DE2065294B2

DE2065294B2 - BINARY LEVEL

Info

Publication number: DE2065294B2
Application number: DE19702065294
Authority: DE
Inventors: Allen LeRoy Lambertville NJ. Limberg (V.St-A.)
Original assignee: Ausscheidung aus: 20 63 525 RCA Corp., New York, N.Y. (V.St.A.)
Priority date: 1969-12-29
Filing date: 1970-12-23
Publication date: 1976-03-11
Also published as: DE2065294A1

Description

Die Erfindung betrifft eine Binärstufe mit zwei bistabilen Schaltern, die je ein Paar mit ihren Emittern zusammengeschaltete utid mit ihren Basen und Kollektoren über Kreuz gekoppelte Transistoren enthalten, deren Kreuzkopplungspunkte Eingangs- und Ausgangsanschlüssen bilden.The invention relates to a binary stage with two bistable switches, each a pair with their emitters interconnected utid with their bases and collectors contain cross-coupled transistors, whose cross coupling points form input and output connections.

Derartige Binarstufen eignen sich insbesondere zur Ausbildung in integrierter Technik und zur Anwendung für Frequenzzähler, wie sie unter anderem in der deutschen Patentanmeldung P 2063 525.0 vorn 23. Dezember 1970 erörtert sind. Zähler dieser Art lassen sich beispielsweise als Frequenzteiler in Multiplexsignaldekodern zur Erzeugung von Bezugsschwingungen verwenden, die in seitlicher Beziehung zum Bezugsoszillator, jedoch mit einer Subharmischen zur Oszillatorfrequenz stehen. Derartige Bezugsschwingungen werden für die Übermittlung der Synchronisierinformation an die Synchrondetek'.oren und andere Schaltungsteile des Multi plexdekoders benötigt. Ein derartiger Multiplexdekoder ist in der vorerwähnten deutschen Patentanmeldung beschrieben.Such binary levels are particularly suitable for training in integrated technology and for application for frequency counters, such as those in German patent application P 2063 525.0 from 23. December 1970 are discussed. Counters of this type can be used, for example, as frequency dividers in multiplex signal decoders use to generate reference oscillations that are laterally related to the reference oscillator, but with a sub-harmonic to the oscillator frequency. Such reference vibrations are for the transmission of the synchronization information to the Synchrondetek'.oren and other circuit parts of the Multi plex decoder required. Such a multiplex decoder is in the aforementioned German patent application described.

Aus der DT-OS 19 55 942 ist ein binärer Frequenzteiler bekannt, dessen Kippstufentransistoren durch jewel's ein Transistorpaar gebildet werden, das aus zwei kollektor- und basisseitig zusammengeschalteten Einzeltransistoren besteht. Die Emitter aller vier dieser Transistoren sind zusammen an ein Bezugspotential geschaltet. Die Kollektoren jedes Transistorpaars sind über Kreuz an die Basis eines Transistors des anderen Transistorpaars geschaltet. Die Basis des jeweiligen anderen Transistors ist mit den Emittern eines weiteren derartigen Transistorpaares verbunden, dessen Kollektoren mit den zusammengeschalteten Kollektoren desselben Transistorpaares der Kippstufe verbunden sind. Vom Kollektorwiderstand jedes Kippstufentransistorpaares ist eine einen pn-übergang enthaltende Verbindung auf die Basis eines der Transistoren des zugehörigen zusätzlichen Transistorpaares geführt, die Basis des anderen Transistors dieses zusätzlichen Paares ist mit der die Kreuzkopplungsverbindung zu den Kollektoren des anderen Binärtransistorpaares aufweisenden Basis des einen Binärtransistorpaares verbunden. Die Basis des anderen Binärtransistorpaares ist mit den Emittern des zugehörigen weiteren Transistorpaares verbunden, und dieser Verbindungspunkt ist über einen Kondensator mit einer Impulseingangsklemme verbunden. Auf diese Weise werden also die Eingangsimpulse über zwei Kondensatoren jeweils den Basen eines Transistors der beiden Binärstufentransistorpaare zugeführt, wobei je nach Kippzustand der Binärstufe die unmittelbare Ansteuerung eines der beiden Transistorpaare bewirkt wird, so daß ein Kippvorgang eingeleitet wird und die Binärstufe umschaltet. Die bekannte Schaltung benötigt zur Gleichspannungsentkopplung der beiden Ansteuerbasen der betreffenden Transistoren der beiden Binärstufentransistorpaare wegen der gemeinsamen Ansteuerleitung Kondensatoren, die beispielsweise für eine Ausbildung der Schaltung in integrierter Form unerwünscht sind. Ohne eine solche kapazitive Entkopplung wäre die Schaltung nicht in der gewünschten Weise funktionsfähig. Außerdem müssen die beiden Kondensatoren noch möglichst gut in ihren Kapazitätswerten übereinstimmen, woraus weitere Erschwernisse resultieren. From DT-OS 19 55 942 a binary frequency divider is known, the flip-flop transistors through jewel's a transistor pair can be formed, which consists of two individual transistors connected together on the collector and base side consists. The emitters of all four of these transistors are connected to a reference potential switched. The collectors of each pair of transistors are crossed to the base of one transistor of the other Transistor pair switched. The base of the respective other transistor is connected to the emitters of another connected such pair of transistors, the collectors of which with the collectors connected together of the same transistor pair of the trigger stage are connected. From the collector resistance of each flip-flop transistor pair is a connection containing a pn junction to the base of one of the transistors of the associated additional transistor pair out, the base of the other transistor of this additional The pair is with the cross coupling connection to the collectors of the other binary transistor pair having base of a binary transistor pair connected. The base of the other binary transistor pair is connected to the emitters of the associated further transistor pair, and this connection point is via a capacitor to a pulse input terminal tied together. In this way so the input pulses are passed through two capacitors each fed to the bases of a transistor of the two binary stage transistor pairs, with the Binary level the direct control of one of the two transistor pairs is effected, so that a Tilting process is initiated and the binary level switches. The known circuit needed for DC voltage decoupling of the two control bases of the relevant transistors of the two binary stage transistor pairs because of the common control line capacitors, for example for a Formation of the circuit in integrated form are undesirable. Without such a capacitive decoupling the circuit would not work as intended. You also need the two capacitors still match as well as possible in their capacity values, which leads to further difficulties.

Aus der US-PS 33 22 974 ist ein Multivibrator mit einem Paar Inverterstufen und Torschaltungen bekannt. Zum Betrieb erfordert diese Schaltung jedoch nicht nur triggemde Eingangsimpulse, sondern außerdem zwei Taktimpulsfolgen, mit Hilfe deren die Torschaltungen gesteuert werden, für die außerdem die Forderung nachFrom US-PS 33 22 974 a multivibrator with a pair of inverter stages and gate circuits is known. In order to operate, however, this circuit not only requires triggering input pulses, but also two Clock pulse sequences with the help of which the gate circuits are controlled, for which also the requirement for

niedrigen Leckströmen bestehtlow leakage currents

Die Aufgabe der Erfindung besteht in der Angabe einer besonders zweckmäßigen und sicii für Integrierbarkeii eignenden Binärstufe (im folgenden auch Zählstufe genannt) für Frequenzzähler der Art, wie sie in der vorerwähnten deutschen Patentanmeldung P 20 63 525 erläutert sind. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die kennzeichnenden Merkmaie des Anspruchs, > gelöst.The object of the invention consists in specifying a particularly expedient and sicii for integratability suitable binary level (hereinafter also called counting level) for frequency counters of the type like them in the aforementioned German patent application P 20 63 525 are explained. This object is achieved according to the invention by the characteristic features of the claim,> solved.

Zur näheren Erläuterung der Erfindung sei im folgenden ein Ausführungsbeispiel an Hand der Zeichnung erläutert, welche eine bistabile Zählstufe mit den typischen iogischen Koppelschaltungen für die Verwendung in einem Frequenzteiler darstellt.To explain the invention in more detail, an exemplary embodiment is given below with reference to the Drawing explains what a bistable counting stage with the typical logic coupling circuits for the Represents use in a frequency divider.

Die Figur zeigt einen Zählermodul in Form einer ZShlstufe mit den Eingangs- und Ausgangsschaltungen. Sämtliche Komponenten dieser Stufe lassen sich in integrierter Form auf einem einzigen Plättchen ausbilden.The figure shows a counter module in the form of a counter stage with the input and output circuits. All components of this level can be integrated on a single plate form.

Im Frequenzteiler oder in der Zählereinheit bilden Transistoren 201 und 203 zusammen mit Kollektorwiderständen 205 und 207 eine bistabile Kipp- oder Flipflopschaltung, indem der Kollektor des Transistors 203 an die Basis des Transistors 201. der Kollektor des Transistors 201 an die Basis des Transistors 203, die zusammengeschalteten Emitter der Transistoren 201 und 203 an eine Vorspannquelle ( + 3Vbe, d.h. das Dreifache des Basis-Emitterspannungsabfalls eines leitenden npn-Transistors auf dem Schaitungsplättchen 22) und die zusammengeschalteten Kollektorwiderstände 205 und 207 an eine Betriebsspannungsquelle (ζ. Β. + 6,2 V) angeschlossen sind. Die angegebenen Betriebsund Vorspannungen für die Zählereinheit sind auf einen Bezugspegel, der im vorliegenden Fall Masse ist, bezogen.In the frequency divider or in the counter unit, transistors 201 and 203 form together with collector resistors 205 and 207 a bistable multivibrator or flip-flop circuit by the collector of the transistor 203 to the base of transistor 201. the collector of transistor 201 to the base of transistor 203, the interconnected emitter of transistors 201 and 203 to a bias source (+ 3Vbe, i.e. the Three times the base-emitter voltage drop of a conductive npn transistor on the circuit board 22) and the interconnected collector resistors 205 and 207 to an operating voltage source (ζ. Β. + 6.2 V) are connected. The specified operating voltages and bias voltages for the counter unit are limited to one Reference level, which in the present case is ground.

Transistoren 209 und 211 bilden zusammen mit Kollektorarbeitswiderständen 213 und 2i5 einen zweiten bistabilen Schalter, der in gleicher Weise wie der erste geschaltet ist, außer daß die Emitter der Transistoren 209 und 211 gemeinsam an einen Triggerkreis angeschlossen sind, der seinerseits mit einer Triggerimpulsquelle verbunden ist. Die Triggerimpulsquelle ist andererseits über einen an die Basis eines Schalttransistors 219 geführten Widerstand 217 mit der Triggerschaltung verbunden. Der Emitter des Transistors 219 liegt an einem Bezugspotential wie Masse, sein Kollektor liegt über einen Strombegrenzungswiderstand 221 am Verbindungspunkt der Emitter der beiden Transistoren 209 und 211.Transistors 209 and 211 together with collector load resistors 213 and 2i5 form a second one bistable switch which is connected in the same way as the first, except that the emitter of the Transistors 209 and 211 are connected together to a trigger circuit, which in turn with a trigger pulse source is connected. The trigger pulse source is on the other hand via a to the base of a Switching transistor 219 led resistor 217 connected to the trigger circuit. The emitter of the transistor 219 is connected to a reference potential such as ground, its collector is connected to a current limiting resistor 221 at the connection point of the emitters of the two transistors 209 and 211.

Im Schalter mit den Transistoren 201 und 203 liegt zwischen der Basis und dem Kollektor des Transistors 203 die Reihenschaltung zweier Tastdioden 223 und 225, die im gleichen Sinne wie die Kollektor-Basisdiode des Transistors 203 gekoppelt sind, sowie zwischen Rasis und Kollektor des Transistors 201 die Reihenschaltung zweier im gleichen Sinne gepolter Tastdioden 227 und 229. Der Verbindungspunkt der Dioden 223 und 225 ist direkt mit dem Verbindungspunkt zwischen dem Kollektor des Transistors 211 und der Basis des Transistors 209 verbunden. Der Verbindungspunkt der Dioden 227 und 229 ist direkt mit dem Verbindungspunkt zwischen dem Kollektor des Transistors 209 und der Basis des Transistors 211 verbunden. Ein Anklammerungstransistor 231 ist mit seiner Basis an den Verbindungspunkt der Emitter der Transistoren 201 und 203, mit seinem Kollektor an B+ und mit seinem Emitter an den Verbindungspunkt der Emitter der Transistoren 209 und 211 angeschlossen.In the switch with the transistors 201 and 203, the series connection of two sensing diodes 223 and 225, which are coupled in the same sense as the collector-base diode of the transistor 203, and between the base and collector of the transistor 201 are located between the base and the collector of the transistor 203 Series connection of two touch diodes 227 and 229 polarized in the same sense. The connection point of the diodes 223 and 225 is connected directly to the connection point between the collector of the transistor 211 and the base of the transistor 209. The connection point of the diodes 227 and 229 is directly connected to the connection point between the collector of the transistor 209 and the base of the transistor 211. A clamping transistor 231 has its base connected to the junction point of the emitters of transistors 201 and 203, its collector connected to B +, and its emitter connected to the junction point of the emitters of transistors 209 and 211.

Im Betrieb wird jedesmal, wenn der Basis des Transistors 219 ein Triggerimpuls zugeführt ist, entweder der eine oder der andere der beiden Transistoren 2Ö9 und 2ii sowie ein entsprechender der Transistoren 201 und 203 in den leitenden Zustand geschaltet, so daß der Schalter mit den Transistoren 201 und 203 seinen Zustand ändert. Die Transistoren 209 und 211 im Kommutierungsschalter schalten dann beide in den gesperrten Zustand zurück, um den nächsten Triggerimpuls zu erwarten. Bei Auftreten des nächsten Triggerimpulses schaltet derjenige der Transistoren 209, 211, der während des vorausgegangenen Triggerimpulses gesperrt geblieben ist, in den leitenden Zustand, so daß der Zustand des Schalters 201, 203 abermals geändert wird.In operation, every time the base of the A trigger pulse is applied to transistor 219, either one or the other of the two Transistors 2Ö9 and 2ii and a corresponding one of the Transistors 201 and 203 switched to the conductive state, so that the switch with the transistors 201 and 203 changes its state. The transistors 209 and 211 in the commutation switch then both switch back to the locked state to await the next trigger pulse. When the next one occurs Trigger pulse switches that one of the transistors 209, 211, which remained blocked during the previous trigger pulse, into the conductive State so that the state of the switch 201, 203 is changed again.

Es sei angenommen, daß der Transistor 203 leitend und der Transistor 201 nichtleitend sind. Bei der in der Zeichnung veranschaulichten Vorspannung liegt an der Basis des leitenden Transistors 203 eine Spannung von +4Vß£ (z. B. ungefähr +2,8V) und liegt die gleiche Spannung am Kollektor des nichtleitenden Transistors 201. Zugleich liegt am Kollektor des leitenden Transistors 203 sowie an der Basis des nichtleitenden Transistors 201 eine Spannung von ungefähr + 3Vbe plus der Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung des Transistors 203 (z.B. insgesamt +2,2V). Man sieht daher, daß die Ausgangsspannungen an den Kollektoren der Transistoren 201 und 203 zwischen ungefähr + 3Vbc und +4Vß£ wechselt (die verhältnismäßig geringe Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung von ungefähr 0,1 V wird im folgenden der Einfachheit halber vernachlässigt). Im Kommutierungsschalter 209, 211 ist bei abwesendem Triggerimpuls am Transistor 219 weder der Transistor 209 noch der Transistor 211 leitend. Da der Kollektor des Transistors 201 eine Spannung von +4 \be führt und der Kollektorwiderstand 213 des Transistors 209 über die Diode 227 zwischen diese Spannung und die Betriebsspannungsquelle ( + 6,2 V)₁ die größer als 5 V be ist, gekoppelt ist, wird die Diode 227 in den leitenden Zustand durchlaßgespannt, so daß die Basis des Transistors 211 eine Spannung von +5VeE führt. Aus ähnlichen Gründen führt die Basis des Transistors 209 wegen ihrer Verbindung mit der Basis des Transistors 201 über die Diode 225 eine Spannung von +A Vbe. Wenn der Transistor 219 durch einen positiven Triggerimpuls eingeschaltet (in den Sättigungszustand gesteuert) wird, wird der Kollektorstrom des Transistors 219 in den Transistor 211 gesteuert, da die Spannung an der Basis des Transistors 211 positiver (um +V be höher) ist als die Spannung an der Basis des Transistors 209. Der Transistor 211 wird daher in den Sättigungszustand gesteuert, so daß seine Kollektorspannung auf einen Wert abzufallen bestrebt ist, der im wesentlichen gleich der Summe der Kollektor-Emitter-Sättigungsspannungen der Transistoren 211 und 219 ist. Jedoch leitet der Anklammerungstransistor 231 weiter, so daß seine Emitterspannung auf ungefähr + 2Vbe bleibt. Der Kollektor des Transistors 211 hat daher im wesentlichen auch die Spannung +2 Vbe, die vom Kollektor des Transistors 211 auf den Verbindungspunkt der Dioden 225 und 223 gekoppelt wird. Die Basis des Transistors 203 die, seit dieser Transistor leitend ist, eine Spannung von +4 Vfl£geführt hat, fällt jetzt in ihrer Spannung auf die Summe der obengenannten Kollektorspannung des Transistors 211 ( + 2Vbe) und der Spannung an der Diode 223 {Vbe) ab. Da der Emitter des Transistors 203 eine Spannung von +3 Vbe führt, hört der TransistorIt is assumed that transistor 203 is conductive and transistor 201 is non-conductive. In the case of the bias voltage illustrated in the drawing, a voltage of + 4V3 £ (z. B. approximately + 2.8V) is applied to the base of the conductive transistor 203 and the same voltage is applied to the collector of the non-conductive transistor 201. At the same time is applied to the collector of the conductive Transistor 203 and at the base of the non-conductive transistor 201 a voltage of approximately + 3Vbe plus the collector-emitter saturation voltage of transistor 203 (for example a total of + 2.2V). It can therefore be seen that the output voltages at the collectors of transistors 201 and 203 alternate between approximately + 3Vbc and + 4Vbc (the relatively low collector-emitter saturation voltage of approximately 0.1 V is neglected in the following for the sake of simplicity). In the commutation switch 209, 211, when the trigger pulse on transistor 219 is absent, neither transistor 209 nor transistor 211 is conductive. Since the collector of transistor 201 carries a voltage of +4 \ be and the collector resistor 213 of transistor 209 is coupled via diode 227 between this voltage and the operating voltage source (+ 6.2 V) ₁ which is greater than 5 V, the diode 227 is forward-biased into the conductive state, so that the base of the transistor 211 carries a voltage of + 5VeE. For similar reasons, the base of transistor 209, because of its connection to the base of transistor 201 via diode 225, carries a voltage of + A Vbe. When transistor 219 is turned on (driven to saturation) by a positive trigger pulse, the collector current of transistor 219 is controlled into transistor 211 because the voltage at the base of transistor 211 is more positive (+ V be higher) than the voltage at the base of the transistor 209. The transistor 211 is therefore driven into the saturation state, so that its collector voltage tends to drop to a value which is essentially equal to the sum of the collector-emitter saturation voltages of the transistors 211 and 219. However, the clamping transistor 231 continues so that its emitter voltage remains at approximately + 2Vbe. The collector of transistor 211 therefore also has essentially the voltage +2 Vbe, which is coupled from the collector of transistor 211 to the connection point of diodes 225 and 223. The base of transistor 203, which has carried a voltage of +4 Vfl £ since this transistor has been conductive, now falls in its voltage to the sum of the above-mentioned collector voltage of transistor 211 (+ 2Vbe) and the voltage at diode 223 {Vbe ) from. Since the emitter of transistor 203 carries a voltage of +3 Vbe , the transistor hears

203 auf zu leiten. Bei ansteigender Kollektorspannung des Transistors 203 wird der Transistor 201 in den leitenden Zustand gesteuert, und das Umschalten des Schalters 201,203 ist damit beendet.203 to direct. When the collector voltage of the transistor 203 increases, the transistor 201 is in the The conductive state is controlled, and the switching of the switch 201, 203 is thus ended.

Beim Auftreten des nächsten Triggerimpulses leitet der Transistor 209, so daß der Schalter 201, 203 wieder seinen Zustand ändert. Zwei Emitterfolgertransistoren 233, 243, die mit ihren Kollektoren an eine Betriebsspannung von +6,2 V angeschlossen sind, sind mit ihren Basen an die Basen der Transistoren 203 bzw. 201 angeschaltet. An den Emittern der Transistoren 233,243 werden Logikspannungspegel von + 2 VBf und +3 Vbe erzeugt.When the next trigger pulse occurs, the transistor 209 conducts so that the switch 201, 203 changes its state again. Two emitter follower transistors 233, 243, the collectors of which are connected to an operating voltage of +6.2 V, have their bases connected to the bases of the transistors 203 and 201, respectively. Logic voltage levels of + 2 VBf and +3 V be are generated at the emitters of the transistors 233,243.

Der Emitter des Transistors 233 liegt außerdem über einen Spannungsteiler aus Widerständen 235 und 237, die mit ihrem Mittelpunkt an die Basis eines weiteren Emitterfolgertransistors 230 angeschlossen sind, an Masse. Ein Widerstand 241 koppelt den Emitterausgang des Emitterfolgertransistors 239 mit Masse. Der Spannungsteiler verringert die Logikspannungspegel um den Faktor ³/<, und jeder der Emitterfolgertransistoren 233 und 239 erzeugt einen Spannungsabfall von 1 Vsfim durchlaufenden Signal. Die am Widerstand 241 erzeugten Logikspannungen betragen dann für die beiden Logikzustände +'AVje und +V2V8E über Nullspannung.The emitter of transistor 233 is also connected to ground via a voltage divider made up of resistors 235 and 237, the midpoint of which is connected to the base of a further emitter follower transistor 230. Resistor 241 couples the emitter output of emitter follower transistor 239 to ground. The voltage divider decreases the logic voltage levels by a factor of ³ / <, and each of the emitter follower transistors 233 and 239 produces a voltage drop of 1 Vsf in the signal passing through it. The logic voltages generated at resistor 241 then amount to + 'AVje and + V2V8E above zero voltage for the two logic states.

Diese Logikspannungspegel eignen sich besonders für Schaltertransistoren, deren Emitter im wesentlichen Null- oder Massepotential führen.These logic voltage levels are particularly suitable for switch transistors, the emitters of which are essentially Lead zero or ground potential.

Eine ähnliche Umsetzung erfolgt durch die Reihenschaltung zweier Widerstände 247 und 249, die eine Spannungsteiler-Emitterlast für den Emitterfoigertransistor 243 bilden. Der Mittelpunkt der Widerstände 247 und 249 ist an den Basiseingang eines Transistors 245 angeschlossen. Der in Emitterfolgerschaltung ausgelegte Transistor 245 ist mit seinem Kollektor an die Betriebsspannung von +6,2 V und mit seinem Emitter über einen Widerstand 251, an dem Logikausgangsspannungen abgenommen werden können, an Masse angeschlossen.A similar implementation is carried out by connecting two resistors 247 and 249 in series, one Form voltage divider emitter load for emitter foiger transistor 243. The center of the resistors 247 and 249 is connected to the base input of a transistor 245. The one designed in emitter follower circuit Transistor 245 has its collector connected to the operating voltage of +6.2 V and its emitter Via a resistor 251, at which logic output voltages can be taken, to ground connected.

Betrachtet man die Arbeitsweise der in der Figur dargestellten Zählstufe, so sieht man, daß der Zähler als Frequenzteiler verwendet werden kann. Eine Verschaltung zweiter oder mehrerer solcher Zähler erfolgt vorteilhafterweise mit Hilfe von Schaltungselementen, die logische UND- und ODER-Funktionen erfüllen. Soll beispielsweise der Zähler nach der Figur durch entweder das dargestellte, der Basis des Transistors 219 zugeführte Triggersignal oder aber ein zweites Triggersignal (beispielsweise das Ausgangssignal eines zweiten Zählers) gesteuert oder getriggert werden, so läßt sich eine solche logische ODER-Funktion mit Hilfe eines zusätzlichen Transistors erfüllen, der mit seiner Basis an einen Ausgang des zweiten Zählers und mit seinen Kollektor und seinem Emitter direkt an die entspre chenden Elektroden des Transistors 219 angeschlosser ist. Eine solche ODER-Funktion ergibt sich be Anwendung der Positivlogik (d. h. eine logische »1« isi durch eine größere Spannung als eine logische »0<< definiert). Eine logische UND-Funktion unter Anwen dung von Positivlogik läßt sich im vorliegenden FaI zweckmäßigerweise dadurch erfüllen, daß man ir bekannter Weise eine ODER-Funktion in Negativlogik unter Verwendung der Komplemente der Dater vorsieht und dann die Ausgangsgröße des ODER-Gliedes umkehrt.Looking at the operation of the counting stage shown in the figure, it can be seen that the counter as Frequency divider can be used. An interconnection of two or more such counters takes place advantageously with the help of circuit elements that fulfill logical AND and OR functions. Intended to For example, the counter according to the figure by either the one shown, the base of the transistor 219 supplied trigger signal or a second trigger signal (for example the output signal of a second Counter) can be controlled or triggered, such a logical OR function can be implemented with the aid of a meet additional transistor, which has its base connected to an output of the second counter and its Collector and its emitter directly connected to the corre sponding electrodes of the transistor 219 is. Such an OR function results from the application of positive logic (i.e. a logical "1" isi defined by a voltage greater than a logical "0"). A logical AND function among users In the present case, the formation of positive logic can expediently be fulfilled by using ir known way an OR function in negative logic using the complements of the dates and then reverses the output of the OR gate.

Bei dem dargestellten Zähler werden komplementierte logische Ausgangsgrößen von Zählerausgangstransistoren wie dem Transistor 239 abgenommen, und die Emitter sämtlicher Ausgangstransistoren für eine bestimmte negative ODER-Verknüpfung sind an einen einzigen Widerstand wie den Widerstand 241 angekoppelt. Eine geeignete Inverterstufe wird durch einen in der gezeigten Weise geschalteten Transistor 235 gebildet.In the counter shown, there are complemented logical output variables from counter output transistors as removed from transistor 239, and the emitters of all output transistors for one certain negative ORs are coupled to a single resistor such as resistor 241. A suitable inverter stage is provided by a transistor 235 connected in the manner shown educated.

Wenn im Betrieb irgendeine der komplementierten logischen Ausgangsgrößen am Widerstand, z. B. dem Widerstand 241, eine logische »1« (I¹A Vs/r) ist, wird über den Widerstand 255 eine »1« auf die Basis des Transistors 253 geschickt, so daß dieser leitet. Der Triggereingang zum Transistor 219 wird gesperrt, und der Schalter 201, 203 ändert bei Auftreten eines Triggerimpulses seinen Zustand nicht. Wenn dagegen die Eingangsgröße des Transistors 253 eine logische »0« (Vb£/2), wie oben beschrieben) ist, gelangt der Triggerimpuls zum Transistor 219, so daß der Schalter 201,203 umschaltet.If, in operation, any of the complemented logic outputs at the resistor, e.g. B. the resistor 241, a logic "1" (I ¹ A Vs / r), a "1" is sent via the resistor 255 to the base of the transistor 253 so that it conducts. The trigger input to transistor 219 is blocked and switch 201, 203 does not change its state when a trigger pulse occurs. If, on the other hand, the input variable of transistor 253 is a logic "0" (Vb £ / 2), as described above), the trigger pulse reaches transistor 219, so that switch 201, 203 switches over.

Mehrere Ausgangsgrößen können ohne weiteres von beiden Seiten des Schalters 201, 203 abgenommen werden, indem man parallel zum Transistor 239 zusätzliche Transistoren, beispielsweise einen Transistor 257, schaltet, die an ein Verknüpfungsglied von der Art des Transistors 253 anschaltbar sind.A plurality of output variables can easily be picked up from both sides of the switch 201, 203 by placing additional transistors in parallel with transistor 239, for example a transistor 257, which can be connected to a logic element of the type of transistor 253.

In Abwandlung des vorstehend beschriebenen Ausfuhrungsbeispiels der Zählstufe lassen sich zahlreiche Änderungen im Rahmen der Erfindung durchführen. Beispielsweise kann bei anderen Betriebspotentialen zur Erreichung anderer Anschlußspannungspegel die Anzahl der Dioden 223, 225, 227, 229 geändert werden. Weiterhin können andere Eingangs- und Ausgangsschaltungen vorgesehen werden, wenn die Zählstufe für andere Frequenzzählzwecke eingesetzt werden soll.As a modification of the exemplary embodiment described above Numerous changes can be made to the counting stage within the scope of the invention. For example, in the case of other operating potentials to achieve other connection voltage levels, the Number of diodes 223, 225, 227, 229 can be changed. Furthermore, other input and output circuits provided if the counting stage is to be used for other frequency counting purposes.

Statt in integrierter Form läßt sich die Schaltung selbstverständlich auch mit diskreten Bauelementen aufbauen.Instead of in integrated form, the circuit can of course also be made with discrete components build up.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims

Patent claims:

1. Binary stage with two bistable switches, each containing a pair with their emitters interconnected and with their bases and collectors cross-coupled transistors, the cross-coupling points of which form input and output connections, characterized in that between the first cross-coupling point of the first switch (209, 211) and the two cross coupling points of the second switch (201, 203) first rectifier (227, 229) and between the second cross coupling point of the first switch (209, 211) and the cross coupling points of the second switch (201, 203) second rectifier (223, 225) are connected, that a trigger terminal (T) for supplying a clock signal to the emitters of the transistors (209, 211) of the first switch is connected and that with the _ω emitters of the transistors (201, 203) of the second switch to raise the Potential of the cross coupling points of which a bias voltage source (+ 3 Vsf) is connected.

2. binary stage according to claim 1, characterized in that the rectifiers are diodes.

3. binary level according to claim 2, characterized in that that the bias circuit includes a semiconductor junction which between the Emitter of the transistors (201, 203) of the second switch and the emitters of the transistors (209, 211) of the first switch is switched and is polarized such that it flows in the direction of flow of the emitter current of the second switch (209,211) is current-permeable.

4. binary stage according to claim 3, characterized in that the clock signal source signals with two Provides levels, the first of which a) the transmission of the input signals to the first switch, b) to the Switching both transistors (209, 211) of the first switch to the non-conductive state and c) is used to decouple the second switch (201, 203) from the first switch (209, 211) and their second for signal transmission from the first switch (209, 211) and signal storage in the second Switch (201, 203) and to control one of the transistors of each switch in the conductive State serves.

5. binary level according to claim 4, characterized by operating voltage connections (+ 6.2 V, ground) and by an impedance arrangement (205, 207, 213, 215) which is located between at least one of the Operating voltage connections (+6.2 V) and one of the cross coupling points is switched.

6. Binary stage according to claim 4, characterized in that the uen cross coupling points second switch (201,203) circuit arrangements (233, 243) are connected, which due to the Signals at the cross coupling points at output connections give rise to signals that are based on the level of one or the other of the operating voltage 6ο connections are clamped.