DE19913813A1 - Concentrated radiation heater based on ellipsoidal reflector sections, is designed to release bundle of rays diverging at controlled angle, towards following objective lens - Google Patents
Concentrated radiation heater based on ellipsoidal reflector sections, is designed to release bundle of rays diverging at controlled angle, towards following objective lensInfo
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Abstract
Description
In der industriellen Fertigung besteht vielfach der Bedarf, Material (z. B. Werkstücke oder Proben) punktuell zu erwärmen. Beispiele sind Glühen, Hartlöten, Schmelzen, Schrumpfen, Kleben, Trocknen oder Weichlöten von Kunststoffen und Metallen.In industrial production there is often a need to use material (e.g. To heat workpieces or samples) selectively. Examples are glow, Brazing, melting, shrinking, gluing, drying or soft soldering of plastics and metals.
Ein berührungsloses Verfahren, bei dem Wärmestrahlungsenergie auf einen kleinen Bereich begrenzt und der Wärmeeintrag geregelt werden kann, ist die Bestrahlung mit Licht einer Lichtquelle (deutsche Patentschrift Nr. 4 98 501 vom 23.05.1930). Die Strahlungsenergie kann über die Leistung der Lichtquelle, die Strahlungsdauer und die Art der Fokussierung variiert werden. Sie wird an der Oberfläche des zu erwärmenden Werkstückes absorbiert und in Wärme umgewandelt. Daher ist das Absorptionsverhalten der bestrahlten Werkstücke von entscheidender Bedeutung, und es sollte eine Lichtquelle gewählt werden, deren Wellenlänge in einem Bereich liegt, in dem das Licht sehr gut absorbiert wird.A non-contact process in which heat radiation energy is applied limited a small area and the heat input can be regulated irradiation with light from a light source (German patent specification No. 4 98 501 from May 23, 1930). The radiation energy can over the Power of the light source, the radiation duration and the type of Focusing can be varied. It becomes on the surface of the absorbing workpiece and converted into heat. Therefore is the absorption behavior of the irradiated workpieces from crucial and a light source should be chosen whose wavelength is in a range in which the light is very good is absorbed.
Beim Lichtlöten wird ein Teil der von einer Lichtquelle ausgehenden Strahlen mit einem halbellipsoiden Reflektor in einem Brennpunkt fokussiert und zu einer Lötstelle geleitet. Bei einem Produkt der Fa. Royonic wird das Licht zusätzlich mit einem Linsensystem gebündelt, welches einen beachtlichen Teil der Lichtleistung absorbiert. Da dieses System zur langsamen und "schonenden" Aufheizung von Elektronikbauteilen in Verbindung mit einer Unterheizung eingesetzt wird, reicht die vergleichsweise geringe Leistungsdichte aber aus.With light soldering, a part of the light source Rays with a semi-ellipsoidal reflector in one focus focused and directed to a solder joint. For a product of The Royonic company also bundles the light with a lens system, which absorbs a considerable part of the light output. Since this System for the slow and "gentle" heating of Electronic components are used in conjunction with an underheater, the comparatively low power density is sufficient.
Bei einem weiteren Reparatursystem (DE 196 39 993 A1) wird das Licht eines Halogenstrahlers mit einem ellipsoiden Reflektor gebündelt und durch ein Kapillarglasrohr geleitet, welches es ermöglicht, die Handhabungsfunktion einer Saugpipette mit der Funktion eines Lötwerkzeuges zu kombinieren. Durch eine Verjüngung des Kapillarrohres soll eine bessere Fokussierung erreicht werden.In another repair system (DE 196 39 993 A1) the light turns on a halogen spotlight bundled with an ellipsoidal reflector and passed through a capillary glass tube, which enables the Handling function of a suction pipette with the function of a Combine soldering tool. By tapering the capillary tube better focus is to be achieved.
Auch bei einem System mit Xenon-Hochducklampe wird Licht mit einem ellipsoiden Reflektor gebündelt und im zweiten Brennpunkt in einen flexiblen Lichtleiter eingekoppelt (Stellbrink, L.: "Löten mit Licht", Productronic (1994) 4, S. 31-32). Durch Verstellen der Optik kann die Fokussierung verändert werden.Even in a system with a high-pressure xenon lamp, light is emitted by one ellipsoidal reflector bundled and in the second focal point in one flexible light guide coupled in (Stellbrink, L .: "Soldering with light", Productronic (1994) 4, pp. 31-32). By adjusting the optics, the Focus can be changed.
Bei diesen Systemen mit halbellipsoiden Reflektoren wird das Licht in einem beachtlichen Teil ϕ* des Strahlungselevationswinkels nicht auf den zweiten Brennpunkt fokussiert, sondern verläßt als Streulicht den Reflektor. Dieser Verlustwinkel ϕ* beträgt bei einer Ellipse mit einer numerischen Exzentrizität von 0,6-0,7 (wie sie Wiesner, P. in seinem Abschlußbericht zum DFG-Vorhaben "Oberflächenhärten mit Hochenergielampen Wi 1209/3-1" empfiehlt) ca. 90°. Dieses Streulicht ist als Leistung für die Erwärmung der Bearbeitungsstelle verloren und stört unter Umständen den Prozeß, da es die Umgebung erwärmt. Weiterhin ist der maximale Lichtaustrittswinkel oder Öffnungswinkel ϕ bei halbellipsoiden Reflektoren gleich dem Verlustwinkel ϕ*. Wird nun der austretende Lichtkegel mit einem Objektiv beeinflußt, treten weitere Leistungsverluste auf, da handelsübliche. Linsen nur das Licht bis zu einem Öffnungswinkel von ca. 60° aufnehmen können. Strahlungsanteile, die außerhalb dieses Winkels liegen, werden in die Umgebung reflektiert. In these systems with semi-ellipsoidal reflectors, the light is in a considerable part ϕ * of the radiation elevation angle not to the focused second focus, but leaves the as stray light Reflector. This loss angle ϕ * is for an ellipse with a numerical eccentricity of 0.6-0.7 (as described by Wiesner, P. in his Final report on the DFG project "Surface hardening with High energy lamps Wi 1209 / 3-1 "recommends) approx. 90 °. This stray light is lost as power for heating the processing point and disturbing possibly the process as it warms the environment. Still is the maximum light exit angle or opening angle ϕ at semi-ellipsoidal reflectors equal to the loss angle ϕ *. Now the emerging cones of light influenced by a lens, more occur Loss of performance due to the usual. Lenses just light up to can accommodate an opening angle of approx. 60 °. Radiation components, that lie outside this angle are reflected in the environment.
Ziel ist also eine Reflektorform mit geringem Verlustwinkel ϕ* und geringem Öffnungswinkel ϕ.The aim is therefore a reflector shape with a low loss angle ϕ * and small opening angle ϕ.
Eine Verlängerung des Reflektors von der Halbellipse (in einem Schnitt längs der Rotationssymmetrieachse des Reflektors gesehen) bis fast zur vollen Ellipse verringert den Verlustwinkel ϕ*, jedoch steigt der Öffnungswinkel ϕ. Eine Verkürzung der Ellipse verringert den Öffnungswinkel ϕ, jedoch steigt der Verlustwinkel ϕ*. Eine Änderung der numerischen Exzentrizität verändert die Größe der Abbildung der Lichtquelle im Brennpunkt.An extension of the reflector from the semi-ellipse (in one cut seen along the rotational symmetry axis of the reflector) to almost full ellipse reduces the loss angle ϕ *, but increases Opening angle ϕ. Shortening the ellipse reduces the Opening angle ϕ, however the loss angle ϕ * increases. A change in numerical eccentricity changes the size of the image Light source in focus.
Einen anderen Weg zeigt die deutsche Patentanmeldung DE 43 45 010 A1 mit einem Reflexionselement aus einem ellipsoidförmigen Hauptreflektor und einem zusätzlichen ellipsoidförmigen Reflektor, die über einen sphärischen Ringreflektor miteinander verbunden sind. Ein Strahlungsbrennpunkt des ersten Reflektors liegt in der Kopplungsfläche des letzteren. Dadurch wird der Verlustwinkel ϕ* geringer, der Öffnungswinkel ϕ ändert sich nicht.The German patent application shows another way DE 43 45 010 A1 with a reflection element from a ellipsoidal main reflector and an additional ellipsoidal Reflector connected to each other via a spherical ring reflector are. A focal point of radiation of the first reflector is in the Coupling surface of the latter. The loss angle ϕ * lower, the opening angle ϕ does not change.
Der Erfindung liegt das Problem zugrunde, dass bei Fokussierung mittels eines ellipsoidförmigen Reflektors Leistungsverluste dadurch auftreten, daß in einem Verlustwinkel ϕ* Strahlung nicht auf den Reflektor trifft und daher nicht auf den zweiten Brennpunkt fokussiert wird, und weiterhin dadurch, daß eventuell der Öffnungswinkel ϕ größer ist als der zulässige Lichteintrittswinkel eines nachgeschalteten Objektivs.The invention is based on the problem that when focusing using of an ellipsoidal reflector, power losses occur because that at a loss angle ϕ * radiation does not hit the reflector and therefore is not focused on the second focus, and continues in that the opening angle ϕ may be greater than the permissible Light entry angle of a downstream lens.
Durch die Erfindung soll erreicht werden, dass von der zur Verfügung stehenden Wärmestrahlung einer Wärmequelle möglichst viel zu einer Bearbeitungsstelle gelangt. The aim of the invention is to achieve that of the available standing heat radiation from a heat source as much as possible Processing point reached.
Dies wird durch eine Vorrichtung mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 erreicht, weil nun eine der Reflektorflächen bis weit an die Rotationssymmetrieebene der Reflektoranordnung heran reichen kann. Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.This is achieved by a device with the features of Claim 1 achieved because now one of the reflector surfaces to far the rotational symmetry plane of the reflector arrangement can reach. Advantageous further developments are in the dependent claims specified.
Ein wesentlicher Gedanke der Erfindung besteht darin, dass eine Reflektoranordnung so aus mehreren rotationssymmetrischen Reflektorflächen zusammengesetzt ist, dass die von einem Wärmestrahler, insbesondere Lampe, ausgesandte Strahlung durch einfache oder mehrfache Reflexion von umgebenden Reflektorflächen so auf eine hinter bzw. um den Wärmestrahler herum angeordnete Reflektorfläche gespiegelt wird, dass sie als achsnahe Strahlung durch eine Strahlungsaustrittsöffnung geleitet wird, d. h. so, dass der Öffnungswinkel ϕ kleiner ist als bei einem vergleichbaren ellipsoiden Reflektor, möglichst kleiner 60°. Weiterhin ist der Verlustwinkel ϕ* sehr gering, d. h. noch kleiner als der Öffnungswinkel ϕ.An essential idea of the invention is that a So reflector arrangement of several rotationally symmetrical Reflector surfaces is composed of that of a Radiant heaters, in particular lamps, emitted radiation single or multiple reflection from surrounding reflector surfaces like this on a one behind or around the heat radiator Reflector surface is mirrored by radiation as close to the axis a radiation exit opening is directed, d. H. so that the Opening angle ϕ is smaller than that of a comparable ellipsoid Reflector, preferably less than 60 °. Furthermore, the loss angle ϕ * is very low, d. H. even smaller than the opening angle ϕ.
Die Fig. 1 bis 3 zeigen im Längsschnitt schematisch jeweils ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Vorrichtung. Figs. 1 to 3 show in schematic longitudinal section, respectively, an embodiment of an inventive device.
Fig. 4 zeigt den Einsatz der Vorrichtung in einem Lichtlötsystem. In den Fig. 5 und 6 sind weitere Ausführungsbeispiele schematisch dargestellt. Fig. 4 shows the use of the device in a light soldering system. In FIGS. 5 and 6, further embodiments are schematically shown.
Der gesamte Reflektor R (siehe Fig. 4) weist gemäß Fig. 1 mehrere
Reflektorflächen mit gemeinsamer Rotationssymmetrieachse ROT auf,
nämlich:
According to FIG. 1, the entire reflector R (see FIG. 4) has a plurality of reflector surfaces with a common axis of rotational symmetry ROT, namely:
- 1. eine stetig gekrümmte Sammelfläche RS, die gesehen von einem Wärmestrahler L auf der einer Strahlungsaustrittsöffnung LA gegenüberliegenden Seite angeordnet ist,1. a continuously curved quilt RS seen by one Radiant heater L on the one radiation exit opening LA opposite side is arranged
- 2. eine Reflektorfläche RA1, die sich an RS anschließt, und2. a reflector surface RA1, which connects to RS, and
- 3. eine Reflektorfläche RA2, die sich an RA1 anschließt und bis zu einer Strahlungsaustrittsöffnung LA, also fast bis an die Rotationssymmetrieachse ROT reicht.3. a reflector surface RA2 that connects to RA1 and up to one Radiation exit opening LA, almost up to Rotational symmetry axis RED is sufficient.
Ein Strahl x zeigt die Wirkungsweise. Ausgehend von dem Wärmestrahler (Lichtquelle) L trifft der Strahl auf die Reflektorfläche RA1 und wird auf die Reflektorfläche RA2 (die sogenannte Gegenfläche), von dort zur Reflektorfläche (Sammelfläche) RS und von dort auf die Strahlungsaustrittsöffnung (Lichtaustrittsöffnung) LA geleitet (siehe Fig. 1 im unteren Bereich). Der letzte Teil des Strahlenganges (zwischen RS und LA) verläuft achsnah, das heißt so nahe der Rotationssymmetrieachse der Reflektorflächen, daß er innerhalb des maximalen Öffnungswinkels ϕ liegt, den das (in Fig. 1 nicht gezeigte) nachgeschaltete Objektiv (O in Fig. 4) zulässt. Dieses gilt für alle Strahlen x in einem Bereich α des Strahlungselevationswinkels, also zwischen den Strahlen a und b (siehe Fig. 1 im oberen Bereich).A beam x shows the mode of action. Starting from the heat radiator (light source) L, the beam hits the reflector surface RA1 and is directed to the reflector surface RA2 (the so-called counter surface), from there to the reflector surface (collecting surface) RS and from there to the radiation exit opening (light exit opening) LA (see FIG. 1 in the lower area). The last part of the beam path (between RS and LA) runs close to the axis, i.e. so close to the axis of symmetry of the reflector surfaces that it lies within the maximum opening angle ϕ that the downstream lens (not shown in FIG. 1) (O in FIG. 4 ) allows. This applies to all rays x in an area α of the radiation elevation angle, that is to say between rays a and b (see FIG. 1 in the upper area).
Die Lichtaustrittsöffnung LA ist als auswechselbare Blende B gestaltet. In der Lichtaustrittsöffnung LA kreuzen sich die austretenden Strahlen, die hier eine Strahlentaille bilden. Da die Reflektoranordnung bis zur Lichtaustrittsöffnung geschlossen ist, gibt es nahezu kein Streulicht außerhalb des den Reflektor verlassenden Lichtkegels. Eine oder mehrere Öffnungen OL in der Sammelfläche RS dienen zur Positionierung des Wärmestrahlers L mit seiner Fassung F. The light exit opening LA is designed as an exchangeable cover B. In the emerging light rays cross the light exit opening LA form a ray waist here. Since the reflector arrangement up to Light exit opening is closed, there is almost no stray light outside the cone of light leaving the reflector. One or more Openings OL in the collecting surface RS serve to position the Radiant heater L with its socket F.
Fig. 2 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Vorrichtung. Hierbei ist zwischen der Sammelfläche RS und der Reflektorfläche RA1 eine weitere Reflektorfläche RE angeordnet, deren Form ellipsoid ist, so dass sich in einem der beiden Brennpunkte die Lichtquelle L und im anderen Brennpunkt die Lichtaustrittsöffnung LA befindet. Fig. 2 shows another embodiment of the device according to the invention. Here, a further reflector surface RE is arranged between the collecting surface RS and the reflector surface RA1, the shape of which is ellipsoidal, so that the light source L is located in one of the two focal points and the light exit opening LA is located in the other focal point.
Strahlen in einem Bereich β des Strahlungselevationswinkels, also zwischen den Strahlen c und a* (siehe Fig. 2 im oberen Bereich), treffen auf die ellipsoide Reflektorfläche RE und werden von dort direkt durch die Lichtaustrittsöffnung LA gespiegelt (siehe Strahl y in Fig. 2, im unteren Bereich). Strahlen im Bereich α* des Strahlungselevationswinkels, also zwischen den Strahlen a* und b* (siehe Strahl x* in Fig. 2, im unteren Bereich), werden durch Mehrfachreflexion durch die Lichtaustrittsöffnung LA geleitet.Rays in a region β of the radiation elevation angle, i.e. between the beams c and a * (see FIG. 2 in the upper region), strike the ellipsoidal reflector surface RE and are reflected directly from there through the light exit opening LA (see beam y in FIG. 2 , in the area below). Rays in the range α * of the radiation elevation angle, that is to say between the beams a * and b * (see beam x * in FIG. 2, in the lower area), are guided through the light exit opening LA by multiple reflection.
Fig. 3 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Vorrichtung. Hierbei ist die Sammelfläche RS zwischen der Lichtquelle L und der Strahlungsaustrittsöffnung LA angeordnet. Strahlen in einem Bereich γ des Strahlungselevationswinkels, also zwischen den Strahlen b** und d (siehe Fig. 3 im oberen Bereich), treffen auf die Reflektorfläche RA3 und werden von dort auf die Sammelfläche RS und von dort direkt durch die Lichtaustrittsöffnung LA gespiegelt (siehe Strahl z in Fig. 3, im unteren Bereich). Fig. 3 shows a further embodiment of the device according to the invention. Here, the collecting surface RS is arranged between the light source L and the radiation exit opening LA. Rays in a region γ of the radiation elevation angle, i.e. between the rays b ** and d (see FIG. 3 in the upper region), hit the reflector surface RA3 and are reflected from there onto the collecting surface RS and from there directly through the light exit opening LA ( see beam z in Fig. 3, in the lower area).
Strahlen im Bereich α** des Strahlungselevationswinkels, also zwischen den Strahlen a** und b** (siehe Fig. 3 im oberen Bereich), werden durch dreifache Reflexion an RA1, RA2 und RS durch die Lichtaustrittsöffnung LA geleitet (Strahl x**).Beams in the range α ** of the radiation elevation angle, i.e. between beams a ** and b ** (see FIG. 3 in the upper area), are guided through the light exit opening LA by triple reflection at RA1, RA2 and RS (beam x ** ).
Fig. 5 zeigt ein Ausführungsbeispiel, bei dem in einem weiten Bereich des Strahlungselevationswinkels eine Reflektorfläche RA3 Strahlen (beispielsweise Z1, Z2, Z3) auf eine Reflektorfläche RS reflektiert, welche eine weitere Reflexion in Richtung auf eine Lichtaustrittsöffnung LA bewirkt. Bemerkenswert ist, dass die Strahlung hier jeweils nur zwei mal reflektiert wird. Fig. 5 shows an embodiment, a reflector surface RA3 rays (for example, Z1, Z2 Z3) reflected at the in a wide range of radiation angle of elevation to a reflector surface RS, which causes a further reflection in the direction of a light exit opening LA. It is remarkable that the radiation is only reflected twice here.
In Fig. 6 wird (ähnlich wie in Fig. 2) ein Teil der Strahlung an einer Reflektorfläche RE nur einmal reflektiert (Strahl y* zwischen den Grenzstrahlen c* und a*). Andere Strahlen (Strahl z* zwischen den Grenzstrahlen a* und b*) werden zweimal reflektiert.In Fig. 6 (similar to Fig. 2), part of the radiation is reflected only once on a reflector surface RE (beam y * between the boundary beams c * and a *). Other rays (ray z * between the boundary rays a * and b *) are reflected twice.
Vorteilhaft bei den Fig. 5 und 6 ist, dass durch die geringe Anzahl von Reflexionen nur relativ geringe Verluste auftreten.It is advantageous in FIGS. 5 and 6 that only relatively small losses occur due to the small number of reflections.
Das Lichtlötsystem nach Fig. 4 gestattet, kostengünstig einzelne hochwertige Lötverbindungen zu erzeugen. Es kann sowohl zum Reflowlöten mit Lotpaste als auch zum Löten mit Lotdraht verwendet werden.The light soldering system according to FIG. 4 allows individual high-quality solder connections to be produced inexpensively. It can be used both for reflow soldering with solder paste and for soldering with solder wire.
Mit der oben beschriebenen Reflektoranordnung R wird die von der Lichtquelle L emittierte Strahlung auf die Strahlungsaustrittsöffnung LA fokussiert, die wiederum mit einem Objektiv O auf eine Bearbeitungsstelle BS abgebildet wird, wo sich das örtlich begrenzt zu erwärmende Material befindet.With the above-described reflector arrangement R, that of Light source L emits radiation onto the radiation exit opening LA focused, which in turn with a lens O on a processing point BS is shown where the local material to be heated is located located.
Das System wird ergänzt durch eine Lotdrahtzuführungseinheit LZ und ein Pyrometer P zur berührungslosen Temperaturmessung an der Bearbeitungsstelle BS.The system is supplemented by a LZ and a solder wire feed unit Pyrometer P for non-contact temperature measurement on the Processing center BS.
Claims (18)
mit folgenden Merkmalen:
- a) für die Strahlen des Wärmestrahlers (L) ist eine rotationssymmetrische Reflektoranordnung (R) vorgesehen, die wenigstens eine erste und eine zweite stetig gekrümmte Reflektorfläche (RA2, RS) mit einer gemeinsamen Rotationssymmetrieachse (ROT) aufweist, auf welcher sowohl der Wärmestrahler (L) als auch eine Strahlungsaustrittsöffnung (LA) angeordnet ist,
- b) die Reflektorflächen (RA2, RS) sind derart gestaltet und ausgerichtet, dass die im Betrieb auf die erste Reflektorfläche (RA2) fallenden Strahlen auf die zweite Reflektorfläche (RS) reflektiert und von dort direkt durch die Strahlungsaustrittsöffnung (LA) geleitet werden,
- a) die Strahlentaille der die Reflektoranordnung (R) im Betrieb verlassenden Strahlen liegt in der Strahlungsaustrittsöffnung (LA).
with the following features:
- a) for the rays of the heat radiator (L) a rotationally symmetrical reflector arrangement (R) is provided, which has at least a first and a second continuously curved reflector surface (RA2, RS) with a common rotational symmetry axis (ROT) on which both the heat radiator (L ) and a radiation exit opening (LA) is arranged,
- b) the reflector surfaces (RA2, RS) are designed and aligned in such a way that the rays falling on the first reflector surface (RA2) during operation are reflected on the second reflector surface (RS) and are passed directly from there through the radiation exit opening (LA),
- a) the beam waist of the rays leaving the reflector arrangement (R) during operation lies in the radiation exit opening (LA).
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- 1999-03-26 DE DE1999113813 patent/DE19913813C2/en not_active Expired - Fee Related
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