DE19962896A1 - Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Solarzellen - Google Patents

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle, worin auf einem multikristallinen Siliziumsubstrat Material abgeschieden wird und eine Passivierung mit Wasserstoffplasma vorgenommen wird. Es wird vorgeschlagen, daß das Material mittels Niederdruck-CVD abgeschieden wird und die Wasserstoffpassivierung durch Zuleitung eines entfernt von den teilprozessierten Solarzellen induzierten Wasserstoffplasmas erfolgt. Beschrieben wird auch eine Vorrichtung zur Ausführung des Verfahrens.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft die Oberbegriffe der unab­ hängigen Ansprüche. Damit befaßt sich die vorliegende Erfin­ dung mit der Herstellung photovoltaischer Solarzellen.

Bei photovoltaischen Solarzellen kommt es im Regelfall darauf an, eine bestimmte elektrische Leistung zu möglichst günstigen Preisen zur Verfügung zu stellen. Dies erfordert einerseits einen hohen Wirkungsgrad, andererseits möglichst niedrige Her­ stellungskosten. Einen wesentlichen Kostenbeitrag kann das Ausgangsmaterial darstellen. Es ist daher erwünscht, nach Mög­ lichkeit multikristallines Silizium anstelle von hochreinem einkristallinen Czochralski-Silizium zu verwenden. Nachteilig bei der Verwendung von multikristallinem Silizium ist jedoch, daß dieses eine Vielzahl von den Wirkungsgrad verringernden Defekten aufweist. Hierzu zählen sowohl geometrische Fehler im Aufbau des Kristallgitters wie Versetzungen und Korngrenzen als auch eingelagerte Fremdatome, die sich bevorzugt an den Korngrenzen ablagern.

Um den negativen Einfluß solcher Fremdatome usw. zu verrin­ gern, ist vorgeschlagen worden, den nachteiligen Einfluß zu­ mindest der elektronisch geladenen Defekte durch Einbringung von atomarem Wasserstoff zu neutralisieren. Wichtig ist dabei, daß der atomare Wasserstoff nicht an der Oberfläche der herzu­ stellenden Solarzelle verbleiben darf, sondern in das Volume­ ninnere eindringen muß, damit er in unmittelbare Nähe zu den zu passivierenden Defekten gelangen kann.

Es sind im Stand der Technik eine Reihe von unterschiedlichen Techniken bekannt, mittels derer die Wasserstoffpassivierung erreicht werden soll. So wurde vorgeschlagen, hochenergetische Wasserstoffionen in den Oberflächenbereich eines Siliziumwa­ fers zu implantieren und anschließend thermisch in das Volume­ ninnere zu treiben. Weiter wurde vorgeschlagen, die Silizium­ wafer einer Wasserstoffatmosphäre bei Temperaturen auszuset­ zen, die mit z. B. 700°C so hoch gewählt ist, daß der molekula­ re Wassserstoff dissoziiert und dann in den Wafer diffundieren kann. Es wurde auch vorgeschlagen, die Proben einem Wasser­ stoffplasma auszusetzen, welches kapazitiv oder induktiv di­ rekt und unmittelbar an den Siliziumwafern erzeugt wird. Wei­ ter wurde vorgeschlagen, die Passivierung in Verbindung mit einer Antireflexbeschichtung der Solarzelle vorzunehmen. Hier­ bei kann eine wasserstofhaltige Siliziumnitridschicht durch PE-CVD abgeschieden werden; die in der oberflächlichen, was­ serstoffhaltigen Siliziumnitridschicht enthaltenen Wasserstof­ fatome gelangen dann bei einem nachfolgenden Bearbeitungs­ schritt in das Solarzellenvolumen hinein.

Hingewiesen wird auch auf den Aufsatz "Detailed Study on Microwave Induced Remote Hydrogen Plasma Passivation of Mul­ ticrystalline Silicon" von M. Spiegel, P. Fath, K. Peter, G. Willeke und E. Bucher in 13^th EC-PVSEC, Nizza, 1995, Seiten 421 ff. Dort wird vorgeschlagen, mittels Mikrowelleneinstrahlung ein Wasserstoffplasma entfernt vom Ort der zu prozessierenden Solarzellen zu erzeugen und dann an die Solarzellen heranzu­ führen.

Die bekannten Techniken sind jedoch im Regelfall langsam, al­ lenfalls mit hohem technischen Aufwand industriell ausführbar und/oder inkompatibel mit typischen heutigen Herstellungsver­ fahren. Es ist daher mit dem Stand der Technik nur einge­ schränkt möglich, eine Solarzelle mit hohem Wirkungsgrad ko­ stengünstig herzustellen.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, Neues für die gewerbliche Anwendung bereitzustellen, und insbesonde­ re, jedoch nicht ausschließlich, sowohl die Möglichkeiten ei­ ner kostengünstigen Herstellung von Solarzellen mit hohem Wir­ kungsgrad zu verbessern als auch die dort gewonnenen Verfah­ rensweisen auf andere Bereich der Halbleiterherstellung auszu­ dehnen.

Die Lösung dieser Aufgabe wird unabhängig beansprucht. Bevor­ zugte Ausführungsformen finden sich in den Unteransprüchen.

Die Erfindung schlägt somit ein Verfahren zur Behandlung von Halbleitern, worin auf einem Halbleiter Material abgeschieden wird und eine Passivierung mit Wasserstoffplasma vorgenommen wird, wobei das Material mittels Niederdruck-CVD abgeschieden wird und die Wasserstoffpassivierung durch Zuleitung eines entfernt von dem teilprozessierten Halbleiter induzierten Was­ serstoffplasmas erfolgt.

Angesichts der Unterschiede bei den Prozeßbedingungen von PE- CVD und Niederdruck-CVD war es trotz der bekannten Passivie­ rung von im PE-CVD-Verfahren hergestellten Solarzellen für den Fachmann überraschend, daß eine Passivierung mit entfernt vom Ort der teilprozessierten Solarzellen mikrowelleniduziertem Wasserstoff auch bei Niederdruck-Verfahren zu einer signifi­ kanten Verbesserung des Wirkungsgrades führt, ohne jedoch den Prozeß wesentlich zu verteuern.

Als Halbleiter kommen bevorzugt Siliziumhalbleiter bzw. we­ sentlich Anteile Silizium enthaltende Halbleiter in Betracht. Das erfindungsgemäße Verfahren ist dabei besonders bevorzugt bei der Herstellung von Solarzellen aus preiswerten Silizim­ substraten. Insbesondere bei multikristallinen Siliziumsub­ straten werden gute Verbesserungen der resultierenden Solar­ zellen erzielt, aber auch z. B. bei einkristallinen Silizium­ substraten schlechterer Qualität und damit höheren Defektzah­ len sowie bei Dünnschichtsolarzellen sind signifikante Verbes­ serungen möglich.

Es ist möglich, daß die teilprozessierten Solarzellen während der Wasserstoffpassivierung zumindest zeitweise geheizt wer­ den; dies kann durch Wärmestrahlung aus einer IR-Lichtquelle und/oder einer Widerstandsheizung geschehen. Eine derartige aktive Aufheizung während der Wasserstoffpassivierung anstelle einer seit einem vorhergehenden Schritt unverändert gehaltenen Temperatur ist bevorzugt, um die Einstellung der optimalen Prozeßparameter zu ermöglichen.

Die Niederdruck-CVD, mit welcher die erfindungsgemäße Wasser­ stoffpassivierung verknüpft ist, wird in einer bevorzugten Ausführung zur Abscheidung von Siliziumnitrid erfolgen. Diese Abscheide-Reaktion findet typisch bei etwa 750°C statt. Hier kann die eigentliche erfindungsgemäße Wasserstoffpassivierung mittels entfernt induziertem Wasserstoffplasma, die bei ty­ pisch während z. B. 30 min bei 350°C erfolgt, dadurch verkürzt werden, daß sowohl während des Abscheidens als auch während der Aufheiz- und/oder Abkühlphase eine Passivierung erfolgt. Noch weiter kann die Reaktionszeit für den Passivierungs­ schritt an sich verkürzt werden, wenn nach dem LP-CVD (Nieder­ druck-CVD) ein Siebdruckdurchfeuerprozeß und/oder ein anderer Kontaktfeuerprozeß erfolgt, da auch hierbei der Wasserstoff tiefer in die Zelle diffundieren kann. Damit wird also eine Passivierung zumindest partiell während der zur Durchführung eines anderen bzw. mehrerer anderer Prozess-Schritte erforder­ lichen Temperaturänderung vorgenommen und überdies wird zumin­ dest ein Teil der Wasserstoffpassivierung gleichzeitig während wenigstens eines anderen Behandlungsschrittes vorgenommen.

Es wird hier im wesentlichen möglich, die Volumen-Passivierung durch entfernt induziertes Wasserstoffplasma ohne Solarzellen­ prozeßzeitverlängerung vorzunehmen. Die Mehrkosten des erfin­ dungsgemäßen Solarzellenprozesses sind damit nur noch durch die Anlagen- und zusätzlichen Betriebskosten bedingt, die durch das Wasserstoffgas bzw. -gasgemisch und den zur Plas­ mainduktion erforderlichen Energieaufwand hervorgerufen wer­ den.

Das Wasserstoffplasma wird bevorzugt mittels Mikrowellenein­ strahlung erzeugt, weil dies eine besonders gute Steuerung und/oder Regulierung der Einstrahlungs-Intensität ermöglicht. Die Plasmaerzeugung kann in per se bekannter Weise in Gegen­ wart von einem nichtreaktiven, insbesondere Edelgas, insbeson­ dere Helium durchgeführt werden. Damit werden insbesondere Selbstreaktionen im Plasma vom Ort der Plasmainduktion bis zum Ort der teilprozessierten Solarzellen verringert, so daß die Effizienz der Plasmabehandlung steigt.

Es ist überdies bevorzugt, wenn das Wasserstoffplasma zumin­ dest während eines Teils der Passivierungsphase in Gegenwart anderer Gase mit den teilprozessierten Solarzellen in Kontakt gebracht wird. Das Plasma aktiviert hierbei die zur Abschei­ dung verwendeten Gase wie NH₃, SiH₄, SiH₂Cl₂ chemisch, was den Anteil atomaren Wasserstoffs am Probenort erhöht und zugleich den Abscheidungsprozeß für z. B. SiN beschleunigt.

Die Solarzellen können zwar in kleinen Einheiten kontinuier­ lich, z. B. horizontal liegend oder in Horten senkrecht stehend angeordnet durch eine Anlage befördert und dabei prozessiert werden, bevorzugt ist aber, wenn ein batchartiger Prozeß an einer Vielzahl von simultan bearbeiteten Wafern vorgenommen wird, da so die Prozeßbedingungen besonders gut kontrollierbar sind.

Gegenstand der Erfindung ist weiter eine Vorrichtung zur Her­ stellung von Solarzellen aus einem multikristallinen Silizium­ substrat mit einem Reaktionsraum zur Prozessierung der Solar­ zellen, einer Quelle für passivierenden Wasserstoff, bei wel­ cher die Quelle für passivierenden Wasserstoff einen Mikrowel­ lengenerator zur Mikrowelleninduktion von Plasma umfaßt, der entfernt vom Reaktionsraum angeordnet ist, und der Reaktions­ raum für die Ausführung einer Niederdruck-CVD ausgelegt ist. Es kann dabei insbesondere vorgesehen sein, daß die Anlage zur gleichzeitigen Behandlung einer Vielzahl von Wafern langge­ streckt ist und die Wasserstoffinjektion quer zur Längsachse erfolgt, wobei quer zur Längsachse eine Mehrzahl von Wasser­ stoffplasma-Injektionsöffnungen vorgesehen sind, denen vor­ zugsweise eine Mehrzahl von Wasserstoffplasmainduzierenden Mikrowellenanordnungen zugeordnet ist. Mittels einer geeigne­ ten Prozeßsteuerung kann in einer solchen Anlage die Durchfüh­ rung des erfindungsgemäßen Verfahrens zumindest im wesentli­ chen automatisiert werden.

Die Erfindung wird im folgenden nur beispielsweise anhand der Zeichnung beschrieben. In dieser zeigt:

Fig. 1 ein erstes Ausführungsbeispiel einer erfindungs­ gemäßen Solarzellen-Herstellungsanlage im Sei­ tenschnitt;

Fig. 2 ein weiteres Ausführungsbeispiel einer erfin­ dungsgemäßen Solarzellen-Herstellungsanlage im Seitenschnitt;

Fig. 3a ein drittes Ausführungsbeispiel einer erfin­ dungsgemäßen Solarzellen-Herstellungsanlage im Seitenschnitt;

Fig. 3b das dritte Ausführungsbeispiel im Querschnitt;

Fig. 4a ein viertes Ausführungsbeispiel einer erfin­ dungsgemäßen Solarzellen-Herstellungsanlage im Seitenschnitt für die quasi kontinuierliche Pro­ zessierung;

Fig. 4b das vierte Ausführungsbeispiel im Querschnitt.

Nach Fig. 1 umfaßt eine allgemein mit 1 bezeichnete Anlage 1 zur batchweisen Herstellung von Solarzellen ein langgestreck­ tes Prozeßrohr 2 aus Quarzglas. Am einen Ende des langge­ strecktes Prozeßrohres 2 ist eine verschließbare Öffnung 3 vorgesehen, welche groß genug ist, um einen Siliziumwaferträ­ ger 4a mit einer Vielzahl von stehenden Wafern 4b aus mul­ tikristallinem Silizium einzuschieben. Am gegenüberliegenden Ende des Prozeßrohres 2 ist eine Absaugöffnung 5 vorgesehen, die zu einer Vakuumpumpe (nicht gezeigt) führt. Längs des Um­ fanges des Prozeßrohres 2 ist eine Widerstandsheizung 6 ange­ ordnet, bestehend aus einer Heizdrahtwicklung 6a und einer Isolierung 6b gegen die Außenseite. Die Widerstandsheizung 6 ist so ausgelegt, daß im Inneren des Prozeßrohres eine Tempe­ ratur von wenigstens 770°C unter allen Prozeßbedingungen er­ reicht werden kann. Mit Thermoelementen 7 kann die Temperatur im Inneren des Prozeßrohres 2 kontrolliert werden.

Bei der Öffnung 3 ist ein Gaseinlaß 8 für Prozeßgase vorgese­ hen, die eine Niederdruck-Materialabscheidung (LP-CVD) auf den Wafern aus multikristallinem Silizium bewirken sollen. Dazu ist der Gaseinlaß 8 mit geeigneten Quellen für Prozeßgase wie SiCl₂H₂ und NH₃ verbunden.

Diametral gegenüberliegend zum Gaseinlaß 8 und senkrecht zur Achse des Prozeßrohres 2 ist eine weitere Einlaßöffnung 9 vor­ gesehen, die zu einer Mikrowellenkavität 10 führt und durch welche aus einer geeigneten Quelle ein Wasserstoff-/Helium­ gemisch in das Prozeßrohr 2 geführt wird. In die Mikro­ wellenkavität 10 wird Mikrowellenenergie einer Frequenz und Intensität eingespeist, die ausreicht, um ein Plasma zu zün­ den.

Eine weitere, der ersten identische Wasserstoffplasaminjekti­ onseinheit ist nahe der Absaugöffnung 5 vorgesehen. Diese In­ jektionseinheit injiziert das Wasserstoffplasma gleichfalls allgemein senkrecht zur Längsachse des Prozeßrohres 2.

Eine Steuerung (nicht gezeigt) ist vorgesehen, um mit der Wi­ derstandsheizung eine vorgegebene Temperaturkennlinie abzufah­ ren, die Absaugung und die Prozeßgaszufuhr entsprechend einem vorgegebenen, gewünschten Prozeßverlauf zu steuern und die Passivierungsgas-Zufuhr und -anregung zu beeinflussen.

Die Anlage 1 der vorliegenden Erfindung kann zur Herstellung von Solarzellen beispielsweise verwendet werden wie folgt:
Zunächst wird die Anlage belüftet und mit in herkömmlicher Weise vorbereiteten Wafern aus multikristallinem Silizium be­ laden. Dann wird für 10 min abgepumpt auf einen Druck unter 30 mTorr bei 500°C, um Restgase zu entfernen. Anschließend wird ein Gasgemisch aus 90% He und 10% H₂ von der Beladeseite her durch den Mikrowellenresonator 10 eingeleitet, bis ein Druck von 500 mTorr erreicht ist. Dann werden 200 W Mikrowel­ lenenergie mit 2,4 GHz in die Kavität eingespeist. Die Passi­ vierung erfolgt für 40 min bei 500°C; dann wird mittels der Widerstandsheizung 6 mit 10°C/min auf 750°C hochgeheizt, wäh­ rend weiter Plasma erzeugt wird. Nach Erreichen von 750°C wird mit verringerter Temperatur-Anstiegsgeschwindigkeit von 2°C/min bis auf 770°C weitergeheizt. Bei dieser Temperatur wird das Plasma ausgeschaltet und das Rohr kurz evakuiert. Dann wird für 1 min NH₃-Gas bis zu einem Druck von 230 mTorr von der Beladeseite her eingeleitet. Anschließend wird, je nachdem ob partielle oder vollständige Beladung des Prozeßroh­ res vorliegt, für 22 bis 26 min ein Gemisch aus 37,5 sccm Dichlorsilan und 150 sccm NH₃ beladeseitig her eingespeist und ein Druck von 250 mTorr eingespeist. Danach wird für 1 min be­ ladeseitig mit NH₃-Gas gespült und dabei ein Druck von 230 mTorr eingestellt. Es wird dann wiederum ein Gasgemisch aus 90% He und 10% H₂ in das Prozeßrohr eingespeist und das Plasma durch Einspeisung von 200 W Mikrowellenenergie mit 2,4 GHz in die Kavität gezündet. Die Wasserstoffpassivierung wird während einer Abkühlphase mit 7°C /min von 770°C auf 500°C fortge­ setzt. Dann wird das Plasma ausgeschaltet und das Rohr nach kurzem Evakuieren zum Entladen belüftet.

Die Anordnungen in Fig. 2 und Fig. 3 sind dem Beispiel von Fig. 1 im wesentlichen identisch, unterscheiden sich aber in der Anzahl der Wasserstoffinjektionseinheiten und deren Anordnung. Fig. 2 zeigt dabei eine Anordnung, bei der das Wasserstoff­ plasma zunächst in einer Rohrleitung 9b im Inneren des Prozeß­ rohres geführt wird, was die Gleichmäßigkeit der Plasmaab­ scheidung erhöht. Durch die mehrfach vorhandenen Mikrowellen­ kavitäten 10a, 10b, 10c und die jeweiligen Zuleitungen 9a, 9b, 9c sind überdies besonders hohe Plasmaleistungen erzielbar. Auch bei der Anordnung von Fig. 3 mit einer Reihe von Mikro­ wellenkavitäten 10 kann die Durchsatzleistung erhöht werden. Es ist einsichtig, daß die Gesamtanlage auch modular aufgebaut werden kann, um bei Fertigungsstraßen für sehr hohe Stückzah­ len einen entsprechend hohen Durchsatz zu ermöglichen.

Die Fig. 4 zeigen ein Ausführungsbeispiel einer Anlage, mit der ein quasi kontinuierlicher Prozeß batchweiser Behandlung von Wafern der vorliegenden Erfindung vorgenommen werden kann. Der eigentliche Reaktionsraum, der wiederum über eine Heizung 6 erwärmt werden kann, ist rohrförmig gestaltet, und mit einer geeigneten Vakuumquelle verbunden. Die zu prozessierenden Halbleiterwafer werden über eine Vakuumschleuse 3a zugeführt, so daß bei Zuführung eines Bootes mit einer Anzahl zu prozes­ sierenden Wafer keine Beeinträchtigung der Druckverhältnisse und der im Reaktionsraum vorhandenen Gase erfolgt. Weiter ist auf der gegenüberliegenden Austrittsseite gleichfalls eine Va­ kuumentnahmeschleuse 3b vorgesehen, die ausreicht, um jeweils ein Boot samt der damit enthaltenen Wafer aufzunehmen. Unter geeigneter Auslegung der Vakuumschleuse und der damit zu ver­ bindenden Pumpe kann eine quasi kontinuierliche Zuführung von Booten beispielsweise im Minutentakt erfolgen.

Die mit zu prozessierenden Wafern beladenen Boote werden durch einen sogenannten "Walking-Beam" durch den Reaktionsraum moto­ risch gefördert. Durch die Anordnung mehrerer Mikrowellenkavi­ täten 10 an verschiedenen Anlagepositionen wird eine hohe Ge­ samtdurchsatzleistung erzielt mit einer homogenen Verteilung des atomaren Wasserstoffs über die Gesamtanlagenlänge.

Die so erhaltenen Solarzellen werden verglichen mit Solarzel­ len, die in der selben Anlage erhalten werden, ohne daß eine Wasserstoffpassivierung erfolgte. Dazu wurde im Vergleichspro­ zeß während der Temperaturveränderungsphasen lediglich eine Spülung mit N₂ vorgenommen. Im Vergleich werden insbesondere die Abscheidephasen genauso lang gewählt wie jene im Fall der Wasserstoffpassivierung und die verwendeten Temperaturen waren identisch.

An den erfindungsgemäßen und Vergleichsproben wurden Photo­ strom-Abklingkurven bestimmt. Dabei zeigte sich, daß der er­ findungsgemäße Prozeß, der ein Niederdruck-Abscheideverfahren (LP-CVD) mit Passivierung durch entfernt vom Ort der Solarzel­ lenprozessierung erzeugtem Wasserstoffplasma verknüpft, zu we­ sentlichen Steigerungen der Minoritätsladungsträgerlebensdau­ ern führt. So konnte die durchschnittliche Lebensdauer mit dem erfindungsgemäßen Verfahren von 1,74 µs auf 6,94 µs gesteigert werden. Zugleich wurde der Wirkungsgrad um durchschnittlich 4% (relativ)gesteigert.

Es sei erwähnt, daß das Vertauschen der Gasflußrichtung beim Übergang des H-Plasma-Prozesses zum LP-CVD-Verfahren Vorteile bietet. So kann in der Anlage von Fig. 2 Wasserstoff auch über die entfernt vom Einlaß angeordneten Einlaßöffnungen 9b, 9c induziert und über die (dann gegebenenfalls von einem Mikro­ wellengenerator freien) Leitung 9a abgepumpt werden. Die Si- bzw. N-haltigen Prozeßgase könnten hingegen weiterhin am Ga­ seinlaß 8 in das Prozeßrohr eingelassen und an der Öffnung 5 abgesaugt werden. Diese Anordnung hat den Vorteil, daß die Mi­ krowellengeneratoren 10 dann ausschließlich an der leichter zugänglichen Stelle anzuordnen sind.

Es sei erwähnt, daß der Anlagenaufbau wie auch die Waferhalte­ rung einfach sind und daß die Passivierung vor und nach der Zellmetallisierung möglich ist, wodurch eine besonders hohe Flexibilität ermöglicht wird. Weiter sei erwähnt, daß die Pro­ zeßparameter ohne weiteres für effiziente Bulkpassivierung an­ paßbar sind, um sich etwa Foliensilizium, kristallinen Dünn­ schichten und/oder blockgegossenem Silizium anzupassen. Beson­ ders vorteilhaft ist, daß Foliensilizium ungeachet einer evtl. vorhandenen Welligkeit verwendet werden kann, welche z. B. beim PE-CVD-Verfahren aufgrund der flächigen Auflage an eine Elek­ trode Probleme bereitet. Zusätzlich kann mit dem LP-CVD- Verfahren eine oberflächenpassivierende Schicht beidseits auf­ gebracht werden.

Überdies sind aufgrund der Vermeidung von Schichtabscheidungen an Elektroden, wie sie beim PE-CVD-Verfahren auftreten, die Wartungsintervalle beim LP-CVD-Verfahren lang und aufgrund des Gesamtverfahrens die Anforderungen an das Vakuumsystem relativ niedrig, da die niedrigsten erforderlichen Drücke um ca. 250 mTorr liegen. Der Gesamtprozeß ist zudem wenig sensibel auf Temperaturinhomogenitäten und die Gasverteilung.

Es sei erwähnt, daß die Anordnung der Thermoelemente im Inne­ ren des Prozeßrohres 2 zwar insbesondere im Hinblick auf die Ansprechzeiten Vorteile bietet, aber gegebenenfalls auch deren Anordnung außerhalb des Prozeßrohres 2, etwa auf dessen Außen­ wandung, möglich ist.

Claims (26)

1. Verfahren zur Behandlung von Halbleitern, worin auf einem Halbleiter Material abgeschieden wird und eine Passivie­ rung mit Wasserstoffplasma vorgenommen wird, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das Material mittels Niederdruck-CVD ab­ geschieden wird und die Wasserstoffpassivierung durch Zu­ leitung eines entfernt von den teilprozessierten Solarzel­ len induzierten Wasserstoffplasmas erfolgt.

2. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, dadurch ge­ kennzeichnet, daß als Halbleiter ein Siliziumhalbleiter bzw. ein wesentliche Anteile Silizium enthaltender Halb­ leiter behandelt wird.

3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß als Halbleiter ein Siliziumsubstrat, insbesondere Siliziumwafer behandelt wird.

4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß als Halbleiter ein multikristallines Silizumsubstrat, insbesondere ein multikristalliner Sili­ ziumwafer behandelt wird.

5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß es bei der Herstellung einer Solarzel­ le verwendet wird.

6. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die teilprozessierten Solarzellen wäh­ rend der Wasserstoffpassivierung zumindest zeitweise ge­ heizt werden.

7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Niederdruck-CVD zur Abscheidung von Siliziumnitrid erfolgt.

8. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, dadurch ge­ kennzeichnet, daß durch Wärmestrahlung aus einer IR- Lichtquelle und/oder einer Widerstandsheizung aufgeheizt wird.

9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die teilprozessierten Solarzellen wäh­ rend der Wasserstoffpassivierung eine Temperatur von zwi­ schen 250 und 850°C, insbesondere von app. 350°C errei­ chen.

10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Passivierung zumindest partiell während der zur Durchführung eines anderen Prozess- Schrittes erforderlichen Temperaturänderung vorgenommen wird.

11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß während zumindest eines Teils der Was­ serstoffpassivierung wenigstens ein anderer Behandlungs­ schritt gleichzeitig vorgenommen wird.

12. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der andere Schritt ein Abscheideprozeß und/oder Siebdruckfeuerprozeßschritt ist.

13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Wasserstoffplasma mittels Mikro­ welleneinstrahlung erzeugt wird.

14. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das Wasserstoffplasma in Gegenwart von einem nichtreaktiven, insbesondere Edelgas, insbesondere Helium durchgeführt wird.

15. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Wasserstoffplasma in Gegenwart an­ derer Gase mit den teilprozessierten Solarzellen in Kon­ takt gebracht wird.

16. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, dadurch ge­ kennzeichnet, daß als Gas wenigstens eines aus NH₃, SiH₄, NO₂ und/oder SiH₂Cl₂ gewählt wird.

17. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 oder 16, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die anderen Gase entfernt von den zu prozessierenden Halbleitern angeregt werden, insbesondere durch Mikrowellen, Laser- und/oder UV-Licht, vorzugsweise bis zur Plasmabildung.

18. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 17, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der passivierende Wasserstoff des indu­ zierten Wasserstoffplasmas durch Anregung mit Mikrowelle­ nenergie, Laserlicht und/oder UV-Licht erzeugt wird.

19. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Gesamtvolumen des Halbleiters, insbesondere der Solarzelle passiviert wird, insbesondere beid- bzw. allseitig.

20. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiter, insbesondere Solarzel­ len batchweise prozessiert werden.

21. Vorrichtung zur Herstellung von Halbleiterprodukten, ins­ besondere von Solarzellen aus einem multikristallinen Si­ liziumsubstrat, mit einem Reaktionsraum zur Prozessierung der Halbleiterprodukte, insbesondere Solarzellen, einer Quelle für passivierenden Wasserstoff, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Quelle für passivierenden Wasserstoff einen Plasmagenerator, insbesondere einen Mikrowellengene­ rator zur Mikrowelleninduktion von Plasma, umfaßt, der entfernt vom Reaktionsraum angeordnet ist, und der Reakti­ onsraum für die Ausführung einer Niederdruck-CVD ausgelegt ist.

22. Vorrichtung nach dem vorhergehenden Anspruch, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Anlage zur gleichzeitigen Behandlung einer Vielzahl von Wafern langgestreckt ist und die Was­ serstoffinjektion quer zur Längsachse erfolgt.

23. Vorrichtung nach dem vorhergehenden Anspruch, dadurch ge­ kennzeichnet, daß quer zur Längsachse eine Mehrzahl von Wasserstoffplasma-Injektionsöffnungen vorgesehen ist, wo­ bei vorzugsweise eine Mehrzahl von Wasserstoffplasma- induzierenden Mikrowellenanordnungen vorgesehen ist.

24. Vorrichtung nach dem vorhergehenden Anspruch, gekennzeich­ net durch eine Steuerung, die zur Ausführung eines Verfah­ rens nach einem der vorhergehenden Verfahrens-Ansprüche geeignet ist.

25. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Vorrichtungsan­ sprüche, mit einem motorbetriebenen Beladesystem zur Be­ schickung des Reaktrionsraumes mit teilprozessieren Halb­ leiterprodukten, insbesondere Wafern.

26. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Vorrichtungsan­ sprüche, worin der Reaktionsraum zumindest zwei Öffnungen aufweist, über welche Halbleiterprodukte zu- und abgeführt werden können.