DE2046717C

DE2046717C - Display device with luminous display elements using semiconducting elements

Info

Publication number: DE2046717C
Authority: DE
Inventors: Nakao Itami Hyogo Yoshio (Japan)
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Publication date: 1972-11-09

Description

3 43 4

Fig. 6 eine Schnittansicht längs der Linie VI-VI Transistoren auf. Diese internen Verbindungen sind6 shows a sectional view along the line VI-VI transistors. These internal connections are

in Fig. 5 und _duf dem Film6 angeordnet, obwohl είε in Fig. 2in Fig. 5 and _du f the film 6, although είε in Fig. 2

F i g. 7 ein Ersatzschaltbild eines Teiles der in mit Ausnahme der internen Verbindung für denF i g. 7 is an equivalent circuit diagram of part of the with the exception of the internal connection for the

F i g. 5 gezeigten Vorrichtung. Eingangsanschluß 86 nicht gezeigt sind, welche ihrer-F i g. 5 shown device. Input terminal 86 are not shown, which of their-

In der Zeichnung sind einander entsprechende 5 seits mit 86 gekennzeichnet ist. Ebenso ist in Fig. 2 oder ähnliche Teile mit gleichen Bezugsziffera be- der in dem n-Bereich 326 ausgebildete Transistor zeichnet. 2U_1n Zwecke der vereinfachten DarsieHacg wegin F i g. 1 und 2 der Zeichnung ist eine Anordnung gelassen. Die n⁺-Bereiche'5c 56,..., 5 g als Emittergezeigt, wslche ein Substrat 1 eines p+-Halbleiter- bereicne sind mit dem p-Bereich 2 und von hier mit materials aufweist, das mit einem p-Störstoff hoch io dem Substrat 1 vom p⁺-Typ durch die entsprechendotiert ist, und weiter eine \-. HaJbleiterschicHt oder den internen Verbindungen 9a, 96,..., 9g verbuneinen p-Bereich 2, welcher auf &-■ μ Oberfläche des den, welche auf dem Film 6 angeordnet sind und Substrats 1 z.B. durch e!n epitax>_L_ Ziehverfahren deren jeweils beide Enden durch den Film6-in die aufgebracht ist. Das Materiaj fur „as Substrat 1 und zugehörigen Basisbereiche und den p-Bereich 2 den p-Bereich 2 kann baSbk '-ndes Silizium (Si), 15 ragen, wie es beispielsweise mit der Verbindung 9 a Germanium (Ge), VerW-vuagea aus der Gruppe von dem Transistor 5α-4α-32α in Fig. 2 gezeigt IiI IV usw. sein. Hier' ji werden eine Vielzahl von ist.In the drawing, corresponding 5 sides are marked with 86. Likewise, in FIG. 2 or similar parts with the same reference number a, the transistor formed in the n-area 326 is shown. 2U _1n purposes of the simplified DarsieHacg way in F i g. 1 and 2 of the drawing, one arrangement is left. The n ⁺ -regions'5c 56,..., 5g are shown as emitters, what a substrate 1 of a p + -semiconductor region is with the p-region 2 and from here with material that has a high io with a p-impurity the substrate 1 of the p ⁺ -type is doped by the corresponding, and further a \ -. HaJbleiterschicHt or internal connections 9a, 96, ..., 9g verbuneinen p-type region 2, which on & - ■ μ surface of which are arranged on the the film 6 and substrate 1, for example by e n epitax> _L_ drawing process whose! both ends through the film6-in which is applied. The material for the substrate 1 and associated base regions and the p-region 2, the p-region 2 can protrude from the base silicon (Si), 15, as is the case, for example, with the compound 9 a germanium (Ge), VerW-vuagea from the group of the transistor 5α-4α-32α shown in Fig. 2, IiI IV and so on. Here ' ji will be a multitude of is.

diskreten n-Bereic'-t la, 36, ...,3g gleichzeitig in Die kontinuierlich anschließenden n-Bereiche 3a, den p-Bereich 2 in sinem vorbestimmten Muster 35,.. .,3 g, welche als Fortsetzungen der n-Bereiche abhängig von den verschiedenen Arttn der anzu- so 32s, 326,..., 32g als ^ollektorbereiche der zuzeigenden Information eindiffundier' In Fig. Iz.B. gehörigen Transistoren betiachtet werden, weisen sind die Bereiche 3 a, 36, ...,3 g in einem Muster auf ihnen angeordnete langgestreckte Leuchtdioden angeordnet, daß die Ziffern von 0 bis 9 wahlweise 10 a, 106,..., 10 g unter Verwendung halbleitender angezeigt werden können. Es versteht sirh, daß das Elemente auf, deren Formen einander im wesent-Muster nicht hierauf beschränkt ist und wahlweise as liehen gleich sind. Die Ausbildung der Leuc¹ »dioden eine Anzahl von Buchstaben oder Zahlen od. dgl. kann dadurch erfolgen, daß zuerst die Bereiche 3,32, anzeigen kann. * . 4 und 5 in dem p-Bereich z. B. aus Germaniumdiscrete n-area'-t la, 36, ..., 3g simultaneously in the continuously adjoining n-areas 3a, the p-area 2 in its predetermined pattern 35, ..., 3g , which as continuations of the n- Areas depending on the different types of to- so 32s, 326, ..., 32g as collector areas of the information to be displayed diffuse 'In Fig. Iz.B. Corresponding transistors are considered, the areas 3 a, 36, ..., 3 g are arranged in a pattern on them arranged elongated light-emitting diodes that the digits from 0 to 9 optionally 10 a, 106, ..., 10 g below Use semiconducting can be displayed. It is understood that the elements are the same, the shapes of which are not limited to one another in the essential pattern, and optionally as borrowed. The formation of the Leuc ¹ »diodes a number of letters or numbers or the like can be done by first being able to display the areas 3, 32. *. 4 and 5 in the p-region e.g. B. from germanium

Die Anordnung umfaßt weiter eine Vielzahl dis- ausgebildet werden und dann epitaxial ein geeignetesThe arrangement further comprises a plurality of dis- are formed and then an appropriate one epitaxially

kreter η-Bereiche 31a, 316,..., 31g und eine Viel- Halbleitermaterial für die Leuchtdioden, z. B. einekreter η-areas 31a, 316, ..., 31g and a multi-semiconductor material for the light emitting diodes, e.g. Legs

zahl diskreter n-Bereiche 32a, 326,..., 32g, welche 30 Verbindung der Gruppe IH-V wie GaAs odernumber of discrete n-regions 32a, 326, ..., 32g, which 30 compounds of the group IH-V such as GaAs or

gleichzeitig in den p-Bereich 2 in den entsprechenden Al_xGa₁^As oder eine Verbindung der Gruppe II-VIat the same time in the p-region 2 in the corresponding Al _x Ga ₁ ^ As or a compound of group II-VI

Mustern bestimmt durch das Muster für die η-Be- mit z. B. η-Leitfähigkeit gezogen wird. Hierauf wirdPatterns determined by the pattern for the η-Be with z. B. η conductivity is drawn. Then will

reiche 3 a, 36 3 g eindifTundiert sind. Jeder der die epitaxial gezogene Schicht in einem vorbestimm-rich 3 a, 36 3 g are diffused in. Each of the the epitaxially grown layer in a predetermined

n-Bereiche 3a, 36,.. .,3g ist mit dem zugehörigen ten Muster durch bekannte Verfahren abgeätzt,n-areas 3a, 36, ..., 3g is etched with the associated th pattern by known methods,

n-Bereich 32a, 326... oder 32g über den ent- 35 worauf p-Diffusionsbereiche in den nicht geätztenn-area 32a, 326 ... or 32g over the 35 whereupon p-diffusion areas in the non-etched

sprechenden η-Bereich 31a, 316... oder wie in Teilen der Schicht ausgebildet werden.speaking η-area 31a, 316 ... or as in parts of the layer.

F13.1 gezeigt verbunden. In anderen Worten sind Dann werden relativ kleine Elekuoden 11a, 116,F13.1 shown connected. In other words, relatively small electrodes 11a, 116,

die η-Bereiche 31a, 316,..., 31g Fortsätze der tu- ..., 11g an den p-Diffusionsbereichen der resultie-the η-regions 31a, 316, ..., 31g extensions of the tu- ..., 11g at the p-diffusion regions of the result-

gehörigen η-Bereiche 32a, 326,..., 32g und haben renden Leuchtdioden 10a, 106,..., 10g angebracht,belonging η-areas 32a, 326, ..., 32g and have attached generating light-emitting diodes 10a, 106, ..., 10g,

vorbestimmte Widerstandswerte zu einem Zweck, 40 und Stücke eines dünnen metallischen Drahtes 12 α,predetermined resistance values for one purpose, 40 and pieces of thin metallic wire 12 α,

deHm folgenden klar werden wird. 126,..., 12g, z. B. aus Gold, verbinden die Elek-The following will become clear. 126, ..., 12g, e.g. B. made of gold, connect the elec-

Die n-Bereiche 3, 3i und 32 kömjen. auf bekannte tröden 11a, 116,..., U_n- mit den zugehörigen ver-The n-areas 3, 3i and 32 can be used. on known dull 11a, 116, ..., U _n - with the associated

Weise gleichzeitig in dem p-Bereich 2 ausgebildet größerten Teilbereichen des Anschlusses 7 wie inWay simultaneously formed in the p-area 2 larger sub-areas of the terminal 7 as in FIG

werden. , F i g. 1 gezeigt. Auf diese Weise ist ein Leucht-will. , F i g. 1 shown. In this way a luminous

Dann werden gleichzeitig p-Bereiche4a,46,...,4g 45 anzeigeelement fertiggestellt. *Then p-areas 4 a, 4 6, ..., 4 g 45 display element are completed at the same time. *

in die zugehörigen n-Bereiche 32, 326,..., 32 g und Lediglich zum Zwecke der übersichtlichen Dar-into the associated n-areas 32, 326, ..., 32 g and only for the purpose of clear presentation

hierauf n⁺-Ber?iche Sa, Sh, ...,Sg gleichzeitig in stellung zeigt Fig. 2 die Elektroden 11a, 116,...,whereupon n ⁺ areas Sa, Sh, ..., Sg simultaneously in position, Fig. 2 shows the electrodes 11a, 116, ...,

die entsprechenden p-Bereiche 4a, Ab,.. .,4g dif- 11gnichr. Die Leuchtdiode kann vorzugsweise durchthe corresponding p-regions 4a, Ab, ..., 4g dif- 11gnichr. The light emitting diode can preferably by

λ-indiert, um eine Vielzahl von Transistoren auszu- eine geeignete Schutzschicht wie den Film 6 geschütztλ-indexed in order to cover a large number of transistors - a suitable protective layer such as the film 6

bilden, in diesem Falle iipn-Transistoren. 50 sein, obwohl dies nicht dargestellt ist.form, in this case iipn transistors. 50, although this is not shown.

In F i g. 2 ist zu erkennen, daß ein Film 6 aus In der dargestellten Anordnung ist jede der Leuchtsinsni beliebigen geeigneten elektrisch isolieren^*" dioden 10 elektrisch mit dem zugehörigen Transistor Material wie Siliziumdioxyd (SiO₂) auf der ausgesetz- 9-4-32 in der Weise verDunder, wie es als Beispiel ten Oberfläche der p-Bereiche" einschließlich der für die Leuchtdiode 10 a und den zugehörigen Tranverschiedenen Bereiche 3, 3i, 32, 4 und 5 angeordnet 55 sistor in Fig. 3 gezeigt ist. Im einzelnen besteht der und ein Anschluß 7 für die Spannungsversorgung in Transistor aus dem p-Bereich 4a als Basisbereich, einem vorbestimmten Muster auf dem isolierenden welcher mit dem Eingangsanschluß Sa verbunden ist. Film 6 aufgebracht ist. In dem dargestellten Beispiel dem n-Emitterbereich, weicher über die interne Verhat der Anschluß 7 die Form eines Rechtecks mit bindung α mit einem Funkt mit Öezugspotential. in vergrößerten Teilbereichen an vorbestimmten Stellen, 60 diesem Falle dem Substrat 1 vom p⁺-Typ, verbunden und alle diffundierten Bereiche liegen innerhalb des ist, und dem n-Bereich 32 als Kollektorbereich, Rechtecks, Wie in. Fig. 1 gezeigt, wo der isolierende welcher über einen vom n-Bereich 31a dargestellten Film 6 als durchsichtig dargestellt ist, sind eine Viel- Widerstand mit der Kathodenelektrode der Leuchtzahl Eingangsanschlüsse 8a, 86, ...,8g an vor- diode 10 a verbunden ist, deren Anodenelektrode bestimmten bellen des Films6 angeordnet, unter 65 ihrerseits über die Elektrodella mit der positiven welchem sich keine diffundierten Bereiche befinden, Seite einer Gleichstromquelle 13 verbunden ist, und weisen Verbindungen zu den zugehörigen welche über den Anschluß 7 und das Substrat 1 vom p-Bereichen 4a, 46, ...,4g als Basisbereiche der n⁺-Typ verbindbar ist.In Fig. 2 it can be seen that a film 6 is made of In the illustrated arrangement, each of the Leuchtsinsni any suitable electrically isolating ^ * "diodes 10 is exposed electrically to the associated transistor material such as silicon dioxide (SiO ₂ ) on the 9-4-32 in the VerDunder way, as it is shown as an example of the surface of the p-regions "including the regions 3, 3i, 32, 4 and 5 arranged 55 for the light-emitting diode 10 a and the associated transistors" in FIG. Specifically, the and a terminal 7 for the voltage supply in the transistor consists of the p-region 4a as the base region, a predetermined pattern on the insulating which is connected to the input terminal Sa. Film 6 is applied. In the example shown, the n-emitter area, which is the internal behavior of the terminal 7 in the shape of a rectangle with bond α with a point with pulling potential. in enlarged partial areas at predetermined locations, 60 in this case the substrate 1 of the p ⁺ -type, and all diffused areas lie within the is, and the n-area 32 as a collector area, rectangles, as shown in Fig. 1, where the insulating, which is shown as transparent via a film 6 shown by the n-area 31a, are a multi-resistor with the cathode electrode of the luminous number input terminals 8a, 86, ..., 8g connected to front diode 10a, the anode electrode of which barks certain of the film 6, under 65 in turn connected via the electrodella with the positive side of a direct current source 13, which has no diffused areas, and have connections to the associated which via the connection 7 and the substrate 1 of the p-areas 4a, 46, ..., 4g as base areas of the n ⁺ type can be connected.

Wenn dem Eingangsanschluß Sa ein Eingangs- außerhalb des p-Bereiches 40 ist eine Vielzahl von ' signal zugeführt wird, wird der Transistor 9a-4a-32a als gestrichelte Blöcke dargestellten Steuerkrejseh 20, leitend und. bewirkt einen Stromfluß durch die 206,.. .,2Og, jeweils einer für jede Leuchtdiode 10, Leuchtdiode 10a, wodurch die Leuchtdiode Licht angeordnet. Die Steuerkreise 20 umfassen jeweils abgibt. 5 einen Widerstand aus dem n-Bereich 31 und einenWhen the input terminal Sa is supplied with an input outside of the p-region 40 is a plurality of 'signals, the transistor 9a-4a-32a is shown as dashed blocks control circuit 20, conductive and. causes a current to flow through the 206, ..., 20g, one for each light-emitting diode 10, light-emitting diode 10a, whereby the light-emitting diode arranges light. The control circuits 20 each include emits. 5 a resistor from the n region 31 and a

Es ist daher zu erkennen, daß in der Anordnung Transistor, bestehend aus dim n⁺-Bercich 5 als nach Fig, 1 das Anlegen von EingangssignaleriJah Emitterbereich, welcher mit de/ Elektrode 11 auf einige ausgewählte der Eingangsanschlüsse "8o*j8fe/ , der entsprechenden Leuchtdiode 10 über die Emitter- ...,Sg die mit diesen verbundenen Transistoren elektrode oder Verbindung? und eine Leitung 15, leitend macht, worauf die zugehörigen Leuchtdicden io welche beispielsweise aus dünnem Golddraht gebildet Licht abgeben können. Wenn z. B. Eingangssignale ist, verbunden ist, aus dem p-Bereich 4 als Basis- :It can therefore be seen that in the transistor arrangement, consisting of dim n ⁺ -Bercich 5 as shown in FIG Light-emitting diode 10 via the emitter ..., Sg makes the transistors connected to these electrodes or connection? And a line 15, conductive, whereupon the associated light-emitting diodes, which are formed, for example, from thin gold wire, can emit light , is connected, from the p-region 4 as the base:

an die Eingangsanschlüsse Sa, Sb 8/ gelegt bereich, welcher wie in der in F i g. 1 und 2 gezeigten ito the input connections Sa, Sb 8 / placed area, which as in the in F i g. 1 and 2 shown i

werden, geben die zugehörigen Leuchtdioden 10a, Anordnung mit dem Eingangsanschluß 8 verbunden jare, give the associated light-emitting diodes 10a, arrangement connected to the input terminal 8 j

106,. . ., 10/ Licht ab, und es wird die Ziffer »0« ist, und aus dem n-Bereich 32 als Kollektorbereich, j106 ,. . ., 10 / light off, and it becomes the number "0", and from the n area 32 as the collector area, j

angezeigt. Wenn andererseits Eingangssignale an die 15 welcher mit dem Widerstandsbereich or!er n-Bereichdisplayed. On the other hand, when input signals to the 15 which with the resistance range or! Er n range

Eingangsanschlüsse 8a und 8/ gelegt werden, geben 31 verbunden ist. Sonst ist die Anordnung iinwesent-Input terminals 8a and 8 / are placed, give 31 is connected. Otherwise the arrangement is essential.

die zugehörigen Leuchtdioden 10a und 10/ Licht ab liehen gleich der in Fig. 1 und 2 gezeigten.the associated light emitting diodes 10a and 10 / light borrowed from the same as that shown in FIGS.

und zeigen die Ziffer »1« an. Die Leuchtdioden 10 s>nd daher jeweils zwischenand show the number "1". The light-emitting diodes 10 s> nd therefore each between

In der in F i g. 1 und 2 gezeigten Anordnung ist die Emitterelektroden oder Verbindungen 9 auf dem '■ In the in F i g. The arrangement shown in 1 and 2 is the emitter electrodes or connections 9 on the '■

eine Mehrzahl, in diesem Fall sieben, Leuchtanzeige- ao zugehörigen Transistor und einen Punkt mit Bezugselemente oder Leuchtdioden auf dem Substrat aus potential oder das Substrat 1 vom n*-Typ, wie in halbleitendem Material in einem vorbestimmten Fig. 7 gezeigt, geschaltet, wo die Leuchtdiode 10α ,a plurality, in this case seven, illuminated display ao associated transistor and a point with reference elements or light-emitting diodes on the substrate from potential or the substrate 1 from the n * -type, as in FIG semiconducting material shown in a predetermined Fig. 7, switched where the light emitting diode 10α,

Muster angeordnet, um wahlweise verschiedene vor- und der zugehörige Steuerkreis als Beispiel dargestellt '■ Pattern arranged to selectively different front and the associated control circuit shown as an example '■

bestimmte Arten von Information anzuzeigen, und sind. Düt in F ig. 7 gezeigte Kreis ist von dem in Fig. 3 die zugehörigen Steuerkreise einschließlich der ent- *5 gezeigiep lediglich bezüglich der Lage der Leuchtdiode sprechenden Transistoren . und Widerstände zur 10a relativ zu dem Transistor verschieden. In beiden Speisung der Leuchtdioden sind in den Teilen des Figuren wurden gleiche Bezugszeichen zur Bezeich-Substrates angeordnet, welche nicht von den Leucht- nung einander entsprechender Teile verwendet, dioden belegt sind. Das Substrat kann daher wirksam Die Teile, welche den Steuerkreis 20 bilden, unddisplay certain types of information, and are. Düt in Fig. 7 is the circuit shown in FIG. 3, the associated control circuits including the corresponding transistors that only speak with regard to the position of the light-emitting diode. and resistances to 10a are different relative to the transistor. In the parts of the figures, the same reference numerals have been arranged for the designation substrate in both supply of the light-emitting diodes, which are not used by the lighting of corresponding parts, but are occupied by diodes. The substrate can therefore effectively The parts constituting the control circuit 20, and

ausgenutzt werden, ohne verfügbare Teile des Sub- 30 die Elektroden oder Anschlüsse 7 und 8 sind in der strates zu vergeuden, woraus sich eine kleine An- Weise wie im Zusammenhang mit F i g. 1 und 2 oben Zeigevorrichtung ergibt. Wenn das erforderliche beschrieben und entsprechend den Mustern, wie sie Muster für die Leuchtanzeigeelemente vorweg be- durch das Muster der Leuchtdiode 10 vorbestimmt stimmt worden ist, ist es erforderlich, eine minimale sind, aufgebaut. Der p-Bereich «Ϊ0 wird vorzugsweise Anzahl von Elektroden zur Verwendung bei der 35 in dem cpitaxiaJen p-Bereich 2 ? eichzeitig mit der Verdrahtung an7uordnen, w:'i zur Vereinfachung des Bildung des p-Bereiches 4 der Transistoren ausge-Aufbzus führt. Zusätzlich if. die Anzeigevorrichtung bildetcan be used without available parts of the sub- 30 the electrodes or connections 7 and 8 are to be wasted in the strates, which results in a small amount of material as in connection with FIG. 1 and 2 above pointing device results. If the required has been described and corrected in accordance with the patterns as the pattern for the luminous display elements predetermined by the pattern of the light-emitting diode 10, it is necessary to have a minimum set up. The p-area «0 is preferably number of electrodes for use in the 35 in the cpitaxiaJen p-area 2? To be arranged at the same time as the wiring, w: 'i leads to the simplification of the formation of the p-area 4 of the transistors. Additionally if. forms the display device

auf einem Substrat aus halbleitendem Material statt In der in Fig. 4 bis 6 gezeigten Anordnung wirdon a substrate made of semiconducting material instead of In the arrangement shown in FIGS. 4 to 6

auf einem vorher hergestellten elektrisch isolierenden der Anzeigeblock 50 vorweg in seiner vorbestimmten Substrat, wie z. B. Keramik, angeordnet Dies führt 40 lage auf dem Substrat 1 aus halbierendem Material sowohl zu einer Zunahme der Zuverlässigkeit als angeordnet und weist eine Mehrzahl Leuchtanzeigeauch des Leuchtwirkungsgrades der Anzeigevorrich- elemente oder Leuchtdioden 10 in einem vorbestimmtung. weil das Substrat aus halbierendem Material ten Muster auf ihm angeordnet auf. Hierdurch dem keramischen Substrat in der Wärmeleitfähigkeit können däe Leuchtdioden leicht in einem vorbestimmüberlegen ist. 45 ten Verhältnis angeordnet werden.on a previously produced electrically insulating the display block 50 in advance in its predetermined Substrate, such as B. Ceramic, arranged This leads 40 layer on the substrate 1 made of bisecting material both to an increase in reliability as arranged and has a plurality of luminous indicators also the luminous efficiency of the display device elements or light-emitting diodes 10 in a predetermined manner. because the substrate made of bisecting material th patterns arranged on it. Through this The light emitting diodes can easily be superior to the ceramic substrate in thermal conductivity in a predetermined manner is. 45 th ratio are arranged.

In Fig. 4 bis 6. in welchen gleiche BezugszeJch^n Mit auf einem einzigen, auf dem Substrat ausIn Fig. 4 to 6. in which like reference numerals with on a single, on the substrate

den in F i g. I und 2 gezeigten Teilen entsprechende halbleitendem Material angeordneten BIock ausge- oder ähnliche Teile bezeichnen, ist eine Modifikation bildeten Leuchtanzeigeelementen können die Leuchtder Erfindung dargestellt. In dieser modifizierten anzeigeelemente auf dem Substrat in einer kleinen Anordnung hat der epitaxiale p-Bereich 2 anstatt der 50 Fläche und auf einfache Weise angeordnet werden, n-Bereiche3, wie es in Fig.1 und 2 gezeigt ist, um wahlweise vorbestimmte verschiedene Arten von einen zentral eindiffundierten einzigen p-Bereich 40 Information zu ergeben.the in F i g. I and 2 parts shown corresponding to semiconducting material arranged block formed or similar parts, is a modification formed light display elements can be the light Invention shown. In this modified display elements on the substrate in a small Arrangement, the epitaxial p-region has 2 instead of the 50 area and can be arranged in a simple manner, n-areas3, as shown in Figs. 1 and 2, to optionally select predetermined different types of to yield a single p-region 40 diffused in the center of information.

mit einer Fläche und einem Profil, weiche ausreichen. Wenn der Kolfektorbereich des Transistors, derwith a surface and a profile that are sufficient. When the colector region of the transistor, the

eine Mehrzahl von Lcuchtanzeigeelementen auf dem einen Teil jedes Steuerkreises bildet, ausgedehnt p-Bereich 40 auszubilden. Der Anzeigeblock 50 um- 55 wird, und die zugehörige Leuchtdiode auf dem ausfaßt einen n-Bereich 51, welcher als epitaxial ge- gedehnten Teil des Kollektorbereichs des Transistors zogenes halbleitendes Galüumsenid (GaAs) auf dem angeordnet ist, kann die Elektrode auf der Leucht- \ forming a plurality of light display elements on a part of each control circuit to form p-area 40 extended. The display block 50 is encompassed, and the associated light-emitting diode on which encompasses an n-area 51, which is arranged as an epitaxially expanded part of the collector area of the transistor with semiconducting gallium oxide (GaAs) on which the electrode can be placed on the light-emitting diode. \

p-Bereich 40 ausgebildet ist, «and eine Mehrzahl von diode als Kollektorelektrode dieses Transistors ver- ip-region 40 is formed, and a plurality of diodes are used as the collector electrode of this transistor

p-Bereichen 52, von denen lediglich einer in F i g. 6 wendet werden, woraus sich ergibt, daß der Etekals in den n-Bereich 50 eindiffundiert dargestellt ist, 60 trodenaufbau einfach ausgebildet werden kann, was in einem vorbestimmten Muster, um eine Mehrzahl zu einer Verringerung in der Anzahl der Herstel- \ p-regions 52, only one of which in FIG. 6, from which it follows that the Etekals is shown diffused into the n-area 50, 60 electrode structure can be easily formed, which in a predetermined pattern in order to allow a majority to a reduction in the number of manufacturing \

von Leuchtdioden 10a, 106,..., 10g, wie in Fig. I Iungsschritte führtof light-emitting diodes 10a, 106, ..., 10g, as shown in Fig

und 2 gezeigt, zu ergeben. Der elektrisch isolierende Wie bereits erwähnt, vergrößert die Erfindung !and Fig. 2 shown to result. The electrically insulating As already mentioned, enlarges the invention!

* Film 6 ist auf der Oberfläche des Anzeigeblocks 50 sowohl die Zuverlässigkeit als auch den Leuchtmit Ausnahme von Bereichen angebracht, in welchen 65 wirkungsgrad, weil das früher verwendete elektrisch eine Elektrode mit jeder Leuchtdiode 10 auf dem isolierende Substrat durch das Substrat aus halbp-Bcreich 52 verbunden ist, leitendem Material ersetzt ist, welches eine bessere ί* Film 6 is on the surface of the display block 50 both in reliability and luminance Except for areas in which 65 efficiency, because the previously used electrical an electrode with each light emitting diode 10 on the insulating substrate through the substrate of half p-range 52 is connected, conductive material is replaced, which is a better ί

Auf den bilateralen Teil des p-Bereiches 2 und Wärmeleitfähigkeit aufweist. . iOn the bilateral part of the p-area 2 and having thermal conductivity. . i

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims

, J Connection of the logic circuits or control circuits Patent claims: with the associated illuminated display elements, the substrate was metallized with a suitable

1. Display device with a plurality of Neten metal, such as. B. Gold, achieved. Therefore, the larger the number of types of conductive elements to be displayed and each with each piece of information, the more complicated the logic pattern associated with the gold wiring and the larger the circle or control circuit using the corresponding display device became ,
conductive elements, thereby k en nzei c h- Accordingly, the invention is the object

net that the majority of the logic circles io are based on a display device of the initially or to create circuits (20 a to 20 g) completely in the manner described, in which the or on a substrate made of semiconducting entire surface of one used for manufacture Material (2) is arranged, the plurality of semiconductor substrate can be effectively utilized, Illuminated display elements (10 a to 10 g) firmly on the overall dimensions of the display device 15 to reduce the substrate in predetermined positions in this way.

is arranged that predetermined different This task is performed with a display device

Types of information selected displayable of the type described in the introduction, solved in that

: are and the circuits or control circuits delete the majority of the logic circuits according to the invention

- (20 a to 20 g) nat the corresponding output or switching circuits completely in or on a connections is arranged directly with the associated ao substrate made of semiconducting material, Illuminated display elements (10 a to 10 g) electrically fixed on the plurality of illuminated display elements are connected. the substrate in predetermined positions in such a way

: 2. Display device according to claim 1, arranged in that predetermined different types

^: 1 characterized in that the majority of the information can be displayed in a selected manner, and

- Illuminated display elements (10 a to 10 g) completely 35 the logic circuits or control circuits with the ent on a single, on the substrate of semi-speaking output connections directly with conductive material (V arranged display- the associated illuminated display elements electrically block (SO) un ^e r Ve., Using semiconducting egg- are connected.

3 ments is arranged. The display device according to the invention has

3. Display device according to claim 1, but a larger one compared to known devices

characterized by the fact that each of the logical reliability and a high degree of lighting efficiency

Circuits or control circuits (20 a to .1Og) from one and is simple in its internal connections

: Transistor with a collector area (32 a to built up. It also has an improved elec-

i 32 g) and a continuously connecting electrode arrangement and is with a reduced

ßenden area (31a to 31g, 3 a to 3 g) from 35 number of process steps, compared with

5 same conductivity type as the collector-known display devices, hej ^ adjustable.

1 area exists on which the associated preferably the display according to the invention is

~ Illuminated display element (10 α to 10 g) arranged device constructed so that the majority of

: and thus the illuminated display element (10 a to illuminated display elements completely on a single

I 10g) with the collector area (32a to 32g) of the 40 gene, on the substrate made of semiconducting material

: Transistor is connected. arranged display block with use of half

4. The display device is arranged according to one of the instruction elements.

: Claims 1 to 3, characterized in that the. An expedient embodiment of the invention

; Indicator light a light emitting diode (10 a to is that each of the logic circles or

10g) using semiconducting elements. 45 control circuits from one transistor with one collector area and a continuously connected _______ sending area of the same conductivity type as

the collector area exists on which the associated Luminous display element arranged and thus

The invention relates to a display 50, the luminous display element with the collector area . device is connected to a plurality of light indicator of the transistor.
* ■ elements using semiconducting elements The luminous display element can advantageously be a

and with a light-emitting diode assigned to each light-emitting display element using semiconducting elements be a logical circuit or control circuit.

Use of semiconducting elements. 55 embodiments of the invention are in the

J, - crowned such display devices of the overall drawing and will hereinafter be called f kind consist of a substrate, eg. B. from described in more detail. It shows
_{according to} Ceramics, light-emitting display elements such as light-emitting diodes, F i g. 1 is a perspective view of an inven-

ί · which are arranged on a part of the substrate in such a duly constructed embodiment of a r pattern that they are optionally in front of.
I certain various types of information Fig. 2 is a sectional view taken along the line H-II

result, and each a logical circle or control in Fig. 1,

ξ circle for each illuminated display element, which on Fig. 3 is an equivalent circuit diagram of part of the

: 'is arranged other parts of the substrate, and direction of Fig. 1,

^r whose output endc in each case electrically with the 63 F i g. 4 is a schematic plan view of a / associated luminous display element to be connected, modification of the invention;
Ij whereby the predetermined different types of FIG. 5, a partial plan view in enlarged Μαβί information can be optionally displayed. The electric rod of part of the in Fig. 4 shown device,