DE20306928U1 - Semiconductor component emitting and/or receiving radiation used as an optoelectronic semiconductor component comprises a semiconductor chip arranged in a recess of a housing base body and encapsulated with a sleeve mass - Google Patents

Semiconductor component emitting and/or receiving radiation used as an optoelectronic semiconductor component comprises a semiconductor chip arranged in a recess of a housing base body and encapsulated with a sleeve mass Download PDF

Info

Publication number
DE20306928U1
DE20306928U1 DE20306928U DE20306928U DE20306928U1 DE 20306928 U1 DE20306928 U1 DE 20306928U1 DE 20306928 U DE20306928 U DE 20306928U DE 20306928 U DE20306928 U DE 20306928U DE 20306928 U1 DE20306928 U1 DE 20306928U1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
chip
semiconductor component
component according
semiconductor
recess
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE20306928U
Other languages
German (de)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=32509776&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=DE20306928(U1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to DE20306928U priority Critical patent/DE20306928U1/en
Publication of DE20306928U1 publication Critical patent/DE20306928U1/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

Semiconductor component emitting and/or receiving radiation comprises a semiconductor chip arranged in a recess of a housing base body and encapsulated with a sleeve mass. The recess is fixed to a chip sink in which the chip is fixed and has a trench partially surrounding the chip sink. A wall is formed between the chip sink and the trench whose apex lies below the level of the surface of the housing base body. Semiconductor component emitting and/or receiving radiation comprises a semiconductor chip (1) arranged in a recess (2) of a housing base body (3) and encapsulated with a sleeve mass (4). The recess is fixed to a chip sink (21) in which the chip is fixed and has a trench (22) partially surrounding the chip sink. A wall (23) is formed between the chip sink and the trench whose apex lies below the level of the surface of the housing base body. The sleeve mass interacts with the trench from the chip sink via the wall. An independent claim is also included for a housing base body used in the semiconductor component.

Description

Elektromagnetische Strahlung aussendendes und/oder empfangendes Halbleiter-Bauelement und Gehäuse-Grundkörper für ein derartiges Bauelement Die Erfindung bezieht sich auf ein elektromagnetische Strahlung aussendendes und/oder empfangendes Halbleiter-Bauelement gemäß dem Oberbegriff des Schutzanspruches 1 und auf einen Gehäuse-Grundkörper gemäß dem Oberbegriff des Schutzanspruches 14.Emitting electromagnetic radiation and / or receiving semiconductor component and housing base body for such Component The invention relates to an electromagnetic Radiation-emitting and / or receiving semiconductor component according to the generic term of protection claim 1 and on a housing body according to the preamble of the protection claim 14th

Sie bezieht sich insbesondere auf ein oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement, insbesondere auf Leiterrahmen(Leadframe)-Basis, bei dem der Halbleiterchip in einer Ausnehmung eines Gehäuse-Grundkörpers angeordnet und dort befestigt ist. Der Gehäuse-Grundkörper ist vorzugsweise vorgefertigt, bevor der Halbleiterchip in die Ausnehmung montiert wird.It relates in particular to a surface mountable optoelectronic component, in particular based on a leadframe, in which the semiconductor chip is arranged in a recess of a housing base and is attached there. The housing base body is preferred prefabricated before the semiconductor chip is mounted in the recess becomes.

Solche Halbleiter-Bauelemente sind beispielsweise aus Siemens Components 29 (1991) Heft 4, Seiten 147 bis 149 bekannt. Herkömmlich werden als Umhüllungsmasse beispielsweise auf Epoxidharz basierende Vergußmaterialien verwendet. Derartige Vergußmaterialien sind aber oftmals anfällig gegenüber UV-Strahlung.Such semiconductor devices are for example from Siemens Components 29 (1991) Issue 4, pages 147 known until 149. Become conventional as a coating mass for example, based on epoxy resin potting materials. such potting materials but are often vulnerable across from UV radiation.

Um die UV-Beständigkeit von strahlungsemittierenden und/oder strahlungsempfangenden optoelektronischen Halbleiterbauelementen zu verbessern ist die Verwendung von Umhüllungsmassen aus Silikonharz vorgeschlagen. Diese bringen aber die Schwierigkeit mit sich, dass sie mit den herkömmlich verwendeten Materialien für den Gehäuse-Grundkörper keine so feste Bindung eingehen, wie es beispielsweise Epoxidharz tut. Deshalb besteht bei der Verwendung von Silikonharz als Umhüllungsmasse eine erhöhte Gefahr, dass bei mechanischer oder thermischer Belastung zwischen Gehäuse-Grundkörper und Umhüllungs masse Delamination auftritt, die am oberen Rand der Ausnehmung startet und sich in die Ausnehmung hinein fortpflanzt. Dies führt zu einem Lichtverlust aufgrund zusätzlicher reflektierender Flächen im Delaminationsbereich. Zudem kann es im schlimmsten Fall zur völligen Ablösung der Chipumhüllung aus dem Gehäuse-Grundkörper kommen.To the UV resistance of radiation emitting and / or radiation-receiving optoelectronic semiconductor components the use of coating compounds made of silicone resin is to be improved proposed. However, these bring with them the difficulty that them with the conventionally used ones Materials for the housing base body none form as firm a bond as epoxy resin does, for example. Therefore, when using silicone resin as an encapsulant increased Danger of mechanical or thermal stress between Housing body and Wrapping mass Delamination occurs that starts at the top of the recess and propagates into the recess. This leads to one Loss of light due to additional reflective surfaces in the delamination area. In the worst case, it can also completely replace the chip wrapping come out of the main body.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Halbleiterbauelement der eingangs genannten Art, insbesondere ein oberflächenmontierbares Halbleiterbauelement der eingangs genannten Art bereitzustellen, bei dem trotz Verwendung einer Umhüllungsmasse, deren Bindung zum Gehäuse-Grundkörper gegenüber mechanischer Belastung stark anfällig ist, die Gefahr einer Delamination zwischen Umhüllungsmasse und Gehäuse-Grundkörper verringert ist.The present invention lies the task is based on a semiconductor device of the aforementioned Kind, especially a surface mount To provide semiconductor components of the type mentioned at the outset, where despite the use of an encapsulant, the binding to the housing base body compared to mechanical Highly susceptible to stress the risk of delamination between the encapsulation compound and the housing base body is reduced is.

Diese Aufgabe wird durch ein Halbleiterbauelement mit den Merkmalen des Patenanspruches 1 beziehungsweise durch einen Gehäuse-Grundkörper mit den Merkmalen des Schutzanspruches 14 gelöst.This task is accomplished by a semiconductor device with the features of claim 1 or by a Basic body with the features of the protection claim 14 solved.

Vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen des Halbleiterbauelements bzw. des Gehäuse-Grundkörpers sind Gegenstand der Ansprüche 2 bis 13 und 15 bis 20.Advantageous embodiments and further developments of the semiconductor component or the housing base body are the subject of claims 2 to 13 and 15 to 20.

Bei einem Halbleiterbauelement beziehungsweise einem Gehäuse-Grundkörper gemäß der Erfindung weist die Ausnehmung eine Chipwanne auf, in der der Halbleiterchip befestigt ist und ist die Chipwanne innerhalb der Ausnehmung zumindest teilweise, das heißt über einen Teil des Umfangs der Chipwanne, von einem Graben umgeben. Zwischen der Chipwanne und dem Graben ist folglich eine Wand des Gehäuse-Grundkörpers ausgebildet. Der Scheitel der Wand liegt gesehen von einer Bodenfläche der Chipwanne insgesamt unterhalb des Niveaus der Vorderseite des Gehäuse-Grundkörpers. Die Vorderseite ist hierbei diejenige äußere Oberfläche des Gehäuse-Grundkörpers, von der aus die Ausnehmung in den Gehäuse-Grundkörper eindringt, das heißt, ist die Seite des Bauelements, über die elektromagnetische Strahlung emittiert und/oder empfangen wird.In the case of a semiconductor component, respectively a housing base body according to the invention the recess has a chip trough in which the semiconductor chip is attached and the chip trough is at least within the recess partially, that is, over one Part of the circumference of the chip well, surrounded by a trench. Between a wall of the housing base body is consequently formed in the chip trough and in the trench. The The apex of the wall is seen from a floor surface of the Chip tray overall below the level of the front of the housing base. The The front is the outer surface of the housing base body from which the recess penetrates into the body of the housing, that is, is the side of the component over which electromagnetic radiation is emitted and / or received.

Bei dem Halbleiterbauelement ist die Umhüllungsmasse derart in die Ausnehmung gefüllt, dass sie von der Chipwanne aus über die Wand in den Graben greift. Im Graben ist einstückig mit der übrigen Umhüllungsmasse ein zumindest teilweise umlaufender Dichtring aus Umhüllungsmaterial ausgebildet. Vorzugsweise basiert die Umhüllungsmasse auf Silikon und weist diese eine gelartige Konsistenz aufweist.In the semiconductor device the coating mass filled into the recess in such a way that they're over from the chip tub the wall reaches into the trench. In the trench is in one piece with the rest encapsulant an at least partially circumferential sealing ring made of wrapping material educated. The coating composition is preferably based on silicone and has a gel-like consistency.

Bei einer besonders vorteilhaften und daher besonders bevorzugten Ausführungsform des Bauelements beziehungsweise des Gehäuse-Grundkörpers ist an der Wand mindestens ein Verankerungselement, vorzugsweise in Form einer an den Gehäuse-Grundkörper angeformten Nase oder Rippe oder in Form einer Furche ausgebildet.With a particularly advantageous and therefore particularly preferred embodiment of the component or the housing base body on the wall at least one anchoring element, preferably in Form of a molded onto the housing base body Nose or rib or in the form of a furrow.

Bei einer Mehrzahl von Verankerungselementen sind diese vorzugsweise gleichmäßig, das heißt mit im Wesentlichen gleichen Abständen untereinander, um die Chipwanne herum auf der Wand verteilt. Die Umhüllungsmasse überspannt vorzugsweise das (die) Verankerungselement(e). Der Füllstand innerhalb der Ausnehmung ist insbesondere so hoch, dass die Umhüllungsmasse eine im wesentlichen plane Vorderseite aufweist. Dies erleichtert die Weiterverarbeitung der Bauelement mittels herkömmlicher Pick-and-Place-Vorrichtungen.With a plurality of anchoring elements are these preferably uniform, that is with im Essentially equal intervals among themselves, around the chip tray on the wall. The Wrapping mass spanned preferably the anchoring element (s). The fill level inside the recess is in particular so high that the encapsulation mass has a substantially flat front. This makes it easier the further processing of the component using conventional Pick-and-place devices.

Bei einer anderen vorteilhaften Ausführungsform des Bauelements bzw. des Gehäuse-Grundkörpers ist die Umhüllungsmasse schlaufenartig um das (die) Verankerungselement(e) gelegt ist, derart, dass das (die) Verankerungselement(e) zumindest teilweise aus der Umhüllungsmasse herausragt (herausragen). Damit kann der mechanische Zug auf den Verankerungsbereich im Graben nochmals reduziert werden.In another advantageous embodiment of the component or the housing base body the coating mass loop-like around the anchoring element (s), such that the (the) anchoring element (s) at least partially from the encapsulant protrudes (protrude). So that the mechanical train on the Anchorage area in the trench can be reduced again.

Die Umhüllungsmasse bildet besonders bevorzugt im Graben eine durchgängigen Dichtring um die Chipwanne aus.The encapsulation compound particularly preferably forms a continuous sealing ring in the trench the chip tub.

Bei einer besonderen Ausführungsform des Bauelements bzw. des Gehäuse-Grundkörpers ist die Chipwanne als Reflektorwanne für die vom Halbleiterchip ausgesandte und/oder empfangene Strahlung ausgebildet.In a special embodiment of the component or the housing base body is the Chip tub as a reflector tub for the radiation emitted and / or received by the semiconductor chip educated.

Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform des Bauelements bzw. des Gehäuse-Grundkörpers ist der Gehäuse-Grundkörper an einem metallischen Leiterrahmenband (Leadframeband) mittels Spritzen oder Pressen vorgefertigt.In a particularly preferred embodiment of the component or the housing base body the body of the housing a metallic lead frame tape (leadframe tape) by means of spraying or presses prefabricated.

In die Umhüllungsmasse kann auf einfache Weise mit mindestens einem Leuchtstoffmaterial eingemischt werden, das einen Teil der vom Halbleiterchip emittierten Strahlung absorbiert und Strahlung mit im Vergleich zur absorbierten Strahlung geänderter Wellenlänge emittiert. Dadurch können auf einfache Weise Leuchtdiodenbauelemente hergestellt werden, die mischfarbiges Licht oder farbangepaßtes Licht aussenden.In the coating mass can be easily are mixed in with at least one phosphor material that absorbs part of the radiation emitted by the semiconductor chip and radiation with changed compared to the absorbed radiation wavelength emitted. This allows light-emitting diode components can be produced in a simple manner Send mixed-color light or color-matched light.

Bei einer bevorzugten Weiterbildung des Bauelements bzw. des Gehäuse-Grundkörpers weist die Wand mindestens eine Aussparung auf, durch die mindestens ein Chipanschlußdraht vom Halbleiterchip zu einem Drahtanschlußbereich eines elektrischen Anschlussleiters des Bauelements geführt ist.In a preferred further training of the component or the housing base body has the Walled at least one recess through which at least one chip connecting wire from Semiconductor chip to a wire connection area of an electrical Connection conductor of the component is guided.

Bei einem Bauelement gemäß der Erfindung ist es für eine zuverlässige Funktion vorteilhafterweise nicht notwendig, die Umhüllungsmasse beispielsweise mittels einer linsenartigen Abdeckung, wie sie in der US 6,274,924 beschrieben ist, oder mittels eines anderen Abdeckmittels auf dem Gehäuse-Grundkörper zu schützen.In the case of a component according to the invention, it is advantageously not necessary for reliable function to use the encapsulation compound, for example by means of a lens-like cover, as is shown in US 6,274,924 is described, or to be protected on the housing base body by means of another covering means.

Weitere Vorteile und vorteilhafte Weiterbildungen des Bauelements bzw. des Gehäuse-Grundkörpers ergeben sich aus den im Folgenden unter Bezugnahme auf die 1 bis 4 beschriebenen Ausführungsbeispielen. Es zeigen:Further advantages and advantageous developments of the component or of the housing base body result from the following with reference to FIG 1 to 4 described embodiments. Show it:

1, eine schematische Darstellung einer Schnittansicht durch ein erstes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Bauelements, 1 2 shows a schematic illustration of a sectional view through a first exemplary embodiment of a component according to the invention,

2, eine schematische Darstellung einer Schnittansicht durch ein zweites Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Bauelements, 2 2 shows a schematic illustration of a sectional view through a second exemplary embodiment of a component according to the invention,

3, eine schematische Darstellung einer Schnittansicht des Gehäuse-Grundkörpers der beiden Ausführungsbeispiele, 3 2 shows a schematic illustration of a sectional view of the housing base body of the two exemplary embodiments,

4, eine schematische Darstellung einer Draufsicht auf den Gehäuse-Grundkörper beider Ausführungsbeispiele, und 4 , a schematic representation of a plan view of the housing base body of both embodiments, and

5, eine perspektivische Ansicht eines Leuchtdioden(LED)-Gehäuse-Grundkörpers gemäß der Erfindung für ein oberflächenmontierbares LED-Bauelement. 5 , A perspective view of a light emitting diode (LED) housing base body according to the invention for a surface-mountable LED component.

In den Figuren sind gleiche oder gleichwirkende Bestandteile der Ausführungsbeispiele jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen.In the figures, the same or equivalent components of the exemplary embodiments each with provided with the same reference numerals.

Bei dem in 1 schematisch dargestellten Bauelement handelt es sich um ein oberflächenmontierbares Leuchtdiodenbauelement mit einem gegebenenfalls unter anderem W-Strahlung emittierenden Leuchtdiodenchip 1, beispielsweise einen GaNbasierten sichtbares blaues Licht emittierenden Leuchtdiodenchip, der gewollt oder nicht gewollt auch UV-Strahlung emittiert.At the in 1 The schematically illustrated component is a surface-mountable light-emitting diode component with a light-emitting diode chip which may emit UV radiation, among other things 1 , for example a GaN-based visible blue light-emitting diode chip, which intentionally or not intentionally also emits UV radiation.

Der Leuchtdiodenchip 1 ist auf einem elektrischen Chipanschlußteil eines metallischen Leiterrahmens (Leadframe) 6 montiert und über einen Bonddraht 5 mit einem Drahtanschlußbereich 51 eines vom Chipanschlußteil 62 elektrisch getrenn ten elektrischen Drahtanschlußteiles 61 des Leiterrahmens 6 verbunden.The LED chip 1 is on an electrical chip connection part of a metallic lead frame (leadframe) 6 mounted and over a bond wire 5 with a wire connection area 51 one from the chip connector 62 electrically separated th electrical wire connector 61 of the lead frame 6 connected.

Am Leiterrahmen befindet sich ein beispielsweise aus Kunststoff spritzgegossener oder spritzgepresster Gehäuse-Grundkörper (3) mit einer Ausnehmung 2. Die Ausnehmung 2 weist eine Chipwanne 21 auf, in der sich der Leuchtdiodenchip 1 befindet. Um die Chipwanne 21, die vorliegend als Reflektorwanne für eine vom Leuchtdiodenchip 1 ausgesandte elektromagnetische Strahlung ausgebildet ist, verläuft ein Graben 22 (in 3 durch die strichpunktierte Linie 220 angedeutet), so dass zwischen der Chipwanne 21 und diesem Graben 22 eine Wand 23 (in 3 durch die strichpunktierte Linie 230 angedeutet), ausgebildet ist.On the lead frame there is, for example, an injection-molded or injection-molded housing base body ( 3 ) with a recess 2 , The recess 2 has a chip tray 21 in which the LED chip 1 located. Around the chip tub 21 , the present as a reflector trough for one of the LED chip 1 emitted electromagnetic radiation is formed, a trench runs 22 (in 3 through the dash-dotted line 220 indicated), so that between the chip tub 21 and this ditch 22 a wall 23 (in 3 through the dash-dotted line 230 indicated), is formed.

Die Wand 23 weist an einer Stelle eine Aussparung 52 zum Drahtanschlußbereich 51 hin auf, durch den der Bonddraht 5 zum Drahtanschlußbereich 51 hin geführt ist.The wall 23 has a recess at one point 52 to the wire connection area 51 through which the bond wire 5 to the wire connection area 51 is led there.

Auf der Wand 23 ist eine Mehrzahl von Zugentlastungselementen 24 in Form von Nasen oder Rippen ausgebildet, die bis auf den Bereich, wo die Ausnehmung für den Bonddraht 5 ist, beispielsweise gleichmäßig um die Chipwanne 21 herum auf der Wand 23 verteilt sind. Die Zugentlastungselemente 24 beginnen am oberen Auslauf der Wand 23 und stehen nur zum Teil in den Graben 22 hinein, so dass, gesehen von der Chipwanne 21 hinter den Zugentlastungselementen 24 der Graben 22 durchgehend umlaufend ist.On the wall 23 is a plurality of strain relief elements 24 in the form of noses or ribs that extend to the area where the recess for the bond wire 5 is, for example, evenly around the chip trough 21 around on the wall 23 are distributed. The strain relief elements 24 start at the top of the wall 23 and are only partially in the trench 22 inside, so that, seen from the chip tub 21 behind the strain relief elements 24 the ditch 22 is continuous throughout.

Der Scheitel der Wand 23 einschließlich der Zugentlastungselemente 24 liegt, gesehen vom Boden der Chipwanne 21 aus, über die gesamte Länge der Wand 23 unterhalb der Höhe der Vorderseite 31 des Gehäuse-Gruridkörpers 3.The apex of the wall 23 including the strain relief elements 24 lies, seen from the bottom of the chip trough 21 out, along the entire length of the wall 23 below the height of the front 31 of the housing grid body 3 ,

Gehäuse-Grundkörper 3, Wand 23 und Zugentlastungselemente 24 sind vorzugsweise einstückig ausgebildet (man vergleiche dieHousing basic body 3 Wall 23 and strain relief elements 24 are preferably formed in one piece (compare the

3, 4 und 5) und werden in einem einzigen Spritzgußoder Spritzpressvorgang ausgebildet. 3 . 4 and 5 ) and are formed in a single injection molding or injection molding process.

In der Ausnehmung 2 befindet sich eine Umhüllungsmasse 4 aus strahlungsdurchlässigem, beispielsweise klarem, gelartigem Vergußmaterial auf Silikonbasis, der ein Leuchtstoffpulver 7, beispielsweise ein auf YAG:Ce, auf TbAG:Ce oder auf TbYAG:Ce basierender Leuchtstoff beigemischt ist. Solche Leuchtstoffe sind beispielsweise aus der WO 98/12757 und aus der WO 01/08452 bekannt, deren Offenbarungsgehalt insofern hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. Die Umhüllungsmasse 4 füllt die gesamte Ausnehmung 2, weist eine nahezu plane freie Oberfläche auf und bildet im Graben 22 einen Dichtring 41 aus.In the recess 2 there is a coating mass 4 made of radiation-permeable, for example clear, gel-like casting material based on silicone, which is a fluorescent powder 7 , for example a phosphor based on YAG: Ce, TbAG: Ce or TbYAG: Ce is added. Such phosphors are known for example from WO 98/12757 and WO 01/08452, the disclosure content of which is hereby incorporated by reference. The coating mass 4 fills the entire recess 2 , has an almost flat free surface and forms in the trench 22 a sealing ring 41 out.

Das in 2 dargestellte Ausführungsbeispiel unterscheidet sich von dem oben in Verbindung mit 1 beschriebenen Ausführungsbeispiel insbesondere dadurch, dass die Ausnehmung 4 nicht so hoch mit Umhüllungsmasse 4 gefüllt ist, dass die Zugentlastungselemente vollständig von dieser überdeckt sind, sondern dass die Zugentlastungselemente 24 die Umhüllungsmasse 4 durchdringen. Die Umhüllungsmasse 4 ist folglich schlaufenartig um die Zugentlastungselemente 24 gelegt. In diesem Ausführungsbeispiel ist beispielhaft eine klare Umhüllungsmasse 4 auf Silikonbasis ohne Leuchtstoff vorgesehen.This in 2 The illustrated embodiment differs from that described above in connection with 1 described embodiment in particular in that the recess 4 not so high with encapsulant 4 is filled that the strain relief elements are completely covered by this, but that the strain relief elements 24 the coating mass 4 penetrate. The coating mass 4 is consequently loop-like around the strain relief elements 24 placed. In this exemplary embodiment, a clear encapsulation compound is an example 4 provided on a silicone basis without fluorescent.

Den Ausführungsbeispielen entsprechende Gehäusegrundkörper und Umhüllungsmassen können auch für strahlungsempfangende Halbleiterchips, wie Photodiodenchips, eingesetzt werden. An die Stelle des Leuchtdiodenchips 1 kann dann der Photodiodenchip treten.Housing basic bodies and encapsulation compositions corresponding to the exemplary embodiments can also be used for radiation-receiving semiconductor chips, such as photodiode chips. In the place of the LED chip 1 can then kick the photodiode chip.

Die Erläuterung der erfindungsgemäßen technischen Lehre anhand der Ausführungsbeispiele ist selbstverständlich nicht als Beschränkung der Erfindung auf diese zu verstehen. Vielmehr nutzen beispielsweise sämtliche Bauelemente und Gehäuse-Grundkörper die erfindungsgemäße technische Lehre, die eine Chipwanne und einen zumindest teilweise um die Chipwanne um laufenden Graben aufweisen, in den zur Verminderung des Risikos einer Delamination zwischen Chip-Einkapselungsmasse und Gehäuse-Grundkörper die Einkapselungsmasse von der Chipwanne aus übergreift.The explanation of the technical Teaching is based on the embodiments Of course not as a limitation the invention to understand this. Rather use, for example all Components and main body of the housing technical teaching according to the invention, the one chip tray and one at least partially around the chip tray to have running ditch in the to reduce risk a delamination between the chip encapsulation compound and the housing base Encapsulation encompasses from the chip trough.

Claims (20)

Strahlung aussendendes und/oder empfangendes Halbleiter-Bauelement mit mindestens einem Strahlung aussendenden und/oder empfangenden Halbleiterchip (1), der in einer Ausnehmung (2) eines Gehäuse-Grundkörpers (3) angeordnet ist und dort mit einer Umhüllungsmasse (4) eingekapselt ist, die für eine vom Halbleiterchip (1) ausgesandte und/oder empfangene elektromagnetische Strahlung gut durchlässig ist, dadurch gekennzeichnet, daß – die Ausnehmung (2) eine Chipwanne (21), in der der Halbleiterchip (1) befestigt ist, und einen die Chipwanne (21) innerhalb der Ausnehmung (2) zumindest teilweise umlaufenden Graben (22) aufweist, derart, dass zwischen der Chipwanne (21) und dem Graben (22) der Gehäuse-Grundkörper (3) eine Wand (23) aufweist, deren Scheitel gesehen von einer Bodenfläche der Chipwanne (21) unterhalb des Niveaus derjenigen Oberfläche des Gehäuse-Grundkörpers (3) liegt, von der aus die Ausnehmung (2) in den Gehäuse-Grundkörper (3) führt, und – die Umhüllungsmasse (4) von der Chipwanne (21) aus über die Wand in den Graben (22) greift.Radiation-emitting and / or receiving semiconductor component with at least one radiation-emitting and / or receiving semiconductor chip ( 1 ) in a recess ( 2 ) of a basic body ( 3 ) is arranged and there with a coating mass ( 4 ) is encapsulated, which is used by the semiconductor chip ( 1 ) emitted and / or received electromagnetic radiation is well permeable, characterized in that - the recess ( 2 ) a chip tray ( 21 ) in which the semiconductor chip ( 1 ) and the chip tray ( 21 ) inside the recess ( 2 ) at least partially encircling trench ( 22 ), such that between the chip trough ( 21 ) and the trench ( 22 ) the body of the housing ( 3 ) a wall ( 23 ), the apex of which is seen from a bottom surface of the chip trough ( 21 ) below the level of that surface of the housing base body ( 3 ) from which the recess ( 2 ) in the housing base body ( 3 ) leads, and - the coating mass ( 4 ) from the chip tray ( 21 ) from across the wall into the trench ( 22 ) takes effect. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Umhüllungsmasse (4) Silikon enthält.Semiconductor component according to Claim 1, characterized in that the encapsulation compound ( 4 ) Contains silicone. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Umhüllungsmasse (4) eine gelartige Konsistenz aufweist.Semiconductor component according to Claim 1 or 2, characterized in that the encapsulation compound ( 4 ) has a gel-like consistency. Halbleiterbauelement nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß an der Wand (23) mindestens ein Verankerungselement (24) ausgebildet ist.Semiconductor component according to at least one of the preceding claims, characterized in that on the wall ( 23 ) at least one anchoring element ( 24 ) is trained. Halbleiterbauelement nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß an der Wand (23) verteilt, insbesondere gleichmäßig um die Chipwanne an der Wand verteilt, eine Mehrzahl von Verankerungselementen (24) angeordnet sind.Semiconductor component according to Claim 4, characterized in that on the wall ( 23 ) distributed, in particular evenly distributed around the chip trough on the wall, a plurality of anchoring elements ( 24 ) are arranged. Halbleiterbauelement nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß das (die) Verankerungselement(e) (24) als aus der Wand herausragende Verankerungsnase(n) oder -rippe(n) ausgebildet ist (sind) und die Umhüllungsmasse (4) schlaufenartig um das (die) Verankerungselement(e) (24) gelegt ist, derart, dass das (die) Verankerungselement(e) (24) zumindest teilweise aus der Umhüllungsmasse (4) herausragt (herausragen).Semiconductor component according to Claim 4 or 5, characterized in that the anchoring element (s) ( 24 ) is (are) designed as an anchoring nose (s) or rib (s) protruding from the wall and 4 ) loop-like around the anchoring element (s) ( 24 ) is placed in such a way that the anchoring element (s) ( 24 ) at least partially from the encapsulation mass ( 4 ) protrudes (protrude). Halbleiterbauelement nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß das (die) Verankerungselement(e) als aus der Wand herausragende Verankerungsnase(n) oder -rippe(n) ausgebildet ist (sind) und die Umhüllungsmasse (4) das (die) Verankerungselement(e) überspannt.Semiconductor component according to Claim 4 or 5, characterized in that the anchoring element (s) is (are) designed as an anchoring nose (s) or rib (s) protruding from the wall and the encapsulation compound ( 4 ) spans the anchoring element (s). Halbleiterbauelement nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Umhüllungsmasse (4) im Graben (22) einen durchgängigen Dichtring (41) um die Chipwanne (21) ausbildet.Semiconductor component according to at least one of the preceding claims, characterized in that the encapsulation compound ( 4 ) in the ditch ( 22 ) a continuous sealing ring ( 41 ) around the chip tray ( 21 ) trains. Halbleiterbauelement nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Chipwanne (21) als Reflektorwanne für die vom Halbleiterchip ausgesandte und/oder empfangene Strahlung ausgebildet ist.Semiconductor component according to at least one of the preceding claims, characterized in that the chip trough ( 21 ) is designed as a reflector trough for the radiation emitted and / or received by the semiconductor chip. Halbleiterbauelement nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Gehäuse-Grundkörper (3) an einem metallischen Leiterrahmen (6) mittels Spritzen oder Pressen vorgefertigt ist.Semiconductor component according to at least one of the preceding claims, characterized in that the housing base body ( 3 ) on a metallic lead frame ( 6 ) is prefabricated using syringes or presses. Halbleiterbauelement nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß in die Umhüllungsmasse (4) mindestens ein Leuchtstoffmaterial (7) eingemischt ist, das einen Teil der vom Halbleiterchip emittierten Strahlung absorbiert und Strahlung mit im Vergleich zur absorbierten Strahlung geänderter Wellenlänge emittiert.Semiconductor component according to at least one of the preceding claims, characterized in that in the encapsulation compound ( 4 ) at least one phosphor material ( 7 ) is mixed in, which absorbs part of the radiation emitted by the semiconductor chip and radiation in comparison emitted to the absorbed radiation of changed wavelength. Halbleiterbauelement nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Wand mindestens eine Aussparung (52) aufweist, durch die mindestens ein Chipanschlußdraht (5) vom Halbleiterchip (1) zu einem Drahtanschlußbereich (51) eines elektrischen Anschlussleiters (61) des Bauelements geführt ist.Semiconductor component according to at least one of the preceding claims, characterized in that the wall has at least one recess ( 52 ) through which at least one chip connecting wire ( 5 ) from the semiconductor chip ( 1 ) to a wire connection area ( 51 ) of an electrical connection conductor ( 61 ) of the component is guided. Halbleiterbauelement nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterchip UV-Strahlung emittiert.Semiconductor component according to at least one of the preceding Expectations, characterized in that the Semiconductor chip emits UV radiation. Gehäuse-Grundkörper insbesondere für ein Strahlung aussendendes und/oder empfangendes Halbleiter-Bauelement mit mindestens einem Strahlung aussendenden und/oder empfangenden Halbleiterchip mit einer Ausnehmung (2) für den Halbleiterchip (1), in der der Halbleiterchip mit einer Umhüllungsmasse eingekapselt werden kann, dadurch gekennzeichnet, daß – die Ausnehmung (2) eine Chipwanne (21), in der der Halbleiterchip (1) befestigt ist, und einen die Chipwanne (21) innerhalb der Ausnehmung (2) zumindest teilweise umlaufenden Graben (22) aufweist, derart, dass zwischen der Chipwanne (21) und dem Graben (22) der Gehäuse-Grundkörper (3) eine Wand (23) aufweist, deren Scheitel gesehen von einer Bodenfläche der Chipwanne (21) unterhalb des Niveaus derjenigen Oberfläche des Gehäuse-Grundkörpers (3) liegt, von der aus die Ausnehmung (2) in den Gehäuse-Grundkörper (3) führt.Housing base body, in particular for a radiation-emitting and / or receiving semiconductor component with at least one radiation-emitting and / or receiving semiconductor chip with a recess ( 2 ) for the semiconductor chip ( 1 ), in which the semiconductor chip can be encapsulated with an encapsulation compound, characterized in that - the recess ( 2 ) a chip tray ( 21 ) in which the semiconductor chip ( 1 ) and the chip tray ( 21 ) inside the recess ( 2 ) at least partially encircling trench ( 22 ), such that between the chip trough ( 21 ) and the trench ( 22 ) the body of the housing ( 3 ) a wall ( 23 ), the apex of which is seen from a bottom surface of the chip trough ( 21 ) below the level of that surface of the housing base body ( 3 ) from which the recess ( 2 ) in the housing base body ( 3 ) leads. Halbleiterbauelement nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß an der Wand (23) mindestens ein Verankerungselement (24) ausgebildet ist.Semiconductor component according to Claim 14, characterized in that on the wall ( 23 ) at least one anchoring element ( 24 ) is trained. Halbleiterbauelement nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß an der Wand (23) verteilt, insbesondere gleichmäßig um die Chipwanne an der Wand verteilt, eine Mehrzahl von Verankerungselementen (24) angeordnet sind.Semiconductor component according to Claim 14, characterized in that on the wall ( 23 ) distributed, in particular evenly distributed around the chip trough on the wall, a plurality of anchoring elements ( 24 ) are arranged. Halbleiterbauelement nach mindestens einem der Ansprüche 14 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß der Graben (23) von der Chipwanne (21) aus gesehen hinter den Verankerungselementen (24) durchgängig ist, derart, dass eine Umhüllungsmasse (4) im Graben (22) einen durchgängigen Dichtring (41) um die Chipwanne (21) ausbilden kann.Semiconductor component according to at least one of Claims 14 to 16, characterized in that the trench ( 23 ) from the chip tray ( 21 ) seen from behind the anchoring elements ( 24 ) is continuous, such that a coating mass ( 4 ) in the ditch ( 22 ) a continuous sealing ring ( 41 ) around the chip tray ( 21 ) can train. Halbleiterbauelement nach mindestens einem der Ansprüche 14 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Chipwanne (21) als Reflektorwanne für die vom Halbleiterchip ausgesandte und/oder empfangene Strahlung ausgebildet ist.Semiconductor component according to at least one of Claims 14 to 17, characterized in that the chip trough ( 21 ) is designed as a reflector trough for the radiation emitted and / or received by the semiconductor chip. Halbleiterbauelement nach mindestens einem der Ansprüche 14 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß der Gehäuse-Grundkörper (3) an einem metallischen Leiterrahmen (6) mittels Spritzen oder Pressen vorgefertigt ist.Semiconductor component according to at least one of Claims 14 to 18, characterized in that the housing base body ( 3 ) on a metallic lead frame ( 6 ) is prefabricated using syringes or presses. Halbleiterbauelement nach mindestens einem der Ansprüche 14 bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß die Wand mindestens eine Aussparung aufweist, durch die mindestens ein Chipanschlußdraht (5) von einem Halbleiterchip (1) zu einem Drahtanschlußbereich (51) eines elektrischen Anschlussleiters (61) des Bauelements geführt werden kann.Semiconductor component according to at least one of Claims 14 to 19, characterized in that the wall has at least one cutout through which at least one chip connecting wire ( 5 ) from a semiconductor chip ( 1 ) to a wire connection area ( 51 ) of an electrical connection conductor ( 61 ) of the component can be performed.
DE20306928U 2003-01-30 2003-01-30 Semiconductor component emitting and/or receiving radiation used as an optoelectronic semiconductor component comprises a semiconductor chip arranged in a recess of a housing base body and encapsulated with a sleeve mass Expired - Lifetime DE20306928U1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE20306928U DE20306928U1 (en) 2003-01-30 2003-01-30 Semiconductor component emitting and/or receiving radiation used as an optoelectronic semiconductor component comprises a semiconductor chip arranged in a recess of a housing base body and encapsulated with a sleeve mass

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE20306928U DE20306928U1 (en) 2003-01-30 2003-01-30 Semiconductor component emitting and/or receiving radiation used as an optoelectronic semiconductor component comprises a semiconductor chip arranged in a recess of a housing base body and encapsulated with a sleeve mass
DE10303727 2003-01-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE20306928U1 true DE20306928U1 (en) 2004-06-03

Family

ID=32509776

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE20306928U Expired - Lifetime DE20306928U1 (en) 2003-01-30 2003-01-30 Semiconductor component emitting and/or receiving radiation used as an optoelectronic semiconductor component comprises a semiconductor chip arranged in a recess of a housing base body and encapsulated with a sleeve mass

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE20306928U1 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004068594A1 (en) 2003-01-30 2004-08-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Semiconductor component emitting and/or receiving electromagnetic radiation, and housing base for such a component
DE102007001706A1 (en) * 2007-01-11 2008-07-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Housing for optoelectronic component and arrangement of an optoelectronic component in a housing
WO2014037263A1 (en) * 2012-09-05 2014-03-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Housing for an optical component, assembly, method for producing a housing and method for producing an assembly
CN113261115A (en) * 2018-11-30 2021-08-13 威世半导体有限公司 Radiation sensor and method for producing the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0927643A (en) * 1995-07-13 1997-01-28 Stanley Electric Co Ltd Light-receiving/light-emitting element
DE10020465A1 (en) * 2000-04-26 2001-11-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting semiconductor component with luminescence conversion element
EP1249873A2 (en) * 2001-04-09 2002-10-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device
DE10122002A1 (en) * 2001-05-07 2002-11-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Housing for an optoelectronic component and optoelectronic component

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0927643A (en) * 1995-07-13 1997-01-28 Stanley Electric Co Ltd Light-receiving/light-emitting element
DE10020465A1 (en) * 2000-04-26 2001-11-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting semiconductor component with luminescence conversion element
EP1249873A2 (en) * 2001-04-09 2002-10-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device
DE10122002A1 (en) * 2001-05-07 2002-11-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Housing for an optoelectronic component and optoelectronic component

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004068594A1 (en) 2003-01-30 2004-08-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Semiconductor component emitting and/or receiving electromagnetic radiation, and housing base for such a component
DE102007001706A1 (en) * 2007-01-11 2008-07-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Housing for optoelectronic component and arrangement of an optoelectronic component in a housing
US9054279B2 (en) 2007-01-11 2015-06-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component disposed in a recess of a housing and electrical componenet disposed in the housing
WO2014037263A1 (en) * 2012-09-05 2014-03-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Housing for an optical component, assembly, method for producing a housing and method for producing an assembly
CN113261115A (en) * 2018-11-30 2021-08-13 威世半导体有限公司 Radiation sensor and method for producing the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2004068594A1 (en) Semiconductor component emitting and/or receiving electromagnetic radiation, and housing base for such a component
EP1751806B1 (en) Optoelectronic semiconductor component and housing base for such a component
DE19829197C2 (en) Component emitting and / or receiving radiation
DE19918370B4 (en) LED white light source with lens
DE102006046448B4 (en) Light-emitting unit
DE69838597T2 (en) Semiconductor light-emitting device and manufacturing method
DE102010045403A1 (en) Optoelectronic component
DE102010021791A1 (en) Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component and a composite
DE10229067A1 (en) Optoelectronic component and method for its production
EP1440481A2 (en) Optoelectronic component
WO2006034703A1 (en) Optoelectronic component and housing for an optoelectronic component
DE10258193A1 (en) LED chip manufacturing method for LED light source, involves filling pouring material containing light-emission material and light-emission transformation material, into trenches of bonding layer inserted into injection mold
WO2011157515A1 (en) Optoelectronic component
WO2013117700A1 (en) Optoelectronic semiconductor component
EP1700349B1 (en) Method of manufacturing a plurality of radiation-emitting and/or radiation-receiving semiconductor devices
DE10361801A1 (en) Radiation emitting and/or radiation receiving semiconductor element with a semiconductor chip useful in LED technology, and in reaction-flow processes and surface mounting technology (SMT)
DE20306928U1 (en) Semiconductor component emitting and/or receiving radiation used as an optoelectronic semiconductor component comprises a semiconductor chip arranged in a recess of a housing base body and encapsulated with a sleeve mass
DE102013207111B4 (en) Optoelectronic component
DE10214119A1 (en) Optoelectronic component comprises a casting compound which lets through radiation and consist of silicone or a silicone resin
DE102004040468B4 (en) Optoelectronic semiconductor component and housing base body for such a component
DE112017005653B4 (en) Lead frame, optoelectronic component with a lead frame and method for producing an optoelectronic component
DE10319782B4 (en) Optoelectronic semiconductor component with a chip carrier element
DE10345516B4 (en) Electromagnetic radiation emitting semiconductor device and method for its production
WO2021074009A1 (en) Optoelectronic component and method for producing such a component
WO2015117946A1 (en) Optoelectronic component and method for producing same

Legal Events

Date Code Title Description
R163 Identified publications notified
R207 Utility model specification

Effective date: 20040708

R150 Term of protection extended to 6 years

Effective date: 20060405

R151 Term of protection extended to 8 years

Effective date: 20090406

R152 Term of protection extended to 10 years
R165 Request for cancellation or ruling filed
R173 Request for cancellation of utility model withdrawn
R173 Request for cancellation of utility model withdrawn

Effective date: 20121116

R071 Expiry of right
R071 Expiry of right