfernen des zu entfernenden Siliziumdioxids. Die Alkalilösung und Isoaceton werden in dem Nassätzschritt verwendet. Die Alkalilösung verwendet KOH oder TMAH, die Alkalilösungskonzentration beträgt 1-5%, der Isoacetongehalt beträgt 1-10%, die Reaktionstemperatur beträgt 60-85°C und die Reaktionszeit beträgt 10-30 min. Die Säurelösung in dem Schritt der Entfernung von Siliziumoxid durch Säure verwendet HF, die Konzentration der Säurelösung beträgt 1-5%, die Reaktionstemperatur liegt bei Raumtemperatur und die Reaktionszeit beträgt 3-10 Minuten.
  • Nach Bilden der Nut durch die obige Methode 2 beträgt die Tiefe der einzelnen gebildeten Nut 0,01 bis 10 µm. Die gebildete Nut kann bogenförmig, trapezförmig oder quadratisch sein. Da die im Stand der Technik verwendeten Rillen durch Laserlochbildung oder Nassätzen hergestellt werden, sind die Anforderungen an die Breitensteuerung der Rille hoch und die Herstellung ist schwierig, und die Nutherstellung in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel ist einfacher als die existierende Rillenherstellung und es gibt keine strengen Breitensteuerungsanforderungen wie bei existierenden Rillen.
  • Schritt S21: Herstellen einer ersten dielektrischen Schicht an der Rückseite des Siliziumsubstrats.
  • Dabei kann das spezifische Herstellungsverfahren vor Schritt S21 auch die Texturierung der Vorderseite des Siliziumsubstrats umfassen, wobei in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel die Texturierung der Vorderseite hauptsächlich durch Laugenkorrosion erfolgt und die Lauge mit dem Siliziumsubstrat reagiert, um eine wasserlösliche Verbindung zu bilden, während eine pyramidenförmige texturierte Struktur auf der Oberfläche gebildet wird. Nun trifft das reflektierte Licht aufgrund der Existenz der texturierten Struktur nach der ersten Reflexion des einfallenden Lichts durch die texturierte Oberfläche nicht direkt auf die Luft, sondern trifft auf die benachbarte texturierte Oberfläche. Erst nach der zweiten oder sogar dritten Reflexion an der texturierten Oberfläche fällt es in die Luft ein, so dass das einfallende Licht mehrmals verwendet wird, wodurch das Reflexionsvermögen der Vorderseite verringert wird. Wenn die Rückseite des Siliziumsubstrats auch eine grobe Texturstruktur aufweisen muss, kann gleichzeitig die Vorder- und Rückseite des Siliziumsubstrats texturiert werden. Wenn die Rückseite des Siliziumsubstrats keine raue Texturstruktur aufweisen muss, kann zuerst eine Siliziumnitrid-Schutzschicht auf der Rückseite des Siliziumsubstrats abgeschieden werden, und dann wird die Vorderseite texturiert. Und dann wird die Siliziumnitrid-Schutzschicht auf der Rückseite durch Laser entfernt, so dass die Texturierung der Rückseite des Siliziumsubstrats vermieden wird.
  • Konkret wird eine erste dielektrische Schicht auf der Rückseite des Siliziumsubstrats gemäß einem Hochtemperaturoxidationsverfahren oder einem Abscheidungsverfahren hergestellt, was entsprechend der Art der abzuscheidenden ersten dielektrischen Schicht gewählt werden soll. Hier liegt keine spezifische Einschränkung vor. Nun ist die erste dielektrische Schicht eine der Schichten Tunneloxidschicht, intrinsische Siliziumcarbidschicht und intrinsische amorphe Siliziumschicht oder eine Kombination mehrerer davon. Und die Dicke der ersten dielektrischen Schicht beträgt 1-20 nm. Nun bedeckt die erste dielektrische Schicht die gesamte Rückseite des Siliziumsubstrats, und wenn die erste dielektrische Schicht nicht in dem Bereich zwischen dem ersten Dotierungsbereich und dem zweiten Dotierungsbereich in dem Siliziumsubstrat angeordnet werden muss, kann die erste dielektrische Schicht, die den Bereich zwischen dem ersten Dotierungsbereich und dem zweiten Dotierungsbereich in dem Siliziumsubstrat abdeckt, durch Laser entfernt werden.
  • Schritt S31: Herstellen eines ersten Dotierungsbereichs und eines zweiten Dotierungsbereichs jeweils innerhalb bzw. außerhalb der einzelnen Nuten.
  • Dabei umfasst das Herstellen eines ersten Dotierungsbereichs und eines zweiten Dotierungsbereichs jeweils innerhalb bzw. außerhalb der einzelnen Nuten zwei Abscheidungsverfahren: In-situ-Abscheidung und Nicht-In-situ-Abscheidung.
  • Im Detail umfasst der Schritt S31 in einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, wenn eine In-situ-Abscheidung verwendet wird, Folgendes:
    • Abscheiden von dotiertem amorphem Silizium oder dotiertem amorphem Siliziumcarbid mit verschiedenen Dotierungsarten abwechselnd innerhalb und außerhalb der einzelnen Nuten;
  • Hochtemperaturkristallisationsbehandlung, um dotiertes amorphes Silizium oder dotiertes amorphes Siliziumcarbid in dotiertes Polysilizium oder dotiertes Siliziumcarbid umzuwandeln, womit ein erster Dotierungsbereich, der in der Nut angeordnet ist, und ein zweiter Dotierungsbereich, der außerhalb der Nut angeordnet ist, erhalten werden.
  • In einer der umsetzbaren Lösungen wird, wenn die In-situ-Abscheidung des ersten Dotierungsbereichs (insbesondere des p-Dotierungsbereichs) an der Nut durchgeführt wird, die Position der Ausbuchtung, die kein Abscheiden benötigt, durch ein Maskenverfahren bedeckt. Nun wird amorphes Silizium/amorphes Siliziumcarbid vom P-Typ in situ für die Nut abgeschieden, und es wird entsprechend darauf hingewiesen, dass sich die Maske aufgrund der gewissen Tiefe der Nut in einer Position befindet, die an der Nut anliegt, ohne den Boden der Nut direkt zu berühren, so dass die Verunreinigungsverschmutzung am Boden der Nut verringert werden kann. Und wenn die Nutabscheidung abgeschlossen ist, können durch Laser Verunreinigungen entfernt werden, die durch Masken (z. B. Siliziumnitridmasken oder Siliziumoxidmasken) an den Ausbuchtungen oder Masken (z. B. Hartmasken) verursacht werden. Dann wird die Nut durch die Maske bedeckt, um amorphes Silizium/amorphes Siliziumcarbid vom N-Typ in situ an einer Teilposition, an der das Abscheiden erforderlich ist, an dem zweiten Dotierungsbereich an den Ausbuchtungen außerhalb der Nut abzuscheiden. Und wenn amorphes Silizium/amorphes Siliziumcarbid vom P-Typ und amorphes Silizium/amorphes Siliziumcarbid vom N-Typ abwechselnd innerhalb und außerhalb jeder Nut abgeschieden werden, wird dann durch direkte Verwendung von Hochtemperatur- oder Laserheizverfahren die Temperatur auf 700-1000°C erhöht. Daher werden unter der Hochtemperaturkristallisationsbehandlung amorphes Silizium/amorphes Siliziumcarbid vom P-Typ und amorphes Silizium/amorphes Siliziumcarbid vom N-Typ innerhalb und außerhalb jeder Nut in Polysilizium/Siliziumcarbid vom N-Typ und Polysilizium/Siliziumcarbid vom N-Typ umgewandelt, um einen ersten Dotierungsbereich (d.h. einen p-Dotierungsbereich), der in der Nut angeordnet ist, und einen zweiten Dotierungsbereich (d.h. einen n-Dotierungsbereich), der außerhalb der Nut angeordnet ist, zu erhalten. Dabei kann die Maske eine Hartmaske, eine Siliziumnitridmaske, eine Siliziumoxidmaske und eine Photoresistmaske sein. Da die In-situ-Abscheidung von dotiertem amorphem Silizium oder dotiertem Siliziumcarbid auf der Seitenfläche und der Vorderseite des Siliziumsubstrats erfolgen kann, ist es notwendig, eine Nassätzbehandlung nach der Hochtemperaturkristallisation hinzuzufügen, um die übermäßige Abscheidung zu entfernen.
  • In einer anderen umsetzbaren Lösung erfolgt konkret eine In-situ-Abscheidung des ersten Dotierungsbereichs (konkret der p-Dotierungsbereich) auf der gesamten Rückseite des Siliziumsubstrats. Nun wird amorphes Silizium/amorphes Siliziumcarbid vom P-Typ auf der gesamten Rückseite des Siliziumsubstrats abgeschieden. Dann wird das amorphe Silizium/amorphe Siliziumcarbid vom P-Typ in allen Bereichen außerhalb der Nuten in dem Siliziumsubstrat durch Laserauflösung entfernt. Dann wird amorphes Silizium/amorphes Siliziumcarbid vom N-Typ auf der gesamten Rückseite des Siliziumsubstrats abgeschieden. Dann werden alle amorphen Silizium/n-amorphen Siliziumcarbide vom N-Typ mit Ausnahme des zweiten Dotierungsbereichs auf den Ausbuchtungen des Siliziumsubstrats durch Laserauflösung entfernt. Dann wird durch direkte Verwendung von Hochtemperatur- oder Laserheizverfahren die Temperatur auf 700-1000°C erhöht, wodurch amorphes Silizium/amorphes Siliziumcarbid vom P-Typ und amorphes Silizium/amorphes Siliziumcarbid vom N-Typ innerhalb und außerhalb jeder Nut in Polysilizium/Siliziumcarbid von P-Typ bzw. Polysilizium/Siliziumcarbid vom N-Typ umgewandelt werden, um einen ersten Dotierungsbereich, der in der Nut angeordnet ist, und einen zweiten Dotierungsbereich, der außerhalb der Nut angeordnet ist, zu erhalten.
  • Im Detail umfasst der Schritt S31 in einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, wenn eine Nicht-In-situ-Abscheidung verwendet wird, Folgendes:
    • Abscheidung von intrinsischem amorphem Silizium oder intrinsischem Siliziumcarbid innerhalb und außerhalb der einzelnen Nuten;
    • Dotieren verschiedener Dotierungsarten abwechselnd innerhalb und außerhalb der einzelnen Nuten;
    • Hochtemperaturkristallisationsbehandlung, um intrinsisches amorphes Silizium oder intrinsisches Siliziumcarbid in dotiertes Polysilizium oder dotiertes Siliziumcarbid umzuwandeln, womit ein erster Dotierungsbereich, der in der Nut angeordnet ist, und ein zweiter Dotierungsbereich, der außerhalb der Nut angeordnet ist, erhalten werden.
  • Dabei umfasst der Schritt zum Dotieren verschiedener Dotierungsarten abwechselnd innerhalb der einzelnen Nuten Folgendes:
    • Implantieren von Ionen der ersten Art und Ionen der zweiten Art zum Dotieren abwechselnd innerhalb und außerhalb der einzelnen Nuten; oder
    • Abscheiden einer Dotierungsquelle der ersten Art und einer Dotierungsquelle der zweiten Art zum Dotieren abwechselnd innerhalb und außerhalb der einzelnen Nuten; oder
    • Einleiten von Quellengas der ersten Art und Quellengas der zweiten Art zum Dotieren abwechselnd innerhalb und außerhalb der einzelnen Nuten.
  • In einer der umsetzbaren Lösungen wird zuerst intrinsisches amorphes Silizium oder intrinsisches Siliziumcarbid in jeder Nut abgeschieden. Dann werden verschiedene Arten von Ionen innerhalb und außerhalb der Nut implantiert. Wenn der erste Dotierungsbereich in der Nut ein p-Dotierungsbereich ist, werden p-Ionen, die Elemente wie Bor, Aluminium, Gallium usw. enthalten, in die Nut implantiert, und n-Ionen, die Elemente wie Stickstoff, Phosphor und Arsen enthalten, werden lokal außerhalb der Nut implantiert. Dann wird das ursprüngliche amorphe Silizium oder das ursprüngliche Siliziumcarbid durch Hochtemperaturkristallisation zu dotiertem Polysilizium oder dotiertem Siliziumcarbid. Da die Abscheidung von intrinsischem amorphem Silizium oder intrinsischem Siliziumcarbid auf der Seitenfläche und der Vorderseite des Siliziumsubstrats erfolgen kann, ist es notwendig, eine Nassätzbehandlung nach der Hochtemperaturkristallisation hinzuzufügen, um die übermäßige Abscheidung zu entfernen.
  • In einer der umsetzbaren Lösungen wird zuerst intrinsisches amorphes Silizium oder intrinsisches Siliziumcarbid innerhalb und außerhalb jeder Nut abgeschieden. Dann werden Dotierungsquellen verschiedener Dotierungstypen abwechselnd innerhalb und außerhalb der Nut durch ein Maskenverfahren zur Dotierung abgeschieden. Wenn der erste Dotierungsbereich spezifisch ein p-Dotierungsbereich ist, Dann wird eine p-Dotierungsquelle (wie Borosilikatglas), die Bor, Aluminium, Gallium usw. enthält, in der Nut abgeschieden, um ein amorphes Silizium/p-Siliziumcarbid vom P-Typ zu bilden. Dann wird eine n-Dotierungsquelle (wie Phosphor-Silizium-Glas), die Stickstoff, Phosphor, Arsen usw. enthält, lokal außerhalb der Nut abgeschieden, um ein amorphes Silizium/n-Siliziumcarbid vom N-Typ zu bilden. Und wenn die Dotierungsquelle vom P-Typ und die Dotierungsquelle vom N-Typ abwechselnd innerhalb und außerhalb jeder Nut abgeschieden werden, wird das intrinsische amorphe Silizium oder das intrinsische Siliziumcarbid durch Hochtemperaturkristallisationsbehandlung in dotiertes Polysilizium oder dotiertes Siliziumcarbid umgewandelt. Dabei ist anzumerken, dass nach dem Abscheiden verschiedener Dotierungsquellen zur Dotierung und Hochtemperaturkristallisation auch die Dotierungsquelle durch Laser oder dergleichen entfernt werden muss.
  • Dabei umfasst die Maske eine Hartmaske, eine Siliziumnitridmaske, eine Siliziumoxidmaske und eine Photoresistmaske. Wenn es sich um eine Hartmaske handelt, wird zuerst die Ausbuchtung des Siliziumsubstrats durch eine Hartmaske abgedeckt, dann wird Dotierungsquelle des ersten Typs in der Nut abgeschieden, dann wird die Nut durch eine Hartmaske abgedeckt und dann wird Dotierungsquelle des zweiten Typs lokal außerhalb der Nut abgeschieden, um eine Dotierung von Dotierungsquellen verschiedener Dotierungstypen innerhalb und außerhalb der Nut zu erreichen. Wenn es sich um eine Siliziumnitridmaske handelt, wird zuerst Siliziumnitrid z.B. auf der Rückseite abgeschieden, dann wird die Nut durch Laserlochbildung mit Loch versehen, um Siliziumnitrid in der Nut zu entfernen. Dotierungsquelle des ersten Typs wird dann in der Nut abgeschieden, dann wird Siliziumnitrid auf der Rückseite abscheiden, sodass Siliziumnitrid die Dotierungsquelle des ersten Typs zum Schutz bedeckt. Dann wird die Ausbuchtung durch Laserlochbildung mit Loch versehen. Um Siliziumnitrid und Dotierungsquelle des ersten Typs auf den Ausbuchtungen zu entfernen, wird dann die Dotierungsquelle des zweiten Typs auf den Ausbuchtungen abgeschieden, und dann werden die Dotierungsquelle des zweiten Typs und Siliziumnitrid, die in der Nut abgeschieden sind, durch Laserlochbildung entfernt, um die Abscheidung von Dotierungsquellen verschiedener Dotierungstypen innerhalb und außerhalb der Nut zu realisieren. Die Siliziumoxidmaske ähnelt der Siliziumnitridmaske und hier entfällt eine Erläuterung darüber.
  • In einer der umsetzbaren Lösungen Insbesondere wird zuerst intrinsisches amorphes Silizium oder intrinsisches Siliziumcarbid innerhalb und außerhalb jeder Nut abgeschieden. Dann wird das Quellgas verschiedener Dotierungstypen durch das Maskenverfahren in die Nut zur Dotierung eingeleitet. Wenn der erste Dotierungsbereich ein p-Dotierungsbereich ist, wird ein Quellengas vom P-Typ, das Elemente wie Bor, Aluminium, Gallium usw. enthält (z. B. Borangas oder Trägergas, das Bortrichlorid oder Bortribromid trägt), in die Nut eingeleitet, um ein amorphes Silizium/Siliziumcarbid vom P-Typ zu bilden. Ein Quellengas vom N-Typ, das Elemente wie Stickstoff, Phosphor und Arsen enthält (z. B. Phosphangas oder Trägergas, das Phosphoroxychlorid trägt), wird lokal außerhalb der Nut eingeleitet, um ein amorphes Silizium/Siliziumcarbid vom N-Typ zu bilden. Wenn das Quellengas des ersten Typs und das Quellengas der zweite Typ mit verschiedenen Dotierungstypen abwechselnd innerhalb und außerhalb jeder Nut dotiert werden, wird das intrinsische amorphe Silizium oder das intrinsische Siliziumcarbid durch Hochtemperaturkristallisationsbehandlung in dotiertes Polysilizium oder dotiertes Siliziumcarbid umgewandelt. Die Maske umfasst eine Hartmaske, eine Siliziumnitridmaske, eine Siliziumoxidmaske und eine Photoresistmaske, und die spezifische Ausführung kann unter Bezugnahme auf das Obige durchgeführt werden.
  • Im Detail kann der Schritt S31 in einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung, wenn eine Nicht-In-situ-Abscheidung verwendet wird, Folgendes umfassen:
    • Abscheidung von intrinsischem amorphem Silizium oder intrinsischem Siliziumcarbid innerhalb und außerhalb der einzelnen Nuten;
    • Durchführen von Diffusion verschiedener Arten abwechselnd innerhalb und außerhalb der einzelnen Nuten durch Masken, um intrinsisches amorphes Silizium oder intrinsisches Siliziumcarbid in dotiertes Polysilizium oder dotiertes Siliziumcarbid umzuwandeln, womit ein erster Dotierungsbereich, der in der Nut angeordnet ist, und ein zweiter Dotierungsbereich, der außerhalb der Nut angeordnet ist, erhalten werden.
  • In einer der umsetzbaren Lösungen Insbesondere wird zuerst intrinsisches amorphes Silizium oder intrinsisches Siliziumcarbid innerhalb und außerhalb jeder Nut abgeschieden. Die Diffusion des ersten Typs wird dann direkt in der Nut durch das Maskenverfahren durchgeführt, um einen ersten Dotierungsbereich zu bilden. Die Diffusion des zweiten Typs wird lokal außerhalb der Nut durchgeführt, um einen zweiten Dotierungsbereich zu bilden. Wenn der erste Dotierungsbereich ein p-Dotierungsbereich ist, führt er eine Bordiffusion in der Nut durch, um einen p-Dotierungsbereich zu bilden, und Phosphordiffusion wird lokal außerhalb der Nut durchgeführt, um einen n-Dotierungsbereich zu bilden. Die Maske umfasst eine Hartmaske, eine Siliziumnitridmaske, eine Siliziumoxidmaske und eine Photoresistmaske, und die spezifische Ausführung kann unter Bezugnahme auf das Obige durchgeführt werden.
  • Dabei ist darauf hinzuweisen, dass bei der abwechselnden Herstellung des ersten Dotierungsbereichs und des zweiten Dotierungsbereichs aufgrund der Notwendigkeit eines Hochtemperaturkristallisationsprozesses die dünnere erste dielektrische Schicht teilweise gebrochen wird, und nun wird sie während des Hochtemperaturdiffusionsprozesses an Bruchstelle der ersten dielektrischen Schicht und der Rückseite des Siliziumsubstrats anhaften, so dass die Oberfläche, auf der das Siliziumsubstrat mit der ersten dielektrischen Schicht in Kontakt steht, eine Vielzahl von inneren Diffusionsbereichen bildet, die dem ersten Dotierungsbereich oder dem zweiten Dotierungsbereich entsprechen.
  • Konkret werden der erste Dotierungsbereich und der zweite Dotierungsbereich abwechselnd innerhalb und außerhalb jeder Nut hergestellt, wobei der erste Dotierungsbereich und der zweite Dotierungsbereich dotiertes Polysilizium oder dotiertes Siliziumcarbid oder dotiertes amorphes Silizium umfassen und die Gesamtdicke der ersten dielektrischen Schicht und des ersten Dotierungsbereichs oder des zweiten Dotierungsbereichs größer als 20 nm ist.
  • Schritt S41: Herstellen einer zweiten dielektrischen Schicht und einer dritten dielektrischen Schicht jeweils an der Rückseite bzw. der Vorderseite des Siliziumsubstrats.
  • Dabei kann es auch vor diesem Schritt S41 Folgendes umfassen: Diffusion verschiedener Arten abwechselnd an einer Position auf der Rückseite des Siliziumsubstrats zwischen dem ersten Dotierungsbereich und dem zweiten Dotierungsbereich, um dritte Dotierungsbereiche verschiedener Typen durch Diffusion an der lokalen Position der Rückseite des Siliziumsubstrats zu erhalten. Wenn der dritte Dotierungsbereich eine p-Diffusionsschicht ist, umfasst das spezifische Herstellungsverfahren Folgendes: Methode 1: Einleiten eines Quellgases, das Elemente wie Bor, Aluminium, Gallium usw. enthält (wie Borangas oder Trägergas, das Bortrichlorid oder Bortribromid trägt), zur thermischen Diffusion, um eine p-Diffusionsschicht zu bilden; Methode 2: Abscheiden von Dotierungsquellen wie Bor, Aluminium und Gallium (wie Borosilikatglas) zur thermischen Diffusion, um eine p-Diffusionsschicht zu bilden; Methode 3: Herstellen einer Aluminiumelektrode über der Diffusionsschicht und Bilden einer mit Aluminium dotierten p-Diffusionsschicht durch ein Hochtemperaturverfahren; Methode 4: Auftragen einer Dotierungsquelle, die Bor, Aluminium und Gallium (wie Bortribromid) usw. enthält, bei gleichzeitiger Rotation und thermische Diffusion zum Bilden einer p-Diffusionsschicht; Methode 5: Implantieren von Ionen, die Elemente wie Bor, Aluminium und Gallium enthalten, und Diffundieren bei hoher Temperatur, um eine p-Diffusionsschicht zu bilden.
  • Wenn der dritte Dotierungsbereich eine Diffusionsschicht vom N-Typ ist, lautet das spezifische Herstellungsverfahren wie folgt: Methode 1: Einleiten eines Quellgases, das Elemente wie Stickstoff, Phosphor, Arsen usw. enthält (wie Phosphangas oder Trägergas, das Phosphoroxychlorid trägt), zur thermischen Diffusion, um eine n-Diffusionsschicht zu bilden; Methode 2: Abscheidung von Dotierungsquellen wie Stickstoff, Phosphor und Arsen (wie Phosphor-Silizium-Glas) zur thermischen Diffusion, um eine n-Diffusionsschicht zu bilden; Methode 3: Auftragen einer Dotierungsquelle, die Stickstoff, Phosphor und Arsen (wie Phosphoroxychlorid) enthält, bei gleichzeitiger Rotation und thermische Diffusion zum Bilden einer n-Diffusionsschicht; Methode 4: Implantieren von Ionen, die Stickstoff, Phosphor, Arsen und andere Elemente enthalten, und Diffundieren bei hoher Temperatur, um eine n-Diffusionsschicht zu bilden. Dabei ist anzumerken, dass nach der Abscheidung der Dotierungsquelle für die thermische Diffusion die Dotierungsquelle ferner durch Laser oder dergleichen entfernt werden muss.
  • Ferner kann es vor dem Schritt S41 ferner die Texturierung an einer Position auf der Rückseite des Siliziumsubstrats zwischen dem ersten Dotierungsbereich und dem zweiten Dotierungsbereich umfassen, um eine grobe Texturstruktur zu erhalten, und für spezifischen Texturierungsprozess kann Bezug auf die obige Beschreibung genommen werden
  • Beim Herstellen einer zweiten dielektrischen Schicht bzw. der dritten dielektrischen Schicht auf der Rückseite des Siliziumsubstrats erfolgt die Herstellung gemäß dem spezifischen Zusammensetzungstyp der zweiten dielektrischen Schicht und der dritten dielektrischen Schicht, wobei hier keine spezifische Einschränkung vorliegt. Dementsprechend können die zweite dielektrische Schicht und die dritte dielektrische Schicht eine der Strukturen Aluminiumoxidschicht, Siliziumnitridschicht, Siliziumnitridschicht, intrinsische Siliziumcarbidschicht, intrinsische amorphe Siliziumschicht und Siliziumoxidschicht oder eine Kombination mehrerer davon sein. Wenn die zweite dielektrische Schicht und die dritte dielektrische Schicht als Mehrschichtstruktur ausgebildet sind, nimmt der Brechungsindex jeder Schicht von dem Siliziumsubstrat nach außen ab und die äußerste Schicht kann mit einer Magnesiumfluoridschicht mit der niedrigsten Brechungsindexanforderung versehen sein.
  • Bevor die dritte dielektrische Schicht auf der Vorderseite des Siliziumsubstrats hergestellt wird, kann zuerst eine elektrische Feldschicht oder ein schwimmender Übergang hergestellt werden. Konkret wird durch Phosphordiffusion des Siliziumsubstrat eine elektrische Feldschicht erhalten oder durch Bordiffusion ein schwimmender Übergang erhalten, wobei die elektrische Feldschicht oder der schwimmende Übergang als das vordere elektrische Oberflächenfeld (FSF) der vergrabenen Solarzelle mit einem selektiven Kontaktbereich dient.
  • Schritt S51: Herstellen einer elektrisch leitfähigen Schicht an dem ersten Dotierungsbereich und zweiten Dotierungsbereich.
  • Wenn die zweite dielektrische Schicht nur den Bereich zwischen dem ersten Dotierungsbereich und dem zweiten Dotierungsbereich in dem Siliziumsubstrat abdeckt, bedeckt die elektrisch leitfähige Schicht die gesamte Rückseite des ersten Dotierungsbereichs und des zweiten Dotierungsbereichs. Wenn sich die zweite dielektrische Schicht den ersten Dotierungsbereich und den zweiten Dotierungsbereich abdeckt, deckt die elektrisch leitfähige Schicht die Rückseite des verbleibenden Teils der zweiten dielektrischen Schicht in dem ersten Dotierungsbereich und dem zweiten Dotierungsbereich ab. Wenn die zweite dielektrische Schicht die gesamte Rückseite des Siliziumsubstrats abdeckt, wird die leitfähige Schicht durch die zweite dielektrische Schicht sowie den ersten Dotierungsbereich und den zweiten Dotierungsbereich durch ein Loch oder dergleichen hindurchgeführt, um eine elektrische Verbindung herzustellen, so dass eine erste Elektrode in dem ersten Dotierungsbereich und eine zweite Elektrode in dem zweiten Dotierungsbereich gebildet wird.
  • Wenn eine HBC-Batterie (Kreuzfinger-Rückkontakt-Heteroübergangs-Solarzelle) für einen Niedertemperaturprozess hergestellt wird, ist ihre elektrisch leitfähige Schicht ein transparenter leitfähiger TCO-Film und eine Metallelektrode, und wenn eine POLO-IBC-Batterie (Passivierungskontakt-IBC-Batterie) für einen Hochtemperaturprozess hergestellt wird, ist ihre elektrisch leitfähige Schicht eine Metallelektrode Dabei umfasst die Metallelektrode eine Silberelektrode, eine Kupferelektrode, eine Aluminiumelektrode, eine zinnbeschichtete Kupferelektrode oder eine silberbeschichtete Kupferelektrode. Ferner ist die Kupferelektrode eine durch Galvaniktechnik hergestellte verkupferte Elektrode oder eine durch physikalische Gasphasenabscheidung hergestellte Kupferelektrode. Das galvanische Kupfer verwendet eine Nickel-, Chrom-, Titan- und Wolframelektrode als seine Samenschicht oder Schutzschicht.
  • Vorteilhafte Auswirkungen der vorliegenden Erfindung gegenüber dem Stand der Technik:
    1. 1. Durch Vorsehen voneinander beabstandeter Nuten auf der Rückseite des Siliziumsubstrats und durch Vorsehen des ersten Dotierungsbereichs in jeder Nut und des zweiten Dotierungsbereichs außerhalb jeder Nut wird erreicht, dass durch das Siliziumsubstrat, bei dem der erste Dotierungsbereich Bereiche in den Nuten nicht abdeckt, oder durch das Siliziumsubstrat, bei dem der zweite Dotierungsbereich Bereiche außerhalb der Nuten nicht abdeckt, das Trennen des ersten Dotierungsbereichs in den Nuten und des zweiten Dotierungsbereichs außerhalb der Nuten realisiert wird. Die angeordnete Nut stellt lockerer Breitensteuerungsanforderungen als bei der bestehenden Rille und die Herstellung ist einfacher als die Herstellung der bestehenden Rille. Der Abscheidungseffekt ist besser, wenn die erste dielektrische Schicht und der erste Dotierungsbereich in der Nut abgeschieden werden.
    2. 2. Zur gleichen Zeit steht die erste dielektrische Schicht aufgrund der Anordnung der Nut in Kontakt mit der Bodenwand und der Seitenwand der Nut. Daher werden die Träger, die auf dem Siliziumsubstrat erzeugt werden, auch leicht durch die erste dielektrische Schicht an der Seitenwand der Nut getrennt und selektiv in den entsprechenden ersten Dotierungsbereich gesammelt, was neben dem Verwirklichen der Verringerung des Leckstroms und des selektiven Transports von Trägern in Längs- und Querrichtung vorteilhaft für eine mehrdimensionale Sammlung der Träger in der Bodenwand und der Seitenwand der Nut ist.
    3. 3. Da mindestens eine zweite dielektrische Schicht vorgesehen ist, wird die Rückseite des Siliziumsubstrats durch mindestens eine zweite dielektrische Schicht mehrschichtig passiviert, was zu einem besseren Passivierungseffekt und einer Verbesserung der inneren Rückreflexion führt, wodurch ein besserer Passivierungseffekt erzielt wird, und der Brechungsindex jeder Schicht nimmt der Reihe nach von dem Siliziumsubstrat nach außen ab, so dass das langbandige Licht auf der inneren Rückseite des Siliziumsubstrats reflektiert werden kann, wodurch die Kurzschlussstromdichte erhöht wird.
    4. 4. Da die Nut eine gewisse Tiefe aufweist, steht die Hartmaske nur in direktem Kontakt mit dem konvexen Teil zwischen den beiden Nuten, Die Hartmaske berührt nicht direkt den Boden der Nut und reduziert somit die Verunreinigungsverschmutzung, so dass das Siliziumsubstrat an der Bodenwand der Nut geschützt werden kann, ohne sich Sorgen über die Beschädigung des Siliziumsubstrats durch die Hartmaske machen zu müssen, und die Beschädigung, die durch den Kontakt der Hartmaske auf der Oberfläche der Ausbuchtung des Siliziumsubstrats verursacht wird, kann auch durch den nachfolgenden Texturierprozess entfernt werden.
    5. 5. Bei der selektiven Abscheidung des ersten Dotierungsbereichs oder des zweiten Dotierungsbereichs unter Verwendung einer Hartmaske, z. B. wenn der erste Dotierungsbereich des Nutbereichs abgeschieden wird, kann eine Hartmaske verwendet werden, um Ausbuchtung außerhalb der Nut abzudecken. Weil die Nut eine gewisse Tiefe hat, berührt die Hartmaske nicht direkt den Boden der Nut. Dadurch ist der Abscheidungseffekt besser. Da außerdem eine Ausbuchtungsstruktur des Siliziumsubstrats einer bestimmten Breite zwischen den einzelnen Nuten zur Isolierung vorhanden ist, muss die Ausrichtung der Hartmaske nicht sehr genau sein, wenn die Hartmaske bei der Abscheidung des Rillenbereichs zum Abdeckt verwendet wird, und es kann eine moderate Abweichung vorhanden sein, was die Ausrichtung der Hartmaske einfacher macht, wodurch die Schwierigkeit des Verfahrens verringert wird.
    6. 6. Beim Rillenbereich im Stand der Technik ist aufgrund der Begrenzung der Breite und Tiefe und aufgrund der Hydrophobie von Wasser und Siliziumwafern nicht möglich, mit der chemischen Lösung der Boden der Rille vollständig zu benetzen, um Texturieren durch chemisches Nassverfahren durchzuführen. Aufgrund der vorgesehenen Nut in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel und der Ausbuchtung an der Rückseite des Siliziumsubstrats zwischen benachbarten Nuten ist es einfacher als bei existierender Rillenstruktur, eine grobe Texturstruktur zu erhalten, und die Reflexion von Licht auf der inneren Rückseite des Siliziumsubstrats wird durch Texturieren der Ausbuchtung auf der Rückseite des Siliziumsubstrats erhöht, wodurch die Absorptionsrate von Licht auf dem Siliziumsubstrat erhöht wird.
    7. 7. Da ein dritter Dotierungsbereich in dem Bereich zwischen dem ersten Dotierungsbereich und dem zweiten Dotierungsbereich in dem Siliziumsubstrat angeordnet ist, ist es einfacher, die Träger in dem dritten Dotierungsbereich selektiv durch die erste dielektrische Schicht in der benachbarten Nutseitenwand zu trennen und in den entsprechenden ersten Dotierungsbereich zu sammeln und selektiv durch die erste dielektrische Schicht auf der Ausbuchtung zu trennen und in den entsprechenden zweiten Dotierungsbereich zu sammeln.
  • Ausführungsbeispiel 4
  • Das vierte Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung stellt ferner ein Solarzellenmodul bereit, das die in dem obigen Ausführungsbeispiel beschriebene vergrabene Solarzelle mit einem selektiven Kontaktbereich umfasst.
  • Bei dem Zellenmodul des vorliegenden Ausführungsbeispiels ist eine vergrabene Solarzelle mit einem selektiven Kontaktbereich vorgesehen, bei der durch Vorsehen voneinander beabstandeter Nuten auf der Rückseite des Siliziumsubstrats und durch Vorsehen des ersten Dotierungsbereichs in jeder Nut und des zweiten Dotierungsbereichs außerhalb jeder Nut erreicht wird, dass durch das Siliziumsubstrat, bei dem der erste Dotierungsbereich Bereiche in den Nuten nicht abdeckt, oder durch das Siliziumsubstrat, bei dem der zweite Dotierungsbereich Bereiche außerhalb der Nuten nicht abdeckt, das Trennen des ersten Dotierungsbereichs in den Nuten und des zweiten Dotierungsbereichs außerhalb der Nuten realisiert wird. Die angeordnete Nut stellt lockerer Breitensteuerungsanforderungen als bei der bestehenden Rille und die Herstellung ist einfacher als die Herstellung der bestehenden Rille. Der Abscheidungseffekt ist besser, wenn die erste dielektrische Schicht und der erste Dotierungsbereich in der Nut abgeschieden werden. Zur gleichen Zeit steht die erste dielektrische Schicht aufgrund der Anordnung der Nut in Kontakt mit der Bodenwand und der Seitenwand der Nut. Daher werden die Träger, die auf dem Siliziumsubstrat erzeugt werden, auch leicht durch die erste dielektrische Schicht an der Seitenwand der Nut getrennt und selektiv in dem entsprechenden ersten Dotierungsbereich gesammelt. Es ermöglicht nicht nur die Verringerung des Leckstroms, sondern auch den selektiven Transport von Trägern in Längs- und Querrichtung, was vorteilhaft ist, um eine mehrdimensionale Sammlung von Trägern in der Bodenwand und der Seitenwand der Nut zu realisieren. Da mindestens eine zweite dielektrische Schicht vorgesehen ist, wird die Rückseite des Siliziumsubstrats durch mindestens eine zweite dielektrische Schicht mehrschichtig passiviert, was zu einem besseren Passivierungseffekt und einer Verbesserung der inneren Rückreflexion führt, wodurch ein besserer Passivierungseffekt und ein interner Rückreflexionseffekt erzielt werden und das bestehende Problem der hohen Anforderungen an die Rillenbreitensteuerung und des schlechten Passivierungseffekts gelöst wird.
  • Ausführungsbeispiel 5
  • Das fünfte Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung stellt ferner ein Photovoltaiksystem bereit, das das Solarzellenmodul gemäß dem obigen Ausführungsbeispiel umfasst.
  • Bei dem Photovoltaiksystem des vorliegenden Ausführungsbeispiels ist das Zellenmodul mit einer vergrabenen Solarzelle mit einem selektiven Kontaktbereich versehen, bei der durch Vorsehen voneinander beabstandeter Nuten auf der Rückseite des Siliziumsubstrats und durch Vorsehen des ersten Dotierungsbereichs in jeder Nut und des zweiten Dotierungsbereichs außerhalb jeder Nut erreicht, dass durch das Siliziumsubstrat, bei dem der erste Dotierungsbereich Bereiche in den Nuten nicht abdeckt, oder durch das Siliziumsubstrat, bei dem der zweite Dotierungsbereich Bereiche außerhalb der Nuten nicht abdeckt, das Trennen des ersten Dotierungsbereichs in den Nuten und des zweiten Dotierungsbereichs außerhalb der Nuten realisiert wird. Die angeordnete Nut stellt lockerer Breitensteuerungsanforderungen als bei der bestehenden Rille und die Herstellung ist einfacher als die Herstellung der bestehenden Rille. Der Abscheidungseffekt ist besser, wenn die erste dielektrische Schicht und der erste Dotierungsbereich in der Nut abgeschieden werden. Zur gleichen Zeit steht die erste dielektrische Schicht aufgrund der Anordnung der Nut in Kontakt mit der Bodenwand und der Seitenwand der Nut. Daher werden die Träger, die auf dem Siliziumsubstrat erzeugt werden, auch leicht durch die erste dielektrische Schicht an der Seitenwand der Nut getrennt und selektiv in dem entsprechenden ersten Dotierungsbereich gesammelt. Es ermöglicht nicht nur die Verringerung des Leckstroms, sondern auch den selektiven Transport von Trägern in Längs- und Querrichtung, was vorteilhaft ist, um eine mehrdimensionale Sammlung von Trägern in der Bodenwand und der Seitenwand der Nut zu realisieren. Da mindestens eine zweite dielektrische Schicht vorgesehen ist, wird die Rückseite des Siliziumsubstrats durch mindestens eine zweite dielektrische Schicht mehrschichtig passiviert, was zu einem besseren Passivierungseffekt und einer Verbesserung der inneren Rückreflexion führt, wodurch ein besserer Passivierungseffekt und ein interner Rückreflexionseffekt erzielt werden und das bestehende Problem der hohen Anforderungen an die Rillenbreitensteuerung und des schlechten Passivierungseffekts gelöst wird.
  • Bisher wurde lediglich ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung beschrieben, das keineswegs zur Einschränkung der Erfindung dient. Jegliche Modifikationen, gleichwertige Substitutionen und Verbesserungen im Rahmen der Grundideen und der Prinzipien der Erfindung sollen von dem Schutzumfang der Erfindung umfasst sein.

Claims (33)

  1. Rückseitenkontaktstruktur einer Solarzelle, dadurch gekennzeichnet, dass sie umfasst: Nuten, die voneinander beabstandet an der Rückseite eines Siliziumsubstrats angeordnet sind; eine erste dielektrische Schicht, die an der Rückseite des Siliziumsubstrats angeordnet ist; einen ersten Dotierungsbereich, der an der ersten dielektrischen Schicht und innerhalb der Nuten angeordnet ist; einen zweiten Dotierungsbereich, der an der ersten dielektrischen Schicht und außerhalb der Nuten angeordnet ist; eine zweite dielektrische Schicht, die zwischen dem ersten Dotierungsbereich und dem zweiten Dotierungsbereich angeordnet ist, wobei die zweite dielektrische Schicht in einer Anzahl von mindestens eins bereitgestellt wird; und eine elektrisch leitfähige Schicht, die an dem ersten Dotierungsbereich und dem zweiten Dotierungsbereich angeordnet ist.
  2. Rückseitenkontaktstruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Dotierungsbereich ein p-Dotierungsbereich und der zweite Dotierungsbereich ein n-Dotierungsbereich ist; wobei alternativ dazu der erste Dotierungsbereich ein n-Dotierungsbereich und der zweite Dotierungsbereich ein p-Dotierungsbereich ist.
  3. Rückseitenkontaktstruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Dotierungsbereich in einem Teilbereich außerhalb der Nuten angeordnet ist.
  4. Rückseitenkontaktstruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Dotierungsbereich und der zweite Dotierungsbereich dotiertes Polysilizium oder dotiertes Siliziumcarbid oder dotiertes amorphes Silizium umfassen.
  5. Rückseitenkontaktstruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste dielektrische Schicht eine der Strukturen Tunneloxidschicht, intrinsische Siliziumcarbidschicht und intrinsische amorphe Siliziumschicht oder eine Kombination mehrerer davon ist.
  6. Rückseitenkontaktstruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite dielektrische Schicht eine der Strukturen Aluminiumoxidschicht, Siliziumnitridschicht, Silizium-Oxinitridschicht, intrinsische Siliziumcarbidschicht, intrinsische amorphe Siliziumschicht und Siliziumoxidschicht oder eine Kombination mehrerer davon ist.
  7. Rückseitenkontaktstruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite dielektrische Schicht einen Bereich zwischen dem ersten Dotierungsbereich und dem zweiten Dotierungsbereich abdeckt oder sich den ersten Dotierungsbereich und/oder den zweiten Dotierungsbereich abdeckend erstreckt.
  8. Rückseitenkontaktstruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Rückseite des Siliziumsubstrats, das sich in einem Bereich zwischen dem ersten Dotierungsbereich und dem zweiten Dotierungsbereich befindet, eine grobe Texturstruktur aufweist.
  9. Rückseitenkontaktstruktur nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der p-Dotierungsbereich eine Breite von 300 bis 600 um, der n-Dotierungsbereich eine Breite von 100 bis 500 um und die Nut eine Tiefe von 0,01 bis 10 um aufweist.
  10. Rückseitenkontaktstruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der horizontale Abstand zwischen dem ersten Dotierungsbereich und dem zweiten Dotierungsbereich 0 bis 500 um beträgt.
  11. Rückseitenkontaktstruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste dielektrische Schicht den ersten Dotierungsbereich und den zweiten Dotierungsbereich oder die gesamte Rückseite des Siliziumsubstrats abdeckt.
  12. Rückseitenkontaktstruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein dritter Dotierungsbereich in einem Siliziumsubstrat angeordnet ist, das sich in einem Bereich zwischen dem ersten Dotierungsbereich und dem zweiten Dotierungsbereich befindet.
  13. Rückseitenkontaktstruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste dielektrische Schicht mit der Bodenwand und einer Seitenwand der Nut verbunden ist.
  14. Rückseitenkontaktstruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Nut bogenförmig, trapezförmig oder quadratisch ist.
  15. Rückseitenkontaktstruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste dielektrische Schicht eine Dicke von 1 bis 20 nm aufweist und die Gesamtdicke der ersten dielektrischen Schicht und des ersten Dotierungsbereichs oder des zweiten Dotierungsbereichs größer als 20 nm ist.
  16. Rückseitenkontaktstruktur nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die erste dielektrische Schicht eine Tunneloxidschicht und eine intrinsische Siliziumcarbidschicht ist.
  17. Rückseitenkontaktstruktur nach Anspruch 5 oder 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Tunneloxidschicht aus einer oder mehreren der Schichten Siliziumdioxidschicht und Aluminiumoxidschicht besteht.
  18. Rückseitenkontaktstruktur nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite dielektrische Schicht eine Aluminiumoxidschicht und eine intrinsische Siliziumcarbidschicht oder alternativ dazu eine Siliziumdioxidschicht und eine intrinsische Siliziumcarbidschicht ist, wobei die zweite dielektrische Schicht eine Dicke von mehr als 25 nm aufweist.
  19. Rückseitenkontaktstruktur nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der Aluminiumoxidschicht oder der Siliziumdioxidschicht in der zweiten dielektrischen Schicht weniger als 25 nm und die Dicke der intrinsischen Siliziumcarbidschicht in der zweiten dielektrischen Schicht größer als 10 nm ist.
  20. Rückseitenkontaktstruktur nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die äußere Schicht der zweiten dielektrischen Schicht ferner mit einer Magnesiumfluoridschicht versehen ist.
  21. Rückseitenkontaktstruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrisch leitfähige Schicht ein transparenter elektrisch leitfähiger TCO-Film und/oder eine Metallelektrode ist.
  22. Rückseitenkontaktstruktur nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallelektrode eine Silberelektrode, eine Kupferelektrode, eine Aluminiumelektrode, eine zinnbeschichtete Kupferelektrode oder eine silberbeschichtete Kupferelektrode umfasst.
  23. Rückseitenkontaktstruktur nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass die Kupferelektrode eine durch Galvaniktechnik hergestellte verkupferte Elektrode oder eine durch physikalische Gasphasenabscheidung hergestellte Kupferelektrode ist.
  24. Rückseitenkontaktstruktur nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die erste dielektrische Schicht, die dem ersten Dotierungsbereich zugeordnet ist, der ersten dielektrischen Schicht, die dem zweiten Dotierungsbereich zugeordnet ist, gleicht oder nicht gleicht.
  25. Vergrabene Solarzelle mit einem selektiven Kontaktbereich, dadurch gekennzeichnet, dass sie umfasst: ein Siliziumsubstrat; eine Rückseitenkontaktstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 24, die an der Rückseite des Siliziumsubstrats angeordnet ist; und eine dritte dielektrische Schicht, die an der Vorderseite des Siliziumsubstrats angeordnet ist.
  26. Vergrabene Solarzelle mit einem selektiven Kontaktbereich nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, dass die dritte dielektrische Schicht eine der Strukturen Aluminiumoxidschicht, Siliziumnitridschicht, Silizium-Oxinitridschicht, intrinsische Siliziumcarbidschicht, intrinsische amorphe Siliziumschicht und Siliziumoxidschicht oder eine Kombination mehrerer davon ist.
  27. Vergrabene Solarzelle mit einem selektiven Kontaktbereich nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, dass die dritte dielektrische Schicht eine Siliziumdioxidschicht und eine intrinsische Siliziumcarbidschicht oder alternativ dazu eine Aluminiumoxidschicht und eine intrinsische Siliziumcarbidschicht ist, wobei die dritte dielektrische Schicht eine Dicke von mehr als 50 nm aufweist.
  28. Vergrabene Solarzelle mit einem selektiven Kontaktbereich nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, dass die Aluminiumoxidschicht oder die Siliziumdioxidschicht in der dritten dielektrischen Schicht eine Dicke von weniger als 40 nm und die intrinsische Siliziumcarbidschicht in der dritten dielektrischen Schicht eine Dicke von mehr als 10 nm aufweist.
  29. Vergrabene Solarzelle mit einem selektiven Kontaktbereich nach Anspruch 26 oder 28, dadurch gekennzeichnet, dass die intrinsische Siliziumcarbidschicht in der dritten dielektrischen Schicht aus mindestens einem zweiten intrinsischen Siliziumcarbidfilm mit unterschiedlichen Brechungsindizes besteht, dadurch gekennzeichnet, dass die Brechungsindizes der einzelnen zweiten intrinsischen Siliziumcarbidfilme der Reihe nach von der Vorderseite des Siliziumsubstrats nach außen abnehmen.
  30. Vergrabene Solarzelle mit einem selektiven Kontaktbereich nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, dass die äußere Schicht der dritten dielektrischen Schicht ferner mit einer Magnesiumfluoridschicht versehen ist.
  31. Vergrabene Solarzelle mit einem selektiven Kontaktbereich nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, dass ferner eine elektrische Feldschicht oder ein schwimmender Übergang zwischen der Vorderseite des Siliziumsubstrats und der dritten dielektrischen Schicht angeordnet ist.
  32. Zellenmodul, dadurch gekennzeichnet, dass das Zellenmodul eine vergrabene Solarzelle mit einem selektiven Kontaktbereich nach einem der Ansprüche 25 bis 31 umfasst.
  33. Photovoltaiksystem, dadurch gekennzeichnet, dass das Photovoltaiksystem ein Zellenmodul nach Anspruch 32 umfasst.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4195299A1 (de) * 2021-12-13 2023-06-14 International Solar Energy Research Center Konstanz E.V. Ineinander greifende rückkontaktsolarzelle und verfahren zur herstellung ineinander greifender rückkontaktsolarzellen
CN116741849A (zh) * 2022-06-08 2023-09-12 浙江晶科能源有限公司 一种太阳能电池及光伏组件
WO2024000399A1 (zh) * 2022-06-30 2024-01-04 横店集团东磁股份有限公司 太阳能电池结构及其制作方法
CN115775851B (zh) * 2022-11-03 2024-09-06 隆基绿能科技股份有限公司 晶硅电池的制备方法
CN118156335A (zh) 2022-12-07 2024-06-07 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池及光伏组件
US20240313134A1 (en) * 2023-03-19 2024-09-19 Maxeon Solar Pte. Ltd. Solar Cell With Cell Architecture Designated for Reduced Carrier Recombination
CN118156327A (zh) * 2024-02-27 2024-06-07 隆基绿能科技股份有限公司 一种背接触电池及其制造方法
CN118173662B (zh) * 2024-03-14 2024-10-01 国电投新能源科技有限公司 一种背接触异质结太阳电池的制备方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130037395A (ko) * 2011-10-06 2013-04-16 엘지전자 주식회사 태양 전지
WO2013125036A1 (ja) * 2012-02-24 2013-08-29 三菱電機株式会社 光起電力素子およびその製造方法、光起電力モジュール
KR102045001B1 (ko) * 2013-06-05 2019-12-02 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
US9525083B2 (en) * 2015-03-27 2016-12-20 Sunpower Corporation Solar cell emitter region fabrication with differentiated P-type and N-type architectures and incorporating a multi-purpose passivation and contact layer
JP6792053B2 (ja) * 2017-03-31 2020-11-25 パナソニック株式会社 太陽電池セル

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