DE2000155A1 - Synthesizer - Google Patents

Synthesizer

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DE2000155A1
DE2000155A1 DE19702000155 DE2000155A DE2000155A1 DE 2000155 A1 DE2000155 A1 DE 2000155A1 DE 19702000155 DE19702000155 DE 19702000155 DE 2000155 A DE2000155 A DE 2000155A DE 2000155 A1 DE2000155 A1 DE 2000155A1
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input
signals
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Description

HAMMOND CORPORATION, Deerfield, 111./USA SynthetisiererHAMMOND CORPORATION, Deerfield, 111./USA synthesizer

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Synthetisierer zum Synthetisieren und Steuern komplexer musikalischer Ausgangssignale von einer Mehrzahl von elektrisch einfacheren elektrjs chen Eingangssignalen.The present invention relates to a synthesizer for synthesizing and controlling complex musical output signals from a plurality of electrically simpler electrical input signals.

Eine Form von elektrischer Orgel erzeugt alle benötigten Töne der Tonskala mit Hilfe von Rechtecksignalen. Rechtecksignale haben nämlich einen gewissen Anteil von Oberwellen, wobei jedoch die geraden Oberwellen ausgeschlossen sind. Demzufolge sind verschiedene Schaltungen vorgeschlagen worden, um von Rechteckwellen unsymmetrische Wellenformen - beispielsweise Sägezahnwellen - abzuleiten. Dabei kann man so vorgehen, daß eine Mehrzahl genau dimensionierter Rechteckwellen zeitlich hintereinander angeordnet wird, wodurch sich eine treppenförmige Wellenfunktion ergibt. Die bisherigen Schaltungen dieser Art waren hinsichtlich ihres Aufbaus jedoch relativ kompli-A form of electric organ generates all necessary tones of the tone scale with the help of square wave signals. Square wave signals namely have a certain proportion of harmonics, although the even harmonics are excluded are. As a result, various circuits have been proposed for eliminating unbalanced square waves Derive waveforms such as sawtooth waves. One can proceed in such a way that a plurality of precisely dimensioned square waves occur one after the other is arranged, resulting in a stepped wave function. The previous circuits of this type were, however, relatively complex in terms of their structure.

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ziert. Ferner war die Präzision für die Dimensionierung der einzelnen Rechteckwellen nicht immer zufriedenstellend. adorns. Furthermore, there was the precision for the dimensioning of the individual square waves are not always satisfactory.

Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, einen Synthetisierer, insbesondere für elektrische Musikinstrumente zu schaffen, der diese Nachteile nicht aufweist und der bei relativ einfachem Aufbau die Erzeugung relativ genauer treppenförmiger Wellenfunktionen ermöglicht.The aim of the present invention is to provide a synthesizer, particularly for electrical musical instruments to create which does not have these disadvantages and which is relatively simple to generate allows more precise step-shaped wave functions.

Erfindungsgemäß wird dies dadurch erreicht, daß eine Halbleiteranordnung mit einem gemeinsamen Gatter, einem gemeinsamen Ausgang und eine Mehrzahl von für den individuellen Empfang von einer Mehrzahl von Eingangssignalen be&immten Eingängen vorgesehen ist, ferner daß die Halbleiteranordnung normalerweise nicht leitend ist, jedoch auf vorgegebenen Potentialänderungen an dem Gatter anspricht, wodurch sich über die Mehrzahl von Eingangskreisen der Halbleiteranordnung an dem gemeinsamen Ausgang ein Stromfluß ergibt, was die Mischung einer Mehrzahl von Eingangssignalen zu einem gemischten Ausgangssignal bewirkt, ferner daß die individuellen Eingangskreise der Halbleiteranordnung gestufte individuelle Impedanzelemente zur größenmäßigen Festlegung der individuellen Eingangssignale aufweisen und daß Steuereinrichtungen vorgesehen sind, um je nach Wunsch an dem Gatter eine Potentialänderung hervorzurufen.According to the invention this is achieved in that a semiconductor device with a common gate, a common output and a plurality of inputs intended for the individual reception of a plurality of input signals are provided, furthermore that the semiconductor device is normally not conductive, but on predetermined changes in potential responds to the gate, whereby the plurality of input circuits of the semiconductor device at the common Output results in a current flow, which is the mixing of a plurality of input signals into one mixed The output signal also causes the individual input circuits of the semiconductor device to be graded individual Have impedance elements for determining the size of the individual input signals and that Control devices are provided in order to produce a change in potential on the gate as desired.

Bei einer derartigen Ausbildung ist der Mechanismus zumWith such a training the mechanism for

Anschlagen der Signale mit den eigentlichen Synthetisierkreisen integriert. Gemüß der Erfindung ist ein Synthetisierer zum Synthetisieren elektrls eher Ausgangssignale von einer Mehrzahl von elektrischen Eingangssignalen vor-Striking the signals integrated with the actual synthesizing circuits. According to the invention is a synthesizer to synthesize electrls rather output signals from a plurality of electrical input signals.

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gesehen. Dieser Synthetisierer enthält eine Halbleiteranordnung, die ein gemeinsames Gatter und einen gemeinsamen Ausgang, jedoch eine Mehrzahl von Eingängen aufweist. Die Gatter steuern den zwischen den Eingängen und dem gemeinsamen Ausgang fließenden Strom. Die Eingänge führen individuell eines der Mehrzahl von Eingangssignalen. Sobald ein Gatter mit einem vorgegebenen Anschlagsignal verbunden ist, fließt von der Mehrzahl von Eingängen über die Halbleiteranordnung ein Strom, wodurch sich ein Ausgangssignal ergibt, das eine Synthese der verschiedenen EingangeJLst.seen. This synthesizer includes a semiconductor device that has a common gate and a common Output, however, has a plurality of inputs. The gates control the between the inputs and the common output current flowing. The inputs individually carry one of the plurality of input signals. As soon as a gate with a given stop signal is connected, a current flows from the plurality of inputs via the semiconductor arrangement, whereby the result is an output signal that synthesizes the various inputs.

Eine Mehrzahl von derartigen Synthetisierern sind unter Ausbildung einer Synthetisiereinheit mit einer Mehrzahl von Signaleingängen und wenigstens einem Anschlageingang verbunden. Die Einheit hält einen Ausgang für jeden Synthetisierer und dient zum Synthetisieren von wenigstens zwei verschiedenen Ausgangssignalen in Abhängigkeit des Anschlagens einer Taste.A plurality of such synthesizers are constituted by a plurality of synthesizing units connected by signal inputs and at least one stop input. The unit holds an exit for everyone Synthesizer and is used to synthesize at least two different output signals as a function of the Pressing a key.

Eine derartige Synthetisiereinheit ist zweckmäßig in einem elektronischen Musikinstrument eingebaut, welches Elemente zur Erzeugung einer Mehrzahl von Rechtecksignalen mit verschiedener Frequenz, Anschlagtasten, mit derartigen Anschlagtasten verbundene Auswahlkreise und konventionelle Musiksignalveränderungselemente, MiSCh- und Verstärkerkreise und ein oder mehrere Lautsprecher enthält. Die Synthetisiereinheit ist mit einer Quelle für Rechteckwellen und den Synthetisierern verbunden, so daß in Abhängigkeit des Anschlagens einer Taste ein aus verschiedenen Komponenten bestehendes treppenförmiges Wellensignal an einem oder mehreren Ausgängen gebildet wird. Die Ausgänge der Synthetisiereinheit sind mit den konventionellen elektrischen Musikinstrumentkreisen verbunden« so daß ein oder mehr Musiktöne erzeugt werden. DieSuch a synthesizing unit is expediently built into an electronic musical instrument, which Elements for generating a plurality of square-wave signals with different frequencies, keystrokes with such Touch keys connected selection circles and conventional music signal changing elements, MiSCh and Includes amplifier circuits and one or more loudspeakers. The synthesizing unit is with a source for Square waves and the synthesizers connected, so that depending on the stroke of a key one of different Components existing staircase wave signal is formed at one or more outputs. The outputs of the synthesizing unit are connected to the conventional electrical musical instrument circuits « so that one or more musical tones are produced. the

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Tastenkreise weisen zweckmäßigerweise Wähleinrichtungen auf, wodurch der Anstieg und Abfall der synthetisierten Ausgangssignale beeinflußt werden kann, so daß eine klangmäßige Beeinflussung der erzeugten Musiktöne möglich ist.Key circles expediently have selector devices, whereby the rise and fall of the synthesized Output signals can be influenced, so that a tonal influencing of the generated musical tones is possible is.

Weitere Einzelheiten der Erfindung sollen im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert und beschrieben werden, wobei auf die beigefügte Zeichnung fc Bezug genommen ist. Es zeigen:Further details of the invention are to be explained in more detail below with the aid of exemplary embodiments will be described, reference being made to the accompanying drawing fc. Show it:

Fig. 1 ein schematisches Schaltdiagramm einer elektronischen Orgel mit einer Synthetisiereinheit gemäß der Erfindung.Fig. 1 is a schematic circuit diagram of an electronic organ with a synthesizing unit according to the invention.

Fig. 2 ein schematisches Schaltdiagramm einer ersten Ausführungsform der Synthetisierers von Fig. 1.Fig. 2 is a schematic circuit diagram of a first Embodiment of the synthesizer of FIG. 1.

Fig. 3 ein schematisches Schaltdiagramm einer abgewandelten Ausführungsform des Synthetisierers von Fig.1.3 shows a schematic circuit diagram of a modified one Embodiment of the synthesizer of Figure 1.

Fig. 4 ein schematisches Schaltdiagramm einer weiteren ab· P gewandelten Ausführungsform der SynthetisiereinFig. 4 is a schematic circuit diagram of a further from P converted embodiment of the synthesis

heit gemäß der Erfindung.according to the invention.

In dem folgenden soll auf Fig. 1 Bezug genommen werden, in welcher ein Teil einer elektronischen Orgel gemäß der Erfindung dargestellt ist. Die elektronische Orgel 10 enthält einen Generator 11 zur Erzeugung einer Anzahl von im wesentlichen gleichen Amplituden aufweisenden Rechteckwellensignalen verschiedener Frequenzen. Qemäß der vorliegenden Erfindung ist eine Treppenwellenform-Synthetisiereinheit 12 mit denAusgängen des GeneratorsIn the following, reference should be made to FIG. 1, in which part of an electronic organ according to FIG of the invention is shown. The electronic organ 10 includes a generator 11 for generating a number of substantially equal amplitude square wave signals of different frequencies. According to of the present invention is a staircase waveform synthesizing unit 12 with the outputs of the generator

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verbunden, um ein bestimmtes Ausgangssignal zu synthetisieren. Die Treppenformwellensignale werden in Abhängigkeit des Schließens von Schaltern - beispielsweise den Schaltern 82 und 8j5 der Orgeltastatur - erzeugt, wobei die Tastenwählkreise 17 und 19 betätigt werden. Die Ausgänge der Synthetisiereinheit 12 sind mit konventionellen Schaltänderungs- und -Verstärkungskreisen 18 der Orgel verbunden, so daß an einem oder mehreren Lautsprechern, - beispielsweise dem Lautsprecher 20 - ein Ton erzeugt wird.connected to synthesize a particular output signal. The staircase waveform signals are dependent on the closing of switches - for example the Switches 82 and 8j5 of the organ keyboard - generated, where the button selection circuits 17 and 19 are operated. The exits of the synthesizing unit 12 are connected to conventional circuit change and gain circuits 18 of the organ connected, so that on one or more speakers, - for example the speaker 20 - a sound is generated will.

Die Synthetisiereinheit 12 besitzt die Doppelfunktion einer Synthetisierung und Eintastung und bildet somit eine kombinierte Synthetisier- und TasteneinbeLt. Dies bedeutet, daß ein bestimmtes Ausgangssignal nur dann synthetisiert wird, wenn eine bestimmte zugehörige Taste gedrückt wird, so daß überflüssige Elemente entfallen und keine unnötigen Signale erzeugt werden.The synthesizing unit 12 has the dual functions of synthesizing and keying and thus forms a combined synthesizer and key box. this means that a certain output signal only then is synthesized when a certain associated key is pressed, so that unnecessary elements are omitted and unnecessary signals are not generated.

Die Synthetisiereinheit 12 weist sechs Eingangsklemmen 2OA - P auf. An jede dieser Eingangsklemmen 2OA - P v;ird von dem Generator 11 ein verschiedenes Rechtecksignal geliefert, so wie dies beispielsweise bei. 21 dargestellt ist. Diese Signale unterscheiden sich hinsichtlich ihrer Frequenz. Die F'requenz der Wellenform der Eingangsklemme 2OA entspricht dem Grundton, während die an * der Klemme 2OB auftretende Wellenform der zweiten Harmonischen, die an der Klemme 2OC auftretende Wellenform der vierten Harmonischen, die an der Klemme 2OD auftretende Wellenform der achten Harmonischen, die an der Klemme 2OE auftretende Wellenform der sechzehnten Harmonischen und die an der Klemme 2OP auftretende Wellenform der zweiunddreißigsten Harmonischen entspricht. An den Klemmen 2OA - P treten somit folgende Frequenzen auf: 220 Hz, 440 Hz, 880 Hz, 1760 Hz, 3520 Hz und-794o Hz. PeriodenThe synthesizing unit 12 has six input terminals 20A-P. To each of these input terminals 2OA-P If a different square-wave signal is supplied by the generator 11, as is the case, for example, with. 21 shown is. These signals differ in terms of their frequency. The frequency of the waveform of the input terminal 2OA corresponds to the fundamental tone, while the waveform occurring at * at terminal 2OB corresponds to the second harmonic, the fourth harmonic waveform appearing at terminal 2OC that occurs at terminal 2OD Eighth harmonic waveform, the sixteenth harmonic waveform appearing at terminal 20E and the waveform of the thirty-second occurring at terminal 2OP Harmonics. The following frequencies therefore occur at terminals 2OA - P: 220 Hz, 440 Hz, 880 Hz, 1760 Hz, 3520 Hz and -7940 Hz. Periods

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der Signale stimmen miteinander überein: Sobald die Grundfrequenz ausgelöst ist, tritt jede harmonische Welle ebenfalls auf.of the signals coincide with each other: As soon as the fundamental frequency is triggered, every harmonic occurs Wave up too.

Die von den Klemmen 2OA - P erzeugten Signale sind mit einzelnen Synthetisierern 30 A- E verbunden. Diese Synthetisierer 30 A - E sind hinsichtlich ihrer Konstruktion und Funktionsweise einander identisch, wie dies anhand der Erörterung von Pig. 2 noch näher beschrieben sein soll. An der vorliegenden Stelle genügt es jedpch darauf fc hinzuweisen, daß jeder der Synthetisierer 3OA - E fünf Eingänge 31 - 35 und einen Ausgang 36 aufweist.The signals generated by terminals 20A-P are connected to individual synthesizers 30 A-E. These Synthesizers 30 A-E are identical to one another in terms of their construction and mode of operation, as shown in FIG Pig's discussion. 2 should be described in more detail. At the present point, however, it is sufficient fc to indicate that each of the synthesizers 3OA-E have five Has inputs 31 - 35 and an output 36.

Das Eingangssignal an der Klemme 2OA wird über die Leitung 29 an den Eingang 34 des Synthetisierers 3OA geführt. Eine Abzweigung 55 von der Leitung 59 führt ebenfalls zum Eingang 34 des Synthetisierers 3OD. Die Eingangsklemme 2OG ist über eine Leitung 52 mit dem Eingang 53 des Synthetisierers 30A verbunden. Die Klemme 2OB ist fernerhin über die Leitungen 55, 56 bzw. 54 mit den Eingängen 34, 33 und 34 der Synthetisierer 30B, 30D und 30E verbunden. Die Eingangsklemme 2OC ist über die Leitung 53 mit ^ dem Eingang 32 des Synthetisierers 3OA verbunden, über die Leitungen 51» 49 und 52 und 50 ist die Eingangsklemme 2OC ebenfalls mit den Eingängen 33, 34, 32 und 33 der entsprechenden Synthetisierer 3OB, 3OC, 30D und 3OE verbunden. Die Eingangsklemme 2OD der Synthetisiereinheit ist über die Leitungen 48, 46, 44, 47 bzw. 45 mit den entsprechenden Eingängen 31* 32, 33* 31 und 32 der Synthetisierer 30A, 30B, 3OC, 3OD und 3OE verbunden. über entsprechende Leitungen 43, 41 und 42 ist die Eingangsklemme 2OE der Synthetisiereinheit 12 ebenfalls mit den Eingängen 31, 32 und 31 des Synthetisierers 3OB, 30c, und 3OE verbunden. Die Klemme 2OP ist schließlichThe input signal at terminal 20A is fed via line 29 to input 34 of synthesizer 30A. A branch 55 from the line 59 also leads to the input 34 of the synthesizer 3OD. The input terminal 2OG is connected via a line 52 to the input 53 of the synthesizer 30A. Terminal 20B is also connected to inputs 34, 33 and 34 of synthesizers 30B, 30D and 30E via lines 55, 56 and 54, respectively. The input terminal 2OC is connected to the input 32 of the synthesizer 3OA via the line 53, the input terminal 2OC is also connected to the inputs 33, 34, 32 and 33 of the corresponding synthesizers 3OB, 3OC, via the lines 51 »49 and 52 and 50. 30D and 3OE connected. The input terminal 2OD of the synthesizing unit is connected via lines 48, 46, 44, 47 and 45 to the corresponding inputs 31 * 32, 33 * 31 and 32 of the synthesizers 30A, 30B, 3OC, 3OD and 3OE. The input terminal 20E of the synthesizing unit 12 is also connected to the inputs 31, 32 and 31 of the synthesizer 30B, 30c and 30E via corresponding lines 43, 41 and 42. Terminal 2OP is finally

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über eine Leitung 40 mit dem Eingang 31 - des Synthetisierers 3OC verbunden.via a line 40 to input 31 - of the synthesizer 3OC connected.

Entsprechend der obigen Beschreibung sind die Synthetisierer 3OA und D mit den Eingangsklemmen 2OA, 2OB, 2OC und 2OD verbunden. Die Synthetisierer 30B, 3OC und 30 E sind hingegen mit denEingangsklemmen 2OB, 2OC, 2OD und 2OE verbunden, während der Synthetisierer 30C mit den Eingangsklemmen 2OC, 2OD, 2OE und 2OP verbunden ist.As described above, the synthesizers 30A and D are connected to the input terminals 20A, 20B, 20C and 20D. The synthesizer 30B 3 ° C and 30 E, however, are connected to denEingangsklemmen 2OB, 2OC, 2oD and 2NC while the synthesizer 30C to the input terminals 2OC is 2oD connected 2NC and 2OP.

Die Eingänge 35 der Synthetisierer 30A, 30B und 30C sind über Leitungen 62, 61 und 60 zusammen mit einer ersten Eingangsklemme 65 der Synthetisiereinheit 12 verbunden. In gleicher Weise sind die Eingänge 35 des Synthetisierers 30B und 30E über Leitungen 68 und 67 mit einer gemeinsamen Tasteneingangsklemme 70 der Synthetisiereinheit 12 verbunden. Die Ausgänge 36 der fünf Synthetisierer 3OA - E sind über Leitungen 75, 73, 71, I^ und 72 mit den fünf Ausgangsklemmen 80, 78, 76, 79 und 77 verbunden.The inputs 35 of the synthesizers 30A, 30B and 30C are connected to a first input terminal 65 of the synthesizing unit 12 via lines 62, 61 and 60. In the same way, the inputs 35 of the synthesizer 30B and 30E are connected via lines 68 and 67 to a common key input terminal 70 of the synthesizing unit 12. The outputs 36 of the five synthesizers 30A-E are connected to the five output terminals 80, 78, 76, 79 and 77 via lines 75, 73, 71, I ^ and 72.

Die Tasteneingangsklemmen65 und 70 sind jeweils mit einem der Tastansprechkreise I7 bzw. I9 verbunden. Da diese Kreise identisch hinsichtlich ihrer Konstruktion sind, soll im folgenden nur der Kreis I7 beschrieben werden. Die Tastenansprechkreise I7 und I9 sprechen auf Tastenschalter 82 und 83 an, die jeweils mit der positiven Potentialklemme 84 verbunden sind. Obwohl die Tastenschalter 82 und 83 als konventionelle Tastenschalter dargestellt sind, soll doch verstanden sein, daß andere Schalteinrichtungen - beispielsweise Transistoren oder ähnliche Elemente - verwendet werden können.The key input terminals 65 and 70 are each with connected to one of the touch response circuits I7 or I9. There These circles are identical in terms of their construction, only circle I7 will be described below. The key response circuits I7 and I9 respond to key switches 82 and 83, each with the positive Potential terminal 84 are connected. Although the key switch 82 and 83 are shown as conventional key switches, it should be understood that others Switching devices - for example transistors or similar elements - can be used.

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Der Kreis 17 weist eine Ausgangsleitung 85 auf, die mit der Klemme 65 der Synthetisiereinheit 12 verbunden ist. Ferner ist ein Kondensator 86 vorgesehen, der zwischen dieser Leitung 85 und einem Referenzpotential bzw. Erde angeordnet ist. Zur Steuerung der Anstiegszeit ist ein Widerstand 87 vorgesehen, der zwischen der Leitung 85 und dem Eingang des Schalters 82 angeordnet ist. An der Leitung 85 ist ferner ein Widerstand 88 angeschlossen, der auf der anderen Seite mit dem beweglichen Kontakt eines Schalters 90 verbunden ist. Dieser Schalter 90 ist mechanisch mit einem zweiten Schalter 9I verbunden. Der bewegliche Kontakt dieses zweiten Schalters 91 ist über eine Diode 92 an einem Widerstand 93 der Eingangsleitung des Kreises 17 verbunden. Die Diode 92 ist so angeordnet, daß Strom nur durch die Schalter 9I gelangen kann, wenn derselbe sich in Position 91c befindet, in welcher ein Stromkreis von der Batterie 95 über den Widerstand 95 und den Schalter 82 an die Batterie 84 zustande kommt. Die festen Kontakte der Umschalter 90 und 91 sind mit 90A - C und 9IA - C bezeichnet.Die Umschalter 90 und 91 sind derart mechanisch miteinander gekoppelt, daß gleichzeitig über die Kontakte 90A und 9IA bzw. 90B und 9IB oder 9OC und 9IC eine Verbindung hergestellt wird. Der Kontakt 9OA ist geerdet, während die Kontakte 9IA und B elektrisch isoliert sind. Die Kontakte 90B und 9IB sind miteinander und über eine Leitung mit der positiven Spannungsquelle 95 verbunden.The circuit 17 has an output line 85 with the terminal 65 of the synthesizing unit 12 is connected. Furthermore, a capacitor 86 is provided between this line 85 and a reference potential or earth is arranged. To control the rise time is a Resistor 87 is provided, which is arranged between the line 85 and the input of the switch 82. At the line 85 is also connected to a resistor 88, which is on the other side with the movable contact a switch 90 is connected. This switch 90 is mechanically connected to a second switch 9I. The movable contact of this second switch 91 is connected to a resistor 93 of the input line of the circuit 17 via a diode 92. The diode 92 is like this arranged that current only pass through the switch 9I can when the same is in position 91c, in which a circuit from the battery 95 across the Resistor 95 and switch 82 to battery 84 comes about. The fixed contacts of changeover switches 90 and 91 are labeled 90A - C and 9IA - C. The changeover switches 90 and 91 are mechanically coupled to one another in such a way that that at the same time via the contacts 90A and 9IA or 90B and 9IB or 9OC and 9IC a connection is established will. The contact 9OA is grounded, while the contacts 9IA and B are electrically isolated. Contacts 90B and 9IB are connected to each other and via a line to the positive voltage source 95 connected.

Wenn die beweglichen Kontakte der Schalter 90 und 91 mit den Kontakten 9OA und 9IA verbunden sind, liegt der Widerstand 88 parallel zu dem Kondensator 86, jedoch der als Widerstand 93 und Diode 92 bestehende Kreis isoliert undWhen the moving contacts of switches 90 and 91 with the contacts 9OA and 9IA are connected, the resistance is 88 in parallel with the capacitor 86, but the circuit existing as resistor 93 and diode 92 is isolated and

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demzufolge nicht wirksam. Wenn jedoch die beweglichen Kontakte mit den Kontakten 9oB und 9IB verbunden sind, ist der aus Widerstand 93 und Diode 92 bestehende Kreis isoliert, jedoch der Widerstand 88 mit der positiven Spannungsquelle 95 verbunden. Wenn jedoch die beweglichen Kontakte mit den unbeweglichen Kontakten 9OC und 9IC verbunden sind, ist der Widerstand 88 mit der Spannungsquelle 95 verbunden und ebenfalls der aus Diode 92 und Widerstand 93 bestehende Kreis daran angeschlossen.therefore not effective. However, when the moving contacts are connected to contacts 9oB and 9IB, is the circuit consisting of resistor 93 and diode 92 isolated, however, the resistor 88 to the positive voltage source 95 connected. However, when the moving contacts are connected to the stationary contacts 9OC and 9IC are connected, the resistor 88 is connected to the voltage source 95 and also that of diode 92 and Resistor 93 existing circuit connected to it.

Im folgenden soll auf Fig. 2 Bezug genommen werden, in welcher eine Ausführungsform des Synthetisierers 30 dargestellt ist. Dieser Synthetisierer 30 weist vier Metalloxydsilizium-Feldeffekttransistoren (MOS-FET) - 104 auf. Diese Feldeffekttransistoren 101-104 sind von der "p"-Kanaltypart und werden im Verstärkungsmodus betrieben. Derartige Feldeffekttransistoren sind ebenfalls als isolierte Gatter-Feldeffekttransistoren JO- FET oder Metalloxydhalbleiter MOS bekan\. Derartige Feldeffekttransistoren können als diskrete Einheiten hergestellt werden, wobei sie vier Anschlußelemente aufweisen: ein Gatter G, einen Abfluß D, eine Quelle S und ein Substrat sub. Die vier Feldeffekttransistoren 101 - 104 der Synthetisierer 30 sind mit ihren Gattern elektrisch verbunden und über eine Leitung I05 mit der Anschlageinheit 38 verbunden.Die Substrate der Feldeffekttransistoren 101 - 104 sind ebenfalls über Leitungen 106 miteinander verbunden. Schließlich sind die Abflüsse dieser Transistoren 101 - 104 über Leitungen ebenfalls zusammengeschaltet. Die Quellen der Feldeffekttransistoren 101 - 104 sind über Leitungen 111, 112, 113, 114/entsprechenden Eingängen 34, 33, 32 und 31 verbunden. Entsprechend der vorliegenden Erfindung sind die effektiven Quellen-Abflußwiderstände der FeldeffekttransistorenReference should now be made to FIG. 2, in which one embodiment of the synthesizer 30 is shown. This synthesizer 30 has four metal oxide silicon field effect transistors (MOS-FET) - 104 on. These field effect transistors 101-104 are of the "p" channel type and are operated in the amplification mode. Such field effect transistors are also available as isolated gate field effect transistors JO-FET or metal oxide semiconductor MOS known. Such field effect transistors can be manufactured as discrete units with four connection elements: a gate G, a drain D, a source S and a substrate sub. The four field effect transistors 101-104 of the synthesizers 30 are electrically connected to their gates and via a line I05 to of the stop unit 38. The substrates of the field effect transistors 101-104 are also connected to one another via lines 106. Finally the drains of these transistors 101-104 are also interconnected via lines. The sources of the field effect transistors 101-104 are connected via lines 111, 112, 113, 114 / corresponding inputs 34, 33, 32 and 31. In accordance with the present invention, the effective source drainage resistances are the field effect transistors

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101 - 104 gegeneinander abgestimmt, d.h. die Quellenabflußwiderstände der Feldeffekttransistoren 101 - 104 verhalten sich im leitenden Zustand wie ungefähr 1 : 2 : 4 : 8. Im allgemeinen muß eine gew-isse Nacheinstellung gemacht werden, um in praktischen Stromkreisen die Belastungs- und Quellenwiderstände usw. zu berücksichtigen. Wenn beispielsweise der Quellen-Abflußwiderstand des Feldeffekttransistors 101 20 kOhm beträgt, beträgt der entsprechende Quellen-Abflußwiderstand des Transistors101 - 104 matched to each other, i.e. the source drainage resistances of the field effect transistors 101-104 behave in the conductive state as approximately 1: 2 : 4: 8. In general, a certain readjustment must be made in order to use the Load and source resistances etc. to be taken into account. For example, if the source drainage resistance of the field effect transistor 101 is 20 kOhm, the corresponding source drain resistance of the transistor is

102 40 kOhm, der des Transistors 103 etwa 80 kOhm und der * des Transistors 104 etwa 160 kOhm. Der Zweck dieser Auslegung besteht darin, eine Annäherung an die Fourier-Serie der Harmonischen für die Sägezahnwelle zu schaffen. Dabei beträgt die Grundwelle 100 %, die zweite Harmonische 50%, die dritte Harmonische 33 1/3 %, die vierte Harmonische 25 %, die fünfte Harmonische 20 % etc. Bei den oben beschriebenen vier Eingängen sind die fehlenden Harmonischen die sahzehnte und Vielfache derselben. Im allgemeinen Fall trägt die erste fehlende Harmonische 2 r wenn η die Anzahl von Eingängen ist.102 40 kOhm, that of transistor 103 about 80 kOhm and that of transistor 104 about 160 kOhm. The purpose of this design is to approximate the Fourier series of harmonics for the sawtooth wave. The fundamental wave is 100 %, the second harmonic 50%, the third harmonic 33 1/3 %, the fourth harmonic 25 %, the fifth harmonic 20 % etc. In the four inputs described above, the missing harmonics are the seventeenth and multiples thereof . In the general case, the first missing harmonic carries 2 r if η is the number of inputs.

Alle Feldeffekttransistoren 101 - 104 wiesen gemeinsame Substrate auf, sowie dies in Fig. 2 durch die Abkürzung " sub neben dem Bezugszeichen 115 angegeben ist.All field effect transistors 101-104 have common substrates, as is shown in FIG. 2 by the abbreviation "sub is indicated next to the reference numeral 115.

Demzufolge ist es möglich, viele dieser Schaltelemente in einer geschlossenen Einheit herzustellen, da viele ge- ■ meinsame Bindungen vorhanden sind. Beispielsweise können bei dem Anschlageingang 35 alle Leitungen 105 und die Gatter der Feldeffekttransistoren 101 - 104 integriert werden. Somit kann die durch gestrichelte Linien in Pig.l dargestellte Einheit 12 als integrierter Schaltkreis auf einem gemeinsamen Substrat hergestellt werden.As a result, it is possible to manufacture many of these switching elements in a closed unit, since many are there are common bonds. For example, in the case of the stop input 35, all lines 105 and the Gates of the field effect transistors 101-104 are integrated. Thus, the dashed lines in Pig.l Unit 12 shown can be produced as an integrated circuit on a common substrate.

009830/1228009830/1228

- 11 -- 11 -

Das Substrat wird mit Hilfe einer positiven Spannungsquelle 120 auf positiven Potential oberhalb von Erde gehalten, wobei gemäß Fig. 1 ein geeigneter Anschluß 121 vorgesehen ist. Gemäß allgemeiner Praxis ist ein Zehnerdiodensehutz vorgesehen, der durch die Diode 125, 126 symbolisiert ist, welche zwischen den Anschlageingangsklemmen 65* 70 und dem Substrat angeordnet sind. Diese Zehnerdioden oder Äquivalente sind vorzugsweise in die Einheit eingebaut, jedoch während des normalen Betriebes nicht wirksam.The substrate is held at a positive potential above ground with the aid of a positive voltage source 120, 1, a suitable connection 121 is provided. It is common practice to use a decoder diode protection provided by the diode 125, 126 is symbolized which between the stop input terminals 65 * 70 and the substrate are arranged. These Zener diodes or equivalents are preferably built into the unit, but during normal operation not effective.

Der oben beschriebene Kreis dient zur Synthetisierung der an den Eingängen auftretenden Rechteckwellensignale unter Bildung einer Treppenwellenform, so wie sie bei 130 dargestellt ist. Diese Wellenform 1J50 tritt an den Ausgangsklemmen 76 bis 80 auf, sobald eine Taste - beispielsweise die Taste 82 oder 85 - niedergedrückt wird. Ferner kann die Art des Ansprechens auf ein einzelnes Niederdrücken der Taste 8l oder 82 verändert werden. So kann beispielsweise eine lange Ansprechcharakteristik bzw. ein langsames Abfallen, eine mittlere Ansprechcharakteristik oder ein schnelles Abfallen erzeugt vier den.The circuit described above is used to synthesize the square wave signals appearing at the inputs forming a staircase waveform as shown at 130. This waveform 1J50 occurs at the Output terminals 76 to 80 open as soon as a key - for example the key 82 or 85 - is depressed. Furthermore, the type of response to a single depression of the key 81 or 82 can be changed. For example, a long response characteristic or a slow decrease, a medium response characteristic or a rapid fall produces four den.

In Form eines Beispiels sei erwähnt, daß die Frequenzen der Rechteckwellen der Synthetisiereinheit 12 an den Klemmen 2OF - A 7040, 3520, I76O, 88O, 440 und 220 Hz betragen können. Die Eingangssignale weisen Spitzenwerte in der Größenordnung von 4 Volt auf, wobei die Schaltelemente wie folgt gewählt sein können: Kondensator 86; 0,1 /uF, Widerstand 88; 10 MJ2 , Widerstand 87J 22 kOhm, Widerstand 93; 53 kOhm. Die Spannungsquelle 84 sollte ungefähr -7 Volt und die Spannungsquelle 120 ungefähr +6 Volt aufweisen.In the form of an example it should be mentioned that the frequencies of the square waves of the synthesizing unit 12 at terminals 20F-A are 7040, 3520, 1760, 88O, 440 and 220 Hz can. The input signals have peak values on the order of 4 volts, with the switching elements can be selected as follows: capacitor 86; 0.1 / uF, resistor 88; 10 MJ2, resistor 87J 22 kOhm, resistor 93; 53 kOhm. The voltage source 84 should be approximately -7 volts and the voltage source 120 is approximately +6 volts.

009830/1226 12 009830/1226 12

Im folgenden soll auf Fig. 3 Bezug genommen werden, in welcher eine abgewandelte Ausführungsform des Synthetisierers 3Of von Fig. 1 dargestellt ist. Bei dieser Ausführungsform ist es möglich, diskrete Schaltelemente zu verwenden. Im allgemeinen ist es aber vorzuziehen, einen integrierten Schaltkreis vorzusehen. Der Synthetisierer 30* weist vier Emitter-NPN-Typ Transistoren 150 auf, deren gemeinsame Basis über eine Leitung 131 mit dem Anschlageingang 35 und deren gemeinsamer Kollektor über die Leitung 132 mit der Ausgangsklemme 36 verbunden ist. Die vier Emitter der Transistoren 130 sind über Widerstände 133, 134, 135, 136 mit entsprechenden Eingängen 31, 32, 33 und 34 verbunden. Die Widerstände 133, 134, 135, 136 sind bezüglich ihrer Widerstandswerte 8:4:2:1 gestuft. Dies bedeutet, daß der Widerstand 135 den doppelten Betrag des Widerstandes 136, der Widerstand 134 den vierfachen Betrag des Widerstandes 136 und der Widerstand 133 den achtfachen Betrag des Widerstandes I36 aufweist. Beispielsweise können diese Widerstände wie folgt gewählt sein: Widerstand 136 2 kOhm, Widerstand 135 4 kOhm, Widerstand 134 8 kOhm, Widerstand I33 16 kOhm. Bei dieser Konstruktion der Synthetisiereinheit 12 sind die Werte des Kreises 17 und der Potentialquelle 83 gegenüber dem kombinierten Kreis von Fig. 1 verschieden, obwohl die Grundanordnung im wesentlichen dieselbe ist. Im Falle der Einheit 12' können die Schaltelemente wie folgt gewählt sein: Kondensator 86 3/uF, Widerstand 88 220 kOhm, Widerstand 87, 2,2 kOhm, Widerstand 93, 3,3 kOhm. Die Spannungsquelle 84 sollte dabei +3 Volt betragen. Die Größe des Kondensators 86 muß ferner gegenüber der Synthetisiereinheit 12 erhöht werden, und zwar je nach der Anzahl von dem Synthetisierer 30', die durch den Stromkreis 17 oder I9 betätigt werden.Reference should now be made to FIG. 3, in which a modified embodiment of the synthesizer 30 f of FIG. 1 is shown. In this embodiment it is possible to use discrete switching elements. In general, however, it is preferable to use an integrated circuit. The synthesizer 30 * has four emitter NPN-type transistors 150, the common base of which is connected to the stop input 35 via a line 131 and whose common collector is connected to the output terminal 36 via the line 132. The four emitters of the transistors 130 are connected to corresponding inputs 31, 32, 33 and 34 via resistors 133, 134, 135, 136. The resistors 133, 134, 135, 136 are graded with respect to their resistance values 8: 4: 2: 1. This means that resistor 135 has twice the amount of resistor 136, resistor 134 has four times the amount of resistor 136 and resistor 133 has eight times the amount of resistor I36. For example, these resistors can be selected as follows: resistor 136 2 kOhm, resistor 135 4 kOhm, resistor 134 8 kOhm, resistor I33 16 kOhm. With this construction of the synthesizing unit 12, the values of the circuit 17 and the potential source 83 are different from the combined circuit of Fig. 1, although the basic arrangement is substantially the same. In the case of the unit 12 ', the switching elements can be selected as follows: capacitor 86 3 / uF, resistor 88 220 kOhm, resistor 87, 2.2 kOhm, resistor 93, 3.3 kOhm. The voltage source 84 should be +3 volts. The size of the capacitor 86 must also be increased relative to the synthesizing unit 12, depending on the number of the synthesizer 30 ' which are operated by the circuit 17 or I9 .

009830/122S -1^-009830 / 122S - 1 ^ -

Der Synthetisierer 30' dient zur Synthetisierung von Treppenformwellenformen - beispielsweise der Wellenform 157 - an dem Ausgang J56 mit Hilfe der an den entsprechenden Eingängen 31 - 34 auftretenden Rechteckwellen 138 - l4l in Abhängigkeit eines Anschlagsignals am Anschlageingang 35· Ein Anstieg des Basispotentials macht den Transistor 130 leitend, daß die an den Emittern vorhandenen Signale durchgelassen und an dem gemeinsamen Kollektor kombiniert werden.The synthesizer 30 'is used to synthesize Stairform waveforms - for example, waveform 157 - at output J56 using the corresponding Inputs 31 - 34 occurring square waves 138 - l4l as a function of a stop signal at the stop input 35 · A rise in the base potential makes the transistor 130 conductive that those at the emitters existing signals are passed and combined at the common collector.

In dem folgenden soll auf Fig.' 4 Bezug genommen werden, in welcher eine abgewandelte Ausführungsform des Synthe- ( In the following we shall refer to Fig. ' 4 should be referred to, in which a modified embodiment of the synthetic (

tisierers 12 von Fig. 1 dargestellt ist. Dieser Synthetisierer 12' unterscheidet sich im wesentlichen durch das Vorsehen von Puffer-Halbleiterelementen 122A - F, die zwischen den entsprechenden Eingangsklemmen 2OA bis F und den Synthetisierern 3OA - E angeordnet sind. Die Halbleiterelemente 120A - F sind positive Kanal-MOSFET-FeIdeffekttransistoren, deren Gatter über Leitungen l40A - F mit den entsprechenden Eingangsklemmen 22A - F und deren zusammengeschaltete Quellen über eine Leitung l4l mit dem Substrat verbunden sind. Die Abflüsse 200A - F dieser Transistoren 120 A-F sind gemäß Fig. 4 in gleicher Weise mit den Synthetisierern 30 verbunden, wie i die Klemmen 2OA - F bei der Synthetisiereinheit 12 von Fig. 1 Zenerdiodenschutz oder ein entsprechendes Äquivalent sollte entsprechend Fig. 1 ebenfalls verwendet werden. Da jedoch dadurch die normale Funktionsweise der Einheit nicht beeinflußt wird, und da die Art und Weise, wie dies geschehen kann, bekannt ist, ist dieser Zenerdiodenschutz in Fig. 4 nicht besonders dargestellt. tisierers 12 of Fig. 1 is shown. This synthesizer 12 'differs essentially in the provision of buffer semiconductor elements 122A-F, which are arranged between the corresponding input terminals 20A-F and the synthesizers 30A-E. The semiconductor elements 120A-F are positive channel MOSFET field effect transistors, the gates of which are connected via lines 140A-F to the corresponding input terminals 22A-F and their interconnected sources are connected to the substrate via a line 14l. The drains 200A-F of these transistors 120 AF are connected to the synthesizers 30 according to FIG. 4 in the same way as i the terminals 20A-F in the synthesizing unit 12 of FIG. 1 Zener diode protection or a corresponding equivalent should also be used according to FIG will. However, since this does not affect the normal functioning of the unit, and since the manner in which this can be done is known, this Zener diode protection is not particularly shown in FIG.

-14--14-

009830/1226009830/1226

Die Funktionsweise der Synthetisiereinheit 12} von Fig.4, welche vorzugsweise Synthetisierer 30 gemäß Fig. 2 aufweisen sollte, ist dieselbe wie bei der Einheit 12 von Fig. 1 mit der Ausnahme, daß durch das Vorsehen der Puffer-Feldeffekttransistoren 120A - F die Betriebsweise verbessert wird.The mode of operation of the synthesizing unit 12} of FIG. 4, which preferably have synthesizers 30 according to FIG is the same as for the unit 12 of FIG. 1 except that by the provision of the buffer field effect transistors 120A-F the mode of operation is improved.

Es ist einleuchtend, daß eine neue verbesserte Synthetisiereinheit mit verbesserten Synthetisierern geschaffen worden ist, welche für verschiedene Anwendungszwecke geeignet ist. Die Synthetisierer 30 sind sehr billig herzustellen, bestehen aus sehr wenigen Einzelelementen und benötigen einen sehr geringen Raum, wobei die Synthetisier- und Anschlagfunktionen vereint sind. Während die fünf Synthetisierer der Synthetisiereinheit 12 vorzugsweise aus integrierten Schaltelementen bestehen und gleichzeitig hergestellt werden, so ist es doch möglich, viele der Vorteile der Erfindung zu erhalten, .selbst wenn diskrete Schaltelemente verwendet werden. Da viele derartige Einheiten normalerweise in einer elektronischen Orgel oder einem ähnlichen elektrischen Musikinstrument verwendet werden, ist es zweckmäßig, mehrere Einheiten gleichzeitig auf einem einzelnen Substrat herzustellen. Es wird in der Tat angenommen, daß eine integrierte Zusammenfassung von mehreren Einheiten auf einem gemeinsamen Element - beispielsweise einem Substrat - die Durchführung der vorliegenden Erfindung am geeignetsten erscheint. It is evident that a new, improved synthesizing unit created with improved synthesizers which has been used for various purposes suitable is. The synthesizers 30 are very cheap to manufacture, consist of very few individual elements and require very little space, whereby the synthesizing and stop functions are combined. While the five synthesizers of the synthesizing unit 12 are preferably consist of integrated circuit elements and are manufactured at the same time, it is still possible to get many of the advantages of the invention, by yourself when discrete switching elements are used. Since many such units are usually in an electronic Organ or a similar electrical musical instrument is used, it is appropriate to have multiple units simultaneously on a single substrate. Indeed, it is believed that an integrated summary of several units on a common element - for example a substrate - the practice of the present invention appears most suitable.

-15-009830/1221 -15- 009830/1221

Claims (1)

- 15 Patentanspruch e- 15 patent claim e Synthetisierer zum Synthetisieren und Steuern komplexer musikalischer Ausgangssignale von einer Mehrzahl von elektrisch .einfacheren elektrischen Eingangssignalen, dadurch gekennzeichnet, daß eine Halbleiteranordnung mit einem gemeinsamen Gatter, einem gemeinsamen Ausgang und eine Mehrzahl von für den individuellen Empfang von einer Mehrzahl von EingangsSignalen bestimmten Eingängen vorgesehen ist, ferner daß die Halbleiteranordnung normalerweise nicht leitend ist, jedoch auf vorgegebenen Poten- .' tialänderungen an dem Gatter anspricht, wodurch sich über die Mehrzahl von Eingangskreisen der Halbleiteranordnung an dem gemeinsamen Ausgang ein Stromfluß ergibt, was die Mischung einer Mehrzahl von Eingangssignalen zu einem gemischten Ausgangssignal bewirkt, ferner daß die individuellen Eingangskreise der Halbleiteranordnung gestufte individuelle Impedanzelemente zur größenmäßigen Festlegung der individuellen Eingangssignale aufweisen, und daß Steuereinrichtungen vorgesehen sind, um je nach Wunsch an dem Gatter einePotentialänderung hervorzurufen.Synthesizers for synthesizing and controlling complex musical output signals from a plurality of electrical. simpler electrical input signals, characterized in that a semiconductor arrangement with a common gate, a common Output and a plurality of inputs intended for the individual reception of a plurality of input signals it is further provided that the semiconductor device is normally non-conductive, but at predetermined potential. ' tial Changes to the gate responds, which means about the plurality of input circuits of the semiconductor device at the common output results in a current flow, which the Mixing a plurality of input signals into a mixed output signal also causes the individual Input circuits of the semiconductor arrangement graded individual impedance elements for determining the size of the individual input signals, and that control means are provided as desired cause a potential change at the gate. 2. Synthetisierer nach Anspruch 1, dadurch gekenn- Λ ζ e i c h η e 4t, daß die individuellen Eingangs signale oktavmäßig miteinander in Beziehung stehende Rechteckwellen sind, und daß die Impedanzen derart gewählt sind, daß beim Auftreten einer Potentialänderung an dem Gatter die an den Ausgängen auftretenden Signale Treppensignale sind.2. Synthesizer according to claim 1, characterized marked Λ ζ calibration η e 4 t that the individual input signals oktavmäßig are RELATED square waves with each other, and that the impedances are selected such that upon occurrence of a change in potential at the gate of the the Signals occurring at the outputs are staircase signals. -16-009830/1226 -16- 009830/1226 J>. Synthetisierer nach Anspruch 2, dadurch g e k e η η - ζ e i c h ne t, daß die getrennten Rechteckwellen-Eingangssignale Grundwellen aufweisen, die der Grundwellen, der zweiten Harmonischen, der vierten Harmonischen und der achten Harmonischen entsprechen, und daß die Impedanzen derart gewählt sind, daß der Ausgang eines gemischten im J>. Synthesizer according to claim 2, characterized geke η η - ζ calibration ne t, that the separate square wave input signals have fundamental wave corresponding to the fundamental wave, the second harmonic, the fourth harmonic, and the eighth harmonic, and that the impedances are selected such that the outcome of a mixed im Signals/wesentlichen eine Grundwelle mit dem Wert X eine zweite Harmonische mit dem Wert X/2, eine' dritte Harmonische mit dem Wert X/3 und eine vierte Harmonische mit dem Wert X/4 aufweist.Signals / essentially a fundamental wave with the value X, a second harmonic with the value X / 2, a 'third Harmonics with the value X / 3 and a fourth harmonic with the value X / 4. 4. Synthetisierer nach Anspruch J>, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiteranordnung ein MOS-FET -Feldeffekttransistor mit wenigstens vier Eingängen ist, und daß sich die effektiven Widerstände an den Eingängen im wesentlichen wie 1:2:4:8 verhalten.4. synthesizer according to claim J>, characterized in that the semiconductor arrangement is a MOS-FET field effect transistor with at least four inputs, and that the effective resistances at the inputs are essentially 1: 2: 4: 8. 5. Synthetisierer nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiteranordnung ein Transistor Emittern, mit einer gemeinsamen Basis, einem gemeinsamen Kollet^cor und wenigstens vier Emittereingängen ist, und daß die in den Emittereingängen vorhandenen Widerstände im wesentlichen wie 1:2:4:8 gestuft sind.5. synthesizer according to claim 3, characterized in that the semiconductor device is a transistor Emitters, with a common base, a common collet ^ cor and at least four emitter inputs, and that the resistances present in the emitter inputs are essentially graded as 1: 2: 4: 8. 6. Synthetisierer nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennze i chne t, daß6. Synthesizer according to one of the preceding claims, characterized in that i chne t a) ein gemeinsames Substrat vorgesehen ist, durch welches getrennte Halbleiterelemente mit je einem gemeinsamen Gatter, einem gemeinsamen Ausgang und einer Mehrzahl von getrennten Eingängen gebildet ist,a) a common substrate is provided, through which separate semiconductor elements each with a common Gate, a common output and a plurality of separate inputs is formed, b) daß die eingangsseitigen Kreise eines ersten Paares von derartigen Halbleiterelementen in einem ersten Satz angeordnet sind, wobei dieser Satz mit individuellen Quellen von harmonisch miteinander in Verbindung stehenden Rechteckwellen verbunden ist,b) that the input-side circles of a first pair of such semiconductor elements are arranged in a first set, this set being connected to individual sources of harmonically related square waves, 009830/1226 r.009830/1226 r . c) daß die Eingangselemente eines zweiten Paares von Halbleiterelementen zu einem zweiten Satz zusammengeschaltet sind, wobei der zweite Satz mit eine Oktave niedrigeren individuellen Quellen von harmonisch miteinander verbundenen RechteckweTlen als den Quellen des ersten Satzes verbunden sind,c) that the input elements of a second pair of semiconductor elements are interconnected to form a second set are, with the second movement with an octave lower individual sources of harmonic interconnected rectangular waves are connected as the sources of the first set, d) daß die Eingangselemente des fünften Halbleiterelementes mit wiederum eine Oktave niedrigeren individuellen Quellen von harmonisch miteinander in Verbindung stehenden Rechteckwellen als die Quellen des zweiten Satzes in Verbindung stehen,d) that the input elements of the fifth semiconductor element with in turn an octave lower individual Sources of harmoniously related square waves as the sources of the second sentence are related, e) ferner daß eine erste gemeinsame Anschlageinrichtung für eines der Gatter des ersten Satzes, eines der Gatter des zweiten Satzes und dem Gatter des fünften Halbleiterelementes und eine zweite gemeinsame Anschlageinrichtung für die übrigen Gatter der Halbleiterelemente des ersten und zweiten Satzes vorhanden sind,e) further that a first common stop device for one of the gates of the first set, one of the Gate of the second set and the gate of the fifth semiconductor element and a second common stop device for the remaining gates of the semiconductor elements of the first and second set are available, f) und daß Schalter vorhanden sind, um diese Kreise zu schließen.f) and that there are switches to close these circuits. 009830/122 6009830/122 6
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