DE2027310B2 - CIRCUIT ARRANGEMENT FOR ELECTRONIC PROTECTION OF AN OUTPUT CIRCUIT IN THE RECEIVER OF A DATA TRANSFER SYSTEM - Google Patents
CIRCUIT ARRANGEMENT FOR ELECTRONIC PROTECTION OF AN OUTPUT CIRCUIT IN THE RECEIVER OF A DATA TRANSFER SYSTEMInfo
- Publication number
- DE2027310B2 DE2027310B2 DE19702027310 DE2027310A DE2027310B2 DE 2027310 B2 DE2027310 B2 DE 2027310B2 DE 19702027310 DE19702027310 DE 19702027310 DE 2027310 A DE2027310 A DE 2027310A DE 2027310 B2 DE2027310 B2 DE 2027310B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- transistor
- circuit
- current
- emitter
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
- H03K17/0826—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in bipolar transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H3/00—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection
- H02H3/08—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess current
- H02H3/087—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess current for dc applications
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
elektrode des ersten Transistors (/"I) ein weiterer 30 Zum Schutz von Schalttransistoren sind bereitselectrode of the first transistor (/ "I) another 30 To protect switching transistors are already
Widerstand 1R5) eingeschaltet ist und daß der elektronische Schutzschaltungen bekannt, die beim Resistor 1R5) is switched on and that the electronic protection circuits are known to operate at
Widerstand (Λ3) mit dem von der Basiselektrode überschreiten eines bestimmten Arbeitsstromes aus-Resistance (Λ3) with which the base electrode exceeds a certain working current
des zweiten Transistors (7"2) abgewendeten Ende lösen und den zu schützenden Transistor sperren,of the second transistor (7 "2) turn away end and block the transistor to be protected,
zwischen den beiden Widerständen (RS, Rl) Nach Beseitigung des Kurzschlusses oder des über-between the two resistors (RS, Rl) After eliminating the short circuit or the excess
im Emitterkreis des ersten Transistors (Tl) ange- 35 stromes kehrt die Schutzschaltung in den Ruhe-current applied to the emitter circuit of the first transistor (Tl) , the protective circuit returns to idle
schaltet ist. zustand zurück. Es ist bereits eine Schaltungsanord-is switched. condition back. There is already a circuit arrangement
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, nung bekannt, die ohne Hilfspotential als Zweipol dadurch gekennzeichnet, daß von der Basiselek- jn den zu schützenden Womkreis einer beliebigen trode und von der Emitterelektrode des zweiten Anordnung eingeschaltet werden kann (H. Pelka. Transistors (Γ2) eine SerienschalPJng von zwei 40 »Vollelektronische bipolare Überstromsicherungen«. Widerständen (Λ6, Rl) angeordnet ist und daß Siemcns-Bauieile-lnformation f. 1968. Heft 4, S. 106 einer der beidm Widerstände (Rl) einen tempe- bis 108). Bei dieser bekannten Schaltung fließt der raturabhängigen Widerstandswert aufweist. Strom im störungsfreien Betrieb über den ersten3. Circuit arrangement according to claim 2, known voltage, which is characterized without auxiliary potential as a two-pole, that the Womkreis to be protected j n any trode and the emitter electrode of the second arrangement can be switched on from the Basiselek- (H. Pelka. Transistor (Γ2 ) a series circuit of two 40 "fully electronic bipolar overcurrent fuses". resistors (Λ6, Rl) is arranged and that Siemcns-Bauieile-lnformation f. 1968. Heft 4, p. 106 one of the two resistors (Rl) a temperature up to 108) . In this known circuit, the temperature-dependent resistance value flows. Electricity in trouble-free operation over the first
4 Schaltungsanordnung nach Anspruch 3. Transistor, der von einem /weiten Transistor gedadurch gekennzeichnet, daß die Schaltstrecke *5 steuert wird. Bei Überstrom oder Kurzschluß steigt des ersten Transistors (Tl) /wischen den Eck- der Spannungsabfall an der Kollektor-F mitter-Strecke punkten einer Diagonale einer Diodenbrücke des ersten Transistors, und dadurch wird der /weite (/)!, Dl. Z)3. /)4) angeordnet ist und daß die Transistor vom gesperrten Zustand in den leitenden Eckpunkte der anderen Brückendiagonale in Serie Zustand gesteuert. Der leitende /weite Transistor in die /u schützende Ausgangsschaltung (AS) 50 steuert den ersten Transistor in den gesperrten /11-eingeschaltet sind. stand. Damit ist der Stromfluß über den ersten Transistor unterbunden und über den /weiten Transistor durch einen hochohmigen Widerstand begrenzt Beim Aufhören des Kurzschlusses oder der (Kr-4 circuit arrangement according to claim 3. transistor, characterized by a / wide transistor that the switching path * 5 is controlled. In the event of an overcurrent or short circuit, the first transistor (Tl) / wipe the corner - the voltage drop at the collector-F center line points a diagonal of a diode bridge of the first transistor, and this increases the / width (/) !, Dl. Z) 3. /) 4) is arranged and that the transistor is controlled from the blocked state in the conductive corner points of the other bridge diagonal in series state. The conductive / wide transistor in the / u protective output circuit (AS) 50 controls the first transistor in the blocked / 11-switched on. was standing. This prevents the flow of current through the first transistor and limits it through the / wide transistor by a high-resistance resistor.
Die Gründung betrifft eine Schaltungsanordnung 55 spannung gelangt die Schaltung naht ohne ν resThe foundation concerns a circuit arrangement 55 voltage reaches the circuit without ν res
zum elektronischen Schutz einer Ausgangsschaltung in den Ruhezustand zurück. Erst nach kurm gemto the electronic protection of an output circuit to the idle state. Only after curm acc
im Empfänger einer Datenübertragungsanlage, die Unterbrechen des Ausgangskrpises oder nach Ab"in the receiver of a data transmission system, the interruption of the initial crisis or after Ab "
binäre Datenzeichen am Ausgang abgibt und deren sinken des Stromes auf einen sehr kleinen Wert wirdemits binary data characters at the output and the current will drop to a very small value
oder Anliegen von Fremdspannungen vor der Zer· 60 Transistor wieder leitend. Die Schaltung hat denor the presence of external voltages before the Zer · 60 transistor becomes conductive again. The circuit has the
störung geschützt werden, mit einem ersten Tran* Nachteil, daß die Umschaltung zwischen den beideninterference, with a first disadvantage that switching between the two
sistor, über den der Strom im störungsfreien Betrieb Zuständen langsam erfolgt, so daß die Transistorensistor, through which the current in trouble-free operation is slowly carried out, so that the transistors
fließt, einem zweiten Transistor, der im störung»- für eine größere Verlustleistung ausgelegt werdenflows, a second transistor, which in the disturbance »- can be designed for a greater power loss
freien Betrieb gesperrt ist und bei einem bestimmten müssen. Der Rückstellstrom ist sehr klein, so daßfree operation is blocked and when a certain must. The reset current is very small, so that
sistor sperrt. weg praktisch kurzzeitig unterbrochen werden muß.sistor locks. away has to be interrupted practically for a short time.
übe» Übungssystemen arbeiten mit Transistoren, die nicht getrennt einstellbar. Beim Übertragen eines»Exercise systems work with transistors that cannot be set separately. When transferring a
3 43 4
Dauerzustandes nach dem Aufhören eines Kurz- Zustand gesperrt. Die Schallung helindel sich jelzlPermanent state after the cessation of a short state blocked. The sounding helindel itself yelzl
Schlusses bleibt die Schaltung so lange im Ansprech- in einem stabilen Zustand, in dem der Transistor 7ΊIn the end, the circuit remains in a stable state in which the transistor 7Ί
zustand, bis die erste Flanke eines binären Daten- völlig leitend und der andere Transistor Tl gesperrtstate until the first edge of a binary data is completely conductive and the other transistor Tl is blocked
zeichens auftritt. ist. Die Spannung U an der Schutzschaltung zwischencharacter occurs. is. The voltage U on the protective circuit between
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Schaltungs- 5 den Klemmen A und B ergibt sich aus der Summe anordnung zum Schutz von Scruiltiransistoren auf- der Kollektor-Emitter-Spannung des Transistors 7Ί zuzeigen, die verbesserte Eigenschaften besitzt. Diese und den Spannungsabfällen an den Widerständen RS Aufgabe wird dadurch gelöst, daß in Serie mit der und Λ1, Bei Kurzschluß oder beim Auftreten von Schallstrecke des ersten Transistors in die Emitter- hohen Frerndspannungen an der Klemme B steigt elektrode ein Widerstand eingeschaltet ist, der mit io der Strom durch den Transistor Tl an. Bei einem dem emitterfernen Ende mit der Emitterelektrode bestimmten Stromwert, dem sogenannten Ansprechdes zweiten Transistors verbunden ist, daß die Emitter- strom, kippt die Schutzschaltung in den anderen elektrode des ersten Transistors über einen Wider- stabilen Zustand. In diesem Zustand ist der Transtand mit der Basiselektrode des zweiten Transistors sistor 7*1 gesperrt und der Transistor Tl völlig verbunden ist und daß die Basiselektrode und die 15 leitend gesteuert. Der Ansprechstrom Ia bestimmt Kollektorelektrode des zweiten Transistors über sich zu:The object of the invention is to provide a circuit 5 to the terminals A and B results from the sum arrangement for protecting Scruiltiransistorsen on the collector-emitter voltage of the transistor 7Ί to show that has improved properties. This and the voltage drops across the resistors RS task is achieved in that a resistor is switched on in series with the and Λ1, in the event of a short circuit or the occurrence of a sound path of the first transistor in the emitter high Frernd voltages at the terminal B electrode, which increases with io the current through the transistor Tl . In the case of a current value determined at the end remote from the emitter with the emitter electrode, the so-called response of the second transistor, that the emitter current is connected, the protective circuit switches to the other electrode of the first transistor via an unstable state. In this state, the Transtand with the base electrode of the second transistor sistor 7 * 1 is blocked and the transistor Tl is fully connected and that the base electrode and the 15 is controlled to be conductive. The response current Ia determines the collector electrode of the second transistor as follows:
jeweils einen Widerstand mit der Kollektorelektrode Ujse» one resistor each with the collector electrode Ujse »
des ersten Transistors verbunden sind. 'a = R\~ · of the first transistor are connected. ' a = R \ ~ ·
Bei der erfindungsgemäßen SchaltungsanordnungIn the circuit arrangement according to the invention
kann der Ansprechstromwert und der Rückstell- 20the response current value and the reset 20
stromwert getrennt und beliebig eingestellt werden, Übe« ist die Emitter-Basis-Schwellspannung des so daß eine Unterbrechung des zu schützenden Transistors Tl. Der Strom fließt über den Tran-Slromweges nicht notwendig ist. Die Schaltung sistor 7*2 und wird durch den Widerstand Λ 4 auf besitzt ein bistabiles Verhalten und kippt von einem einen .^lässigen Wert begrenzt. Die Schaltung besitzt Zustand in den anderen. Das Kippen erfolgt sehr »5 eine Mitkopplung, indem der Spannungsabfall am rasch, so daß die entstehende Verlustleistung an Widerstand Λ1, der durch den Strom/ entsteht, einem Widerstand abfällt und Transistoren mit sehr an die Casis des Transistors 7*2 geführt wird. Erreicht geringer Verlustleistung verwendet werden können. die Spannung am Widerstand Rl die Schwellspan-Dadurch ergibt sich eine sehr raumsparende An- nung des Transistors Tl, so wird in den zweiten Ordnung. 30 stabilen Zustand umgeschaltet. Gleichzeitig verEinzelheiten der Erfindung werden an Hand von schwindet aber auch die Spannung am Widerstand Λ1, vorteilhaften Ausführungsbeispielen, die in den Fi- so daß über den Widerstand A3 das Potential der guren dargestellt sind, erläutert. Emitterelektrode des Transistors 7*1 an die Basis-current value can be set separately and arbitrarily, Übe « is the emitter-base threshold voltage of the so that an interruption of the transistor Tl to be protected. The current flows over the Tran-Slromweges is not necessary. The circuit sistor 7 * 2 and is limited by the resistor Λ 4 on has a bistable behavior and toggles from a one. ^ Permissible value. The circuit has state in the others. The tilting takes place very »5 a positive feedback, because the voltage drop on am rapidly, so that the resulting power loss at resistor Λ1, which is created by the current /, drops a resistor and transistors are led very closely to the casis of transistor 7 * 2. Achieved low power dissipation can be used. the voltage across the resistor Rl is the threshold span - this results in a very space-saving voltage of the transistor Tl, so it is in the second order. 30 switched to stable state. At the same time, details of the invention will be explained on the basis of but also the voltage across the resistor Λ1, advantageous exemplary embodiments which are shown in FIGS. Emitter electrode of transistor 7 * 1 to the base
F i g. 1 zeigt die prinzipielle Einschaltung der elektrode des Transistors 7*2 gelangt. Der Tran-F i g. 1 shows the principle of switching on the electrode of transistor 7 * 2. The tran-
Schui/schaltung in den Stromkreis einer Ausgangs- 35 sistor Tl wird nun über den Spannungsteiler Λ2Schui / circuit in the circuit of an output 35 sistor Tl is now via the voltage divider Λ2
schaltung eines Empfängers; und R3 im leitenden Zustand gehalten. Der Wider-circuit of a receiver; and R3 held in the conductive state. The cons
F i g. 2 zei"t ein vorteilhaftes Ausführungsbeispiel stand /?4 ist in seinem Widerstandswert viel größerF i g. FIG. 2 shows an advantageous exemplary embodiment / FIG. 4 is much greater in its resistance value
der Schutzschaltung: gewählt als die Summe der Widers.tandswerte vonof the protection circuit: chosen as the sum of the resistance values of
F i g. 3 zeigt an Hand der Strom-Spannungskenn- Rb und Al. Dadurch ist aber die Spannung zwischenF i g. 3 shows the current-voltage characteristics Rb and Al. But this is the tension between
!•nie die Kippeigenschaft der Schutzschaltung; 40 den Klemmen A und B nach dem Abschalten viel! • never the toggle property of the protective circuit; 40 terminals A and B after switching off a lot
F i g. 4 zeigt eine Schutzschaltung für eine Aus- höher als vorher, so daß der Widerstand von /?3F i g. 4 shows a protection circuit for an off higher than before, so that the resistance of /? 3
gangschaltung, die Doppelstromzeichen abgibt; nur einen verhältnismäßig kleinen Wert aufweisengearshift that emits double current characters; only have a relatively small value
F i g. 5 /..'igt eine temperaturstabilisierte Schutz- muß. Um jeizt die Schwellspannung des Transistors Tl F i g. 5 /..'igt a temperature-stabilized protective must. To reduce the threshold voltage of the transistor Tl
schaltung. zu unterschreiten, ist nur eine geringfügige Verkleine-circuit. to fall below, is only a slight reduction
Die Fig. i zeigt die Ausgangsschaltung A S, die 45 rung der Spannung U erforderlich. Die Rückstellung
über den Innenwidcrstand Ri entsprechend dem der Schulzschaltung in den Ruhezusland erfolgt also
Steuersignal abwechselnd die positive ode·- negative bei dem sogenannten Rückstellstrom Ir. Der RückSpannung
( TB. TB) an den Ausgang durch- stellstn.m Ir ergibt sich zu:
schaltet, so daß binäre Datenzeichen entstehen.Fig. I shows the output circuit AS, the 45 tion of the voltage U required. The resetting via the internal resistance Ri corresponding to that of the Schulz circuit in the state of rest takes place, that is, the control signal alternates between the positive and negative with the so-called resetting current Ir. The reverse voltage ( TB. TB) at the output through- putstn.m Ir results in:
switches, so that binary data characters arise.
Der Schalter .Vl in der Ausgangsschaltung soll die 5° . Uhez The switch .Vl in the output circuit should set the 5 °. Uhez
beiden Transistoren symbolisch ersci/en, die ab- / /?4 1 νsymbolically ersci / en both transistors that ab- / /? 4 1 ν
wechselnd leitend oder gesperrt gesteuert werden. \ Rl Bl)
Der andere Pol der beiden Spannungen ( TB) liegt
an Frde. Die erfindungsgemäße Schaltungsanordnungcan be controlled alternately conductive or blocked. \ Rl Bl)
The other pole of the two voltages ( TB) lies
to Frde. The circuit arrangement according to the invention
.V/ liegt mit den Klemmen Λ und B in Serie im Strom- 55 Vhf.i i-t die Emitter-Basis-Spannung des Trankreis der Ausgangsschaltung. Der Belastungswider- sistors 7"2 im gesperrten Zustand; Bl ist der Stromstand Rl liegt von der Klemme B der Schutzschal- verstärkungsfaktor des Transistors Tl. Daraus zeigt tung gegen Erde. Beim Auftreten von Überspan- sich, daß der Rückstellstrom unabhängig von der nungen oder einem Kurzschluß zwischen den Klem- Größe des Abschaltstromes ta ist, Verglichen mit men A und B begrenzt die Schutzschaltung St den 60 den bekannten Schaltungen wird ein größerer Rück« Stromfluß auf einen zulässigen Wert. Dadurch werden stellstrom erzielt, so daß beim Aufhören des Kurzdie Transistoren der Ausgangsschaltung vor Zer- Schlusses oder der hohen Fremdspannungen die störung bewahrt. Schutzschaltung unmittelbar in den Ruhezustand .V / is in series with the terminals Λ and B in the current 55 Vhf.i it is the emitter-base voltage of the potion circuit of the output circuit. The Belastungswider- sistors 7 "2 in the locked state; Bl is the current status Rl is from the terminal B of the current protective amplification factor of the transistor Tl This processing is to ground Upon the occurrence of surge is that the reset current or independently of the calculations.. a short circuit between the Termi- size of the cut-off current is ta, compared with men a and B limits the protection circuit St to 60 the known circuits a larger return "current flow to a permissible value. This will alternate current obtained so that when cessation of Kurzdie transistors the output circuit prevents the disruption or high external voltages
in F i g, 2 ist eine Schaltungsanordnung der neuen zurückkippt. Der Widerstand RS ist für die ein-in F ig, 2 is a circuit arrangement of the new flips back. The resistance RS is for the
schaltung/ fließt im siürungsfreien Zustand über erforderlich, er ermöglicht jedoch eine sehr genaueswitching / overflows in the siürungsfrei state required, but it enables a very precise
die Schaltstrecke des Transistors 7*1 und die Wider- Einstellung des Ansprechstromes Ia. the switching path of the transistor 7 * 1 and the resistance setting of the response current Ia.
stände Ri und Al. Der Transistor Tl ist in diesem F i g. 3 zeigt an Hand der Strotnspannungskenn-stand Ri and Al. The transistor Tl is in this FIG. 3 shows on the basis of the current voltage characteristic
linie das Kippverhalten der Schutzschaltung. In vertikaler Richtung ist der Strom, der durch die Schutzschaltung fließt und in horizontaler Richtung die Spannung an den Klemmen A und B der Schutzschaltung aufgetragen. Der Punkt C stellt die störungsfreie Arbeitsweise dieser Schutzschaltung dar. Es fließt der Strom /. Die Widerstandsgerade durch den Punkte wird vom Widerstand/?! festgelegt. Der Strom steigt bis zum Ansprechstrom la im Punkt D an. Der Punkt D ist instabil, und die Schutzschaltung kippt sofort in den Punkt E. Dieser Punkt ist wieder stabil, und der auftretende Strom /1 ist durch den Widerstand RA bestimmt. Beim Aufhören des Kurzschlusses oder der Fremdspannung sinkt der Strom /1 ab und gelangt beim Rückstellstrom Ir zum Punkt F. Der Punkt F ist wieder instabil, und die Schaltung kippt sofort in den Punkt C. Damit ist wieder der Ruhezustand der Schutzschaltung erreicht. Der Umlaufsinn der Schutzschaltung in ihrem Kippverhalten ist mit Pfeilen angedeutet.line the breakdown behavior of the protective circuit. The current flowing through the protective circuit is plotted in the vertical direction and the voltage at terminals A and B of the protective circuit in the horizontal direction. Point C represents the trouble-free operation of this protective circuit. The current / flows. The resistance line through the point is determined by the resistance / ?! set. The current increases up to the response current la at point D. Point D is unstable, and the protective circuit immediately switches to point E. This point is stable again, and the current / 1 that occurs is determined by the resistance RA . At the cessation of short-circuit or of the external voltage of the current / 1 decreases and reaches at the reset current Ir to point F. Point F is again unstable and the circuit tilts immediately to the point C. This is again the idle state of the protection circuit achieved. The direction of rotation of the protective circuit in its tilting behavior is indicated with arrows.
F i g. 4 zeigt die Schutzschaltung für Doppelstrombetrieb. Die Schutzschaltung Si befindet sich zwischen den Eckpunkten der einen Diagonale einer Brückenschaltung, die aus den Dioden Dl, Dl, D3 und DA besteht. Die beiden Eckpunkte der anderen Brückendiagonale sind in den zu sichernden Stromkreis zwischen der Ausgangsschaltung AS und dem Lastwiderstand Ri, eingeschaltet. Bei der einen Stromrichtung fließt der Strom über die Dioden Dl und DA, während in der umgekehrten Richtung die Dioden 02 und D3 stromdurchflossen sind.F i g. 4 shows the protective circuit for double-current operation. The protective circuit Si is located between the corner points of one diagonal of a bridge circuit, which consists of the diodes Dl, Dl, D3 and DA . The two corner points of the other bridge diagonal are connected to the circuit to be secured between the output circuit AS and the load resistor Ri . In one current direction, the current flows through the diodes Dl and DA, while in the opposite direction the diodes 02 and D3 have current flowing through them.
In F i g. 5, die im wesentlichen die Schutzschaltung nach F i g. 2 zeigt, sind die beiden Widerstände /?6 und Rl zwischen der Basis und dem Emittei des Transistors Tl eingefügt. Der Widerstand Rl ist als temperaüirabhängiger Widerstand ausgeführt Dadurch wird eine große Temperaturstabilität erreicht so daß auch bei starken Schwankungen der Um gebungstemperatur die Ansprechwerte der eingestell ten Ströme sich nicht ändern.In Fig. 5, which essentially comprise the protective circuit according to FIG. 2 shows, the two resistors /? 6 and Rl are inserted between the base and the emitter of the transistor Tl . The resistor Rl is designed as a temperature-dependent resistor. A high temperature stability is achieved so that the response values of the currents set do not change even with strong fluctuations in the ambient temperature.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings
Claims (2)
transistoren bei ausgangsseitigetn Kurzschluß oder Es ist bereits eine Transistorschaltung zur Über-Anlicgen von Fremdspannungen vor der Zer- wachung von Gleichspannungen auf Spannungsstörung geschützt werden, mit einem ersten Tran- abweichungen, die eine vorgegebene Toleranzgrenze sistor, über den der Strom im störungsfreien io überschreiten, bekannt, die aus zwei Transistoren Betrieb fließt, einem zweiten Transistor, der im gleichen Leitfähigkeitstyp'·, deren Kollektor-Emitterstörungsfreien Betrieb gesperrt ist und bei einem Strxken in Reihe geschaltet an der Versorgungsbestimmten Stromanstieg leitend gesteuert wird spannung iiegen, besteht. Diese Schaltungsanordnung und den ersten Transistor sperrt, dadurch ist für den Schutz von Transistoren vor der Zergekcnzeichnet, daß in Serie mit der 15 störung durch Überlastung nicht geeignet, da sie Schaltstrecke des ersten Transistors (Tl) in die nur eine Signalisierung beim Überschreiten der vorEmitterelektrode ein Widerstand (Rl) eingeschal- gegebenen Toleianzgrenzen ermöglicht. Eine rasche tet ist, der mit öim emitterfernen Ende mit der Schutzwirkung für einen betroffenen Transistor kann Emitterelektrode des zweiten Transistors (Tl) damit nichi erreicht werden.1. Circuit arrangement for electronic circuits are low-resistance, so that switching transistors used for protection of an output circuit in the receiver run the risk of Zereiner data transmission system, binary data disruption, if a short-circuit sign at the output gives off and their switching or high external voltages appear,
transistors in the event of a short circuit on the output side or there is already a transistor circuit for the over-application of external voltages to be protected from the monitoring of direct voltages for voltage disturbances, with a first tran- deviations that exceed a specified tolerance limit over which the current in the trouble-free OK, known, which flows from two transistors operation, a second transistor, which is in the same conductivity type, whose collector-emitter-free operation is blocked and connected in series with a Strxken at the supply-specific current rise is controlled conductive voltage iiegen. This circuit arrangement and the first transistor is blocked, characterized is for the protection of transistors before Zergekcnzeichnet that in series with the 15 disorder not suitable due to overload because they switching path of the first transistor (Tl) in which only a signaling when crossing the vorEmitterelektrode Resistance (Rl) enabled tolerance limits. A quick connection is that the emitter electrode of the second transistor ( T1) cannot be reached with the end remote from the emitter with the protective effect for an affected transistor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19702027310 DE2027310B2 (en) | 1970-06-03 | 1970-06-03 | CIRCUIT ARRANGEMENT FOR ELECTRONIC PROTECTION OF AN OUTPUT CIRCUIT IN THE RECEIVER OF A DATA TRANSFER SYSTEM |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19702027310 DE2027310B2 (en) | 1970-06-03 | 1970-06-03 | CIRCUIT ARRANGEMENT FOR ELECTRONIC PROTECTION OF AN OUTPUT CIRCUIT IN THE RECEIVER OF A DATA TRANSFER SYSTEM |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2027310A1 DE2027310A1 (en) | 1971-12-09 |
| DE2027310B2 true DE2027310B2 (en) | 1972-03-30 |
Family
ID=5772940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19702027310 Withdrawn DE2027310B2 (en) | 1970-06-03 | 1970-06-03 | CIRCUIT ARRANGEMENT FOR ELECTRONIC PROTECTION OF AN OUTPUT CIRCUIT IN THE RECEIVER OF A DATA TRANSFER SYSTEM |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE2027310B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2753245A1 (en) * | 1977-11-25 | 1979-06-07 | Licentia Gmbh | Overload protection circuit for output transistor - has current-regulating pulse-duty-factor dependent on load resistance |
-
1970
- 1970-06-03 DE DE19702027310 patent/DE2027310B2/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2753245A1 (en) * | 1977-11-25 | 1979-06-07 | Licentia Gmbh | Overload protection circuit for output transistor - has current-regulating pulse-duty-factor dependent on load resistance |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2027310A1 (en) | 1971-12-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3001632C2 (en) | ||
| DE2638178A1 (en) | PROTECTIVE DEVICE FOR ELECTRONIC CIRCUITS AGAINST OVERVOLTAGE | |
| DE2727537A1 (en) | THRESHOLD DETECTOR | |
| DE2654419C2 (en) | Circuit arrangement for voltage limitation | |
| DE68924493T2 (en) | Protection circuit against transient overvoltages. | |
| EP0409327A2 (en) | Power supply with DC-voltage monitoring circuit | |
| DE3744079C2 (en) | ||
| DE2027310B2 (en) | CIRCUIT ARRANGEMENT FOR ELECTRONIC PROTECTION OF AN OUTPUT CIRCUIT IN THE RECEIVER OF A DATA TRANSFER SYSTEM | |
| EP0023683B1 (en) | Bridge rectifier circuit | |
| DE2027310C (en) | Circuit arrangement for the electronic protection of an output circuit in the receiver of a data transmission system | |
| DE2148437C3 (en) | Circuit arrangement for improving the short-circuit strength of circuits of the slow, fail-safe logic type | |
| DE3240280C2 (en) | ||
| DE2842629C2 (en) | Device for the controllable connection of a connection point via a load resistor to a load potential | |
| CH389039A (en) | Voltage-stabilized DC power supply | |
| DE1142011B (en) | Monostable multivibrator to generate pulses of a certain duration with two Esaki diodes | |
| DE2331732C3 (en) | Electronic, preferably non-contact switching device | |
| DE1247393B (en) | Circuit for holding a feedback amplifier or a bistable multivibrator in the steady state | |
| DE2043737C3 (en) | A bistable comparator made up of two complementary transistors with hysteresis behavior | |
| DE1563787C (en) | ||
| DE2415628C3 (en) | Electronic fuse to protect the output stage transistors of a low frequency amplifier | |
| DE2422928C3 (en) | Electronic normally closed contact | |
| DE1234301B (en) | Electronic power fuse | |
| DE1120565B (en) | Circuit arrangement for electronic protection and disconnection of electric circuits | |
| DE1921476A1 (en) | Contactless, electronic switchgear | |
| DE1124587B (en) | Time delay device for electrical protective relays |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |