DE202008017194U1 - Überspannungs-/Umkehrspannungs-Schutzschaltung - Google Patents

Überspannungs-/Umkehrspannungs-Schutzschaltung Download PDF

Info

Publication number
DE202008017194U1
DE202008017194U1 DE200820017194 DE202008017194U DE202008017194U1 DE 202008017194 U1 DE202008017194 U1 DE 202008017194U1 DE 200820017194 DE200820017194 DE 200820017194 DE 202008017194 U DE202008017194 U DE 202008017194U DE 202008017194 U1 DE202008017194 U1 DE 202008017194U1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
voltage
input
input terminal
output terminal
polarity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE200820017194
Other languages
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB
Original Assignee
Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB filed Critical Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB
Priority to DE200820017194 priority Critical patent/DE202008017194U1/de
Publication of DE202008017194U1 publication Critical patent/DE202008017194U1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H11/00Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result
    • H02H11/002Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result in case of inverted polarity or connection; with switching for obtaining correct connection
    • H02H11/003Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result in case of inverted polarity or connection; with switching for obtaining correct connection using a field effect transistor as protecting element in one of the supply lines

Landscapes

  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
  • Protection Of Static Devices (AREA)

Abstract

Vorrichtung (VR) zum Bereitstellen eines Spannungsschutzes für einen Verbraucher (V), der zum Betrieb mit einer DC Gleichspannung (V+, V) von einer DC Spannungsquelle (B) versorgt wird, umfassend:
a) einen ersten und zweiten Eingangsanschluss (i+; i), zwischen denen im Betrieb die DC Gleichspannung (V+, V) mit einer ersten Polarität der DC Spannungsquelle (B) angelegt wird, und einen ersten und zweiten Ausgangsanschluss (o+, o–), die mit dem Verbraucher (V) verbunden sind und zwischen denen im Betrieb die DC Gleichspannung (V+, V) mit der ersten Polarität anliegt; und
b) eine zwischen die Eingangs- und Ausgangsanschlüsse (i–, i+; o–, o+) geschaltete Umkehrspannungsschutzeinheit (USS) zum Entkoppeln des Verbrauchers (V) von der DC Spannungsquelle (B), wenn die DC Gleichspannung (V+, V) an den Eingangsanschlüssen (i+, i–) eine zweite Polarität entgegengesetzt zu der ersten Polarität aufweist, zum Schützen des Verbrauchers (V) vor Umkehrspannungen;
gekennzeichnet durch
c) eine zwischen die Eingangsanschlüsse (i+; i–) geschaltete...

Description

  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die Erfindung betrifft allgemein das Gebiet von Umkehrspannungs- bzw. Überspannungsschutzeinheiten für Verbraucher, die mit einer DC Gleichspannung von einer DC Spannungsquelle gespeist werden.
  • Insbesondere betrifft die Erfindung eine Vorrichtung zum Bereitstellen eines Spannungsschutzes für einen Verbraucher, der zum Betrieb mit einer DC Gleichspannung von einer DC Spannungsquelle versorgt bzw. gespeist wird, die die Merkmale a), b) des Schutzanspruchs 1 umfasst. Das Einsatzgebiet einer derartigen Vorrichtung kann vielfältig sein und ein typisches Beispiel ist die Bereitstellung eines Spannungsschutzes für die elektronische Steuereinheit (ECU) eines Automobiles, bei der eine falsche Polung beim Anschluss der Batterie an die elektronische Steuereinheit eine Zerstörung derselben zur Folge haben kann. Andere Einsatzgebiete sind in der Telekommunikation, z. B. bei der Verbindung einer Batterie mit der der Steuereinheit einer Mobilfunkeinheit.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • 1 zeigt ein Blockdiagramm, bei dem in einer Spannungsschutzvorrichtung VR eine Umkehrspannungsschutzeinheit USS, die einen ersten und zweiten Eingangsanschluss i+, i– und einen ersten und zweiten Ausgangsanschluss o+, o– aufweist, zwischen eine DC Spannungsquelle B und einen Verbraucher V geschaltet ist. Zum Betrieb benötigt der Verbraucher V, z. B. eine elektronische Schaltung, eine vom ersten Ausgangsanschluss o+ zum zweiten Ausgangsanschluss o– gerichtete DC Spannung V'+. Wenn eine Spannung V' zwischen den ersten und zweiten Ausgangsanschluss o+, o– angelegt wird, so besteht die Gefahr, dass der Verbraucher V zerstört oder zumindest beschädigt wird.
  • Die Umkehrspannungsschutzeinheit USS ist zur Vermeidung dieses Problems zwischen der DC Spannungseinheit B und dem Verbraucher V angeordnet. Sie soll den Verbraucher V davor schützen, das beispielsweise bei einer Verpolung der Anschlüsse i+, i– eine Umkehrspannung V' am Verbraucher V anliegt, die von der vergolten Spannung V an den Eingangsanschlüssen i+, i– herrührt. Das heißt, die Umkehrspannungsschutzeinheit USS soll vermeiden, dass am Verbraucher V die schädlichen Umkehrspannungen V' im Betrieb anliegen.
  • Um diesen Umkehrspannungsschutz zu bewirken, umfasst die Umkehrspannungsschutzeinheit USS typischerweise eine Schalteinheit SW, die den Verbraucher V von der DC Spannungsquelle B entkoppelt, wenn die DC Gleichspannung an den Eingangsanschlüssen i+, i– eine Spannung V mit einer Polarität aufweist, die von dem zweiten Eingangsanschluss i– zu dem ersten Eingangsanschluss i+ gerichtet ist, d. h. entgegengesetzt zu der Betriebsspannung V+ mit einer ersten Polarität ist, die von dem ersten Eingangsanschluss i+ zu dem zweiten Eingangsanschluss i– gerichtet ist. Dadurch wird der Verbraucher V vor Umkehrspannungen V' geschützt.
  • 2 zeigt ein Beispiel einer Spannungsschutzvorrichtung VR mit einer Umkehrspannungsschutzeinheit USS, die eine Diode D in dem Strompfad von der DC Energieversorgung B zu dem Verbraucher V hin umfasst. Die Diode D erlaubt einen Stromfluss nur in eine Richtung vom ersten Eingangsanschluss i+ zum ersten Ausgangsanschluss o+ und nur dann, wenn die DC Spannung V mit der richtigen Polarität V+ angelegt wird. Jedoch gibt es einen inhärenten Spannungsabfall über der Diode D, wenn sie leitet und, da die Diode immer Strom während eines normalen Betriebs leitet, führt dies zu einem unnötigen Energieverlust.
  • 3 zeigt ein weiteres Beispiel einer Spannungsschutzvorrichtung VR mit einer Umkehrspannungsschutzeinheit USS, bei der ein P-Kanal MOSFET Transistor PT so verschaltet ist, dass die Drain d des Transistors PT mit dem ersten Eingangsanschluss i+ verbunden ist, die Source s des P-Kanal MOSFET Transistors PT mit dem ersten Ausgangsanschluss o+ verbunden ist, und das Gate g des P-Kanal MOSFET Transistors PT über einen Strombegrenzungswiderstand R1 mit einer Verbindung des zweiten Eingangsanschlusses i– mit dem zweiten Ausgangsanschluss o– verbunden ist. Der MOSFET Transistor PT ist nicht in einer normalen Konfiguration verschaltet, d. h. die Drain-Source-Spannung ist umgekehrt von derjenigen einer normalen Konfiguration. Die Leitungscharakteristiken des MOSFET Transistors PT sind jedoch in diesem Umkehrmodus genauso wie in dem Vorwärtsmodus. Im normalen Betrieb, wenn die richtige (nicht verpolte) Spannung V+ zwischen dem ersten Eingangsanschluss i+ und dem zweiten Einganganschluss i– angelegt wird, dann leitet der Transistor PT und die DC Gleichspannung V'+ wird mit richtiger Polarität, gerichtet vom ersten o+ zum zweiten o– Ausgangsanschluss, an dem Verbraucher V angelegt.
  • Wenn die verpolte Spannung V zwischen die Einganganschlüsse i+, i–, gerichtet vom zweiten i– zum ersten i+ Eingangsanschluss, angelegt wird, dann wirkt die inhärente Diode zwischen der Drain d und der Source s als eine offene Schaltung und verhindert einen Stromfluss, so dass der Verbraucher V von der Energiequelle B entkoppelt wird. Obwohl einige Energieverluste vorhanden sein werden, ist der Energieverlust geringer als bei der Reihendiode D in 2.
  • Zum Schutz des Gates g ist ein Paar einer ersten und zweiten Zenerdioden Z1, Z2 vorgesehen, die an ihren Katoden verbunden sind, wobei deren Anoden jeweils mit dem Gate g und der Source s verbunden sind. Die Zenerdioden Z1, Z2 sind als Suppressordiode verschaltet. Die Beispiele in 2 und 3 sind aus der US 5, 546,264 bekannt.
  • Obwohl die Umkehrspannungseinheit USS, insbesondere gemäß des Beispiels in 3, gut arbeitet und zudem geringere Energieverluste als das Beispiel in 2 aufweist, besteht dennoch ein weiters Problem im Zusammenhang mit dem Einsatz des MOSFETs Transistors PT in 3. Obwohl eine Umkehrspannung V effektiv vor Anlegung an den Verbraucher V entkoppelt werden kann, kann dennoch der MOSFET Transistor PT bei überhöhten Spannungen V+ und insbesondere bei erhöhten Umkehrspannungen V beschädigt oder zerstört werden. Zwar stellt der Strombegrenzungswiderstand R1 eine gewisse Strombegrenzung für den MOSFET Transistor PT bereit, aber dennoch kann der Transistor PT bei erhöhten Spannungen V, V+ zerstört oder zumindest beschädigt werden.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Wie voran stehend erläutert, obwohl die Schaltung in 1, 2, 3 einen effektiven Umkehrspannungsschutz für den Verbraucher V bzw. dessen elektronische Schaltungen bereitstellen kann, besteht dennoch das Problem, dass die in der Umkehrspannungsschutzeinheit USS verwendeten Schaltungskomponenten durch überhöhte Spannungen zerstört bzw. beschädigt werden. Dieses Problem stellt sich bei erhöhten richtig gepolten Betriebsspannungen V+ der DC Spannungsquelle B, sowie bei großen erhöhten Umkehrspannungen V der Spannungsquelle gleichermaßen.
  • Das technische Problem der Erfindung besteht daher darin, eine Vorrichtung zum Bereitstellen eines Spannungsschutzes für einen Verbraucher bereitzustellen, bei der erhöhte Eingangsspannungen keine Zerstörung der Schaltungskomponenten der Umkehrspannungsschutzeinheit bewirken können.
  • Dieses technische Problem wird gelöst durch eine Vorrichtung zum Bereitstellen eines Spannungsschutzes für einen Verbraucher, der zum Betrieb mit einer DC Gleichspannung von einer DC Spannungsquelle versorgt wird, umfassend einen ersten und zweiten Eingangsanschluss, zwischen denen im Betrieb die DC Gleichspannung mit einer ersten Polarität der DC Spannungsquelle angelegt wird, und einen ersten und zweiten Ausgangsanschluss, die mit dem Verbraucher verbunden sind und zwischen denen im Betrieb die DC Gleichspannung mit der ersten Polarität anliegt; und eine zwischen die Eingangs- und Ausgangsanschlüsse geschaltete Umkehrspannungsschutzeinheit zum Entkoppeln des Verbrauchers von der DC Spannungsquelle, wenn die DC Gleichspannung an den Eingangsanschlüssen eine zweite Polarität entgegengesetzt zu der ersten Polarität aufweist, zum Schützen des Verbrauchers vor Umkehrspannungen, umfassend eine zwischen die Eingangsanschlüsse geschaltete Überspannungsschutzeinheit, zum Schützen der Umkehrspannungsschutzeinheit vor Überspannungen.
  • Die zwischen die Eingangsanschlüsse geschaltete Überspannungsschutzeinheit ermöglicht, dass sämtliche nachfolgenden Schaltungskomponenten in der Vorrichtung, insbesondere in der Umkehrspannungsschutzeinheit, vor Überspannungen, beispielsweise hervorgerufen durch Anschließen einer falschen DC Spannungsquelle, geschützt werden.
  • Weitere vorteilhafte Ausführungsformen, Ausbildungen und Verbesserungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • Es ist vorteilhaft, wenn die Umkehrspannungsschutzeinheit eine Schalteinheit umfasst, die zwischen den ersten Eingangsanschluss und den ersten Ausgangsanschluss geschaltet ist, und einen ersten Zustand, in dem der erste Eingangsanschluss mit dem ersten Ausgangsanschluss verbunden ist, und einen zweiten Zustand, in dem der erste Eingangsanschluss von dem ersten Ausgangsanschluss getrennt ist, aufweist, wobei die Schalteinheit in ihren ersten Zustand geht, wenn die an die Eingangsanschlüsse angelegte DC Gleichspannung die erste Polarität aufweist, und in ihren zweiten Zustand geht, wenn die an die Eingangsanschlüsse angelegte DC Gleichspannung eine zweite Polarität, entgegengesetzt zu der ersten Polarität, aufweist.
  • Es ist vorteilhaft, wenn die Umkehrspannungsschutzeinheit eine zwischen den ersten Eingangsanschluss und den ersten Ausgangsanschluss geschaltete Diode umfasst.
  • Es ist auch vorteilhaft, wenn die Überspannungsschutzeinheit eine erste und zweite Zenerdiode umfasst, deren Kathoden untereinander und deren Anoden mit dem ersten bzw. zweiten Eingangsanschluss verbunden sind.
  • Zudem ist es auch vorteilhaft, wenn die Schalteinheit einen N-Kanal MOSFET Transistor umfasst.
  • Es ist auch vorteilhaft, wenn die Vorrichtung einen Strombegrenzungswiderstand umfasst.
  • Ferner hat sich als besonders erfolgreich herausgestellt, dass der zweite Eingangsanschluss mit dem zweiten Ausgangsanschluss verbunden ist, die Drain des P-Kanal MOSFET Transistors mit dem ersten Eingangsanschluss verbunden ist, die Source des P-Kanal MOSFET Transistors mit dem ersten Ausgangsschluss verbunden ist, und das Gate des P-Kanal MOSFET Transistors über den erwähnten Widerstand mit der Verbindung des zweiten Eingangsanschlusses mit dem zweiten Ausgangsanschluss verbunden ist.
  • Vorteilhaft ist auch, wenn der erste Eingangsanschluss mit dem ersten Ausgangsanschluss verbunden ist, die Source eines N-Kanal MOSFET Transistors mit dem zweiten Ausgangsanschluss verbunden ist, die Drain des N-Kanal MOSFET Transistors mit dem zweiten Eingangsanschluss verbunden ist, und das Gate des N-Kanal MOSFET Transistors über den Strombegrenzungswiderstand mit der Verbindung des ersten Eingangsanschlusses und des ersten Ausgangsanschlusses verbunden ist.
  • Vorteilhaft ist auch, wenn eine vierte und fünfte Zenerdiode vorhanden sind, deren Kathoden untereinander und deren Anoden mit der Source bzw. mit dem Gate des MOSFET Transistors verbunden sind, zum Bereitstellen eines Spannungsschutzes für das Gate.
  • Vorteilhaft ist auch, wenn die Vorrichtung einen Kondensator umfasst, der zwischen die Eingangsanschlüsse geschaltet ist.
  • Obwohl einige spezifische Ausführungsformen nachstehend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen erörtert werden, sei darauf hingewiesen, dass die Erfindung nicht auf die beschriebenen und dargestellten Ausführungsformen beschränkt ist. Insbesondere umfasst die Erfindung auch Ausführungsformen, die sich aus einer Kombination von in den Zeichnungen und in der Beschreibung getrennt aufgeführten und beschriebenen Merkmalen bzw. Schritten ergeben.
  • Nachstehend wird die Erfindung anhand ihrer vorteilhaften Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die Zeichnungen erläutert.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • In den Zeichnungen zeigen:
  • 1 ein allgemeines Blockschaltbild einer Spannungsschutzvorrichtung VR mit einer Umkehrspannungsschutzeinheit USS, die zwischen einer DC Spannungsquelle B und einem Verbraucher V eingefügt ist, gemäß eines allgemeinen Standes der Technik;
  • 2 ein erstes Beispiel einer Spannungsschutzvorrichtung VR mit einer Umkehrspannungsschutzeinheit USS in Form einer Vorwärtsdiode D, gemäß dem Stand der Technik;
  • 3 ein zweites Beispiel einer Spannungsschutzvorrichtung VR mit einer Umkehrspannungsschutzeinheit USS mit einem P-Kanal MOSFET Transistor PT und einem Gate-Spannungsschutz Z1, Z2, gemäß dem Stand der Technik;
  • 4 ein Blockschaltbild einer Spannungsschutzvorrichtung VR mit einer Umkehrspannungsschutzeinheit USS und einer Überspannungsschutzeinheit US, gemäß der Erfindung;
  • 5a eine erste Ausführungsform der Spannungsschutzvorrichtung VR gemäß 4, bei der die Überspannungsschutzeinheit USS mit einem P-Kanal MOSFET Transistor PT realisiert wird; und
  • 5b eine zweite Ausführungsform der Spannungsschutzvorrichtung VR gemäß 4, bei der die Überspannungsschutzeinheit USS mit einem N-Kanal MOSFET Transistor NT realisiert ist.
  • Nachstehend wird unter Bezugnahme auf 4 zunächst das Prinzip der Erfindung erläutert.
  • ERLÄUTERUNG DES PRINZIPS DER ERFINDUNG
  • 4 zeigt zunächst das Prinzip der Erfindung ganz allgemein. Eine Vorrichtung zum Bereitstellen eines Spannungsschutzes für einen Verbraucher V, der zum Betrieb mit einer DC Gleichspannung V+, V'+ von einer DC Spannungsquelle B versorgt wird, umfasst einen ersten und zweiten Eingangsanschluss i+, i– und einen ersten und zweiten Ausgangsanschluss o+, o–. Die Ausgangsanschlüsse o+, o– sind mit dem Verbraucher V verbunden. Im Betrieb, wenn die nicht verpolte DC Gleichspannung V+ zwischen die Eingangsanschlüsse i+, i– mit einer ersten Polarität von dem ersten i+ zu dem zweiten i– Eingangsanschluss angelegt werden, erhält der Verbraucher V zwischen den Ausgangsanschlüssen o+, o–, gerichtet vom ersten o+ zum zweiten o– Ausgangsanschluss, die DC Gleichspannung V'+ mit der richtigen (ersten) Polarität. Wenn also die DC Versorgungsspannung V+ mit der richtigen ersten Polarität (vom ersten Eingansanschluss i+ zum zweiten Eingangseinschluss i– gerichtet) an den Eingangsanschlüssen angelegt wird, so erhält der Verbraucher V eine der Eingangsspannung V+ entsprechende (nämlich um die Verluste in der Umkehrspannungseinheit USS verminderte) Versorgungsspannung V'+ mit der richtigen (ersten) Polarität von dem ersten Ausgangsanschluss o+ zu dem zweiten Ausgangsanschluss o–.
  • Wenn die DC Gleichspannung der DC Energieversorgung B an den Eingangsanschlüssen i+, i– eine zweite Polarität entgegengesetzt zu der ersten Polarität aufweist, d. h. wenn eine verpolte Eingangsspannung V zwischen die Eingangsanschlüsse i+, i– angelegt wird (gerichtet von dem zweiten i– zu dem ersten i+ Eingangsanschluss), dann entkoppelt die Umkehrspannungsschutzeinheit USS den Verbraucher V von der DC Spannungsquelle B, um den Verbraucher V vor Umkehrspannungen zu schützen. Diese Entkopplung kann beispielsweise mit der in 4 dargestellten Schalteinheit SW erfolgen, ist aber nicht darauf beschränkt. Wichtig ist, dass bei Anliegen von fehlerhaften Spannungen, d. h. bei einer Verpolung beim Anschließen der Batterie B an die Umkehrspannungsschutzeinheit USS verhindert wird, dass die verpolte Eingangsspannung V an den Verbraucher V gelangt und diesen beschädigt oder sogar zerstört.
  • Zwischen die Eingangsanschlüsse i+, i– ist eine Überspannungsschutzeinheit US geschaltet, um sämtliche Komponenten der Umkehrspannungsschutzeinheit USS vor Überspannungen zu schützen. Derartige Überspannungen können beispielsweise durch Anschließen einer falschen DC Spannungsquelle B an die Eingangsanschlüsse i+, i– hervorgerufen werden. Gleichermaßen, selbst wenn die Umkehrspannungsschutzeinheit USS die Entkopplung der vergolten falschen Eingangsspannung V von dem Verbraucher V bewirken kann, so ist es selbst in diesem Fall möglich, dass der Betrag der vergolten Eingangsspannung V Leistungskennmerkmale der Schaltungskomponenten der Umkehrspannungsschutzeinheit USS, egal wie sie ausgeführt ist, überschreitet und die Schaltungskomponenten der Umkehrspannungsschutzeinheit USS damit zerstört bzw. beschädigt. Die Überspannungsschutzeinheit US gemäß der Erfindung, die zwischen die Eingangsanschlüsse i+, i– geschaltet ist, verhindert eine derartige Zerstörung von Schaltungskomponenten der Umkehrspannungsschutzeinheit USS, wenn erhöhte Spannungen V+, V an den Eingangsanschlüssen i+, i– der Spannungsschutzvorrichtung VR anliegen.
  • In 4 ist die Umkehrspannungsschutzeinheit USS zwischen den ersten Eingangsanschluss i+ und den ersten Ausgangsanschluss o+ geschaltet und der zweite Eingangsanschluss i– und der zweite Ausgangsanschluss o– sind verbunden, wobei bei einer Verpolung der Eingangsspannung V+ die Entkopplung durch Trennung des ersten Eingangsanschlusses i+ vom ersten Ausgangsanschluss o+ erfolgt. Es ist jedoch auch möglich die Umkehrspannungsschutzeinheit USS zwischen dem zweiten Eingangsanschluss i– und dem zweiten Ausgangsanschluss o– anzuordnen und den ersten Einganganschluss i+ mit dem ersten Ausgangsanschluss o+ zu verbinden. In diesem Fall erfolgt bei einer Verpolung der Eingangsspannung V+ die Entkopplung des Verbrauchers V von der DC Energiequelle B durch Trennung des zweiten Eingangsanschlusses i– vom zweiten Ausgangsanschluss o–. Die Umkehrspannungsschutzeinheit USS kann dann so aufgebaut sein, wie eine Ausführungsform in 5b zeigt, die nachstehend noch diskutiert werden wird.
  • Es ist sogar möglich, dass eine erste Umkehrspannungsschutzeinheit USS zwischen dem ersten Eingangsanschluss i+ und dem ersten Ausgangsanschluss o+ angeordnet ist und eine zweite Umkehrspannungseinheit USS zwischen dem zweiten Eingangsanschluss i– und dem zweiten Ausgangsanschluss o– angeordnet ist. Diese Umkehrspannungsschutzeinheiten USS können dann beispielsweise jeweils so aufgebaut sein, wie in 5a und 5b gezeigt. Einerseits wird damit ein doppelter Schutz bereitgestellt und andererseits können die Schaltschwellen, um jeweils von dem ersten Zustand in den zweiten Zustand zu gehen, in jeder Umkehrspannungsschutzeinheit USS unterschiedlich eingestellt werden.
  • In 4 und den 5a und 5b wird eine Entkopplung vorgenommnen, wenn die Eingangsspannung V+ verpolt an dem ersten und zweiten Eingangsanschluss anliegt, d. h. die Verpolung der Eingangsspannung V triggert die Entkopplung des Verbrauchers V von der DC Energiequelle B. Möglich ist jedoch auch eine Konfiguration, bei der die an dem Verbraucher V vorhandene DC Spannung V' die Entkopplung verursacht, z. B. wenn im Verbraucher V selbst eine Fehlspannung erzeugt wird, die verpolt als Spannung V'– an dem ersten und zweiten Ausgangsanschluss o–, o+ anliegt. Es kann sinnvoll sein zu verhindern, dass eine derartige Spannung V'– zurück auf den Eingang i+, i– durch die Vorrichtung VR wirkt, so dass elektronische Schaltungen in der DC Energiequelle B selbst zerstört bzw. beschädigt werden. Dies ist heutzutage durchaus nicht unwahrscheinlich, da viele DC Energiequellen B heutzutage beispielsweise Mikroprozessorgestützte Ladeüberwachungsschaltungen oder andere Schaltungen zur Überwachung der Strom und Spannungsabgabe enthalten. Um diese „Rückschlagspannungen" vom Ausgang auf den Eingang zurück zu vermeiden, kann man nur im oberen Pfad von dem ersten Ausgangsanschluss o+ zu dem ersten Eingangsanschluss i+ eine Umkehrspannungsschutzeinheit USS anordnen (und den zweiten Ausgangsanschluss o– mit dem zweiten Eingangsanschluss i– verbinden), die eine Entkopplung dann vornimmt, wenn eine verpolte Spannung V'– vom Verbraucher V selbst erzeugt wird oder an den Ausgangsanschlüssen o+, o– vorhanden ist. Alternativ kann die Einheit USS nur in dem unteren Pfad zwischen dem zweiten Ausgangsanschluss o– und dem zweiten Eingangsanschluss i– angeordnet werden und der obere Pfad zwischen dem ersten Ausgangsanschluss o+ und dem ersten Eingangsanschluss i+ direkt verbunden werden, wobei die Einheit USS die Entkopplung wiederum dann vornimmt, wenn eine verpolte Spannung V'– vom Verbraucher V selbst erzeugt wird oder an den Ausgangsanschlüssen o+, o– vorhanden ist, wobei diese Entkopplungen natürlich vorzugsweise dann vorgenommen werden, wenn keine DC Energiespannung am Eingang i+, – anliegt. In diesen Fällen wird die Überspannungsschutzeinheit US immer zwischen dem ersten Ausgangsanschluss o+ und dem zweiten Ausgangsanschluss o– angeordnet.
  • Es ist jedoch auch denkbar, dass eine erste Einheit USS in dem oberen Pfad zwischen dem ersten Eingangsanschluss i+ und dem ersten Ausgangsanschluss o+ angeordnet ist und eine Entkopplung bei Verpolung der Spannung V– an den Eingangsanschlüssen i+, i– vornimmt, und eine zweite Einheit USS in dem unteren Pfad zwischen dem zweiten Ausgangsanschluss o– und dem zweiten Eingangsanschluss i– angeordnet ist und eine Entkopplung bei Verpolung der Spannung V'– an den Ausgangsanschlüssen o+, o– vornimmt. Damit kann quasi eine „bidirektionale" Entkopplung vorgenommen werden, d. h. in der Vorwärtsrichtung, wenn die DC Energiequellenspannung V– verpolt angelegt wird und in der Rückwärtsrichtung, wenn die DC Energiequelle möglicherweise abgeschaltet ist und der Verbraucher V eine verpolte Spannung V'– fehlerhaft selbst erzeugt oder diese anderswie dort verursacht wird. In beiden Fällen ist dann vorzugsweise jeweils eine Überspannungsschutzeinheit US über den Eingangsanschlüssen i+, i– und den Ausgangsanschlüssen o+, o– vorgesehen, zum jeweiligen Schutz der jeweiligen Umkehrspannungsschutzeinheit USS. Zweckdienlicher weise wird dann, wenn die DC Gleichspannung von der DC Energieversorgung B erzeugt und an die Eingangsanschlüsse i+, i– angelegt wird, diese Tatsache von einem ersten Detektor erfasst und dann die in einer Leitung i+ → o+ oder i– → o– vorhandene Umkehrspannungseinheit USS mit einer Überbrückungsschaltung überbrückt. Genauso wird zweckdienlicher weise dann, wenn die DC Gleichspannung von dem Verbraucher V selbst erzeugt wird (und keine Eingangsspannung von der DC Energiequelle erzeugt wird) und an die Ausgangsanschlüsse o+, o– als Fehlspannung verpolt angelegt wird, diese Tatsache von einem zweiten Detektor erfasst und dann die in einer Leitung o+ → i+ oder o– → i– vorhandene Umkehrspannungseinheit USS mit einer Überbrückungsschaltung überbrückt. Dies kann je nach Aufbau der Umkehrspannungseinheit USS erforderlich sein, um einen Stromfluss in einem Rückflusspfad zu entweder der DC Energieversorgung oder dem Verbraucher V zu garantieren.
  • Es ist natürlich auch möglich den oberen Pfad mit dem unteren Pfad auszutauschen, d. h. so, dass eine Einheit USS in dem unteren Pfad die Entkopplung bei verpolter DC Energiequellenspannung V– am Eingang i+, i– vornimmt und eine andere Einheit USS in dem oberen Pfad die Entkopplung bei verpolter Spannung V'– am Ausgang o+, o– vornimmt. Auch in diesem Fall ist dann vorzugsweise jeweils eine Überspannungsschutzeinheit US über den Eingangsanschlüssen i+, i– und den Ausgangsanschlüssen o+, o– vorgesehen, zum jeweiligen Schutz der jeweiligen Umkehrspannungsschutzeinheit USS.
  • Es sei darauf hingewiesen, dass bei allen voran stehend beschriebenen Beispielen der Anordnung von einer oder mehreren Umkehrspannungseinheiten USS und Überspannungsschutzeinheiten US jede Einheit USS und US so aufgebaut sein kann, wie unter Bezugnahme auf 5a, 5b beschrieben werden wird. Das heißt, für einen Doppelvorwärtsschutz werden die 5a und 5b kombiniert und für einen Vorwärts-/Rückwärtsschutz bzw. Rückwärts-/Vorwärtsschutz werden die 5a, 5b ebenfalls kombiniert, aber eine der beiden Drain-Source Anschlusspaare D-S umgedreht in S-D. Dies kann dann im oberen oder unteren Pfad geschehen. In beiden Fällen ist in vorteilhafter Weise jeweils eine Überspannungsschutzeinheit US über den Eingangsanschlüssen i+, i– bzw. den Ausgangsanschlüssen o+, o– vorhanden.
  • BEVORZUGTE AUSFÜHRUNGSFORMEN DER ERFINDUNG
  • 4 zeigt bereits eine weitere vorteilhafte Ausführungsform der Erfindung, bei der die Umkehrspannungsschutzeinheit USS eine Schalteinheit SW umfasst, die zwischen den ersten Eingangsanschluss i+ und den ersten Ausgangsanschluss o+ geschaltet ist, und die einen ersten Zustand aufweist, in dem der erste Eingangsanschluss i+ mit dem ersten Ausgangsanschluss o– verbunden ist, und einen zweiten Zustand aufweist, in dem der erste Eingansanschluss i+ von dem ersten Ausgangsanschluss o+ getrennt ist. Die Schalteinheit SW geht in ihren ersten Zustand, wenn die an die Eingangsanschlüsse i+, i– angelegte DC Spannung V+ die erste Polarität, gerichtet von dem ersten Eingangsanschluss i+ zu dem zweiten Eingangsanschluss i–, aufweist. Die Schalteinheit SW geht in ihren zweiten Zustand, wenn die an die Eingangsanschlüsse i+, angelegte DC Gleichspannung V die zweite Polarität, entgegengesetzt zu der ersten Polarität und damit von dem zweiten Eingangsanschluss i– zu dem ersten Eingangsanschluss i+ gerichtet, aufweist. Damit wird eine automatische Entkopplung des Verbrauchers V von der DC Gleichspannungsquelle B bei Verpolungen der Eingangsspannung V erreicht.
  • Die Umkehrspannungsschutzeinheit USS kann auch mit einer zwischen den ersten Eingangsanschluss i– und den ersten Ausgangsanschluss o– geschalteten Diode D realisiert werden. Da die Überspannungsschutzeinheit US über den Eingansanschlüssen i+, i– parallel geschaltet ist, können sämtliche Ausführungsformen der Schalteinheit SW mit einem ersten bzw. zweiten Zustand oder mittels einer Diode D vor Überspannungen der normalen sowie der vergolten Eingangsspannung V+, V geschützt werden.
  • Eine vorteilhafte Ausführungsform der Überspannungsschutzeinheit US in Form einer dualen Supressordiode V1 ist in 5a und 5b gezeigt. Eine derartige Überspannungsschutzeinheit US umfasst eine erste und zweite Zehnerdiode Z1, Z2, deren Katoden K1, K2 untereinander verbunden sind und deren Anoden mit dem ersten bzw. zweiten Eingangsanschluss i+, i– verbunden sind. Ein Beispiel für eine derartige duale Supressordiode ist RKZ 223 611/1-VISHAY SMAJ5.0CA-E3.
  • Weitere Ausführungsformen der Erfindung sind in den 5a und 5b gezeigt. In 5a ist die Schalteinheit SW mit einem P-Kanal MOSFET Transistor PT verwirklicht und in 5b ist die Schalteinheit SW mit einem N-Kanal MOSFET Transistor NT realisiert. Beide Schaltungen umfassen einen Strombegrenzungswiderstand R1. Wie in der 4 ist eine Überspannungsschutzeinheit US zwischen den ersten Eingangsanschluss i+ und den zweiten Eingangsanschluss i– geschaltet und eine bevorzugte Ausführungsform davon umfasst die bereits erwähnte Supressordiode V1. Obwohl die Supressordiode V1 eine bevorzugte Ausführungsform in Verbindung mit den P- bzw. N-Kanal MOSFET Transistoren PT, NT darstellt, sei darauf hingewiesen, dass auch Überspannungsschutzeinheiten US in anderer Form verwendet werden können.
  • In 5a ist der zweite Eingangsanschluss i– mit dem zweiten Ausgangsanschluss o– verbunden und die Drain d des P-Kanal MOSFET Transistors PT ist mit dem ersten Eingansanschluss i+ verbunden. Die Source s des P-Kanal MOSFET Transistors PT ist mit dem ersten Ausgangsanschluss o+ verbunden und das Gate g des P-Kanal MOSFET Transistors PT ist über den Strombegrenzungswiderstand R1 mit der Verbindung des zweiten Einganganschlusses i– mit dem zweiten Ausgangsanschluss o– verbunden.
  • Der P-Kanal MOSFET Transistor PT in 5a ist als High-Side Switch implementiert. Der P-Kanal MOSFET Transistor PT V2 wird durch die in dem MOSFET enthaltene parasitäre Diode (zwischen Drain d und Source s) leitend geschaltet. Der Widerstand R1 dient als Strombegrenzung für den Gate Strom IG. Somit wird die Spannung für die folgende elektrische Schaltung bei richtiger Anlegung der Eingansspannung V+ im ersten Zustand der Schalteinheit SW mit richtiger Polarität an den Verbraucher V gegeben. Wird die Eingangsspannung nun verpolt angelegt, d. h. wird die Eingangsspannung V mit einer zweiten Polarität von dem zweiten Eingansanschluss i– zu dem ersten Eingangsanschluss i+ angelegt, dann sperrt der P-Kanal MOSFET PT, da die parasitäre Diode ein Schalten des MOSFET verhindert. Somit geht die mit dem Transistor PT realisierte Schalteinheit SW in ihren zweiten Zustand, in dem der erste Eingangsanschluss i+ von dem ersten Ausgangsanschluss o+ getrennt ist und somit der Verbraucher V von der DC Spannungsquelle B entkoppelt wird.
  • Bei der Ausführungsform in 5b ist der erste Eingangsanschluss i+ mit dem ersten Ausgangsanschluss o+ verbunden, die Source s des N-Kanal MOSFET Transistors NT ist mit dem zweiten Ausgangsanschluss o– verbunden, die Drain d des N-Kanal MOSFET Transistors NT ist mit dem zweiten Eingangsanschluss i– verbunden, und das Gate g des N-Kanal MOSFET Transistors NT ist über den Widerstand R1 mit der Verbindung des ersten Eingansanschlusses i+ mit dem ersten Ausgangsanschluss o+ verbunden.
  • Auch in 5b dient die Überspannungsschutzeinheit US, die in vorteilhafter Weise mit der dualen Supressordiode V1 aufgebaut sein kann, dazu zu verhindern, dass eine zu hohe Eingangsspannung V+, hervorgerufen beispielsweise durch Anschließen einer falschen DC Energiespannungsquelle B oder durch Verpolung der Anschlüsse davon, an die nachfolgenden Komponenten, beispielsweise den Transistor NT, gelangt.
  • Der N-Kanal MOSFET ist als Low-Side Switch in der Umkehrspannungsschutzeinheit USS implementiert. Der N-Kanal MOSFET wird über das Gate leitend geschaltet. Der Strombegrenzungswiderstand R1 dient wiederum als Strombegrenzung für den Gate Strom IG. Somit wird der Stromkreis der folgenden elektronischen Schaltung geschlossen. Wird nun die Eingangsspannung verpolt, d. h. eine Eingangsspannung V. mit umgekehrter Polarität an die Eingansanschlüsse i+, i– angelegt, so sperrt der N-Kanal MOSFET Transistor NT, da die Spannung UGS zwischen Gate G und Source S nicht mehr positiv ist und somit wird der Stromkreis unterbrochen.
  • Somit wird auch in 5b, wie in 5a, bei Verpolungen der Eingangsspannung zwischen den Eingangsanschlüssen i+, i– der Verbraucher V von der DC Spannungsquelle B entkoppelt, d. h. die durch einen MOSFET implementierte Schalteinheit SW geht von ihrem ersten Zustand, in dem der zweite Eingangsanschluss i– mit dem zweiten Ausgangsanschluss o– verbunden sind, in einen zweiten Zustand, bei dem der zweite Eingangsanschluss i– von dem zweiten Ausgangsanschluss o– getrennt ist.
  • Ein Beispiel eines P-Kanal MOSFET Transistors, der in 5a verwendet werden kann, ist RYN 122 1710/1-VISHAY SI3473CDV-T1-E3. Auch in 5b kann die Überspannungsschutzeinheit US in vorteilhafter Weise mit der dualen Supressordiode V1 realisiert werden.
  • WEITERE AUSFÜHRUNGENSFORMEN
  • Vorzugsweise ist zwischen den Eingansanschlüssen i+, i– ein Kondensator C1 vorgesehen. In vorteilhafter Weise kann der Kondensator C1 Spannungswelligkeiten kompensieren, so dass der Überspannungsschutz US nicht sofort bei geringfügigen Überschreitungen der DC Nennspannung V+ ausgelöst wird.
  • Ferner kann eine vierte und fünfte Zehnerdiode Z3 Z4, deren Katoden K1, K2 untereinander und deren Anoden mit der Source s bzw. mit dem Gate g des MOSFET Transistors NT PT verbunden sind, auch in 5a, 5b, ähnlich wie in 3 zusätzlich zu dem Überspannungsschutz US verwendet werden. In vorteilhafter Weise wird zusätzlich dadurch ein Spannungsschutz speziell für das Gate g des jeweiligen MOSFETs bereitgestellt.
  • Für den Kondensator C1 kann ein SMD Kondensator mit einer Kapazität von 1 nF und einer Spannungsfestigkeit von 50 V verwendet werden. Ein typischer Widerstand R1 für die Strombegrenzung ist ein SMD Widerstand mit 10 kOhm.
  • GEWERBLICHE ANWENDBARKEI
  • Das Prinzip der Erfindung, so wie insbesondere in 4, 5a, 5b dargestellt, kann auf jede Versorgungsspannung bzw. jeden elektronischen Verbraucher V angewendet werden. Ein spezielles Beispiel einer Anwendung ist die Anlegung einer Batteriespannung an eine elektronische Fahrzeugsteuereinheit oder die Anlegung einer Batterie an ein Mobilfunkgerät, bzw. deren elektronische Steuereinheit.
  • Bezugszeichen in den Schutzansprüchen dienen der Illustration und engen den Schutzumfang in der Erfindung nicht ein.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - US 5546264 [0009]

Claims (11)

  1. Vorrichtung (VR) zum Bereitstellen eines Spannungsschutzes für einen Verbraucher (V), der zum Betrieb mit einer DC Gleichspannung (V+, V) von einer DC Spannungsquelle (B) versorgt wird, umfassend: a) einen ersten und zweiten Eingangsanschluss (i+; i), zwischen denen im Betrieb die DC Gleichspannung (V+, V) mit einer ersten Polarität der DC Spannungsquelle (B) angelegt wird, und einen ersten und zweiten Ausgangsanschluss (o+, o–), die mit dem Verbraucher (V) verbunden sind und zwischen denen im Betrieb die DC Gleichspannung (V+, V) mit der ersten Polarität anliegt; und b) eine zwischen die Eingangs- und Ausgangsanschlüsse (i–, i+; o–, o+) geschaltete Umkehrspannungsschutzeinheit (USS) zum Entkoppeln des Verbrauchers (V) von der DC Spannungsquelle (B), wenn die DC Gleichspannung (V+, V) an den Eingangsanschlüssen (i+, i–) eine zweite Polarität entgegengesetzt zu der ersten Polarität aufweist, zum Schützen des Verbrauchers (V) vor Umkehrspannungen; gekennzeichnet durch c) eine zwischen die Eingangsanschlüsse (i+; i–) geschaltete Überspannungsschutzeinheit (US), zum Schützen der Umkehrspannungsschutzeinheit (USS) vor Überspannungen.
  2. Vorrichtung (VR) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass b1) die Umkehrspannungsschutzeinheit (USS) eine Schalteinheit (SW) umfasst, die zwischen den ersten Eingangsanschluss (i+) und den ersten Ausgangsanschluss (o+) geschaltet ist, und einen ersten Zustand, in dem der erste Eingangsanschluss (i+) mit dem ersten Ausgangsanschluss (o–) verbunden ist, und einen zweiten Zustand, in dem der erste Eingangsanschluss (i+) von dem ersten Ausgangsanschluss (o+) getrennt ist, aufweist, wobei b2) die Schalteinheit (SW) in ihren ersten Zustand geht, wenn die an die Eingangsanschlüsse (i+, i–) angelegte DC Gleichspannung (V+) die erste Polarität aufweist, und in ihren zweiten Zustand geht, wenn die an die Eingangsanschlüsse (i+, i–) angelegte DC Gleichspannung (V.) eine zweite Polarität entgegengesetzt zu der ersten Polarität aufweist.
  3. Vorrichtung (VR) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Umkehrspannungsschutzeinheit (USS) eine zwischen den ersten Eingangsanschluss (i–) und den ersten Ausgangsanschluss (o–) geschaltete Diode (D) umfasst:
  4. Vorrichtung (VR) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Überspannungsschutzeinheit (US) eine erste und zweite Zenerdiode (Z1, Z2) umfasst, deren Kathoden untereinander und deren Anoden mit dem ersten bzw. zweiten Eingangsanschluss (i+, i–) verbunden sind.
  5. Vorrichtung (VR) nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Schalteinheit (SW) einen N-Kanal MOSFET Transistors (NT) umfasst.
  6. Vorrichtung (VR) nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Schalteinheit (SW) einen P-Kanal MOSFET Transistors (PT) umfasst.
  7. Vorrichtung (VR) nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch einen Strombegrenzungswiderstand (R1).
  8. Vorrichtung (VR) nach Anspruch 7 und 6, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Eingangsanschluss (i–) mit dem zweiten Ausgangsanschluss (o–) verbunden ist, die Drain (d) des P-Kanal MOSFET Transistors (PT) mit dem ersten Eingangsanschluss (i+) verbunden ist, die Source (s) des P-Kanal MOSFET Transistors (PT) mit dem ersten Ausgangsschluss (o+) verbunden ist, und das Gate (g) des P-Kanal MOSFET Transistors (PT) über den Widerstand (R1) mit der Verbindung des zweiten Eingangsanschlusses (i–) mit dem zweiten Ausgangsanschluss (o–) verbunden ist.
  9. Vorrichtung (VR) nach Anspruch 7 und 5, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Eingangsanschluss (i+) mit dem ersten Ausgangsanschluss (o+) verbunden ist, die Source (s) des N-Kanal MOSFET Transistors (NT) mit dem zweiten Ausgangsanschluss (o–) verbunden ist, die Drain (d) des N-Kanal MOSFET Transistors (NT) mit dem zweiten Eingangsanschluss (i–) verbunden ist, und das Gate (g) des N-Kanal MOSFET Transistors (NT) über den Widerstand (R1) mit der Verbindung des ersten Eingangsanschlusses (i+) mit dem ersten Ausgangsanschluss (o+) verbunden ist.
  10. Vorrichtung (VR) nach Anspruch 9 oder 10, gekennzeichnet durch eine vierte und fünfte Zenerdiode (Z3, Z4), deren Kathoden (K1, K2) untereinander und deren Anoden mit der Source (s) bzw. mit dem Gate (g) des MOSFET Transistors (NT, PT) verbunden sind, zum Bereitstellen eines Spannungsschutzes für das Gate (g).
  11. Vorrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen Kondensator (C), der zwischen die Eingangsanschlüsse (i+, i–) geschaltet ist.
DE200820017194 2008-12-31 2008-12-31 Überspannungs-/Umkehrspannungs-Schutzschaltung Expired - Lifetime DE202008017194U1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200820017194 DE202008017194U1 (de) 2008-12-31 2008-12-31 Überspannungs-/Umkehrspannungs-Schutzschaltung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200820017194 DE202008017194U1 (de) 2008-12-31 2008-12-31 Überspannungs-/Umkehrspannungs-Schutzschaltung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE202008017194U1 true DE202008017194U1 (de) 2009-07-23

Family

ID=40897018

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE200820017194 Expired - Lifetime DE202008017194U1 (de) 2008-12-31 2008-12-31 Überspannungs-/Umkehrspannungs-Schutzschaltung

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE202008017194U1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2675352A2 (de) * 2011-02-14 2013-12-25 Koninklijke Philips N.V. Elektrische vorrichtung zum begrenzen des leckstroms in an patienten angeschlossenen batteriebetriebenen medizinischen vorrichtungen

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5546264A (en) 1994-12-22 1996-08-13 Caterpillar Inc. Reverse voltage protection circuit

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5546264A (en) 1994-12-22 1996-08-13 Caterpillar Inc. Reverse voltage protection circuit

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2675352A2 (de) * 2011-02-14 2013-12-25 Koninklijke Philips N.V. Elektrische vorrichtung zum begrenzen des leckstroms in an patienten angeschlossenen batteriebetriebenen medizinischen vorrichtungen
US10116133B2 (en) 2011-02-14 2018-10-30 Koninklijke Philips N.V. Electrical means to limit current in battery operated patient-connected medical devices

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2009765B1 (de) Vorrichtung zur unterbrechungsfreien Stromversorgung
DE102006010528A1 (de) Batterie-Verpolschutz durch Nmos
EP3221943B1 (de) Schutzschaltung für einen überspannungs- und/oder überstromschutz
DE102013226795A1 (de) Schaltungsanordnung für einen Notlauf eines mehrphasigen Spannungswandlers mittels speziellen Betriebsverfahren
DE4031288C1 (en) Incorrect polarity protection CCT - has drain-source connected into minus or positive line between DC source
DE60309675T2 (de) Leistungsschaltkreis mit gesteuertem Sperrstrom
DE2740763A1 (de) Integrierte stromversorgungsschaltung
DE202008017194U1 (de) Überspannungs-/Umkehrspannungs-Schutzschaltung
EP1523795A1 (de) Sensor-schutzschaltung
DE4326423A1 (de) Verfahren zur Entkopplung eines Verbrauchers von einer Gleichspannungs-Versorgungsquelle sowie Anordnung
EP0436778A2 (de) Schaltungsanordnung zum Schutz eines Verbrauchers
DE102010015095A1 (de) Treiberschaltung für eine Last und Baugruppe aus Treiberschaltung und einer Last
DE19838109B4 (de) Ansteuerschaltung für induktive Lasten
DE3834867C1 (en) Circuit arrangement for the parallel connection of power supply devices
DE4428115C2 (de) Steuergerät mit einer Schaltungsanordnung zum Schutz des Steuergerätes bei Unterbrechung der Steuergerätemasse
DE102006021747A1 (de) Schutzschaltung
DE19805491C1 (de) Diodenschaltung mit idealer Diodenkennlinie
EP1453171B1 (de) Elektronische Schutzschaltung
DE10253980B4 (de) Vorrichtung zur Begrenzung des Einschaltstromes
DE10349629B4 (de) Elektronischer Schaltkreis
DE69732342T2 (de) Statischer Schalter
DE102014222901A1 (de) Filtervorrichtung mit aktiver Ansteuerung
DE10007607B4 (de) Ausfallsichere Überspannungsschutzschaltung
EP3794701B1 (de) Schaltungsanordnung zum schutz einer elektronischen baugruppe
DE102011076732A1 (de) Spannungsversorgungsschaltung und Verpolschutzschaltung

Legal Events

Date Code Title Description
R207 Utility model specification

Effective date: 20090827

R163 Identified publications notified
R197 New subsequently filed claims on ip dossier
R150 Term of protection extended to 6 years

Effective date: 20120126

R151 Term of protection extended to 8 years
R151 Term of protection extended to 8 years

Effective date: 20150120

R152 Term of protection extended to 10 years
R071 Expiry of right