DE19945639A1 - Insulated gate bipolar transistor (IGBT) arrangement for improved solar radiation resistance, has semiconductor body provided with p-auxiliary base in which several p-bases are arranged - Google Patents
Insulated gate bipolar transistor (IGBT) arrangement for improved solar radiation resistance, has semiconductor body provided with p-auxiliary base in which several p-bases are arrangedInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title abstract description 6
- JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N carbonyl sulfide Chemical compound O=C=S JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- 208000037516 chromosome inversion disease Diseases 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 241000881711 Acipenser sturio Species 0.000 description 1
- 241000863814 Thyris Species 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
- H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/1095—Body region, i.e. base region, of DMOS transistors or IGBTs
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Abstract
Description
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Leistungshalb leitertechnik. Sie bezieht sich auf einen Bipolartransistor mit isolierter Gateelektrode (IGBT) gemäss Oberbegriff des Patentanspruches 1.The invention relates to the field of power half Head of Technology. It relates to a bipolar transistor with insulated gate electrode (IGBT) according to the preamble of Claim 1.
Ein derartiger IGBT ist beispielsweise aus EP 0'690'512, EP 0'615'293 sowie US 5'321'281 bekannt. Ein IGBT weist grund sätzlich einen Halbleiterkörper mit einer ersten und einer zweiten Oberfläche, eine erste und eine zweite Hauptelektrode sowie eine isolierte Steuer- oder Gateelektrode auf. Die Elektroden werden durch Metallisierungen gebildet. Im Halb leiterkörper sind zwischen den zwei Oberflächen in dieser Reihenfolge ein p-Gebiet, ein n-Gebiet, eine Mehrzahl von wan nenförmigen p-Basen sowie in die p-Basen eingelassene n dotierte Sourcegebiete vorhanden. Das n-Gebiet dringt zwischen den p-Basen an die zweite Oberfläche, wie sich auch die p- Basen zwischen den Sourcegebieten und zwischen Sourcegebiet und n-Gebiet bis zur zweiten Oberfläche erstrecken. Im letzeren Fall bilden die p-Basen zwischen Sourcegebiet und n- Gebiet Kanalgebiete, welche von der isolierten Gateelektrode überdeckt ist. Die erste Hauptelektrode kontaktiert das p- Gebiet, die zweite Hauptelektrode die p-Basis sowie die Sourcegebiete. Durch Anlegen einer geeigneten Spannung an die Gateelektrode wirken die erwähnten Kanalgebiete als Inver sionskanäle, mittels welchen sich der Stromfluss durch den IGBT in bekannter Weise steuern lässt.Such an IGBT is for example from EP 0'690'512, EP 0'615'293 and US 5'321'281 known. An IGBT has a reason additionally a semiconductor body with a first and a second surface, a first and a second main electrode and an insulated control or gate electrode. The Electrodes are formed by metallization. In half conductor bodies are between the two surfaces in this Order a p-area, an n-area, a plurality of wan N-shaped p bases and n embedded in the p bases doped source areas available. The n-area penetrates between the p bases to the second surface, just as the p- Bases between the source areas and between the source area and extend the n-region to the second surface. in the the latter case form the p-bases between the source region and n- Area Channel areas, which are from the insulated gate electrode is covered. The first main electrode contacts the p- Area, the second main electrode the p-base as well as the Source areas. By applying a suitable voltage to the Gate electrode act the channel areas mentioned as Inver sions channels, by means of which the current flow through the IGBT can be controlled in a known manner.
EP 0'690'512 beschreibt einen IGBT mit einer p-Basis, welche mit einer sich bis zur zweiten Oberfläche erstreckenden, höher dotierten p+-Zone versehen ist. Dabei liegt die p+-Zone näher am oberen Ende als die n-dotieren Sourcegebiete. Durch diese Anordnung soll eine hohe Kurzschlussfestigkeit wie auch eine hohe Latch-Up-Festigkeit unter gleichzeitiger Verringerung der Kanallänge erreicht werden. Die Kanallänge ist dabei definiert als Abstand zwischen dem äusseren, der zweiten Oberfläche zugewandtem oberen Ende der p-Basis und demjenigen des n dotierten Sourcegebietes.EP 0'690'512 describes an IGBT with a p-base which is provided with a higher-doped p + zone which extends to the second surface. The p + zone is closer to the upper end than the n-doped source regions. This arrangement is intended to achieve a high short-circuit strength as well as a high latch-up strength while reducing the channel length. The channel length is defined as the distance between the outer upper end of the p-base facing the second surface and that of the n-doped source region.
In US-5'321'281 ist ein ähnlich aufgebauter IGBT mit einer höher dotierten p+-Zone innerhalb der p-Basis gezeigt. Hier umschliesst die p+-Zone jedoch die Sourcegebiete beidseitig, wobei sie sich sowohl zwischen Sourcegebiet und p-Basis wie auch zwischen den Sourcegebieten bis zur zweiten Oberfläche erstreckt. Diese Anordnung soll in einem geringen Sättigungs strom resultieren und somit eine grosse Kurzschlussfestigkeit aufweisen.US Pat. No. 5,321,281 shows a similarly constructed IGBT with a more highly doped p + zone within the p base. Here, however, the p + zone encloses the source regions on both sides, and extends both between the source region and the p-base and between the source regions up to the second surface. This arrangement should result in a low saturation current and thus have a high short-circuit strength.
Beim Design derartiger IGBT's für Hochspannungsanwendungen müssen jedoch nicht nur die Anforderungen wie schnelles Ein schalten, niedrige Durchlassverluste, gute Kurzschlussfestig keit und gute Latch-Up-Festigkeit erfüllt werden. Seit einigen Jahren ist zudem bekannt, dass kosmische Strahlung zu einer Zerstörung von Halbleiterbauelementen führen kann. Hierbei wurde ein Effekt beobachtet, welcher im Sperrzustand des Elementes auftritt und von der angelegten Spannung abhängt. Der Fehler tritt ohne merkliche Vorzeichen in Form eines sehr lokalen, plötzlich erscheinenden Lawinendurchbruchs (Ava lanche) des Elementes auf. Zurück bleibt ein lokaler Schmelzkanal, dessen Lage im Element zufällig ist. In H. R. Zeller, Cosmic ray induced failures in high power semiconductor devices, Solid-State Electronics Vol. 38, No. 12, pp. 2041-2046, 1995 wird der Effekt anhand eines Modells untersucht, welches das maximale elektrische Feld an der Junction, das heisst am Übergang des n-Gebietes zur p-Basis, berücksichtigt. Ferner werden Designvorschläge für widerstandsfähigere Halbleiterelemente gegeben, wobei vorgeschlagen wird, im Falle von non-punch-through Elementen den Widerstand des n-Gebiets anzupassen und im Falle von punch-through Elementen zusätzlich die Dicke des n-Gebiets zu erhöhen. Dies mag bei GTO's, Thyristoren und Dioden zu brauchbaren Resultaten führen.When designing such IGBTs for high voltage applications However, not only the requirements such as fast on switch, low forward losses, good short-circuit proof and good latch-up strength. Since some It has also been known for years that cosmic rays become one Destruction of semiconductor devices can result. Here an effect was observed which was in the locked state of the Elementes occurs and depends on the applied voltage. The error occurs without any noticeable sign in the form of a very local, suddenly appearing avalanche breakdown (Ava lanche) of the element. A local remains Melting channel, whose position in the element is random. In H. R. Zeller, Cosmic ray induced failures in high power semiconductor devices, Solid State Electronics Vol. 38, No. 12, pp. 2041-2046, 1995 the effect is based on a model investigated which the maximum electric field at the Junction, i.e. at the transition from the n-area to the p-base, considered. Design suggestions for given more resistant semiconductor elements, wherein is proposed in the case of non-punch-through elements adjust the resistance of the n-region and in the case of punch-through elements in addition to the thickness of the n-region increase. This may be the case with GTOs, thyristors and diodes usable results.
IGBT's sind jedoch wesentlich anfälliger gegenüber kosmischer Strahlung als Thyristoren oder GTO's (Gate turn-off thyri stor). Sie zeigen bei einer vergleichbaren Dicke und einem vergleichbaren Widerstand des n-Gebietes eine wesentlich höhere Ausfallrate als GTO's, wie in H. R. Zeller, Cosmic ray induced failures in high power semiconductor devices, Micro electron. Reliab. Vol. 37, No. 10/11, pp. 1711-1718, 1997 festgestellt wurde. Die erhöhte Empfindlichkeit ist zum einen die Folge von elektrischen Feldspitzen an der Kathoden struktur, zum anderen eine Folge der nahezu abrupten p-n- Junction. Ein IGBT mit derselben Robustheit gegenüber kosmischer Strahlung wie ein GTO mit derselben Blockier spannung weist eine dickere n-Basis und/oder einen höheren n- Basis-Widerstand auf. Das führt zu massiv höheren elektrischen Verlusten, insbesondere bei Bauelementen mit hoher (< 3 kV) Blockierspannung.However, IGBTs are much more susceptible to cosmic Radiation as thyristors or GTO's (gate turn-off thyri sturgeon). They show a comparable thickness and one comparable resistance of the n-area is essential higher failure rate than GTO's, as in H. R. Zeller, Cosmic ray induced failures in high power semiconductor devices, micro electron. Reliab. Vol. 37, No. 10/11, pp. 1711-1718, 1997 was found. On the one hand, the increased sensitivity the consequence of electrical field peaks on the cathodes structure, on the other hand a consequence of the almost abrupt p-n Junction. An IGBT with the same robustness towards cosmic rays like a GTO with the same blocking voltage has a thicker n-base and / or a higher n- Base resistance on. This leads to massively higher electrical Losses, especially for components with high (<3 kV) Blocking voltage.
Es ist deshalb Aufgabe der Erfindung, einen IGBT zu schaffen, welcher eine verbesserte Widerstandsfähigkeit gegenüber kos mischer Strahlung aufweist.It is therefore an object of the invention to create an IGBT which has improved resistance to kos has mixer radiation.
Diese Aufgabe löst ein IGBT mit den Merkmalen des Patent anspruches 1.This task is solved by an IGBT with the features of the patent claim 1.
Der erfindungsgemässe IGBT weist eine Junction zwischen p- Basis und n-Gebiet auf, welche tiefer liegt als bei gattungs gemässen IGBT's. Dies wird mittels einer niedrig dotierten p- Hilfsbasis, welche mehrere Einheitszellen umschliesst, erreicht. Diese Hilfsbasis reduziert das elektrische Feld an den kritischen Stellen an der p-Basis, insbesondere dort, wo die p-Basis maximale Krümmungen aufweist. Durch die Hilfsbasis wird ein. Profil erzeugt, welches die Robustheit des Halbleiterelementes gegenüber "Dynamic Avalanching" verbessert.The IGBT according to the invention has a junction between p- Base and n-area, which is lower than in genus according to IGBT's. This is done using a low-doped p- Auxiliary base, which encloses several unit cells, reached. This auxiliary base reduces the electric field the critical points at the p base, especially where the p-base has maximum curvatures. Through the auxiliary base becomes a. Profile, which the robustness of the Semiconductor element versus "Dynamic Avalanching" improved.
Dank der p-dotierten Hilfsbasis erübrigt sich eine Erhöhung der Dicke und/oder des Widerstandes des n-Gebietes.Thanks to the p-doped auxiliary base, there is no need for an increase the thickness and / or the resistance of the n-region.
In einer ersten Ausführungsform der Erfindung erstreckt sich die Hilfsbasis im wesentlichen über die gesamte Breite des Halbleiterkörpers. In a first embodiment of the invention extends the auxiliary base essentially over the entire width of the Semiconductor body.
In einer zweiten Ausführungsform sind mehrere, vorzugsweise wannenförmige Hilfsbasen vorhanden, welche durch das zwischen sie hineinragende n-Gebiet voneinander getrennt sind.In a second embodiment, several are preferred trough-shaped auxiliary bases available, which by the between protruding n-area are separated from each other.
Weitere vorteilhafte Ausführungsformen gehen aus den abhän gigen Patentansprüchen hervor.Further advantageous embodiments are shown in the depend existing patent claims.
Im folgenden wird der Erfindungsgegenstand anhand von bevor zugten Ausführungsbeispielen, welche in den beiliegenden Zeichnungen dargestellt sind, näher erläutert. Es zeigen:In the following the subject matter of the invention is based on before preferred embodiments, which in the accompanying Drawings are shown, explained in more detail. Show it:
Fig. 1 einen Querschnitt durch einen Teil eines erfindungs gemässen IGBT's in einer ersten Ausführungsform;1 shows a cross section through a part of a fiction, according to the IGBT's in a first embodiment.
Fig. 2a einen Querschnitt durch einen Teil eines erfindungs gemässen IGBT's in einer zweiten Ausführungsform und Fig. 2a shows a cross section through a part of a fiction, according to the IGBT's in a second embodiment and
Fig. 2b eine Aufsicht auf einen IGBT gemäss Fig. 2a. FIG. 2b shows a top view according to an IGBT Fig. 2a.
In den im folgenden beschriebenen Figuren sind p-dotierte Zonen von links oben nach rechts unten schraffiert dar gestellt, n-dotiere Zonen von rechts oben nach links unten. Die Dichte der Schraffur gibt einen prinzipiellen Hinweis über die Dotierungsstärke. Metallisierungen sind als Skelett strukturen ohne Füllmuster dargestellt. In the figures described below are p-doped Zones hatched from top left to bottom right posed, n-doped zones from top right to bottom left. The density of the hatching gives a basic indication the doping level. Metallizations are as a skeleton structures shown without fill pattern.
Fig. 1 zeigt einen Ausschnitt eines erfindungsgemässen Bi polartransistors mit isolierter Gateelektrode (IGBT) gemäss einer ersten Ausführungsform der Erfindung. Der IGBT weist einen Halbleiterkörper 1, eine erste Hauptelektrode 2, eine zweite Hauptelektrode 3 sowie eine Steuer- oder Gateelektrode 4 auf. Die Hauptelektroden 2, 3 sind Metallisierungen, welche auf zwei gegenüberliegenden Oberflächen 10,11 des Halbleiter körpers 1 aufgebracht sind, wobei die erste Hauptelektrode 2 auf der ersten Oberfläche 10 angeordnet ist. Auf der zweiten Oberfläche 11 befindet sich, umgeben von einer Isolation 5 die Gateelektrode 4, welche von der zweiten Hauptelektrode 3 über deckt ist. Dabei dringt die zweite Hauptelektrode 3 zwischen der Gateelektrode 4 bis zur zweiten Oberfläche 11. Fig. 1 shows a detail of an inventive bi-polar transistors, insulated gate electrode (IGBT) according to a first embodiment of the invention. The IGBT has a semiconductor body 1 , a first main electrode 2 , a second main electrode 3 and a control or gate electrode 4 . The main electrodes 2 , 3 are metallizations, which are applied to two opposite surfaces 10 , 11 of the semiconductor body 1 , the first main electrode 2 being arranged on the first surface 10 . Located on the second surface 11 , surrounded by an insulation 5, is the gate electrode 4 , which is covered by the second main electrode 3 . The second main electrode 3 penetrates between the gate electrode 4 and the second surface 11 .
Der Halbleiterkörper 1 weist mehrere unterschiedlich dotierte Gebiete auf. Von der ersten Oberfläche 10 her ist zuerst ein p-dotiertes Gebiet 12 vorhanden. Daran anschliessend folgt ein n-dotiertes Gebiet 13. Im Falle eines punch-through IGBT's ist das n-dotierte Gebiet 13 unterteilt in zwei verschieden stark dotierte Gebiete, wobei ein höher dotiertes n+-Teilgebiet als Pufferzone am p-dotierten Gebiet 12 angrenzt und ein weniger stark dotiertes n-Teilgebiet dem n+-Teilgebiet nachfolgt. Wie bei den IGBT's gemäss dem Stand der Technik sind ferner mehrere p-dotierte Basen 14 vorhanden, welche vorzugsweise wannenförmig ausgebildet sind. In diese p-Basen 14 sind n dotierte Sourcegebiete 15 eingelassen, welche bis an die zweite Oberfläche 11 dringen. Die p-Basen 14 erstrecken sich zwischen den Sourcegebieten 15 sowie an ihren Wannenrändern ebenfalls bis zur zweiten Oberfläche 11, wobei sie beidseitig im Bereich der Wannenränder Kanalgebiete 14' bilden. Die Anordnung von p-Basen 14, Sourcegebieten 15 und Gateelektrode 4 ist derart, dass sich die isolierte Gateelektrode 4 jeweils zungenförmig von einem Kanalgebiet 14' einer ersten p-Basis 14 zu einem benachbarten Kanalgebiet 14' einer zweiten p-Basis erstreckt. Ferner kontaktiert die zweite Hauptelektrode 3 sowohl die p-Basen 14 wie auch die Sourcegebiete 15. Mittels Anlegen einer geeigneten Spannung an die Gateelektrode 4 bildet sich im Kanalgebiet 14' ein Inversionskanal aus, wodurch sich der Stromfluss durch den IGBT in bekannter Weise steuern lässt.The semiconductor body 1 has a plurality of differently doped regions. A p-doped region 12 is first present from the first surface 10 . This is followed by an n-doped region 13 . In the case of a punch-through IGBT, the n-doped region 13 is divided into two differently heavily doped regions, a higher-doped n + sub-region being adjacent to the p-doped region 12 as a buffer zone and a less heavily doped n-sub-region the n + - Subarea succeeds. As with the IGBTs according to the prior art, there are also a plurality of p-doped bases 14 , which are preferably trough-shaped. N-doped source regions 15 , which penetrate to the second surface 11 , are embedded in these p-bases 14 . The p-bases 14 extend between the source regions 15 and also at their trough edges up to the second surface 11 , wherein they form channel regions 14 'on both sides in the region of the trough edges. The arrangement of p-bases 14 , source regions 15 and gate electrode 4 is such that the insulated gate electrode 4 extends in tongue-like fashion from a channel region 14 'of a first p-base 14 to an adjacent channel region 14 ' of a second p-base. Furthermore, the second main electrode 3 contacts both the p-bases 14 and the source regions 15 . By applying a suitable voltage to the gate electrode 4 , an inversion channel is formed in the channel region 14 ′, as a result of which the current flow through the IGBT can be controlled in a known manner.
Der erfindungsgemässe IGBT weist nun ferner eine p-dotierte Hilfsbasis 16 auf, in welche mehrere der oben beschriebenen p- Basen 14 eingelassen sind. Die Hilfsbasis 16 weist eine gerin gere Dotierung auf als die p-Basis 14. Einerseits grenzt diese p-Hilfsbasis 16 an das n-Gebiet 13 an, andererseits erstreckt sie sich zwischen den p-Basen 14 bis an die zweite Oberfläche 11. Dabei wird sie von der isolierten Gateelektrode 4 min destens teilweise überdeckt.The IGBT according to the invention now also has a p-doped auxiliary base 16 , in which several of the p-bases 14 described above are embedded. The auxiliary base 16 has less doping than the p base 14 . On the one hand, this p-auxiliary base 16 borders on the n-region 13 , on the other hand it extends between the p-bases 14 up to the second surface 11 . It is at least partially covered by the insulated gate electrode for 4 min.
Die Tiefe der Hilfsbasis 16 sowie ihre Dotierung wird in Abhängigkeit eines maximalen elektrischen Feldes im Bereich der Junction optimiert. Dabei wird berücksichtigt, dass eine grosse Tiefe und hohe Dotierung die Widerstandsfähigkeit gegenüber kosmischer Strahlung erhöht, jedoch die Menge vom n- Gebiet 13 emittierter Elektronen reduziert und somit das Schaltverhalten des IGBT's verschlechtert. Vorzugsweise be trägt die Tiefe der p-Hilfsbasis 16, gemessen von der zweiten Oberfläche 11 aus, ein Vielfaches der Tiefe der p-Basis 14. Die Flächendotierung der Hilfsbasis beträgt typischerweise 1011-2.1012 cm-2. Vorzugsweise weist die Hilfsbasis im Bereich der zweiten Oberfläche 11 eine Flächenladung von weniger als 10-7 Asec/cm2, entsprechend einer Flächendotierung von etwa 7.1011 cm-2 auf. Bei einer Dicke der Hilfsbasis von 35 µm ergibt sich eine mittlere Dotierung der Hilfsbasis von etwa 2.1014 cm-3. Die p-Basis 14 weist im Vergleich dazu typischerweise Flächendotierungen im Bereich von 1013-1015 cm-2 auf. Die Tiefe der Hilfsbasis 16, gemessen von der zweiten Oberfläche 11 bis zur Junction beträgt 20-50 µm, vorzugsweise mehr als 30 µm.The depth of the auxiliary base 16 and its doping is optimized depending on a maximum electric field in the area of the junction. It is taken into account that a large depth and high doping increases the resistance to cosmic radiation, but reduces the amount of electrons emitted by n region 13 and thus worsens the switching behavior of the IGBT. Preferably, the depth of the p-type base 16 , measured from the second surface 11 , is a multiple of the depth of the p-type base 14 . The area of the auxiliary base is typically 10 11 -2.10 12 cm -2 . The auxiliary base preferably has an area charge of less than 10 -7 Asec / cm 2 in the region of the second surface 11 , corresponding to an area doping of about 7.10 11 cm -2 . With a thickness of the auxiliary base of 35 µm, the average doping of the auxiliary base is approximately 2.10 14 cm -3 . In comparison, the p-base 14 typically has surface doping in the range from 10 13 -10 15 cm -2 . The depth of the auxiliary base 16 , measured from the second surface 11 to the junction, is 20-50 μm, preferably more than 30 μm.
In dem in Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel erstreckt sich die Hilfsbasis 16 mindestens annähernd über den gesamten Halbleiterkörper. Das in den Fig. 2a und 2b dargestellte zweite Ausführungsbeispiel weist im wesentlichen denselben Aufbau auf, wobei jedoch mehrere p-Hilfsbasen 16 vorhanden sind, welche vorzugsweise wannenförmig ausgebildet sind. Ihre Wannenränder verlaufen beabstandet zu den inliegenden p-Basen 14', so dass die Hilfsbasis 16 beidseitig in einem Hilfskanalgebiet 16', welches von der isolierten Gateelektrode 4 überdeckt ist, endet. Diese Hilfskanalgebiete 16' weisen eine Breite auf, welche vorzugsweise ein Vielfaches der Breite der entsprechenden Kanalgebiete der p-Basen 14 beträgt. Ferner erstreckt sich das n-Gebiet 13 jeweils zwischen zwei benachbarten p-Hilfsbasen 16 bis zur zweiten Oberfläche 11.In the exemplary embodiment shown in FIG. 1, the auxiliary base 16 extends at least approximately over the entire semiconductor body. The second exemplary embodiment shown in FIGS. 2a and 2b has essentially the same structure, but there are a plurality of p-auxiliary bases 16 which are preferably trough-shaped. Their trough edges run at a distance from the p-bases 14 ′ lying inside, so that the auxiliary base 16 ends on both sides in an auxiliary channel region 16 ′, which is covered by the insulated gate electrode 4 . These auxiliary channel regions 16 ′ have a width which is preferably a multiple of the width of the corresponding channel regions of the p bases 14 . Furthermore, the n region 13 extends in each case between two adjacent p auxiliary bases 16 up to the second surface 11 .
Durch die Verlagerung der Junction zwischen einer p- und n dotierten Zone ins Innere des Halbleiterkörpers, beziehungs weise durch die Vergrösserung des p-Basisgebietes ist ein IGBT geschaffen, welcher eine erhöhte Widerstandsfähigkeit gegen über kosmischer Strahlung aufweist. Er ist insbesondere geeignet für den Einsatz bei DC Spannungen von über 2500 V. By moving the junction between ap and n doped zone inside the semiconductor body, relation wise by enlarging the p base area is an IGBT created which has an increased resistance to over cosmic rays. He is special suitable for use with DC voltages of over 2500 V.
11
Halbleiterkörper
Semiconductor body
1010th
erste Oberfläche
first surface
1111
zweite Oberfläche
second surface
1212th
p-Gebiet
p-area
1313
n-Gebiet
n area
1414
p-Basis
p base
1414
' Kanalgebiet
Canal area
1515
n-Sourcegebiet
n source area
1616
p-Hilfsbasis
p auxiliary base
1616
' Hilfskanalgebiet
'Auxiliary channel area
22nd
erste Hauptelektrode
first main electrode
33rd
zweite Hauptelektrode
second main electrode
44th
Gateelektrode
Gate electrode
55
Isolation der Gateelektrode
Isolation of the gate electrode
Claims (10)
- a) mit einem Halbleiterkörper (1), welcher zwischen einer ersten Oberfläche (10) und einer zweiten Oberfläche (11) ein p-Gebiet (12), ein n-Gebiet (13), p-Basen (14) und in die p-Basen (14) eingelassene n-dotierte Source gebiete (15) aufweist,
- b) mit einer Gateelektrode (4), welche isoliert über der zweiten Oberfläche (11) angeordnet ist,
- c) mit einer ersten Hauptelektrode (2), die das p-Gebiet (12) kontaktiert und mit einer zweiten Hauptelektrode (3), die die p-Basen (14) und die Sourcegebiete (15) kontaktiert,
- a) der Halbleiterkörper (1) mindestens eine p-Hilfsbasis (16) aufweist, in welche mehrere p-Basen (14) einge lassen sind, wobei sich die p-Hilfsbasis (16) bis an die zweite Oberfläche erstreckt.
- a) with a semiconductor body ( 1 ) which between a first surface ( 10 ) and a second surface ( 11 ) a p-region ( 12 ), an n-region ( 13 ), p-bases ( 14 ) and into the p Bases ( 14 ) has embedded n-doped source regions ( 15 ),
- b) with a gate electrode ( 4 ) which is arranged insulated above the second surface ( 11 ),
- c) with a first main electrode ( 2 ) that contacts the p-region ( 12 ) and with a second main electrode ( 3 ) that contacts the p-bases ( 14 ) and the source regions ( 15 ),
- a) the semiconductor body ( 1 ) has at least one p-auxiliary base ( 16 ), in which a plurality of p-bases ( 14 ) can be inserted, the p-auxiliary base ( 16 ) extending to the second surface.
dass Hilfskanalgebiete (16') vorhanden sind, welche durch die zwischen dem n-Gebiet (13) und der nächstliegenden p- Basis (14) sich an die zweite Oberfläche (11) erstreckende p-Hilfsbasis (16) gebildet ist, und
dass die Breite der Hilfskanalgebiete (16') ein Vielfaches der Breite der Kanalgebiete (14') beträgt.10. IGBT according to claim 8, characterized in that channel areas ( 14 ') are present, which extend through the p-base ( 11 ) between the source areas ( 15 ) and the p-auxiliary bases ( 16 ) to the second surface ( 11 ). 14 ) is formed,
that auxiliary channel regions ( 16 ') are present, which are formed by the p-auxiliary base ( 16 ) which extends between the n-region ( 13 ) and the closest p-base ( 14 ) to the second surface ( 11 ), and
that the width of the auxiliary channel areas ( 16 ') is a multiple of the width of the channel areas ( 14 ').
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE1999145639 DE19945639A1 (en) | 1999-09-23 | 1999-09-23 | Insulated gate bipolar transistor (IGBT) arrangement for improved solar radiation resistance, has semiconductor body provided with p-auxiliary base in which several p-bases are arranged |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE19945639A1 true DE19945639A1 (en) | 2001-04-05 |
Family
ID=7923060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1999145639 Withdrawn DE19945639A1 (en) | 1999-09-23 | 1999-09-23 | Insulated gate bipolar transistor (IGBT) arrangement for improved solar radiation resistance, has semiconductor body provided with p-auxiliary base in which several p-bases are arranged |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE19945639A1 (en) |
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