DE2103044A1

DE2103044A1 - Speicheranordnung fur Informationen

Info

Publication number: DE2103044A1
Application number: DE19712103044
Authority: DE
Inventors: Julius Birmingham Mich Feinleib (V St A)
Original assignee: Energy Conversion Devices Inc
Current assignee: Energy Conversion Devices Inc
Priority date: 1970-03-05
Filing date: 1971-01-22
Publication date: 1971-09-23
Also published as: GB1342423A; JPS55722B1; CA921167A; DE2103044B2; US3626386A; FR2081706B1; FR2081706A1; NL7102101A

Description

'V'\ Case 10

HJM/n

Energy Conversion Devices, Inc.

1675 West Maple Road, Troy, Michigan 48084 (V.St.A.)

Speicheranordnung für Informationen

Die Erfindung kann für Datenverarbeitungssysteme zum Speichern und Wiederauffinden einer großen Datenmenge auf relativ kleinen Flächen verwendet werden. Das Speichermedium bzw. der Speicherträger kann eine feste permanente Bau- bzw. Untergruppe innerhalb des Datenverarbeitungssystems oder auch ein auswechselbares, ersetzbares oder tragbares Element sein, da· in das Datenverarbeitungssystem eingefügt werden kann. Systeme, die die Erfindung verwenden, werden vielfach optische Massenmemories (optical mass memories) genannt, in denen Datenbits in einem Aufzeichnungsmedium bzw. Datenträger in Form kleiner Stellen, Punkte oder Flecke, oftmals in der Größenordnung von mehreren Mikrometern oder weniger gespeichert werden. Staubteilchen oder andere unerwünschte Elemente können die Fähigkeit von Licht beeinflussen, diese Datenbits entweder aufzunehmen bzw. zu speichern oder festzustellen bzw. zu ermitteln. Demzufolge werden Fehler erzeugt. Diese Situation

wird insbesondere dann verstärkt, wenn das Aufzeichnungsmedium bzw. der Datenträger austauschbar oder tragbar ist, da dadurch die Gelegenheit zur Verunreinigung durch Fremdteilchen sich vergrößert.

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Eine bereits vorgeschlagene Lösung dieses Problems ist die Verwendung von holographischen Aufzeichnungen. Hierbei werden die Datenbits als Interferenzmuster aufgezeichnet, die sich über die gesamte Aufzeichnungsfläche ausbreiten. Es findet deshalb keine Übereinstimmung zwischen irgendeinem besonderen Punkt bzw. einem besonderen Fleck oder einer besonderen Stelle im Hologramm und einem vorgegebenen Datenbit statt. Schmutzteilchen auf der Oberfläche des Hologramms können zu einem gewissen Verlust des Auflösungsvermögens des gesamten Blocks der darin gespeicherten Daten führen, obwohl kein besonderes Datenbit infolge eines Staubteilchens verlorengeht.

Gemäß der Erfindung wird eine Quelle elektromagnetischer Energie beispielsweise ein LASER-Strahl gegen ein Aufzeichnungsmedium bzw. einen Datenträger oder dergl. gerichtet, das bzw. der z.B. ein amorphes Halbleitermaterial sein kann. Systeme zum Aufzeichnen von Informationen auf amorphen Halbleitermaterialen sind beispielsweise in der US-Patentschrift 3 530 441 (US-Patentanmeldung Nr. 791 441) und der Patentanmeldung P 19 42 193.3 (AP 21 a/142 021) und auch in der weiteren Patentanmeldung P (case 10 033/52)

(Erfinder : Feinleib und Shaw) betreffend ein optisches Masse-Memory bzw. einen optischen Masse-Speicher mit amorphen dünnen Filmen, beschrieben. Der Energiestrahl kann mit Hilfe einer Linse auf dem Aufzeichnungsmedium gebündelt werden. Wenn der Strahl aus im wesentlichen parallelen Strahlen zusammengesetzt ist, wird das Aufzeichnungsmedium

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in der Brennpunktebene der Linse angeordnet. Das Aufzeichnungsmedium wird auf Material niedergeschlagen oder sandwichartig zwischen Material eingefügt, das gegenüber dem elektromagnetischen Strahl transparent bzw. durchlässig ist. Das Material dient zum Schutz des Aufzeichnungsmediums vor Staub und anderen Fremdteilchen, die sich auf der äußeren Oberfläche

des transparenten Materials ansammeln können« ή

Da der Strahl auf dem Aufzeichnungsmedium gebündelt ist, wird er auf der Oberfläche des transparenten Materials defocusiert bzw. entbündelt. Der Energiestrahl wird daher über eine größere Fläche der Oberfläche ausgebreitet als an der gebündelten Stelle bzw. dem focusierten Fleck auf dem Aufzeichnungsmedium. Staubteilchen oder andere fremde Elemente an der Oberfläche des transparenten Materials unterbrechen oder verzerren daher die übertragung des Strahls in einem weitaus geringerem Maße als bei dem Effekt, der durch die optischen Eigenschaften des Aufzeichnungsmediums

an der Stelle des focusierten Strahles auf dem Strahl |

erzeugt wird. Durch Zunahme der Dicke des transparenten Films und/oder durch Vermindern der Brennlänge der Linse kann der relative Unterschied zwischen der Fläche des Strahls an der Oberfläche des transparenten Materials und der Fläche des Strahls, die auf dem Aufzeichnungsmedium gebündelt wird, vergrößert werden.

Dichtgepackte Datenbits in der Größenordnung von einem Mikrometer Breite können auf amorphem HaIb-

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leitermaterial gemäß der Erfindung mit relativ geringer oder ohne durch Staubteilchen oder andere Fremdobjekte auf der Oberfläche des transparenten Materials erzeugte Interferenz aufgezeichnet werden. Außerdem reicht der kumulative Effekt der Teilchen an jeder Seite des Aufzeichnungsmediums während" des Aus- bzw. Ablesens oder Ausspeicherns bzw. während der Abgabe der Information aus dem amorphen Halbleitermaterial nicht aus, um einen Fehler im Betrieb des Informationen speichernden Systems zu erzeugen. Das Aufzeichnungsmedium bzw. der Datenträger kann so gehandhabt werden, daß er in einer relativ unüberwachten Umgebung ohne nachlassende Genauigkeit funktioniert.

Andere Vorteile und Merkmale der Erfindung sind dem Fachmann aus der folgenden Beschreibung, Anspruchsfassung und der Zeichnung ersichtlich, in der:

Fig. 1 ein schematisches Diagramm, das ein die Erfindung verkörperndes System darstellt , in dem ein amorphes, halbleitendes Dünnfilm-Speichermateri'al zwischen zwei transparente Substrate äandwichartig eingefügt ist, und

Fig. 2 eine vergrößerte Ansicht des Teils des Speichermediums und des transparenten Materials von Fig. 1 zeigen.

Das in Fig. 1. dargestellte Informationen speichernde System weist eine Speichereinheit 10 auf, in der Informationen in Form von Datenbits gespeichert werden. Ein LASER-Strahl 12 wird durch eine LASER-

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Quelle 14 erzeugt. Der Strahl 12 wird alternativ von einem Modulator 16 gesperrt und durchgelassen und ebenfalls in seiner Intensität geregelt bzw. gesteuert. Ein zweidimensionaler Reflektor 18 (Ablenkeinrichtung) ändert die Richtung des Strahles 12. Eine Linse 20 bündelt den Strahl 12 auf der Speichereinheit 10 und der aus der Speichereinheit 10 austretende Strahl 12 wird durch eine Linse 22 auf einem Detektor 24 (Demodulator) gebündelt.

Die Gedächtnis- bzw. Speichereinheit 10 ist aus amorphem Halbleiter-Dünnfilmmaterial aufgebaut, das zwischen zwei Substrate 28 und 30, die aus einem gegenüber einem LASER-Strahl 12 transparenten Material zusammengesetzt ist, sandwichartig eingefügt. Der amorphe Film 26 weist zwei stabile Zustände auf und kann zwischen stabilen Zuständen durch Anwendung eines LASER-Strahls 12 umgeschaltet werden. In einem Zustand befindet sich der Film in einem im allgemeinen amorphen oder ungeordneten Ϊ

Zustand, während der Film 26 im anderen Zustand ™

einen kritallinen oder stärker geordneten Zustand aufweist. Jedem dieser Zustände ist ein unterschiedlicher Index der Lichtbrechung des Oberflächenreflektionsvermögens der Lichtabsorbtion des Lichtdurchlas sungsvermögens der Teilchen- oder Lichtstreuung und dergl. zu eigen. Demgemäß wird der durch den Detektor 24 gesammelte Energiebetrag durch den Zustand bestimmt, in dem sich der amorphe Film an derjenigen Stelle befindet, an der der Strahl durch die Speichereinheit 10 hindurchtritt. Wenn sich der Film 26 in dem im allgemeinen au£-amorphen oder ungeordneten Zustand befindet, ist das durch

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den Detektor 24 erzeugte Signal größer als ein Signal, das durch den Strahl 12 erzeugt wird, wenn es durch einen Teil des Filmes 26 hindurchtritt, der sich im kristallinen oder stärker geordneten Zustand befindet. Eine nähere Beschreibung und Details aind in der US-Patentanmeldung 12 622 bzw. der deutschen Patentanmeldung P (AP 21a/

(ErfinderxFeinleib und Shaw) und in der US-Tatentschrlft 3 530 441 bzw. der deutschen Patentanmeldung P 19 42 193.3 (AP 21 a/142 021) (Erfinder:Ovshinsky) beschrieben.

*) /
' (case 10 033/52)

Ein Datenverarbeitungssystem 32 steuert das Eingeben, Einschreiben bzw. Einspeichern und das Auslesen bzw. Entnehmen von Informationen in bzw. aus dem Speichersystem von Fig. 1. Signale auf einer Leitung 34 steuern den Betrieb der LASER-Quelle 14, die einen LASER-Strahl erzeugt, der aus koherentem und parallelstrahligem LASES-Licht aufgebaut ist. Der Modulator 16 wird unter der Steuerung des Datenverarbeitungssystems 32 über Signale auf einer Leitung 36 betrieben. Der Modulator 16 steuert den Energiebetrag im LASER-Strahl 12, der die Speichereinheit erreicht. Soll ein Datenbit in die Speichereinheit eingeschrieben werden, erlaubt der Modulator 16 einem größeren Impuls von LASER-Energie hindurchzutreten. Dieser Impuls schaltet den amorphen film 26 in seinen kristallinen oder stärker geordneten Zustand. Soll ein Datenbit aus der Speichereinheit 10 gelöscht werden, erlaubt der Modulator 16 einem kleineren Impuls hindurchzutreten, um zu gestatten, daß der amorphe Film 26 in den im allgemeinen amorphen oder ungeordneten Zustand umschaltet. Während des Aus-

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lese- bzw. Ausspeichervorgangs gestattet der Modulator 16 nur einem niedrigen Pegel der LASER-Energie die Speichereinheit 10 zu erreichen, der gerade ausreicht, um festzustellen, ob sich der Film 26 in dem im allgemeinen amorphen oder ungeordneten Zustand oder in dem kristallinen oder stärker geordneten Zustand befindet.

Der Ablenker 18 richtet den Strahl 12 in zwei |

Dimensionen in Abhängigkeit von einer Ablenksteuereinrichtung 38, die unter der Steuerung von Signalen auf einer Leitung 40 vom Datenverarbeitungssystem 32 betrieben wird. Der Ausgang des Detektors 24 ist über eine Leitung 44 an einen Verstärker 42 angeschlossen. Der Verstärker 42 liefert ein Signal über eine Leitung 46 an das Datenverarbeitungssystem. Während des Auslesens bzw. Ausspeicherns synchronisiert das Datenverarbeitungssystem 32 die die Ablenkung steuernden Signale auf der Leitung 40 mit den Ausgangssignaleη auf der Leitung 46»um die gespeicherten Daten an irgendeiner geeigneten Stelle in der Speichereinheit |

10 festzustellen bzw. zu bestimmen.

Pig. 2 veranschaulicht einen Teil der Speichereinheit 10 in einer erheblich vergrößerten Ansicht. Die gleichen Bezugszeichen sind für gleiche Elemente verwendet. Der LASER-Strahl 12 wird in einer Speicherebene 48 gebündelt, die sich innerhalb des amorphen Films 26 am Rand der Grenzfläche zwischen dem transparenten Substrat 28 und dem amorphen Film 26 befindet. In Pig. 2 sind drei Datenbits 50 veranschaulicht. Diese Datenbits 50 sind durch Anwendung eines fokusierten LASER-Strahls 12 in der Speicherebene 48 gebildet. Während des Auslesens bzw. Aus-

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speicherns, wenn der Strahl 12 an einem der Flecken bzw. Stellen in der Speicherebene gebündelt wird, an der sich ein Datenbit 50 befindet, erzeugen die elektromagnetischen Eigenschaften des kristallinen oder stärker geordneten Zustandes des dünnen Films 26 an dieser Stelle einen größeren Effekt auf den LASER-Strahl 12. Dieser Effekt wird,wie unter Bezugnahme auf Fig. 1 beschrieben,durch den Detektor 24 festgestellt bzw. bestimmt. Wenn der LASER-Strahl 12 an einem Fleck bzw. einer Stelle in der Speicherebene 4-8 gebündelt ist, an dem bzw. an der sich der Film 26 in dem im allgemeinen amorphen oder ungeordneten Zustand befindet, ist der LASER-Strahl 12 relativ störungsfrei bzw. ungestört und der Detektor 24 sammelt einen relativ großen Energiebetrag und zeigt die Abwesenheit eines Datenbits an dem entsprechenden Fleck bzw. an der entsprechenden Stelle in der Speicherebene 48 an.

Die Datenbits 50 können in der Form von ein/um Stellen bzw. Flecken auf dem Speicherfilm 26 gespeichert werden. Während der LASER-Strahl 12 in Fig. 2 so dargestellt ist, daß er in einen winzigen bzw. sehr kleinen Fleck bzw. an einer winzigen Stelle der Speicherebene 48 gebündelt wird, kann die Fläche des gebündelten Strahles in der Größenordnung von ein/um oder auch einiger Mikrometer sein. In Fig. sind an der Grenzfläche zwischen dem transparenten Substrat 28 bzw. 350 und der die Speichereinheit umschließenden Umgebung zwei andere Ebenen 52A und 52 B dargestellt. Diese Umgebung kann typischerweise die Aimosphäre oder eine stärker gesteuerte Umgebung

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wie eine solche sein, die sich in einer evakuierten Umhüllung "befindet. In jedem Fall kann erwartet werden, daß sich Staubteilchen oder andere Fremdkörper,wie die mit 54 A und 54 B bezeichneten,an der Außenfläche der Substrate 28 und 30 ansammeln. Diese Teilchen 54 A

und 54 B können in der Größenordnung von 1 /um M

oder auch beträchtlich größer sein. Falls sich eines dieser Teilchen auf der Speicherebene 48 an dem Fleck bzw. an der Stelle befindet, an der der LASER-Strahl 12 gebündelt ist, würde ein großer Effekt auf den aus der Speichereinheit austretenden LASER-Strahl erzeugt werden. Entsprechend würde der Detektor 24 einen relativ kleinen Energiebetrag sammeln und ein Signal auf der Leitung 46 erzeugen, das von dem Datenverarbeitungssystem 32 als Vorhandensein eines Datenbits an der entsprechenden Stelle auf dem Speicherfilm 26 interpretiert würde. Wegen ihrer Lage an den Außenflächen der Substrate 28 und 30 J

führen die gleichen Teilchen 54 A und 54 B jedoch nur zu einem geringen Effekt auf dem Strahl 12.

Die i^uerschnittsflache des LASER-Strahls 12 in jeder Ebene 52 A und 52 B ist beträchtlich größer (in der Größenordnung von mehr als 1000 : 1) als die Querschnittsfläche des gebündelten Flecks auf der Ebene 48. Dies ermöglicht den Teilchen 54 A und 54 B,einen Teil dee LASER-LichtB zu zerstreuen, zu absorbieren oder anderweitig zu verzerren, der im Strahl 12 enthalten ist, ohne den Energiebetrag der im Fall der Teilchen 54 A in der Speicherebene fokuaiert iat, oder, im Falle der Teilchen 54 B,

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den durch, den Detektor 24 gesammelten Energiebetrag erheblich zu beeinflussen.

Die relative Größe der Querschnittsflächen des LASER-Strahls 12 in den Ebenen 48, 52 A und 52 B kann in einer Anzahl verschiedener Weisen geändert werden. Die Brennpunktlänge der Linse 20 und die Dicke der transparenten Substrate 28 und 30 sind zwei Beispiele. Bezugnehmend auf Fig. 1 ist eine vordere Fokus-bzw. Brennpunktebene 56 der Linse 20 als Indeflektor bzw. der Ablenkeinrichtung 18 befindlich dargestellt, während die hintere Fokusbzw. Brennpunktebene der Linse 20 mit der Speicherebene 48 zusammenfällt. Auf diese Weise konvergieren alle parallelen Lichtstrahlen, die in die Linse 20 eintreten, an einem Brennpunkt bzw. einem Fokus auf der Speicherebene 48. Außerdem regelt die Richtung des durch, den Deflektor bzw. die Ablenkeinrichtung #δ- bestimmten LASER-Strahls 12 diese

bzv/. dem spezielle Stelle bzw. den speziellen Fleck,an der der LASER-Strahl 12 auf der Speicherebene 48 fokusiert bzw. gebündelt wird. Der Abstand zwischen der Linse und der Ebene 48 bestimmt den Betrag der Konvergenz oder Divergenz der Strahlen im Strahl 12.Durch. Dickermachen der transparenten Substrate 28 und 30 wird festgestellt, daß die Querschnittsfläche des Strahls 12 in den Ebenen 52 A und 52 B vergrößerbar ist. Ein typisches Beispiel des Unterschieds der Querschnittsflächen zwischen 52 A und 52 B und der Ebene 48, die als geeignet befunden wird, benutzt eine Linse 20,die eine Fokus- bzw. Brennpunktebene 48 aufweist, die sich in einem Abstand von 5 mm von dort

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befindet. Der amorphe dünne Film 26 hat eine Dicke von 5 ym und die transparenten Substrate 28 und 30 haben Dicken von 1 ram bzw. 1 mm. V/enn angenommen wird, daß sich die Ebene 38 an der Grenzfläche zwischen dem amorphen dünnen Film 26 und dem transparenten Substrat 28 befindet, der Durchmesser des Strahls 12 vor dem Fokusieren 5 mm und die gebündelte Stelle bzw. der

fokusierte Fleck 10 /um im Durchmesser beträgt, g

dann weist das Verhältnis der Querschnittsfläche '

des Strahls 12 in der Ebene 52 A zur Querschnitssfläche am fokusierten Fleck in der Ebene 48 etwa 10 000 auf. Das Verhältnis der Querschnittsfläche des Strahls 12, der an der Ebene 52 B austritt, zur Querschnittsfläche am fokusierten Fleck in der Ebene 48 ist ebenfalls etwa 10 000. Demgemäß beeinflussen die Elemente 54 A den Strahl 12 nur zu etwa 0,010 $ soviel wie dann, wenn sie sich in der Speicherebene 48 befinden wurden. In gleicher Weise beeinflussen die Elemente 54 B den Strahl 12 nur zu etwa 0,01 ^ΰ/ο sovi'el, wie wenn jene Elemente den Strahl bei einer Anordnung in der Speicherebene 48 beein- i

flüssen wurden. Daraus ist ersichtlich, daß die Bits 50 genau aufgezeichnet bzw. gespeichert werden können, obwohl eine gewisse Verzerrung in der Ebene 52 A stattfindet,und daß die Datenbits 50 während des Auslesens bzw. Abfragens genau festgestellt werden können, obwohl eine gewisse Verzerrung in der Ebene 52 B vorhanden ist.

Obwohl die Erfindung unter Bezugnahme auf "unterschobene" Staubteilchen oder andere Fremdelemente beschrieben wurde, die sich an den Außenflächen der Substrate 28 und 30 sammeln, ist die Erfindung ver-

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wendbar, wenn sich die Elemente 54 A und 54 B mit Vorbedacht auf diesen Substraten anordnen, Die Außenflächen können beispielsweise zu Ausrichtungs- oder Synchronisierzwecken in den Speichersystemen während Jedes Einschreib-, Auslese- oder andersmodigen Vorgangs mit Flecken bzw. Stellen markiert werden. Bei noch anderen Anwendungen können zusätzliche Datenbits entweder in der Ebene 52 A oder der Ebene 52 B gespeichert, und die Fokus- bzw. Brennpunktebene der Linse 20 kann aus der Ebene 38 entweder in die Ebene 52 A oder 52 B verschoben werden, um die Einschreib-, Auslese-oder andere Systemfunktionen zu vervollständigen. Eine Anzahl amorpher dünner Filme 26 kann in einer Vielzahl von Stapeln oder sandwichartig zwischen drei oder mehr transparente Substrate wie den Substraten 28 und 30 niedergeschlagen werden, um eine vielschichtige Speichereinheit 10 zu bilden. Durch Einstellung der Fokus- bzw. Brennpunktebene der Linse 20 kann ein spezieller amorpher dünner Film für den Einschreib- oder Auslesevorgang ausgewählt werden,und,die in benachbarten oder weiter entfernten Dünnfilm- Speicherebenen gespeicherten^Datenbits 50 erzeugten Änderungen im LASER-Strahl 12,die nicht ausreichen, um den Betrieb des Speichersystems zu beeinflussen.

*) erzeugen
Die dargestellte Speichereinheit 10 ist permanent montiert. Sie kann jedoch auch in Bezug auf einen ortsfesten Strahl bewegbar sein, so daß der LASER-Strahl 12 auf einem ausgewählten Fleck bzw. einer ausgewählten Stelle auf der Speicherebene 48 fokusiert wird.

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Hach der Erfindung können auch. Filme verwendet werden, die aus anderen Materialien zusätzlich zu amorphem Halbleitermaterial zusammengesetzt sind. So können beispielsweise Filme aus thermoplastischem Material, die durch die Anwendung von elektromagnetischer Energie umgebildet oder umgeformt und durch Anwendung gleicher oder unterschiedlicher Energie zurückgebildet werden können, als Film 26 verwendet werden. Falls Reversi- J

bilität nicht erwünscht ist, kann die Erfindung in Systemen verwendet werden, die photοgraphische Aufzeichnungsmedien benutzen.

Das hier beschriebene Informationen speichernde System verwendet insbesondere einen zwischen zwei transparente Substrate sandwichartig eingefügten», dünnen ,amorphen Halbleiterfilm. Auf dem dünnen Film wird ein LASER-Energiestrahl fokuliert bzw. gebündelt, und zwar mittels einer Linse, die eine genügend kleine Fokus- bzw. Brennpunktlänge im Vergleich zur Dicke der Substrate aufweist, so daß Staubteilchen an den äußeren Oberflächen der Substrate sich in einer Ebene befinden, i die sich wesentlich außerhalb des Fokus bzw. Brennpunkts der Linse befindet. Demgemäß beeinflussen diese Teilchen das Speichern und Wiederauslesen von Datenbits nicht, die als diskrete Flecken bzw. Stellen kristalliner oder stärker geordneter Struktur im amorphen Film gespeichert sind.

- Patentansprüche -H-

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Claims

Patentansprüche

Speicheranordnung für Informationen, gekennzeichnet durch:

eine Strahlenquelle zur Erzeugung eines elektromagnetischen Energiestrahls mit einer bestimmten Querschnittsfläche;

eine Linsenanordnung zum Bündeln bzw. Fokussieren des EnergieStrahls an einer Stelle bzw. in einem Fleck auf einer bestimmten Speicherebene, deren bzw. dessen Fläche im wesentlichen kleiner als die Querschnittsfläche des Strahles vor dem Bündeln bzw. Fokussieren ist;

ein in einer die Speicherebene einschließende Stellung angeordnetes Aufzeichnungsmedium (Datenträger), daaaen elektromagnetische Eigenschaft an diskreten Stellen bzw. Flecken in der Speicherebene zum Informationsspeichern darin änderbar ist und ein mit dem Aufzeichnungsmedium verbundenes und mit diesem integriertes, strahlungsdurchläsaiges Material, von dem eine Außenfläche genügend weit von der Speicherebene entfernt ist, so daß die Querschnittsfläche des Energiestrahls an der Außenfläche im wesentlichen größer als die Fläche des an einer Stelle bzw. in einem Fleck gebündelten Strahles in der Speicherebene ist, wodurch zur Beeinflussung des Betriebs der Speicheranordnung beitragende verzerrende Elemente an der Außenfläche nur ungenügende Änderungen des Strahles hervorrufen.

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2. Speicheranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Linsenanordnung eine Linse aufweist, deren Fokus- bzw. Brennpunktebene mit der Speicherebene übereinstimmt.
3. Speicheranordnung nach*Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch weitere Bündelungs- bzw. Pokusierungselemente, die die elektromagnetische Energie an unterschiedlichen Stellen bzw. Flecken der Speicherebene bündeln.
4. Speicheranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine im Strahlenweg angeordnete Moduliereinrichtung (Modulator), die die durch den Strahl an den gebündelten Stellen bzw. Flecken erzeugte Energie moduliert.
5. Speicheranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Strahlenquelle zum Erzeugen koherenter und paralleler elektromagnetischer Energiestrahlen einen f LASER aufweist.
6.· Speicheranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufzeichnungsmedium aus einem amorphen Halbleitermaterial aufgebaut ist.
7. Speicheranordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, äaß e,in Halbleitermaterial verwendet ist, das elektromagnetische Energie zwischen eineil im allgemeinen amorphen oder ungeordneten,

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in einen kristallinen oder stärker geordneten Zustand schalt bar ist.
8. Speicheranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufzeichnungsmedium zwischen das strahlendurchlässige (transparente) Material sandwichartig eingefügt ist und das Material zwei Außenflächen je an einer Seite des Aufzeichnungsmediums aufweist, die beide genügend weit von der Speicherebene entfernt sind, so daß die Querschnittsfläche des Energiestrahls an beiden Außenflächen im wesentlichen größer als die Fläche des an einer Stelle bzw. an einem Fleck auf der Speicherebene gebündelten Strahles ist.
9. Speicheranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine Ausgangslinse zum Sammeln des Energiestrahls nach dem Durchgang durch das Material und das Aufzeichnungsmedium und durch einen Detektor bzw. Demodulator zum Erzeugen eines Signals in Abhängigkeit vom Betrag der durch die Ausgangslinse gesammelten Energie.

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