DE202017003446U1 - LED with contact layers - Google Patents

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Abstract

Leuchtdiode, die aufweist: eine untere n-Halbleiterschicht; eine obere n-Halbleiterschicht, die auf oben genannter unterer n-Halbleiterschicht angeordnet ist; eine p-Halbleiterschicht, die zwischen oben genannter unterer n-Halbleiterschicht und oberer n-Halbleiterschicht liegt; eine aktive Schicht, die zwischen oben genannter unterer n-Halbleiterschicht und oben genannter p-Halbleiterschicht liegt; eine hochdotierte p-Halbleiterschicht, die zwischen oben genannter p-Halbleiterschicht und oben genannter oberer n-Halbleiterschicht liegt und in höherer Konzentration als oben genannte p-Halbleiterschicht dotiert ist; eine hochdotierte n-Halbleiterschicht, die zwischen oben genannter hochdotierter p-Halbleiterschicht und oben genannter oberer n-Halbleiterschicht liegt und in höherer Konzentration als oben genannte obere n-Halbleiterschicht dotiert ist; eine erste Kontaktschicht, die den Kontakt zu oben genannter unterer n-Halbleiterschicht bildet; sowie eine zweite Kontaktschicht, die den Kontakt zu oben genannter oberer n-Halbleiterschicht bildet, umfasst und bei der oben genannte erste und zweite Kontaktschicht eine Schicht gleichen Materials umfassen, die den Kontakt zu oben genannter unterer und oberer n-Halbleiterschicht bildet.A light emitting diode comprising: a lower n-type semiconductor layer; an upper n-type semiconductor layer disposed on the above-mentioned lower n-type semiconductor layer; a p-type semiconductor layer interposed between the above-mentioned lower n-type semiconductor layer and upper n-type semiconductor layer; an active layer interposed between the above-mentioned lower n-type semiconductor layer and the above-mentioned p-type semiconductor layer; a heavily doped p-type semiconductor layer interposed between the above-mentioned p-type semiconductor layer and upper n-type semiconductor layer and doped at a higher concentration than the above-mentioned p-type semiconductor layer; a heavily doped n-type semiconductor layer interposed between the above-mentioned highly doped p-type semiconductor layer and the above-mentioned upper n-type semiconductor layer and doped at a higher concentration than the above-mentioned upper n-type semiconductor layer; a first contact layer forming contact with the above-mentioned lower n-type semiconductor layer; and a second contact layer forming contact with the above-mentioned upper n-type semiconductor layer, and in the above-mentioned first and second contact layers comprising a layer of the same material forming contact with the above-mentioned upper and lower n-type semiconductor layers.

Description

[Technologischer Bereich][Technological area]

Die vorliegende Erfindung befasst sich mit einer Leuchtdiode, insbesondere mit einer Leuchtdiode, deren Kontaktschichten sich durch einen einfachen Prozess erzeugen lassen.The present invention is concerned with a light-emitting diode, in particular with a light-emitting diode, whose contact layers can be produced by a simple process.

[Technologischer Hintergrund der Erfindung][Technological Background of the Invention]

Nitride aus Verbindungen mit Elementen der dritten Hauptgruppe, wie Galliumnitrid (GaN) und Aluminiumnitrid (AlN), genießen in letzter Zeit als Material für Leuchtmittel im Bereich sichtbaren und ultravioletten Lichts große Aufmerksamkeit, da ihre thermische Stabilität im Allgemeinen hervorragend ist und sie über eine Energiebandstruktur mit direktem Übergang verfügen. Insbesondere blaues und grünes Licht abgebende Leuchtdioden auf der Basis von Indiumgalliumnitrid (InGaN) finden Gebrauch in einer Vielzahl von Anwendungsgebieten, wie bei großformatigen Farbflachbildschirmen, Signalleuchten, Innenraumbeleuchtung, Lichtquellen von hoher Dichte, hochauflösenden Ausgabesystemen und bei der optischen Datenübertragung.Nitrides of third group compounds such as gallium nitride (GaN) and aluminum nitride (AlN) have recently attracted much attention as a material for visible and ultraviolet light bulbs since their thermal stability is generally excellent and they have an energy band structure with direct transition. In particular, indium gallium nitride (InGaN) based blue and green light emitting diodes are used in a variety of applications, such as large format color flat panel displays, signal lights, interior lighting, high density light sources, high resolution output systems, and optical data transmission.

Leuchtdioden umfassen eine n-Halbleiterschicht und eine p-Halbleiterschicht sowie eine dazwischenliegende aktive Schicht. Zur Rekombination von Elektronen und positiven Löchern werden zwischen n-Halbleiterschicht und p-Halbleiterschicht metallische Kontaktschichten gebildet. Da sich die Schichten, die mit n-Halbleiterschicht und p-Halbleiterschicht in ohmschem Kontakt stehen, jedoch im Material voneinander unterscheiden, werden die Kontaktschichten durch verschiedene Prozesse und somit separat gebildet. Demzufolge ist der Herstellungsprozess von Leuchtdioden schwierig und ferner die Chip-Struktur von Leuchtdioden komplizierter.Light-emitting diodes comprise an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer as well as an intermediate active layer. For the recombination of electrons and positive holes, metallic contact layers are formed between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer. However, since the layers which are in ohmic contact with the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer differ from each other in the material, the contact layers are formed by different processes and thus separately. As a result, the manufacturing process of light emitting diodes is difficult, and further the chip structure of light emitting diodes is more complicated.

[Inhalt der Erfindung][Content of the invention]

[Zu lösende Aufgaben][Tasks to be solved]

Die von vorliegender Erfindung zu lösende Aufgabe besteht darin, eine Leuchtdiode, deren Kontaktschichten sich durch einen einfacheren Prozess bilden lassen, bereitzustellen.The problem to be solved by the present invention is to provide a light emitting diode whose contact layers can be formed by a simpler process.

Eine von vorliegender Erfindung weitere zu lösende Aufgabe besteht darin, eine Leuchtdiode mit hervorragender Zuverlässigkeit bereitzustellen.Another object to be solved by the present invention is to provide a light-emitting diode having excellent reliability.

[Mittel zur Lösung der Aufgaben][Means to solve the tasks]

Entsprechend den Ausführungsbeispielen vorliegender Erfindung wird eine Leuchtdiode bereitgestellt, die eine untere n-Halbleiterschicht; eine obere n-Halbleiterschicht, die auf oben genannter unterer n-Halbleiterschicht angeordnet ist; eine p-Halbleiterschicht, die zwischen oben genannter unterer n-Halbleiterschicht und oberer n-Halbleiterschicht liegt; eine aktive Schicht, die zwischen oben genannter unterer n-Halbleiterschicht und oben genannter p-Halbleiterschicht liegt; eine hochdotierte p-Halbleiterschicht, die zwischen oben genannter p-Halbleiterschicht und oben genannter oberer n-Halbleiterschicht liegt und in höherer Konzentration als oben genannte p-Halbleiterschicht dotiert ist; eine hochdotierte n-Halbleiterschicht, die zwischen oben genannter hochdotierter p-Halbleiterschicht und oben genannter oberer n-Halbleiterschicht liegt und in höherer Konzentration als oben genannte obere n-Halbleiterschicht dotiert ist; eine erste Kontaktschicht, die den Kontakt zu oben genannter unterer n-Halbleiterschicht bildet; sowie eine zweite Kontaktschicht, die den Kontakt zu oben genannter oberer n-Halbleiterschicht bildet, umfasst und bei der oben genannte erste und zweite Kontaktschicht eine Schicht gleichen Materials, die den Kontakt zu oben genannter unterer und oberer n-Halbleiterschicht bildet, umfasst.According to the embodiments of the present invention, there is provided a light emitting diode comprising a lower n-type semiconductor layer; an upper n-type semiconductor layer disposed on the above-mentioned lower n-type semiconductor layer; a p-type semiconductor layer interposed between the above-mentioned lower n-type semiconductor layer and upper n-type semiconductor layer; an active layer interposed between the above-mentioned lower n-type semiconductor layer and the above-mentioned p-type semiconductor layer; a heavily doped p-type semiconductor layer interposed between the above-mentioned p-type semiconductor layer and upper n-type semiconductor layer and doped at a higher concentration than the above-mentioned p-type semiconductor layer; a heavily doped n-type semiconductor layer interposed between the above-mentioned highly doped p-type semiconductor layer and the above-mentioned upper n-type semiconductor layer and doped at a higher concentration than the above-mentioned upper n-type semiconductor layer; a first contact layer forming contact with the above-mentioned lower n-type semiconductor layer; and a second contact layer forming contact with the above-mentioned upper n-type semiconductor layer, and in the above-mentioned first and second contact layers comprising a layer of like material forming contact with the above-mentioned upper and lower n-type semiconductor layers.

[Wirkung der Erfindung]Effect of the Invention

Entsprechend den Ausführungsbeispielen vorliegender Erfindung wird der Prozess zur Bildung der Kontaktschichten vereinfacht, da die erste Kontaktschicht und die zweite Kontaktschicht aus dem gleichen Material durch den gleichen Prozess gebildet werden können. Demzufolge vereinfacht sich die gesamte Struktur der Leuchtdiode und zudem erhöht sich die Zuverlässigkeit.According to the embodiments of the present invention, since the first contact layer and the second contact layer of the same material can be formed by the same process, the process for forming the contact layers is simplified. As a result, the entire structure of the light emitting diode is simplified, and moreover reliability is increased.

Weitere Besonderheiten sowie technologische Vorzüge vorliegender Erfindung werden in folgender genauen Beschreibung erläutert oder sind aus den Darstellungen der genauen Beschreibung leicht verständlich.Other features and technological advantages of the present invention are explained in the following detailed description or are easily understood from the illustrations of the detailed description.

[Kurze Erklärung der Figuren][Brief explanation of the figures]

1 zeigt den groben Grundriss sowie den Querschnitt einer einem Ausführungsbeispiel vorliegender Erfindung entsprechenden Leuchtdiode. 1 shows the rough floor plan and the cross section of an embodiment of this invention corresponding light emitting diode.

2 ist ein Querschnitt zur Beschreibung der Schichtungsstruktur einer den Ausführungsbeispielen vorliegender Erfindung entsprechenden Leuchtdiode. 2 FIG. 4 is a cross-sectional view for describing the lamination structure of a light-emitting diode according to the embodiments of the present invention. FIG.

3 bis 6 sind Grundrisse zur Beschreibung des Herstellungsverfahrens einer einem Ausführungsbeispiel vorliegender Erfindung entsprechenden Leuchtdiode sowie Querschnitte der einzelnen Grundrisse entlang der unterbrochenen A-A-Linie. 3 to 6 are plan views for describing the manufacturing method of an embodiment of this invention corresponding light emitting diode and cross sections of the individual floor plans along the broken AA line.

7 ist ein grober Querschnitt zur Beschreibung einer einem weiteren Ausführungsbeispiel vorliegender Erfindung entsprechenden Leuchtdiode. 7 is a rough cross-section to describe a light emitting diode according to another embodiment of this invention.

[Ausführungsbeispiele der Erfindung][Embodiments of the invention]

Im Folgenden werden unter Berücksichtigung beigefügter Figuren Ausführungsbeispiele vorliegender Erfindung detailliert erklärt. Die im Folgenden vorgestellten Ausführungsbeispiele bieten Fachleuten aus dem betreffenden Technologiegebiet Beispiele, anhand derer sie die Idee vorliegender Erfindung nachvollziehen können. Daher ist die vorliegende Erfindung nicht auf die im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt und kann in anderer Form umgesetzt werden. Zudem können die Elemente in den Figuren zur Veranschaulichung hinsichtlich Länge, Breite und Höhe übertrieben dargestellt sein. In der gesamten Beschreibung stehen gleiche Nummerierungen für die gleichen Elemente.In the following, embodiments of the present invention will be explained in detail with the accompanying drawings. The exemplary embodiments presented below offer experts from the relevant technology field examples by means of which they can understand the idea of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below and can be implemented in other forms. In addition, the elements in the figures may be exaggerated in terms of length, width and height for purposes of illustration. Throughout the description are the same numbering for the same elements.

Die einem Ausführungsbeispiel vorliegender Erfindung entsprechende Leuchtdiode umfasst eine untere n-Halbleiterschicht; eine obere n-Halbleiterschicht, die oberhalb oben genannter unterer n-Halbleiterschicht angeordnet ist; eine p-Halbleiterschicht, die zwischen oben genannter unterer n-Halbleiterschicht und oberer n-Halbleiterschicht liegt; eine aktive Schicht, die zwischen oben genannter unterer n-Halbleiterschicht und oben genannter p-Halbleiterschicht liegt; eine hochdotierte p-Halbleiterschicht, die zwischen oben genannter p-Halbleiterschicht und oben genannter oberer n-Halbleiterschicht liegt und in höherer Konzentration als oben genannte p-Halbleiterschicht dotiert ist; eine hochdotierte n-Halbleiterschicht, die zwischen oben genannter hochdotierter p-Halbleiterschicht und oben genannter oberer n-Halbleiterschicht liegt und in höherer Konzentration als oben genannte obere n-Halbleiterschicht dotiert ist; eine erste Kontaktschicht, die den Kontakt zu oben genannter unterer n-Halbleiterschicht bildet; sowie eine zweite Kontaktschicht, die den Kontakt zu oben genannter oberer n-Halbleiterschicht bildet.The light emitting diode according to an embodiment of the present invention comprises a lower n-type semiconductor layer; an upper n-type semiconductor layer disposed above said upper n-type semiconductor layer; a p-type semiconductor layer interposed between the above-mentioned lower n-type semiconductor layer and upper n-type semiconductor layer; an active layer interposed between the above-mentioned lower n-type semiconductor layer and the above-mentioned p-type semiconductor layer; a heavily doped p-type semiconductor layer interposed between the above-mentioned p-type semiconductor layer and upper n-type semiconductor layer and doped at a higher concentration than the above-mentioned p-type semiconductor layer; a heavily doped n-type semiconductor layer interposed between the above-mentioned highly doped p-type semiconductor layer and the above-mentioned upper n-type semiconductor layer and doped at a higher concentration than the above-mentioned upper n-type semiconductor layer; a first contact layer forming contact with the above-mentioned lower n-type semiconductor layer; and a second contact layer forming contact with the upper n-type semiconductor layer mentioned above.

Ferner können oben genannte erste und zweite Kontaktschicht eine Schicht gleichen Materials umfassen, die den Kontakt zu oben genannter unterer und oberer n-Halbleiterschicht bildet. Die Aufnahme der oberen n-Halbleiterschicht und die Bildung der ersten Kontaktschicht und der zweiten Kontaktschicht aus einer Schicht gleichen Materials hat eine Vereinfachung des Prozesses zur Bildung der Kontaktschichten zur Folge.Further, the above-mentioned first and second contact layers may comprise a same material layer which makes contact with the above-mentioned lower and upper n-type semiconductor layers. The inclusion of the upper n-type semiconductor layer and the formation of the first contact layer and the second contact layer of a layer of the same material results in a simplification of the process for forming the contact layers.

Die oben genannte Schicht gleichen Materials kann eine Al-Schicht sein. Dadurch kann das in der aktiven Schicht erzeugte Licht mithilfe der ersten Kontaktschicht und der zweiten Kontaktschicht reflektiert werden und dadurch kann die Lichtausbeute erhöht werden.The above-mentioned layer of the same material may be an Al layer. Thereby, the light generated in the active layer can be reflected by the first contact layer and the second contact layer, and thereby the light output can be increased.

Die oben genannte p-Halbleiterschicht kann eine Elektronensperrschicht umfassen. Die Elektronensperrschicht kann beispielsweise aus AlGaN gebildet werden und an die aktive Schicht angrenzen.The above-mentioned p-type semiconductor layer may include an electron-blocking layer. The electron-blocking layer may be formed, for example, of AlGaN and adjacent to the active layer.

Die Grenzfläche zwischen oben genannter hochdotierter p-Halbleiterschicht und oben genannter hochdotierter n-Halbleiterschicht kann mit Sauerstoff angereichert werden. Die hochdotierte p-Halbleiterschicht beziehungsweise die n-dotierte Schicht können eine Delta-Dotierung aufweisen. Durch Verbinden der hochdotierten p-Halbleiterschicht mit der hochdotierten n-Halbleiterschicht kann durch Tunneln ein Träger eingebracht werden. Der Sauerstoff kann zudem den Tunneleffekt des Trägers unterstützen.The interface between the above-mentioned highly doped p-type semiconductor layer and the above-mentioned highly doped n-type semiconductor layer can be enriched with oxygen. The highly doped p-type semiconductor layer or the n-doped layer may have a delta-doping. By connecting the highly doped p-type semiconductor layer to the heavily doped n-type semiconductor layer, a carrier can be introduced by tunneling. The oxygen can also support the tunneling effect of the wearer.

Einigen Ausführungsbeispielen entsprechend können oben genannte erste Kontaktschicht und zweite Kontaktschicht jeweils als Elektrodenpad verwendet werden. Möglich sind Leuchtdioden mit horizontaler Ausrichtung oder als Flip-Chip.According to some embodiments, the above-mentioned first contact layer and second contact layer may each be used as the electrode pad. Possible light-emitting diodes with horizontal orientation or as a flip-chip.

Einem anderen Ausführungsbeispiel entsprechend kann die oben genannte Leuchtdiode zusätzlich eine Isolierschicht, die auf oben genannter oberer n-Halbleiterschicht sowie auf oben genannter erster und zweiter Kontaktschicht liegt und Öffnungen aufweist, die oben genannte erste und zweite Kontaktschicht freilegen; sowie ein erstes Elektrodenpad und ein zweites Elektronenpad, welche auf oben genannter Isolierschicht angeordnet und durch oben genannte Öffnungen jeweils elektrisch mit oben genannter erster und zweiter Kontaktschicht verbunden sind, umfassen. Diese Struktur ermöglicht eine Leuchtdiode mit Chip-Scale-Package.According to another embodiment, the above-mentioned light-emitting diode can additionally expose an insulating layer disposed on the above-mentioned upper n-type semiconductor layer as well as above-mentioned first and second contact layers and having openings exposing the above-mentioned first and second contact layers; and a first electrode pad and a second electron pad, which are disposed on the above-mentioned insulating layer and electrically connected to the above-mentioned first and second contact layers by the above-mentioned openings. This structure enables a light emitting diode with chip scale package.

Die oben genannte erste Kontaktschicht freilegende Öffnung und die zweite Kontaktschicht freilegende Öffnung können hingegen getrennt voneinander in sich gegenüberliegenden Randbereichen oben genannter oberen n-Halbleiterschicht angeordnet sein. Das heißt, die Öffnung, die die erste Kontaktschicht freilegt, kann eher im Randbereich auf der einen Seite der unteren n-Halbleiterschicht und die Öffnung, die die zweite Kontaktschicht freilegt, eher im gegenüberliegenden Randbereich auf der anderen Seite der unteren n-Halbleiterschicht angeordnet sein. Durch die voneinander getrennte Anordnung der Öffnungen kann der Stromfluss innerhalb der Leuchtdiode gleichmäßig verteilt werden.The above-mentioned first contact layer exposing opening and the second contact layer exposing opening, however, may be arranged separately from each other in opposite edge regions of the above-mentioned upper n-type semiconductor layer. That is, the opening exposing the first contact layer may be disposed on the other side of the lower n-type semiconductor layer in the opposite edge area on the other side of the lower n-type semiconductor layer rather than on the one side of the lower n-type semiconductor layer and the opening exposing the second contact layer , Due to the separate arrangement of the openings of the current flow can be distributed evenly within the LED.

Die Isolierschicht, die zwischen oben genanntem ersten Elektrodenpad und oben genannter erster Kontaktschicht liegt, ist aus dem gleichen Material wie die Isolierschicht, die zwischen oben genanntem zweitem Elektrodenpad und oben genannter zweiter Kontaktschicht liegt. Die oben genannte Isolierschicht kann einen Bragg-Spiegel umfassen, in dem dielektrische Schichten mit voneinander abweichendem Brechungsindex alternierend geschichtet sind. Demzufolge kann in den Bereichen, die nicht von der ersten Kontaktschicht und der zweiten Kontaktschicht bedeckt sind, mithilfe der oben genannten Isolierschicht Licht reflektiert und so die Lichtausbeute erhöht werden.The insulating layer interposed between the above-mentioned first electrode pad and the above-mentioned first contact layer is made of the same material as the insulating layer interposed between the above-mentioned second electrode pad and the above-mentioned second contact layer. The above-mentioned insulating layer may include a Bragg mirror in which dielectric layers are separated from each other different refractive index are layered alternately. As a result, in the regions not covered by the first contact layer and the second contact layer, light can be reflected by the above-mentioned insulating layer to increase the light output.

Einigen Ausführungsbeispielen entsprechend kann oben genannte Leuchtdiode zusätzlich mehrere Mesastrukturen umfassen. Oben genannte Mesastrukturen umfassen jeweils oben genannte aktive Schicht, p-Halbleiterschicht, hochdotierte p-Halbleiterschicht, hochdotierte n-Halbleiterschicht sowie obere n-Halbleiterschicht. Die oben genannte erste Kontaktschicht kann hingegen den Kontakt zu oben genannter unterer n-Halbleiterschicht bilden, damit sie oben genannte Mesastrukturen jeweils umgibt, und die oben genannte zweite Kontaktschicht kann jeweils auf oben genannten Mesastrukturen angeordnet sein. Demzufolge kann auch in einer Leuchtdiode mit vergleichsweise großer Fläche der Stromfluss gleichmäßig verteilt werden.According to some embodiments, the aforementioned light-emitting diode may additionally comprise a plurality of mesa structures. The above-mentioned mesa structures each include the above-mentioned active layer, p-type semiconductor layer, heavily doped p-type semiconductor layer, heavily doped n-type semiconductor layer, and upper n-type semiconductor layer. On the other hand, the above-mentioned first contact layer may make contact with the above-mentioned lower n-type semiconductor layer to respectively surround above-mentioned mesa structures, and the above-mentioned second contact layer may be respectively disposed on above-mentioned mesa structures. Consequently, even in a light emitting diode with a comparatively large area, the current flow can be uniformly distributed.

Zudem kann die oben genannte Isolierschicht Öffnungen aufweisen, die die oben genannte zweite Kontaktschicht jeweils auf oben genannten Mesastrukturen freilegen, und so oben genannte Mesastrukturen jeweils mit Strom versorgen.In addition, the above-mentioned insulating layer may have openings which expose the above-mentioned second contact layer respectively on above-mentioned mesa structures, thus supplying current to above-mentioned mesa structures, respectively.

Oben genannte Leuchtdiode kann zusätzlich einen Wafer umfassen, und die oben genannte untere n-Halbleiterschicht kann auf dem oben genannten Wafer aufgebracht sein.The above-mentioned light-emitting diode may additionally comprise a wafer, and the above-mentioned lower n-type semiconductor layer may be provided on the above-mentioned wafer.

Das den weiteren Ausführungsbeispielen vorliegender Erfindung entsprechende Herstellungsverfahren einer Leuchtdiode umfasst ein Bilden einer unteren n-Halbleiterschicht auf dem Wafer, ein Bilden einer aktiven Schicht auf oben genannter n-Halbleiterschicht, ein Bilden einer p-Halbleiterschicht auf oben genannter aktiver Schicht, ein Bilden einer hochdotierten p-Halbleiterschicht auf oben genannter p-Halbleiterschicht, welche eine höhere Konzentration als oben genannte p-Halbleiterschicht aufweist, ein Bilden einer hochdotierten n-Halbleiterschicht auf oben genannter hochdotierter p-Halbleiterschicht, welche eine höhere Konzentration als oben genannte untere n-Halbleiterschicht aufweist, ein Bilden einer oberen n-Halbleiterschicht auf oben genannter hochdotierter n-Halbleiterschicht, die Freilegung oben genannter unterer n-Halbleiterschicht durch Ätzen oben genannter oberer n-Halbleiterschicht, oben genannter hochdotierter n-Halbleiterschicht, oben genannter hochdotierter p-Halbleiterschicht, oben genannter p-Halbleiterschicht und der aktiven Schicht sowie die Bildung einer ersten Kontaktschicht und einer zweiten Kontaktschicht jeweils auf oben genannter freigelegter unterer n-Halbleiterschicht und oben genannter oberer n-Halbleiterschicht. Oben genannte erste Kontaktschicht und zweite Kontaktschicht können aus dem gleichen Material durch den gleichen Prozess gebildet werden.The manufacturing method of a light emitting diode according to other embodiments of the present invention includes forming a lower n-type semiconductor layer on the wafer, forming an active layer on the above-mentioned n-type semiconductor layer, forming a p-type semiconductor layer on the above-mentioned active layer, forming a heavily doped one p-type semiconductor layer on above-mentioned p-type semiconductor layer having a higher concentration than said p-type semiconductor layer, forming a heavily doped n-type semiconductor layer on above-mentioned highly doped p-type semiconductor layer having a higher concentration than said lower n-type semiconductor layer, forming an upper n-type semiconductor layer on the above-mentioned highly doped n-type semiconductor layer, exposing the above-mentioned lower n-type semiconductor layer by etching the above-mentioned upper n-type semiconductor layer, above-mentioned heavily doped n-type semiconductor layer, above-mentioned highly doped p-type semiconductor layer r layer, the above-mentioned p-type semiconductor layer and the active layer, and the formation of a first contact layer and a second contact layer respectively on the above-mentioned exposed lower n-type semiconductor layer and upper n-type semiconductor layer. The above-mentioned first contact layer and second contact layer may be formed of the same material by the same process.

Ferner kann es nach Erzeugung oben genannter hochdotierter p-Halbleiterschicht und vor Erzeugung oben genannter hochdotierter n-Halbleiterschicht, auch eine Exposition oben genannter hochdotierter p-Halbleiterschicht an Luft umfassen. Durch die Exposition der hochdotierten p-Halbleiterschicht an Luft kann zwischen der hochdotierten p-Halbleiterschicht und der hochdotierten n-Halbleiterschicht Sauerstoff zurückbleiben und dadurch der Übergangswiderstand gesenkt werden.Further, after the above-mentioned highly doped p-type semiconductor layer is formed and before the above-mentioned highly doped n-type semiconductor layer is formed, it may also comprise exposure of the above-mentioned highly doped p-type semiconductor layer to air. By exposing the highly doped p-type semiconductor layer to air, oxygen may be left between the highly doped p-type semiconductor layer and the heavily doped n-type semiconductor layer, thereby lowering the contact resistance.

Oben genanntes Herstellungsverfahren einer Leuchtdiode kann zusätzlich die Bildung einer Isolierschicht umfassen, welche gemeinsam mit oben genannter erster und zweiter Kontaktschicht zudem oben genannte obere n-Halbleiterschicht sowie oben genannte freigelegte untere n-Halbleiterschicht bedeckt. Oben genannte Isolierschicht weist Öffnungen auf, die oben genannte erste Kontaktschicht und zweite Kontaktschicht freilegen.The above-mentioned manufacturing method of a light emitting diode may additionally include the formation of an insulating layer which, together with the above-mentioned first and second contact layers, covers the above-mentioned upper n-type semiconductor layer and the above-mentioned exposed lower n-type semiconductor layer. The above-mentioned insulating layer has openings which expose the above-mentioned first contact layer and second contact layer.

Zudem kann oben genanntes Verfahren zusätzlich die Bildung eines ersten Elektrodenpads und eines zweiten Elektrodenpads auf oben genannter Isolierschicht umfassen und oben genanntes erstes und zweites Elektrodenpad können durch die Öffnungen in oben genannter Isolierschicht jeweils mit oben genannter erster Kontaktschicht und zweiter Kontaktschicht elektrisch verbunden sein.In addition, the above-mentioned method may additionally include forming a first electrode pad and a second electrode pad on the above-mentioned insulating layer, and above-mentioned first and second electrode pads may be electrically connected to the above-mentioned first contact layer and second contact layer through the openings in the above-mentioned insulating layer, respectively.

Oben genannte erste Kontaktschicht und zweite Kontaktschicht können hingegen eine Schicht gleichen Materials umfassen, welche jeweils mit oben genannter unteren n-Halbleiterschicht und oben genannter oberen n-Halbleiterschicht verbunden ist. Oben genannte Schicht gleichen Materials kann eine Al-Schicht sein.On the other hand, the above-mentioned first contact layer and second contact layer may comprise a layer of the same material, which is respectively connected to the above-mentioned lower n-type semiconductor layer and upper n-type semiconductor layer mentioned above. The above-mentioned layer of the same material may be an Al layer.

Im Folgenden werden unter Berücksichtigung beigefügter Figuren Ausführungsbeispiele vorliegender Erfindung detaillierter erklärt. 1 zeigt einen groben Grundriss (a) und Querschnitt (b) zur Beschreibung einer einem Ausführungsbeispiel vorliegender Erfindung entsprechenden Leuchtdiode. Dabei ist oben genannter Querschnitt (b) entlang der durchbrochenen A-A-Linie im Grundriss (a) angelegt. 2 ist hingegen ein grober Querschnitt zur Beschreibung der Schichtungsstrukur der Halbleiterschichten einer einem Ausführungsbeispiel vorliegender Erfindung entsprechenden Leuchtdiode. Grundlegend umfasst eine vorliegendem Ausführungsbeispiel entsprechende Leuchtdiode wie in 1 dargestellt eine untere n-Halbleiterschicht (23), Mesastrukturen (M), eine erste Kontaktschicht (35) und eine zweite Kontaktschicht (37). Ferner kann oben genannte Leuchtdiode einen Wafer (21), eine Isolierschicht (39) sowie ein erstes und ein zweites Elektrodenpad (41a, 41b) umfassen. Oben genannte Mesastrukturen (M) umfassen wie in 2 dargestellt zudem eine aktive Schicht (25), eine p-Halbleiterschicht (27), eine hochdotierte p-Halbleiterschicht (29), eine hochdotierte n-Halbleiterschicht (31) sowie eine obere n-Halbleiterschicht (33).In the following, embodiments of the present invention will be explained in more detail with reference to attached figures. 1 shows a rough plan (a) and cross-section (b) for describing a light emitting diode according to an embodiment of the present invention. Here, the above-mentioned cross section (b) along the broken AA line in plan (a) is applied. 2 on the other hand, is a rough cross section for describing the layer structure of the semiconductor layers of a light emitting diode according to an embodiment of the present invention. Basically, a present embodiment includes corresponding LED as in 1 illustrated a lower n-type semiconductor layer ( 23 ), Mesa structures (M), a first contact layer ( 35 ) and a second contact layer ( 37 ). Furthermore, the above-mentioned light-emitting diode can be a wafer ( 21 ), an insulating layer ( 39 ) as well as a first and a second electrode pad ( 41a . 41b ). The above-mentioned mesa structures (M) include as in 2 also shows an active layer ( 25 ), a p-type semiconductor layer ( 27 ), a highly doped p-type semiconductor layer ( 29 ), a heavily doped n-type semiconductor layer ( 31 ) and an upper n-type semiconductor layer ( 33 ).

Oben genannter Wafer (21) ist ein Wafer, der eine Halbleiterschicht aus Galliumnitrid aufwachsen lassen kann und unterliegt abgesehen davon keinen besonderen Einschränkungen. Als Beispiele für den Wafer (21) eignen sich unter anderem ein Saphirwafer, ein Galliumnitridwafer, ein SiC-Wafer oder ein Si-Wafer. Der Wafer (21) kann wie im Grundriss (a) dargestellt die Form eines Rechtecks oder Quadrats aufweisen. Die Größe des Wafers (21) unterliegt keinen besonderen Einschränkungen und kann frei gewählt werden.Above mentioned wafer ( 21 ) is a wafer that can grow a semiconductor layer of gallium nitride, and is not specifically limited. As examples of the wafer ( 21 Among others, a sapphire wafer, a gallium nitride wafer, a SiC wafer or an Si wafer are suitable. The wafer ( 21 ) may have the shape of a rectangle or square as shown in plan (a). The size of the wafer ( 21 ) is not subject to any special restrictions and can be freely chosen.

Die untere n-Halbleiterschicht (21) ist auf dem Wafer (21) aufgebracht. Die untere n-Halbleiterschicht (21) kann als eine auf dem Wafer (21) erzeugte Schicht eine Halbleiterschicht aus Galliumnitrid sein, in der ein n-leitender Fremdstoff, beispielsweise Si dotiert worden ist.The lower n-type semiconductor layer ( 21 ) is on the wafer ( 21 ) applied. The lower n-type semiconductor layer ( 21 ) can act as one on the wafer ( 21 ) layer may be a gallium nitride semiconductor layer in which an n-type impurity such as Si has been doped.

Auf der unteren n-Halbleiterschicht sind Mesastrukturen (M) angeordnet. Die Mesastrukturen (M) können auf die Innenseite des von der unteren n-Halbleiterschicht (23) umgebenen Bereichs beschränkt positioniert sein. Demzufolge sind die Randbereiche der unteren n-Halbleiterschicht nicht von Mesastrukturen (M) bedeckt und nach außen freigelegt.On the lower n-type semiconductor layer mesa structures (M) are arranged. The mesa structures (M) can be applied to the inside of the lower n-type semiconductor layer ( 23 ) are restrictedly positioned. As a result, the edge portions of the lower n-type semiconductor layer are not covered by mesa structures (M) and exposed to the outside.

Entsprechend 2 ist auf dem Wafer (21) die untere n-Halbleiterschicht (23) aufgebracht, und darauf ist die aktive Schicht (25), die p-Halbleiterschicht (27), die hochdotierte p-Halbleiterschicht (29), die hochdotierte n-Halbleiterschicht (31) sowie die obere n-Halbleiterschicht (33) angeordnet. Die Mesastrukturen (M) umfassen die auf oben genannten unteren n-Halbleiterschicht (23) angeordneten Halbleiterschichten (25, 27, 29, 31, 33).Corresponding 2 is on the wafer ( 21 ) the lower n-type semiconductor layer ( 23 ), and on top of that is the active layer ( 25 ), the p-type semiconductor layer ( 27 ), the highly doped p-type semiconductor layer ( 29 ), the heavily doped n-type semiconductor layer ( 31 ) as well as the upper n-type semiconductor layer ( 33 ) arranged. The mesa structures (M) comprise the abovementioned lower n-type semiconductor layer ( 23 ) arranged semiconductor layers ( 25 . 27 . 29 . 31 . 33 ).

Die oben genannte aktive Schicht (25) liegt zwischen der unteren n-Halbleiterschicht (23) und der p-Halbleiterschicht (27). Die aktive Schicht (25) kann entweder eine einfache Quantenmuldenstruktur oder eine Mehrfachquantenmuldenstruktur aufweisen. Zusammensetzung und Dicke der Muldenschicht in der aktiven Schicht (25) bestimmen die Wellenlänge des erzeugten Lichts. Insbesondere ist eine aktive Schicht möglich, die durch Regulierung der Zusammensetzung der Muldenschicht ultraviolettes, blaues und grünes Licht erzeugen kann.The above active layer ( 25 ) lies between the lower n-type semiconductor layer ( 23 ) and the p-type semiconductor layer ( 27 ). The active layer ( 25 ) may have either a simple quantum well structure or a multiple quantum well structure. Composition and thickness of the well layer in the active layer ( 25 ) determine the wavelength of the generated light. In particular, an active layer is possible which can produce ultraviolet, blue and green light by regulating the composition of the well layer.

Die p-Halbleiterschicht (27) hingegen kann eine Halbleiterschicht aus Galliumnitrid sein, in der ein p-leitender Fremdstoff, beispielsweise Mg dotiert ist. Die untere n-Halbleiterschicht (23) und die p-Halbleiterschicht (27) können jeweils eine einzelne Schicht sein, doch es ist nicht ausgeschlossen, dass sie aus mehreren Schichten bestehen und Übergitter umfassen. Zudem kann oben genannte p-Halbleiterschicht (27) an der Grenzfläche zur aktiven Schicht (25) eine Elektronensperrschicht aus AlGaN oder AlInGaN umfassen.The p-type semiconductor layer ( 27 In contrast, a semiconductor layer may be gallium nitride in which a p-type impurity such as Mg is doped. The lower n-type semiconductor layer ( 23 ) and the p-type semiconductor layer ( 27 ) may each be a single layer, but it is not excluded that they consist of multiple layers and include superlattices. In addition, the above-mentioned p-type semiconductor layer ( 27 ) at the interface to the active layer ( 25 ) comprise an electron-blocking layer of AlGaN or AlInGaN.

Die hochdotierte p-Halbleiterschicht (29) ist eine in höherer Konzentration als oben genannte p-Halbleiterschicht (27) mit einem p-leitenden Fremdstoff, beispielsweise Mg, dotierte Schicht. Beispielsweise kann die Konzentration eines p-leitenden Fremdstoffes in oben genannter p-Halbleiterschicht (27) in einem Bereich von durchschnittlich 1019/cm3 bis 1020/cm3 liegen, doch die Konzentration eines p-leitenden Fremdstoffes in oben genannter hochdotierter p-Halbleiterschicht (29) kann 1020/cm3 überschreiten. Oben genannte hochdotierte p-Halbleiterschicht (29) kann auch eine Delta-Dotierung aufweisen.The highly doped p-type semiconductor layer ( 29 ) is a higher concentration than the above-mentioned p-type semiconductor layer ( 27 ) with a p-type impurity such as Mg doped layer. For example, the concentration of a p-type impurity in the above-mentioned p-type semiconductor layer (FIG. 27 ) are in a range of an average of 10 19 / cm 3 to 10 20 / cm 3 , but the concentration of a p-type impurity in the above-mentioned highly doped p-type semiconductor layer ( 29 ) can exceed 10 20 / cm 3 . Above highly doped p-type semiconductor layer ( 29 ) may also have a delta doping.

Die hochdotierte n-Halbleiterschicht (31) hingegen ist eine in höherer Konzentration als oben genannte untere n-Halbleiterschicht (23) mit einem n-leitenden Fremdstoff, beispielsweise Si, dotierte Schicht. Beispielsweise kann die Konzentration eines p-leitenden Fremdstoffes in oben genannter unterer n-Halbleiterschicht (27) in einem Bereich von durchschnittlich 1018/cm3 bis 5 × 1019/cm3 liegen, doch die Konzentration eines n-leitenden Fremdstoffes in oben genannter hochdotierter n-Halbleiterschicht (31) kann 1020/cm3 überschreiten. Oben genannte hochdotierte n-Halbleiterschicht (29) kann auch eine Delta-Dotierung aufweisen.The highly doped n-type semiconductor layer ( 31 On the other hand, a lower n-type semiconductor layer is higher in concentration than the above-mentioned ( 23 ) with an n-type impurity such as Si doped layer. For example, the concentration of a p-type impurity in the above-mentioned lower n-type semiconductor layer (FIG. 27 ) in a range of on the average 10 18 / cm 3 to 5 × 10 19 / cm 3 , but the concentration of an n-type impurity in the above-mentioned highly doped n-type semiconductor layer ( 31 ) can exceed 10 20 / cm 3 . The above-mentioned highly doped n-type semiconductor layer ( 29 ) may also have a delta doping.

Durch Verbinden der hochdotierten p-Halbleiterschicht (29) mit der hochdotierten n-Halbleiterschicht (31) kann eine Tunnelverbindung gebildet werden. Ferner kann an der Grenzfläche zwischen der oben genannten hochdotierten n-Halbleiterschicht (31) und der hochdotierten p-Halbleiterschicht (29) Sauerstoff zurückbleiben. Es ist zu erwarten, dass der Sauerstoff das Tunneln des Trägers unterstützt.By connecting the highly doped p-type semiconductor layer ( 29 ) with the highly doped n-type semiconductor layer ( 31 ) a tunnel junction can be formed. Further, at the interface between the above-mentioned highly doped n-type semiconductor layer (FIG. 31 ) and the highly doped p-type semiconductor layer ( 29 ) Remain oxygen. It is to be expected that the oxygen supports the tunneling of the carrier.

Die obere n-Halbleiterschicht (33) kann eine mit einem n-leitenden Fremdstoff, beispielsweise Si, dotierte Galliumnitridschicht sein. Die obere n-Halbleiterschicht (33) kann wie die untere n-Halbleiterschicht (23) eine Dotierstoffkonzentration im Bereich von 1019/cm3 bis 5 × 1019/cm3 aufweisen.The upper n-type semiconductor layer ( 33 ) may be a gallium nitride layer doped with an n-type impurity such as Si. The upper n-type semiconductor layer ( 33 ) like the lower n-type semiconductor layer ( 23 ) have a dopant concentration in the range of 10 19 / cm 3 to 5 × 10 19 / cm 3 .

Oben genannte Halbleiterschichten (23, 25, 27, 29, 31, 33) können mittels Techniken wie der metallorganischen Gasphasenepitaxie, der Molekularstrahlepitaxie oder der Hydridgasphasenepitaxie auf dem Wafer (21) erzeugt werden. Zudem kann nach Erzeugung der oberen n-Halbleiterschicht (23), der aktiven Schicht (25), der p-Halbleiterschicht (27) und der hochdotierten p-Halbleiterschicht (29) im Hochvakuumzustand und vor Erzeugung der hochdotierten n-Halbleiterschicht (31) die hochdotierte p-Halbleiterschicht (29) an Luft expositioniert werden, indem das Vakuum in der Reaktionskammer unterbrochen wird. Danach können die hochdotierte n-Halbleiterschicht (31) und die obere n-Halbleiterschicht (33) erzeugt werden. Im Vergleich zu einer Leuchtdiode, die die hochdotierte p-Halbleiterschicht (29) und die hochdotierte n-Halbleiterschicht (31) kontinuierlich erzeugt, kann durch die Exposition der hochdotierten p-Halbleiterschicht (29) an Luft die Spannung in Durchlassrichtung beträchtlich gesenkt werden. Diese Wirkung wird einer Verstärkung des Tunneleffekts durch die Sauerstoffrückstände zwischen der hochdotierten p-Halbleiterschicht (29) und der hochdotierten N-Halbleiterschicht (31) zugeschrieben.Above-mentioned semiconductor layers ( 23 . 25 . 27 . 29 . 31 . 33 ) can be deposited on the wafer by techniques such as metalorganic vapor phase epitaxy, molecular beam epitaxy or hydride gas phase epitaxy. 21 ) be generated. In addition, after generation of the upper n-type semiconductor layer ( 23 ), of the active layer ( 25 ), the p-type semiconductor layer ( 27 ) and the highly doped p-type semiconductor layer ( 29 ) in the high vacuum state and before production of the highly doped n-type semiconductor layer ( 31 ) the highly doped p-type semiconductor layer ( 29 ) are exposed to air by breaking the vacuum in the reaction chamber. Thereafter, the highly doped n-type semiconductor layer ( 31 ) and the upper n-type semiconductor layer ( 33 ) be generated. Compared to a light-emitting diode, the highly doped p-type semiconductor layer ( 29 ) and the highly doped n-type semiconductor layer ( 31 ) is continuously generated, can be achieved by the exposure of the highly doped p-type semiconductor layer ( 29 ) in air, the voltage in the forward direction be lowered considerably. This effect is attributed to an enhancement of the tunnel effect by the oxygen residues between the highly doped p-type semiconductor layer ( 29 ) and the heavily doped N-type semiconductor layer ( 31 ) attributed.

Entsprechend 1 können mehrere Mesastrukturen (M) voneinander getrennt auf der unteren n-Halbleiterschicht (23) angeordnet sein. Im Bereich zwischen den Mesastrukturen (M) ist die untere n-Halbleiterschicht (23) freigelegt. Falls mehrere Mesastrukturen (M) angeordnet sind, wirkt sich dies aufgrund der Freilegung der unteren n-Halbleiterschicht (23) in der Umgebung der Mesastrukturen (M) günstig auf die Verteilung des Stromflusses aus. Doch vorliegende Erfindung ist nicht darauf beschränkt, und es kann auch eine einzelne Mesastruktur (M) auf der unteren n-Halbleiterschicht (23) angeordnet sein. In diesem Fall kann eine Einbuchtung in die Mesastrukur (M) gebildet werden, durch die die Oberseite der unteren n-Halbleiterschicht (23) freigelegt wird. Alternativ kann ein Durchgangsloch gebildet werden, welches die untere n-Halbleiterschicht (23) innerhalb der einzelnen Mesastruktur (M) freilegt.Corresponding 1 a plurality of mesa structures (M) can be separated from one another on the lower n-type semiconductor layer ( 23 ) can be arranged. In the area between the mesa structures (M), the lower n-type semiconductor layer ( 23 ) exposed. If a plurality of mesa structures (M) are arranged, this has an effect due to the exposure of the lower n-type semiconductor layer (FIG. 23 ) in the vicinity of the mesa structures (M) favorable to the distribution of current flow. However, this invention is not limited to this, and a single mesa structure (M) may also be formed on the lower n-type semiconductor layer (FIG. 23 ) can be arranged. In this case, a recess can be formed in the mesa structure (M), through which the upper side of the lower n-type semiconductor layer (FIG. 23 ) is exposed. Alternatively, a through hole may be formed, which forms the lower n-type semiconductor layer (FIG. 23 ) within the individual mesa structure (M).

Vorliegendes Ausführungsbeispiel wurde zwar anhand einer parallelen Anordnung von vier Mesastrukturen (M) beschrieben, doch es ist nicht darauf beschränkt zu verstehen. Die Anzahl an Mesastrukturen (M) kann mehr oder weniger betragen.While this embodiment has been described in terms of a parallel arrangement of four mesa structures (M), it is not limited thereto. The number of mesa structures (M) can be more or less.

Die erste Kontaktschicht (35) bildet den Kontakt zur unteren n-Halbleiterschicht (23), welche in der Umgebung der Mesastrukturen (M) freigelegt ist. Die erste Kontaktschicht (35) kann jede Mesastruktur (M) umgeben. Eine erste Kontaktschicht kann auch entlang den Randbereichen der unteren n-Halbleiterschicht (23) angeordnet werden. Die erste Kontaktschicht (35) ist eine Schicht aus einem Material, das mit der unteren n-Halbleiterschicht (23) in ohmschem Kontakt stehen kann, und kann beispielsweise aus einer Al-Schicht gebildet werden.The first contact layer ( 35 ) forms the contact with the lower n-type semiconductor layer ( 23 ), which is exposed in the vicinity of the mesa structures (M). The first contact layer ( 35 ) can surround any mesa structure (M). A first contact layer can also be formed along the edge regions of the lower n-type semiconductor layer (FIG. 23 ) to be ordered. The first contact layer ( 35 ) is a layer of a material that is bonded to the lower n-type semiconductor layer ( 23 ) may be in ohmic contact, and may be formed of, for example, an Al layer.

Die zweite Kontaktschicht (37) hingegen bildet den Kontakt zur oberen n-Halbleiterschicht (33). Die zweite Kontaktschicht (37) kann aus einer Schicht gleichen Materials wie die erste Kontaktschicht (35) gebildet werden, beispielsweise aus einer Al-Schicht.The second contact layer ( 37 ) on the other hand makes contact with the upper n-type semiconductor layer ( 33 ). The second contact layer ( 37 ) may consist of a layer of the same material as the first contact layer ( 35 ) are formed, for example, from an Al layer.

Falls die erste Kontaktschicht (35) und die zweite Kontaktschicht (37) aus einer Al-Schicht gebildet sind, dann kann dies die Lichtausbeute erhöhen, weil in einer Leuchtdiode, die das Licht von Waferseite (21) aus emittiert, wie bei einem Flip-Chip, das Licht mithilfe der ersten und der zweiten Kontaktschicht (35, 37) reflektiert wird. Die Ausführungsbeispiele vorliegender Erfindung sind jedoch nicht darauf beschränkt zu verstehen. Die erste und zweite Kontaktschicht (35, 37) können auch aus einer ohmschen Kontaktschicht aus einem anderen Material als Al bestehen.If the first contact layer ( 35 ) and the second contact layer ( 37 ) are formed of an Al layer, then this can increase the light output, because in a light emitting diode, the light from the wafer side ( 21 ) emitted, as with a flip-chip, the light emitted by the first and the second contact layer ( 35 . 37 ) is reflected. However, the embodiments of the present invention are not limited thereto. The first and second contact layers ( 35 . 37 ) may also consist of an ohmic contact layer of a material other than Al.

Die Isolierschicht (39) ist auf der ersten Kontaktschicht (35) und der zweiten Kontaktschicht (37) angebracht und weist eine die erste Kontaktschicht (35) freilegende Öffnung (39a) sowie eine die zweite Kontaktschicht (37) freilegende Öffnung (39b) auf. Die Öffnung (39a) und die Öffnung (39b) können, wie in 1 dargestellt, eher an den sich gegenüberliegenden Randbereichen des Wafers (21) angeordnet sein. Beispielsweise kann die Öffnung (39a), die die erste Kontaktschicht (35) freilegt, eher im Randbereich auf der einen Seite der unteren n-Halbleiterschicht (23) angeordnet sein, und die Öffnung (39b), die die zweite Kontaktschicht (37) freilegt, eher im Randbereich auf der anderen Seite der unteren n-Halbleiterschicht (23) angeordnet sein. Demzufolge können die Berührungspunkte der ersten Kontaktschicht (35) und der zweiten Kontaktschicht (37) mit dem ersten Elektrodenpad (41a) und dem zweiten Elektrodenpad (41b) weit voneinander entfernt liegen und dadurch kann sich der Stromfluss gleichmäßig verteilten.The insulating layer ( 39 ) is on the first contact layer ( 35 ) and the second contact layer ( 37 ) and has a first contact layer ( 35 ) exposing opening ( 39a ) and a second contact layer ( 37 ) exposing opening ( 39b ) on. The opening ( 39a ) and the opening ( 39b ), as in 1 shown, rather on the opposite edge regions of the wafer ( 21 ) can be arranged. For example, the opening ( 39a ), which is the first contact layer ( 35 ), rather in the edge region on one side of the lower n-type semiconductor layer ( 23 ), and the opening ( 39b ), the second contact layer ( 37 ), rather in the edge region on the other side of the lower n-type semiconductor layer ( 23 ) can be arranged. As a result, the points of contact of the first contact layer ( 35 ) and the second contact layer ( 37 ) with the first electrode pad ( 41a ) and the second electrode pad ( 41b ) are far apart and thus the current flow can be distributed evenly.

Die erste Kontaktschicht (35) hingegen kann im Überlappungsbereich mit der Öffnung (39a) einen verhältnismäßig breiten Bereich (35a) aufweisen. Demzufolge kann eine Freilegung der unteren n-Halbleiterschicht (23) an anderer Stelle als der Öffnung (39a) zur ersten Kontaktschicht (35) verhindert werden.The first contact layer ( 35 ) in the overlap area with the opening ( 39a ) a relatively wide range ( 35a ) exhibit. Consequently, an exposure of the lower n-type semiconductor layer ( 23 ) other than the opening ( 39a ) to the first contact layer ( 35 ) be prevented.

Die Isolierschicht (39) kann aus einer einzelnen SiO2-Schicht gebildet werden, ist jedoch nicht darauf beschränkt. Beispielsweise kann die Isolierschicht (39) eine mehrschichtige Struktur aus Siliciumnitrid- und Siliciumoxidmembranen oder auch einen Bragg-Spiegel mit alternierender Schichtung von Siliciumoxid- und Titanoxidmembranen aufweisen. Insbesondere falls die Isolierschicht (39) als Bragg-Spiegel mit hohem Reflexionsgrad gestaltet ist, kann das von der Isolierschicht (39) aufgenommene Licht mit hohem Reflexionsgrad zurückgeworfen und so die Lichtausbeute erhöht werden.The insulating layer ( 39 ) may be formed from a single SiO 2 layer, but is not limited thereto. For example, the insulating layer ( 39 ) have a multilayer structure of silicon nitride and silicon oxide membranes or also a Bragg mirror with alternating layering of silica and titanium oxide membranes. In particular, if the insulating layer ( 39 ) is designed as a Bragg mirror with a high reflectance, that of the insulating layer ( 39 ) reflected light with high reflectance and so the light output can be increased.

Das erste Elektrodenpad (41a) kann durch die Öffnung (39a) der Isolierschicht (39) mit der ersten Kontaktschicht (35) und das zweite Elektrodenpad (41b) durch die Öffnung (39b) mit der zweiten Kontaktschicht (37) elektrisch verbunden sein. Das erste Elektrodenpad (41a) und das zweite Elektrodenpad (41b) können durch oben genannte Öffnungen (39a, 39b) direkt mit der ersten Kontaktschicht (35) und der zweiten Kontaktschicht (37) verbunden sein. The first electrode pad ( 41a ) can through the opening ( 39a ) of the insulating layer ( 39 ) with the first contact layer ( 35 ) and the second electrode pad ( 41b ) through the opening ( 39b ) with the second contact layer ( 37 ) be electrically connected. The first electrode pad ( 41a ) and the second electrode pad ( 41b ) can pass through above-mentioned openings ( 39a . 39b ) directly with the first contact layer ( 35 ) and the second contact layer ( 37 ).

Entsprechend vorliegendem Ausführungsbeispiel können aufgrund der Anordnung der hochdotierten p-Halbleiterschicht (29), der hochdotierten n-Halbleiterschicht (31) sowie der oberen n-Halbleiterschicht (33) auf der p-Halbleiterschicht (27) die erste Kontaktschicht (35) und die zweite Kontaktschicht (37) aus einer Schicht gleichen Materials gebildet werden, und demzufolge ist eine Leuchtdiode mit einem einfachem Herstellungsverfahren möglich.According to the present embodiment, due to the arrangement of the highly doped p-type semiconductor layer ( 29 ), the heavily doped n-type semiconductor layer ( 31 ) as well as the upper n-type semiconductor layer ( 33 ) on the p-type semiconductor layer ( 27 ) the first contact layer ( 35 ) and the second contact layer ( 37 ) are formed of a layer of the same material, and accordingly, a light emitting diode with a simple manufacturing method is possible.

3 bis 6 dienen der Beschreibung des Herstellungsverfahrens einer einem Ausführungsbeispiel vorliegender Erfindung entsprechenden Leuchtdiode und zeigen jeweils Grundriss (a) und Querschnitt (b) entlang der durchbrochenen A-A-Linie. 3 to 6 are used to describe the manufacturing process of a light emitting diode according to an embodiment of the present invention, and show each plan (a) and cross section (b) along the broken AA line.

3 entsprechend wird auf einem Wafer (21) eine untere n-Halbleiterschicht (23) erzeugt und darüber Mesastrukturen (M) gebildet. 3 accordingly, on a wafer ( 21 ) a lower n-type semiconductor layer ( 23 ) and formed about it Mesastrukturen (M).

Wie in 2 dargestellt werden auf der unteren n-Halbleiterschicht (23) die aktive Schicht (25), die p-Halbleiterschicht (27), die hochdotierte p-Halbleiterschicht (29), die hochdotierte n-Halbleiterschicht (31) sowie die obere n-Halbleiterschicht (33) erzeugt und durch Strukturierung dieser Schichten Mesastrukturen (M) gebildet. Die Mesastruktur kann auch einen Teil der Dicke der unteren n-Halbleiterschicht (23) umfassen. Zudem kann wie zuvor beschrieben nach der Bildung der hochdotierten p-Halbleiterschicht (29) durch Unterbrechen des Vakuums die hochdotierte p-Halbleiterschicht (29) Luft und Sauerstoffgas ausgesetzt sein.As in 2 are shown on the lower n-type semiconductor layer ( 23 ) the active layer ( 25 ), the p-type semiconductor layer ( 27 ), the highly doped p-type semiconductor layer ( 29 ), the heavily doped n-type semiconductor layer ( 31 ) as well as the upper n-type semiconductor layer ( 33 ) and formed by structuring these layers mesa structures (M). The mesa structure may also be a part of the thickness of the lower n-type semiconductor layer ( 23 ). In addition, as described above, after the formation of the highly doped p-type semiconductor layer (FIG. 29 ) by interrupting the vacuum, the highly doped p-type semiconductor layer ( 29 ) Be exposed to air and oxygen gas.

Oben genannte Halbleiterschichten (23, 25, 27, 29, 31) können mittels metallorganisch-chemischer Gasphasenabscheidung (MOCVD) auf dem Wafer (21) erzeugt werden. Dabei kann oben genannte untere n-Halbleiterschicht (23) durch einen n-leitenden Fremdstoff, beispielsweise Si, dotiert werden.Above-mentioned semiconductor layers ( 23 . 25 . 27 . 29 . 31 ) can be deposited on the wafer by means of organometallic-chemical vapor deposition (MOCVD). 21 ) be generated. In this case, the above-mentioned lower n-type semiconductor layer ( 23 ) are doped by an n-type impurity such as Si.

3 zeigt, dass vier Mesastrukturen (M) in paralleler Ausrichtung gebildet sind, die Anzahl der Mesastrukturen (M) unterliegt jedoch keinen besonderen Beschränkungen. Die Bereiche zwischen den Mesastrukturen (M) und die Randbereiche der unteren n-Halbleiterschicht (23) hingegen werden infolge der Bildung oben genannter Mesastrukuren (M) nach außen freigelegt. Dabei kann im freigelegten Bereich der unteren n-Halbleiterschicht (23) ein verhältnismäßig breiter Bereich (23a) gebildet werden. In diesem Bereich (23a) befinden sich die Öffnungen (39a), die in der im Folgenden beschriebenen Isolierschicht (39) gebildet werden. 3 shows that four mesa structures (M) are formed in parallel alignment, but the number of mesa structures (M) is not particularly limited. The regions between the mesa structures (M) and the edge regions of the lower n-type semiconductor layer ( 23 ), however, are exposed to the outside due to the formation of the above-mentioned mesa strains (M). In this case, in the exposed region of the lower n-type semiconductor layer ( 23 ) a relatively wide range ( 23a ) are formed. In this area ( 23a ) are the openings ( 39a ) described in the insulating layer (below) 39 ) are formed.

Die Seiten oben genannter Mesastrukturen (M) hingegen können unter Anwendung von Techniken wie dem Reflow von Fotolacken schräg gebildet werden. Das schräge Profil der Mesastrukturseiten (M) erhöht die Ausbeute des in der aktiven Schicht (25) erzeugten Lichts.On the other hand, the sides of the above-mentioned mesa structures (M) can be obliquely formed using techniques such as reflow of photoresists. The oblique profile of the mesostructure sides (M) increases the yield of the active layer ( 25 ) generated light.

4 entsprechend werden auf unterer n-Halbleiterschicht (23) sowie den Mesastrukturen (M) jeweils eine erste Kontaktschicht (35) und eine zweite Kontaktschicht (37) gebildet. Die erste Kontaktschicht (35) und die zweite Kontaktschicht (37) können aus dem gleichen Material durch den gleichen Prozess gebildet werden. Beispielsweise können die erste und die zweite Kontaktschicht (35, 37) durch eine Beschichtungstechnik gebildet werden, die die Elektronenstrahlverdampfung anwendet. Die erste und die zweite Kontaktschicht (35, 37) können als Metallschichten, die mit der unteren und der oberen n-Halbleiterschicht (23, 33) in ohmschem Kontakt stehen, eine Al-Schicht umfassen. Doch vorliegende Erfindung ist nicht darauf beschränkt, sie können auch eine andere Metallschicht oder eine transparente leitfähige Schicht umfassen. 4 accordingly, on lower n-type semiconductor layer ( 23 ) and the mesas (M) each have a first contact layer ( 35 ) and a second contact layer ( 37 ) educated. The first contact layer ( 35 ) and the second contact layer ( 37 ) can be made from the same material by the same process. For example, the first and second contact layers ( 35 . 37 ) are formed by a coating technique that uses electron beam evaporation. The first and second contact layers ( 35 . 37 ) can be used as metal layers which are connected to the lower and the upper n-type semiconductor layer ( 23 . 33 ) in ohmic contact, comprise an Al layer. However, the present invention is not limited thereto, but may include another metal layer or a transparent conductive layer.

Die erste Kontaktschicht (35) kann in dem Randbereich der zwischen den Mesastrukturen freigelegten unteren n-Halbleiterschicht und der unteren n-Halbleiterschicht (23) gebildet werden, sie kann die Mesastrukturen (M) umgeben. Zudem kann die erste Kontaktschicht (35) so gebildet werden, dass sie breiter ist als die anderen Elemente auf dem verhältnismäßig breiten Bereich (23a) im freigelegten Bereich der unteren n-Halbleiterschicht (23).The first contact layer ( 35 ) can be formed in the edge region of the lower n-type semiconductor layer exposed between the mesa structures and the lower n-type semiconductor layer (FIG. 23 ), it can surround the mesa structures (M). In addition, the first contact layer ( 35 ) are formed so that it is wider than the other elements in the relatively wide range ( 23a ) in the exposed area of the lower n-type semiconductor layer ( 23 ).

Die zweite Kontaktschicht (37) wird auf den Mesastrukturen (M), insbesondere auf der oberen n-Halbleiterschicht (33) gebildet und stellt den Kontakt zur oberen n-Halbleiterschicht (33) her.The second contact layer ( 37 ) is on the mesa structures (M), in particular on the upper n-type semiconductor layer ( 33 ) and makes contact with the upper n-type semiconductor layer ( 33 ) ago.

5 entsprechend wird eine die oben genannte erste Kontaktschicht (35) und zweite Kontaktschicht (37) bedeckende Isolierschicht (39) gebildet. Die Isolierschicht (39) kann zudem die Bereiche der unteren n-Halbleiterschicht (23) und Bereiche der Mesastrukturen (M) bedecken. Die Isolierschicht (39) weist eine die erste Kontaktschicht (35) freilegende Öffnung (39a) sowie eine die zweite Kontaktschicht (37) freilegende Öffnung (39b) auf. 5 accordingly, the above-mentioned first contact layer (FIG. 35 ) and second contact layer ( 37 ) covering insulating layer ( 39 ) educated. The insulating layer ( 39 ), the regions of the lower n-type semiconductor layer ( 23 ) and areas of the mesa structures (M). The insulating layer ( 39 ) has a first contact layer ( 35 ) exposing opening ( 39a ) and a second contact layer ( 37 ) exposing opening ( 39b ) on.

Insbesondere die die erste Kontaktschicht (35) freilegende Öffnung (39a) kann auf einem verhältnismäßig breiten Bereich der ersten Kontaktschicht (35a) gebildet werden.In particular, the first contact layer ( 35 ) exposing opening ( 39a ) can be applied over a relatively wide area of the first contact layer ( 35a ) are formed.

Die Isolierschicht (39) kann unter Anwendung der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) aus einer Oxidmembran aus SiO2, aus einer Nitridmembran aus SiNx oder aus einer Isoliermembran aus MgF2 gebildet und durch Photoätztechnik strukturiert werden. Zudem kann die untere Isolierschicht (33) aus einem Bragg-Spiegel (DBR) mit abwechselnder Schichtung eines hochreflektierenden und eines schwach reflektierenden Materials gebildet werden. Beispielsweise kann sie aus einer isolierenden Reflexionsschicht mit hohem Reflexionsgrad durch eine Schichtung aus SiO2/TiO2 oder SiO2/Nb2O5 gebildet werden.The insulating layer ( 39 ) can be formed by using chemical vapor deposition (CVD) of an oxide membrane of SiO 2 , of a nitride membrane of SiNx or of an insulating membrane of MgF 2 , and patterned by photoetching. In addition, the lower insulating layer ( 33 ) are formed of a Bragg mirror (DBR) with alternating lamination of a highly reflective and a low reflective material. For example, it may be formed of an insulating reflection layer having a high reflectance by a coating of SiO 2 / TiO 2 or SiO 2 / Nb 2 O 5 .

6 entsprechend wird auf oben genannter Isolierschicht (39) ein erstes Elektrodenpad (41a) und ein zweites Elektrodenpad (41b) gebildet. Das erste Elektrodenpad (41b) ist durch die Öffnung (39a) der Isolierschicht (39) mit der ersten Kontaktschicht (35) verbunden, und das zweite Elektrodenpad (41b) ist durch die Öffnung (39b) der Isolierschicht (39) mit der zweiten Kontaktschicht (41b) verbunden. Oben genanntes erstes Elektrodenpad (41a) und zweites Elektrodenpad (41b) werden verwendet, um die Leuchtdiode auf Substrat oder Platinen zu bringen. Das erste Elektrodenpad (41a) und das zweite Elektrodenpad (41b) unterliegen keinen besonderen Beschränkungen. Sie können beispielsweise aus AuSn gebildet und durch eutektisches Bonden auf Substrat gebracht werden. 6 according to the above-mentioned insulating layer ( 39 ) a first electrode pad ( 41a ) and a second electrode pad ( 41b ) educated. The first electrode pad ( 41b ) is through the opening ( 39a ) of the insulating layer ( 39 ) with the first contact layer ( 35 ), and the second electrode pad ( 41b ) is through the opening ( 39b ) of the insulating layer ( 39 ) with the second contact layer ( 41b ) connected. Above first electrode pad ( 41a ) and second electrode pad ( 41b ) are used to place the LED on substrate or boards. The first electrode pad ( 41a ) and the second electrode pad ( 41b ) are not subject to any special restrictions. They can for example be formed from AuSn and brought to substrate by eutectic bonding.

Oben genanntes erstes und zweites Elektrodenpad (39a, 39b) hingegen können gemeinsam im gleichen Prozess und beispielsweise unter Anwendung des Lift-off-Verfahrens gebildet werden.The above-mentioned first and second electrode pad ( 39a . 39b however, can be formed together in the same process and, for example, using the lift-off method.

Demzufolge ist eine Leuchtdiode möglich, die aus einzelnen separaten Leuchtdioden besteht, welche durch Verfahren wie Laserritzen oder -separieren vereinzelt worden sind.As a result, a light emitting diode consisting of individual separate light emitting diodes separated by processes such as laser scribing or separating is possible.

Eine vorliegendem Ausführungsbeispiel entsprechende Leuchtdiode kann beispielsweise als Leuchtdiode mit Flip-Chip oder als Chip-Scale-Package hergestellt werden. Doch vorliegende Erfindung ist nicht darauf beschränkt, auch eine Herstellung als Leuchtdiode mit horizontaler Struktur ist möglich. 7 ist ein Querschnitt zur Beschreibung einer Leuchtdiode mit horizontaler Struktur.A light-emitting diode according to the present exemplary embodiment can be produced, for example, as a light-emitting diode with a flip-chip or as a chip-scale package. However, the present invention is not limited thereto, and production as a light emitting diode having a horizontal structure is also possible. 7 is a cross section for describing a light emitting diode with a horizontal structure.

7 entsprechend wird, wie in 2 dargestellt, nach Erzeugung der Halbleiterschichten (23, 25, 27, 29, 31, 33) in Reihenfolge auf dem Wafer (21) die untere n-Halbleiterschicht (23) freigelegt, indem die obere n-Halbleiterschicht (33), die hochdotierte n-Halbleiterschicht (31), die hochdotierte p-Halbleiterschicht (29), die p-Halbleiterschicht (27) sowie die aktive Schicht (25) geätzt werden. 7 accordingly, as in 2 shown after generation of the semiconductor layers ( 23 . 25 . 27 . 29 . 31 . 33 ) in order on the wafer ( 21 ) the lower n-type semiconductor layer ( 23 ) exposed by the upper n-type semiconductor layer ( 33 ), the heavily doped n-type semiconductor layer ( 31 ), the highly doped p-type semiconductor layer ( 29 ), the p-type semiconductor layer ( 27 ) as well as the active layer ( 25 ) are etched.

Demzufolge kann eine Leuchtdiode mit horizontaler Struktur hergestellt werden, indem auf der oben genannten unteren n-Halbleiterschicht (23) und der oberen n-Halbleiterschicht (33) jeweils ein erstes Elektrodenpad (oder eine erste Kontaktschicht, 41a) sowie ein zweites Elektrodenpad (oder eine zweite Kontaktschicht, 41b) gebildet werden. Das erste und zweite Elektrodenpad (41a, 41b) können aus einer Schicht gleichen Materials im gleichen Prozess gebildet werden.As a result, a light emitting diode having a horizontal structure can be manufactured by depositing on the above-mentioned lower n-type semiconductor layer (FIG. 23 ) and the upper n-type semiconductor layer ( 33 ) each have a first electrode pad (or a first contact layer, 41a ) and a second electrode pad (or a second contact layer, 41b ) are formed. The first and second electrode pads ( 41a . 41b ) can be formed from a layer of the same material in the same process.

Vorliegendem Ausführungsbeispiel entsprechend stehen das oben genannte erste und zweite Elektrodenpad (41a, 41b) mit der unteren und oberen n-Halbleiterschicht (23, 33) in ohmschem Kontakt und besitzen deshalb die Funktion einer Kontaktschicht. Vorliegendem Ausführungsbeispiel entsprechende erstes und zweites Elektrodenpad (41a, 41b) können eine Al-Schicht umfassen.According to the present exemplary embodiment, the abovementioned first and second electrode pads ( 41a . 41b ) with the lower and upper n-type semiconductor layer ( 23 . 33 ) in ohmic contact and therefore have the function of a contact layer. According to the present embodiment, corresponding first and second electrode pad ( 41a . 41b ) may comprise an Al layer.

Zuvor wurden vielfältige Ausführungsbeispiele für vorliegende Erfindung beschrieben, doch vorliegende Erfindung ist nicht auf diese Ausführungsbeispiele beschränkt. Zudem können ein spezielles Ausführungsbeispiel beschreibende Ausführungen und Bestandteile, ohne vom technologischen Gedankengut vorliegender Erfindung abzuweichen, auch auf andere Ausführungsbeispiele übertragen werden.Hitherto, various embodiments of the present invention have been described, but the present invention is not limited to these embodiments. In addition, a specific embodiment describing embodiments and components, without departing from the technological idea of the present invention, be transferred to other embodiments.

Claims (11)

Leuchtdiode, die aufweist: eine untere n-Halbleiterschicht; eine obere n-Halbleiterschicht, die auf oben genannter unterer n-Halbleiterschicht angeordnet ist; eine p-Halbleiterschicht, die zwischen oben genannter unterer n-Halbleiterschicht und oberer n-Halbleiterschicht liegt; eine aktive Schicht, die zwischen oben genannter unterer n-Halbleiterschicht und oben genannter p-Halbleiterschicht liegt; eine hochdotierte p-Halbleiterschicht, die zwischen oben genannter p-Halbleiterschicht und oben genannter oberer n-Halbleiterschicht liegt und in höherer Konzentration als oben genannte p-Halbleiterschicht dotiert ist; eine hochdotierte n-Halbleiterschicht, die zwischen oben genannter hochdotierter p-Halbleiterschicht und oben genannter oberer n-Halbleiterschicht liegt und in höherer Konzentration als oben genannte obere n-Halbleiterschicht dotiert ist; eine erste Kontaktschicht, die den Kontakt zu oben genannter unterer n-Halbleiterschicht bildet; sowie eine zweite Kontaktschicht, die den Kontakt zu oben genannter oberer n-Halbleiterschicht bildet, umfasst und bei der oben genannte erste und zweite Kontaktschicht eine Schicht gleichen Materials umfassen, die den Kontakt zu oben genannter unterer und oberer n-Halbleiterschicht bildet.A light emitting diode comprising: a lower n-type semiconductor layer; an upper n-type semiconductor layer disposed on the above-mentioned lower n-type semiconductor layer; a p-type semiconductor layer interposed between the above-mentioned lower n-type semiconductor layer and upper n-type semiconductor layer; an active layer interposed between the above-mentioned lower n-type semiconductor layer and the above-mentioned p-type semiconductor layer; a heavily doped p-type semiconductor layer interposed between the above-mentioned p-type semiconductor layer and upper n-type semiconductor layer and doped at a higher concentration than the above-mentioned p-type semiconductor layer; a heavily doped n-type semiconductor layer interposed between the above-mentioned highly doped p-type semiconductor layer and the above-mentioned upper n-type semiconductor layer and doped at a higher concentration than the above-mentioned upper n-type semiconductor layer; a first contact layer forming contact with the above-mentioned lower n-type semiconductor layer; and a second contact layer forming contact with the upper n-type semiconductor layer mentioned above and in the above-mentioned first and second contact layers comprise a layer of the same material which makes contact with the above-mentioned lower and upper n-type semiconductor layers. Leuchtdiode nach Anspruch 1, bei der oben genannte Schicht gleichen Materials eine Al-Schicht ist.A light-emitting diode according to claim 1, wherein the above-mentioned layer of the same material is an Al layer. Leuchtdiode nach Anspruch 1, bei der oben genannte p-Halbleiterschicht eine Elektronensperrschicht umfasst. A light emitting diode according to claim 1, wherein said p-type semiconductor layer comprises an electron-blocking layer. Leuchtdiode nach Anspruch 1, bei der die Grenzfläche zwischen oben genannter hochdotierter p-Halbleiterschicht und oben genannter hochdotierter n-Halbleiterschicht mit Sauerstoff angereichert ist.A light-emitting diode according to claim 1, wherein the interface between the above-mentioned highly doped p-type semiconductor layer and the above-mentioned highly doped n-type semiconductor layer is enriched with oxygen. Leuchtdiode nach Anspruch 1, die zusätzlich eine oben genannte obere n-Halbleiterschicht sowie oben genannte erste und zweite Kontaktschicht bedeckende und oben genannte erste und zweite Kontaktschicht freilegende Öffnungen aufweisende Isolierschicht; sowie ein erstes und zweites Elektrodenpad, welche auf oben genannter Isolierschicht angeordnet sind und durch oben genannte Öffnungen jeweils mit oben genannter erster und zweiter Kontaktschicht elektrisch verbunden sind, umfasst.Light-emitting diode according to Claim 1, additionally comprising an above-mentioned upper n-type semiconductor layer, and above-mentioned first and second contact layer covering and above-mentioned first and second contact layer exposing openings insulating layer; such as a first and second electrode pad, which are arranged on the above-mentioned insulating layer and are electrically connected by above-mentioned openings in each case with the above-mentioned first and second contact layer comprises. Leuchtdiode nach Anspruch 5, bei der oben genannte erste Kontaktschicht freilegende Öffnung und zweite Kontaktschicht freilegende Öffnung getrennt voneinander in den sich gegenüberliegenden Randbereichen oben genannter oberen n-Halbleiterschicht angeordnet sind.A light emitting diode according to claim 5, wherein said first contact layer exposing opening and second contact layer exposing opening are disposed separately from each other in the opposite edge portions of the above-mentioned upper n-type semiconductor layer. Leuchtdiode nach Anspruch 6, bei der die zwischen oben genanntem ersten Elektrodenpad und oben genannter erster Kontaktschicht angeordnete Isolierschicht eine Schicht gleichen Materials wie die zwischen oben genanntem zweitem Elektrodenpad und oben genannter zweiter Kontaktschicht angeordnete Isolierschicht ist.A light-emitting diode according to claim 6, wherein the insulating layer disposed between said first electrode pad and said first contact layer is a layer of the same material as the insulating layer disposed between said second electrode pad and said second contact layer. Leuchtdiode nach Anspruch 7, bei der oben genannte Isolierschicht ein Bragg-Spiegel ist, in dem dielektrische Schichten mit voneinander abweichendem Brechungsindex alternierend geschichtet sind.A light-emitting diode according to claim 7, wherein said insulating layer is a Bragg mirror in which dielectric layers having a different refractive index are alternately laminated. Leuchtdiode nach Anspruch 5, die zusätzlich mehrere Mesastrukturen umfasst, bei der oben genannte mehrere Mesastrukturen jeweils oben genannte aktive Schicht, p-Halbleiterschicht, hochdotierte p-Halbleiterschicht, hochdotierte n-Halbleiterschicht sowie obere n-Halbleiterschicht umfassen, bei der oben genannte erste Kontaktschicht den Kontakt zu der oben genannten unteren n-Halbleiterschicht bildet, damit sie oben genannte Mesastrukturen jeweils umgibt, und bei der oben genannte zweite Kontaktschicht jeweils auf oben genannten Mesastrukturen angeordnet ist.Light-emitting diode according to Claim 5, which additionally comprises several mesas, in the above-mentioned plurality of mesa structures each comprise the above-mentioned active layer, p-type semiconductor layer, highly doped p-type semiconductor layer, highly doped n-type semiconductor layer and upper n-type semiconductor layer, in the above-mentioned first contact layer, making contact with the above-mentioned lower n-type semiconductor layer so as to respectively surround above-mentioned mesa structures, and in the above-mentioned second contact layer is disposed respectively on above-mentioned mesa structures. Leuchtdiode nach Anspruch 9, bei der die oben genannte Isolierschicht jeweils auf oben genannten Mesastrukturen oben genannte zweite Kontaktschicht freilegende Öffnungen aufweist.A light-emitting diode according to claim 9, in which the above-mentioned insulating layer has openings which open above-mentioned mesa structures above-mentioned second contact layer. Leuchtdiode nach einem der Ansprüche von 1 bis einschließlich 10, die zusätzlich einen Wafer umfasst und bei der die oben genannte untere n-Halbleiterschicht auf oben genanntem Wafer angeordnet ist.A light emitting diode according to any one of claims 1 to 10 inclusive, further comprising a wafer, and wherein said lower n-type semiconductor layer is disposed on the above-mentioned wafer.
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