DE2015639C

DE2015639C - Digital compact control module

Info

Publication number: DE2015639C
Application number: DE19702015639
Authority: DE
Inventors: Dieter Dipl.-Ing. 8520 Erlangen; Heyer Günter 8450 Amberg; Schaff Ulrich Dipl.-Ing. 8520 Erlangen; Voigt Günter Dipl.-Ing. 7500 Karlsruhe Eichmann
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Filing date: 1970-04-02
Publication date: 1973-01-11

Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen digitalen Kompaktsteuerbaustein in monolithischer integrierter Schaltung mit mehreren, voneinander unabhängigen Gatterstufen, insbesondere AND- oder NAND-Stufen, die je eine Mehrzahl von Eingängen und minde stens einen Ausgang aufweisen, für kontaktlose Steuer- und Regelanlagen.The invention relates to a digital compact control module in a monolithic integrated Circuit with several, mutually independent gate stages, in particular AND or NAND stages, which each have a plurality of inputs and at least one output, for contactless control and control systems.

In der kontaktlosen Steaer- und Regeltechnik werden zum Aufbau logischer Schaltungen sowie ganzer Steuerungssysteme in zunehmendem Maße digitale Kompakte teuerbausteine in mönchischer integrierter Schaltung angewendet; diese Steuerbausteine sind außerordentlich klein und enthalten in integrierter Schaltkreistechnik in der Regel mehrere unabhängige Gatterstufen, z.B. AND- oder NAND-Gatter, mit je mehreren Eingängen und mindestens einem Ausgang.In the contactless steaer and control technology, logical circuits as well as whole Control systems increasingly digital compact control modules in monastic integrated Circuit applied; these control modules are extremely small and included in integrated Circuit technology usually several independent gate stages, e.g. AND or NAND gates, each with several inputs and at least one output.

Die Anzahl der einzelnen Gatter innerhalb eines solchen Bausteins kann verschieden sein und richtet sich nach der benötigten Anzahl von Eingangsklemmen pro Gatter. Wegen der geringen Abmessungen solcher Kompaktsteuerbausteine kann nämlich die Anzahl der von außen zugänglichen Klemmen nicht beliebig gesteigert werden, zumal nicht nur die Eingangsklemmen, sondern auch die Ausgangsklemmen sowie die Stromversorgungsanschlüsse nach außen geführt werden und zugänglich sein müssen. Innerhalb des Bausteins sind — entsprechend der Funktion als NOR-, NAND- oder AND-Gatter - aktive Schaft elemente (Transistoren) sowie inaktive Schaltelemente (Dioden) und überdies strombestimmende Widerstände einintegriert. Beim Einwurf monolithisch in-The number of individual gates within such a module can be different and depends on itself according to the required number of input terminals per gate. Because of the small dimensions of such Compact control modules cannot limit the number of externally accessible terminals can be increased, especially since not only the input terminals, but also the output terminals as well as the power supply connections are led to the outside and must be accessible. Inside of the module are - depending on their function as NOR, NAND or AND gate - active shafts elements (transistors) as well as inactive switching elements (diodes) and also current-determining resistors integrated. When throwing in monolithically

6ö tegrierter Schaltungen insbesondere für höhere Betriebsspannungen, tritt der scheinbar unlösbare Widerspruch auf, einerseits eine — technologisch bedingte — möglichst kleine Widerstandssumme für die einzuintegrierenden strombestimmenden Widerstände ansetzen und andererseits die Verlustleistung möglichst niedrig halten zu müssen.6ö integrated circuits especially for higher operating voltages, the apparently insoluble contradiction occurs, on the one hand a - technologically conditioned one - Use the smallest possible resistance sum for the current-determining resistors to be integrated and on the other hand to have to keep the power loss as low as possible.

Aus der Erfahrung mit bekannten integrierten Schaltkreisen hat sich eine kostenmäßig optimaleExperience with known integrated circuits has resulted in an optimal one in terms of cost

Größe des die aktive Schaltung des gesamten Steuerbausteins enthaltenden Halbleiterplättchens (Chip) ergeben. Diese optimale Chip-Flächengröße zu überschreiten, bedeutet nicht nur einen größeren Bedarf an Halbleitermaterial, sondern auch einen kleineren Ausnutzungsgrad der für die einzelnen Herstellungsschritte erforderlichen Einrichtungen und vor allem geringere Ausbeute. Die Kosten für ein funktionstüchtiges Chip steigen also mit wachsender Fläche erheblich an.Size of the active circuit of the entire control module containing the semiconductor wafer (chip). Exceeding this optimal chip area size not only means a greater need of semiconductor material, but also a smaller degree of utilization of the facilities required for the individual manufacturing steps and, above all, lower yield. The costs for a fully functional chip increase considerably as the area grows on.

Ein diffuudierter Widerstand mittlerer Größe, z.B. von einigen 10 kOhm, nimmt in integrierter Technik mehr Platz ein und ist demgemäß teurer als ein Transistor oder eine Diode. Dieser Tatbestand fordert somit ein Umdenken beim Entwurf von integrierten Schaltkreisen im Vergleich zu der herkömmlichen diskreten Technik, bei der man versuchte, mit einer möglichst geringen Anzahl von Halbleiterelemcnteri auszuko-;i:nen. A medium sized diffused resistor, e.g. of a few 10 kOhm, takes up more space in integrated technology and is accordingly more expensive than a transistor or a diode. This fact calls for a rethink when designing integrated Circuits compared to the traditional discrete technique which tried to use one as possible low number of semiconductor elements.

i"in diffundierter Widerstand von etwa 5 kOhm mi; nt auf einem Chip etwa die gliche Fläche ein wi. ein 10 mA/NPN Transistor. Für reine Steuertransi ren, also Transistoren, die noch erheblich kleiner, Ströme zu verarbeiten brauchen, verringert sich du benötigte Chip-Fläche nochmals um etwa den FiiUor 3. Ein integrationsfreundliches Schaltbild für em. Mehrzahl von Gattern auf einem einzigen Chip w.,st somit zweckmäßig eine relativ große Anzahl WA Halbleitern bei kleiner Widerstandssumme auf. Du- Forderung nach einer kleinen Widerstandssumme für die strombestimmenden Widerstände wirU nun ein neues Problem auf. weil es im Hinblick auf die auttretende Verlustleistung nicht möglich ist, die für die strombestimmenden Widerstünde benötigten Wiuerstandswerte so klein zu halten, wie es aus technologischen Gründen v'ünschenswert wäre. Besondere Schwierigkeiten ergaben sich überdies dann, wenn die Forderung besteht, den oder die in monoli thischcf Technik realisierten Steuerbausteine inner halb eines relativ großen Versorgungsspannur.gsbereichs 7u betreiben, also etwa bei Betriebsspannungen zwischen 11 und 30 V, wobei die zur Ansteuerung der Bausteine erforderlichen Eingangssteuerspannungen etwa in demselben Spannungsbereich liegen müssen. Dieser relativ große zu bewältigende Spannungsbereich hat erhebliche Schwankungen der Verlustleistung zur Folge, da die Verlustleistung bekanntlich mit dem Quadrat Jer Spannung ansteigt, d.h.A diffused resistance of about 5 kOhm has about the same area as a 10 mA / NPN transistor on a chip The chip area required again by about 3. An integration-friendly circuit diagram for a plurality of gates on a single chip w., thus expediently a relatively large number of WA semiconductors with a small resistance sum Resistances that determine the current now pose a new problem because, with regard to the power loss that occurs, it is not possible to keep the resistance values required for the resistances that determine the current as small as would be desirable for technological reasons. if there is a requirement, the control module (s) implemented using monolithic technology within a Operate in a relatively large supply voltage range 7u, i.e. at operating voltages between 11 and 30 V, with the input control voltages required to control the modules having to be approximately in the same voltage range. This relatively large voltage range to be mastered results in considerable fluctuations in the power loss, since, as is known, the power loss increases with the square of the voltage, ie

P = U¹IR
ist (P: Verlustleistung, U: Spannung. R: Widerstand). P = U ¹ IR
is (P: power loss, U: voltage. R: resistance).

Die Erfindung befaßt sich mit der Aufgabe, digitale Kompaktsteuerbausteine in monolithischer integrierter Schaltung aufzubauen, deren Betriebs und Steuerspannungen trotz kleiner Chip-Fläche in einem weiten Spannungsbeieich veränderbar sind. Die Erfindung stellt sich hierzu insbesondere die Forderung, daß die Verlustleistung des gesamten Schaltungsaufbaus in dem weiten Variationsbereich der Betriebsund Steuerspannungen keine quadratische Abhängigkeit von diesen Spannungen mehr aufweisen soll. Zur Lösung dieser Aufgabe fußt die Erfindung auf der Erkenntnis, daß man einen linearen Anstieg der Verlustleistung mit der Spannung (P = I ■ U) vermittels einer Konstantstrom-Einprägung erzielen kann.The invention is concerned with the task of building digital compact control modules in a monolithic integrated circuit, the operating and control voltages of which can be changed over a wide voltage range despite the small chip area. For this purpose, the invention particularly demands that the power loss of the entire circuit structure should no longer have a quadratic dependence on these voltages in the wide range of variation of the operating and control voltages. To solve this problem, the invention is based on the knowledge that a linear increase in the power loss with the voltage (P = I · U) can be achieved by means of a constant current impression.

Die Erfindung besteht bei einem digitalen Kompaktsteuerbaustein der eingangs genannten Art darin, daß allen Gattern gemeinsam ein aus einer an die Speisespannungscnwlle anschließbaren Transistor-Widerstandskombination bestehender integrierter Stromversorgungskreis mit stabilisierten Ausgangsspannungen zugeordnet ist und daß mindestens ein Teil der zu den Gatterschaltelementen gehörigen strombestimmenden Widerstände durch die Kollektor-Emitter-Strecken von Transistoren gebildet ist, in deren Kollektor-Emitter-Kreise in Abhängigkeit von einer der Transistor-Widerstandskombination des Stromversorgungskreises entnommenen Spannung jeThe invention consists in a digital compact control module of the type mentioned in the fact that all gates together one from one to the Speisesspannungscnwlle connectable transistor-resistor combination existing integrated power supply circuit with stabilized output voltages is assigned and that at least some of the associated with the gate switching elements current-determining resistances through the collector-emitter paths is formed by transistors, in their collector-emitter circuits depending on one of the transistor-resistor combination of the power supply circuit taken each voltage

!0 ein konstanter Strom eingeprägt ist! 0 a constant current is impressed

Transistoren als Konstantstromquellen sind — wie sich aus der Arbeit von Bladowski, »Linear monolithisch integrierte Schaltungen (LMISK abgedruckt in der Zeitschrift BOrbit« vom Nov. 1968, Art. Tefl 2,As a constant current source, transistors are - as can be seen from the work of Bladowski, »Linear monolithic integrated circuits (LMISK printed in the magazine BOrbit «from Nov. 1968, Art. Tefl 2,

π Seite 7 ff., ergibt — in der Analogtechnik für Differenz-Eingangsstufen bekannt, um die Stromdrift' klein zu halten. Die Anwendung der bekannten Konstantstromquellen in digitalen integrierten Kompaktsteuerbausteinen als weitgehender Ersatz von strombestimmenden linearen Widerstäi.-en ermöglicht es in Ver bindung mit den übrigen erfind-ingsgemäßen Merkmalen, trotz Berücksichtigung eines weiten Variationsbe reiches der Betriebs- und Steuerspann längen die integrierte Widerstandssumme niedrig und die benötigte aktive Halbleiterfläche (Chip) klein zu halten, da aufgrund der Konstantstromeinprägung ein lediglich Ii nearer Anstieg der Verlustleistung mit der Spannung auftritt.π page 7 ff., results in - in analog technology for differential input stages known to keep the current drift 'small. The application of the well-known constant current sources in digital integrated compact control modules as an extensive replacement of current-determining linear resistances in Ver connection with the other features according to the invention, Despite taking into account a wide range of variation in the operating and control range, the integrated To keep the sum of resistances low and the required active semiconductor area (chip) small, as due to the constant current impression is only Ii there is a near increase in power dissipation with voltage.

Besteht jedes Gatter des Kompaktsteuerbausteins aus mehreren Kreisen, z. B. einem Eingangskreis, einem Ausgangskreis und gegebenenfalls weiteren Zwischenkreisen, wie z. B. Sperrkreisen oder Schalt schweüen für unter- und/oder kurzzeitig überschwellige Störsignale, so werden zweckmäßig in allen die sen Kreisen die strombestimmenden Widerstände durch Transistoren mit Konstantstromeinprägung gebildet. If each gate of the compact control module consists of several circles, e.g. B. an input circuit, an output circuit and possibly further intermediate circuits, such as. B. Trap circuits or switching Schwüen for undershreshold and / or briefly above-threshold interference signals, the sen circles, the current-determining resistors are formed by transistors with constant current impressions.

Nach einer Ausgestaltung der Erfindung besteht die Transistor-Widerstandskombination des Stromversorgungskreises aus mit ihren Kollektor-Emitter-Strekken in Reihe mit Teilerwiderständen an den Stromversorgungsklemmen liegenden Transistoren, wobei die Basis des betriebspotentialseitigen Transistors mit einem an die Stromversorgungsklemmen angeschlossenen, aus Transistoren bestehenden Spannungsteiler und die Basis des bezugspotentialseitigen Transistors mit dem Kollektor dieses Transistors verbunden ist, dessen Emitter-Basis-Strecke die Steuerspannung zui Konstantstromeinprägung für die als strombestimmende Widerstände vorgesehenen Transistoren des Stromversorgur.gskreises, des Eingangskreises, einet Schaltschwelle und des Ausgangskreises des Steuer bausteins bereitstellt.According to one embodiment of the invention, there is the transistor-resistor combination of the power supply circuit with their collector-emitter paths in series with divider resistors on the power supply terminals lying transistors, the base of the transistor on the operating potential side with a voltage divider consisting of transistors connected to the power supply terminals and the base of the transistor on the reference potential is connected to the collector of this transistor, whose emitter-base path provides the control voltage to the constant current impression for the current-determining Resistors provided transistors of the power supply circuit, the input circuit Provides the switching threshold and the output circuit of the control module.

Nach e.ner weiteren Ausgestaltung der Erfinduni besteht der Eingangskreis jedes Gatters aus einer dei Anzahl der Eingänge angepaßten Anzahl von Transi stören, deren Basen je an die Eingänge, deren Emit ter einerseits über je eine Kollektor Emitter-Streck« der Konstantstromtransistoren an das Bezugspoten tial und andererseits über je eine Diode an einen Kno tenpunkt angeschlossen sind, der einerseits über einei Widerstand mit einem Hilfspotential, andererseiti über eine Transistorkombination mit einem weiterei Hilfspotential des Stromversorgungskreises verbündetAfter a further development of the invention university the input circuit of each gate consists of a number of transi adapted to the number of inputs disturb their bases depending on the entrances, their emit On the one hand, via a collector-emitter-stretch of the constant current transistors to the reference potential tial and on the other hand via a diode each are connected to a node, which on the one hand via a Resistance with an auxiliary potential, on the other hand via a transistor combination with another one Connected auxiliary potential of the power supply circuit

ist und überdies den Ausgang des Eingangskreise: und den Eingang einer Schaltschwelle bildet.and, moreover, the output of the input circuit: and the input of a switching threshold.

Die Schaltschwelle besteht zweckmäßig aus einerr Umschaltglied mit zwei Transistoren, die emitterseitijThe switching threshold expediently consists of a switching element with two transistors, the emitterseitij

gemeinsam über einen Konstantstromtransistor mit dem Bezugspotential verbunden sind, bei denen die Basis des einen Transistors an den Ausgang des Eingangskreises, die Basis des anderen Transistors an ein Hilfspotential des Stromversorgungskreises angeschlossen ist und bei denen der Kollektor des einen Transistors mit einem anderen Hilfspotential des Stromversorgungskreises verbunuen ist.are jointly connected to the reference potential via a constant current transistor, where the Base of one transistor to the output of the input circuit, the base of the other transistor an auxiliary potential of the power supply circuit is connected and where the collector of one Transistor is verbunuen with another auxiliary potential of the power supply circuit.

Der Ausgangskreis enthält zweckmäßig Ausgangs transistorkaskaden, bei denen die Basiswiderstände mindestens der einen Transistorkaskade durch eine Transistorkombination ersetzt sind, welche über einen Konstantstromtransistor mit dem Bezugspotential verbunden ist.The output circuit expediently contains output transistor cascades, in which the base resistances are at least the one transistor cascade are replaced by a transistor combination, which has a Constant current transistor is connected to the reference potential.

Den die Fußpunktwiderstände ersetzenden Kon stantstromtransistoren sind bezugspotentialseitig zweckmäßig Widerstände zugeordnet, vermittels deren die Stromgröße der Konstantstromtransistoren vorgebbar ist. Die gleiche Wirkung kann gegebenenfalls durch unterschiedliche Größe und damit unterschied liehe Bahnwiderstände der Transistoren erreicht werden. The constant current transistors replacing the base point resistors are on the reference potential side appropriately assigned resistors, by means of which the current value of the constant current transistors can be specified is. The same effect can possibly be differentiated by different size and therefore borrowed track resistances of the transistors can be achieved.

Einzelheiten und Ausführungsbeispiele der Erfin dung seien nachstehend anhand von einer Fig. näher erläutert.Details and embodiments of the inven tion will be explained below with reference to a figure explained.

Die Fig. veranschaulicht das Schaltbild eines digitalen Kompaktsteuerbausteins, und zwar eines AND^ oder NAND-Gatters, mit Eingängen El bis E3 und einem Ausgang A. Jedes Gatter, von denen jeweils mehrere in einem Steuerbaustein untergebracht sein können, in der Fig. aber nur eines dargestellt ist. setzt sich aus einem Eingangskreis 2 und einem Aus gangskreis 4 zusammen, zwischen denen noch weitere Kreise, z.B. eine Schaltschwelle 3, vorgesehen sein können. Allen Gattern eines Bausteins ist gemein sam ein Stromversorgungskreis 1... zugeordnet. Alle Bauelemente der Gatter und der Gatterkreise sind in integrierter monolithischer Technik auf einem Chip untergebracht. Die Kreise 1 bis 4 sind auf dem Schaltbild der Zeichnung durch senkrechte strich punktierte Linien der Übersicht halber voneinander getrennt. Die Betriebsspannung zur Stromversorgung des Bausteins wird an Klemmen U und M angelegt, von denen U das (positive) Betriebspotential, M das Bezugspotential darstellen soll. Zur Betriebsstromversorgung des Bausteins wird die Klemme U über einen außen zugeschalteten Vorwiderstand R _y mit dem positiven Pol der BetriebsspannungsqueUe U_Batt verbunden, während die Klemme M an den negativen Pol M' dieser Quelle angeschlossen wird. The figure illustrates the circuit diagram of a digital compact control module, namely an AND ^ or NAND gate, with inputs E1 to E3 and an output A. Each gate, several of which can be accommodated in a control module, in the figure one is shown. consists of an input circuit 2 and an output circuit 4, between which further circuits, for example a switching threshold 3, can be provided. A power supply circuit 1 ... is assigned to all gates of a module. All the components of the gates and the gate circuits are housed on a chip using integrated monolithic technology. For the sake of clarity, circles 1 to 4 are separated from one another on the circuit diagram of the drawing by vertical dash-dotted lines. The operating voltage for the power supply of the module is applied to terminals U and M , of which U represents the (positive) operating potential and M the reference potential. For the operational power supply of the module, the terminal U is connected to the positive pole of the operating voltage source U _Batt via an externally connected series resistor R _y , while the terminal M is connected to the negative pole M 'of this source.

Die Eingangsklemmeo Et bis E3 jedes der im Baustein untergebrachten Gauer sind zweckmäßig durch außen angeschaltete Vorwiderstände R_Ei bis Rg₃ mit entsprechenden Eingangsklemmen El' bis Ei' verbunden. Die Ausgangsklemme A ist Ober einen außen zuschahbarai Ausgangswiderstand R_A mit einer Ausgangsklemme A' verbunden.The input terminals Et to E3 of each of the Gauer housed in the module are expediently connected to the corresponding input terminals El ' to Ei' by externally connected series resistors R _Ei to Rg ₃ . The output terminal A is an externally zuschahbarai output resistor R _A connected to an output terminal A top '.

Der afltai Gattern jedes Bausteins gemeinsam zugeordnete Stromversorgungskreis 1 besteht im wesentlichen aus einer Transistor-Widerstandskombination in Reihenschaltung, welche Transistoren Π 5, 716 und Teflerwiderstände Ä12 bis /214 enthält. Bei dieser Transbrtor-Widerstandskombination ist der Kollektor des Transistors .7Ί5 mit der Betriebspotential· klemme U verbunden, während der Emitter dieses Transistor.; 715 über die in Reihe geschalteten Teöerwiderstände AI2 bis R14 mit dem Kollektor des Transistor» 716 verbunden ist, dessen Kollektor-Emitter-Strecke kurzgeschlossen und dessen Emitter übei dnen Widerstand Λ15 mit der Bezugspotential klemme M verbunden ist. Die Basis des Transistors 7Ί5 ist einerseits über einen Transistor 7*14, der die Funktion einer Zenerdiode mit in Reihe geschaltetei Diode übernimmt und dessen Emitter-Basis-Streck« als Zenerdiode geschaltet ist, mit dem Bezugspoten tial M verbunden; andererseits ist die Basis des Tran sistors 7Ί5 über eine als Basisvoi Widerstandsersatz arbeitende Transistorkombination 7*11, 7Ί2 mit dem Betriebspotential U sowie über die Kollektor Emitter Strecke eines Transistors Π3 und einen Vorwider stand Λ11 an das Bezugspotential M angeschlossen. Mit dem als Zenerdiodenersatz arbeitenden Transi The power supply circuit 1, which is commonly assigned to afltai gates of each component, consists essentially of a transistor-resistor combination in series, which contains transistors Π 5, 716 and Tefler resistors λ12 to / 214. In this transistor-resistor combination, the collector of the transistor .7Ί5 is connected to the operating potential · terminal U , while the emitter of this transistor .; 715 is connected to the collector of transistor 716 via the series-connected Teöer resistors AI2 to R14 , whose collector-emitter path is short-circuited and whose emitter is connected to the reference potential terminal M via a resistor Λ15. The base of the transistor 7Ί5 is on the one hand connected to the reference potential M via a transistor 7 * 14, which takes on the function of a Zener diode with a series-connected diode and whose emitter-base line is connected as a Zener diode; On the other hand, the base of the Tran sistor 7Ί5 is connected to the operating potential U via a transistor combination 7 * 11, 7Ί2 working as a basic resistor substitute and via the collector-emitter path of a transistor Π3 and a series resistor Λ 11 connected to the reference potential M. With the Transi, which works as a Zener diode replacement

π stör Γ14 wird am Emitter des Transistors 7Ί5 eine konstante Spannung gebildet, welche in den Teilerwiderständen Ä12 bis Λ15 und damit im Kollektor-Emitter Kreis des Transistors Γ16 einen konstanten Strom erzeugt. Die an der Emitter Basis-Strecke des Transistors 7Ί6 abfallende Spannung S dient als Ba sis-Steuerspannung für die die Fußpunktwiderstände ersetzenden Transistoren 7"13 und 7Ί6 des Stromver sorgungskreises sowie der entsprechenden Transistoren der anderen Gatterkreise des Bausteins; die Emitj ter-Basis-Spannung 5 des Transistors 7Ί6 prägt dfi.uit in die Kollektorkreise der erwähnten Transistoren je einen konstanten Strom ein.π stör Γ14 a constant voltage is formed at the emitter of transistor 7Ί5, which generates a constant current in the divider resistors 12 to Λ15 and thus in the collector-emitter circuit of transistor Γ16 . The voltage S dropping at the emitter base path of the transistor 7Ί6 serves as a base control voltage for the transistors 7 "13 and 7Ί6 of the power supply circuit, which replace the base point resistors, as well as the corresponding transistors of the other gate circuits of the module; the Emitj ter-base voltage 5 of the transistor 7Ί6, dfi.uit impresses a constant current in each of the collector circuits of the transistors mentioned.

Die Eingangsklemmen EX bis Ei jedes Gatters füh ren im Eingangskreis 2 zu den Basen von Transistoren 721 bis 7*23, wobei die Anzahl dieser Transisto ren der Anzahl der vorhandenen Eingänge angepaßt ist. Die Kollektoren der Transistoren 7*21 bis 723 sind zusammengefaßt und über eine Diode D24 mit dem Punkt Z des Stromversorgungskreises 1 verbun den; dieser Punkt Z ist einerseits über eine für die Be triebsspannung U in Durchlaßrichtung gepolte Diode £)14 mit der Klemme U des Bausteins verbunden und andererseits über eine Zenerdiodenkaskade Zl 1 bis Zl5 an das Bezugspotential M angeschlossen.The input terminals EX to Ei of each gate lead in input circuit 2 to the bases of transistors 721 to 7 * 23, the number of these transistors being adapted to the number of inputs available. The collectors of the transistors 7 * 21 to 723 are combined and verbun via a diode D24 to the point Z of the power supply circuit 1; This point Z is on the one hand connected to the terminal U of the module via a for the operating voltage U polarized in the forward direction diode £) 14 and on the other hand connected to the reference potential M via a Zener diode cascade Zl 1 to Zl5.

Die Summe der Zenerspannungen der Zenerdioden ZIl bis Zl5 ist etwas größer gewählt als die maxi mal auftretende Speisespannung U_Bate Die Emitter der Transistoren 721 bis 723 des Eingangskreises 2 sind je über die die Fußpunktwiderstände ersetzenden Kollektor-Emitter-Strecken von Regeltransistoren 724 bis 726, deren Basen sämtlich an der Steuerspan nung S liegen, mit dem Bezugspotential M verbunden und andererseits über je eine Diode £>21 bis D23 an den Knotenpunkt K angeschlossen. Dieser KnotenThe sum of the Zener voltages of the Zener diodes ZIl to Zl5 is selected to be somewhat larger than the maximum supply voltage U _Bate The bases are all connected to the control voltage S , connected to the reference potential M and, on the other hand, connected to the node K via a diode £> 21 to D23 . This knot

jo punkt K ist einerseits über einen Widerstand R21 an das Hilfspotential U_n, des Stromversorgungskretses 1 und andererseits fiber eine Transistorkombination 717, 718 des Stromversorgungskreises 1 an das Hilfspotential U_m dieses Kreises angeschlossen. Diejo point K is connected on the one hand via a resistor R21 to the auxiliary potential U _{n of} the power supply circuit 1 and on the other hand via a transistor combination 717, 718 of the power supply circuit 1 to the auxiliary potential U _{m of} this circuit. the

Transistorkombination 717, 718, deren Arbeitsweise später erläutert wird, enthält einen mehrere Emitter aufweisenden Transistor 718, und der Knotenpunkt K jedes Gatters ist jeweils an einen der Emitter des Transistors 718 angeschlossen, während die KnotenThe transistor combination 717, 718, the operation of which will be explained later, contains a transistor 718 having a plurality of emitters, and the node K of each gate is connected to one of the emitters of the transistor 718, while the nodes punkte K der anderen Gatter des gleichen Baustdns jeweils mit den anderen Emittern des Transistors 718 verbunden sind. Der Knotenpunkt K bildet jeweils den Ausgang des Gattereingangskreises 2 und den Eingang der nachfolgenden Schaltschwelle 3.points K of the other gates of the same building dns are each connected to the other emitters of the transistor 718. The node K forms the output of the gate input circuit 2 and the input of the subsequent switching threshold 3.

Die Schaltschwelle 3 enthält ein Umschaltglied aus zwei Transistoren 731 und 732, deren Emitter zusammengefaßt sind und über die Kollektor-Emitter-Strecke eines Konstantstromtransistors 735 mit demThe switching threshold 3 contains a switching element made up of two transistors 731 and 732, the emitters of which are combined and via the collector-emitter path of a constant current transistor 735 with the

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Stromtransistoren vorgebbar ist.Current transistors can be specified.

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»κΛ£ίϊ«=Α SHfels- srs;»ΚΛ £ ίϊ« = Α SHfels- srs;

Der Aosgang A desThe starting point A of the

tung des Bausteins gegen Überspannungen gewährleistet. protection of the module against overvoltages is guaranteed.

Zur Sicherung des Bausteins sind überdies weitere Maßnahmen getroffen: Um beispielsweise Drahtbruch- und Erdschlußsicherheit an den Eingängen £ zu gewährleisten, arbeitet jedes Gatter des Bausteins mit aktiver Ansteuerung durch positive Eingangsspannungen, d.h. der Steuerstrom fließt in den Eingang hinein. Die Basis-Emitter-Strecken der Transistoren 771 bis 773 des Eingangskreises 2 dienen zur Verhinderung von Rückströmen bei 0 V an den Eingängen, Jedem Eingang E ist überdies ein (durch die Transistoren 774 bis 776 gebildeter) Fußpunktwiderstand zugeordnet, um die Eingänge E niederohmig zu halten und um im Falle eines Drahtbruches am Eingang π ein Nullsignal am Eingang sicherzustellen. Liegt an einem der Eingänge El, £2, £3 eine logische Null, so wird der Knotenpunkt K des Eingangskreises 2 ebenfalls auf tiefes Potential gezogen, und der von der Hilfsspannungsquelle U_m des Stromversorgungs- zo kreises 1 bezogene und über den Widerstand R21 geführte Strom fließt über den zugehörigen Fußpunktwiderstand, d.h. über die Transistoren 774, 775, 776 zum Bezugspotential M ab. Wird an die Eingänge £1 bis £3 positive Steuerspannung angelegt 2i und steigt diese Spannung an allen Eingängen £ an, so wird auch die Spannung im Knotenpunkt K des Eingangskreises 2 angehoben, bis schließlich die Ansprechschwelle der nachfolgenden Schaltschwelle 3 erreicht wird, wobei der Strom durch den Widerstand Ä21 zur Ansteuerung der Schaltschwelle 3 dient. Die Dioden D21 bis D23 des Eingangskreises 2 sind Entkopplungsdioden der einzelnen Eingänge £1 bis £3.To secure the module, further measures are also taken: To ensure wire break and earth fault protection at the inputs £, for example, each gate of the module works with active control by positive input voltages, ie the control current flows into the input. The base-emitter paths of the transistors 771 to 773 of the input circuit 2 serve to prevent backflow at 0 V at the inputs, each input E is also assigned a (through the transistors 774 to 776 formed) base impedance, low impedance to the inputs E to hold and to ensure a zero signal at the input in the event of a wire break at the π input. If there is a logic zero at one of the inputs El, £ 2, £ 3, then the node K of the input circuit 2 is also pulled to low potential, and the one drawn from the auxiliary voltage source U _{m of} the power supply circuit 1 and routed through the resistor R21 Current flows to the reference potential M via the associated base resistance, ie via the transistors 774, 775, 776. If positive control voltage 2i is applied to inputs £ 1 to £ 3 and this voltage rises at all inputs £, then the voltage at node K of input circuit 2 is also increased until the response threshold of subsequent switching threshold 3 is reached, with the current is used by the resistor Ä21 to control the switching threshold 3. The diodes D21 to D23 of the input circuit 2 are decoupling diodes of the individual inputs £ 1 to £ 3.

Wird beispielsweise an den Eingang £3' bzw. £3 0 V angelegt, so würde aus an der Basis des Transistors 773 0 V anliegen und die Kollektorspannung am Transistor 776 heruntergehen. In diesem Fall, also nur dann, wenn einer oder mehrere der Eingänge mit Null-Signal belegt sind, liefert die Transistorkombination Π 7, ΓΙ 8 des Stromversorgungskreises I die notwendige Betriebsspannung für die Transistoren 774 bis 776. T.iegi dagegen positive Steuerspannung an den Eingängen bzw. steigt die Spannung an den Eingängen £1 bis £3 an, dann wird der Hilfszweig aus den Transistoren Γ17, 7Ί 8 abgekoppelt. Liegen die Eingänge £1 und £2 bereits auf positivem Steuerpotential und steigt die Spannung am Eingang £3 an, so fließt noch Strom über den Widerstand R21, den Knotenpunkt K, über die Diode D23 und die Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors 776 ab. Erst wenn die Spannung am Knotenpunkt K gegenüber der Hilfsspannung U& überwiegt, wird die Eingangsspanmmg durch die dann in Sperrichtung gepolte Diode DU abgekoppelt und der Transistor 731 der Schaltschwelle 3 angesteuert. In diesem Faüe schaltet das Umschaltglied der Schaltschwelle 3 um, der Transistor 731 wird leitend, während der .Transistor 732 gesperrt wird. Ist der Transistor 732 gesperrt, dann sind auch die Transistoren 733 und 734 der SchaltschweOe gesperrt, und über die Ausgangsleitung L fließt kein Strom zum Ausgangskreis 4. Das bedeutet, daß auch die Transistoren 749 und 750 des Ausgangskreises 4 gesperrt sind und der Ausgang A positives Ausgangssignal führt. Liegen somit alle drei Eingänge £1 bis £3 hoch, so liegt auch der Ausgang es A hoch, was der Grundkonzeption eines AND-Gatters entspricht.If, for example, 0 V is applied to input £ 3 'or £ 3, 0 V would be applied to the base of transistor 773 and the collector voltage at transistor 776 would go down. In this case, i.e. only if one or more of the inputs are assigned a zero signal, the transistor combination Π 7, ΓΙ 8 of the power supply circuit I supplies the necessary operating voltage for the transistors 774 to 776. T.iegi, on the other hand, positive control voltage to the Inputs or if the voltage at inputs £ 1 to £ 3 increases, the auxiliary branch from transistors Γ17, 7Ί 8 is decoupled. If inputs £ 1 and £ 2 are already at positive control potential and the voltage at input £ 3 rises, current still flows through resistor R21, node K, diode D23 and the collector-emitter path of transistor 776 . Only when the voltage at the node K outweighs the auxiliary voltage U & is the input voltage decoupled by the diode DU, which is then polarized in the reverse direction, and the transistor 731 of the switching threshold 3 is activated. In this case, the switching element of the switching threshold 3 switches over, the transistor 731 becomes conductive, while the transistor 732 is blocked. If the transistor 732 is blocked, the transistors 733 and 734 of the switching threshold are also blocked, and no current flows to the output circuit 4 via the output line L. This means that the transistors 749 and 750 of the output circuit 4 are also blocked and the output A is positive Output signal leads. If all three inputs £ 1 to £ 3 are high, then output es A is also high, which corresponds to the basic concept of an AND gate.

Liegt an den Eingängen £1 bis £3 keine Spannung, sind die Eingänge also unbeschaltet, so liegt doch über die Transistoren 774 bis 776 an den Eingängen El bis £3 0 V (Drahtbruchfall). Damit ist gewährleistet, daß im Drahtbruch- oder Erdschlußoder Kurzschlußfall (Eingänge £1 bis £3 an M-Potential) jeweils ein definiertes Ausgangssignal am Ausgang A des Gatters erscheint.If there is no voltage at inputs £ 1 to £ 3, i.e. if the inputs are not connected, then 0 V is present at inputs E1 to £ 3 via transistors 774 to 776 (wire breakage). This ensures that in the event of a wire break, earth fault or short circuit (inputs £ 1 to £ 3 at M potential), a defined output signal appears at output A of the gate.

Die Fußpunktwiderstände des Eingangskreises 2 sind nicht als Widerstände im üblichen Sinne ausgeführt, sondern — wie erläutert wurde — als Konstantstromtransistoren 774 bis 776, in deren Kollektor-Emitter-Kreise konstante Ströme eingeprägt sind. Die Größe dieser Ströme ist mittels der kleinen Wider stände R22 bis Λ24 vorgebbar oder kann durch un terschiedliche Bahnwiderstände der Transistoren be stimmt sein.The base point resistors of the input circuit 2 are not designed as resistors in the usual sense, but - as has been explained - as constant current transistors 774 to 776, in whose collector-emitter circles constant currents are impressed. The size of these currents can be specified by means of the small resistors R22 to Λ24 or can be determined by the different track resistances of the transistors.

Ein konstanter Fußpunktwiderstand anstelle jedes der vorgesehenen Konstantstromtransistoren 774, 775, 776 hätte beachtenswerte Nachteile, weil die aus Gründen der Störsicherheit wünschenswerte Niederohmigkeit jedes Eingangs wegen der dadurch bedingten hohen Verlustleistung nicht realisiert wer den könnte. Außerdem benötigt ein an dieser Stelle vorzusehender hochohmiger Widerstand mit den er forderlichen Toleranzen auf dem Halbleiterchip so viel Fläche — bei zehn Eingängen pro Chip —, daß eine Integration der Gesamtschaltung unwirtschaftlich werden würde: Zehn Eingangsfußpunktwiderstände von je etwa 30 kOhm würden eine Widerstands summe allein für die Eingänge von 300 kOhm ergeben. Demgegenüber würde eine Widerstandssumme von etwa 150 kOhm bis 200 kOhm gerade noch wirt schaftüch 711 integrieren sein. Bei einer Erniedrigung dieser Eingangswiderstände auf je 15 kOhm würde sich zwar eine solche integrierbare Widerstandssumme von 150 kOhm ergeben, aber diese Maßnahme hätte bei einer angenommenen maximalen Betriebsspannung von 30 V (ί/_βΒΙί) eine Verlustleistung von 600 mW allein an den Eingängen zur Folge. Erst durch die Maßnahme, die Widerstände, insbesondere die Fußpunktwiderstände, durch kleine, konstantstromführende Steuertransistoren zu ersetzen, wird der Platzbedarf auf dem Chip infolge des Widerstands ersatzes soweit verringert, daß das vorgesehene Konzept für den Gatteraufbau als integrationsfreundlich bezeichnet werden kann. Der dabei auftretende, von der Höhe der Signalspannung am Eingang unabhängige, konstante Eingangsstrom gewährleistet zusätzlich den Vorteil eines rascheren Störspannungsabbaus, da die Entladung nicht mehr nach einer e-Funktion erfolgt — wie bei Verwendung von konstanten Widerständen —, sondern nach einer Geraden. Der Eingangswiderstand wird somit linear mit sinkender Spannung kleiner.A constant base resistance instead of each of the provided constant current transistors 774, 775, 776 would have notable disadvantages because the low resistance of each input, which is desirable for reasons of interference immunity, could not be implemented because of the high power dissipation caused by it. In addition, a high-resistance resistor to be provided at this point with the necessary tolerances on the semiconductor chip requires so much space - with ten inputs per chip - that integration of the entire circuit would be uneconomical: Ten input base point resistors of around 30 kOhm each would be a resistance sum for just the inputs of 300 kOhm result. In contrast, a total resistance of around 150 kOhm to 200 kOhm would just be economically 711 integrated. If these input resistances were reduced to 15 kOhm each, such an integrable resistance sum of 150 kOhm would result, but with an assumed maximum operating voltage of 30 V (ί / _βΒΙί ) this would result in a power loss of 600 mW at the inputs alone. Only by replacing the resistors, especially the base resistors, with small, constant-current-carrying control transistors, the space required on the chip as a result of the resistor replacement is reduced to such an extent that the proposed concept for the gate structure can be described as integration-friendly. The constant input current that occurs, which is independent of the level of the signal voltage at the input, also ensures the advantage of a faster reduction in interference voltage, as the discharge no longer takes place according to an exponential function - as when using constant resistors - but rather according to a straight line. The input resistance decreases linearly with decreasing voltage.

Die zwischen Eingangskreis 2 und Ausgangskreis 4 eingefügte Schaltschwelle 3 hat die Aufgabe, die statische Schwelle jedes Gatters zu bilden. Solange das Potential an der Basis des Transistors 731 tiefer liegt als das konstante, an der Basis des Transistors 732 liegende Potential U_n des Stromversorgungskreises 1, führt der Transistor 732 Strom, welcher durch den den Fußpunktwiderstand ersetzenden Konstantstromtransistor 73S konstant gehalten und durch Spiegelung an der Hilfsspannungoquelle U_Bl des Stromversorgungskreises 1 vermittels der Transistoren 733, 734 dem invertierenden Ausgangskreis 4 zugeführt wird, welcher hierbei am Ausgang A Null-Signal führt. Übersteigt das Potential an der BasisThe switching threshold 3 inserted between input circuit 2 and output circuit 4 has the task of forming the static threshold of each gate. As long as the potential at the base of the transistor 731 is lower than the constant potential U _{n of} the power supply circuit 1 at the base of the transistor 732, the transistor 732 carries current which is kept constant by the constant current transistor 73S replacing the base point resistor and by reflection at the Auxiliary voltage source U _{Bl of} the power supply circuit 1 is fed to the inverting output circuit 4 by means of the transistors 733, 734, which in this case has a zero signal at the output A. Exceeds the potential at the base

des Transistors 731 der Schaltschwelle 3 den gegebenen Schwellenwert, so schaltet daii Umschaltglied aus den Transistoren 731, 732 um, wobei nunmehr der Transistor 731 stromführend ist. In diesem Falle wird der Ausgangskreis 4 nicht angesteuert, und, der Ausgang A des Ausgangskreises 4 führt Signalspannung. Diese Arbeitsweise entspricht der eines AND-Gatters. Sollen dagegen die Signalzustände am Ausgang A des Ausgangskreises 4 invers hierzu auftreten, d.h. ein NAND-Gatter aufgebaut werden, so ist es lediglich erforderlich, die Kollektoranschlüsse der Transistoren 731 und 732 der Schalischwelle 3 wie gestrichelt angedeutet — zu vertauschen, d.h. den Kollektor des Transistors 732 an die Verbindungslinie zum Hüfspotential U_Hl anzuschließen und den υ Kollektor des Transistors 731 an den Punkt P oder Transistorenkombination 733, 734 anzulegen.of the transistor 731 of the switching threshold 3 exceeds the given threshold value, the switching element switches over from the transistors 731, 732, with the transistor 731 now carrying current. In this case, output circuit 4 is not activated and output A of output circuit 4 carries signal voltage. This mode of operation corresponds to that of an AND gate. If, on the other hand, the signal states at output A of output circuit 4 are to occur inversely, i.e. a NAND gate is to be set up, then it is only necessary to swap the collector connections of transistors 731 and 732 of threshold 3 as indicated by dashed lines, i.e. the collector of the transistor 732 to be connected to the connection line to the hip potential U _Hl and to apply the υ collector of transistor 731 to point P or transistor combination 733, 734.

Die Transistorkombination 733, 734 der Schaltschwelle 3 soll — in der mit ausgezogenen Linien dargestellten Version — den Strom, der durch den Transistör 732 fließt, auch durch den Transistor 733 führen, ebenso durch den Transistor 734, jedoch durch diesen in anderer Richtung Damit kann der Strom aus der Transistorkombination 733, 734 über die Ausgangsleitung L zur Ansteuerung des Ausgangskreises 4 herangezogen werden; auch dieser Strom ist somit unabhängig von der im Bereich von 11 bis 30 V variierbaren Betriebsspannung U_Balt. The transistor combination 733, 734 of the switching threshold 3 should - in the version shown with solid lines - lead the current flowing through the transistor 732, also through the transistor 733, also through the transistor 734, but through this in a different direction Current from the transistor combination 733, 734 can be used via the output line L to control the output circuit 4; This current, too, is therefore independent of the operating voltage U _{Balt, which can be varied in the range from 11 to 30 V.}

Der Ausgangskreis 4 besuht aus einer bekannten niederohmigen Doppeltransistorschaltung (totem-pole Schaltung), bei der jedoch der zur Ansteuerung der oberen Transistorkaskade mit den Transistoren 747, 748 erforderliche Basisvorwiderstand durch die Transistoren Γ44 bis 746 gebildet ist. Durch diese Maßnahme ist auch in diesem Kreis des Steuerbausteins neben einer Einsparung an Chip-Fläche durch die Verwendung des Konstantstromtransistors 746, dessen Kollektor-Emitter-Kreis ebenfalls einen von der Versorgungsspannung unabhängigen konstanten Strom führt, ein eindeutiger Gewinn bezüglich t?.r Verlustleistung erzielbar. Ein konstanter Fußpunkt-, widerstand anstelle des Transistors Γ46 hätte für die Ansteuerung der oberen Kaskade mit den Transistoren Γ47, Γ48 ausgelegt werden müssen; ein konstanter Widerstand hätte dann bei maximal zulässiger Versorgungsspannung (U_Batt = 30 V) bei durchgesteuertem Transistor 750 einen zu großen Strom zur Felge (Stromverhältnis 1 : 30, Verlustleistungsverhältnis 1 : 900).The output circuit 4 consists of a known low-resistance double transistor circuit (totem-pole circuit), in which, however, the base series resistor required to control the upper transistor cascade with transistors 747, 748 is formed by transistors Γ44 to 746. As a result of this measure, in addition to saving chip area through the use of constant current transistor 746, whose collector-emitter circuit also carries a constant current independent of the supply voltage, a clear gain in terms of power dissipation can also be achieved in this circuit of the control module . A constant base point resistance instead of the transistor Γ46 should have been designed to control the upper cascade with the transistors Γ47, Γ48; a constant resistance would then have too high a current to the rim (current ratio 1:30, power loss ratio 1: 900) with the transistor 750 switched on at the maximum permissible supply voltage (U _{Batt = 30 V).}

Um d~n Ausgang A des Ausgangskreises 4 kurzschlußsicher zu machen \ind die vorgeschalteten Transistoren vor Schaden zu bewahren, welcher bei Kurzschlüssen zwischen dem Ausgang A und der Betriebsspannung U oder der Bezugsspannung M eintreten kann, sind die Hilfswiderstände i?46 und Ä47 vorgesehen, deren Spannungsabfall mit der Basis-Emitter-Spannung der Transistoren Γ41, Γ43 verglichen wird. Diese Transistoren werden bei Erreichen des Grenzausgangsstromes angesteuert und ziehen Steuerstrom von den Trahsistorkaskaden 747, T48; Γ49, 730 ab.In order to make output A of output circuit 4 short-circuit-proof \ ind the upstream transistors from damage which can occur in the event of short circuits between output A and the operating voltage U or the reference voltage M , the auxiliary resistors i? 46 and Ä47 are provided, whose voltage drop is compared with the base-emitter voltage of the transistors Γ41, Γ43. These transistors are activated when the limit output current is reached and draw control current from the transformer cascades 747, T48; Γ49, 730 from.

Hierzu i Blatt ZeichnungenFor this purpose i sheet of drawings

Claims

Patent claims:

1. Digital Kompaktsteuerbaustetn in monolithic integrated circuit with several, independent gate stages, each having a plurality of inputs and at least one output, for contactless control and regulation systems, characterized in that all gates together one from one to the supply voltage source (U _Baa , M) can be connected transistor-resistor combination (is 7Ί1 assigned to 7Ί6, Al2 to Äf4) existing integrated power supply circuit (1) with the stabilized output voltage and that at least part of the belonging to the gate switching elements current-determining resistors by the collector-emitter paths of transistors (ΠΙ to Π 3, T24 to T26, 735, TU to T46), in whose Kollr! tor emitter circles depending on a voltage (S) taken from the transistor resistor combination of the power supply circuit (1) a constant current is impressed.

2. Control module according to claim 1, characterized in that the transistor-resistance combination of the power supply circuit (1) with their collector-emitter paths in series with divider resistors (Λ12 to AI5) on the power supply terminals (U _Balt , M) lying Transi disturb (7Ί5, 7 * 'G), the base of the transistor (71S) on the operating potential side with a voltage divider connected to the power supply terminals (U _Batt , M) consisting of transistors (71 \ to 714) and the base of the transistor on the reference potential side ( 7Ί6) is connected to the collector of this transistor, the emitter-base path of which supplies the control voltage (S) for impressing the constant current for the transistors (7Ί3, 724 to 726; 735; 744 to Γ46) of the power supply circuit (1) provided as current-determining resistors, of the input circuit (2), a scarf; threshold (3) and the output circuit (4) of the control module.

3. Control module according to claim 1, characterized in that the input circuit (2) of each gate consists of a number of transistors (721 to 773) adapted to the number of inputs (El to £ 3), the bases of which are each connected to the inputs (£ 1 to £ 3), the emitters of which are connected to the reference potential (M) via a collector-emitter path of the constant current transistors (724 to 726) and to a node (K) via a diode (£> 21 to D23) , which is connected on the one hand via a resistor (R21) to an auxiliary potential (U _Hl ), on the other hand via a transistor combination (7Ί7, TlS) to a further auxiliary potential (t / _W3 ) of the power supply circuit (I) and also the output of the input circuit ( 2) and forms the input of a switching threshold (3).

4. Control module according to claim 1, characterized in that the switching threshold (3) consists of a switching element with two transistors (731, 732) which are connected on the emitter side together via a constant current transistor (735) to the reference potential (M) , in which the base of one transistor (731) to the output

(K) of the input circuit (2), the base of the other transistor (732) is connected to an auxiliary potential (U ₁₁ ^ of the power supply circuit (1) and in which the collector of one transistor (731) is connected to another auxiliary potential (U _Hl ) of the power supply circuit (1) is connected

5. Control module according to claim I, characterized in that that the output circuit (4) contains output transistor cascades (747, Γ48; 749, / "5O), in which the base resistances of at least one transistor cascade (747, Γ48) are replaced by a The transistor combination (744, 745) are replaced, which via a constant current transistor (746) is connected to the reference potential (M)

is

6. Control module according to one of claims 1

to 5, characterized in that the constant tetrome transistors (713, 716, Γ24 to 726, T3S, 746) interfering with the base point resistors are associated with resistors (All, RlS, R22 to Λ24, RiI, R42) on the reference potential side , by means of which the current value of the constant current transistors is predeterminable.