DE19941106A1 - Vulcanizing process, for rubber or silicone, uses radiation with a wavelength in the IR range - Google Patents

Vulcanizing process, for rubber or silicone, uses radiation with a wavelength in the IR range

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Abstract

At least part of the energy for vulcanizing the material is provided by electromagnetic radiation from a radiation source(3), the radiation having a wavelength falling within the infra-red(IR) range. Independent claims are made for: a) process equipment for vulcanizing rubber or silicone including a radiation lamp(3) emitting radiation in the IR range; b) use of an IR source for vulcanizing rubber or silicone.

Description

Die Erfindung betrifft das Vulkanisieren eines Materials, insbesondere Kautschuk oder Silikon, wobei das Vulkanisieren durch Erwärmen des Materials bewirkt oder unterstützt wird.The invention relates to the vulcanization of a material, especially rubber or silicone, the vulcanizing is effected or supported by heating the material.

In zahlreichen verschiedenen Fertigungsprozessen wird heutzu­ tage ein Material in bestimmter Weise geformt, wobei das Ma­ terial zunächst noch plastisch verformbar ist. Durch Vulkani­ sieren wird das Material in einen elastischen Zustand ge­ bracht.In numerous different manufacturing processes today days a material shaped in a certain way, the Ma material is initially plastically deformable. By Vulkani The material is in an elastic state brings.

Beispielsweise wird ein solches Material mittels der Extru­ diertechnik kontinuierlich in eine quasi-endlose, langge­ streckte profilierte Form gebracht und das so in Form ge­ brachte Material kontinuierlich vulkanisiert. Hierzu ist die Verwendung von Durchlauföfen bekannt, in denen das Material bis auf eine Temperatur erwärmt wird, die in einem vorgegeben Temperaturbereich, beispielsweise 200 bis 220°C liegt. Der vorgegebene Temperaturbereich muß eingehalten werden. Wird der Temperaturbereich überschritten, verbrennt das Material zumindest an seiner Oberfläche. Wird der Temperaturbereich unterschritten, findet keine ausreichende Vulkanisierung statt. In beiden Fällen werden nicht die gewünschten elasti­ schen Eigenschaften des Materials erreicht. Die Vulkanisie­ rung in Durchlauföfen dauert typischerweise einige Minuten oder sogar länger.For example, such a material is made using the extru diertechnik continuously in a quasi-endless, long stretched profiled shape brought and so ge brought material vulcanized continuously. For this is the Known use of continuous furnaces in which the material is heated up to a temperature specified in a Temperature range, for example 200 to 220 ° C. The The specified temperature range must be observed. Becomes If the temperature range is exceeded, the material burns at least on its surface. Will the temperature range falls below, does not find sufficient vulcanization instead of. In both cases, the desired elasti are not properties of the material. The Vulkanisie  In a continuous furnace, it typically takes a few minutes or even longer.

Zum Vulkanisieren des Materials, sowohl in Durchlauföfen, als auch auf andere Weise, z. B. wenn das Material für eine be­ stimmte Zeit in einen Ofen eingebracht und anschließend wie­ der entnommen wird, kann sich das Material in der Anfangspha­ se des Vulkanisierungsprozesses insbesondere aufgrund seines Eigengewichts noch plastisch verformen. Es kommt daher auf eine zügige Erwärmung des Materials zumindest an seiner Ober­ fläche an. Bei Verwendung von Durchlauföfen oder anderen Öfen steht dem entgegen, daß die Temperatur in dem Ofen nicht zu hoch sein darf, da andernfalls der zulässige Temperaturbe­ reich überschritten ist. Die Temperaturdifferenz zwischen der Ofentemperatur und der Temperatur des noch nicht erwärmten Materials zu Beginn des Vulkanisierungsvorganges ist also be­ grenzt, weshalb auch der Wärmeübertrag vom Ofen auf das Mate­ rial begrenzt ist.For vulcanizing the material, both in continuous furnaces and also in other ways, e.g. B. if the material for a be time placed in an oven and then how which is removed, the material in the initial phase se of the vulcanization process in particular due to its Deform your own weight plastically. So it comes up rapid heating of the material, at least on its upper surface area. When using continuous furnaces or other furnaces prevents the temperature in the oven from increasing may be high, otherwise the permissible temperature rich is exceeded. The temperature difference between the Oven temperature and the temperature of the not yet heated Material at the beginning of the vulcanization process is so limits, which is why the heat transfer from the oven to the mate rial is limited.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, plastische Verfor­ mungen des extrudierten Materials zu verhindern.The object of the present invention is plastic deformation prevent extruded material.

Die Aufgabe wird durch ein Verfahren nach den Merkmalen des Anspruches 1, durch eine Vorrichtung mit den Merkmalen des Anspruches 11 und durch eine Verwendung mit den Merkmalen des Anspruches 15 gelöst. Weiterbildungen sind Gegenstand der je­ weils abhängigen Ansprüche.The task is accomplished by a process according to the characteristics of the Claim 1, by a device with the features of Claim 11 and by use with the features of Claim 15 solved. Further training is the subject of each because dependent claims.

An dieser Stelle sei ausdrücklich darauf hingewiesen, daß mit dem Begriff "Vulkanisieren" jede Form der Vernetzung, insbe­ sondere von Polymerketten, verstanden werden soll.At this point it should be expressly pointed out that with the term "vulcanizing" any form of networking, esp special of polymer chains, should be understood.

Gemäß einem Kerngedanken der vorliegenden Erfindung wird zu­ mindest ein Teil der zum Erwärmen des Materials erforderli­ chen Energie, und zwar möglichst direkt nach dem Extrudieren, durch elektromagnetische Strahlung von einer Strahlungsquelle auf das Material übertragen, wobei zumindest wesentliche, die Erwärmung des Materials bewirkende Strahlungsanteile im Wel­ lenlängenbereich des nahen Infrarot liegen.According to a central idea of the present invention, at least part of the necessary to heat the material energy, if possible directly after extrusion,  by electromagnetic radiation from a radiation source transferred to the material, at least essential, the Radiation components in the wel cause heating of the material length range of the near infrared.

Unter nahem Infrarot (NIR) wird verstanden, daß die Wellen­ länge im Bereich zwischen dem sichtbaren Wellenlängenbereich und 2,0 µm liegt. In bevorzugter Ausführungsform der Erfin­ dung wird unter NIR verstanden, daß die Wellenlänge im Be­ reich zwischen dem sichtbaren Wellenlängenbereich und 1,4 µm, insbesondere bis 1,0 µm liegt.Near infrared (NIR) is understood to mean that the waves length in the range between the visible wavelength range and is 2.0 µm. In a preferred embodiment of the inven is understood by NIR that the wavelength in the loading rich between the visible wavelength range and 1.4 µm, in particular up to 1.0 µm.

Gegenüber konventionellen Öfen hat die Strahlungserwärmung grundsätzlich den Vorteil, daß sie wesentlich besser steuer­ bar ist und wesentlich schneller bewirkt werden kann. Damit ist es möglich, das Material bei hoher Erwärmungsleistung zu erwärmen, ohne daß die Umgebung des zu vulkanisierenden Mate­ rials eine hohe Temperatur annimmt. Auch kann die Erwärmung binnen kurzer Zeit beendet werden, indem die Bestrahlung des Materials beendet oder mit geringer Bestrahlungsleistung fortgesetzt wird. Weiterhin kann bei dem auf die Vulkanisie­ rung folgenden Abkühlungsvorgang eine wesentlich schnellere Abkühlung bewirkt werden, falls dies gewünscht ist, da die Umgebungstemperatur wesentlich geringer als bei der Verwen­ dung von Öfen ist und das vulkanisierte Material daher auf­ grund von Temperaturstrahlung und aufgrund von Konvektion in kurzer Zeit Wärme abgeben kann.Compared to conventional ovens, the radiant heating has basically the advantage that they control much better is bar and can be effected much faster. In order to it is possible to close the material with high heating output heat without the environment of the mate to be vulcanized rials takes on a high temperature. Warming can also can be ended within a short time by irradiating the Material finished or with low radiation power is continued. Furthermore, on the Vulkanisie tion following cooling process is much faster Cooling can be effected if desired, because the Ambient temperature much lower than at the Verwen of ovens and therefore the vulcanized material due to thermal radiation and convection in can give off heat for a short time.

Bei einer Weiterbildung des Verfahrens wird die elektromagne­ tische Strahlung von einer Strahlungsquelle emittiert, die eine Emissionstemperatur von 2500 K oder höher hat, insbeson­ dere von 2900 K oder höher. Derartige Strahlungsquellen emit­ tieren elektromagnetische Strahlung mit einer derart hohen Strahlungsflußdichte daß eine besonders schnelle Erwärmung des Materials möglich ist. In a further development of the method, the electromagnetic table radiation emitted by a radiation source, the has an emission temperature of 2500 K or higher, in particular those of 2900 K or higher. Such radiation sources emit animals with such a high electromagnetic radiation Radiation flux density that a particularly rapid heating of the material is possible.  

Vorzugsweise wird das Material derart ausgewählt oder vorbe­ reitet, daß sein Absorptionsgrad im nahen Infrarot Werte grö­ ßer als 0,4, insbesondere größer als 0,6 hat. Damit ist ge­ währleistet, daß ein wesentlicher Anteil der eingestrahlten NTR-Strahlung von dem Material absorbiert wird. Bevorzugt wird weiterhin, daß die Eindringtiefe der NIR-Strahlung in dem Material mindestens 1 mm, vorzugsweise mindestens 2 mm beträgt. Unter Eindringtiefe wird die Materialtiefe verstan­ den, an der die eindringende NIR-Strahlung auf 1/e der Strah­ lungsflußdichte an der Oberfläche des Materials abgenommen hat.The material is preferably selected or prepared in this way rides that its degree of absorption in the near infrared increases values has more than 0.4, in particular greater than 0.6. So that is ge ensures that a substantial proportion of the irradiated NTR radiation is absorbed by the material. Prefers will continue that the penetration depth of the NIR radiation in the material at least 1 mm, preferably at least 2 mm is. The depth of material is understood to be the depth of penetration the one at which the penetrating NIR radiation on 1 / e of the beam Lung flux density on the surface of the material decreased Has.

Bei einer Weiterbildung werden von dem Material nicht absor­ bierte, reflektierte Strahlungsanteile der elektromagneti­ schen Strahlung in Richtung des Materials zurückreflektiert. Diese Maßnahme erlaubt eine wirksame Ausnutzung der zur Ver­ fügung stehenden Strahlung zur Erwärmung des Materials, d. h. einen hohen Wirkungsgrad. Zweckmäßigerweise wird alternativ oder zusätzlich von der Strahlungsquelle emittierte Strah­ lung, die nicht in Richtung des zu vulkanisierenden Materials emittiert wird, in Richtung des Materials reflektiert.In the case of further training, the material is not absorbed based, reflected radiation components of the electromagnetic radiation reflected back in the direction of the material. This measure allows effective use of the ver added radiation to heat the material, d. H. high efficiency. The alternative is expediently or additionally beam emitted by the radiation source not in the direction of the material to be vulcanized is emitted, reflected in the direction of the material.

Vorzugsweise wird die Oberflächentemperatur des Materials durch Steuern der Strahlungsflußdichte der auf das Material auftreffenden Strahlung und/oder durch Steuern der Bestrah­ lungsdauer auf einen vorgegebenen Temperaturwert eingestellt. Dies bedeutet, daß durch geeignete Steuerung der Strahlungs­ flußdichte der vorgegebene Temperaturwert nicht überschritten wird. Bei einer Weiterbildung wird die auf das Material auf­ treffende Strahlungsflußdichte während der Erwärmung des Ma­ terials zeitlich nicht konstant gehalten, sondern spätestens beim Erreichen des vorgegebenen Temperaturwertes oder danach verringert oder auf Null reduziert. Unter der auf das Materi­ al auftreffenden Strahlungsflußdichte wird die Strahlungs­ flußdichte verstanden, die auf ein und denselben lokalen Be­ reich des Materials auftrifft. Bei kontinuierlicher Förderung des Materials in eine Bewegungsrichtung kann daher eine sta­ tionäre, sich zeitlich nicht ändernde Strahlungsflußdichte- Verteilung entlang dem Förderweg des Materials eingestellt werden, so daß die Strahlungsflußdichte zwar an einer Stelle des Förderweges zeitlich konstant ist, jedoch in Förderrich­ tung abnimmt. Zusätzlich kann natürlich auch die örtliche Strahlungsflußdichte-Verteilung zeitlich verändert werden, insbesondere wenn eine Anpassung des Temperaturwertes erfor­ derlich ist, oder der vorgegebene Temperaturwert nicht er­ reicht oder überschritten wird.Preferably the surface temperature of the material by controlling the radiation flux density on the material incident radiation and / or by controlling the irradiation duration set to a predetermined temperature value. This means that by properly controlling the radiation flux density does not exceed the specified temperature value becomes. In the case of further training, the focus is on the material apt radiation flux density during heating of the Ma terials are not kept constant over time, but at the latest when the specified temperature value is reached or after decreased or reduced to zero. Under that on matter The incident radiation flux density is the radiation  understood flux density, based on the same local Be of the material. With continuous funding the material in one direction of movement can therefore be a sta stationary radiation flux density that does not change over time Distribution set along the material's path be so that the radiation flux density at one point of the funding path is constant over time, but in funding direction tung decreases. In addition, of course, the local one Radiation flux density distribution are changed over time, especially if an adjustment of the temperature value is required derlich, or the specified temperature value is not he is sufficient or exceeded.

Bevorzugtermaßen wird die Oberflächentemperatur zumindest in einem Teilbereich des Materials gemessen und geregelt. Unter einem solchen Teilbereich wird auch bei Förderung des Materi­ als in eine Bewegungsrichtung ein fester Bereich am Förderweg des Materials verstanden. In diesem Fall wird also die Ober­ flächentemperatur des Materials in einem lokalen Bereich ge­ messen, wobei das Material kontinuierlich durch diesen Be­ reich hindurchgefördert wird.The surface temperature is preferably at least in a part of the material measured and regulated. Under Such a sub-area is also used to promote material as a fixed area on the conveyor path in one direction of movement understood the material. In this case it will be the waiter surface temperature of the material in a local area measure, the material continuously through this loading is richly promoted.

Bei einer Ausgestaltung des Verfahrens ist das Material lang­ gestreckt und wird fortlaufend durch einen Bestrahlungsbe­ reich gefördert, in dem die elektromagnetische Strahlung auf das Material auftrifft. In weiterer, bevorzugter Ausgestal­ tung wird die Oberflächentemperatur in dem Bestrahlungsbe­ reich und/oder in Förderrichtung hinter dem Bestrahlungsbe­ reich berührungslos gemessen.In one embodiment of the method, the material is long stretched and is continuously by an irradiation richly promoted in which the electromagnetic radiation the material hits. In another, preferred configuration device becomes the surface temperature in the irradiation area rich and / or in the conveying direction behind the irradiation area richly measured without contact.

Weiterhin kann das Material nach zumindest einem Teil der Be­ strahlung mit einer Fördereinrichtung zum Fördern des Materi­ als, insbesondere mit einer Trägereinrichtung zum Aufnehmen des Gewichts des Materials, in Kontakt gebracht werden, wobei der mit der Fördereinrichtung in Kontakt tretende Materialbe­ reich des Materials aufgrund der Bestrahlung bereits zumin­ dest teilweise vulkanisiert ist. Hierbei beträgt die Dauer der Bestrahlung des in Kontakt tretenden Materialbereichs vorzugsweise nicht mehr als 3 Sekunden, insbesondere nicht mehr als 1 Sekunde. Dies erlaubt eine Vulkanisierung oder Teil-Vulkanisierung des Materials zumindest an der Oberfläche des in Kontakt tretenden Materialbereichs, vorzugsweise eine Vulkanisierung oder Teil-Vulkanisierung des Materials überall an seiner Oberfläche, so daß beim in Kontakt treten des Mate­ rials mit der Fördereinrichtung oder auch mit einem nicht be­ wegten Träger des Materials keine unerwünschte plastische Verformung des Materials eintritt.Furthermore, the material according to at least part of the Be radiation with a conveyor for conveying the material than, in particular with a carrier device for receiving the weight of the material to be contacted, whereby the material contacting the conveyor  already rich in material due to the radiation least partially vulcanized. The duration is here the irradiation of the material area coming into contact preferably not more than 3 seconds, especially not more than 1 second. This allows vulcanization or Partial vulcanization of the material at least on the surface of the material area coming into contact, preferably one Vulcanization or partial vulcanization of the material anywhere on its surface so that when the mate comes into contact rials with the conveyor or with a not be moved the carrier of the material no unwanted plastic Deformation of the material occurs.

Für eine Vorrichtung zum Vulkanisieren eines Materials, ins­ besondere Kautschuk oder Silikon, wird vorgeschlagen, daß die Vorrichtung eine Strahlungsquelle zur Emission von Infrarot­ strahlung aufweist, wobei die Strahlungsquelle derart be­ treibbar ist, daß strahlungsenergetisch wesentliche Anteile im nahen Infrarot liegen, und wobei die Strahlungsquelle der­ art angeordnet ist, daß das Material zumindest teilweise auf­ grund von Absorption der Infrarotstrahlung vulkanisierbar ist.For a device for vulcanizing a material, ins special rubber or silicone, it is suggested that the Device a radiation source for the emission of infrared has radiation, the radiation source being such it is drivable that radiation energy essential parts lie in the near infrared, and the radiation source being the is arranged that the material at least partially Vulcanizable due to absorption of infrared radiation is.

Insbesondere weist die Vorrichtung eine Extrudiereinrichtung zum Extrudieren des Materials in langgestreckter Form auf und ist eine Fördereinrichtung zum Abtransport und/oder zur Wei­ terbehandlung des extrudierten Materials derart angeordnet, daß das extrudierte Material bereits vor dem ersten Kontakt mit der Fördereinrichtung bestrahlbar ist. Hierbei beträgt der bestrahlbare Abschnitt des Förderweges zwischen der Ex­ trudiereinrichtung und der Fördereinrichtung vorzugsweise nicht mehr als 8 cm, insbesondere nicht mehr als 4 cm. Bei Anwendung einer zuvor beschriebenen Ausgestaltung des erfin­ dungsgemäßen Verfahrens ist es daher möglich, allein durch Bestrahlung im bestrahlbaren Abschnitt des Förderweges eine ausreichende Vulkanisierung oder Teil-Vulkanisierung des Ma­ terials zu bewirken, so daß eine unerwünschte Deformierung des Materials nach dem in Kontakt treten mit der Förderein­ richtung vermieden wird.In particular, the device has an extrusion device to extrude the material in an elongated form on and is a conveyor for removal and / or for Wei arranged treatment of the extruded material such that the extruded material before the first contact can be irradiated with the conveyor. Here is the irradiable section of the conveyor path between the Ex trudiereinrichtung and the conveyor preferably not more than 8 cm, especially not more than 4 cm. At Application of a previously described embodiment of the invent In accordance with the method according to the invention, it is therefore possible to do this alone Irradiation in the irradiable section of the conveyor path  adequate vulcanization or partial vulcanization of the Ma to cause terials, so that an undesirable deformation of the material after contacting the conveyor direction is avoided.

Zur berührungslosen Messung der Oberflächentemperatur des Ma­ terials weist die Vorrichtung vorzugsweise einen nicht mit dem Material in Kontakt tretenden Sensor auf, insbesondere ein Pyrometer, wobei der Sensor mit einer Regeleinrichtung verbunden ist, zur Steuerung der Strahlungsflußdichte der In­ frarotstrahlung und/oder der Temperatur der Strahlungsquelle.For non-contact measurement of the surface temperature of the Ma terials the device preferably does not have one sensor coming into contact with the material, in particular a pyrometer, the sensor with a control device is connected to control the radiation flux density of the In infrared radiation and / or the temperature of the radiation source.

Weiterhin wird vorgeschlagen: Verwendung einer Infrarot- Strahlungsquelle zur Strahlungserwärmung eines zu vulkanisie­ renden Materials, wobei zumindest ein Teil der zum Erwärmen des Materials erforderlichen Energie durch elektromagnetische Strahlung der Infrarot-Strahlungsquelle auf das Material übertragen wird und wobei zumindest wesentliche, die Erwär­ mung des Materials bewirkende Strahlungsanteile im Wellenlän­ genbereich des nahen Infrarot liegen.It is also proposed: use of an infrared Radiation source for radiant heating to vulcanize material, with at least part of the heating of the material required energy by electromagnetic Radiation from the infrared radiation source onto the material is transmitted and being at least essential, the Erwär radiation effect in the wavelength near infrared.

Vorzugsweise weist die Infrarot-Strahlungsquelle einen Tempe­ raturstrahler auf, der bei Emissionstemperaturen von 2500 K oder höher, insbesondere von 2900 K oder höher betreibbar ist.The infrared radiation source preferably has a temperature radiator, which at emission temperatures of 2500 K or higher, in particular from 2900 K or higher is.

Bevorzugtermaßen ist die Infrarot-Strahlungsquelle eine Halo­ genlampe.The infrared radiation source is preferably a halo gene lamp.

In weiterer Ausgestaltung weist die Infrarot-Strahlungquelle einen Röhrenstrahler mit einem sich in einer strahlungsdurch­ lässigen Röhre, insbesondere in einer Quarzglasröhre, er­ streckenden Glühfaden auf. In a further embodiment, the infrared radiation source a tube emitter with one in a radiation pass casual tube, especially in a quartz glass tube, he stretching filament.  

Die Infrarot-Strahlungsquelle kann mit einem Reflektor zur Reflexion von emittierter Strahlung in Richtung des zu erwär­ menden Materials kombiniert sein.The infrared radiation source can be used with a reflector Reflection of emitted radiation in the direction of being heated material.

Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nun anhand der Zeichnung näher erläutert. Die Erfindung ist je­ doch nicht auf diese Ausführungsbeispiele beschränkt. Die einzelnen Figuren der Zeichnung zeigen:Embodiments of the present invention will now explained in more detail with reference to the drawing. The invention is ever but not limited to these embodiments. The individual figures of the drawing show:

Fig. 1 eine Extrudiervorrichtung mit nachgeordneter För­ dereinrichtung zum Abtransport des extrudierten Ma­ terials und mit einer Bestrahlungseinrichtung zur Bestrahlung des extrudierten Materials und Fig. 1 shows an extrusion device with downstream För dereinrichtung for removal of the extruded Ma materials and with an irradiation device for irradiating the extruded material and

Fig. 2 einen Querschnitt durch eine Infrarot- Strahlungsquelle zur Bestrahlung von Material. Fig. 2 shows a cross section through an infrared radiation source for irradiating material.

Die in Fig. 1 dargestellte Vorrichtung weist einen Extruder 1 auf, aus dem kontinuierlich ein Profilstrang 2 extrudiert wird. In Produktionsrichtung nachgeordnet ist eine Förderein­ richtung 7 mit einem Fördermittel 6, insbesondere einem För­ derband. Die Fördereinrichtung dient zum Abtransport des ex­ trudierten Profilstranges 2 zur Weiterbehandlung des Materi­ als. Der Förderweg zwischen dem Extruder 1 und der Förderein­ richtung 7 beträgt etwa 4 cm. In diesem Abschnitt des Förder­ weges tritt der Profilstrang 2 nicht in Kontakt mit anderem Material. Wie noch näher beschrieben wird, findet in diesem Abschnitt des Förderweges eine Bestrahlung des Profilstrangs 2 statt.The device shown in FIG. 1 has an extruder 1 from which a profile strand 2 is continuously extruded. Downstream in the production direction is a conveyor device 7 with a funding 6 , in particular a conveyor belt. The conveyor is used to remove the extruded profile strand 2 for further treatment of the material as. The conveying path between the extruder 1 and the conveying device 7 is approximately 4 cm. In this section of the conveyor path, the profile strand 2 does not come into contact with other material. As will be described in more detail, the section 2 is irradiated in this section of the conveying path.

Es soll darauf hingewiesen werden, daß die Darstellung von Fig. 1 rein schematisch zu verstehen ist. Dies bedeutet ins­ besondere, daß die Förderung des aus dem Extruder 1 heraus­ tretenden Materials nicht in gerader, oder gar horizontaler Richtung stattfinden muß. Vielmehr ist in der Praxis zu be­ rücksichtigen, daß sich das Material des Profilstrangs 2, welches unmittelbar nach dem Austreten aus dem Extruder 1 noch plastisch verformbar ist, aufgrund seines Eigengewichts einer Gewichtskraft unterworfen ist. Wenn auch aufgrund der langgestreckten Form des Profilstrangs bis zu einem gewissen Grad eine Stabilisierung der Bewegung in Förderrichtung stattfindet, treten dennoch im allgemeinen Querkräfte, d. h. Kräfte quer zur Förderrichtung auf. In spezieller Ausgestal­ tung der Vorrichtung verläuft jedoch die Förderung des Pro­ filstrangs von dem Extruder 1 zu der Fördereinrichtung 7 in vertikaler Richtung, so daß aufgrund der Gewichtskräfte keine Querkräfte auftreten. In anderer Ausgestaltung werden die Ge­ wichtskräfte bei der Positionierung und Ausrichtung des Ex­ truders 1 und der Fördereinrichtung 7 berücksichtigt, so daß einerseits keine unerwünschte Deformierung des Profilstrangs zwischen dem Extruder 1 und der Fördereinrichtung 7 stattfin­ det und andererseits der Profilstrang einen definierten Weg durchläuft.It should be pointed out that the representation of FIG. 1 is to be understood purely schematically. This means in particular that the conveyance of the material emerging from the extruder 1 does not have to take place in a straight or even horizontal direction. Rather, it must be taken into account in practice that the material of the profile strand 2 , which is plastically deformable immediately after it emerges from the extruder 1 , is subjected to a weight due to its own weight. If, due to the elongated shape of the profile strand, the movement in the conveying direction is stabilized to a certain degree, transverse forces nevertheless occur in general, ie forces transverse to the conveying direction. In a special embodiment of the device, however, the promotion of the pro filstrangs from the extruder 1 to the conveyor 7 in the vertical direction, so that no lateral forces occur due to the weight forces. In another embodiment, the Ge weight forces are taken into account when positioning and aligning the extruder 1 and the conveyor 7 , so that on the one hand no undesired deformation of the profile strand between the extruder 1 and the conveyor 7 takes place and on the other hand the profile strand passes through a defined path.

Zur Bestrahlung des Profilstrangs 2 weist die in Fig. 1 dar­ gestellte Vorrichtung eine Infrarot-Strahlungsquelle 3 auf, welche Infrarotstrahlung direkt und/oder indirekt über Refle­ xionen eines oder mehrerer Reflektoren in Richtung des Pro­ filstrangs 2 abstrahlt. In Fig. 1 ist ein Reflektor 4 darge­ stellt, der sich auf einer der Infrarotstrahlungsquelle 3 ge­ genüberliegenden Seite des Profilstrangs 2 befindet. Strah­ lung, die von der Infrarot-Strahlungsquelle kommend nicht durch den Profilstrang 2 absorbiert wird, wird durch den Re­ flektor 4 in Richtung des Profilstrangs 2 reflektiert. Mit Bezugszeichen 5 ist beispielhaft ein solcher Strahl darge­ stellt. Der Reflektor 4 kann insbesondere eine gekrümmte Form aufweisen, so daß aus Richtung der Infrarot-Strahlungsquelle 3 auf die Reflektoroberfläche auftreffende Strahlung konzen­ triert auf den Profilstrang 2 reflektiert wird. For irradiation of the profile strand 2 , the device shown in FIG. 1 has an infrared radiation source 3 , which emits infrared radiation directly and / or indirectly via reflections of one or more reflectors in the direction of the profile strand 2 . In Fig. 1, a reflector 4 is Darge, which is located on one of the infrared radiation source 3 opposite side of the profile strand 2 . Radia tion, of the infrared radiation source is coming not absorbed by the profiled bead 2, Flektor by the Re 4 in the direction of the profiled bead 2 reflected. Such a beam is shown by way of example with reference numeral 5 . The reflector 4 can in particular have a curved shape, so that from the direction of the infrared radiation source 3 impinging on the reflector surface radiation concentrated on the profile strand 2 is reflected.

Insbesondere kann sich der Reflektor 4 auch teilweise um den Profilstrang 2 herumerstrecken, so daß eine insbesondere an­ nähernd gleichmäßige Bestrahlung der Oberfläche des Profil­ strangs 2 stattfindet. Alternativ kann die Bestrahlung der Oberfläche des Profilstrangs zwar nicht gleichmäßig sein, je­ doch aus Sicht des Profilstrangs 2 aus unterschiedlichen Richtungen reflektierte Strahlung auf die Oberfläche des Pro­ filstrangs 2 einfallen. Je nach Art und Form des Reflektors oder weiterer Reflektoren kann so das gewünschte Bestrah­ lungsprofil eingestellt werden. Weiterhin kann nicht nur eine sondern mehrere Strahlungsquellen vorgesehen werden, wobei sich die Strahlungsquellen aus Sicht des Profilstrangs 2 auf derselben Seite und/oder um den Profilstrang 2 herum verteilt befinden können.In particular, the reflector 4 can also partially extend around the profile strand 2 , so that a strand 2 in particular takes place at approximately uniform irradiation of the surface of the profile. Alternatively, the irradiation of the surface of the profiled bead may not be uniform, but depending on the view of the profile extrusion 2 from different directions reflected radiation on the surface of the Pro filstrangs 2 occur. Depending on the type and shape of the reflector or other reflectors, the desired irradiation profile can be set. Furthermore, not just one but a plurality of radiation sources can be provided, the radiation sources from the perspective of the profile strand 2 being able to be distributed on the same side and / or around the profile strand 2 .

Wie das Strahlungsprofil zweckmäßigerweise einzustellen ist, hängt insbesondere auch von dem Querschnittsprofil des Pro­ filstrangs 2 ab. Bei relativ einfachen Querschnittsprofilen wird das Strahlungsprofil vorzugsweise so eingestellt, daß rundherum eine etwa gleichförmige Bestrahlung des Profil­ strangs 2 stattfindet. Derartige Profilstränge können insbe­ sondere auch durch die Bestrahlung vollständig vulkanisiert werden.How the radiation profile is expediently set also depends in particular on the cross-sectional profile of the filstrang 2 profile. With relatively simple cross-sectional profiles, the radiation profile is preferably set such that an approximately uniform irradiation of the profile strand 2 takes place all around. Such profile strands can in particular also be completely vulcanized by the radiation.

Dagegen ist die Bestrahlung von Profilsträngen mit unregelmä­ ßigen Querschnittsprofilen, insbesondere mit hervorstehenden Lippen und/oder Ausnehmungen, vorzugsweise dergestalt, daß in Umfangsrichtung quer zur Förderrichtung gesehen, eine un­ gleichförmige Verteilung der auf die Oberfläche einfallenden Strahlungsenergie stattfindet. Dabei wird das Strahlungspro­ fil vorzugsweise derart eingestellt, daß das Material des Profilstrangs 2 von jedem Ort an seiner Oberfläche aus gese­ hen bis zu einer bestimmten vorgegeben Materialtiefe oder mindestens bis zu dieser Materialtiefe vulkanisiert oder zu­ mindest teil-vulkanisiert ist, wenn das Material die För­ dereinrichtung 7 erreicht. Damit ist gewährleistet, daß nach dem in Kontakt treten mit der Fördereinrichtung 7 keine uner­ wünschte Deformierung des Profilstrangs 2 stattfinden kann, da unter Umständen noch plastisch verformbare Bereiche des Materials im Innern des Profilstrangs 2 durch eine bereits stabilisierte Umhüllung umgeben sind. Insbesondere hervorste­ hende, dünne Bereiche des Profilstrangs 2, wie beispielsweise eine in Förderrichtung durchgehende Lippe, werden vorzugswei­ se vor dem in Kontakt treten des Profilstromes 2 mit der För­ dereinrichtung 7 soweit vulkanisiert, daß in diesen Bereichen keine plastische Verformung mehr stattfinden kann.In contrast, the irradiation of profile strands with irregular cross-sectional profiles, in particular with protruding lips and / or recesses, is preferably such that, seen in the circumferential direction transverse to the conveying direction, a non-uniform distribution of the radiation energy incident on the surface takes place. The Strahlungspro fil is preferably set such that the material of the extruded profile 2 is seen from any location on its surface from up to a certain predetermined material depth or at least up to this material depth or is at least partially vulcanized if the material is the för dereinrichtung 7 reached. This ensures that after contacting the conveyor 7 no undesired deformation of the profile strand 2 can take place, since under certain circumstances plastically deformable areas of the material inside the profile strand 2 are surrounded by an already stabilized covering. In particular, protruding thin areas of the profile strand 2 , such as a continuous lip in the conveying direction, vorzugwei se before contacting the profile stream 2 with the För dereinrichtung 7 so far vulcanized that no plastic deformation can take place in these areas.

Abhängig davon, ob die Vulkanisierung des Profilstrangs 2 ausschließlich aufgrund von Strahlungserwärmung durch Strah­ lung aus Infrarot-Strahlungsquellen bewirkt wird oder nicht, findet noch eine weitere Erwärmung, beispielsweise wie in Fig. 1 gezeigt, statt. Hierzu fördert die Fördereinrichtung 7 bzw. das Fördermittel 6 den Profilstrang 2 durch einen Durch­ laufofen 8, wie an sich bereits aus dem Stand der Technik be­ kannt.Depending on whether or not the vulcanization of the profile strand 2 is caused solely by radiation heating by radiation from infrared radiation sources, further heating takes place, for example as shown in FIG. 1. For this purpose, the conveyor 7 and the funding 6 promotes the profile strand 2 through a continuous furnace 8 , as already known from the prior art be.

Um die Bestrahlung des Profilstrangs 2 durch die Infrarot- Strahlungsquelle 3 zu steuern, weist die in Fig. 1 darge­ stellte Vorrichtung ein Pyrometer 9 auf, das die Oberflächen­ temperatur des Profilstrangs 2 bzw. die von der Oberfläche des Profilstrangs 2 aus kommende Strahlungsstärke mißt. Ein Meßsignal wird über die Meßleitung 10 einer Regeleinrichtung 12 zugeführt, die wiederum über eine Steuerleitung 11 die In­ frarot-Strahlungsquelle 3 ansteuert.In order to control the irradiation of the profile strand 2 by the infrared radiation source 3 , the device shown in FIG. 1 shows a pyrometer 9 which measures the surface temperature of the profile strand 2 or the radiation intensity coming from the surface of the profile strand 2 . A measurement signal is fed via the measurement line 10 to a control device 12 , which in turn controls the infrared radiation source 3 via a control line 11 .

Die Extrudier- und Fördergeschwindigkeit für den Profilstrang 2 ist bei der in Fig. 1 dargestellten Vorrichtung vorzugswei­ se so eingestellt, daß das Material des Profilstrangs 2 vom Austritt aus dem Extruder 1 bis zum in Kontakt treten mit der Fördereinrichtung 7 etwa 1 Sekunde lang gefördert wird. Vor­ zugsweise wird der Profilstrang 2 über diesen gesamten Ab­ schnitt des Förderweges bis zum in Kontakt treten mit der Fördereinrichtung 7 von der Infrarot-Strahlungsquelle 3 be­ strahlt.The extrusion and conveying speed for the profile strand 2 is set in the device shown in Fig. 1 vorzugswei se so that the material of the profile strand 2 from the exit from the extruder 1 to come into contact with the conveyor 7 is conveyed for about 1 second . Before preferably, the profile strand 2 over this entire section from the conveyor path until it comes into contact with the conveyor 7 from the infrared radiation source 3 be emits.

Anders als in Fig. 1 dargestellt, kann sich eine Infrarot- Strahlunsquelle 3 alternativ oder zusätzlich an der Seite des Profilstrangs 2 befinden, an der sich das Material befindet, welches mit der Fördereinrichtung 7 in Kontakt tritt. In die­ sem Fall ist nicht zwangsläufig eine Reflektoranordnung er­ forderlich, die Strahlung in Richtung des in Kontakt treten­ den Materials reflektiert.Unlike shown in FIG. 1, an infrared radiation source 3 can alternatively or additionally be located on the side of the profile strand 2 on which the material is located which comes into contact with the conveying device 7 . In this case, a reflector arrangement is not necessary, it reflects the radiation in the direction of contacting the material.

Die in Fig. 2 dargestellte Anordnung weist zwei Röhrenstrah­ ler 20 auf, die anstelle der in Fig. 1 dargestellten Infra­ rot-Strahlungsquelle 3 oder zusätzlich oder alternativ an an­ deren Positionen zur Bestrahlung eines Profilstrangs oder an­ derer zu bestrahlender Materialien eingesetzt werden können. Die Röhrenstrahler 20 haben jeweils einen Wolfram-Faden 22, welcher sich etwa in der Zentrumslinie einer langgestreckten Quarzglasröhre 21 erstreckt (in Fig. 2 senkrecht zur Bildebe­ ne). Die Röhrenstrahler 20 sind in Ausnehmungen eines Reflek­ torkörpers 23 angeordnet, wobei die Ausnehmungen ebenfalls, entsprechend den Röhrenstrahlern 20, langgestreckt sind und jeweils ein parabolisches Querschnittsprofil aufweisen. An­ stelle eines parabolischen Querschnittsprofils können auch andere Querschnittsprofile verwendet werden, beispielsweise trapezförmige und/oder andere Querschnittsprofile, die insbe­ sondere auf einen weiteren Reflektor, wie den Reflektor 4 in Fig. 1, abgestimmt sind, um ein bestimmtes Bestrahlungsprofil zu erzeugen.The arrangement shown in FIG. 2 has two Röhrenstrahl ler 20 , which can be used instead of the infrared radiation source 3 shown in FIG. 1 or additionally or alternatively at their positions for irradiating a profile strand or on the materials to be irradiated. The tube radiators 20 each have a tungsten thread 22 which extends approximately in the center line of an elongated quartz glass tube 21 (in Fig. 2 perpendicular to the image plane). The tube radiators 20 are arranged in recesses of a reflector body 23 , the recesses also being elongated, corresponding to the tube radiators 20 , and each having a parabolic cross-sectional profile. Instead of a parabolic cross-sectional profile, other cross-sectional profiles can also be used, for example trapezoidal and / or other cross-sectional profiles, which are in particular matched to a further reflector, such as the reflector 4 in FIG. 1, in order to generate a specific radiation profile.

Die Oberflächen der in Fig. 2 gezeigten Ausnehmungen und die sich in horizontale Richtung erstreckenden Oberflächenberei­ che an der Unterseite des Reflektorkörpers 23 sind als Re­ flektorflächen 24 zur Reflexion von NIR-Strahlung ausgebil­ det.The surfaces of the recesses shown in FIG. 2 and the surface areas extending in the horizontal direction on the underside of the reflector body 23 are designed as reflector surfaces 24 for reflecting NIR radiation.

Durch Variation des elektrischen Stromes, der durch die Wolf­ ram-Fäden 22 fließt, wird die Temperatur der Wolfram-Fäden 22 und damit die spektrale Lage des Strahlungsflußdichte- Maximums und die Gesamt-Strahlungsleistung der emittierten Strahlung eingestellt. Die Wolfram-Fäden 22 weisen eine ge­ ringe thermische Trägheit auf, da ihre Masse und damit auch ihre Wärmekapazität gering ist. Innerhalb von Sekundenbruch­ teilen kann die volle Strahlungsleistung durch Einschalten des elektrischen Stromes erreicht werden und kann umgekehrt durch Abschalten des elektrischen Stromes die Emission von Strahlung gestoppt werden. Durch geeignete, an sich bekannte elektronische Steuerungseinrichtungen wird beim Einschalten des Stromes schnell ein zeitlich konstanter Temperaturwert der Wolfram-Fäden 22 erreicht.By varying the electrical current flowing through the wolf ram threads 22 , the temperature of the tungsten threads 22 and thus the spectral position of the radiation flux density maximum and the total radiation power of the emitted radiation is set. The tungsten threads 22 have a low thermal inertia because their mass and thus their heat capacity is low. Divide within a fraction of a second, the full radiation power can be achieved by switching on the electrical current and, conversely, the emission of radiation can be stopped by switching off the electrical current. Suitable, known electronic control devices quickly achieve a temperature value of the tungsten filaments 22 that is constant over time when the current is switched on.

Um eine Erwärmung des Reflektorkörpers 23 zu vermeiden, ist dieser vorzugsweise aktiv kühlbar, d. h. beispielsweise flüs­ sigkeitsgekühlt. Somit erwärmt sich die Reflektoroberfläche 24 höchstens geringfügig und trägt nicht nennenswert zu einer Totzeit der Regelung der Strahlungsflußdichte bei. Auf diese Weise kann bei Schwankungen der Fördergeschwindigkeit des Profilstrangs 2 oder gar bei Unterbrechnung und Wiederaufnah­ me des Extrudiervorganges schnell die Strahlungsflußdichte der emittierten Strahlung verändert werden.In order to avoid heating the reflector body 23 , it can preferably be actively cooled, ie for example liquid-cooled. Thus, the reflector surface 24 heats up at most slightly and does not contribute significantly to a dead time for the regulation of the radiation flux density. In this way, the radiation flux density of the emitted radiation can be changed quickly in the event of fluctuations in the conveying speed of the profile strand 2 or even when the extrusion process is interrupted and resumed.

BezugszeichenlisteReference list

11

Extruder
Extruder

22nd

Extrudierter Profilstrang
Extruded profile strand

33rd

Infrarot-Strahlungsquelle
Infrared radiation source

44th

Reflektor
reflector

55

Reflektierter Strahl
Reflected beam

66

Fördermittel
Funding

77

Fördereinrichtung
Conveyor

88th

Durchlaufofen
Continuous furnace

99

Pyrometer
pyrometer

1010th

Meßleitung
Measurement line

1111

Steuerleitung
Control line

1212th

Regeleinrichtung
Control device

2020th

Röhrenstrahler
Tube heater

2121

Quarzglasröhre
Quartz glass tube

2222

Wolfram-Faden
Tungsten thread

2323

Reflektorkörper
Reflector body

2424th

Reflektoroberfläche
Reflector surface

Claims (19)

1. Verfahren zum Vulkanisieren eines Materials (2), insbe­ sondere Kautschuk oder Silikon, wobei das Vulkanisieren durch Erwärmen des Materials (2) bewirkt oder unter­ stützt wird, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest ein Teil der zum Erwärmen des Materials (2) erforderlichen Energie durch elektromagnetische Strah­ lung von einer Strahlungsquelle (3) auf das Material (2) übertragen wird, wobei zumindest wesentliche, die Erwär­ mung des Materials (2) bewirkende Strahlungsanteile im Wellenlängenbereich des nahen Infrarot liegen.1. A method for vulcanizing a material ( 2 ), in particular special rubber or silicone, the vulcanization being effected or supported by heating the material ( 2 ), characterized in that at least part of the energy required for heating the material ( 2 ) is transmitted by electromagnetic radiation from a radiation source ( 3 ) to the material ( 2 ), at least essential radiation components causing the heating of the material ( 2 ) being in the near infrared wavelength range. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die elektromagnetische Strahlung von einer Strahlungs­ quelle (3) emittiert wird, die eine Emissionstemperatur von 2500 K oder höher hat, insbesondere von 2900 K oder höher.2. The method according to claim 1, characterized in that the electromagnetic radiation from a radiation source ( 3 ) is emitted, which has an emission temperature of 2500 K or higher, in particular of 2900 K or higher. 3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Material (2) derart ausgewählt oder vorbereitet wird, daß sein Absorptionsgrad im nahen Infrarot Werte größer als 0,4, insbesondere größer als 0,6 hat.3. The method according to any one of claims 1 and 2, characterized in that the material ( 2 ) is selected or prepared such that its degree of absorption in the near infrared has values greater than 0.4, in particular greater than 0.6. 4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß von dem Material (2) nicht absorbierte, reflektierte Strahlungsanteile der elektromagnetischen Strahlung in Richtung des Materials (2) zurückreflektiert werden.4. The method according to any one of claims 1 to 3, characterized in that the material ( 2 ) not absorbed, reflected radiation components of the electromagnetic radiation are reflected back in the direction of the material ( 2 ). 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächentemperatur des Materials (2) durch Steu­ ern der Strahlungsflußdichte der auf das Material (2) auftreffenden Strahlung und/oder der Bestrahlungsdauer auf einen vorgegebenen Wert eingestellt wird.5. The method according to any one of claims 1 to 4, characterized in that the surface temperature of the material ( 2 ) is set to a predetermined value by controlling the radiation flux density of the radiation incident on the material ( 2 ) and / or the radiation duration. 6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächentemperatur zumindest in einem Teilbereich des Materials gemessen und geregelt wird.6. The method according to claim 5, characterized in that the surface temperature at least in a partial area of the material is measured and regulated. 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Material langgestreckt ist und fortlaufend durch ei­ nen Bestrahlungsbereich gefördert wird, in dem die elek­ tromagnetische Strahlung auf das Material (2) auftrifft.7. The method according to any one of claims 1 to 6, characterized in that the material is elongated and is continuously promoted by egg N irradiation area in which the electromagnetic radiation strikes the material ( 2 ). 8. Verfahren nach Anspruch 8 und nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächentemperatur in dem Bestrahlungsbereich und/oder in Förderrichtung hinter dem Bestrahlungsbe­ reich berührungslos gemessen wird.8. The method according to claim 8 and according to claim 5 or 6, characterized in that the surface temperature in the irradiation area and / or in the conveying direction behind the irradiation area is measured richly without contact. 9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Material (2) nach zumindest einem Teil der Bestrah­ lung mit einer Fördereinrichtung (6, 7) zum Fördern des Materials und/oder mit einer Trägereinrichtung (6) zum Aufnehmen des Gewichts des Materials (2) in Kontakt ge­ bracht wird, wobei der mit der Fördereinrichtung (6, 7) und/oder der Trägereinrichtung (6) in Kontakt tretende Materialbereich des Materials (2) aufgrund der Bestrah­ lung bereits zumindest teilweise vulkanisiert ist.9. The method according to any one of claims 1 to 8, characterized in that the material ( 2 ) after at least part of the irradiation with a conveyor ( 6 , 7 ) for conveying the material and / or with a carrier device ( 6 ) for receiving of the weight of the material ( 2 ) is brought into contact, the material region of the material ( 2 ) coming into contact with the conveying device ( 6 , 7 ) and / or the carrier device ( 6 ) being already at least partially vulcanized due to the irradiation. 10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Bestrahlung des in Kontakt tretenden Materialbe­ reichs nicht mehr als 3 Sekunden, insbesondere nicht mehr als 1 Sekunde, dauert.10. The method according to claim 9, characterized in that the irradiation of the material coming into contact empire not more than 3 seconds, especially not more than 1 second. 11. Vorrichtung zum Vulkanisieren eines Materials (2), ins­ besondere Kautschuk oder Silikon mit einer Strahlungs­ quelle (3) zur Emission von Infrarotstrahlung, wobei die Strahlungsquelle (3) derart betreibbar ist, daß strah­ lungsenergetisch wesentliche Anteile im nahen Infrarot liegen, und wobei die Strahlungsquelle (3) derart ange­ ordnet ist, daß das Material (2) zumindest teilweise aufgrund von Absorption der Infrarotstrahlung vulkani­ sierbar ist.11. A device for vulcanizing a material ( 2 ), in particular rubber or silicone with a radiation source ( 3 ) for the emission of infrared radiation, the radiation source ( 3 ) being operable in such a way that radiation-essential portions are in the near infrared, and wherein the radiation source ( 3 ) is arranged such that the material ( 2 ) is at least partially vulcanized due to absorption of infrared radiation. 12. Vorrichtung nach Anspruch 11, mit einer Extrudiereinrichtung (1) zum Extrudieren des Materials (2) in langgestreckter Form und mit einer För­ dereinrichtung (6, 7) zum Abtransport und/oder zur Wei­ terbehandlung des extrudierten Materials (2), wobei die Strahlungsquelle (3) derart angeordnet ist, daß das ex­ trudierte Material bereits vor dem ersten Kontakt mit der Fördereinrichtung (6, 7) bestrahlbar ist. 12. The apparatus of claim 11, with an extrusion device ( 1 ) for extruding the material ( 2 ) in elongated form and with a För dereinrichtung ( 6 , 7 ) for removal and / or for further treatment of the extruded material ( 2 ), wherein the Radiation source ( 3 ) is arranged such that the extruded material can be irradiated before the first contact with the conveyor ( 6 , 7 ). 13. Vorrichtung nach Anspruch 12, wobei der bestrahlbare Abschnitt des Förderweges zwi­ schen der Extrudiereinrichtung (1) und der Förderein­ richtung (6, 7) nicht mehr als 8 cm, insbesondere nicht mehr als 4 cm, beträgt.13. The apparatus of claim 12, wherein the irradiable portion of the conveying path between the extrusion device ( 1 ) and the conveying device ( 6 , 7 ) is not more than 8 cm, in particular not more than 4 cm. 14. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 13, mit einem Sensor (9) zur berührungslosen Messung der Oberflächentemperatur des Materials (2), insbesondere mit einem Pyrometer, wobei der Sensor (9) mit einer Re­ geleinrichtung (12) verbunden ist, zur Steuerung der Strahlungsflußdichte der Infrarotstrahlung und/oder zur Steuerung der Temperatur der Strahlungsquelle (3).14. Device according to one of claims 11 to 13, with a sensor ( 9 ) for contactless measurement of the surface temperature of the material ( 2 ), in particular with a pyrometer, the sensor ( 9 ) being connected to a control device ( 12 ) for Control of the radiation flux density of the infrared radiation and / or to control the temperature of the radiation source ( 3 ). 15. Verwendung einer Infrarot-Strahlungsquelle (3, 20) zur Strahlungserwärmung eines zu vulkanisierenden Materials (2), wobei zumindest ein Teil der zum Erwärmen des Mate­ rials (2) erforderlichen Energie durch elektromagneti­ sche Strahlung von der Infrarot-Strahlungsquelle (3, 20) auf das Material (2) übertragen wird und wobei zumindest wesentliche, die Erwärmung des Materials (2) bewirkende Strahlungsanteile im Wellenlängenbereich des nahen In­ frarot liegen.15. Use of an infrared radiation source ( 3 , 20 ) for radiant heating of a material to be vulcanized ( 2 ), wherein at least part of the energy required for heating the material ( 2 ) by electromagnetic radiation from the infrared radiation source ( 3 , 20 ) is transferred to the material ( 2 ) and at least substantial radiation components causing the heating of the material ( 2 ) are in the near infrared wavelength range. 16. Verwendung nach Anspruch 15, wobei die Infrarot-Strahlungsquelle (20) einen Tempera­ turstrahler (22) aufweist, der bei Emissionstemperaturen von 2500 K oder höher, insbesondere von 2900 K oder hö­ her betreibbar ist.16. Use according to claim 15, wherein the infrared radiation source ( 20 ) has a temperature radiator ( 22 ) which can be operated at emission temperatures of 2500 K or higher, in particular 2900 K or higher. 17. Verwendung nach Anspruch 15 oder 16, wobei die Infrarot-Strahlungsquelle (3, 20) eine Halo­ genlampe ist. 17. Use according to claim 15 or 16, wherein the infrared radiation source ( 3 , 20 ) is a halogen lamp. 18. Verwendung nach einem der Ansprüche 15 bis 17, wobei die Infrarot-Strahlungsquelle (3, 20) einen Röh­ renstrahler (20) mit einem sich in einer strahlungs­ durchlässigen Röhre (21), insbesondere in einer Quarz­ glasröhre, erstreckenden Glühfaden (22) aufweist.18. Use according to any one of claims 15 to 17, wherein the infrared radiation source ( 3 , 20 ) a tube emitter ( 20 ) with a filament ( 22 ) extending in a radiation-permeable tube ( 21 ), in particular in a quartz glass tube. having. 19. Verwendung nach einem der Ansprüche 14 bis 16, wobei die Infrarot-Strahlungsquelle (3, 20) mit einem Reflektor (22, 24) zur Reflexion von emittierter Strah­ lung in Richtung des zu erwärmenden Materials (2) kombi­ niert ist.19. Use according to one of claims 14 to 16, wherein the infrared radiation source ( 3 , 20 ) with a reflector ( 22 , 24 ) for reflecting emitted radiation in the direction of the material to be heated ( 2 ) is combined.
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