DE2055661B2

DE2055661B2 -

Info

Publication number: DE2055661B2
Application number: DE19702055661
Authority: DE
Inventors: Harald 7800 Freiburg Schilling
Original assignee: Deutsche ITT Industries GmbH
Current assignee: TDK Micronas GmbH
Priority date: 1970-11-12
Filing date: 1970-11-12
Publication date: 1975-02-13
Also published as: IT941368B; FR2113906B1; FR2113906A1; DE2055661A1

Description

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Gegenwiu tig werden z.wei Halbleiterschaltungselemente einer monolithisch integrierten Festkörperschaltung mit einem Grundkörper des einen I .eiiungstyps und darauf angeordneter epitaktischer Schicht des anderen Leitungstyps gleiclistrotnmaßig häufig dadurch getrennt, daß eine oder mehrere Isolierzonen eines Isolations-Rasters vom Leitungstyp des Grundkörpers um die bzw. neben den beiden Halbleiterschaltungselementen durch die epitakiische Schicht bis in den Grundkörper diffundiert werden. Dabei entstehen von je einer pn-Übergangsfläche umgebene sogenannte »Isolierwannen«, in denen im allgemeinen je ein Halbleiterschaltungselement, beispielsweise ein Transistor, eine Diode, ein Widerstand oder auch ein pn-Kondensator, angeordnet ist. Derartige integrierte Festkörperschaltungen sind beispielsweise aus der Zeitschrift »Scientia Electrica«. Bd. X, Fase. 4, Seiten 116 bis 119, und der USA.-Patentschrift 3525 911 bekannt.Two semiconductor circuit elements are currently becoming available a monolithically integrated solid-state circuit with a base body of one type and an epitaxial layer of the other conductivity type disposed thereon with the same frequency separated in that one or more isolation zones of an isolation grid of the conductivity type of the base body around or next to the two semiconductor circuit elements through the epitakiic layer to be diffused into the base body. This results in each one surrounded by a pn junction area so-called "insulating wells", in which generally one semiconductor circuit element, for example a Transistor, a diode, a resistor or a pn capacitor, is arranged. Such integrated Solid-state circuits are, for example, from the magazine "Scientia Electrica". Bd. X, bevel. 4, pages 116 to 119, and U.S. Patent 3525 911 known.

Aus der österreichischen Patentschrift 276486 ist zur Unterdrückung unerwünschter parasitärer Feldeffekte bei einer monolithisch integrierten Festkörperschaltung bekannt, unter Teilen eines auf einer Isolierschicht verlaufenden Leitungsschichtmusters im Halbleiterkörper hochdotierte Zonen vom Leitungsiyp der daran angrenzenden Teile des Halbleiterkörpers anzuordnen. Die Erfindung beschäftigt sieh dagegen mit unerwünschten Effekten von parasitärer. Lateraltransistoren.From the Austrian patent specification 276486 is to suppress unwanted parasitic field effects in a monolithically integrated solid-state circuit known, by dividing a conductive layer pattern extending on an insulating layer In the semiconductor body, highly doped zones of the conduction type of the parts of the semiconductor body adjoining them to arrange. In contrast, the invention deals with undesirable effects of parasitic. Lateral transistors.

Bei der obengenannten USA.-Patentschrift 3 525 911 sind ferner zur Unterdrückung \ on Effekten parasitärer Lateraltransistoren bei in einer gemeinsamen Isciiierwanne untergebrachten pn-Dioden leitende Oberflächenschichten zwischen den injizieren den Zonen auf der Halbleiteroberfläche vorgesehen. Aus der schweizerischen Patentschrift 399 599 ist lerner bei einem Transistor mit einem die Basis darstellenden Halbleiterkörper bekannt, zum Absaugen der sich in dem Halbleiterkörper anreichernden freien Ladungsträger auf dem Halbleiterkörper eine einen pn-Ubergang bildende Hilfskollektorelektrode anzuordnen. In the above-mentioned US Pat. No. 3,525,911, there are also effects for suppressing parasitic lateral transistors in the case of pn diodes accommodated in a common insulating trough Surface layers are provided between the inject zones on the semiconductor surface. Lerner is from Swiss patent specification 399 599 known in a transistor with a semiconductor body representing the base, for sucking off the free charge carriers that accumulate in the semiconductor body have a one on the semiconductor body To arrange the auxiliary collector electrode forming the pn junction.

Aus der deutschen Offenlegungsschrift 1 N(W 6X7 ist schließlich bekannt, zur Unterdrückung unerwünschter Effekte eines parasitären Lateraltransistors, der zwischen den beiden Basiszonen zweier in einer gemeinsamen »Isolierwanne« angeordneter Planartransistoren mit gemeinsamer Kollektorzone vorhanden ist. eine Hilfskollektorzone oberflächlich in der gemeinsamen Kollektorzone anzuordnen, welche teilweise als Basiszone des parasitären Lateraltransistors zu denken ist. Die Erfindung beschäftigt sich dagegen mit einem parasitären Effekt eines Lateraltransistors, dessen Basiszone teilweise durch die Isolierzone zwischen zwei Halbleitcrschaltungselementeii einer monolithisch integrierten Festkörperschaltung gegeben ist.From the German Offenlegungsschrift 1 N (W 6X7 is finally known to suppress undesirable effects of a parasitic lateral transistor, the one between the two base zones of two arranged in a common "insulating tub" Planar transistors with a common collector zone is present. an auxiliary collector zone superficial to be arranged in the common collector zone, which is partially used as the base zone of the parasitic lateral transistor is to be thought. In contrast, the invention deals with a parasitic effect of a lateral transistor, its base zone partially through the isolation zone between two semiconductor circuit elements a monolithically integrated solid-state circuit is given.

Neben solchen durch parasitäre Lateraltransistoren zwischen injizierenden Zonen in einer »Isolierwanne« und durch parasitäre Kapazitäten bedingten unerwünschten Effekten treten bei solchen monolithisch integrierten Festkörperschaltungen nämlich auch Effekte auf, welche auf Injektionen von Minoritätsladungsträgern parallel zur Halbleiteroberfläche durch die Isoherzone als Basiszone eines parasitären Lateraltransistors beruhen. F.s können also unter gewissen Bedingungen bei benachbarten Planartransistorschaltungselementen die Kollektorzone eines Schaltungsclements als Emitter und die Kollektorzone des benachbarten Schaltungselements als Kollektorzone des lateralen Transistors mit tier Isolierzone als Basiszone in unerwünschter Weise in Wechselwirkung treten. Solche parasitären I.aterallransistoreffekte tretenIn addition to those caused by parasitic lateral transistors between injecting zones in an "insulating trough" and undesired effects caused by parasitic capacitances occur monolithically with such integrated solid-state circuits namely also effects which on injections of minority charge carriers parallel to the semiconductor surface through the isothermal zone as the base zone of a parasitic lateral transistor are based. F.s can therefore under certain conditions with neighboring planar transistor circuit elements the collector zone of one circuit element as an emitter and the collector zone of the neighboring one Circuit element as the collector zone of the lateral transistor with the insulating zone as the base zone interact in an undesirable manner. Such parasitic lateral transistor effects occur

nicht nur zwischen an einer Isolierzonc angrenzenden Zonen bei entsprechender Polarität auf. Sie können . uch noch über eine weitere Zone zwischen der Emitter- bzw. Kollektorzone der betreffenden lateralen Transistorstruktur, d.h. bei einer lateialen Vierschichtstruktur, wirksam werden. D^;? betreffenden Halbleiterschaltungselemente können also als Gesamtheit unabhängig von Zonenanzahl und Struktur als Emitter oder Kollektor angesehen werden.not only between zones adjoining an insulating zone with the appropriate polarity. You can . It also becomes effective via a further zone between the emitter or collector zone of the relevant lateral transistor structure, that is to say in the case of a lateral four-layer structure. D ^; ? The semiconductor circuit elements concerned can thus be viewed as a totality regardless of the number of zones and structure as an emitter or collector.

Die Erfindung betrifft eine monolithisch integrierte Festkörperschaltung mit einem Halbleitergrundkörner des einen Leitungstyps und einer darauf angeordneten epitaktischen Halbleiterschicht des anderen Leitungstyps, in der mindestens zwei gleichstrommäßie durch mindestens eine die epitaktische Schicht durchdringende Isolierzone vom Leitungstyp des Grundkörpers voneinander getrennte Halbleiterschaltungselemente angeordnet sind, %'on denen eines im Betrieb in störender Weise als Emit'er und das andere als Kollektor eines parasitären Lateraltransistors, dessen Basiszone durch die genannte(n) Iso-Herzone(n) gebildet wird, wirkt.The invention relates to a monolithically integrated Solid-state circuit with a semiconductor base grain of one conductivity type and one arranged thereon epitaxial semiconductor layer of the other conductivity type, in which at least two direct current wise by at least one insulation zone of the conductivity type des which penetrates the epitaxial layer Basic body separate semiconductor circuit elements are arranged,% 'on which one in operation in a disruptive way as an emitter and the other as a collector of a parasitic lateral transistor, its base zone by the mentioned iso-heart zone (s) is formed, acts.

Der obenerwähnte unerwünschte Effekt einer Injektion von Ladungsträgern durch die Isolierzone wird erfindungsgemäß dadurch verhindert, daß zwischen den beiden Halbleiterschaltungselementen angrenzend an die Isolierzone bzw. zwischen den Isolierzonen zumindest eine durch die epitaktische Schicht bis xum Grundkörper reichende Hilfskollektorzone vom Leitungstyp der epitaktischen Schicht angeordnet ist. welche das als Kollektor des parasitären Lateraltransistors wirkende Halbleiterschaltungselement gegen den Minoritätsladungsträgerstrom abschirmt, der von dem als Emitter wirkenden Halbleiterschaltungselement in die an diesem angrenzende Isolierzone injiziert wird.The above-mentioned undesirable effect of injection of charge carriers through the isolation zone becomes according to the invention thereby prevented that adjacent between the two semiconductor circuit elements to the isolation zone or between the isolation zones at least one through the epitaxial layer to x is arranged around the base body reaching auxiliary collector zone of the conductivity type of the epitaxial layer. which counteracts the semiconductor circuit element acting as the collector of the parasitic lateral transistor shields the minority charge carrier current from the semiconductor circuit element acting as an emitter is injected into the isolation zone adjacent to it.

Die Hilfskollektorzone kann entweder das als Emitter oder das als Kollektor des parasitären Lateraltransistors wirkende Halbleiterschaltungselement umgeben. Da die Hilfskollektorzone als Senke der Minoritätsladungsträger wirkt, kann hei einem als Emitter wirkenden Halbleiterschaltungselement eine Injektion in den Grundkörper weitgehend dadurch verhindert werden, wenn dieses von der Hilfskollektorzone umgeben wird. In diesem Falle ist es günstig, parallel zur Oberfläche dieses Halbleiterschaltungselements zwischen der epitaktischen Schicht und dem Grundkörper eine hochdotierte Zwischenzone vom Leitungstyp der epitaktischen Schicht anzuordnen. Zumindest sollte die Hilfskollektorzone im Raum zwischen den betreffenden beiden Halbleiterschaltungselementen angeordnet werden. Aus Gründen der Raumaufteilung ist es günstig, die Hilfskollektorzone an eine Isolierzone der beiden Halbleiterschaltungselemente angrenzen zu lassen. Die Hilfskollektorzone kann natürlich auch von einer eigenen Isolierzone umgeben werden. Sie kann im einfachsten Falle auch streifenförmig zwischen den beiden HaIbleiterschaltungselementen ausgebildet werden. Ausschlaggebend für die gewählte Struktur und Anordnung der Hilfskollektor/oiien ist das Ausmali. in dem der unerwünschte Effekt der erwähnten parasitären lateralen Injektion ausgeschaltet werden soll.The auxiliary collector zone can either act as an emitter or as a collector of the parasitic lateral transistor Surrounding acting semiconductor circuit element. Since the auxiliary collector zone serves as a sink of the Minority charge carriers can act as a semiconductor circuit element acting as an emitter Injection into the base body can largely be prevented if this is from the auxiliary collector zone is surrounded. In this case it is advantageous to have this semiconductor circuit element parallel to the surface between the epitaxial layer and the base body a highly doped intermediate zone from To arrange the conductivity type of the epitaxial layer. At least the auxiliary collector zone in the room should are arranged between the relevant two semiconductor circuit elements. For reasons For the division of space, it is advantageous to connect the auxiliary collector zone to an insulating zone of the two semiconductor circuit elements to let adjoin. The auxiliary collector zone can of course also be of its own Isolation zone are surrounded. In the simplest case, it can also be in the form of strips between the two semiconductor circuit elements be formed. Decisive for the chosen structure and arrangement of the auxiliary collector / oiien is the painting. by doing the undesired effect of the parasitic lateral injection mentioned should be eliminated.

Die Erfindung wird im folgenden an Hand der Zeichnung erläutert, in der dieThe invention is explained below with reference to the drawing in which the

Fig. 1 ausschnittsweise und im Aufriß senkrecht zur Halbleiteroberfläche eine monolithisch integrierte Festkörperschaltung nach der Erfindung.Fig. 1 shows a section and in elevation perpendicular to the semiconductor surface, a monolithically integrated Solid-state circuit according to the invention.

Fig. 2 eine Aufsicht a;if die Festkörperschaltung gemäß der Erfindung,Fig. 2 is a plan view a; if the solid-state circuit according to the invention,

Fig. 3 eine Abwandlung einer Festkörperschaltung nach der Erfindung gemäß der Fig. 1 im Schnitt3 shows a modification of a solid-state circuit according to the invention according to FIG. 1 in section

undand

Fig. 4 ausschnittsweise in Aufsicht eine weitere monolithische integrierte Festkörperschaltung mit den Merkmalen der Erfindung betreffen.4 shows a detail in plan view of a further monolithic integrated solid-state circuit relate to the features of the invention.

Bei der ausschnittsweise im Querschnitt dargestellten monolithischen Festkörperschaltung gemäß der Fig. 1 sind in einer epitaktischen Schicht 3 au: einem Grundkorper 8 vom zur epitaktischen Schicht 3 entgegengesetzten Leitungstyp zwei Planartransistorschaltungselemente 1 und 2 angeordnet. Diese beidenIn the section shown in cross section monolithic solid-state circuit according to FIG. 1 are in an epitaxial layer 3 au: one Base body 8 of the opposite conductivity type to the epitaxial layer 3, two planar transistor circuit elements 1 and 2 arranged. These two

^X5 Halbleiterschaltungselemente 1 und 2 sind gleu-hstrommäßig gegeneinander durch Isolierzonen 5 \on vorzugsweise ringförmiger Konfiguration und vom Leiiungstyp des Grundkörpers 8 isoliert. Insbesondere bei digitalen Festkörperschaltungen kann je nach Betriebsart der Fa/i eintreten, daß die Vorspannungen an di'ii Zonen in einem der beiden Halbleiterschaltungselemente derartige Vorzeichen und Größen erhalten, daß das betreffende Halbleiterschaltungselement insgesamt als F.mitter wirkt und Minoritatsladungsträger in die angrenzende Isolierzone 5 injiziert werden. Im einfachsten Fall ist der pn-übergang zwischen der Isolierzone 5 und der angrenzenden Zone des als Emitter wirkenden Halbleiterschaltungselements in Flußrichtung zumindest zeitweise vorgespannt. Sind nun gleichzeitig die Potentialverhältnisse des jenseits der Isolierzone 5 vorhandenen Halbleiterschaltungselements derart, daß dieses als Kollektor wirkt, so sind die beiden Halbleiterschaltungselemente 1 und 2 über den lateralen Transistor mit der Isolierzone 5 als Basiszone gekoppelt. Diese Kopplung ist zumeist unerwünscht. ^X 5 semiconductor circuit elements 1 and 2 are insulated from one another in terms of gleu-hstrom-wise by insulating zones 5, preferably of a ring-shaped configuration and of the line type of the base body 8. In the case of digital solid-state circuits in particular, depending on the operating mode of the Fa / i, the bias voltages at the zones in one of the two semiconductor circuit elements are given such signs and magnitudes that the semiconductor circuit element in question acts as a total emitter and minority charge carriers in the adjacent insulating zone 5 be injected. In the simplest case, the pn junction between the insulating zone 5 and the adjoining zone of the semiconductor circuit element acting as an emitter is at least temporarily biased in the flow direction. If at the same time the potential ratios of the semiconductor circuit element present on the other side of the insulating zone 5 are such that this acts as a collector, the two semiconductor circuit elements 1 and 2 are coupled via the lateral transistor to the insulating zone 5 as the base zone. This coupling is mostly undesirable.

Zur Ausschaltung bzw. zumindest zur Unterdnik kung dieser unerwünschten Kopplung ist es bei der monolithisch integrierten Festkörperschaltung nach der Erfindung gemäß der Fig. 1 eine Hilfskollektorzone 4 zwischen den beiden Halbleiterschaltungselementen 1 und 2 angeordnet, welche die Minoritätsladungsträger sammelt und das entsprechende Signal über die Ableitung 9 abführt, welche an irgendein positives Potential oder vorzugsweise mit Masse verbunden wird. Die Ableitung 9 kann zur Verminderung des Ableitungswiderstandes an eine hoher als die Hillskollektorzone 4 dotierte Kontaktierungszone IO \om gleichen Leitungstyp angebracht werden. Im gleichen Sinne wird eine hochdotierte Halhleitcrschicht 7 vom I.eitungstyp der epitaktischen Schicht 3 ander Grenzfläche /wischen dem Grundkorper 8 und der Hilfskollektorzone 4 wirksam.For switching off or at least for Unterdnik This undesired coupling is eliminated in the case of the monolithically integrated solid-state circuit of the invention according to FIG. 1, an auxiliary collector zone 4 between the two semiconductor circuit elements 1 and 2 arranged, which collects the minority charge carriers and the corresponding signal via the discharge line 9, which is connected to any positive potential or preferably to ground will. The derivation 9 can reduce the leakage resistance to a higher than that Hill collector zone 4 doped contact zone IO \ om the same conduction type can be attached. in the In the same way, a highly doped semiconductor layer is used I conduction type 7 of the epitaxial layer 3 other interface / between the base body 8 and the auxiliary collector zone 4 effective.

Wie die Fig. 2 erst deutlich erkennen läßt, ist bei der Ausl'ührungsform gemäß der Fig. 1 sowohl das als Emitter als auch das als Kollektor des parasitären Lateraltransistor wirkende Halbleiterschaltungselement von der Hilfskollektorzone 4 umgeben. Natürlich kann die monolithisch integrierte Feslkörperschallung nach der Erfindung auch derartig ausgelegt werden, daß entweder das als Emitter oder das als Kollektor des parasitären Lateraltransistors wirkende Halbleiterschaltungselement von der llilfskolleklor /one 4 umgeben ist.As FIG. 2 clearly shows, in the embodiment according to FIG. Of course, the monolithically integrated solid-state sound system according to the invention can also be designed in such a way that either the semiconductor circuit element acting as the emitter or the collector of the parasitic lateral transistor is surrounded by the auxiliary collector 4.

Eine besondere Wirkung wird aber erzielt, wenn die Isolierzone /wischen dem als Emitter wirkenden Halbleiterschaltungselement besonders schmal, d.h. schmaler als die Isolierzone zwischen der Hilfskollek-A special effect is achieved if the insulating zone / between the semiconductor circuit element acting as an emitter is particularly narrow, i.e. narrower than the isolation zone between the auxiliary

torzone 4 und dem als Kollektor wirkenden Halbleiterschaltungselement, ist. Eine solche Ausbildung bewirkt nämlich eine besonders gute Unterdrückung der Minoritätsladungsträgerinjektion in den Grundkörper, wodurch unter Umgehung der Hilfskollektorzone 4 die Minoritätsladungsträgcr in das als Kollektor wirkende Halbleiterschaltungselement gelangen können. Diese günstige Wirkung durch eine besonders schmal ausgebildete Isolierzone 5 an dem als Emitter wirkenden Halbleiterschaltungselement beruht aul »° der Erhöhung des betreffenden Alpha-Wertes des betreffenden parasitären Lateraltransistors. Damit wird gewissermaßen die »Saugwirkung« der Hilfskollektorzone 4 erhöht. Eine merkliche Erhöhung dieser »Saugwirkung« ergibt sich bereits dann, wenn die an ^5 das als Emitter wirkende Halbleiterschaltungselement angrenzende Isolierzone nur teilweise über ihren Verlauf schmaler ausgebildet ist.torzone 4 and the semiconductor circuit element acting as a collector. Such a design produces particularly good suppression of minority charge carrier injection into the base body, as a result of which the minority charge carriers can get into the semiconductor circuit element acting as a collector while bypassing the auxiliary collector zone 4. This beneficial effect due to a particularly narrow insulating zone 5 on the semiconductor circuit element acting as an emitter is based on the increase in the relevant alpha value of the relevant parasitic lateral transistor. In this way, the "suction effect" of the auxiliary collector zone 4 is increased to a certain extent. A noticeable increase in these "suction" is already apparent when the to ^ 5 which acts as an emitter semiconductor circuit element adjoining insulation zone is only partially formed narrower than its course.

Die F i g. 3 der Zeichnung zeigt eine Abwandlung der monolithisch integrierten Festkörperschaltung *° gemäß den Fig. 1 und 2. Bei dieser Abwandlung gemäß der Fi g. 3 ist nur eines der Halbleiterschaltungselemente, zwischen denen die unerwünschte laterale Transistorkopplung auftreten könnte, von einer lsolicrzonc 5 umgeben. Das andere Halbleiterschallungsclemcnt 1 liegt in einer schwächer als die lsolierz.one 5 dotierten Isolierzone 5' und weist daher gegen die Hilfskollektorzone 4 lediglich einen gleichstrommäßig trennenden pn-übergang 6. d.h. keine weitere Isolierzone, auf. Die schwächer als die Isolierzone 5 3= dotierte Isolierzone 5' wird durch eine besondere Diffusion einerseits von der Halbleiteroberfläche und andererseits aus einer ρ'-hochdotierten Zwischen schicht 11 her erhalten. Bei der monolithisch integrierten Festkörperschaltung nach der Erfindung gemäß der Fig. 3 ist also die Hiliskollektorzone 4 an die lsolicr/.onc einer der beiden Halbleiterschaltungselemente angrenzend zwischen beiden Halbleiterschaltungselementen angeordnet.The F i g. 3 of the drawing shows a modification of the monolithically integrated solid-state circuit * ° 1 and 2. In this modification according to Fi g. 3 is just one of the semiconductor circuit elements, between which the unwanted lateral transistor coupling could occur, from an isolicrzonc 5 surrounded. The other semiconductor sounding terminal 1 is in a weaker zone than the insulating zone 5 doped insulating zone 5 'and therefore has only a direct current-wise to the auxiliary collector zone 4 separating pn junction 6. i.e. no further insulating zone. The weaker than the isolation zone 5 3 = doped insulating zone 5 'is formed by a special diffusion on the one hand from the semiconductor surface and on the other hand obtained from a ρ'-highly doped intermediate layer 11 ago. With the monolithic Integrated solid-state circuit according to the invention according to FIG. 3 is the Hiliskollektorzone 4 on the lsolicr / .onc one of the two semiconductor circuit elements arranged adjacent between the two semiconductor circuit elements.

Sehr günstig ist eine ringförmig geschlossene Hilfskollektorzone. Für manche Zwecke ist jedoch auch bereits eine streifenförmige Hillskollektorzone 4 ausreichend, wie die Fig. 4 veranschaulicht. Diese Hilfskollektor/.one 4 umgibt teilweise ein Halbleiterschaltungselement 1; 2. Sie grenzt ebenfalls an die lsolierzone des betreffenden Halblciterschaltungselements und muß entsprechend der beabsichtigten Abschirmwirkungzwischen den betreffenden Halbleitei schaltungselemente!! angeordnet werden. Sie ist. wie die F i g. 4 veranschaulicht, gewissermaßen in den verbreiterten Teil der lsolierzone des betreffenden HaIbleiterschaltungsclements eingebettet.A ring-shaped closed auxiliary collector zone is very favorable. For some purposes, however, is also a strip-shaped hill collector zone 4 is already sufficient, as Fig. 4 illustrates. This auxiliary collector / .one 4 partially surrounds a semiconductor circuit element 1; 2. It also borders on the Isolation zone of the relevant semi-conductor circuit element and must according to the intended shielding effect between the relevant semiconductor circuit elements! to be ordered. She is. like the fig. 4 illustrates, as it were in the widened Part of the insulating zone of the relevant semiconductor circuit element embedded.

Natürlich kann die Hilfskollektorzone 4 auch von einer eigenen lsolierzone umgeben werden, welche also nicht Teil der Isolierzonen der betreffenden Halbleiterschaltungselemente ist. Ferner können in die Hilfskollektorzone auch noch mehrere weitere Halbleiterschaltungselemente derart eingebracht werden, daß zwischen ihnen parasitäre Lateral-Transistorw ii klingen im beabsichtigten Ausmaß vorhanden sind. Diese zusätzlichen Halbleiterschaltungselemente worden jedoch in ihren parasitären Wirkungen /u den restlichen Halbleiterschaltungselemente!! getrennt. Of course, the auxiliary collector zone 4 can also be surrounded by its own insulating zone is therefore not part of the isolation zones of the relevant semiconductor circuit elements. Furthermore, in the auxiliary collector zone also introduced several further semiconductor circuit elements in this way be that between them parasitic lateral transistorw ii sound are present to the intended extent. These additional semiconductor circuit elements but have been in their parasitic effects / u the remaining semiconductor circuit elements !! separated.

Hierzu 2 Blatt ZeichnungenFor this purpose 2 sheets of drawings

Claims

Patent claims:

1. Monolithically integrated solid-state circuit with a semiconductor base body of one conduction type and an epitaxial semiconductor layer of the other conductivity type arranged thereon, in which at least two direct current through at least one of the epitaxial layer penetrating Isolierzone \ om the conductivity type of the base body separate semiconductor circuit elements are arranged, one of which in operation in a disruptive manner as an emitter and the other as the collector of a parasitic lateral transistor, the base zone of which is formed by the so-called insulating zone (s), acts thereby marked that between the two semiconductor circuit elements (1, 2) adjacent to the insulating zone (5) or between the insulating zones (5, 5) at least one through the epitaxial Layer (3) to the base body (8) reaching auxiliary collector zone (4) of the conduction type the epitaxial layer (3) is arranged. soft the aK collector of the parasitic lateral transistor acting semiconductor circuit element (I b / w. 2) against the minority charge carrier current shields from the semiconductor circuit element (2 or 1) acting as an emitter into the This adjacent Isolierzonc (5) is injected.

2. Monolithically integrated solid-state circuit according to claim 1, characterized in that the auxiliary collector zone (4) either as the emitter or as the collector of the parasitic lateral transistor acting semiconductor circuit element

(1 or 2) at least partially surrounds.

3. Monolithically integrated solid-state circuit according to claim 1, characterized in that ilie auxiliary collector zone (4) from its own isolation zone is surrounded.

4. Monolithically integrated solid-state circuit according to claims! up to 3, characterized that at the interface between the base body (8) and the auxiliary collector zone (4) a highly doped semiconductor layer (7) of the conductivity type of the epitaxial layer (3) is arranged.

5. Monolithically integrated solid-state circuit according to Claims 1 to 4, characterized in that that the isolation zone (5) between the acting as the emitter of the parasitic lateral transistor Semiconductor circuit element (1 or 2) is narrower than the insulating zone (5) between the auxiliary collector zone (4) and the semiconductor circuit element acting as a collector

(2 or 1).

6. Monolithically integrated solid-state circuit according to Claims 1 to 5, characterized in that that the auxiliary collector zone (4) is strip-shaped.