DE2011575B2

DE2011575B2 - Image reproducing device with auxiliary light source

Info

Publication number: DE2011575B2
Application number: DE19702011575
Authority: DE
Inventors: Hein Eindhoven Koelmans (Niederlande)
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1969-03-15
Filing date: 1970-03-11
Publication date: 1975-10-23
Also published as: DE2011575A1; NL6904046A; BE747378A; FR2037204A1; GB1253325A; CH504822A; FR2037204B1

Description

Die Erfindung betrifft eine Bildwiedergabevorrichtung mit einer mit mindestens einer Elektrode versehenen, photoleitenden Schicht zum Auffangen eines darauf projizierten Strahlungsbildes, wobei sich auf der von der Bildauffangseite abgewandten Seite der photoleitenden Schicht ein feldstarkeempfindliches Medium mit einer für Licht durchlässigen Elektrode befindet, welches Medium in Abhängigkeit von der örtlichen elektrischen Feldstärke ein darauf gerichtetes Hilfslichtbündel örtlich moduliert.The invention relates to an image display device with a device provided with at least one electrode, photoconductive layer for collecting a radiation image projected thereon, wherein on the a field-strength sensitive medium from the side of the photoconductive layer facing away from the image capture side with a light-permeable electrode, which medium depends on the local electric field strength locally modulates an auxiliary light beam directed thereon.

Ein Beispiel einer solchen Bildwiedergabevorrichtung findet man in dem Feststoff· Eidophor. Darin wird von einem Bildlichtbündel, das die photoleitende Schicht trifft, ein der Helligkeiisverteilung im Bildlicht entsprechendes elektrisches Ladungsmuster erzeugt: Dieses Ladungsmuster ergibt eine örtlich veränderliche Feldstärke, die die frei liegende Oberfläche eines feldstärkeempfindlichen Mediums beeinflußt. Ein von der anderen Seite als das Bildlicht stammendes, auf dieses Medium fallendes Projektionslichtbündel, wird dadurchOne example of such an image display device is found in the solid · eidophor. In it will from an image light bundle that hits the photoconductive layer, one of the brightness distribution in the image light corresponding electrical charge pattern generated: This charge pattern results in a locally variable one Field strength that affects the exposed surface of a field-strength-sensitive medium. One of the projection light bundle falling on this medium, coming from the other side than the image light, thereby becomes

ίο in der Reflexionsrichtung moduliert. Durch Verwendung eines s.chlierenoptischen Systems erhält man einen dem Bildinhalt des auf die photoleitende Schicht fallenden Bildlichts entsprechenden Bildinhalt in dem Projektionslichtbünde!, welcher Bildinhalt sich auf einem Auffangschirm sichtbar machen läßt. Dabei ist eine große Lichtverstärkung zwischen dem Bildlicht und dem Projektionslichi erwünscht.ίο modulated in the direction of reflection. By using a s.chlierenoptischen system one obtains the image content of the on the photoconductive layer falling image light corresponding image content in the projection light bundles !, which image content is on can be made visible on a collecting screen. There is a great light amplification between the image light and the projection light.

Eine solche Bildwiedergabevorrichtung ist in einem Artikel in der »Zeitschrift für angewandte Mathematik und Physik« 18. 1967. S. 3! bis 57 beschrieben.Such an image display device is in an article in the »Zeitschrift für angewandte Mathematik und Physik "18. 1967. p. 3! to 57.

In der darin beschriebenen Bildwiedergabevorrichtung kann Licht des Projektionsbündels z. B. als Streulicht den Photoleiter erreichen, wodurch der Kontrast im Bild mehr oder weniger verloren geht, es sei denn daß man die Intensität des Projektionslichtes auf einem niedrigen Wert hält, aber in diesem Falle erhält man nur eine geringe Lichtverstärkung.In the image reproducing apparatus described therein can light of the projection beam z. B. reach the photoconductor as scattered light, thereby reducing the contrast is more or less lost in the picture, unless the intensity of the projection light is on one holds low, but in this case there is little gain in light.

Zweck der Erfindung ist, eine Bildwiedergabevorrichtung zu schaffen, bei der die photoleitende SchichtThe purpose of the invention is to provide an image display device in which the photoconductive layer

ausreichend vor dem Projektionslicht abgeschirmt wird, ohne daß eine gute Übertragung des Potentialmusters von dem Photoleiter auf das feldstärkeempfindliche Medium erschwert wird.sufficiently shielded from the projection light without good transfer of the potential pattern is made more difficult by the photoconductor on the field strength-sensitive medium.

Nach der Erfindung ist eine Bildwiedergabevorrichtung eingangs erwähnter Art dadurch gekennzeichnet, daß sich zwischen der photoleitenden Schicht und dem feldstärkempfindlichen Medium eine lichtabschirmende Zwischenschicht befindet, die im wesentlichen aus Halbleitermaterial besteht, das ähnlich wie das Material der photoleitenden Schicht einen direkten Übergang zwischen Valenzband und Leitungsband aufweist, wobei der Bandabstand des Materials der Zwischenschicht in dem Maße kleiner ist als der des Materials der photoleitenden Schicht, daß die Zwischenschicht für die dem direkten Bandübergang des Photoleiters entsprechende Strahlung eine hohe Absorption aufweist. Vorzugsweise ist der Bandabstand des Materials der Zwischenschicht maximal etwa 0,2 eV kleiner als der Bandabstand des Photoleiters.According to the invention, an image display device of the type mentioned at the outset is characterized in that that between the photoconductive layer and the field strength-sensitive medium is a light-shielding Interlayer is located, which consists essentially of semiconductor material, which is similar to the material of the photoconductive layer has a direct transition between valence band and conduction band, wherein the band gap of the material of the intermediate layer is smaller than that of the material of the photoconductive layer Layer that the intermediate layer for the direct band transition of the photoconductor corresponding Radiation has a high absorption. Preferably the band gap of the material is the intermediate layer at most about 0.2 eV smaller than the band gap of the photoconductor.

Direkte Band-Band-Übergänge haben einen verhältnismäßig hohen Absorptionskoeffizienten, wodurch eine dünne Zwischenschicht bereits eine ausreichende Abschirmung ergibt. Da das Material der photoleitenden Schicht einen größeren Bandabstand aufweist als das Material der Zwischenschicht, kann das durch die letztere Schicht durchgelassene Licht nicht von Band-Band-Übergängen in der photoleitenden Schicht absorbiert werden. Für Absorption durch etwaige Zwischenpegel im Photoleiter ist der Koeffizient verhältnismä-Direct band-to-band transitions have a relatively high absorption coefficient, as a result of which a thin intermediate layer already provides sufficient shielding. As the material of the photoconductive Layer has a larger band gap than the material of the intermediate layer, this can be achieved by the the latter layer of transmitted light is not absorbed by band-to-band junctions in the photoconductive layer will. For absorption by any intermediate level in the photoconductor, the coefficient is relatively

(10 ßig gering und diese Absorption kann dadurch gering gehalten werden, daß photoleitende Schicht dünn gemacht wird. Um zu vermeiden, daß die Zwischenschicht die Übertragung des Potentialmusters von der photoleitenden Schicht auf das feldstärkeempfindliche Medium erschweren würde, muß diese Zwischenschicht nicht dünn sein, sondern soll auch der spezifische Widerstand des Materials derselben wenigstens gleich dem spezifischen Widerstand des nicht belichteten(10 little and this absorption can be kept low by making the photoconductive layer thin will. In order to avoid the intermediate layer from transferring the potential pattern from the photoconductive Layer on the field-strength-sensitive medium would make it difficult, this intermediate layer must not be thin, but should also have at least the same resistivity of the material the resistivity of the unexposed

Photoleitermaterials sein.Be photoconductor material.

Durch Anwendung einer Zwischenschicht nach der Erfindung ist ohne Verlust an Bildkontrast eine erhebliche Lichtverstärkung zwischen Bildlicht und Projektionslicht erzielbar.By using an intermediate layer in accordance with the invention, there is a significant amount of image contrast without loss of image contrast Light amplification between image light and projection light can be achieved.

Nachstehend werden eilige Ausführungsformen einer Bildwiedergabevorrichtung nach der Erfindung an Hand der Zeichnung beschrieben, in derThe following are urgent embodiments an image display device according to the invention described with reference to the drawing in which

F i g. 1 sehr schematisch im Schnitt eiiie mit einer Zwischenschicht versehene Bildwiedergabevorrichtung zeigt, von der inF i g. 1 very schematically in section eiiie with one Shows interlayered image display device of the in

F i g. 2 eine isometrische Projektion des Schichtenteils in umgekehrter Anordnung dargestellt ist, während F i g. FIG. 2 shows an isometric projection of the layer part in the reverse arrangement, while FIG

F i g. 3 eine andere Ausführungsform einer Bildwiedergabevorrichtung nach der Erfindung zeigt.F i g. 3 shows another embodiment of an image display device according to the invention shows.

Die Bildwiedergabevorrichtung nach den F i g. 1 und 2 enthält einen ersten Teil 1 und einen zweiten Teil 2. die durch einen Zwischenraum 3 voneinander getrennt sind. Der erste Teil 1 dient zur Umwandlung eines Bildinhaltes eines darauf fallenden Bildstrahlungsbündels 4 in ein elektrisches Ladungsmuster, das in dem zweiten Teil 2 eine dem Bildinhalt des Strahlungs- oder Bildbündels 4 entsprechende Modulation eines auf die vom Teil 1 abgewandte Seite des Teils 2 fallenden Projektionslichtbündels 5 hervorruft.The image display device according to FIGS. 1 and 2 contain a first part 1 and a second part 2. which are separated from one another by a space 3. The first part 1 is used to convert an image content an image radiation beam 4 falling thereon into an electrical charge pattern, which in the second Part 2 is a modulation corresponding to the image content of the radiation or image beam 4 on the from Part 1 facing away from part 2 causes falling projection light beam 5.

Zu diesem Zweck enthält der Teil 1 nach F i g. 1 von unten nach oben und in F i g. 2 in der umgekehrten Richtung einen durchsichtigen Träger 6, ein undurchsichtiges Linienmuster 7, eine elektrisch isolierende Platte 8, ein aus zwei ineinander eingreifenden elektrisch leitenden Kämmen 9 und 10 bestehendes Rastersystem 11, eine photoleitende Schicht 12 und eine abschirmende Zwischenschicht 13. Nach dem Zwischenraum 3 folgt im Teil 2 ein durch die elektrische Feldstärke örtlich verformbares Medium 14, ein durchsichtiger elektrischer Leiter 15 und ein gleichfalls durchsichtiger Träger 16. Da auf dem Träger 16 ein Prisma 17 angeordnet wird, ist das modulierbare Medium 14 in ein schlierenoptisches System aufgenommen, das weiterhin eine das Projektionsbündel 5 erzeugende Lichtquelle 18, einen ersten Blendensatz 19, einen zweiten Blendcnsatz 20, einen Linsensatz 21 und einen das modulierte Projektionslichtbündel auffangenden Auffangschirm 22 enthält. Dieser Schirm ist in F i g. 1 einfachhcitshalber verhältnismäßig zu nahe am Linsensatz 21 und zu klein dargestellt. Das Prisma 17, das durch einen Linsensatz ersetzt werden kann, sorgt dafür, daß das einfallende Projektionslichtbündel die dem Zwischenraum 3 zugewandte frei Oberfläche 23 des verformbaren Mediums 14 unter einem solchen Winkel trifft, das Totalreflexion auftritt. Die Blendensätze 19 und 20 sind derart zueinander angeordnet, daß Projektionslicht, das von dem Satz 19 durchgelassen und an einer nicht von einem Ladungsmuster verformten Oberfläche 23 reflektiert wird, von den undurchsichtigen Teilen des Blendensatzes 20 abgefangen wird, so daß der Auffangschirm dann kein Licht empfängt.For this purpose, part 1 according to FIG. 1 from bottom to top and in FIG. 2 in the reverse Direction a transparent carrier 6, an opaque line pattern 7, an electrically insulating Plate 8, a grid system 11 consisting of two interlocking electrically conductive combs 9 and 10, a photoconductive layer 12 and a shielding layer Intermediate layer 13. After the intermediate space 3, part 2 is followed by an electrical field strength locally deformable medium 14, a transparent electrical conductor 15 and an equally transparent one Carrier 16. Since a prism 17 is arranged on the carrier 16, the modulatable medium 14 is in added a schlieren optical system, which also has a light source generating the projection beam 5 18, a first set of diaphragms 19, a second set of diaphragms 20, a set of lenses 21 and the modulated one Contains projection light collecting collecting screen 22. This screen is shown in FIG. 1 for the sake of simplicity shown relatively too close to the lens set 21 and too small. The prism 17 through a Lens set can be replaced, ensures that the incident projection light beam covers the space 3 facing free surface 23 of the deformable medium 14 meets at such an angle that Total reflection occurs. The diaphragm sets 19 and 20 are arranged to each other that projection light, the transmitted by the set 19 and reflected on a surface 23 not deformed by a charge pattern is, is intercepted by the opaque parts of the aperture set 20, so that the collecting screen then receives no light.

Zur näheren Erläuterung der Funktionen der Einzelteile der Teile 1 und 2 sind diese in F i g. 2 wieder aber dann in isometrischer Projektion dargestellt. Nach F i g. 2 wird das Bild von oben her auf dem Teil 1 abgebildet. Bei einem der bekannten Verfahren zum Erzeugen eines Potentialmusters wird zwischen den Kämmen 9 und 10 eine Gleichspannungsquelle 24 und zwischen einem Mittenabgriff dieser Spannungsquelle und der Elektrode 15, die z. B. aus einer aufgedampften Zinnoxydschicht besteht, eine Gleichspannungsquelle 25 angeschlossen. Es entsteht auf diese Weise zwischen dem Rastersatz 11 und dei Elektrode 15 ein dem Linienmuster des Rastersatzes 11 entsprechendes, wellenartiges Potentialmusier, wobei die Oberfläche 23 des S verformbaren Mediums 14 dementsprechend verformt wird. Dieses Wellenmuster erteilt dem Projektionslicht bei Reflexion an diesem örtlich eine abweichende Richtungsänderung, aber indem die Linienrichtung des Rasiersatzes 11 senkrecht zu den Blendensätzen 19 und 20For a more detailed explanation of the functions of the individual parts of parts 1 and 2, these are shown in FIG. 2 again but then shown in isometric projection. According to FIG. 2 the picture is shown from above on part 1. In one of the known methods for generating a potential pattern, between the ridges 9 and 10 a DC voltage source 24 and between a center tap of this voltage source and the electrode 15, the z. B. consists of a vapor-deposited tin oxide layer, a DC voltage source 25 connected. In this way, a line pattern is created between the grid set 11 and the electrode 15 of the grid set 11 corresponding, wave-like Potentialmusier, the surface 23 of the S deformable medium 14 is deformed accordingly. This wave pattern gives the projection light a locally deviating change of direction in the event of reflection at this, but by keeping the line direction of the shaving set 11 perpendicular to the aperture sets 19 and 20

ίο angeordnet wird, entspricht diese Richtungsänderung der Richtung der Spalten der Sätze 19 und 20, so daß auch dann kein Projektionslicht den Schirm 22 erreichen k^nr. Ein durch den Rastersatz 11 auf die pho'oleLende Schicht 12 fallendes Bildlichtbündel kann zwar dieses Wellenmuster örtlich verstärken oder abschwächen, aber dies resultiert ebensowenig in Licht auf dem Projektionsschirm. Dieser Zustand ändert sich nur wenn in der Bahn dieses Bildlichtes ein Linienmuster 7 aus undurchsichtigen Streifen, deren Richtung einen Winkel mit der Richtung des Rastersatzes 11 einschließt, auftritt. Auffallendes Bildlicht wird dann die Wellen des Wellenrnusters gleichsam aus ihrer Richtung verschwinden, da das Licht in Form schräger Streifen darüber fallend die elektrische Leitfähigkeit der photoleitenden Schicht und somit das Potentialmuster im gleichen Sinne beeinflußt. Infolgedessen wird das Projektionslicht in der Querrichtung abgelenkt und wird dieses abgelenkte Licht den Blendensatz 20 passieren und ein Bild auf dem Auffangschirm erzeugen.ίο is ordered, this change in direction corresponds the direction of the columns of the sets 19 and 20 so that no projection light reaches the screen 22 even then k ^ no. One through the grid set 11 on the pho'oleLende Layer 12 falling image light beam can strengthen or weaken this wave pattern locally, but neither does this result in light on the projection screen. This state of affairs only changes if in the path of this image light a line pattern 7 of opaque strips, the direction of which is a Angle with the direction of the grid set 11 includes, occurs. Striking image light then becomes the Waves of the wave pattern disappear from their direction, as it were, since the shape of the light is more slanted Stripes falling over the electrical conductivity of the photoconductive layer and thus the potential pattern influenced in the same sense. As a result, the projection light is deflected in the transverse direction and this deflected light will pass the aperture set 20 and produce an image on the collecting screen.

Diese Schaltungsanordnung, die im übrigen in mehreren Formen ausgebildet sein kann, bewerkstelligt, daß die Bildinformation des auf der photoleitenden Schicht abgebildeten Bildes auf dem Auffangschirm wiedergegeben wird. Die Störungen dieser Übertragung zu vermeiden, muß das Linienmuster 7, das vorzugsweise aus aufgedampften Metallstreifen besteht, gut auf dem Rastersatz 11 und der photoleitenden Schicht 12 schattenartig abgebildet werden, aber es muß elektrisch gegen die Kämme 9 und 10 isoliert sein. Zu diesem Zweck ist vorzugsweise auf eine etwa 100 pm dicke Glasplatte 8 auf einer Seite das Linienmuster 7 aufgedampft und auf der anderen Seite der Rastersatz 11, über den zugleich die photoleitende Schicht 12 aufgedampft ist. Das Feldstärkemuster wird vom Lichteinfall auf die photoleitende Schicht beeinflußt und erstreckt sich zwischen dem Rastersatz 11 und der Elektrode 15. Der Abstand zwischen der photoleitenden Schicht und der Elektrode 15 muß zum Erzielen einer hohen Empfindlichkeit und somit einer hohen Feldstärke zwischen den beiden mögliehst dünn sein. Daher müssen die Zwischenschicht 13, der Zwischenraum 3 und die verformbare Schicht 14 dünn sein. Für die verformbare Schicht wird eine ölschicht verhältnismäßig niedrigen elektrischen Widerstandes z. B. polymerisiertes Siliconöl verwendet, so daß die Feldstärke an dieser Schicht gering ist. Insbesondere der Zwischenraum 3 und die Abschirmschicht 13 müssen somit dünn sein. Ein Minimaiwert für die Dicke des Zwischenraums 3 wird durch die Gefahr eines gegenseitigen Kontaktes der Schichten 13 und 14 bedingt und beträgt etwa 20 pm. Die Dicke der Zwischenschicht 13, die vorzugsweise unmittelbar auf die photoleitende Schicht 12 aufgedampft wird, braucht bei Durchführung der Erfindung nicht mehr als einige Mikrons zu betragen.This circuit arrangement, which can also be designed in several forms, brings about that the image information of the image formed on the photoconductive layer is reproduced on the receiving screen will. To avoid interference with this transmission, the line pattern 7, which preferably consists of Evaporated metal strip consists, well on the grid set 11 and the photoconductive layer 12 in a shadowy manner but it must be electrically isolated from ridges 9 and 10. To that end is preferably on a glass plate 8 approximately 100 μm thick on one side the line pattern 7 is evaporated and on the other side the grid set 11, over which at the same time the photoconductive layer 12 is evaporated. The field strength pattern is determined by the incident light on the photoconductive Layer affects and extends between the grid set 11 and the electrode 15. The distance between of the photoconductive layer and the electrode 15 must to achieve high sensitivity and thus a high field strength between the two should be as thin as possible. Therefore, the intermediate layer 13, the space 3 and the deformable layer 14 can be thin. An oil layer is used for the deformable layer relatively low electrical resistance z. B. polymerized silicone oil is used, so that the field strength at this layer is low. In particular the space 3 and the shielding layer 13 must therefore be thin. A minimum value for the thickness of the gap 3 is determined by the danger a mutual contact of the layers 13 and 14 and is about 20 pm. The thickness of the intermediate layer 13, which is preferably vapor-deposited directly onto the photoconductive layer 12, needs at Implementation of the invention should be no more than a few microns.

In dem vorliegenden Falle besteht die photoleitende Schicht 12 aus mit Kupfer aktiviertem CdSe und hat eine Schichtdicke von maximal 1 μΐη. Dem Photoleiter wird nötigenfalls durch Dotierung z. B. mit KuDfer einIn the present case, the photoconductive layer 12 consists of copper activated CdSe and has a layer thickness of a maximum of 1 μΐη. The photoconductor is if necessary by doping z. B. with KuDfer

verhältnismäßig niedriger Dunkelwiderstand von etwa 10'Ohin -cm erteilt. Dieses Halbleitermaterial CdSe hat einen Bandabstand von 1,8 eV- Dieses Material ist gewählt, um in einfacher Weise die Anforderungen einer angemessenen, abschirmenden Zwischenschicht 13 erfüllen zu können. Diese Zwischenschicht besteht aus CdTe, GeS oder Sb2Se3 oder Gemischen derselben. Diese Halbleitermaterialien mit Bandabständen von 1,5, 1,7 bzw. 1,4 eV sind mit einer Schichtdicke von nicht mehr als einigen Mikrons durch Aufdampfung auf der photoleitenden Schicht 12 angebracht und bilden gut haftende, gleichmäßige Schichten. Besonders gut genügt eine Schicht aus einem Gemisch von etwa 3 Gewichtsteilen Sb2Se3 und einem Gewichtsteil GeS. Das Material der Zwischenschicht 13 ist auf den Photoleiter 12 aufgedampft bei Zimmertemperatur. Auf diese Weise wird verhütet, daß das Material der Zwischenschicht während der Aufdampfung auf den Photoleiter Zwischenpegel in diesem einbauen würde, die das durch die Zwischenschicht durchgelassene langwellige Licht absorbieren könnten. Infolge der Aufdampfung der Zwischenschicht hat diese eine feinkristallinische Struktur, wobei der elektrische Widerstand in den Kristallübergängen liegt. Solange die Kristalle im Vergleich zum Rasterteilabstand im System klein sind, hat die verhältnismäßig hohe elektrische Leitung innerhalb der Kristalle der Zwischenschicht keinen beeinträchtigenden Einfluß. Bei einem Rasterteilabstand von 50 μπι wird dies mit Bestimmtheit erfüllt, da die Kristalle praktisch nicht größer als etwa 1 μιη sind. Die Qualität der Zwischenschicht wird in der Praxis offenbar günstig dadurch beeinflußt, daß das betreffende Material in einer nicht reduzierenden Atmosphäre aufgedampft wird.relatively low dark resistance of about 10'Ohin -cm granted. This semiconductor material CdSe has a band gap of 1.8 eV- This material is chosen to meet the requirements in a simple manner an appropriate, shielding intermediate layer 13 to be able to meet. This intermediate layer exists from CdTe, GeS or Sb2Se3 or mixtures thereof. These semiconductor materials with band gaps of 1.5, 1.7 and 1.4 eV have a layer thickness of not more than a few microns are deposited on the photoconductive layer 12 by vapor deposition and form well adhesive, even layers. A layer of a mixture of about 3 parts by weight is particularly sufficient Nb2Se3 and one part by weight GeS. That The material of the intermediate layer 13 is vapor-deposited on the photoconductor 12 at room temperature. In this way it is prevented that the material of the intermediate layer during the vapor deposition on the photoconductor intermediate level would incorporate in this, which absorb the long-wave light transmitted through the intermediate layer could. As a result of the vapor deposition of the intermediate layer, it has a finely crystalline structure, where the electrical resistance lies in the crystal junctions. As long as the crystals compared to the Grid part spacing in the system is small, the relatively high electrical conduction has within the crystals the intermediate layer has no adverse effect. With a grid part spacing of 50 μπι is this is met with certainty, since the crystals are practically no larger than about 1 μm. The quality of the intermediate layer is apparently favorably influenced in practice by the fact that the material in question in a non-reducing atmosphere is evaporated.

F i g. 3 zeigt eine andere Ausführungsform einer Bildwiedergabevorrichtung nach der Erfindung. Diese Vorrichtung enthält zwischen zwei durchsichtigen Trägern 30 und 31 von links nach rechts in der Figur eine durchsichtige Elektrode 32. eine photoleitende Schicht 33 aus CdS, eine abschirmende Zwischenschicht 34, die ganz ähnlich der vorstehend beschriebenen Zwischenschicht vorzugsweise aus einem Gemisch von Sb2Sej und GeSe besteht, eine Mosaikschicht 35 z. B. aus einer krakeliertcn Aluminiumfolie, ein feldstärkeempfindliches Medium 36, in diesem Falle aus einer nematischen mesomorphischen Verbindung oder aus einer nematischen, flüssigen Kristallverbindung, deren Lichtreflexion oder Lichtübertragungseigenschaften durch die in der Schicht auftretende elektrische Feldstärke örtlich beeinflußt werden, und schließlich einen zweiten, durchsichtigen, elektrischen Leiter 37, der über eine elektrische Spannungsquelle 38 mit der Elektrode 32 verbunden ist.F i g. Fig. 3 shows another embodiment of an image display device according to the invention. These Device includes one between two transparent supports 30 and 31 from left to right in the figure transparent electrode 32. a photoconductive layer 33 made of CdS, a shielding intermediate layer 34, the very similar to the intermediate layer described above, preferably made of a mixture of Sb2Sej and GeSe, a mosaic layer 35 z. B. from a krakeliertcn aluminum foil, a field strength sensitive Medium 36, in this case from a nematic mesomorphic compound or from a nematic, liquid crystal compound whose light reflection or light transmission properties are due to the in the electric field strength occurring in the layer are locally influenced, and finally a second, transparent electrical conductor 37, which is connected to electrode 32 via an electrical voltage source 38 connected is.

Infolge eines von links auf die photoleitende Schicht 33 fallenden Bildlichtbündels 39 entstehen dem Bildinhalt dieses Bündels entsprechende örtliche elektrische Feldstärkeänderungen in der nematischen Schicht 36 Die entsprechende Bildinformation in Form von Lichtüberiragungs- oder Lichtreflexionsänderungen wire zum Modulieren eines Projektionslichtbündels 40 verwendet, das von der anderen Seite als das Bildlichtbün del 39 die nematische Schicht erreicht.The image content is created as a result of an image light bundle 39 falling from the left onto the photoconductive layer 33 Local electrical field strength changes in the nematic layer 36 corresponding to this bundle The corresponding image information in the form of light transmission or light reflection changes are used to modulate a projection light beam 40, which reaches the nematic layer from the other side than the image light bundle 39.

Zu diesem Zweck ist der ganze Schichtensatz ir einer Abbildungsvorrichtung untergebracht, die weiter hin eine Lampe 41 zum Erzeugen des Projektionslich tes, einen halbdurchlässigen Spiegel 42 und einen L.in sensatz 43 mit einem Auffangschirm 44 zum Auffanger des Bildes enthält.For this purpose, the entire set of layers is housed in an imaging device, which further a lamp 41 for generating the projection, a semi-transparent mirror 42 and a L.in contains set 43 with a capture screen 44 to capture the image.

Wird die Lichtreflexionsänderung der nematischer Schicht 36 zur Modulation des Projektionsbündels be nutzt, so kann, da dies im wesentlichen eine Streuwir kung ist, wieder ein schlierenoptisches Abbildungssy stern benutzt werden. Wird hingegen die Absorptions änderung benutzt, so erzeugt das an der Aluminiumfo lie 35 reflektierte Licht unmittelbar durch den halb durchlässigen Spiegel 42 und den Linsensatz 43 eini Abbildung auf dem Auffangschirm 44.If the light reflection change of the nematic layer 36 for modulation of the projection beam be uses, so can, since this is essentially a scatter effect, again a streak optical imaging system star can be used. If, on the other hand, the change in absorption is used, this is generated on the aluminum foil Lie 35 reflected light directly through the semi-transparent mirror 42 and lens set 43 Image on catch screen 44.

Hierzu 2 Blatt ZeichnungenFor this purpose 2 sheets of drawings

Claims

Patent claims:

1. An image display device with a photoconductive photoconductive device provided with at least one electrode Layer for capturing a radiation image generated thereon, with the one from the image capturing side opposite side of the photoconductive layer with a field-strength-sensitive medium an electrode permeable to light is located, which medium depends on the local, electric field strength locally modulates an auxiliary light beam directed thereon, characterized in that that between the photoconductive layer and the field strength-sensitive medium there is a light-shielding intermediate layer is located, which consists essentially of semiconductor material consists, which, similar to the material of the photoconductive layer, has a direct transition between the valence band and the conduction band, the band gap of the material being the Interlayer is smaller than that of the material of the photoconductive layer to the extent that the Interlayer for radiation that corresponds to the direct band transition of the photoconductor, a has strong absorption.

2. Image reproduction device according to claim I, characterized in that the band gap of the Material of the intermediate layer is a maximum of about 0.2 eV smaller than the band gap of the photosensitive Layer.

3. Image display device according to claim 1 or 2, characterized in that the photosensitive Layer of a photoconductor made of CdSe activated with copper and the intermediate layer from a finely crystalline layer of a semiconductor of the group CdTe, GeS and Sb2 Sej and from Mixtures of the same.

4. Image display device according to claim 1, 2 or 3, characterized in that the photoconductor consists of a transparent support provided with electrodes by vapor deposition brought layer of CdSe with a maximum layer thickness of I μιτι and the intermediate layer a layer of GeS or SbjSe3 vapor-deposited on this photoconductive layer, which the latter layer has a maximum thickness of a few microns.

5. Image display device according to one of the preceding claims, characterized in that that the intermediate layer consists of a mixture of about 3 parts by weight of Sb2Sb3 and one part by weight GeS exists.